JP4623799B2 - 半導体発光素子の製法および半導体レーザ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はチッ化物系化合物半導体(III 族元素とチッ素などとの化合物半導体)を用い、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に必要な青色領域で発光可能な半導体レーザおよび発光ダイオードなども含めた半導体発光素子の製法に関する。さらに詳しくは、横方向成長を用いてチッ化物系化合物半導体層の貫通転位密度を下げながら、ウェハでの反りを防止することができる半導体発光素子の製法、および発光層での転位密度をできるだけ少なくし、発振特性を改良し得る半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の青色領域で発光する発光ダイオード(LED)やレーザダイオード(LD)は、サファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapour Deposition 以下、MOCVDという)により順次積層されることにより実現されている。
【0003】
たとえば青色領域でCW発振する半導体レーザは、図8に示されるように、サファイア基板21上にIII 族チッ化物化合物半導体がMOCVD法により順次積層されるもので、GaN緩衝層22、n形GaNからなるコンタクト層23、Al0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層24、GaNからなるn形光ガイド層25、InGaN系化合物半導体の多重量子井戸構造からなる活性層26、p形GaNからなるp形光ガイド層27、p形Al0.12Ga0.88Nからなるp形クラッド層28、p形GaNからなるp形コンタクト層29が順次積層され、積層された半導体層の一部が図8に示されるようにドライエッチングなどによりエッチングされてn形コンタクト層23を露出させ、その表面にn側電極31、前述のp形コンタクト層29上にp側電極30がそれぞれ形成されることにより構成されている。そして、p側電極30のストライプに沿った部分が発光部として利用されている。
【0004】
しかし、チッ化物系化合物を成長するサファイア基板は、チッ化物系化合物半導体との格子定数や熱膨張係数が大幅に異なり、成長するチッ化物系化合物半導体層の貫通転位(Threading Dislocation;TD)密度は、1×108〜1×1010cm-2程度となり、赤色系のGaAs基板上に成長される化合物半導体層の1×102cm-2程度と比べて大幅に転位密度が大きくなっている。半導体レーザでは、とくに転位密度が大きいと、しきい電流値などが増大して、発光ダイオード(LED)より転位密度の小さいことが要望される。しかし、サファイアの他に工業的に適した基板も見つかっていない。
【0005】
一方、TD低減の手法として、たとえば笹岡らによる「ハイドライドVPE、MOVPEによるGaN ELO成長」(日本結晶成長学会誌、第25巻第8号、1998年、99〜105頁)に示されるように、ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)を利用した結晶成長が注目されている。この方法は、たとえば半導体層上に開口窓を有するSiO2マスクを設け、その開口窓から露出する半導体層をシードとして、SiO2マスク上を横方向に成長させることにより、チッ化物系化合物では、縦方向よりも横方向への成長が行われやすいことを利用して、TDをなくするものである。
【0006】
しかし、ELO成長する場合、図7に示されるように、第1のGaN層42上のマスク層43に一定間隔で設けられる両側の開口部44から順次横方向に第2のGaN層45が成長し、マスク層43の中央部で合致するように成長するが、その合致部分では転位密度が大きくなり、とくに4角形状の4つの開口部からの成長層が接合する中心部における転位密度は非常に大きくなる。また、開口部44上の成長層も第1のGaN層の貫通転位密度が縦方向にそのまま続き転位密度が大きい。そのため、マスク層43はできるだけ幅広に形成されることが全体の転位密度を小さくする上で好ましいが、マスク層の幅が広くなると、それに応じてエピタキシャル成長する半導体層を厚くしなければ均一な半導体層にならないと共に、別の要因により転位密度が大きくなるなどの問題が生じる。
【0007】
ところが、半導体レーザは、たとえば前述の図8に示されるように、発光部はストライプ状の一部領域のみで、その部分の半導体層の転位密度を小さくすれば、結晶欠陥に基づくしきい電流値の増大、ならびにLDの通電特性の劣化などを抑制できることが想定される。この場合、図6に示されるように、一方向に直線状の開口部43とマスク層44を交互に形成することが効率的であるが、前述のようにマスク幅の両端部および中心部は転位密度が大きくなり、マスク幅の半分のうち、その両端部を除いた部分を、たとえばLDのストライプ幅の発光領域に使用することが好ましい。そのため、LDのストライプ幅を4μm程度としても、マスク幅Mが少なくとも10〜15μm以上は必要で、この場合、マスク上に成長するGaN層はマスク幅より厚く、すなわち15〜20μm程度以上は成長する必要がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、半導体レーザの発光部のみでも結晶欠陥の少ないデバイスにしようとすると、デバイスの発光部を形成するストライプ方向に沿ってマスクの開口部を設ける必要があり、図6に示されるように、一方向のみにマスクの開口部が形成される。一方、マスク幅が狭くてその上に成長するGaN層が5μm程度の薄い積層構造では問題ないが、マスク幅が10μm以上になり、その上に積層する半導体層の厚さが15μm以上になると、その半導体層と基板との熱膨張係数の差に基づき、ウェハの反りが顕著になってくる。ウェハの反りが発生すると、ウェハプロセス中にウェハ内で均一な処理が行えず、ストライプ幅を均一にできないこと、ウェハをラッピングする際に割れが生じやすいこと、反りに起因してデバイスに応力が働き特性変動を来しやすいこと、などの問題が生じる。
【0009】
一方、基板の厚さを従来の330μm程度から700μm程度に厚くすれば、ウェハプロセス中の問題はなくなるが、チップ化する前の最終的な基板研削が大変であると共に、基板研削をすれば、反りが生じ前述の問題が発生する。また、特開平11−186178号公報には、基板との熱膨張係数の差に基づくウェハの反りを防止するため、前述のELO成長を利用し、基板の全面に半導体層をエピタキシャル成長しないで、成長領域を島状に形成することにより(非成長領域に大きなマスクを設けることにより成長しなくなる)、ウェハの反りを防止する方法が開示されている。しかし、この方法では、実施例から見てもウェハの半分以上は非成長領域で、非常に無駄が多くなるという問題がある。
【0010】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、ELO成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、マスク幅を広くすることによりウェハ全体としての貫通転位密度を小さくしながら、その上に成長する半導体層が厚くなっても、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法を提供することを目的とする。
【0011】
本発明の他の目的は、半導体レーザのように発光領域をストライプ状部分などに限定できる場合に、少なくともそのストライプ状の発光領域部分における活性層の転位密度を小さくし、しきい電流値を下げ、高出力を得られるようにしながら、ウェハの反りを防止し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、マスク層上にチッ化物系化合物半導体層を横方向に選択成長する(ELO成長する)場合に、マスク幅を大きくして、その上に成長するチッ化物系化合物半導体層も厚くすることにより発生するウェハの反りの影響をなくするため、鋭意検討を重ねた結果、マスク層の開口部が一方向のみに連続して形成されていると、反りの方向は開口部の方向に関連して一定方向に反り、逆に開口部の大部分を散在させたり、一方向のみに連続した開口部にしなければ、マスク幅を広くすることにより成長層を厚くしたり、長い直線状の開口部を形成する場合でも、反りを大幅に減らすことができることを見出した。
【0013】
本発明による半導体発光素子の製法は、ウェハ状基板表面に直接、または該基板上に設けられる層上に、その上にはチッ化物系化合物半導体層が直接には成長しないマスク層を形成し、該マスク層にチッ化物系化合物半導体層を成長するシードを露出するための開口部を、前記マスク層をパターニングすることにより、前記ウェハ状基板の全面で単一方向に連続するもののみにならないように形成し、該パターニングされたマスク層の前記開口部側端部を残して前記パターニングされたマスク層の表面をエッチングすることにより凹部を形成し、前記開口部から前記マスク層の凹部上に横方向に選択成長することによりチッ化物系化合物半導体層を前記ウェハ状基板上の全面に設け、該チッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体からなる半導体積層部を形成し、前記ウェハ状基板をチップ化することを特徴とする。
【0014】
ここにチッ化物系化合物半導体とは、Ga、Al、InなどのIII 族元素とNまたはNと他のV族元素との化合物からなる半導体を意味する。したがって、GaNの他、AlとGaとの組成比が変えられるAlGaN系化合物や、InとGaの組成比が変えられるInGaN系化合物など、III族元素の混晶比やV族元素の混晶比が適宜変化されるNを含む化合物半導体を意味する。また、マスク層とは、たとえばSiO2のように、チッ化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長しようとしても、直接にはその表面にエピタキシャル成長をすることができない材料からなる層を意味する。
【0015】
この方法によれば、マスク層の開口部が一方向のみに連続して形成されないため、基板と成長する半導体層との熱膨張係数差に基づく応力が、一方向のみに働かないで、四方に均等にかかり、一方向での極端な反りが発生しなくなる。その結果、ウェハ工程における処理の不均一さやウェハの割れなどを防止することができ、非常に品質が向上する。
【0016】
前記開口部の大部分を、平面形状が4角形または6角形になるように形成することにより、4角形であれば、横方向の結晶成長の速度がA面に垂直な方向とM面に垂直な方向とで異なっていても、その成長方向の長さを調整しやすいし、6角形であれば、GaN系化合物が六方晶系であるため、各方向への成長速度が同じになるようにすることができ、横方向への成長を均一にすることができる。ここに開口部の大部分とは、たとえばLDのストライプ状発光部の近傍など、一部には直線状の開口部が設けられ得ることを意味する。
【0017】
本発明による半導体レーザは、基板と、該基板上に直接、または基板上に積層される層の上に設けられ、開口部によりパターニングされ、該開口部側端部を残して表面に凹部が形成されるマスク層と、該マスク層の凹部上に前記開口部から横方向に選択成長されるチッ化物系化合物半導体層と、該チッ化物系化合物半導体層上にストライプ状発光部を有する発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体層が積層される半導体積層部とからなり、前記マスク層は、前記ストライプ状発光部の下側に開口部を横切らず、チップ全長に亘って延びると共に、前記ストライプ状発光部の下側以外の部分には前記開口部が散在して形成されている。
【0018】
この構造にすることにより、半導体レーザのストライプ状の発光部は、結晶欠陥の非常に少ない部分のみで形成されながら、一方向のみにマスク層の開口部が形成されていないため、ウェハの反りは非常に小さく抑えられ、歩留りも向上すると共に、しきい電流値の小さい高特性の半導体レーザが得られる。
【0019】
具体的には、前記マスク層の開口部が前記ストライプ状発光部に隣接する部分では該ストライプ状発光部に沿って直線状に形成され、該ストライプ状発光部以外の部分ではマトリクス状またはランダムに形成されたり、前記マスク層が、直線状の開口部を有するパターンと、該パターンを60°回転させたパターンと、120°回転させたパターンとを重ね合せて形成される3回対称の形状に形成されることにより、一方向のみに連続した開口部を有しないで、ストライプ状発光部には、開口部が横切らないで、ストライプ状発光部の全体に亘って転位密度の小さい半導体層を有する半導体レーザが得られる。
【0020】
【発明の実施の形態】
つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体発光素子の製法および半導体レーザについて説明をする。本発明による半導体発光素子の製法は、ウェハ状基板上にELO成長によりチッ化物系化合物半導体層を選択成長し、その上に発光層形成部を構成するように半導体層を積層する場合に、横方向への選択成長をするためのマスクを、図1にその一実施形態のマスクパターンの例が示されるように、ウェハ状基板の全面でシードを露出する開口部が、単一方向に連続するもののみにならないで、大部分の開口部がn(nは2以上の整数)回対称になる(180°回転する間にn回対称構造になること)ように形成することを特徴とする。このようなマスクを用いて、その開口部からマスク層上に横方向に選択成長することによりチッ化物系化合物半導体層をウェハ状基板上の全面に設け、その上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体層を積層することにより半導体積層部を形成し、ウェハ状基板をブレークしてチップ化することにより半導体発光素子を製造する。
【0021】
図1に示される例は、直線上に開口部が設けられたパターンと、それを60°および120°それぞれ回転してできるパターンを3枚重ねることにより形成されたパターンの例で、3回対称の例が示されている。その結果、開口部は、図1(b)に拡大図が示されるように、6角形状で散在し、60°ごとに並んで形成され、一方向のみに連続する開口部にはなっていない。
【0022】
前述のように、本発明者は、ELO成長により、たとえば10μm以上程度の厚いチッ化物半導体層をサファイア基板上に成長すると、ウェハが反り、特性変動やハンドリング時の破損などが起こりやすいため、厚い半導体層を成長してもウェハが反らないようにするため鋭意検討を重ねた結果、マスクに設けるシードとするための開口部の方向と関係があることを見出した。
【0023】
すなわち、ELO成長により成長した半導体層でも、その開口部では、下層の貫通転移をそのまま引き継ぐため、依然として貫通転移が存在し、また、マスクの中央部でも、両方向からの成長の接合部になり転位密度が大きくなることが知られており、半導体レーザのようにチップ全体で発光させる必要がなく、ストライプ状部分のみで発光させるような場合、そのストライプ状の発光部には、前述の開口部や接合部の転位密度の大きい部分が含まれないようにすることが好ましい。このような観点から、図6に示されるように、ウェハに対して一方向にのみ開口部44が形成されると、330μm厚のサファイア基板からなる2インチのウェハで、24μm厚のGaN層をELO成長すると、図6に示される上部と中心(T−C)および下部と中心(B−C)の反りはそれぞれ300μmあるのに対して、左側と中心(L−C)および右側と中心(R−C)はそれぞれ40μmであり、開口部の方向と非常に反りが密接に関係することを見出した。
【0024】
なお、4μmのELO成長をしたものでは、いずれ方向でも、反りは40μm程度であり、成長厚さが24μmでも基板厚さを700μmにすると、前述の方向での反りがそれぞれ50μmと20μmであったが、最終のチップ化の前に基板を薄くする300μm程度への薄膜化により前述と同様の反りが発生した。一方、図1に示されるパターンのマスクを用いて24μm厚のGaN半導体層をELO成長した結果、前述の(T−C、B−C)方向、(L−C、R−C)方向共に60μmであった。すなわち、図1に示されるパターンの開口部を有するマスク層を用いると、若干反りが増えるが、従来の一方向のみに開口部が設けられる構造と比較すると、格段に反りを抑制できたことが分る。
【0025】
図1(a)に示されるパターンは、前述のように、直線状の10〜20μm幅Qの開口部と20〜30μm幅Pのパターンが周期的に形成されたもの(図では、PがQより小さく表しているが、開口部を明示するためで、実際にはPがQの1〜3倍程度ある)と、60度回転したパターンと、120°回転したパターンとをそれぞれ重ね合わせて形成された形状のもので、その開口部3aは、図1(b)に示されるように、6角形になる(必ずしも正6角形になる必要はない)この開口部3aからマスク3上に横方向に成長するチッ化物系化合物半導体は、六方晶系であるため、6角形の開口部からはどの方向にも一定の割合で成長するように形成できる。その結果、複数の開口部から横方向に成長する半導体層の接合部は点になり、接合部での転位密度の増大も殆ど生じない。そのため、図1(a)に、Sで示されるように、マスク幅Pの中心部を避けた半分の領域にストライプ状発光部を形成することにより、開口部3aを横切らないで、転位密度の小さいストライプ状発光部を形成することができる。
【0026】
このような転位密度の非常に小さい部分にストライプ状の発光部を形成した半導体レーザチップ(LD)の断面説明図が図2に示されている。すなわち、本発明による半導体レーザは、基板1上に直接、または基板上に積層される第1のチッ化物系化合物半導体層2が設けられ、その上に開口部3aを有するマスク層3が設けられ、そのマスク層3上に前記開口部3aから横方向に選択成長される第2のチッ化物系化合物半導体層4、さらに、ストライプ状発光部を有する発光層を形成するように積層されるチッ化物系化合物半導体層からなる半導体積層部15が設けられている。そして、マスク層3は、ストライプ状発光部の下側に開口部を横切らず、チップ全長に亘って延びると共に、ストライプ状発光部の下側以外の部分には開口部3aが散在して形成されている。なお、図2では、マスク層3が発光層形成部の下側のみにしか示されていないが、実際にはその横側にも形成されている(図では、ストライプ部が拡大して示されている)。
【0027】
基板1は、たとえば高温にも耐え得るサファイア(Al2O3単結晶)基板が用いられるが、サファイアに限定されず、Si、Geなどの他の半導体基板などを用いることができる。どの材料が用いられても、GaNとは格子定数が合わず、格子整合を採ることができないが、マスク層を介して横方向の選択成長をすることにより、マスク層上に転位密度の小さい半導体層を成長することができる。
【0028】
第1のチッ化物系化合物半導体層2は、たとえば4μm程度の厚さで、ノンドープのGaNを、MOCVD法などの通常のエピタキシャル成長法により形成されたもので、後述する第2のチッ化物系化合物半導体層4を選択成長する際のシードとするものである。しかし、この第1のチッ化物系化合物半導体層は設けられなくても、Siなどの半導体基板またはサファイア基板をシードとしてチッ化物系化合物半導体層を成長することができれば省略してもよい。
【0029】
マスク層3は、たとえばSiO2、Si3N4、Wなどの、その上には直接半導体層をエピタキシャル成長することができない材料が、スパッタリングなどにより、200nm程度の厚さに形成されている。このマスク層3は、基板1表面または第1のGaN層2上に直接第2の半導体層が成長しないようにするもので、マスクの機能を有する程度に形成されれば、薄いほど段差が生じにくく好ましい。このマスク層3は、ウェハ状態の第1のチッ化物系化合物半導体層2上に全面に設けられた後に、前述の図1に示されるようなパターンにパターニングされて開口部3aが形成されると共に、さらに図2に示される例では、残されたマスク層3の表面側に開口部から2μm程度の幅を残して凹部3bが形成されている。図2に示される半導体レーザを製造する場合、ストライプに沿った方向のマスク層3の幅Mは10〜15μm程度に形成されている。このマスク幅Mは、前述のようにストライプ状に発光させるLDでも最低限必要とされる幅で、さらに大きくすることもできる。
【0030】
マスク層3の表面に形成される凹部3bは、開口部3aが形成された後に、再度レジスト膜でマスクを形成し、HF系水溶液によりエッチングすることにより、マスク層3の厚さの半分程度、すなわち100nm程度の深さに形成されている。したがって、マスク層3の両端部から2μm程度の幅をそれぞれ残して、それより内部側の表面には凹部3bが形成されている。この2μm程度設けるのは、製造条件でのバラツキによっても、凹部が開口部側に露出しないようにするためである。この凹部3bは、横方向に成長する第2の半導体層4との間に接触応力が働かないようにし、横方向に真っ直ぐ成長するようにするものである。
【0031】
第2のチッ化物系化合物半導体層4は、たとえばノンドープのGaN層で20μm程度の厚さに形成される。この半導体層4は、前述のマスク層3の開口部3aから露出する第1のGaN層2をシードとして成長し始め、マスク層3の表面に達すると、横方向に選択成長する。すなわち、GaN層は、縦方向の成長よりも横方向への成長の方が早くしかも結晶性よく成長するため、マスク層3に凹部3bが設けられていても、下側には殆ど成長せず、マスク層3との間に空隙3cを形成しながら横方向に成長し、上方にも僅かに成長して、最終的にはマスク層3の中央部あたりで3方向の開口部から横方向に成長してきた半導体層が合致する。そしてマスク層3の表面が完全に埋まった後は上方に成長し、マスク層3上にも完全に第2のGaN層(半導体層)4が成長する。この第2のGaN層4は、マスク層3上の両端部(開口部3aに接する部分)および中央部の合致する部分を除いた部分の結晶性がよく、転位密度も小さくなる。
【0032】
第2のGaN層4上の半導体積層部15は、通常の半導体レーザを構成する半導体積層部になっている。すなわち、たとえばSiが5×1018cm-3程度にドープされたn形GaNからなるn形コンタクト層5が0.5μm程度、たとえばSiが5×1018cm-3程度にドープされたn形Al0.08Ga0.92Nからなるn形クラッド層6が0.4μm程度、たとえばSiが1×1018cm-3程度にドープされたn形GaNからなる第1のn形ガイド層7が0.2μm程度、たとえばSiがドープされたIn0.01Ga0.99Nからなる第2のn形ガイド層8を50nm程度、In0.1Ga0.9Nからなるウェル層を5nm程度、In0.02Ga0.98Nからなるバリア層を5nm程度づつ交互にウェル層を5層積層した多重量子井戸(MQW)構造からなる活性層9を50nm、たとえばMgがドープされたAl0.2Ga0.8Nからなるp形キャップ層10を20nm程度、たとえばMgが1×1018cm-3程度にドープされたGaNからなるp形ガイド層11を0.1μm程度、たとえばMgが2×1017cm-3程度にドープされたAl0.08Ga0.92Nからなるp形クラッド層12を0.4μm程度、たとえばMgが3×1018cm-3程度にドープされたGaNからなるp形コンタクト層13を0.1μm程度、それぞれ順次積層することにより形成されている。
【0033】
半導体積層部15の構造や各層の材料は、この例に限定されるものではなく、活性層9も量子井戸構造でないバルク構造のものでもよく、所望の発光波長により定まる材料の活性層9が、それよりバンドギャップの大きい材料からなるクラッド層6、12により挟持される構成に形成される。また、図2に示される例のように半導体レーザを構成する場合、活性層9の屈折率がクラッド層6、12の屈折率より大きい材料により形成される。そうすることにより、活性層9に光を閉じ込めることができるが、活性層9が薄く充分に光を閉じ込めることができないときは、図2に示される例のように、クラッド層6、12と活性層9との間の屈折率を有する光ガイド層7、8、11が設けられる。しかし、活性層9で充分に光を閉じ込められれば光ガイド層7、8、11を設ける必要はない。
【0034】
半導体積層部15の最上層のp形コンタクト層13は、メサエッチングが施されると共に、半導体積層部15の一部がエッチングされてn形コンタクト層5を露出させ、その表面の全面にSiO2が成膜されて保護膜14が形成されている。そして、保護膜14のコンタクト孔を介してp形コンタクト層13のメサ部上にNi-Auからなるp側電極16、およびn形コンタクト層と接続してTi-Alからなるn側電極17がそれぞれ形成されている。そして、共振器長(紙面に垂直方向の長さ)が500μm程度になるように劈開され、図2に示されるLDチップが形成されている。
【0035】
この積層構造で、p形コンタクト層13のストライプ状のメサ型にされた部分が電流注入領域となり(コンタクト層13がメサ形にされなくてもp側電極がストライプ状に形成されておればストライプ状の電流注入領域が形成される)、その下層に、マスク層3に設けられるストライプ状凹部3bの幅の半分以下が位置するように、マスク層3およびp側電極16が位置合せして形成されている。
【0036】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。たとえばMOCVDなどのエピタキシャル成長装置を用いて、基板温度を1100℃程度にしてH2雰囲気でサーマルクリーニングをする。その後、Gaの原料ガスとしてのトリエチルガリウム(TEG)、Nの原料ガスとしてのアンモニア(NH3)を導入し、ノンドープの第1のGaN層2を、4μm程度成長する。ついで、成長装置から基板を採りだし、たとえばスパッタリング装置を用いて、SiO2膜を200nm程度成膜する。その後、SiO2膜上にレジスト膜を設け、パターニングし、HF水溶液を用いてSiO2膜をエッチングすることにより、図1に示されるように開口部3aを形成し、3回対称のマスク層3を形成する。さらに、表面全面にレジスト膜を設けてパターニングし、再度HF水溶液によりエッチングすることにより、凹部3bをストライプ状に(紙面に垂直方向)形成する。
【0037】
その後、再度MOCVD装置などの成長装置に入れて、原料ガスとして、前述のガスのほかにAlのトリメチルアルミニウム(TMA)、Inのトリメチルインジウム(TMIn)、n形ドーパントとして、SiH4、p形ドーパントとしてシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはジメチル亜鉛(DMZn)の必要なガスをキャリアガスの水素と共に導入して、第2のチッ化物化合物半導体層4および半導体積層部15の各半導体層をそれぞれ前述の厚さで成長する。この場合、第1のn形ガイド層7までは、基板温度を1050℃程度で成長し、第2のn形ガイド層8および活性層9は基板温度を770℃程度にして成長し、その後の各層は再度基板温度を1050℃程度にして成長する。
【0038】
各半導体層の成長が終了したら、基板を成長装置から取出して、表面にレジストマスクを設け、リアクティブ イオン ビーム エッチング(RIBE)装置で、図3(a)に示されるように、400μm周期の一部の200μm幅で、半導体積層部15の一部をエッチングし、n形コンタクト層5の一部を露出させる。さらにレジストマスクを除去して再度レジストマスクを設け、同装置により図3(b)に示されるように、p形コンタクト層13を4μm程度の幅に残るようにメサエッチングをする。その後、たとえばプラズマCVDのような成膜装置を用いて、SiO2のような保護膜14を200nm程度の厚さで全面に成膜し、電極の形成部をHF系エッチャントによりエッチングしてコンタクト孔を形成する。
【0039】
ついで、p側電極16として、Niを100nm、Auを200nmそれぞれ真空蒸着装置により成膜し、さらにn側電極17として、Tiを100nm、Alを200nmそれぞれ成膜して電極16、17を形成し、基板1の裏面を研削して60μm程度に薄くした後、共振器長が500μm程度になるように劈開することにより、LDチップが形成される。
【0040】
本発明によれば、一方向のみに連続した開口部を形成しないでウェハの反りをなくしながら、開口部を横切ることなく直線状に転位密度の小さいチッ化物化合物半導体層部分を成長し、かつ、その転位密度の小さい部分にストライプ状の発光部を有するように半導体積層部を形成しているので、半導体レーザの発光させるストライプ状の共振器部分については、結晶性および平坦性の優れた半導体層上に成長することができ、その共振器部分の半導体積層部も結晶性よく成長し、しきい電流値の小さい高特性な半導体レーザが得られる。しかも、ウェハの全面を使用することができ、基板の半分以上を無駄にするというようなこともない。また、マスク層の表面に凹部が形成されることにより、成長の際にマスク層と半導体層との間の接触応力が働かず、成長する半導体層の結晶軸が応力により曲げられることはなく、長い幅に亘って平坦な半導体層が成長する。
【0041】
また、前述の例では、p形コンタクト層13をメサ型のストライプ形状にしただけのストライプ構造の半導体レーザであったが、半導体層をエッチングしないで電極だけをストライプ状に形成してもよく、また、活性層の近くまでメサ型にしてもよく、さらには、プロトンなどを打ち込んだプロトン打込み型にすることもできる。さらに、電流制限層を埋め込む屈折率導波型構造にすることもできる。
【0042】
図4および5に、LDのストライプ状発光部に転位密度の大きい部分を横切らないで、全域に亘って転位密度の小さい発光領域を形成しながら、ウェハの反りを抑制するマスクパターンの別の例が示されている。すなわち、図4はストライプ状発光部Sを形成する部分は直線状開口部3dで挟んだ直線状のマスク層3で、他の部分はマスク層3が格子状に形成され、4角形の開口部3aがマトリクス状に形成されている。その結果、ウェハにおいても、ストライプ状発光部Sでは直線状の開口部がウェハを貫通するが、他の部分では開口部3aが縦横両方向に同じような間隔で設けられているので、一方向のみに反りが発生することはなく、ウェハでの反りを抑制することができる。なお、図4では、4角形の開口部3aの間隔(マスク幅)が縦横同じ間隔に書かれているが、成長速度の差に応じてその間隔を調整することができる。また、ストライプ状発光部Sの隣にもう1本の直線状マスク部分が形成されているが、これは発光部近傍の横方向へのレートを大きくするためのもので、ストライプ状発光部Sの1本だけでもよい。
【0043】
前述の例は、1個のチップのパターンをウェハ内に同じ形状で繰返す例(図4では1個のチップ分のパターンだけが示されていた)であったが、図5は、各チップのパターン間に連続性を遮断するパターンの形成された例である。すなわち、1個のチップでは、ストライプ状発光部Sと平行に開口部が設けられる構造であるが、チップとして使用する領域Jと隣接するチップとして使用しない領域Kとで、そのマスク部分3と開口部3eとが逆になるようなパターンになっている。そして、ウェハからチップ化の際には、図の破線Hで劈開することにより、領域JよりLDチップを製造し、領域Kは廃棄するものである。このパターンにしても、開口部が直線状には連続しないため、ウェハの反りは抑制できた。なお、領域Kは廃棄する部分で短いほど好ましいが、領域Jの長さより半分程度に短くしても、ウェハの反りには影響しなかった。また、LEDの場合は、劈開する必要がないため、領域Kでも使用することができ、全然無駄は発生しない。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、マスク層の開口部を一方向のみに連続する開口部で形成していないため、マスク幅が広くなってその上に成長する半導体層の成長厚さを厚くする必要が生じても、ウェハの反りが生じない。その結果、ウェハプロセスでのハンドリングや、デバイスの特性に何ら悪影響を及ぼすことなく、品質の優れた半導体発光素子を安価に得ることができる。
【0045】
さらに、本発明の半導体レーザによれば、ストライプ状の発光部には、転位密度の大きい部分が全然存在せずストライプ状発光部の全体に亘り、結晶欠陥の少ない半導体層部を有しながら、少なくともストライプ状発光部近傍以外には直線状の開口部が存在せず、厚いチッ化物系化合物半導体層を成長してもウェハの状態で反りが問題になることはない。しかも、基板を有効に利用することができ、製造コストの低減を図ることもできる。その結果、しきい電流値の小さい高特性の半導体レーザが安価に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体発光素子の製法に用いるマスクパターンの例を示す図である。
【図2】本発明による半導体レーザの一実施形態の断面説明図である。
【図3】半導体を積層した後、積層部をエッチングするパターン例の説明図である。
【図4】本発明による半導体レーザに適したマスクパターンの他の例である。
【図5】本発明による半導体レーザに適したマスクパターンのさらに他の例である。
【図6】LDのストライプ状発光部の全体に転位密度の小さい半導体層を成長するのに好ましいパターンの例と、その場合の反りの状況を説明する図である。
【図7】ELO成長により半導体層を成長する場合の問題を説明する図である。
【図8】従来の青色系半導体レーザの一例を示す断面説明図である。
【符号の説明】
3 マスク層
3a 開口部
4 第2のチッ化物系化合物半導体層
9 活性層
15 半導体積層部
Claims (5)
- ウェハ状基板表面に直接、または該基板上に設けられる層上に、その上にはチッ化物系化合物半導体層が直接には成長しないマスク層を形成し、該マスク層にチッ化物系化合物半導体層を成長するシードを露出するための開口部を、前記マスク層をパターニングすることにより、前記ウェハ状基板の全面で単一方向に連続するもののみにならないように形成し、該パターニングされたマスク層の前記開口部側端部を残して前記パターニングされたマスク層の表面をエッチングすることにより凹部を形成し、前記開口部から前記マスク層の凹部上に横方向に選択成長することによりチッ化物系化合物半導体層を前記ウェハ状基板上の全面に設け、該チッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体からなる半導体積層部を形成し、前記ウェハ状基板をチップ化することを特徴とする半導体発光素子の製法。
- 前記開口部の大部分を、平面形状が4角形または6角形になるように形成する請求項1記載の半導体発光素子の製法。
- 基板と、該基板上に直接、または基板上に積層される層の上に設けられ、開口部によりパターニングされ、該開口部側端部を残して表面に凹部が形成されるマスク層と、該マスク層の凹部上に前記開口部から横方向に選択成長されるチッ化物系化合物半導体層と、該チッ化物系化合物半導体層上にストライプ状発光部を有する発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体層が積層される半導体積層部とからなり、前記マスク層は、前記ストライプ状発光部の下側に開口部を横切らず、チップ全長に亘って延びると共に、前記ストライプ状発光部の下側以外の部分には前記開口部が散在して形成されてなる半導体レーザ。
- 前記マスク層の開口部が前記ストライプ状発光部に隣接する部分では該ストライプ状発光部に沿って直線状に形成され、該ストライプ状発光部以外の部分ではマトリクス状またはランダムに形成されてなる請求項3記載の半導体レーザ。
- 前記マスク層が、直線状の開口部を有するパターンと、該パターンを60°回転させたパターンと、120°回転させたパターンとを重ね合せて形成される3回対称の形状に形成されてなる請求項3記載の半導体レーザ。
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