JP4294077B2 - 窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4294077B2 JP4294077B2 JP2008150392A JP2008150392A JP4294077B2 JP 4294077 B2 JP4294077 B2 JP 4294077B2 JP 2008150392 A JP2008150392 A JP 2008150392A JP 2008150392 A JP2008150392 A JP 2008150392A JP 4294077 B2 JP4294077 B2 JP 4294077B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- groove
- growth
- type gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 187
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 180
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N trimethylarsine Chemical compound C[As](C)C HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 and for example Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsenic Chemical compound CC(C)(C)[As] QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFTRQJLVEBNKJK-UHFFFAOYSA-N Aethyl-cyclopentan Natural products CCC1CCCC1 IFTRQJLVEBNKJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100208382 Danio rerio tmsb gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- UCSVJZQSZZAKLD-UHFFFAOYSA-N ethyl azide Chemical compound CCN=[N+]=[N-] UCSVJZQSZZAKLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N triethylstibane Chemical compound CC[Sb](CC)CC KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
前記丘の端には、幅20〜30μmで0.3〜0.5μmの盛り上がりとなるエッジグロースが発生する場合がある。このため、前記丘の端から前記エッジグロースが発生する領域の幅20〜30μmの部分を避けて前記リッジストライプ部を形成するために、前記丘の幅は70μm以上であるのが好ましい。逆に前記丘17の幅が広くなるとクラックが発生しやすくなるため、幅は1200μm以下であることが望ましい。
前記n型GaN層の層厚が0.1μm以下であると、前記窒化物半導体基板の影響で、前記窒化物半導体成長部の結晶性が良くない。又、前記n型GaN層の層厚が厚すぎると、後述する這い上がり成長が進行し、平坦性が悪化するため、前記n型GaN層の層厚が2μmを超えることは好ましくない。
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。窒化物発光素子の一例として窒化物半導体レーザ素子について説明する。図1は本実施形態における窒化物半導体レーザ素子が設けられたウエーハの一部の概略断面図である。図2は、本実施形態の、窒化物半導体成長層11を積層する前のn型GaN基板10の上面図である。面方位も併せて表示する。図2に示したn型GaN基板10上に、窒化物半導体成長層11を積層させるなどして、図1の窒化物半導体レーザ素子を得る。
本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図7は本実施形態における窒化物半導体レーザ素子が設けられたウエーハの一部の概略断面図である。本実施形態において、n型GaN基板10上に積層される窒化物半導体成長層11は、その構成はn型GaN層21の層厚の値以外は図3のような構成となるので、同一の符号を付し、その詳細な説明は第1の実施形態を参照するものとして、省略する。また、図7には示されていないが、本実施形態のn型GaN基板10のオフ角は、主面方位のC面(0001)に対して0.2°とする。
本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図8は本実施形態における窒化物半導体レーザ素子が設けられたウエーハの一部の概略断面図である。n型GaN基板10上に積層される窒化物半導体成長層11は、その構成はn型GaN層21の層厚の値以外は図3のような構成となるので、同一の符号を付し、その詳細な説明は第1の実施形態を参照するものとして、省略する。また、図8には示されていないが、本実施形態のn型GaN基板10のオフ角は、主面方位のC面(0001)に対して0°(ジャスト)であるとする。
11 窒化物半導体成長層
12 リッジストライプ部
13 SiO2層
14 p電極
15 n電極
17 丘
17a 丘の上面部
17b 丘の側面部
18 溝
18a 溝の底面部
21 n型GaN層
22 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
23 n型GaN光ガイド層
24 多重量子井戸構造活性層
25 p型Al0.3Ga0.7Nキャリアブロック層
26 p型GaN光ガイド層
27 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
28 p型GaNコンタクト層
31a 上面成長部
31b 側面成長部
31c 底面成長部
31d 成長部
31e 這い上がり成長部
32 溝の中心部
33 這い上がり成長領域
34 盛り上がり部
51 分割ライン
61 分割ライン
71 分割ライン
81 分割ライン
Claims (7)
- その上面にストライプ状に延在する溝及び丘が形成された窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層される複数の窒化物半導体層からなる窒化物半導体成長部と、を備えたウエーハを分割して窒化物半導体発光素子を製造する方法において、
前記溝上に形成された前記窒化物半導体成長部の高さを前記丘上に形成された前記窒化物半導体成長部の高さよりも低くし、
少なくとも前記丘上の前記窒化物半導体成長部上の平坦部に凸状のリッジストライプ部を形成し、
前記リッジストライプ部から少なくとも20μm以上離れた位置で前記ウエーハを分割することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記溝が、〈1−100〉方向と平行な方向に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記丘の幅が、70μm以上1200μm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝の断面形状が、前記溝の底面部の幅よりも前記溝の開口部の幅のほうが広い順テーパ形状であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝の断面形状が、前記溝の底面部の幅よりも前記溝の開口部の幅のほうが狭い逆テーパ形状であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体成長部の前記窒化物半導体基板に接する層がn型GaN層であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記n型GaN層の層厚が0.1μm以上2μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008150392A JP4294077B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008150392A JP4294077B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004044630A Division JP4201725B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008211261A JP2008211261A (ja) | 2008-09-11 |
JP4294077B2 true JP4294077B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=39787232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008150392A Expired - Lifetime JP4294077B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4294077B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010049846A (ja) | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Funai Electric Co Ltd | 液晶モジュールの直下型バックライト装置 |
JP2010199236A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子の製造方法および発光素子 |
KR101998765B1 (ko) | 2013-03-25 | 2019-07-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN110854195B (zh) * | 2018-08-21 | 2023-09-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
-
2008
- 2008-06-09 JP JP2008150392A patent/JP4294077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008211261A (ja) | 2008-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4201725B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP4854275B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
US6984841B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof | |
JP3910041B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びこれを備えた半導体光学装置 | |
JP4304750B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP2003017791A (ja) | 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2002246698A (ja) | 窒化物半導体発光素子とその製法 | |
JP2008060375A (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子 | |
JP2000244061A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
US7183585B2 (en) | Semiconductor device and a method for the manufacture thereof | |
JP4294077B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2007131527A (ja) | 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2001039800A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP4211358B2 (ja) | 窒化物半導体、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 | |
JP5031674B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP5658433B2 (ja) | 窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2002246694A (ja) | 窒化物半導体発光素子とその製法 | |
JP3424634B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP4318501B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4679867B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及びその製造方法 | |
JP3438675B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法 | |
JP2008004662A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP4826052B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2004056051A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP4689195B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090407 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4294077 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |