JP2011108774A - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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【課題】無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、p型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、該窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、500度以上700度以下で行なうことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、該窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、500度以上700度以下で行なうことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、無極性窒化物半導体を基板として用いた窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関する。
窒化物半導体発光素子の製造工程において、窒化物半導体積層体のうちのp型窒化物半導体層を低抵抗にするためには、p型窒化物半導体層をp型活性化する必要がある。窒化物半導体積層体をp型活性化する方法としては、基板上に形成された窒化物半導体積層体を窒素と酸素との雰囲気において、400℃以上の温度に昇温させてからアニールする手法が用いられてきた(たとえば特開平5−183189号公報(特許文献1))。
このようなアニール手法を用いることにより、結晶成長以外に窒化物半導体積層体に熱履歴がかかるが、窒化物半導体積層体に含まれるInGaN活性層などが劣化しにくいという点で優れている。
しかし、基板として極性窒化物半導体基板を用いた場合、400℃程度の温度でアニールをしても、p型窒化物半導体層を十分に低抵抗化することができず、p型窒化物半導体層を低抵抗化するためには、実際には800℃以上の高温でアニールする必要があった。
また、p型窒化物半導体層をp型活性化する別の手法として、たとえば特開平9−129929号公報(特許文献2)、および特開2004−103930号公報(特許文献3)には、CVD法を用いて窒化ガリウム系半導体層を積層した後に冷却する工程を含むことにより、p型窒化物半導体層を低抵抗下する技術が開示されている。一方、特願2007−521115(特許文献4)にも、p型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる製造方法が開示されている。
しかし、これらの特許文献2〜4に開示されているいずれの製造方法も、十分にp型活性化することができるものではなく、p型窒化物半導体層を低抵抗化する効果を得ることができるものではなかった。
ところで、窒化物半導体発光素子は、その発光波長がより長波長側の発光を有するものの登場が望まれている。窒化物半導体発光素子の発光波長を長波長側にするための手法としては、基板として無極性窒化物半導体基板を用いる技術が知られている。無極性窒化物半導体基板を用いることにより、ピエゾ電界による影響を少なくすることができ、長波長側の発光を得ることができる。
発光波長を長波長にするための別の試みとして、活性層に用いられる障壁層に、AlまたはAlとInとを含む窒化物半導体を用いる技術が開示されている。かかる技術は、発光波長を長波長にすることに加え、窒化物半導体発光素子の発光効率を高めることもできる。
以上の先行技術の内容からすると、無極性窒化物半導体基板を用いるという技術と、AlまたはAlとInとを含む窒化物半導体を含む活性層を形成するという技術とを組み合わせることにより、窒化物半導体発光素子の発光波長をさらに長波長にすることができるものと考えられる。
しかしながら、無極性窒化物半導体基板上に、AlまたはAlとInとを含む窒化物半導体を障壁層とする活性層を形成することにより窒化物半導体発光素子を作製すると、その窒化物半導体発光素子の発光強度は大きく低下することがわかった。さらに、このような窒化物半導体積層体にp電極およびn電極を形成し、電流注入法によりI−V特性を測定したところ、p型窒化物半導体層が高電圧になることがわかった。
このような欠点が生じる理由は、無極性窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体発光素子の製造において、アニールする工程において極性窒化物半導体と同程度の高温条件を用いることが問題ではないかと推察された。
そこで、発光強度が低下する原因を探るべく、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体積層体を形成した後であって、窒素および酸素の雰囲気中にて800℃でアニールを行なう前後の窒化物半導体発光素子の発光強度をフォトルミネッセンス法により測定した。
その結果、窒化物半導体発光素子を800℃でアニールを行なう前後で窒化物半導体発光素子の発光強度が大きく低下することが判明した。
このような発光強度の低下は、極性窒化物半導基板を用いて窒化物半導体発光素子を作製する場合、または無極性窒化物半導体基板上に、Alを含まない窒化物半導体層を障壁層として形成した場合に、800℃でアニールを行なうときには見られないほど大きいものであった。
本発明は、無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、p型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法、およびその製造方法により製造された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
無極性窒化物半導体基板を構成する結晶と窒化物半導体層を構成する結晶との格子定数および熱膨張係数が異なる場合、窒化物半導体層は無極性窒化物半導体基板から応力を受け、窒化物半導体層にクラックが生じる場合がある。たとえば、GaN基板上にAlGaN層を形成すると、AlGaN層は、GaN基板から引っ張り応力を受けクラック等が生じる場合がある。
そして、特にp型窒化物半導体層を低抵抗化するために800℃程度でアニールを行なうと、窒化物半導体積層体を構成する各層の間で応力が発生することにより、PL発光強度が低下するとともに、p型窒化物半導体層の電圧が上昇する傾向がみられる場合があった。
そこで、アニールを行なう前に、窒化物半導体積層体の各層の間に内在する応力を緩和することにより、アニール前後でPL発光強度を低減しにくくすることができるという知見を得た。そして、この知見に基づきさらに検討を重ねたところ、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体積層体を成長する際の各層の成長温度を、極性窒化物半導体基板上に成長するときの成長温度よりも低くすることにより、各層間の歪みを緩和することができることを実験的に見いだし、アニール条件について調査したことで本発明の完成に至ったものである。
すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、該窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、500℃以上700℃以下で行なうことを特徴とする。
アニールする工程は、窒素ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスからなる群より選択される1種以上を含む雰囲気で行なうことが好ましい。
アニールする工程を行なうときの昇温速度は、5℃/sec以上であることが好ましく、アニールする工程の時間は、1分以上10分以下であることがより好ましい。
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に、窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を反応炉内で形成する工程と、反応炉で窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、アニールする工程は、600℃以上900℃以下で行なうことを特徴とする。
アニールする工程は、窒素ガスまたはアルゴンガスのいずれか一方もしくは両方を含む雰囲気の反応炉内で行なわれることが好ましく、5分以上30分以下であることがより好ましい。
無極性窒化物半導体基板に対し、掘り込み領域を形成する工程を含むことが好ましく、窒化物半導体積層体は、AlとInとの両方を含む障壁層を含むことが好ましい。
本発明は、上記のような製造方法により製造された窒化物半導体発光素子でもある。また、本発明は、無極性窒化物半導体基板の掘り込まれていない領域上に成長した窒化物半導体層光導波路構造を有する窒化物半導体発光素子でもある。
上記の各構成を有する本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に形成した窒化物半導体積層体に内在する歪を緩和することができるものである。そして、無極性窒化物半導体基板上にAlを含む窒化物半導体層、もしくはAlとInを含む窒化物半導体層を障壁層とすることを含む窒化物半導体積層構造を成長させた際に、アニール前後で特性の変化が得られることも含む。
本発明によれば、活性層が劣化することなく無極性窒化物半導体基板上に形成するp型窒化物半導体を低抵抗化することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。また、本発明の製造方法により製造された窒化物半導体発光素子は、発光強度が高く、長波長の波長を発光することができる。
以下、本発明の製造方法により作製される窒化物半導体発光素子を説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
<実施の形態1>
(窒化物半導体積層体の製造工程)
本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、500℃以上700℃以下で行なうことを特徴とする。換言すれば、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体積層体を形成する場合、p型窒化物半導体層のp型活性化に最適なアニール温度は、従来の800℃程度のアニールする工程の温度よりも低くすればよく、アニールする工程の温度を500℃以上700℃以下にすることにより、窒化物半導体積層体への熱によるダメージが軽減されるとともにpn接合が良質化することができる。そして、これにより窒化物半導体発光素子を低電圧化するとともに、発光強度を高めることができる。
(窒化物半導体積層体の製造工程)
本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、500℃以上700℃以下で行なうことを特徴とする。換言すれば、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体積層体を形成する場合、p型窒化物半導体層のp型活性化に最適なアニール温度は、従来の800℃程度のアニールする工程の温度よりも低くすればよく、アニールする工程の温度を500℃以上700℃以下にすることにより、窒化物半導体積層体への熱によるダメージが軽減されるとともにpn接合が良質化することができる。そして、これにより窒化物半導体発光素子を低電圧化するとともに、発光強度を高めることができる。
(アニールする工程)
本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法は、上記の工程により窒化物半導体積層体を形成した後に、該窒化物半導体積層体をアニールする工程を含むことを特徴とする。このようにアニールする工程を含むことにより、p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層34、p型InGaNガイド層35、p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層36、p型GaNコンタクト層37のp型活性化を行なうことができる。そして、これら各層をp型活性化することにより、p型窒化物半導体層を低抵抗化することができる。
本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法は、上記の工程により窒化物半導体積層体を形成した後に、該窒化物半導体積層体をアニールする工程を含むことを特徴とする。このようにアニールする工程を含むことにより、p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層34、p型InGaNガイド層35、p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層36、p型GaNコンタクト層37のp型活性化を行なうことができる。そして、これら各層をp型活性化することにより、p型窒化物半導体層を低抵抗化することができる。
本実施の形態の製造方法において、アニールする工程を行なうときのアニール温度は500℃以上700℃以下で行なうことを特徴とする。このような温度でアニールする工程を行なうことにより、活性層をあまり劣化させずにp型窒化物半導体層のp型活性を高めることができる。そして、窒化物半導体積層体になるべく熱履歴を加えないようにするという観点からはアニール温度は500℃以上600℃以下とすることがより好ましい。アニール温度が500℃未満であると、p型窒化物半導体層を十分にp型活性することができず、アニール温度が700℃を超えると活性層が劣化してしまう虞がある。
ここで、アニールする工程は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体積層体を形成したものをアニール処理装置に設置することにより行なわれる。このようなアニール処理装置としては、窒化物半導体積層体が熱によりダメージを受けにくくするという観点から、昇降温早く行なうことができる装置を用いることが好ましく、高温アニール(RTA:Rapid Thermal Annealing)装置を用いることがより好ましい。
アニールする工程を行なうときの反応炉内は、窒素ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスからなる群より選択される1種以上を含む雰囲気であることが好ましい。反応炉内をこのような雰囲気にすることにより、p型窒化物半導体層をp型活性化しやすくなり、以ってp型窒化物半導体層の低抵抗化を図ることができる。ここで、反応炉内の雰囲気は、窒素ガスまたはアルゴンガスの少なくともいずれか一方もしくは両方を含むものにすることが好ましく、酸素ガスは用いないことが好ましい。このように反応炉内に酸素ガスを含まないことにより、窒化物半導体発光素子に非発光領域が形成されにくくなる。
アニールする工程を行なうときの昇温速度は、熱履歴による活性層の劣化を抑えるという観点からできるだけ速いことが好ましく、その昇温速度は5℃/sec以上であることがより好ましく、さらに好ましくは20℃/sec以上である。昇温速度が5℃/sec未満であると、昇温に時間がかかりすぎることになり、活性層の性能が劣化する場合がある。
アニールする工程においては、反応炉内の温度を500℃以上700℃以下に保つ時間は1分以上10分以下であることが好ましく、2分以上5分以下であることがより好ましい。このような条件でアニールする工程を行なうことにより、p型窒化物半導体層のp型活性化を促進することができ、以ってp型窒化物半導体層の低抵抗化を効率よく行なうことができる。アニールする工程の時間が1分未満であると、p型窒化物半導体層のp型活性化を十分に行なうことができず、アニールする工程の時間が10分を超えると、長時間の熱履歴により窒化物半導体積層体の表面に荒れが生じるからである。
なお、アニールする工程の時間は、高温アニール装置に設置してから500℃以上になった直後からカウントを開始し、アニールする工程を終えて反応炉内の温度が500℃未満に低下されるまでを適用するものとする。
なおまた、アニールする工程において、反応炉内の温度は、500℃以上700℃以下の範囲内の温度であれば必ずしも一定に保つ必要はなく、多少変動する場合または一時的に500℃以上700℃以下の温度から外れる場合があっても本発明の範囲を逸脱するものではない。
<実施の形態2>
本実施の形態は、実施の形態1と同様の無極性窒化物半導体基板を反応炉に入れて、該基板上に、実施の形態1と同様の窒化物半導体層の構成の窒化物半導体積層体を有機金属化学気相成長法で形成する。そして、反応炉から取り出すことなく、そのまま反応炉内でアニールする工程を行なうことを特徴とする。
本実施の形態は、実施の形態1と同様の無極性窒化物半導体基板を反応炉に入れて、該基板上に、実施の形態1と同様の窒化物半導体層の構成の窒化物半導体積層体を有機金属化学気相成長法で形成する。そして、反応炉から取り出すことなく、そのまま反応炉内でアニールする工程を行なうことを特徴とする。
このように窒化物半導体積層体を形成した後に、同一の反応炉内でアニールする工程を行なう場合、反応炉内は、600℃以上900℃以下の温度でアニールを行なうことを特徴とする。このような温度でアニールする工程を行なうことにより、活性層をあまり劣化させずにp型窒化物半導体層のp型活性を高めることができる。アニールする工程の温度が600℃未満であると、p型窒化物半導体層を十分にp型活性することができず、アニールする工程の温度が900℃を超えると活性層が劣化してしまう虞がある。
なお、窒化物半導体積層体を形成した反応炉と同一の反応炉を用いてアニールする工程を行なう場合、窒化物半導体積層体を形成した反応炉とは異なる反応炉を用いてアニールする工程を行なう場合に比して、アニールする工程の温度をより高く設定することが好ましい。なぜなら同一の反応炉を用いてアニールを行なう場合、アニールする工程の前に窒化物半導体積層体が大気に曝露しないため、窒化物半導体積層体の熱履歴による応力歪が少なく、しかも窒化物半導体積層体を形成する反応炉には酸素ガスを供給しない方がよいため、p型窒化物半導体層のp型化を十分に図りにくい傾向にあり、p型窒化物半導体層をよりp型活性化させるために、反応炉の温度を高める必要があるからである。
アニールする工程を行なうときの反応炉内は、窒素ガス、酸素ガスまたはアルゴンガスのいずれか一つ以上を含む雰囲気であることが好ましい。このような雰囲気に反応炉内をすることにより、p型窒化物半導体層をp型活性化しやすくなり、以ってp型窒化物半導体層の低抵抗化を図ることができる。ここで、反応炉内の雰囲気は、窒素ガスまたはアルゴンガスの少なくともいずれか一方もしくは両方を含むものにすることが好ましく、酸素ガスは用いないことが好ましい。このように反応炉内に酸素ガスを含まないことにより、窒化物半導体発光素子に非発光領域が形成されにくくなる。
また、窒化物半導体積層体を形成するときにキャリアガスとしてアンモニアガスを流している場合、アニールする工程においてはアンモニアガスを止めることが好ましい。これは、アンモニアガスに含まれる水素原子はp型窒化物半導体層がp型活性化されるのを抑制することがあるからである。
アニールする工程においては、反応炉内の温度を600℃以上900℃以下に保つ時間は5分以上30分以下が好ましい。このような条件でアニールする工程を行なうことにより、p型窒化物半導体層のp型活性化を促進することができ、以ってp型窒化物半導体層の低抵抗化を効率よく行なうことができる。アニールする工程の時間が5分未満であると、p型窒化物半導体層のp型活性化を十分に行なうことができず、アニールする工程の時間が30分を超えると、長時間の熱履歴により窒化物半導体積層体の表面に荒れが生じるからである。
なお、アニールする工程の時間は、窒化物半導体積層体を成長し終えた直後の温度が600℃以上900℃以下である場合は、その直後からカウントを開始し、アニールする工程を終えて反応炉内の温度が600℃未満に低下されるまでを適用するものとする。
なおまた、アニールする工程において、反応炉内の温度は、600℃以上900℃以下の範囲内の温度であれば必ずしも一定に保つ必要はなく、多少変動する場合であっても本発明の範囲を逸脱するものではない。
実施の形態1または実施の形態2のいずれかのp型活性化手法のうち、いずれか一方の方法を用いてアニールを行なうことにより、p型窒化物半導体層におけるp型活性化を効率的に行なうことができ、以ってp型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる。以下においては、実施の形態1の製造方法により製造される窒化物半導体発光素子を説明する。
(窒化物半導体発光素子)
図1は、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の模式的な断面図である。本発明により製造される窒化物半導体発光素子において、無極性窒化物半導体基板50は、図1に示されるように、掘り込み領域Bと掘り込まれていない領域Aとを有することが好ましい。そして、無極性窒化物半導体基板50の上に、窒化物半導体積層体51が形成されている。図1のCの領域は、掘り込まれていない領域A上に形成される窒化物半導体積層体51であり、図1のDの領域は、掘り込み領域上に形成される窒化物半導体積層体51である。
図1は、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の模式的な断面図である。本発明により製造される窒化物半導体発光素子において、無極性窒化物半導体基板50は、図1に示されるように、掘り込み領域Bと掘り込まれていない領域Aとを有することが好ましい。そして、無極性窒化物半導体基板50の上に、窒化物半導体積層体51が形成されている。図1のCの領域は、掘り込まれていない領域A上に形成される窒化物半導体積層体51であり、図1のDの領域は、掘り込み領域上に形成される窒化物半導体積層体51である。
本発明において、「掘り込み領域」とは、無極性窒化物半導体基板の表面に凹部が加工された領域のことをいう。一方、無極性窒化物半導体基板上の掘り込み領域以外の部分のことを「掘り込まれていない領域」と記す。
(掘り込み領域)
本発明では掘り込み領域を有する無極性窒化物半導体基板を用いることが好ましい。このような無極性窒化物半導体基板を用いることにより、無極性半導体基板から窒化物半導体積層体に加わる応力を低減することができる。なお、掘り込み領域を有しない無極性窒化物半導体基板を用いても本発明の効果を得ることはできる。
本発明では掘り込み領域を有する無極性窒化物半導体基板を用いることが好ましい。このような無極性窒化物半導体基板を用いることにより、無極性半導体基板から窒化物半導体積層体に加わる応力を低減することができる。なお、掘り込み領域を有しない無極性窒化物半導体基板を用いても本発明の効果を得ることはできる。
このように掘り込み領域を有する無極性窒化物半導体基板上に複数の窒化物半導体層からなる窒化物半導体積層体を形成したものに対し、アニールを行なうことにより、窒化物半導体積層体に蓄積された応力を掘り込み領域が緩和し、以ってアニールする工程で加わる熱履歴による活性層のダメージを低減することができる。
本実施の形態において、無極性窒化物半導体基板50に形成される掘り込み領域は、図1に示されるように、凹凸の段差を生じさせるものであればその形状は特に限定されず、矩形状、△形状、または台形状のいずれの形状であってもよい。また、1枚の無極性窒化物半導体基板50上に形成される掘り込み領域の掘り込み幅および掘り込み深さは、それぞれ異なっていてもよい。
また、図1においては、掘り込み領域と掘り込まれていない領域とが一方向に沿ってストライプ状に形成されたものを示しているが、このような形態のみに限られるものではなく、掘り込み領域および掘り込まれていない領域が互いに交差するように桝目に配列してもよい。
また、1枚の無極性窒化物半導体基板上に形成される掘り込み領域は、必ずしも一定の周期である必要はなく、異なる周期で形成されていてもよい。
(掘り込み領域の形成)
図2(a)〜(e)は、無極性窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成する工程を示す図である。以下においては、図2を参照しつつ、無極性窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成する工程の一例を示す。
図2(a)〜(e)は、無極性窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成する工程を示す図である。以下においては、図2を参照しつつ、無極性窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成する工程の一例を示す。
まず、図2(a)に示されるように、無極性窒化物半導体基板50の全面に対し、たとえば膜厚1μmのSiO2膜60を成膜する。ここで、SiO2膜60を形成する方法としては、たとえばスパッタ法を用いることができる。なお、スパッタ法の他にも電子線(EB:Electron Beem)蒸着法またはプラズマCVD法等を用いてもよい。
次に、図2(b)に示されるように、一般的なフォトリソ工程を用いることにより、[0001]方向にたとえば幅5μm、周期400μmのストライプのウィンドウを有するレジスト61を形成する。レジスト61に形成されるストライプの周期は、その後に形成される窒化物半導体発光素子の幅で決められる。すなわちたとえば窒化物半導体発光素子の幅をたとえば200μmにしたい場合は、ストライプ方向と垂直な方向の周期を200μmの間隔にすればよい。なお、無極性窒化物半導体基板50のエッチングマスクにSiO2膜60を形成することなく、レジスト61を形成してもよい。
次に、図2(c)に示されるように、上記で形成したレジスト61をマスクとしてたとえば反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)法でSiO2膜60を除去することにより、無極性窒化物半導体基板50を露出させる。
次に、図2(d)に示されるように、レジスト61およびSiO2膜60をマスクとして誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)エッチング法、またはRIE法により、無極性窒化物半導体基板50をエッチングする。図2(d)中のdがエッチング深さであり、ここではたとえば5μmのエッチング深さとする。
最後に、図2(e)に示されるように、HF等をエッチャントに用いてリフトオフ法によりSiO2膜60とレジスト61とを除去する。
以上の工程を行なうことにより、無極性窒化物半導体基板50に掘り込み領域を作製することができる。なお、本実施の形態において、エッチング法は、気相エッチングを用いてもよいし、液相のエッチャントを用いてエッチングを行なってもよい。
また、上記の掘り込み領域は、無極性窒化物半導体基板上に、たとえばGaN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、InAlN等の窒化物半導体積層体を成長した後に作製してもよい。
(窒化物半導体積層体)
図3は、本発明において作製される窒化物半導体積層体の模式的な断面図である。本実施の形態において、無極性窒化物半導体基板上に形成される窒化物半導体積層体51は、図3に示されるように、たとえばn型窒化物半導体層38、活性層33、およびp型窒化物半導体層39からなるものである。ここで、n型窒化物半導体層38は、n型GaN層30とn型Al0.062Ga0.938Nクラッド層31とn型InGaNガイド層32とを含むものであるが、n型InGaNガイド層32は図3に示す場所に挿入されていなくてもよい。
図3は、本発明において作製される窒化物半導体積層体の模式的な断面図である。本実施の形態において、無極性窒化物半導体基板上に形成される窒化物半導体積層体51は、図3に示されるように、たとえばn型窒化物半導体層38、活性層33、およびp型窒化物半導体層39からなるものである。ここで、n型窒化物半導体層38は、n型GaN層30とn型Al0.062Ga0.938Nクラッド層31とn型InGaNガイド層32とを含むものであるが、n型InGaNガイド層32は図3に示す場所に挿入されていなくてもよい。
また、p型窒化物半導体層39は、p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層34、p型InGaNガイド層35、p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層36、およびp型GaNコンタクト層37からなるものであるが、p型InGaNガイド層35は図3に示す場所に挿入されていなくてもよい。また、活性層33に含まれる障壁層は、GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN等の窒化物半導体を用いることができるが、AlとInとを含む障壁層を用いることがより好ましい。AlとInとを含む障壁層を用いることにより、長波長の発光を得ることができる。
そして、無極性窒化物半導体基板上に、図3に示す窒化物半導体層をこの順に有機金属化学気相成長法で成長させることにより、窒化物半導体積層体を形成する。
(窒化物半導体レーザの作製方法)
上記で得られた窒化物半導体ウエハを窒化物半導体レーザに加工するプロセスは、一般的な方法を用いるためここでは詳細には説明しないが概略は以下の通りである。まず、窒化物半導体積層体上にレーザ光導波路構造のレーザストライプを形成するとともに、電流狭窄構造であるリッジ構造のSiO2薄膜を作製する。そして、窒化物半導体薄膜上にPd/Pt/Au=15nm/15nm/200nmからなるp型電極の作製する。
上記で得られた窒化物半導体ウエハを窒化物半導体レーザに加工するプロセスは、一般的な方法を用いるためここでは詳細には説明しないが概略は以下の通りである。まず、窒化物半導体積層体上にレーザ光導波路構造のレーザストライプを形成するとともに、電流狭窄構造であるリッジ構造のSiO2薄膜を作製する。そして、窒化物半導体薄膜上にPd/Pt/Au=15nm/15nm/200nmからなるp型電極の作製する。
上記のようにレーザ光導波路構造とすることにより、窒化物半導体発光素子に発生するクラックの発生と表面モフォロジーの悪化とを抑制することができ、これにより共振器方向に窒化物半導体薄膜の層厚が均一なものとなり、高い利得を得ることができる。すなわち、このようなレーザ光導波路構造とすることにより、窒化物半導体積層体とレーザストライプと界面の低しきい値化を実現することができる。
そして、無極性窒化物半導体基板の裏面(窒化物半導体積層体が成長されていない面)を研削研磨した後に、無極性窒化物半導体基板の裏面にHf/Al/Mo/Pt/Au=5nm/150nm/36nm/18nm/200nmからなるn型電極を作製し、窒化物半導体レーザを得る。このようにして得られた窒化物半導体ウエハのキャビティ長が300μmから1800μmの範囲の長さ(たとえば600μmの長さ)となるようにバー状に分割し、当該バー状に分割された窒化物半導体ウエハをチップ分割することにより、本実施の形態の窒化物半導体レーザを得ることができる。
(無極性窒化物半導体基板)
本発明において、「無極性窒化物半導体基板」とは、A面{11−20}、M面({1−100}面、または{1−101}面)、または{11−22}面を主面方位とし、これらの結晶面方位から5°以内のオフ角度を有する窒化物半導体基板のことを意味する。このような無極性窒化物半導体基板を用いることにより、ピエゾ電界による影響がなく、窒化物半導体発光素子の発光を長波長側にすることができる。
本発明において、「無極性窒化物半導体基板」とは、A面{11−20}、M面({1−100}面、または{1−101}面)、または{11−22}面を主面方位とし、これらの結晶面方位から5°以内のオフ角度を有する窒化物半導体基板のことを意味する。このような無極性窒化物半導体基板を用いることにより、ピエゾ電界による影響がなく、窒化物半導体発光素子の発光を長波長側にすることができる。
なお、本明細書においては、結晶面や方位を示す指数が負の場合に、本来であれば所要の数字の上にバーを付した表現をするのが結晶学の決まりであるが、表現手段に制約があるため、所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、所要の数字の前に「−」を付して表現している。
ここで、窒化物半導体基板とは、AlxGayInzN(0≦x≦1;0≦y≦1;0≦z≦1;x+y+z=1)からなるものであり、当該窒化物半導体基板中にSi、O、Cl、S、C、Ge、Zn、Cd、Mg、またはBeがドーピングされたものであってもよい。また、窒化物半導体基板をn型窒化物半導体基板にするという観点から、Si、O、およびClをドーピングすることがより好ましい。なお、本明細書において、Alはアルミニウム、Gaはガリウム、Inはインジウム、Nは窒素をそれぞれ示す。
また、窒化物半導体基板が六方晶系を維持できる範囲内であれば、窒化物半導体基板の窒素元素の約10%以下をAs、P、またはSbの元素で置換したものであってもよい。
<実施例>
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、本発明の効果を明らかにするために、自然放出光を評価することができる簡易的な窒化物半導体積層体の構造としている。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、本発明の効果を明らかにするために、自然放出光を評価することができる簡易的な窒化物半導体積層体の構造としている。
図4は、本実施例で作製される窒化物半導体発光素子の模式的な断面図である。本実施例では、M面{1−100}面を主面方位としたGaNからなる無極性窒化物半導体基板40を用いた。そして、図4に示されるように、まず、無極性窒化物半導体基板40上に、n型Al0.062Ga0.938Nクラッド層41、InGaN/AlInGaN―3MQW活性層42、p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層43、p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層44をこの順に積層することにより窒化物半導体積層体を形成した。
ここで、InGaN/AlInGaN―3MQW活性層42は、3層のAlInGaNバリア層45と2層のInGaN量子井戸層46とが交互に積層されたものである。このようにして無極性窒化物半導体基板上に、窒化物半導体積層体を形成したものを4つ準備した。
そして、このような4つのそれぞれの窒化物半導体ウエハに対し、5℃/secの昇温速度でアニールする工程を開始し、3分間のアニールする工程を行なった。反応炉内は、窒素ガスおよびアルゴンガスを含む雰囲気からなるものであった。このようなアニールする工程の条件で、800℃、600℃、500℃、400℃の4種の異なる温度でアニールする工程を行ない、アニール前後の自然放出光スペクトルをフォトルミネッセンス法により測定した。測定装置としてはスペクトルアナライザ(製品名:MCPD3000(大塚電子株式会社製))を用いた各測定結果を図5に示す。
図5は、フォトルミネッセンス法により測定したアニール前後の自然放出光スペクトルであり、図5(a)〜(d)はそれぞれ、800℃、600℃、500℃、および400℃でアニールする前後の自然放出光スペクトルの変化を示す図である。
800℃でアニールする工程を行なうと、図5(a)に示されるように、アニール前後で自然放出光スペクトルの形状が大きく変化し、しかも窒化物半導体発光素子の発光強度も半分以下に落ちている。このように発光強度が落ちているのは、活性層のフラクチュエーションに対して、アニールの熱履歴による影響が異なるためと考えられる。また、図5(a)によると、長波長側の発光波長の発光強度の落ち込みが大きい。このことから800℃以上の高温でのアニールはIn組成の高い活性層ほど劣化させることがわかった。
また、600℃でアニールする場合、図5(b)に示されるように、アニールを行なった後においても発光強度があまり落ち込まずにアニールの熱履歴による活性層の劣化の影響はかなり軽減されていることがわかる。そして、500℃のような低温でアニールする場合、図5(c)に示されるように、さらに発光強度の落ち込みは軽減され、アニールの熱履歴による長波長側の発光波長の発光強度の落ち込みはほぼ見られなくなる。これは、500℃程度のアニールする工程で発生する応力により、活性層の結晶状態が良化していることによるものと推察される。
一方、400℃でアニールする場合、図5(d)に示されるように、500℃でアニールを行なう場合に比して、窒化物半導体発光素子の発光強度の落ち込みが大きくなる。これは、アニールの熱履歴により発生する応力が十分でなかったために、活性層の結晶状態が良化しなかったことによるものと考えられる。
以上の結果から、500℃以上700℃以下で窒化物半導体積層体をアニールする工程を行なうことにより、窒化物半導体発光素子の発光強度の低下を極力抑えつつ、p型窒化物半導体層のp型活性化を行なうことができ、以ってp型窒化物半導体層の低抵抗化を達成することができることが明らかとなった。
一方、従来のように800℃以上でアニールを行なうと、熱履歴により窒化物半導体積層体のダメージが大きくなって、pn接合が不十分なものとなり、I−V特性が高電圧化することが明らかとなった。
<電流電圧特性>
また、上記のようにアニールを行なった後、窒化物半導体積層体に接するようにp電極を形成するとともに、無極性窒化物半導体基板上に接するようにn電極を形成した。このようにして作製された窒化物半導体発光素子に対し、電流注入法により電流源/モニター(製品名:R6245S(アドバンテスト株式会社製))を用いてI−V特性を測定した。その測定結果を図6に示す。
また、上記のようにアニールを行なった後、窒化物半導体積層体に接するようにp電極を形成するとともに、無極性窒化物半導体基板上に接するようにn電極を形成した。このようにして作製された窒化物半導体発光素子に対し、電流注入法により電流源/モニター(製品名:R6245S(アドバンテスト株式会社製))を用いてI−V特性を測定した。その測定結果を図6に示す。
図6(a)は、I−V特性の全体図を示すグラフであり、図6(b)は(a)の点線部分を拡大したグラフである。図6(a)および図6(b)から明らかなように、800℃以上の高温条件または400℃以下の低温条件でアニールを行なうと、I−V特性が高電圧化していることがわかる。一方、500℃以上700℃以下の条件でアニールを行なうと、I−V特性が低電圧化しており、特に600℃のアニールでは低電圧化の効果が高いことがわかる。
以上の結果から、500℃以上700℃以下の条件でアニールを行なうことにより、p型窒化物半導体層を高抵抗になりにくくすることができることが明らかとなった。
また、無極性窒化物半導体基板上に形成したp型窒化物半導体層は、極性窒化物半導体上に形成したp型窒化物半導体層に比べて、低温でp型化活性することができることがわかった。一方で、極性窒化物半導体基板上にp型窒化物半導体層を形成すると、成長反応炉内でのアニールする工程を行なうことにより、p型窒化物半導体層を低抵抗しにくい傾向にあった。このことから無極性窒化物半導体基板上にp型窒化物半導体層を形成することにより、p型窒化物半導体層をp型化活性することができ、もってp型窒化物半導体層を低抵抗にすることができることが明らかとなった。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
30 n型GaN層、31 n型Al0.062Ga0.938Nクラッド層、32 n型InGaNガイド層、33 活性層、34 p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層、35 p型InGaNガイド層、36 p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層、37 p型GaNコンタクト層、38 n型窒化物半導体層、39 p型窒化物半導体層、40 m面{1−100}窒化物半導体基板、41 n型Al0.062Ga0.938Nクラッド層、42 InGaN/AlInGaN―3MQW活性層、43 p型Al0.3Ga0.7N蒸発防止層、44 p型Al0.062Ga0.938Nクラッド層、45 AlInGaNバリア層、46 InGaN量子井戸層、50 無極性窒化物半導体基板、51 窒化物半導体積層体、60 SiO2膜、61 レジスト。
Claims (11)
- 無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、
前記窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、
前記アニールする工程は、500℃以上700℃以下で行なう、窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記アニールする工程は、窒素ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスからなる群より選択される1種以上を含む雰囲気で行なう、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニールする工程を行なうときの昇温速度は、5℃/sec以上である、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニールする工程の時間は、1分以上10分以下である、請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 無極性窒化物半導体基板上に、窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を反応炉内で形成する工程と、
前記反応炉で前記窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、
前記アニールする工程は、600℃以上900℃以下で行なう、窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記アニールする工程は、窒素ガスまたはアルゴンガスのいずれか一方もしくは両方を含む雰囲気の前記反応炉内で行なわれる、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニールする工程は、5分以上30分以下である、請求項5または6に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記無極性窒化物半導体基板に対し、掘り込み領域を形成する工程を含む、請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体積層体は、AlとInとを含む障壁層を含む、請求項1〜8のいずれかに記載された窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれかの製造方法により製造された窒化物半導体発光素子。
- 前記無極性窒化物半導体基板の掘り込まれていない領域上に成長した窒化物半導体層に光導波路構造を有する、請求項10に記載の窒化物半導体発光素子。
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