JP4928874B2 - 窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子 - Google Patents
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Description
図2〜図12は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための平面図および断面図である。図13は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて形成された窒化物系半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。図2〜図13および図22を参照して、以下に第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスについて説明する。
図14は、本発明の第2実施形態に係る窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための平面図であり、図15は、図14における400−400線に沿った断面図である。第2実施形態に係る窒化物系半導体レーザ素子が第1実施形態に係る半導体レーザ素子と異なる点は、溝部の方向が異なる点である。以下、図14および図15を参照して、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスについて説明する。
2、4 窒化物系半導体層
7、21 リッジ部
11a、31a、51a、61a、71a、81a、81b 溝部
11b、31b、51b、61b、71b 領域(第1領域)
13 n型クラッド層(窒化物系半導体層)
20、40、62、72 窒化物系半導体素子層
Claims (10)
- GaN基板からなる窒化物系半導体基板上に形成される窒化物系半導体層の発光部分に対応する前記窒化物系半導体基板の第1領域以外の第2領域の所定領域を所定の深さまで選択的に除去することにより、前記窒化物系半導体基板に溝部を形成する工程と、
前記窒化物系半導体基板の前記第1領域の上面上、前記溝部の底面および側面上に、AlとGaとNとを含有する層からなる前記窒化物系半導体層を形成する工程とを備え、
前記窒化物系半導体基板の表面は、(H、K、−H−K、L)面を有し、
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、[K、−H、H−K、0]方向に沿って延びるように前記溝部を形成する工程を含み、
前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のAl組成比を、前記第1領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のAl組成比よりも低くする、窒化物系半導体発光素子の製造方法。(HとKは整数であり、HとKの少なくとも一方は0ではない。また、Lは0ではない整数である。) - 前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第1領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、請求項1に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板に、前記第1領域を囲むように、第1の方向および前記第1の方向と交差する第2の方向に延びる細長状の前記溝部を格子状に形成する工程を含む、請求項1または2に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記窒化物系半導体基板の(H、K、−H−K、L)面は、(11−22)面である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、[1−100]方向及び[11−22]方向に垂直な方向に沿って延びるように前記溝部を形成する工程を含む、請求項4に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 発光部分に対応する第1領域と、所定の高さを有する段差部を介して前記第1領域に隣接するように配置された第2領域とを含む窒化物系半導体基板と、
前記窒化物系半導体基板の前記第1領域の上面および前記段差部の側面上に形成されるとともに、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有するとともに、AlとGaとNとを含有する窒化物系半導体層とを備え、
前記段差部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のAl組成比は、前記第1領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のAl組成比よりも低く、
前記窒化物系半導体基板の表面は、(H、K、−H−K、L)面を有し、
前記段差部は、[K、−H、H−K、0]方向に沿って延びるように形成されている、窒化物系半導体発光素子。(HとKは整数であり、HとKの少なくとも一方は0ではない。また、Lは0ではない整数である。) - 前記窒化物系半導体層は、前記窒化物系半導体基板の前記第1領域および前記第2領域に形成されたAlとGaとNとを含有する窒化物系半導体からなる層と、少なくとも前記第1領域上に形成された窒化物系半導体からなる発光層とを含む、請求項6に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記窒化物系半導体基板の(H、K、−H−K、L)面は、(11−22)面である、請求項6または7に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第1領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、請求項6〜8のいずれか1項に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記段差部は、[1−100]方向及び[11−22]方向に垂直な方向に沿って延びるように形成されている、請求項6〜9のいずれか1項に記載の窒化物系半導体発光素子。
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