JPH10270802A - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法Info
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置にお
いて、基板として格子整合性のよい絶縁性基板を用いる
必要があるため基板側電極を形成するには、基板側の電
極の面積が小さくなるか、あるいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層をエッチングすることなしに形成する
ことができなかった。 【解決手段】 本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体装置は、絶縁基板上に導電性の有する金属窒化物層
を有し、前記絶縁性基板の一部に開口部を有し、該開口
部において前記金属窒化物層に接して電極を有すること
によって、基板の機械的強度を小さくすることなく、基
板側電極を大きくすることができる。
いて、基板として格子整合性のよい絶縁性基板を用いる
必要があるため基板側電極を形成するには、基板側の電
極の面積が小さくなるか、あるいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層をエッチングすることなしに形成する
ことができなかった。 【解決手段】 本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体装置は、絶縁基板上に導電性の有する金属窒化物層
を有し、前記絶縁性基板の一部に開口部を有し、該開口
部において前記金属窒化物層に接して電極を有すること
によって、基板の機械的強度を小さくすることなく、基
板側電極を大きくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体装置およびその製造方法に関し、特
に、電極構造に特徴を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体装置およびその製造方法に関する。
Ｖ族化合物半導体装置およびその製造方法に関し、特
に、電極構造に特徴を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体デバイス作製の際には、格子整合する基板材料と
してサファイアやスピネルが用いられてきた。しかし、
サファイアやスピネルは絶縁体であるため、基板側に電
極を形成するためにはドライエッチング等によって窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長膜をエッチングし
なければならなかった。成長膜のエッチングを行って基
板側の電極を形成した半導体レーザが特開平８−１７８
０３号公報に記載されている。
半導体デバイス作製の際には、格子整合する基板材料と
してサファイアやスピネルが用いられてきた。しかし、
サファイアやスピネルは絶縁体であるため、基板側に電
極を形成するためにはドライエッチング等によって窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長膜をエッチングし
なければならなかった。成長膜のエッチングを行って基
板側の電極を形成した半導体レーザが特開平８−１７８
０３号公報に記載されている。
【０００３】また、基板側の電極を形成するために基板
を一部除去し、窒化ガリウム系化合物半導体層表面を露
出させ、露出された窒化ガリウム系化合物半導体層に電
極を形成した半導体装置が、特開平７−２２１３４７号
公報に記載されている。
を一部除去し、窒化ガリウム系化合物半導体層表面を露
出させ、露出された窒化ガリウム系化合物半導体層に電
極を形成した半導体装置が、特開平７−２２１３４７号
公報に記載されている。
【０００４】基板材料としてサファイアやスピネル以外
には、特に、半導体レーザを形成する場合、共振器端面
を形成する必要があるため、へき開性を有する基板材料
を用いる必要があり、絶縁性のＬｉＡｌＯ2やＬｉＧａ
Ｏ2が用いられたりしている。
には、特に、半導体レーザを形成する場合、共振器端面
を形成する必要があるため、へき開性を有する基板材料
を用いる必要があり、絶縁性のＬｉＡｌＯ2やＬｉＧａ
Ｏ2が用いられたりしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−１７８０３号公報の半導体装置では、下側電極を形
成するために成長膜をエッチングするという工程が必要
で製造工程が複雑になり、またエッチングによって半導
体装置の特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
８−１７８０３号公報の半導体装置では、下側電極を形
成するために成長膜をエッチングするという工程が必要
で製造工程が複雑になり、またエッチングによって半導
体装置の特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
【０００６】また、このような構造を有する半導体装置
に電流を流した場合の模式図を図９に示す。符号９１は
基板、９２はｎ型コンタクト層、９３はｎ型クラッド
層、９４は活性層、９５はｐ型クラッド層、９６はｐ型
コンタクト層、９７はｎ側電極、９８はｐ側電極であ
る。図９に示されるように、電流の流れがｎ側電極９７
側に偏り、特に発光素子とした場合に発光効率が悪くな
る。さらに、同一面側に２つの電極を設けることは、チ
ップサイズが大きくなる。
に電流を流した場合の模式図を図９に示す。符号９１は
基板、９２はｎ型コンタクト層、９３はｎ型クラッド
層、９４は活性層、９５はｐ型クラッド層、９６はｐ型
コンタクト層、９７はｎ側電極、９８はｐ側電極であ
る。図９に示されるように、電流の流れがｎ側電極９７
側に偏り、特に発光素子とした場合に発光効率が悪くな
る。さらに、同一面側に２つの電極を設けることは、チ
ップサイズが大きくなる。
【０００７】チップサイズが大きくなるという問題を解
決するための方法として記載されている特開平７−２２
１３４７号公報の半導体装置においても、以下に示す問
題があった。
決するための方法として記載されている特開平７−２２
１３４７号公報の半導体装置においても、以下に示す問
題があった。
【０００８】基板の一部をエッチング除去して電極を形
成する方法では、基板側の電極の面積が大きくできず、
そのため半導体装置の動作電圧の増加を招くという問題
があった。電極の面積を大きくするためには、エッチン
グ除去する部分の面積を大きくする必要があり、この場
合には基板材料の機械的強度に問題が生じる。
成する方法では、基板側の電極の面積が大きくできず、
そのため半導体装置の動作電圧の増加を招くという問題
があった。電極の面積を大きくするためには、エッチン
グ除去する部分の面積を大きくする必要があり、この場
合には基板材料の機械的強度に問題が生じる。
【０００９】従って、本発明では、上記に述べた問題点
を解決するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
を解決するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体装置は、絶縁基板上に導電性の有す
る金属窒化物層を有し、前記金属窒化物層の上に窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、前記絶縁性基板
の一部に開口部を有し、該開口部において前記金属窒化
物層に接して電極を有していることを特徴とする。
−Ｖ族化合物半導体装置は、絶縁基板上に導電性の有す
る金属窒化物層を有し、前記金属窒化物層の上に窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、前記絶縁性基板
の一部に開口部を有し、該開口部において前記金属窒化
物層に接して電極を有していることを特徴とする。
【００１１】また、前記導電性を有する金属窒化物が、
ストライプ状であることを特徴とする。
ストライプ状であることを特徴とする。
【００１２】また、前記導電性を有する金属窒化物が、
ＣｅＮ，ＣｒＮ，ＤｙＮ，ＥｒＮ，ＥｕＮ，ＧｄＮ，Ｈ
ｏＮ，ＬａＮ，ＬｕＮ，ＮｂＮ，ＮｄＮ，ＰｒＮ，Ｐｕ
Ｎ，ＳｃＮ，ＳｍＮ，ＴｂＮ，ＴｈＮ，ＴｉＮ，Ｔｍ
Ｎ，ＵＮ，ＶＮ，ＹＮ，ＹｂＮ，ＺｒＮのうちの少なく
とも１つであることを特徴とする。
ＣｅＮ，ＣｒＮ，ＤｙＮ，ＥｒＮ，ＥｕＮ，ＧｄＮ，Ｈ
ｏＮ，ＬａＮ，ＬｕＮ，ＮｂＮ，ＮｄＮ，ＰｒＮ，Ｐｕ
Ｎ，ＳｃＮ，ＳｍＮ，ＴｂＮ，ＴｈＮ，ＴｉＮ，Ｔｍ
Ｎ，ＵＮ，ＶＮ，ＹＮ，ＹｂＮ，ＺｒＮのうちの少なく
とも１つであることを特徴とする。
【００１３】本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体装置の製造方法は、酸化物からなる絶縁基板に導電性
の有する金属窒化物層を形成する工程と、前記金属窒化
物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を気相
成長させる工程と、前記絶縁性基板の一部にエッチング
によって開口部を有する工程と、該開口部において前記
金属窒化物層に接して電極を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
体装置の製造方法は、酸化物からなる絶縁基板に導電性
の有する金属窒化物層を形成する工程と、前記金属窒化
物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を気相
成長させる工程と、前記絶縁性基板の一部にエッチング
によって開口部を有する工程と、該開口部において前記
金属窒化物層に接して電極を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１４】
（実施例１）図１は、本発明によるＬＥＤ素子構造を示
す断面図である。ＭｇＯ基板１の（１１１）面上にＴｉ
Ｎ単結晶薄膜２を反応性スパッタリング法により基板温
度８００℃で１μｍの膜厚で成長する。その後、ＭＯＣ
ＶＤ法によりｎ型ＧａＮ層３（膜厚０．２μｍ、キャリ
ア濃度１×１０19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層４（膜厚１．０μｍ、キャリア濃度５×１０17
ｃｍ-3）、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５（膜厚１０ｎ
ｍ）、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６（膜厚０．
８μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層７（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3）を成長する。
す断面図である。ＭｇＯ基板１の（１１１）面上にＴｉ
Ｎ単結晶薄膜２を反応性スパッタリング法により基板温
度８００℃で１μｍの膜厚で成長する。その後、ＭＯＣ
ＶＤ法によりｎ型ＧａＮ層３（膜厚０．２μｍ、キャリ
ア濃度１×１０19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層４（膜厚１．０μｍ、キャリア濃度５×１０17
ｃｍ-3）、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５（膜厚１０ｎ
ｍ）、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６（膜厚０．
８μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層７（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3）を成長する。
【００１５】ＬＥＤ素子は、ＭｇＯ基板１の一部を塩素
を用いたＲＩＢＥによって除去してｎ型電極８を形成
し、透光性ｐ型電極９を形成した後、チップ分割されて
形成される。基板除去部分の大きさは２０μｍ×２０μ
ｍであり、ＬＥＤ素子の大きさ２５０μｍ×２５０μｍ
に比べ充分に小さな窓になっており、基板の強度を損な
わない。図２に本発明のＬＥＤの素子構造の切欠を設け
た斜視図を示す。図２ではＬＥＤ素子の内部構造が分か
るように切欠を設けたが、実際のＬＥＤ素子では切欠は
必要としない。
を用いたＲＩＢＥによって除去してｎ型電極８を形成
し、透光性ｐ型電極９を形成した後、チップ分割されて
形成される。基板除去部分の大きさは２０μｍ×２０μ
ｍであり、ＬＥＤ素子の大きさ２５０μｍ×２５０μｍ
に比べ充分に小さな窓になっており、基板の強度を損な
わない。図２に本発明のＬＥＤの素子構造の切欠を設け
た斜視図を示す。図２ではＬＥＤ素子の内部構造が分か
るように切欠を設けたが、実際のＬＥＤ素子では切欠は
必要としない。
【００１６】従来のＬＥＤ素子と本願発明のＬＥＤ素子
との電流−電圧特性および発光スペクトルの比較を行っ
た。比較対象とした従来のＬＥＤ素子の斜視図を図１０
に示す。図１と同一符号は同一部材を示す。図１０に示
されるようにｎ型ＧａＮ層３の途中までエッチングを行
ってｎ型電極８を形成している。
との電流−電圧特性および発光スペクトルの比較を行っ
た。比較対象とした従来のＬＥＤ素子の斜視図を図１０
に示す。図１と同一符号は同一部材を示す。図１０に示
されるようにｎ型ＧａＮ層３の途中までエッチングを行
ってｎ型電極８を形成している。
【００１７】上記のような構造の従来のＬＥＤ素子と本
発明のＬＥＤ素子の電流−電圧特性を図３（ａ）に示
し、発光スペクトルを図３（ｂ）に示す。本発明のＬＥ
Ｄ素子はＴｉＮ単結晶膜が電極として作用するため、本
発明のＬＥＤ素子の電極面積はチップサイズと同等の大
きさとなるが、一方、従来のＬＥＤ素子の電極面積は基
板除去部分の大きさであり、図３（ａ）に示すように本
発明のＬＥＤ素子の電流−電圧特性の立ち上がりが従来
のＬＥＤ素子よりも急峻となっていることがわかる。
発明のＬＥＤ素子の電流−電圧特性を図３（ａ）に示
し、発光スペクトルを図３（ｂ）に示す。本発明のＬＥ
Ｄ素子はＴｉＮ単結晶膜が電極として作用するため、本
発明のＬＥＤ素子の電極面積はチップサイズと同等の大
きさとなるが、一方、従来のＬＥＤ素子の電極面積は基
板除去部分の大きさであり、図３（ａ）に示すように本
発明のＬＥＤ素子の電流−電圧特性の立ち上がりが従来
のＬＥＤ素子よりも急峻となっていることがわかる。
【００１８】なお、本発明のＬＥＤ素子において基板除
去部分の大きさを変えて電流−電圧特性を調べたが、そ
の大きさによる違いは見られず、ＴｉＮ単結晶薄膜２が
電極として作用していることが分かる。図４は本発明の
窒化物系化合物半導体装置での電流の流れを示す模式図
である。図１と同一符号は同一部材を示す。図４に示す
ようにｐ型電極から注入された電流は均一に半導体層を
流すことができる。
去部分の大きさを変えて電流−電圧特性を調べたが、そ
の大きさによる違いは見られず、ＴｉＮ単結晶薄膜２が
電極として作用していることが分かる。図４は本発明の
窒化物系化合物半導体装置での電流の流れを示す模式図
である。図１と同一符号は同一部材を示す。図４に示す
ようにｐ型電極から注入された電流は均一に半導体層を
流すことができる。
【００１９】また、ＩｎＧａＮ量子井戸発光層を用いて
いるため、発光半値幅を約３０Åと狭くすることができ
た。
いるため、発光半値幅を約３０Åと狭くすることができ
た。
【００２０】（実施例２）本発明によるＬＤ素子構造の
断面図を図５に示し、その切欠を設けた斜視図を図６に
示す。ＬｉＧａ０2基板２１の（００１）面上にＳｉＯ2
膜を形成し、エッチングによってストライプ状の溝を形
成する。次に、実施例１と同様に反応性スパッタリング
法によりＴｉＮ単結晶薄膜を基板温度８００℃で膜厚１
μｍを成長させる。その後、ＳｉＯ2膜とその膜上のＴ
ｉＮ膜を除去して、ストライプ状のＴｉＮ単結晶薄膜２
２を得る。
断面図を図５に示し、その切欠を設けた斜視図を図６に
示す。ＬｉＧａ０2基板２１の（００１）面上にＳｉＯ2
膜を形成し、エッチングによってストライプ状の溝を形
成する。次に、実施例１と同様に反応性スパッタリング
法によりＴｉＮ単結晶薄膜を基板温度８００℃で膜厚１
μｍを成長させる。その後、ＳｉＯ2膜とその膜上のＴ
ｉＮ膜を除去して、ストライプ状のＴｉＮ単結晶薄膜２
２を得る。
【００２１】その上にＭＢＥ法によりｎ型ＧａＮ層３
（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3）、
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２４（膜厚１．０μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ３重量子井戸発光層２５
（膜厚５０／１００Å）、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッ
ド層２６（膜厚０．８μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層７（膜厚０．２μｍ、
キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）を成長する。ＬＤ素子
は、ストライプ電極直下の基板部分を塩素を用いたＲＩ
ＢＥによって除去してｎ型電極８を形成し、ｐ型電極９
を形成した後、へき開してチップ分割されて形成され
る。作製したレーザのストライプ幅は３０μｍ、共振器
長１ｍｍであり、またレーザの基板部分の大きさは２０
０μｍ×１ｍｍとなっている。基板除去部分は２０μｍ
×５０μｍと基板部分に比べて充分に小さな窓となって
おり、基板の強度を損なわない大きさとなっている。図
６においても、ＬＤ素子の内部構造が分かるように切欠
を設けたが、実際のＬＤ素子では切欠は必要としない。
（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3）、
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２４（膜厚１．０μ
ｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ３重量子井戸発光層２５
（膜厚５０／１００Å）、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッ
ド層２６（膜厚０．８μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層７（膜厚０．２μｍ、
キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）を成長する。ＬＤ素子
は、ストライプ電極直下の基板部分を塩素を用いたＲＩ
ＢＥによって除去してｎ型電極８を形成し、ｐ型電極９
を形成した後、へき開してチップ分割されて形成され
る。作製したレーザのストライプ幅は３０μｍ、共振器
長１ｍｍであり、またレーザの基板部分の大きさは２０
０μｍ×１ｍｍとなっている。基板除去部分は２０μｍ
×５０μｍと基板部分に比べて充分に小さな窓となって
おり、基板の強度を損なわない大きさとなっている。図
６においても、ＬＤ素子の内部構造が分かるように切欠
を設けたが、実際のＬＤ素子では切欠は必要としない。
【００２２】本発明では、図６に示されるように基板側
の電極をストライプ状の電極とすることができ、電流狭
窄構造とすることができる。本実施の形態のように基板
側がｎ型半導体で形成されている場合、ｎ型半導体の方
がドーピング濃度を高くすることができるので、電極の
面積を小さくすることができる。また、ｎ型電極側で電
流狭窄構造とすることができるのでｐ型電極は電極面積
を大きくすることができ、ドーパント濃度の低いｐ型半
導体層との接触抵抗を下げることができる。
の電極をストライプ状の電極とすることができ、電流狭
窄構造とすることができる。本実施の形態のように基板
側がｎ型半導体で形成されている場合、ｎ型半導体の方
がドーピング濃度を高くすることができるので、電極の
面積を小さくすることができる。また、ｎ型電極側で電
流狭窄構造とすることができるのでｐ型電極は電極面積
を大きくすることができ、ドーパント濃度の低いｐ型半
導体層との接触抵抗を下げることができる。
【００２３】従来のＬＤ素子と本願発明のＬＤ素子との
電流−電圧特性および発光スペクトルの比較を行った。
比較対象とした従来のＬＥＤの素子構造を図１１に示
す。図５と同一符号は同一部材を示す。図１１に示され
るようにｎ型ＧａＮ層３の途中までエッチングを行って
ｎ型電極８を形成している。
電流−電圧特性および発光スペクトルの比較を行った。
比較対象とした従来のＬＥＤの素子構造を図１１に示
す。図５と同一符号は同一部材を示す。図１１に示され
るようにｎ型ＧａＮ層３の途中までエッチングを行って
ｎ型電極８を形成している。
【００２４】図７（ａ）は、従来のＬＤ素子と本発明の
ＬＤ素子の電流−電圧特性、電流−光出力特性を示し、
図７（ｂ）は発振スペクトルを示す。駆動電流は、パル
ス幅１μｓｅｃ、パルス周期１ｍｓｅｃのパルスとし
た。従来のＬＤ素子と比較すると、本発明のＬＤ素子が
光出力特性が向上している。また、ＬＤ素子の発振電圧
を１２Ｖから９Ｖへと低減できた。
ＬＤ素子の電流−電圧特性、電流−光出力特性を示し、
図７（ｂ）は発振スペクトルを示す。駆動電流は、パル
ス幅１μｓｅｃ、パルス周期１ｍｓｅｃのパルスとし
た。従来のＬＤ素子と比較すると、本発明のＬＤ素子が
光出力特性が向上している。また、ＬＤ素子の発振電圧
を１２Ｖから９Ｖへと低減できた。
【００２５】（実施例３）本発明によるＬＥＤ素子構造
の断面図を図８に示す。ＬｉＡｌ０2基板３１のすべて
の（１００）面に、実施例１と同様に反応性スパッタリ
ング法によりＣｒＮ単結晶薄膜３２を基板温度８００℃
で膜厚２μｍ成長する。その後、ＭＯＣＶＤ法によりｎ
型ＧａＮ層３（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×１０
19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４（膜
厚１．０μｍ、キャリア濃度５×ｌ０17ｃｍ-3）、ｉ型
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５（膜厚１００Å）、ｐ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎクラツド層６（膜厚０．８μｍ、キャリ
ア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層７
（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）を
成長する。ＬＥＤ素子は、実施例１と同様の方法で作製
した。
の断面図を図８に示す。ＬｉＡｌ０2基板３１のすべて
の（１００）面に、実施例１と同様に反応性スパッタリ
ング法によりＣｒＮ単結晶薄膜３２を基板温度８００℃
で膜厚２μｍ成長する。その後、ＭＯＣＶＤ法によりｎ
型ＧａＮ層３（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×１０
19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４（膜
厚１．０μｍ、キャリア濃度５×ｌ０17ｃｍ-3）、ｉ型
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５（膜厚１００Å）、ｐ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎクラツド層６（膜厚０．８μｍ、キャリ
ア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層７
（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）を
成長する。ＬＥＤ素子は、実施例１と同様の方法で作製
した。
【００２６】従来の製造方法のように金属窒化物薄膜で
ＬｉＡｌ０2基板のすべての面を覆わないでＭＯＣＶＤ
法で窒化物系化合物半導体を成長した場合、リアクター
内の強い還元雰囲気によってＬｉＡｌＯ2基板が分解
し、良好な窒化物系化合物半導体膜を得ることは不可能
であった。しかしながら、本発明のようにＬｉＡｌＯ2
基板のすべての面を金属窒化物で覆うことで、基板の分
解を防ぐことが可能となり、ＭＯＣＶＤ成長が可能とな
った。
ＬｉＡｌ０2基板のすべての面を覆わないでＭＯＣＶＤ
法で窒化物系化合物半導体を成長した場合、リアクター
内の強い還元雰囲気によってＬｉＡｌＯ2基板が分解
し、良好な窒化物系化合物半導体膜を得ることは不可能
であった。しかしながら、本発明のようにＬｉＡｌＯ2
基板のすべての面を金属窒化物で覆うことで、基板の分
解を防ぐことが可能となり、ＭＯＣＶＤ成長が可能とな
った。
【００２７】本実施の形態では金属窒化物としてＴｉ
Ｎ、ＣｒＮを用いたが、他にＤｙＮ，ＥｒＮ，ＥｕＮ，
ＧｄＮ，ＨｏＮ，ＬａＮ，ＬｕＮ，ＮｂＮ，ＮｄＮ，Ｐ
ｒＮ，ＰｕＮ，ＳｃＮ，ＳｍＮ，ＴｂＮ，ＴｈＮ，Ｔｍ
Ｎ，ＵＮ，ＶＮ，ＹＮ，ＹｂＮ，ＺｒＮでも同様の効果
が得られる。
Ｎ、ＣｒＮを用いたが、他にＤｙＮ，ＥｒＮ，ＥｕＮ，
ＧｄＮ，ＨｏＮ，ＬａＮ，ＬｕＮ，ＮｂＮ，ＮｄＮ，Ｐ
ｒＮ，ＰｕＮ，ＳｃＮ，ＳｍＮ，ＴｂＮ，ＴｈＮ，Ｔｍ
Ｎ，ＵＮ，ＶＮ，ＹＮ，ＹｂＮ，ＺｒＮでも同様の効果
が得られる。
【００２８】また、導電性がありかつ劈開性のある基板
材料、さらにＭＯＣＶＤなどの気相成長で窒化物ＩＩＩ
−Ｖ族半導体を形成する場合には、高温でも安定な基板
材料でなくてはならないが、そのような基板材料は今だ
発見されていない。へき開性の有する酸化物基板の多く
は、融点が１０００℃以下の材料であり、窒化物系化合
物半導体をこの上に成長させることは困難であった。し
かし、本発明のように基板を金属窒化物で覆うことによ
って、基板材料としてＭｇＯ、ＺｎＯ、ＬｉＭｇＯ3な
どが用いることができる。
材料、さらにＭＯＣＶＤなどの気相成長で窒化物ＩＩＩ
−Ｖ族半導体を形成する場合には、高温でも安定な基板
材料でなくてはならないが、そのような基板材料は今だ
発見されていない。へき開性の有する酸化物基板の多く
は、融点が１０００℃以下の材料であり、窒化物系化合
物半導体をこの上に成長させることは困難であった。し
かし、本発明のように基板を金属窒化物で覆うことによ
って、基板材料としてＭｇＯ、ＺｎＯ、ＬｉＭｇＯ3な
どが用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によって、基板の機械的強度を落
とすことなく、基板側の電極の面積を大きくすることが
でき、半導体装置の動作電圧を低減することができる。
とすことなく、基板側の電極の面積を大きくすることが
でき、半導体装置の動作電圧を低減することができる。
【００３０】また、基板側の電極をストライプ状にする
ことができるため、特にＬＤ素子の場合には電流狭窄構
造が容易に形成できる。
ことができるため、特にＬＤ素子の場合には電流狭窄構
造が容易に形成できる。
【００３１】また、金属窒化物の多くは高融点材料であ
り、酸化物基板材料の周囲を金属窒化物でコーティング
することによって、気相成長中の基板材料の分解を抑え
ることができ、多くの酸化物基板材料を気相成長に用い
ることが可能となる。
り、酸化物基板材料の周囲を金属窒化物でコーティング
することによって、気相成長中の基板材料の分解を抑え
ることができ、多くの酸化物基板材料を気相成長に用い
ることが可能となる。
【図１】実施例１のＬＥＤ素子構造の断面図である。
【図２】実施例１のＬＥＤ素子構造の切欠を設けた斜視
図である。
図である。
【図３】実施例１のＬＥＤ素子の電流−電圧特性および
発光スペクトルである。
発光スペクトルである。
【図４】実施例１のＬＥＤ素子の電流の流れを示す模式
図である。
図である。
【図５】実施例２のＬＤ素子構造の断面図である。
【図６】実施例２のＬＤ素子構造の切欠を設けた斜視図
である。
である。
【図７】実施例２のＬＤ素子の電流−電圧特性、電流−
光出力特性および発振スペクトルである。
光出力特性および発振スペクトルである。
【図８】実施例３のＬＥＤ素子構造の断面図である。
【図９】従来のＬＥＤ素子の電流の流れを示す模式図で
ある。
ある。
【図１０】従来のＬＥＤ素子構造を示す斜視図である。
【図１１】従来のＬＤ素子構造を示す斜視図である。
１ ＭｇＯ基板 ２、２２ ＴｉＮ単結晶薄膜 ３ ｎ型ＧａＮ層 ４ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ５ ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層 ６ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ７ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ８ ｎ型電極 ９ ｐ型電極 ２１ ＬｉＧａＯ2基板 ２４ ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層 ２５ ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ３重
量子井戸発光層 ２６ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層 ３１ ＬｉＡｌＯ2基板 ３２ ＣｒＮ単結晶薄膜
量子井戸発光層 ２６ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層 ３１ ＬｉＡｌＯ2基板 ３２ ＣｒＮ単結晶薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上に導電性の有する金属窒化物
層を有し、 前記金属窒化物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層を有し、 前記絶縁性基板の一部に開口部を有し、 該開口部において前記金属窒化物層に接して電極を有し
ていることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体装置。 - 【請求項２】 前記導電性を有する金属窒化物が、スト
ライプ状であることを特徴とする請求項１に記載の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。 - 【請求項３】 前記導電性を有する金属窒化物が、Ｃｅ
Ｎ，ＣｒＮ，ＤｙＮ，ＥｒＮ，ＥｕＮ，ＧｄＮ，Ｈｏ
Ｎ，ＬａＮ，ＬｕＮ，ＮｂＮ，ＮｄＮ，ＰｒＮ，Ｐｕ
Ｎ，ＳｃＮ，ＳｍＮ，ＴｂＮ，ＴｈＮ，ＴｉＮ，Ｔｍ
Ｎ，ＵＮ，ＶＮ，ＹＮ，ＹｂＮ，ＺｒＮのうちの少なく
とも１つであることを特徴とする請求項１から２記載の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。 - 【請求項４】 酸化物からなる絶縁基板に導電性の有す
る金属窒化物層を形成する工程と、 前記金属窒化物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層を気相成長させる工程と、 前記絶縁性基板の一部にエッチングによって開口部を有
する工程と、 該開口部において前記金属窒化物層に接して電極を形成
する工程とを含むことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101897A JPH10270802A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US09/046,725 US6201265B1 (en) | 1997-03-25 | 1998-03-24 | Group III-V type nitride compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101897A JPH10270802A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270802A true JPH10270802A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13448367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7101897A Pending JPH10270802A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6201265B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10270802A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056393A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Element semi-conducteur compose a base de nitrure du groupe iii des elements |
| GB2374459A (en) * | 2000-12-18 | 2002-10-16 | Samsung Electro Mech | Light Emitting Device |
| JP2006525674A (ja) * | 2003-04-30 | 2006-11-09 | クリー インコーポレイテッド | 発光デバイス及びその作製方法 |
| JP2009049371A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2014086728A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429451B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-08-06 | Eastman Kodak Company | Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices |
| JP2002016311A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系発光素子 |
| JP3910817B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2007-04-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
| US7233028B2 (en) * | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
| TWI313069B (en) * | 2002-11-08 | 2009-08-01 | Epistar Corporatio | Light emitting diode and method of making the same |
| US7655327B2 (en) * | 2003-12-29 | 2010-02-02 | Translucent, Inc. | Composition comprising rare-earth dielectric |
| DE102004040277B4 (de) * | 2004-06-30 | 2015-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reflektierendes Schichtsystem mit einer Mehrzahl von Schichten zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial |
| KR100818466B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2008-04-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR100891761B1 (ko) * | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
| KR101382836B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI389347B (zh) * | 2008-11-13 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 光電元件及其製作方法 |
| JPWO2010100942A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-06 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
| KR20110008550A (ko) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| CN102201511B (zh) * | 2010-03-22 | 2013-03-27 | 佛山市奇明光电有限公司 | 发光二极管结构及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575083A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
| NL186354C (nl) * | 1981-01-13 | 1990-11-01 | Sharp Kk | Halfgeleiderinrichting die uit iii-v verbindingen bestaat, met een samengestelde elektrode. |
| US4447822A (en) * | 1981-09-21 | 1984-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Light emitting diode |
| US5181220A (en) * | 1985-07-16 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting light concentration device |
| JPH0783034B2 (ja) * | 1986-03-29 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPH01280368A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| JPH07263751A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Sharp Corp | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US5483105A (en) * | 1994-04-25 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | Module input-output pad having stepped set-back |
| JP3360945B2 (ja) * | 1994-07-15 | 2003-01-07 | シャープ株式会社 | 電極構造及びその製造方法 |
| JP3717196B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2005-11-16 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| JPH0832115A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Sharp Corp | 電極構造およびその製造方法 |
| JPH0832112A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| JP3557011B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2004-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子、及びその製造方法 |
| US5798537A (en) * | 1995-08-31 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Blue light-emitting device |
| JP3779766B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2006-05-31 | シャープ株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置 |
| US5905275A (en) * | 1996-06-17 | 1999-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP7101897A patent/JPH10270802A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-24 US US09/046,725 patent/US6201265B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100452447C (zh) * | 2000-12-18 | 2009-01-14 | 三星电机株式会社 | GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法 |
| GB2374459A (en) * | 2000-12-18 | 2002-10-16 | Samsung Electro Mech | Light Emitting Device |
| US6657237B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| GB2374459B (en) * | 2000-12-18 | 2005-09-14 | Samsung Electro Mech | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| US7566578B2 (en) | 2000-12-18 | 2009-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| US8324004B2 (en) | 2000-12-18 | 2012-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing of light emitting device using GaN series III-V group nitride semiconductor material |
| US7312472B2 (en) | 2001-01-15 | 2007-12-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Compound semiconductor element based on Group III element nitride |
| WO2002056393A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Element semi-conducteur compose a base de nitrure du groupe iii des elements |
| JP2006525674A (ja) * | 2003-04-30 | 2006-11-09 | クリー インコーポレイテッド | 発光デバイス及びその作製方法 |
| JP2012248885A (ja) * | 2003-04-30 | 2012-12-13 | Cree Inc | 発光デバイス及びその作製方法 |
| US8378461B2 (en) | 2003-04-30 | 2013-02-19 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having an active region with electrical contacts coupled to opposing surfaces thereof |
| JP2009049371A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2014086728A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6201265B1 (en) | 2001-03-13 |
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