JPH10242557A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH10242557A JPH10242557A JP9037928A JP3792897A JPH10242557A JP H10242557 A JPH10242557 A JP H10242557A JP 9037928 A JP9037928 A JP 9037928A JP 3792897 A JP3792897 A JP 3792897A JP H10242557 A JPH10242557 A JP H10242557A
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- emitting device
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- semiconductor
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
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- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器端面の形成を、エッチングによって形
成するようにした量産化方法を採り、しかもすぐれた共
振器端面を形成することができるようする。 【解決手段】 光共振器を有する半導体発光装置の製造
方法において、複数の半導体発光装置を構成する半導体
層を有する半導体基板６を構成する工程と、この半導体
基板６の半導体層表面から、最終的に得る半導体発光装
置の上記共振器の共振器端面の構成面を側面とするスト
ライプ状溝１０を形成する溝加工工程と、この溝の側面
に半導体被膜１１をエピタキシャル成長する工程とを有
し、溝１０は、その側面が、主としてエピタキシャル成
長速度が低い特定結晶面となる方向に選定してエピタキ
シャル成長による半導体被膜１１が上記特定結晶面によ
る表面性にすぐれた半導体被膜１１として成膜されるよ
うにする。
成するようにした量産化方法を採り、しかもすぐれた共
振器端面を形成することができるようする。 【解決手段】 光共振器を有する半導体発光装置の製造
方法において、複数の半導体発光装置を構成する半導体
層を有する半導体基板６を構成する工程と、この半導体
基板６の半導体層表面から、最終的に得る半導体発光装
置の上記共振器の共振器端面の構成面を側面とするスト
ライプ状溝１０を形成する溝加工工程と、この溝の側面
に半導体被膜１１をエピタキシャル成長する工程とを有
し、溝１０は、その側面が、主としてエピタキシャル成
長速度が低い特定結晶面となる方向に選定してエピタキ
シャル成長による半導体被膜１１が上記特定結晶面によ
る表面性にすぐれた半導体被膜１１として成膜されるよ
うにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置、
例えば半導体レーザの製造方法に関わる。
例えば半導体レーザの製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光装置、例えば半導体レーザ
は、その光出射端面、すなわち光共振器端面が光学的鏡
面とされることが望まれることから、この端面は、結晶
の劈開面によって形成することが一般的である。このよ
うに端面を、結晶の劈開面によって形成する場合、通
常、それぞれ多数個分の半導体発光装置に相当するスト
ライプ状の光共振器を、更に複数平行配列して形成した
半導体基板を構成し、これを、そのストライプ長方向を
横切る面に沿って最終的に得る半導体レーザの共振器長
に対応する幅をもって劈開して、複数の棒状半導体（半
導体バー）を形成し、この劈開面を、最終的に形成する
半導体装置の共振器端面とするものである。このように
して形成した棒状半導体の共振器端面を構成する側面に
はそれぞれ保護膜もしくは所要の反射率を示す光学膜の
形成がなされ、その後各ストライプ状共振器間で分断が
なされ、それぞれ半導体レーザチップを構成する。とこ
ろが、この方法による場合、棒状半導体を取り扱うこと
から、その取扱が面倒で、量産性を阻む。
は、その光出射端面、すなわち光共振器端面が光学的鏡
面とされることが望まれることから、この端面は、結晶
の劈開面によって形成することが一般的である。このよ
うに端面を、結晶の劈開面によって形成する場合、通
常、それぞれ多数個分の半導体発光装置に相当するスト
ライプ状の光共振器を、更に複数平行配列して形成した
半導体基板を構成し、これを、そのストライプ長方向を
横切る面に沿って最終的に得る半導体レーザの共振器長
に対応する幅をもって劈開して、複数の棒状半導体（半
導体バー）を形成し、この劈開面を、最終的に形成する
半導体装置の共振器端面とするものである。このように
して形成した棒状半導体の共振器端面を構成する側面に
はそれぞれ保護膜もしくは所要の反射率を示す光学膜の
形成がなされ、その後各ストライプ状共振器間で分断が
なされ、それぞれ半導体レーザチップを構成する。とこ
ろが、この方法による場合、棒状半導体を取り扱うこと
から、その取扱が面倒で、量産性を阻む。
【０００３】これに対して、この共振器端面の形成を、
エッチング面によって形成することの提案もなされてい
る。この場合、上述した劈開によって共振器端面を形成
するための作業、したがって、棒状半導体の作製を必要
としないことから、多数個の半導体レーザに相当する半
導体基板を、殆ど半導体レーザチップを形成するための
サイジングまで、そのままで取り扱えることから量産性
にすぐれているという利点がある。ところが、このエッ
チングによる場合は、このエッチング面が、必ずしも平
滑な面として形成されず、このため、最終的に得た半導
体レーザにおいて、いわゆる端面損失が大きくなり、発
光効率の低下、寿命の低下等を来すおそれが生じる。
エッチング面によって形成することの提案もなされてい
る。この場合、上述した劈開によって共振器端面を形成
するための作業、したがって、棒状半導体の作製を必要
としないことから、多数個の半導体レーザに相当する半
導体基板を、殆ど半導体レーザチップを形成するための
サイジングまで、そのままで取り扱えることから量産性
にすぐれているという利点がある。ところが、このエッ
チングによる場合は、このエッチング面が、必ずしも平
滑な面として形成されず、このため、最終的に得た半導
体レーザにおいて、いわゆる端面損失が大きくなり、発
光効率の低下、寿命の低下等を来すおそれが生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した半
導体レーザ等の半導体発光装置における共振器端面の形
成を、エッチングによって形成するようにした量産化方
法を採り、しかもすぐれた共振器端面を形成することが
できるようにした半導体発光装置の製造方法を提供す
る。
導体レーザ等の半導体発光装置における共振器端面の形
成を、エッチングによって形成するようにした量産化方
法を採り、しかもすぐれた共振器端面を形成することが
できるようにした半導体発光装置の製造方法を提供す
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、光共振器を有
する半導体発光装置の製造方法において、複数の半導体
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板を構成
する工程と、この半導体基板の半導体層表面から、最終
的に得る半導体発光装置の共振器端面の構成面を側面と
するストライプ状溝を形成する溝加工工程と、この溝の
側面に半導体被膜をエピタキシャル成長する工程とを有
し、上記溝は、その側面が、主としてエピタキシャル成
長速度が低い特定結晶面となる方向に選定して上記エピ
タキシャル成長による半導体被膜が上記特定結晶面によ
る表面性にすぐれた半導体被膜として成膜されるように
する。
する半導体発光装置の製造方法において、複数の半導体
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板を構成
する工程と、この半導体基板の半導体層表面から、最終
的に得る半導体発光装置の共振器端面の構成面を側面と
するストライプ状溝を形成する溝加工工程と、この溝の
側面に半導体被膜をエピタキシャル成長する工程とを有
し、上記溝は、その側面が、主としてエピタキシャル成
長速度が低い特定結晶面となる方向に選定して上記エピ
タキシャル成長による半導体被膜が上記特定結晶面によ
る表面性にすぐれた半導体被膜として成膜されるように
する。
【０００６】上述の本発明方法によれば、複数の半導体
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対し
て溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振器
の共振器端面を構成する方法としたことから、その製造
方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれば、
この溝内に半導体被膜をエピタキシャル成長することに
よって、溝の側面には、きわめて平滑性にすぐれた平坦
面が形成された。これは、溝の側面を、主としてすなわ
ち基本的には、エピタキシャル成長が遅い面（以下本発
明明細書においては、単に特定結晶面という）によって
形成するようにしたので、この側面に半導体被膜をエピ
タキシャル成長すると、たとえこの溝の側面が平滑面と
して形成されずに、多少他の結晶面が存在していたとし
ても、この他の結晶面に対してエピタキシャル成長が進
行することによって特定結晶面が発生すれば、このとき
その成長が見掛け上停止することから、結果的に、この
特定結晶面のみによってこの端面が形成されることによ
って、この端面は原子レベルですぐれた平滑面として形
成されることになる。
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対し
て溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振器
の共振器端面を構成する方法としたことから、その製造
方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれば、
この溝内に半導体被膜をエピタキシャル成長することに
よって、溝の側面には、きわめて平滑性にすぐれた平坦
面が形成された。これは、溝の側面を、主としてすなわ
ち基本的には、エピタキシャル成長が遅い面（以下本発
明明細書においては、単に特定結晶面という）によって
形成するようにしたので、この側面に半導体被膜をエピ
タキシャル成長すると、たとえこの溝の側面が平滑面と
して形成されずに、多少他の結晶面が存在していたとし
ても、この他の結晶面に対してエピタキシャル成長が進
行することによって特定結晶面が発生すれば、このとき
その成長が見掛け上停止することから、結果的に、この
特定結晶面のみによってこの端面が形成されることによ
って、この端面は原子レベルですぐれた平滑面として形
成されることになる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
図面を参照して、本発明をＡｌＧａＡｓ系の半導体レー
ザに適用する場合の一実施例を説明する。この場合、先
ず、図１Ａに示すように、第１導電型例えばｎ型のＧａ
Ａｓによるウェハー状の半導体基体１を用意し、これの
上に図示しないが、必要に応じてＧａＡｓ等よりなるバ
ッファ層を介して、順次第１導電型この例ではｎ型のＡ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓよりなる第１クラッド層２と、Ａｌy
Ｇａ1-yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）よりなる活性層３と、第２
導電型この例ではｐ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓよりなる第
２クラッド層４と、これと同導電型のＧａＡｓよりなる
キャップ層５を、周知のＭＯＣＶＤ（Metalorganic Che
mical Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法
によってエピタキシャル成長して、半導体基板６を構成
する。
図面を参照して、本発明をＡｌＧａＡｓ系の半導体レー
ザに適用する場合の一実施例を説明する。この場合、先
ず、図１Ａに示すように、第１導電型例えばｎ型のＧａ
Ａｓによるウェハー状の半導体基体１を用意し、これの
上に図示しないが、必要に応じてＧａＡｓ等よりなるバ
ッファ層を介して、順次第１導電型この例ではｎ型のＡ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓよりなる第１クラッド層２と、Ａｌy
Ｇａ1-yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）よりなる活性層３と、第２
導電型この例ではｐ型のＡｌX Ｇａ1-X Ａｓよりなる第
２クラッド層４と、これと同導電型のＧａＡｓよりなる
キャップ層５を、周知のＭＯＣＶＤ（Metalorganic Che
mical Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法
によってエピタキシャル成長して、半導体基板６を構成
する。
【０００８】図１Ｂに示すように、複数本のリッジ溝７
をエッチングによって形成して、各溝間に、最終的に形
成する半導体レーザの光共振器幅に相当する幅の複数本
のリッジ部Ｒを平行に配列形成する。そして、各リッジ
溝７内を埋込むように、第１導電型この例ではｎ型のＧ
ａＡｓをエピタキシャル成長し、表面の平坦化を行っ
て、各リッジ溝７内に、電流狭窄層８を形成するととも
に、これら電流狭窄層８間のリッジ部Ｒにおいてキャッ
プ層５を外部に露呈する。
をエッチングによって形成して、各溝間に、最終的に形
成する半導体レーザの光共振器幅に相当する幅の複数本
のリッジ部Ｒを平行に配列形成する。そして、各リッジ
溝７内を埋込むように、第１導電型この例ではｎ型のＧ
ａＡｓをエピタキシャル成長し、表面の平坦化を行っ
て、各リッジ溝７内に、電流狭窄層８を形成するととも
に、これら電流狭窄層８間のリッジ部Ｒにおいてキャッ
プ層５を外部に露呈する。
【０００９】その後、図２に示すように、半導体基板６
上に、マスク層９を被着形成する。このマスク層９は、
少なくとも後述する選択的エピタキシャル成長のマスク
とするものであるが、同時に例えば次工程で行われる溝
加工のマスクとなり得る。このマスク層９は、例えば半
導体基板６上にＳｉＯ2 層をＣＶＤ法等によって全面的
に形成し、これに対しフォトリソグラフィを用いたパタ
ーンエッチングを行って、光共振器長方向を横切る方向
に延長するストライプ状に所要の幅および間隔をもって
複数本平行に形成する。このストライプ状マスク層９の
幅は、最終的に形成する半導体レーザの光共振器長に対
応する幅に選定される。
上に、マスク層９を被着形成する。このマスク層９は、
少なくとも後述する選択的エピタキシャル成長のマスク
とするものであるが、同時に例えば次工程で行われる溝
加工のマスクとなり得る。このマスク層９は、例えば半
導体基板６上にＳｉＯ2 層をＣＶＤ法等によって全面的
に形成し、これに対しフォトリソグラフィを用いたパタ
ーンエッチングを行って、光共振器長方向を横切る方向
に延長するストライプ状に所要の幅および間隔をもって
複数本平行に形成する。このストライプ状マスク層９の
幅は、最終的に形成する半導体レーザの光共振器長に対
応する幅に選定される。
【００１０】このマスク層９を、エッチングマスクとし
て、半導体基板６に対して、そのエピタキシャル成長半
導体層上より、すなわちキャップ層５が臨む面側から、
少なくとも活性層３を横切る深さに、例えばＧａＡｓ半
導体基体１に渡る深さにドライエッチング、あるいは結
晶学的エッチングによる異方性エッチングを行って、各
マスク層９間に、ほぼ垂直側面１０ｓを有するストライ
プ状溝１０を形成する。このときストライプ状溝１０の
延長方向の選定によって、側面１０ｓが、主としてエピ
タキシャル成長速度が他の結晶面に比し例えば最も小さ
い｛１００｝結晶面によって形成されるようにする。例
えば、半導体基体１したがって半導体基板６を（１０
０）結晶面とするとき、これら溝１０の両側面１０ｓを
主として（０１１）および（０−１−１）によって形成
する場合、溝１０の延長方向、すなわちマスク層９の延
長方向を、〔０１−１〕結晶軸方向に選定する。
て、半導体基板６に対して、そのエピタキシャル成長半
導体層上より、すなわちキャップ層５が臨む面側から、
少なくとも活性層３を横切る深さに、例えばＧａＡｓ半
導体基体１に渡る深さにドライエッチング、あるいは結
晶学的エッチングによる異方性エッチングを行って、各
マスク層９間に、ほぼ垂直側面１０ｓを有するストライ
プ状溝１０を形成する。このときストライプ状溝１０の
延長方向の選定によって、側面１０ｓが、主としてエピ
タキシャル成長速度が他の結晶面に比し例えば最も小さ
い｛１００｝結晶面によって形成されるようにする。例
えば、半導体基体１したがって半導体基板６を（１０
０）結晶面とするとき、これら溝１０の両側面１０ｓを
主として（０１１）および（０−１−１）によって形成
する場合、溝１０の延長方向、すなわちマスク層９の延
長方向を、〔０１−１〕結晶軸方向に選定する。
【００１１】図４に示すように、例えばＡｌz Ｇａ1-z
Ａｓ（ｚ＞ｘ）よりなる半導体被膜１１を、マスク層８
をエピタキシャル成長マスクとして例えばＭＯＣＶＤに
よって選択的エピタキシャル成長する。このようにする
と、主として（１００）によって形成されるストライプ
状溝１０の底面においては、その成長速度が比較的大で
あることから厚い被膜として形成されるが、ストライプ
状溝１０の側面１０ｓにおいては、主として（０１１）
および（０−１−１）によって形成されていることから
その成長は殆ど生じることがなく、この側面１０ｓがエ
ッチング面であることから、必ずしも（０１１）および
（０−１−１）のみによる結晶によって形成されるもの
ではなく、多少他の面が生じていても、この面について
は、エピタキシャル成長がなされ、これによって（０１
１）および（０−１−１）が発生すれば、ここで殆どそ
のエピタキシャル成長が停止することから、結果的にこ
の側面１０ｓ上に形成された半導体被膜１１の表面は、
（０１１）および（０−１−１）による結晶面による原
子レベルの平滑面となる。その後図示しないが、必要に
応じて半導体被膜１１上に、共振器端面で必要とする所
要の反射率とする光学膜の形成を行う。
Ａｓ（ｚ＞ｘ）よりなる半導体被膜１１を、マスク層８
をエピタキシャル成長マスクとして例えばＭＯＣＶＤに
よって選択的エピタキシャル成長する。このようにする
と、主として（１００）によって形成されるストライプ
状溝１０の底面においては、その成長速度が比較的大で
あることから厚い被膜として形成されるが、ストライプ
状溝１０の側面１０ｓにおいては、主として（０１１）
および（０−１−１）によって形成されていることから
その成長は殆ど生じることがなく、この側面１０ｓがエ
ッチング面であることから、必ずしも（０１１）および
（０−１−１）のみによる結晶によって形成されるもの
ではなく、多少他の面が生じていても、この面について
は、エピタキシャル成長がなされ、これによって（０１
１）および（０−１−１）が発生すれば、ここで殆どそ
のエピタキシャル成長が停止することから、結果的にこ
の側面１０ｓ上に形成された半導体被膜１１の表面は、
（０１１）および（０−１−１）による結晶面による原
子レベルの平滑面となる。その後図示しないが、必要に
応じて半導体被膜１１上に、共振器端面で必要とする所
要の反射率とする光学膜の形成を行う。
【００１２】その後、図５に示すように、マスク層９を
エッチング除去し、半導体基板６の両面にそれぞれ最終
的に得る半導体レーザの対向電極１２および１３をオー
ミックに被着し、図５中鎖線ｘ1 ，ｘ2 ，ｘ3 ・・・，
およびｙ1 ，ｙ2 ，ｙ3 ・・・で示す各ストライプ状溝
１０内においてその延長方向に沿う面およびこれと直交
し電流狭窄層８における面で、半導体基板６の切断、す
なわちサイジングを行う。
エッチング除去し、半導体基板６の両面にそれぞれ最終
的に得る半導体レーザの対向電極１２および１３をオー
ミックに被着し、図５中鎖線ｘ1 ，ｘ2 ，ｘ3 ・・・，
およびｙ1 ，ｙ2 ，ｙ3 ・・・で示す各ストライプ状溝
１０内においてその延長方向に沿う面およびこれと直交
し電流狭窄層８における面で、半導体基板６の切断、す
なわちサイジングを行う。
【００１３】このようにすると、上述した平滑な半導体
被膜１１によって共振器端面すなわち光出射端面Ｓが形
成された目的とする半導体レーザ、すなわち半導体発光
装置が得られる。
被膜１１によって共振器端面すなわち光出射端面Ｓが形
成された目的とする半導体レーザ、すなわち半導体発光
装置が得られる。
【００１４】上述の本発明方法によれば、複数の半導体
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対し
て溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振器
の共振器端面を構成する方法としたことから、その製造
方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれば、
この溝内に半導体被膜をエピタキシャル成長することに
よって、溝の側面には、きわめて平滑性にすぐれた平坦
面が形成された。これは、溝の側面を、主としてすなわ
ち基本的には、エピタキシャル成長が遅い面によって形
成するようにしたので、この側面に半導体被膜をエピタ
キシャル成長すると、たとえこの溝の側面が平滑面とし
て形成されずに、多少他の結晶面が存在していたとして
も、この他の結晶面に対してエピタキシャル成長が進行
することによって特定結晶面が発生すれば、このときそ
の成長が見掛け上停止することから、結果的に、この特
定結晶面のみによってこの端面が形成されることによっ
て、この端面は原子レベルですぐれた平滑面として形成
されることになる。
発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対し
て溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振器
の共振器端面を構成する方法としたことから、その製造
方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれば、
この溝内に半導体被膜をエピタキシャル成長することに
よって、溝の側面には、きわめて平滑性にすぐれた平坦
面が形成された。これは、溝の側面を、主としてすなわ
ち基本的には、エピタキシャル成長が遅い面によって形
成するようにしたので、この側面に半導体被膜をエピタ
キシャル成長すると、たとえこの溝の側面が平滑面とし
て形成されずに、多少他の結晶面が存在していたとして
も、この他の結晶面に対してエピタキシャル成長が進行
することによって特定結晶面が発生すれば、このときそ
の成長が見掛け上停止することから、結果的に、この特
定結晶面のみによってこの端面が形成されることによっ
て、この端面は原子レベルですぐれた平滑面として形成
されることになる。
【００１５】上述した例では、第１導電型がｎ型で、第
２導電型がｐ型である場合について説明したが、第１導
電型がｐ型で、第２導電型がｎ型である場合、また、上
述した例では、活性層３に隣接してクラッド層２および
３が配置された構造とした場合であるが、活性層３に隣
接してガイド層が形成されたＳＣＨ(Separate Confinem
ent Heterostructure)構造による半導体発光装置とする
とか、電流狭窄層８が、例えばイオン注入による高抵抗
層とした構造によるなど、種々の構造による半導体発光
装置に本発明を適用することができる。
２導電型がｐ型である場合について説明したが、第１導
電型がｐ型で、第２導電型がｎ型である場合、また、上
述した例では、活性層３に隣接してクラッド層２および
３が配置された構造とした場合であるが、活性層３に隣
接してガイド層が形成されたＳＣＨ(Separate Confinem
ent Heterostructure)構造による半導体発光装置とする
とか、電流狭窄層８が、例えばイオン注入による高抵抗
層とした構造によるなど、種々の構造による半導体発光
装置に本発明を適用することができる。
【００１６】また、上述した例では、ＡｌＧａＡｓ系半
導体発光装置の製造に本発明を適用した場合であるが、
ＡｌＧａＩｎＰ系等のＩＩＩ−Ｖ族半導体発光装置、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族半導体発光装置等に本発明を適用することが
できる。
導体発光装置の製造に本発明を適用した場合であるが、
ＡｌＧａＩｎＰ系等のＩＩＩ−Ｖ族半導体発光装置、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族半導体発光装置等に本発明を適用することが
できる。
【００１７】
【発明の効果】上述の本発明方法によれば、複数の半導
体発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対
して溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振
器の共振器端面を構成する方法としたことから、その製
造方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれ
ば、この溝の側面を、主としてエピタキシャル成長が遅
い特定結晶面によって形成して、ここに半導体成膜を行
うようにしたことにより、この側面に半導体被膜を原子
レベルですぐれた平滑面として形成できることから、端
面損失を低減でき、発光効率の向上、安定化、長寿命化
をはかることができる。
体発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板に対
して溝加工によって最終的に得る半導体発光装置の共振
器の共振器端面を構成する方法としたことから、その製
造方法が簡単となる。また、上述の本発明方法によれ
ば、この溝の側面を、主としてエピタキシャル成長が遅
い特定結晶面によって形成して、ここに半導体成膜を行
うようにしたことにより、この側面に半導体被膜を原子
レベルですぐれた平滑面として形成できることから、端
面損失を低減でき、発光効率の向上、安定化、長寿命化
をはかることができる。
【図１】本発明による半導体発光装置の製造方法の一実
施例の一部の工程図である。ＡおよびＢは、それぞれ各
工程の概略断面図である。
施例の一部の工程図である。ＡおよびＢは、それぞれ各
工程の概略断面図である。
【図２】本発明による半導体発光装置の製造方法の一実
施例の一工程の要部の斜視図である。
施例の一工程の要部の斜視図である。
【図３】本発明による半導体発光装置の製造方法の一実
施例の一工程の要部の斜視図である。
施例の一工程の要部の斜視図である。
【図４】本発明による半導体発光装置の製造方法の一実
施例の一工程の要部の斜視図である。
施例の一工程の要部の斜視図である。
【図５】本発明による半導体発光装置の製造方法の一実
施例の一工程の要部の斜視図である。
施例の一工程の要部の斜視図である。
【図６】本発明による半導体発光装置の製造方法によっ
て得た半導体発光装置の斜視図である。
て得た半導体発光装置の斜視図である。
１ 半導体基体、２ 第１クラッド層、３ 活性層、４
第２クラッド層、５キャップ層、６ 半導体基板、７
リッジ溝、８ 電流狭窄層、１０ ストライプ状溝、
１１ 半導体被膜
第２クラッド層、５キャップ層、６ 半導体基板、７
リッジ溝、８ 電流狭窄層、１０ ストライプ状溝、
１１ 半導体被膜
Claims (3)
- 【請求項１】 光共振器を有する半導体発光装置の製造
方法において、 複数の半導体発光装置を構成する半導体層を有する半導
体基板を構成する工程と、 該半導体基板の上記半導体層表面から、最終的に得る半
導体発光装置の上記光共振器の共振器端面の構成面を側
面とするストライプ状溝を形成する溝加工工程と、 該溝の側面に半導体被膜をエピタキシャル成長する工程
とを有し、 上記溝は、その側面が、主としてエピタキシャル成長速
度が低い特定結晶面となる方向に選定し、 上記エピタキシャル成長による半導体被膜が上記特定結
晶面による表面性にすぐれた半導体被膜として成膜され
るようにしたことを特徴とする半導体発光装置の製造方
法。 - 【請求項２】 上記半導体発光装置が、ＡｌＧａＡｓ系
半導体発光装置であり、上記特定結晶面が｛１１０｝結
晶面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発
光装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記半導体発光装置が、ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体発光装置であり、上記特定結晶面が｛１１０｝
結晶面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037928A JPH10242557A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US09/026,895 US5939734A (en) | 1997-02-21 | 1998-02-20 | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US09/239,772 US6168964B1 (en) | 1997-02-21 | 1999-01-29 | Method of fabricating a semiconductor light emitting device with etched end surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037928A JPH10242557A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242557A true JPH10242557A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12511228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9037928A Pending JPH10242557A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5939734A (ja) |
| JP (1) | JPH10242557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180457A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件及其制造方法 |
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| TW552678B (en) * | 2001-05-29 | 2003-09-11 | Sharp Kk | Semiconductor apparatus and process for producing the same, and process for making via hole |
| PL216522B1 (pl) * | 2002-06-26 | 2014-04-30 | Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Azotkowe półprzewodnikowe urządzenie laserowe oraz sposób wytwarzania półprzewodnikowego urządzenia laserowego |
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| JPH04352374A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Eastman Kodak Japan Kk | 半導体発光装置 |
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| KR0133469B1 (en) * | 1994-05-16 | 1998-04-23 | Korea Electronics Telecomm | Method of manufacturing gaas substrate having high density |
| JP2877108B2 (ja) * | 1996-12-04 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP9037928A patent/JPH10242557A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-20 US US09/026,895 patent/US5939734A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-29 US US09/239,772 patent/US6168964B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180457A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件及其制造方法 |
| CN111180457B (zh) * | 2020-01-02 | 2023-09-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6168964B1 (en) | 2001-01-02 |
| US5939734A (en) | 1999-08-17 |
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