JP4760821B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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本発明の実施の形態1について図面を参照しながら説明する。図2は本発明の実施の形態1に係る窒化物半導体からなる基板を部分的に拡大した斜視図である。図2に示すように、実施の形態1に係る窒化物半導体からなる基板は、結晶系が六方晶系に属し、その主面が(0001)面であるGaNからなる基板201である。このGaN基板201においては、互いに交差する<11−20>軸方向の格子定数のうちでa1軸方向の格子定数202は0.31835nm、a2軸方向の格子定数203及びa3軸方向の格子定数204は0.31889nmである。
本発明の実施の形態2について図面を参照しながら説明する。図2は本発明の実施の形態2に係る窒化物半導体からなる基板を部分的に拡大した斜視図である。図2に示すように、実施の形態1に係る窒化物半導体からなる基板は、結晶系が六方晶系に属し、その主面が(0001)面であるGaNからなる基板201である。このGaN基板201においては、互いに交差する<11−20>軸方向の格子定数のうちでa1軸方向の格子定数202は0.31838nm、a2軸方向の格子定数203及びa3軸方向の格子定数204は0.31889nmである。
図5は本発明の実施の形態3に係る窒化物半導体素子の部分的な断面構成を示している。図5において、実施の形態3に係る窒化物半導体素子は、紫色を呈する波長領域での発光可能な窒化物半導体レーザ素子構造である。
図6は本発明の実施の形態4に係る窒化物半導体素子の部分的な断面構成を示している。図6において、実施の形態4に係る窒化物半導体素子は、青色を呈する波長領域での発光可能な発光ダイオード素子構造である。以下、本発明の実施の形態4について図面を参照しながら説明する。
図7は本発明の実施の形態5に係る窒化物半導体素子の部分的な断面構成を示している。図7において、実施の形態5に係る窒化物半導体素子は、紫色を呈する波長領域での発光可能な窒化物半導体レーザ素子構造である。
102 n-GaNコンタクト層
103 n-Ga0.9In0.1N層
104 n-Al0.14Ga0.86N/GaN超格子クラッド層
105 n-GaN光ガイド層
106 InGaN-MQW活性層
107 p-Al0.2Ga0.8N電流ブロック層
108 p-GaN光ガイド層
109 p-Al0.14Ga0.86N/GaN超格子クラッド層
110 p-GaNコンタクト層
111 p電極
112 SiO2
113 n電極
201 GaN基板
202 GaN基板のa1軸
203 GaN基板のa2軸
204 GaN基板のa3軸
301 Si基板
302 SiO2選択マスク
303 GaN結晶
304 ファセット面
305 結晶欠陥
306 (0001)面
307 GaN基板
401 サファイア基板
402 SiNx選択マスク
403 GaN結晶
405 結晶欠陥
407 GaN基板
408 GaN低温バッファ層
409 GaNテンプレート
410 開口部
501 GaN基板
502 n-GaNコンタクト層
503 n-Al0.07Ga0.93Nクラッド層
504 n-GaN光ガイド層
505 InGaN/GaN-MQW活性層
505a In0.1Ga0.9N井戸層
505b GaNバリア層
506 p-Al0.2Ga0.8Nキャップ層
507 p-GaN光ガイド層
508 p-Al0.07Ga0.93Nクラッド層
509 p-GaN第2コンタクト層
510 p-GaN第1コンタクト層
511 p電極
512 n電極
513 SiO2
601 GaN基板
602 n-GaN層
603 n-Al0.05Ga0.95Nクラッド層
604 InGaN/GaN-MQW活性層
605 p-Al0.2Ga0.8Nクラッド層
606 p-GaNコンタクト層
607 p電極
608 n電極
701 n-GaN基板
702 n-GaN層
703 n-Al0.07Ga0.93Nクラッド層
704 n-GaN光ガイド層
705 InGaN/GaN-MQW活性層
706 p-Al0.2Ga0.8Nキャップ層
707 p-GaN光ガイド層
708 p-Al0.07Ga0.93Nクラッド層
709 p-GaN第2コンタクト層
710 p-GaN第1コンタクト層
711 p電極
712 n電極
713 SiO2
714 SiNx
715 n-GaN選択成長層
716 エアギャップ
801 n-GaN基板
814 SiNx選択マスク
815 n-GaN選択成長層
816 エアギャップ
817 結晶欠陥
901 GaN基板
902 GaN基板のa1軸
903 GaN基板のa2軸
904 GaN基板のa3軸
905 周期的な結晶欠陥列
Claims (8)
- シリコン基板の(111)面の表面上に、<−1−12>軸方向に平行な複数のマスクを選択的に形成する工程と、前記シリコン基板上に、表面がファセット面を持ちその断面が三角形状となる第1のGaN層を形成する工程と、前記第1のGaN層上に、表面が(0001)面となる第2のGaN層を形成する工程と、前記シリコン基板を除去する工程と、を備え、
前記マスク上の前記第2のGaN層には結晶欠陥が相対的に多い領域が形成されるとともに、前記マスク間の前記第2のGaN層には結晶欠陥が相対的に少ない領域が形成され、<11−20>軸方向の格子定数は(0001)面内で等方的でない、GaN基板の製造方法。 - サファイア基板の表面上に、主面が(0001)面である第1のGaN層を形成する工程と、前記第1のGaN層の上に、<1―100>軸方向に平行な複数のマスクを形成する工程と、前記第1のGaN層上および前記マスク上に、その表面が(0001)面、かつその側面が{11−20}面となる第2のGaN層を形成する工程と、前記サファイア基板を除去する工程と、を備え、
前記マスク上の前記第2のGaN層は結晶欠陥が相対的に少ない領域が形成されるとともに、前記マスク間の前記第2のGaN層は結晶欠陥が相対的に多い領域が形成され、<11−20>軸方向の格子定数は(0001)面内で等方的でない、GaN基板の製造方法。 - 前記結晶欠陥が少ない領域に対する前記結晶欠陥が多い領域の結晶欠陥は、その比が100倍以上である、請求項2に記載のGaN基板の製造方法。
- 請求項1または2に記載の方法により製造されたGaN基板上に、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のキャップ層とを形成する工程を備えた、発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1または2に記載の方法により製造されたGaN基板の相対的に結晶欠陥が少ない領域表面上に、リッジストライプ状の第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層とを形成する工程を備え、前記活性層には等方的でない歪が加わっている、半導体レーザの製造方法。
- 前記GaN基板の{1−100}面を用いたへき開により、共振器端面を形成する、請求項5に記載の半導体レーザの製造方法。
- GaN基板の(0001)面の表面上に、<1−100>軸方向に平行な複数のリセス部と、前記リセス部にはさまれた領域からなる複数のストライプ状の凸部とを形成する工程と、前記凸部表面には成長するが、前記リセス部表面には成長しない選択横方向成長を行うことにより、上面が(0001)面、側面が{11−20}面から形成されるGaN層を形成する工程と、を備え、
前記凸部上の前記GaN層には結晶欠陥が相対的に多い領域が形成されるとともに、前記リセス部上の前記GaN層には結晶欠陥が相対的に少ない領域が形成され、<11−20>軸方向の格子定数は(0001)面内で等方的でない、GaN層の形成方法。 - 請求項7に記載の方法により形成したGaN層上に、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層とを形成する工程を備えた、半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318155A JP4760821B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007318155A JP4760821B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 半導体素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002331901A Division JP2004165550A (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 窒化物半導体素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008078684A JP2008078684A (ja) | 2008-04-03 |
JP2008078684A5 JP2008078684A5 (ja) | 2009-07-30 |
JP4760821B2 true JP4760821B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=39350350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007318155A Expired - Fee Related JP4760821B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4760821B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9065004B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2317554B1 (en) * | 2009-10-30 | 2014-04-09 | Imec | Integrated semiconductor substrate structure and method of manufacturing an integrated semiconductor substrate structure |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2828002B2 (ja) * | 1995-01-19 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3651260B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2005-05-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
-
2007
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9065004B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008078684A (ja) | 2008-04-03 |
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