JP2017085144A - コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイスは、n型領域22とp型領域26との間に配置された発光層24を有する半導体構造を含む。半導体構造は、nコンタクト領域23及びpコンタクト領域25を含む。nコンタクト領域の断面は、発光層及びp型領域の部分が除去されてn型領域が露出された複数の第1の領域を有する。複数の第1の領域は、発光層及びp型領域がデバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔される。デバイスは更に、pコンタクト領域内で半導体構造上に形成された第1の金属コンタクト40と、nコンタクト領域内で半導体構造上に形成された第2の金属コンタクト38とを含む。第2の金属コンタクトは、nコンタクト領域の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触する。
【選択図】図3
Description
(1) デバイスであって:
半導体構造であり:
n型領域とp型領域との間に配置された発光層と、
nコンタクト領域及びpコンタクト領域であり、該nコンタクト領域の断面は、前記発光層及び前記p型領域の部分が除去されて前記n型領域が露出された複数の第1の領域を有し、該複数の第1の領域は、前記発光層及び前記p型領域が当該デバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔されている、nコンタクト領域及びpコンタクト領域と、
前記nコンタクト領域と前記pコンタクト領域との間に配置された溝と、
を有する半導体構造;
前記p型領域上のコンタクト金属層であり、前記nコンタクト領域の前記第2の領域に残存する前記p型領域及び前記pコンタクト領域に残存する前記p型領域と同じパターンに形成されたコンタクト金属層;
前記pコンタクト領域内で前記コンタクト金属層上に形成された第1の金属コンタクト;及び
前記nコンタクト領域内で前記コンタクト金属層及び前記半導体構造の上に形成された第2の金属コンタクト;
を有し、
前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触している、
デバイス。
(2) 前記コンタクト金属層は、反射性金属層とその上の保護用金属層とを有する、(1)に記載のデバイス。
(3) 前記溝は、前記第1の金属コンタクトを前記第2の金属コンタクトから電気的に分離している、(1)に記載のデバイス。
(4) 前記複数の第1の領域は、前記半導体構造内に形成された複数の孔を有し、該孔の幅は1μmと5μmとの間である、(1)に記載のデバイス。
(5) 最も近く隣接し合う前記孔の中心同士は4μmと8μmとの間の間隔で離隔されている、(4)に記載のデバイス。
(6) 前記第2の金属コンタクトの断面は、複数の谷部によって離隔された複数の丘部を有する、(1)に記載のデバイス。
(7) 前記溝の側壁に配置された絶縁層、を更に有する(1)に記載のデバイス。
(8) デバイスであって:
半導体構造であり:
n型領域とp型領域との間に配置された発光層と、
nコンタクト領域及びpコンタクト領域であり、該nコンタクト領域の断面は、前記発光層及び前記p型領域の部分が除去されて前記n型領域が露出された複数の第1の領域を有し、該複数の第1の領域は、前記発光層及び前記p型領域が当該デバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔されており、該複数の第2の領域は半導体材料のポストを有する、nコンタクト領域及びpコンタクト領域と、
前記nコンタクト領域と前記pコンタクト領域との間に配置された溝と、
を有する半導体構造;
前記pコンタクト領域内で前記半導体構造上に形成された第1の金属コンタクトであり、複数の第1のバンプを形成する第1の金属コンタクト;及び
前記nコンタクト領域内で前記半導体構造上に形成された第2の金属コンタクトであり、前記nコンタクト領域の前記第2の領域に対応する複数の第2のバンプを有する第2の金属コンタクト;
を有し、
前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触しており、
前記複数の第1のバンプは、前記複数の第2のバンプと同じピッチを有する、
デバイス。
(9) 前記ポストの幅は1μmと5μmとの間である、(8)に記載のデバイス。
(10) 成長基板上に、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造を成長させる工程;
前記p型領域を覆ってコンタクト金属層を形成する工程;
前記コンタクト金属層及び前記半導体構造をエッチングする工程であり:
nコンタクト領域であり、該nコンタクト領域の断面は、前記発光層、前記p型領域及び前記コンタクト金属層の部分が除去されて前記n型領域が露出された複数の第1の領域を有し、該複数の第1の領域は、前記発光層、前記p型領域及び前記コンタクト金属層がデバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔される、nコンタクト領域と、
前記半導体構造及び前記コンタクト金属層がエッチングされずに残存するpコンタクト領域と、
前記nコンタクト領域とpコンタクト領域との間に配置されたトレンチと
を形成する、エッチングする工程;
前記pコンタクト領域上の第1の金属コンタクトと前記nコンタクト領域上の第2の金属コンタクトとを形成する工程;
を有し、
前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触される、
方法。
(11) n型領域とp型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造をエッチングする工程であり:
nコンタクト領域であり、該nコンタクト領域の断面は、前記発光層及び前記p型領域の部分が除去されて前記n型領域が露出された複数の第1の領域を有し、該複数の第1の領域は、前記発光層及び前記p型領域がデバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔され、該複数の第2の領域は半導体材料のポストを有する、nコンタクト領域と、
前記nコンタクト領域とpコンタクト領域との間に配置されたトレンチと
を形成する、エッチングする工程;
前記pコンタクト領域上の第1の金属コンタクトと前記nコンタクト領域上の第2の金属コンタクトとを形成する工程であり、前記第1の金属コンタクトは複数の第1のバンプを形成し、前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数のポストに対応する複数の第2のバンプを形成する、工程;
を有し、
前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触され、
前記複数の第1のバンプは、前記複数の第2のバンプと同じピッチを有する、
方法。
Claims (1)
- 成長基板上に、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造を成長させる工程;
前記p型領域を覆ってコンタクト金属層を形成する工程;
前記コンタクト金属層及び前記半導体構造をエッチングする工程であり:
nコンタクト領域であり、該nコンタクト領域の断面は、前記発光層、前記p型領域及び前記コンタクト金属層の部分が除去されて前記n型領域が露出された複数の第1の領域を有し、該複数の第1の領域は、前記発光層、前記p型領域及び前記コンタクト金属層がデバイス内に残存する複数の第2の領域によって離隔される、nコンタクト領域と、
前記半導体構造及び前記コンタクト金属層がエッチングされずに残存するpコンタクト領域と、
前記nコンタクト領域とpコンタクト領域との間に配置されたトレンチと
を形成する、エッチングする工程;
前記pコンタクト領域上の第1の金属コンタクトと前記nコンタクト領域上の第2の金属コンタクトとを形成する工程;
を有し、
前記第2の金属コンタクトは、前記nコンタクト領域の前記複数の第2の領域のうちの少なくとも1つと電気的に接触される、
方法。
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