JP2005322722A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上に第1材料層、発光層及び第2材料層を組み合わせてなる四元エピタキシャル層を形成し、第2材料層の上表面に透光基板を固定し、且つ半導体基板を除去後に、第1材料層の下表面に第1材料層を貫通し並びに第2材料層の一部体積に延伸された隔離凹溝と第1延伸凹溝を形成し、第1延伸凹溝内に第1延伸電極を形成し、第1延伸電極を第1材料層の一部表面に設けた第1電極と電気的に接続し、こうして第1電極を別に第1材料層の他の部分の表面に形成した第2電極とほぼ同じ水平位置となし、これにより後続工程の進行に便利とするだけでなく、pn接合の発光作用領域を増して発光輝度と使用寿命を増した。
【選択図】 図13
Description
1.第1電極27を設置するため一部のエピタキシャル層235を除去しなければならず、このために一部の発光作用領域が失われ発光輝度が下がる。
2.第1電極27を設置するため一部のエピタキシャル層235を除去しなければならず、このため第1電極27及び第2電極25が同一水平位置に存在しなくなり、これにより後続工程上の困難が増す。
3.一部の発光層132が除去されるため、その発光作用領域が狭められ、作業時の高温がある領域範囲内に集中し、その発光装置の使用寿命を短縮する。
4.異なる材質の透明基板が直接エピタキシャル層或いは接合層を介してエピタキシャル層の上に固定されるため、工程が煩瑣であり、且つその生産歩留りが下がる。
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定された透光基板と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に固定された第2電極と、
第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入し、内部に第1電極と電気的に接続された延伸電極が形成された少なくとも一つの延伸凹溝と、
第1電極と第2電極の間に設けられ、第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入する少なくとも一つの隔離凹溝と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の下表面に複数のオームコンタクトが設けられ、該オームコンタクト77、第1材料層及び第2電極の間に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項3の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物及び三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項4の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層の間に発光層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項5の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層はAlGaInPで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項6の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層はAlGaInPのホモ構造、ヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、量子ウエル構造及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項7の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板は、ガラス、サファイヤ、SiC、GaAsP、ZnSe、ZnS、ZnSSe或いは石英及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項8の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹溝内に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項9の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の一部下表面に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項10の発明は、請求項9記載の発光ダイオードにおいて、導電層が反射材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項11の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、延伸凹溝が点状、長條状、環形、半環形、円形、矩形、直線形及びその組合せのいずれかの態様とされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項12の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が吸光基板上に成長させられ、並びに第2材料層の上表面に透光基板が形成された後、吸光基板が除去されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項13の発明は、請求項12記載の発光ダイオードにおいて、吸光基板がGaAs基板とされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項14の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1電極及び第2電極は全体の第1材料層下表面の垂直延伸位置を被覆し、且つそれぞれ導電及び反射機能を具えた材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項15の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1電極及び第2電極はほぼ同一の水平高度を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項16の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板を更に具え、該電力供給基板の上表面に第1導電層及び第2導電層が設けられ、第1導電層は第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項17の発明は、請求項16記載の発光ダイオードにおいて、第1導電層は第1導電バンプにより第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2導電バンプにより第2電極と電気的に接続され、これにより発光ダイオードがフリップチップ発光ダイオードとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項18の発明は、請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板はセラミック、ガラス、窒化アルミニウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ウレア樹脂、プラスチック、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、回路板、プリント回路板、或いは誘電材料で被覆された炭化シリコン、シリコン、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項19の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹層の代わりに凹溝隔離層と表面隔離層が設けられ、凹溝隔離層は延伸凹溝内に設けられて延伸電極と第1材料層の間にあり、表面隔離層は第1電極と第1材料層の間に設けられて延伸電極と第1電極が第1材料層と電気的に隔離されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項20の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の一部下表面に反射層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項21の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、延伸凹溝は第1材料層の周辺を囲むように設けられ、且つ第2材料層の一部体積に進入し、延伸凹溝内に更に順に凹溝隔離層及び延伸電極が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項22の発明は、請求項21記載の発光ダイオードにおいて、延伸電極は環側電極とされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項23の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板はアンドープの第2材料層の材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項24の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板はアンドープのAlGaInPで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項25の発明は、請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は静電防止保護装置とされ、その上表面にESD第1電極及びESD第2電極が設けられ、そのうちESD第1電極はエピタキシャル層の第2電極と電気的に接続され、ESD第2電極はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項26の発明は、請求項25記載の発光ダイオードにおいて、静電防止保護装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項27の発明は、請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は電圧調整装置とされ、VRD第1電極及びVRD第2電極が設けられ、VRD第1電極はエピタキシャル層の第2電極に電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項28の発明は、請求項27記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続された第3電力供給回路を具え、該第3電力供給回路と電圧調整装置の間に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項29の発明は、請求項27記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項30の発明は、発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定された透光基板と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に固定された第2電極と、
第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入し、内部に凹溝隔離層と延伸電極が設けられ、該延伸電極が凹溝隔離層により第1材料層と電気的に隔離されている少なくとも一つの延伸凹溝と、
表面隔離層に隔てられた第1材料層の一部下表面に設けられ、且つ延伸電極と電気的に接続された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に設けられた第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項31の発明は、発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の一部の上表面に設けられた第1電極と、
第2材料層のその他の部分の上表面に設けられた第2電極と、
第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入し、内部に第1電極と電気的に接続された延伸電極が設けられた少なくとも一つの延伸凹溝と、
第1電極と第2電極の間に設けられ、第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入した少なくとも一つの隔離凹溝と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項32の発明は、請求項31記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板を更に具え、該電力供給基板の上表面に第1導電層及び第2導電層が設けられ、第1導電層は第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項33の発明は、請求項32記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が吸光基板上に成長させられ、電力供給基板とエピタキシャル層が固定された後に、吸光基板が除去されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項34の発明は、請求項31記載の発光ダイオードにおいて、第2材料層の下表面に複数のオームコンタクトが設けられ、オームコンタクト、第2材料層及び第2電極の間に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項35の発明は、請求項31記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物或いは三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項36の発明は、請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板はセラミック、ガラス、窒化アルミニウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ウレア樹脂、プラスチック、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、回路板、プリント回路板、或いは誘電材料で被覆された炭化シリコン、シリコン、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項37の発明は、請求項31記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹層の代わりに凹溝隔離層と表面隔離層が設けられ、凹溝隔離層は延伸凹溝内に設けられて延伸電極と第1材料層の間にあり、表面隔離層は第1電極と第1材料層の間に設けられて延伸電極と第1電極が第2材料層と電気的に隔離されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項38の発明は、請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は静電防止保護装置とされ、その上表面にESD第1電極及びESD第2電極が設けられ、そのうちESD第1電極はエピタキシャル層の第2電極と電気的に接続され、ESD第2電極はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項39の発明は、請求項38記載の発光ダイオードにおいて、静電防止保護装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項40の発明は、請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は電圧調整装置とされてVRD第1電極及びVRD第2電極が設けられ、VRD第1電極はエピタキシャル層の第2電極に電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項41の発明は、請求項40記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続された第3電力供給回路を具え、該第3電力供給回路と電圧調整装置の間に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項42の発明は、請求項40記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項43の発明は、発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入し、内部に凹溝隔離層と延伸電極が設けられ、延伸電極が凹溝隔離層により第2材料層と電気的に隔離された少なくとも一つの延伸凹溝と、
表面隔離層により隔てられた第2材料層の一部上表面に形成され、延伸電極と電気的に接続された第1電極と、
第2材料層のその他の部分の上表面に形成された第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項44の発明は、発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の一部の下表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定され、アンドープの第2材料層の材料で形成された透光基板と、
第2材料層の第1材料層により未被覆の部分の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項45の発明は、請求項44記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物及び三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
110 発光装置 120 発光装置
130 発光装置 11 半導体基板
13 エピタキシャル層 131 第1材料層
132 発光層 133 第2材料層
15 第2電極 17 第1電極
19 反射層 21 透光基板
22 接合層 23 第1トレンチ
235 一部のエピタキシャル層 25 第2電極
27 第1電極 29 導電層
31 半導体基板 33 エピタキシャル層
331 第1材料層 332 発光層
333 第2材料層 35 第2電極
350 第2電極 37 第1電極
371 第1延伸凹溝 372 第2延伸凹溝
375 第1延伸電極 376 隔離凹溝
377 隔離層 378 第2延伸電極
39 導電層 41 透光基板
42 接合層 50 発光装置
60 発光装置 65 第2電極
67 第1電極 671 第1延伸凹溝
675 第1延伸電極 677 凹溝隔離層
679 表面隔離層 70 発光装置
75 第2電極 77 オームコンタクト
79 導電層 80 発光装置
85 第2電極 855 導電層
857 オームコンタクト 858 第2導電バンプ
87 第1電極 871 第1延伸凹溝
875 第1延伸電極 877 凹溝隔離層
878 第1導電バンプ 879 表面隔離層
89 電力供給基板 890 静電防止保護装置
891 ESD第1電極 892 ESD第2電極
895 第2導電層 897 第1導電層
90 フリップチップ発光ダイオード 91 LED基板
931 第1材料層 933 第2材料層
95 第2電極 951 第3延伸凹溝
96 反射層 97 第1電極
971 第1延伸凹溝 974 第1環側電極
98 隔離層 990 電圧調整装置
991 VRD第1電極 992 VRD第2電極
995 隔離層 997 第3電力供給回路
Claims (45)
- 発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定された透光基板と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に固定された第2電極と、
第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入し、内部に第1電極と電気的に接続された延伸電極が形成された少なくとも一つの延伸凹溝と、
第1電極と第2電極の間に設けられ、第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入する少なくとも一つの隔離凹溝と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。 - 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の下表面に複数のオームコンタクトが設けられ、該オームコンタクト77、第1材料層及び第2電極の間に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物及び三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層の間に発光層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層はAlGaInPで形成されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層と第2材料層はAlGaInPのホモ構造、ヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、量子ウエル構造及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板は、ガラス、サファイヤ、SiC、GaAsP、ZnSe、ZnS、ZnSSe或いは石英及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹溝内に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の一部下表面に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項9記載の発光ダイオードにおいて、導電層が反射材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、延伸凹溝が点状、長條状、環形、半環形、円形、矩形、直線形及びその組合せのいずれかの態様とされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が吸光基板上に成長させられ、並びに第2材料層の上表面に透光基板が形成された後、吸光基板が除去されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項12記載の発光ダイオードにおいて、吸光基板がGaAs基板とされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1電極及び第2電極は全体の第1材料層下表面の垂直延伸位置を被覆し、且つそれぞれ導電及び反射機能を具えた材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1電極及び第2電極はほぼ同一の水平高度を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板を更に具え、該電力供給基板の上表面に第1導電層及び第2導電層が設けられ、第1導電層は第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項16記載の発光ダイオードにおいて、第1導電層は第1導電バンプにより第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2導電バンプにより第2電極と電気的に接続され、これにより発光ダイオードがフリップチップ発光ダイオードとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板はセラミック、ガラス、窒化アルミニウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ウレア樹脂、プラスチック、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、回路板、プリント回路板、或いは誘電材料で被覆された炭化シリコン、シリコン、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹層の代わりに凹溝隔離層と表面隔離層が設けられ、凹溝隔離層は延伸凹溝内に設けられて延伸電極と第1材料層の間にあり、表面隔離層は第1電極と第1材料層の間に設けられて延伸電極と第1電極が第1材料層と電気的に隔離されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、第1材料層の一部下表面に反射層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、延伸凹溝は第1材料層の周辺を囲むように設けられ、且つ第2材料層の一部体積に進入し、延伸凹溝内に更に順に凹溝隔離層及び延伸電極が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項21記載の発光ダイオードにおいて、延伸電極は環側電極とされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板はアンドープの第2材料層の材料で形成されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、透光基板はアンドープのAlGaInPで形成されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は静電防止保護装置とされ、その上表面にESD第1電極及びESD第2電極が設けられ、そのうちESD第1電極はエピタキシャル層の第2電極と電気的に接続され、ESD第2電極はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項25記載の発光ダイオードにおいて、静電防止保護装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項16記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は電圧調整装置とされ、VRD第1電極及びVRD第2電極が設けられ、VRD第1電極はエピタキシャル層の第2電極に電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項27記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続された第3電力供給回路を具え、該第3電力供給回路と電圧調整装置の間に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項27記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定された透光基板と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に固定された第2電極と、
第1材料層を貫通し第2材料層の一部体積に進入し、内部に凹溝隔離層と延伸電極が設けられ、該延伸電極が凹溝隔離層により第1材料層と電気的に隔離されている少なくとも一つの延伸凹溝と、
表面隔離層に隔てられた第1材料層の一部下表面に設けられ、且つ延伸電極と電気的に接続された第1電極と、
第1材料層のその他の部分の下表面に設けられた第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。 - 発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の一部の上表面に設けられた第1電極と、
第2材料層のその他の部分の上表面に設けられた第2電極と、
第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入し、内部に第1電極と電気的に接続された延伸電極が設けられた少なくとも一つの延伸凹溝と、
第1電極と第2電極の間に設けられ、第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入した少なくとも一つの隔離凹溝と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。 - 請求項31記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板を更に具え、該電力供給基板の上表面に第1導電層及び第2導電層が設けられ、第1導電層は第1電極と電気的に接続され、第2導電層は第2電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項32記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が吸光基板上に成長させられ、電力供給基板とエピタキシャル層が固定された後に、吸光基板が除去されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項31記載の発光ダイオードにおいて、第2材料層の下表面に複数のオームコンタクトが設けられ、オームコンタクト、第2材料層及び第2電極の間に導電層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項31記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物或いは三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板はセラミック、ガラス、窒化アルミニウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、エポキシ樹脂、ウレア樹脂、プラスチック、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、回路板、プリント回路板、或いは誘電材料で被覆された炭化シリコン、シリコン、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項31記載の発光ダイオードにおいて、隔離凹層の代わりに凹溝隔離層と表面隔離層が設けられ、凹溝隔離層は延伸凹溝内に設けられて延伸電極と第1材料層の間にあり、表面隔離層は第1電極と第1材料層の間に設けられて延伸電極と第1電極が第2材料層と電気的に隔離されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は静電防止保護装置とされ、その上表面にESD第1電極及びESD第2電極が設けられ、そのうちESD第1電極はエピタキシャル層の第2電極と電気的に接続され、ESD第2電極はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項38記載の発光ダイオードにおいて、静電防止保護装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項32記載の発光ダイオードにおいて、電力供給基板は電圧調整装置とされてVRD第1電極及びVRD第2電極が設けられ、VRD第1電極はエピタキシャル層の第2電極に電気的に接続されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項40記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置はエピタキシャル層の第1電極と電気的に接続された第3電力供給回路を具え、該第3電力供給回路と電圧調整装置の間に隔離層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項40記載の発光ダイオードにおいて、電圧調整装置は、ツエナダイオード、ショットキーバリアダイオード、シリコンベースダイオード、3−5族元素で構成されたダイオード、静電保護回路及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の上表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層を貫通し第1材料層の一部体積に進入し、内部に凹溝隔離層と延伸電極が設けられ、延伸電極が凹溝隔離層により第2材料層と電気的に隔離された少なくとも一つの延伸凹溝と、
表面隔離層により隔てられた第2材料層の一部上表面に形成され、延伸電極と電気的に接続された第1電極と、
第2材料層のその他の部分の上表面に形成された第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。 - 発光ダイオードにおいて、
第1材料層と第2材料層を具え、該第2材料層が第1材料層の一部の下表面に固定されたエピタキシャル層と、
第2材料層の上表面に固定され、アンドープの第2材料層の材料で形成された透光基板と、
第2材料層の第1材料層により未被覆の部分の下表面に固定された第1電極と、
第1材料層の一部の下表面に固定された第2電極と、
を具えたことを特徴とする、発光ダイオード。 - 請求項44記載の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層が四元化合物及び三元化合物のいずれかとされたことを特徴とする、発光ダイオード。
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