JP6160726B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、発光装置に関する。
従来、フリップチップ実装の発光装置において、ｎ型半導体層の上に設けられたｐ型半導体層上に、このｐ型半導体層を被覆し開口を有する絶縁膜を設け、この絶縁膜上に設けたｎ側電極を、絶縁膜の開口内に延在させてｎ型半導体層に接触させることで導通させる発光装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
特許文献１に記載された発光装置では、ｎ型半導体層の上に発光層及びｐ型半導体層を形成した後に、ｎ型半導体層にまで達する穴（以下、発光素子の穴という）を形成している。そして、この発光装置では、発光素子の穴に絶縁管層を設け、絶縁管層の中に、導電部材である直線状の接続ポスト部を形成してｎ型半導体層に接触させている。この接続ポスト部の上端はｎ側電極に接続している。つまり、ｎ側電極は、直下に設けられた絶縁膜の開口及び絶縁管層を貫通した接続ポスト部を通じてｎ型半導体層と導通している。
本発明に係る実施形態は、発光素子の面内における発光強度分布を維持しながら発光素子の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる発光装置を提供することを課題とする。
前記した課題を解決するため、本発明の実施形態に係る発光装置は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上で当該ｎ型半導体層の周縁部及び前記周縁部よりも内側の一部を除く領域に設けられたｐ型半導体層と、を有する平面視で略矩形状の半導体積層体と、前記半導体積層体上で、前記ｐ型半導体層上に設けられた少なくとも１つのｐ側開口と、前記周縁部よりも内側の一部の前記ｎ型半導体層上に設けられた複数のｎ側開口と、を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上から前記ｎ型半導体層の前記周縁部まで延在して設けられ、前記周縁部にて前記ｎ型半導体層と導通する第１のｎコンタクト部を有すると共に前記ｎ側開口を通じて前記ｎ型半導体層と導通した第２のｎコンタクト部を有するｎ側電極と、前記絶縁膜上に設けられ前記ｐ側開口を通じて前記ｐ型半導体層と導通したｐ側電極と、を有する発光素子を備え、平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記ｐ側電極上に設けられ前記ｐ側電極と導通したｐ側ポスト電極と、前記第２のｎコンタクト部と、を備え、平面視で、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記ｎ側電極上に設けられ前記第２のｎコンタクト部と導通したｎ側ポスト電極を備え、平面視で、前記一方の辺側に設けられた前記第２のｎコンタクト部の個数が、前記他方の辺側に設けられた前記第２のｎコンタクト部の個数よりも少ないこととした。
また、前記した課題を解決するため、本発明の実施形態に係る発光装置は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上で当該ｎ型半導体層の周縁部及び前記周縁部よりも内側の一部を除く領域に設けられたｐ型半導体層と、を有する平面視で略矩形状の半導体積層体と、前記半導体積層体上で、前記ｐ型半導体層上に設けられた少なくとも１つのｐ側開口と、前記周縁部よりも内側の一部の前記ｎ型半導体層上に設けられた複数のｎ側開口と、を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上から前記ｎ型半導体層の前記周縁部まで延在して設けられ、前記周縁部にて前記ｎ型半導体層と導通する第１のｎコンタクト部を有すると共に前記ｎ側開口を通じて前記ｎ型半導体層と導通した第２のｎコンタクト部を有するｎ側電極と、前記絶縁膜上に設けられ前記ｐ側開口を通じて前記ｐ型半導体層と導通したｐ側電極と、を有する発光素子を備え、平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記ｐ側電極上に設けられ前記ｐ側電極と導通したｐ側ポスト電極を備え、平面視で、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記ｎ側電極上に設けられ前記第２のｎコンタクト部と導通したｎ側ポスト電極を備え、平面視で、前記複数の第２のｎコンタクト部は前記他方の辺側に偏って配置されており、すべての前記第２のｎコンタクト部のうち最も前記一方の辺側に配置された前記第２のｎコンタクト部と、前記一方の辺側に配置された前記周縁部と、の間に、前記ｐ側ポスト電極の全体が配置されていることとした。
本発明の実施形態に係る発光装置によれば、発光素子の面内における発光強度分布を維持しながら順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
以下、本発明に係る発光装置の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
（第１実施形態）
［発光装置の構成］
まず、図１〜図６、図１３を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。なお、図２に示す断面図は、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線における断面を模式的に示したものである。図１に示したＩＩ−ＩＩ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図２に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが、対応しているが、断面構造を分かりやすく示すために、図２の断面図における距離間隔は、図１の平面図における距離間隔（部材の長さ）を適宜に伸長又は短縮して示しているため、両図面における距離間隔は一致していない。また、後記する他の断面図についても、特に断らない限り図２と同様に、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線に相当する断面を示すものである。また、図３〜図６、図１３は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングで示すものである。
［発光装置の構成］
まず、図１〜図６、図１３を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。なお、図２に示す断面図は、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線における断面を模式的に示したものである。図１に示したＩＩ−ＩＩ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図２に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが、対応しているが、断面構造を分かりやすく示すために、図２の断面図における距離間隔は、図１の平面図における距離間隔（部材の長さ）を適宜に伸長又は短縮して示しているため、両図面における距離間隔は一致していない。また、後記する他の断面図についても、特に断らない限り図２と同様に、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線に相当する断面を示すものである。また、図３〜図６、図１３は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングで示すものである。
本実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図６に示すように、ＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する発光素子１と、発光素子１の一方の面側に設けられたｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐと、から構成される。
発光装置１００では、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、発光素子１の下面側が、光取り出し面である。また、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製される。
発光装置１００では、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、発光素子１の下面側が、光取り出し面である。また、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製される。
発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、基板１１と、半導体積層体１２と、全面電極１４と、カバー電極１５と、絶縁膜１６と、ｎ側電極１３と、ｐ側電極１７と、を備えている。
発光素子１は、基板１１と、半導体積層体１２と、全面電極１４と、カバー電極１５と、絶縁膜１６と、ｎ側電極１３と、ｐ側電極１７と、を備えている。
［基板１１］
基板１１は、半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。本実施形態においては、発光装置１００の光取り出し効率を向上させる観点から透光性を有するサファイア基板を用いることが好ましい。
基板１１は、半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。本実施形態においては、発光装置１００の光取り出し効率を向上させる観点から透光性を有するサファイア基板を用いることが好ましい。
［半導体積層体１２］
半導体積層体１２は、基板１１の上に積層された積層体であって、基板１１の側から、ｎ型半導体層１２ｎと、活性層１２ａと、ｐ型半導体層１２ｐとを、この順に備えている。ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａは、ｎ型半導体層１２ｎ上において、周縁部１２ｃ及び周縁部１２ｃよりも内側の一部を除く領域に設けられている。
ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐは、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
半導体積層体１２は、基板１１の上に積層された積層体であって、基板１１の側から、ｎ型半導体層１２ｎと、活性層１２ａと、ｐ型半導体層１２ｐとを、この順に備えている。ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａは、ｎ型半導体層１２ｎ上において、周縁部１２ｃ及び周縁部１２ｃよりも内側の一部を除く領域に設けられている。
ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐは、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
半導体積層体１２は、平面視で略矩形状であって、図２に示すように、周縁部１２ｃと、穴部１２ｂと、を有している。
周縁部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１の境界線に沿った領域に設けられ、ウエハ状態の発光素子１を個片化する際の切り代となる領域の残りである。周縁部１２ｃは、ｐ型半導体層１２ｐと、活性層１２ａと、が設けられておらずｎ型半導体層１２ｎが露出している。以下では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃのことを、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃともいう。
なお、発光素子１において、半導体積層体１２の周縁部１２ｃを設けることで露出したｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの側面は、絶縁膜１６によって被覆されている。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃは、ｎ側電極１３や絶縁膜１６によって被覆されるが、一部は露出している。
周縁部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１の境界線に沿った領域に設けられ、ウエハ状態の発光素子１を個片化する際の切り代となる領域の残りである。周縁部１２ｃは、ｐ型半導体層１２ｐと、活性層１２ａと、が設けられておらずｎ型半導体層１２ｎが露出している。以下では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃのことを、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃともいう。
なお、発光素子１において、半導体積層体１２の周縁部１２ｃを設けることで露出したｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの側面は、絶縁膜１６によって被覆されている。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃは、ｎ側電極１３や絶縁膜１６によって被覆されるが、一部は露出している。
図２に示すように、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界は、ｎ側電極１３及び絶縁膜１６によって被覆され、且つカバー電極１５には被覆されていない。このことは、図１の平面図では、矩形の半導体積層体１２の各辺の近傍において、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在することを意味するが、図１では、該当箇所の他の線を見易くするため省略している。また、他の平面図（図５、図６、図１０、図１１、図１２、図１３）についても、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。
半導体積層体１２の穴部１２ｂは、周縁部１２ｃよりも内側の領域に設けられている。発光素子１には、複数の穴部１２ｂ（図５及び図６参照）が設けられている。穴部１２ｂでは、ｎ型半導体層１２ｎの上から、ｐ型半導体層１２ｐと、活性層１２ａと、一部のｎ型半導体層１２ｎとが除去されている。穴部１２ｂの底面では、ｎ型半導体層１２ｎがｐ型半導体層１２ｐと活性層１２ａから露出している。穴部１２ｂの側面は、絶縁膜１６によって被覆されている。また、穴部１２ｂの底面は、その一部が絶縁膜１６によって円環状に被覆されており、その円環内部にｎ側電極１３が設けられている。つまり、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとは、穴部１２ｂの底面の一部に設けられた絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎを通じて、接触し電気的に接続されている。なお、穴部１２ｂの形状は、上面視で例えば円形状や楕円形状となるように形成されていてもよい。
図２に示すように、半導体積層体１２の穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界は、ｎ側電極１３及び絶縁膜１６によって被覆され、且つカバー電極１５には被覆されていない。このことは、図１の平面図では、後記する第２のｎコンタクト部１３ｈの近傍において、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在することを意味するが、図１では、該当箇所の他の線を見易くするため省略している。また、他の平面図（図５、図６、図１０、図１１、図１２、図１３）についても、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。
ここで、半導体積層体１２のサイズは、平面視で略正方形に形成した場合、その一辺のサイズは例えば３００〜３０００μｍ、好ましくは５００〜１５００μｍとすることができる。
半導体積層体１２の穴部１２ｂの上面視での形状が例えば円形の場合、穴部１２ｂの直径は、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。
穴部１２ｂの直径を小さくすれば、活性層１２ａ等を部分的に除去する領域を低減できるため、発光領域を増加させることができる。また、一方の辺６１の側に配置される穴部１２ｂの直径を小さくすれば、ｐ側ポスト電極３ｐの領域を容易に広く確保できるため実装性を向上させることができる。
穴部１２ｂの直径を大きくすれば、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積を増加させることができるので順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
穴部１２ｂの直径の下限はエッチングにより穴部１２ｂを精度よく製造できる程度で設定することができる。また、穴部１２ｂの直径の上限は、穴部１２ｂを設けるために活性層１２ａ等を部分的に除去しても製品として所望の発光を維持できる程度で設定することができる。このような直径の一例を挙げれば、例えば５〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、ウエハから各発光装置を個片化するときのダイシングストリートの幅の半値に相当し、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、例えば１０〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。
半導体積層体１２の穴部１２ｂの上面視での形状が例えば円形の場合、穴部１２ｂの直径は、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。
穴部１２ｂの直径を小さくすれば、活性層１２ａ等を部分的に除去する領域を低減できるため、発光領域を増加させることができる。また、一方の辺６１の側に配置される穴部１２ｂの直径を小さくすれば、ｐ側ポスト電極３ｐの領域を容易に広く確保できるため実装性を向上させることができる。
穴部１２ｂの直径を大きくすれば、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積を増加させることができるので順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
穴部１２ｂの直径の下限はエッチングにより穴部１２ｂを精度よく製造できる程度で設定することができる。また、穴部１２ｂの直径の上限は、穴部１２ｂを設けるために活性層１２ａ等を部分的に除去しても製品として所望の発光を維持できる程度で設定することができる。このような直径の一例を挙げれば、例えば５〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、ウエハから各発光装置を個片化するときのダイシングストリートの幅の半値に相当し、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、例えば１０〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。
［全面電極１４］
全面電極１４は、図２及び図３に示すように、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。図３において、ハッチングを施した領域は、最終的に全面電極１４が設けられた領域である。全面電極１４は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に合計１１個の開口２１を有している。なお、図３は、後記するｎ型半導体層露出工程（図７（ｃ）参照）が終わった後の平面図であり、その時点では全面電極１４を覆うカバー電極１５が形成されているが、カバー電極１５を除去した状態を示している。また、その時点では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線や、穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。
全面電極１４は、図２及び図３に示すように、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。図３において、ハッチングを施した領域は、最終的に全面電極１４が設けられた領域である。全面電極１４は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に合計１１個の開口２１を有している。なお、図３は、後記するｎ型半導体層露出工程（図７（ｃ）参照）が終わった後の平面図であり、その時点では全面電極１４を覆うカバー電極１５が形成されているが、カバー電極１５を除去した状態を示している。また、その時点では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線や、穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。
全面電極１４は、ｐ側電極１７を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散するための層である。また、全面電極１４は、良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する層としても機能する。
全面電極１４は、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、全面電極１４は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
［カバー電極１５］
カバー電極１５は、図２及び図４に示すように、全面電極１４の上面の一部及び側面を被覆するように設けられている。図４において、ハッチングを施した領域は、最終的にカバー電極１５が設けられた領域である。カバー電極１５は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に形成された合計１１個の開口２２ａと、ｐ側電極１７が設けられる領域に対応した位置に形成された開口２２ｂと、を有している。ｐ側電極１７は、カバー電極１５に設けられた開口２２ｂと絶縁膜１６に設けられたｐ側開口１６ｐとに設けられ、全面電極１４と接触することで電気的に接続されている。
カバー電極１５は、図２及び図４に示すように、全面電極１４の上面の一部及び側面を被覆するように設けられている。図４において、ハッチングを施した領域は、最終的にカバー電極１５が設けられた領域である。カバー電極１５は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に形成された合計１１個の開口２２ａと、ｐ側電極１７が設けられる領域に対応した位置に形成された開口２２ｂと、を有している。ｐ側電極１７は、カバー電極１５に設けられた開口２２ｂと絶縁膜１６に設けられたｐ側開口１６ｐとに設けられ、全面電極１４と接触することで電気的に接続されている。
なお、図４は、後記する絶縁膜形成工程（図８（ａ）参照）が終わった後の状態で当該絶縁膜１６の下に形成されているカバー電極１５の配置を示している。また、その時点では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線や、穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。なお、図７（ｃ）に示すように、ｐ型半導体層１２ｐは、カバー電極１５の配置領域よりも広い範囲まで残される。
カバー電極１５は、全面電極１４を構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。カバー電極１５としては、バリア性を有する金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることができる。また、カバー電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。カバー電極１５はｐ型半導体層１２ｐよりも僅かに内側に設けられる。本実施形態においては、カバー電極１５に絶縁性を備えたＳｉＮを用いている。
［絶縁膜１６］
絶縁膜１６は、半導体積層体１２上に設けられ、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する層間絶縁膜である。絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
絶縁膜１６は、半導体積層体１２上に設けられ、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する層間絶縁膜である。絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
絶縁膜１６は、図２及び図５に示すように、カバー電極１５の上面の一部及び側面と、半導体積層体１２の上面及び側面とに、設けられている。すなわち、図５においてハッチングを施した領域は、最終的に絶縁膜１６が設けられた領域である。なお、図５は、後記する絶縁膜形成工程（図８（ａ）参照）が終わった後の平面図である。
絶縁膜１６は、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃの一部に設けられている。ｎ側電極１３は、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃに設けられた絶縁膜１６よりも外側でｎ型半導体層１２ｎと接触し電気的に接続されている。
また、絶縁膜１６は、ｐ型半導体層１２ｐ上にｐ側開口１６ｐを有している。ｐ側開口１６ｐは、ｐ側電極１７が設けられる領域に櫛状に設けられている。一例として、ｐ側開口１６ｐは、平面視でカバー電極１５の開口２２ｂ（図４参照）に一致することとした。
さらに、絶縁膜１６は、ｎ型半導体層１２ｎ上の穴部１２ｂの底面にｎ側開口１６ｎを有している。ｎ側開口１６ｎは、１１カ所に設けられた各穴部１２ｂの底面において、例えば円形状に形成されている。
また、絶縁膜１６は、ｐ型半導体層１２ｐ上にｐ側開口１６ｐを有している。ｐ側開口１６ｐは、ｐ側電極１７が設けられる領域に櫛状に設けられている。一例として、ｐ側開口１６ｐは、平面視でカバー電極１５の開口２２ｂ（図４参照）に一致することとした。
さらに、絶縁膜１６は、ｎ型半導体層１２ｎ上の穴部１２ｂの底面にｎ側開口１６ｎを有している。ｎ側開口１６ｎは、１１カ所に設けられた各穴部１２ｂの底面において、例えば円形状に形成されている。
ｎ側開口１６ｎが、円形の場合、その直径φは、ｎ型半導体層１２ｎ上の穴部１２ｂの直径よりも小さい範囲で、穴部１２ｂの直径に合わせて適宜設定することができる。ｎ側開口１６ｎの直径φは、例えば３〜１５０μｍ、好ましくは１５μｍ以上１００μｍ以下とすることで、活性層１２ａ等が除去される領域を低減し、且つｐ側ポスト電極３ｐの領域を広く確保して実装性を向上させることができる。
［ｎ側電極１３，ｐ側電極１７］
図６において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｎ側電極１３が設けられた領域であり、右下がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｐ側電極１７が設けられた領域である。図６は、後記するパッド電極形成工程（図８（ｂ）参照）が終わった後の平面図である。なお、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃの一部の領域を露出して示したが、その製造時点では、周縁部１２ｃは、ウエハにおいて発光素子間の境界線となる領域がｎ側電極１３の材料で被覆されている。
図６において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｎ側電極１３が設けられた領域であり、右下がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｐ側電極１７が設けられた領域である。図６は、後記するパッド電極形成工程（図８（ｂ）参照）が終わった後の平面図である。なお、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃの一部の領域を露出して示したが、その製造時点では、周縁部１２ｃは、ウエハにおいて発光素子間の境界線となる領域がｎ側電極１３の材料で被覆されている。
ｎ側電極１３は、発光素子１のｎ側のパッド電極である。ｎ側電極１３は、図２及び図６に示すように、絶縁膜１６上からｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃ及び穴部１２ｂまで延在して設けられている。また、ｎ側電極１３は、周縁部１２ｃで導通した第１のｎコンタクト部１３ｓと、穴部１２ｂの底面で導通した第２のｎコンタクト部１３ｈと、を有している。
第２のｎコンタクト部１３ｈは、本実施形態において、１１箇所設けられ、絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎを通じてそれぞれｎ型半導体層１２ｎと導通している。具体的には、第２のｎコンタクト部１３ｈは、穴部１２ｂの底面における絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎが設けられた領域で、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。このようにｎ側電極１３が、発光素子１の面内において、広範囲に亘る箇所でｎ型半導体層１２ｎと接続することにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
本実施形態では、ｎ側電極１３は、図６及び図１３に示すように、ｎ側櫛状部７０ｎと、周壁部７３ｎと、を有している。図１３において、右下がりの斜線のハッチングを施した領域は、周壁部７３ｎが設けられた領域である。
ｎ側櫛状部７０ｎは、第２のｎコンタクト部１３ｈを含み半導体積層体１２の他方の辺６２の側から一方の辺６１の側に向かって櫛状に設けられている。
周壁部７３ｎは、第１のｎコンタクト部１３ｓを含んでおり、ｎ側櫛状部７０ｎから連続して設けられている。また、周壁部７３ｎは、半導体積層体１２の一方の辺６１に沿って形成されている。ここで、第１のｎコンタクト部１３ｓは、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに環状に配置されている。そのため、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が増加し、第２のｎコンタクト部１３ｈを少なくしたとしても順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。ここで、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を単純に減らすとｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が減少し、順方向電圧Ｖｆが上昇してしまう。また、電流が偏って供給されやすくなるため、発光素子１の面内における発光強度分布が悪化する虞がある。しかしながら、本実施形態においては、第１のｎコンタクト部１３ｓが設けられていることで、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しながら第２のｎコンタクト部１３ｈの配置や数などを比較的容易に変更可能となるので、発光素子１の面内における発光強度分布を改善しやすくなる。
ｎ側櫛状部７０ｎは、第２のｎコンタクト部１３ｈを含み半導体積層体１２の他方の辺６２の側から一方の辺６１の側に向かって櫛状に設けられている。
周壁部７３ｎは、第１のｎコンタクト部１３ｓを含んでおり、ｎ側櫛状部７０ｎから連続して設けられている。また、周壁部７３ｎは、半導体積層体１２の一方の辺６１に沿って形成されている。ここで、第１のｎコンタクト部１３ｓは、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに環状に配置されている。そのため、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が増加し、第２のｎコンタクト部１３ｈを少なくしたとしても順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。ここで、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を単純に減らすとｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が減少し、順方向電圧Ｖｆが上昇してしまう。また、電流が偏って供給されやすくなるため、発光素子１の面内における発光強度分布が悪化する虞がある。しかしながら、本実施形態においては、第１のｎコンタクト部１３ｓが設けられていることで、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しながら第２のｎコンタクト部１３ｈの配置や数などを比較的容易に変更可能となるので、発光素子１の面内における発光強度分布を改善しやすくなる。
ｎ側櫛状部７０ｎは、基部７１ｎと、複数の延出部７２ｎと、を有している。
図１３において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域は、基部７１ｎが設けられた領域であり、ダブルハッチングを施した領域は、延出部７２ｎが設けられた領域である。
基部７１ｎは、他方の辺６２の側に設けられている。基部７１ｎは、ｐ側ポスト電極３ｐが配置されていない領域に配置されている。本実施形態では、基部７１ｎは、図６及び図１３に示すように、平面視で、縦長の略矩形状で設けられている。
図１３において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域は、基部７１ｎが設けられた領域であり、ダブルハッチングを施した領域は、延出部７２ｎが設けられた領域である。
基部７１ｎは、他方の辺６２の側に設けられている。基部７１ｎは、ｐ側ポスト電極３ｐが配置されていない領域に配置されている。本実施形態では、基部７１ｎは、図６及び図１３に示すように、平面視で、縦長の略矩形状で設けられている。
延出部７２ｎは、基部７１ｎから一方の辺６１の側に延出し、一方の辺６１の側に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈを通じてｎ型半導体層１２ｎと導通している。図６及び図１３に示すように、延出部７２ｎは、平面視で、ｐ側ポスト電極３ｐに重ならないように配置され、延出部７２ｎの先端側に第２のｎコンタクト部１３ｈが配置されている。
延出部７２ｎにおいて、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向における長さ（以下、幅）は、適宜設定することができる。
例えば延出部７２ｎにおいて、第２のｎコンタクト部１３ｈが配置された先端側の幅よりも基端側の幅が狭くなっている形状だと、ｐ側ポスト電極３ｐの配置領域を容易に広げることができるため、発光装置１００の実装性を高めることができる。
一方、図示したように延出部７２ｎにおいて先端側の幅と基端側の幅とが均一な幅Ｗを有している場合、上記した基端側の幅が狭い形状に比べて、延出部７２ｎを狭くした箇所で生じる電流の集中を抑制できる。その結果、延出部７２ｎの先端側に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈに効率良く電流を供給することができる。そのため、発光素子１の面内における発光強度分布を良好にするには、複数の延出部７２ｎの幅Ｗは基端側から先端側に亘って略均一であることが好ましい。
例えば延出部７２ｎにおいて、第２のｎコンタクト部１３ｈが配置された先端側の幅よりも基端側の幅が狭くなっている形状だと、ｐ側ポスト電極３ｐの配置領域を容易に広げることができるため、発光装置１００の実装性を高めることができる。
一方、図示したように延出部７２ｎにおいて先端側の幅と基端側の幅とが均一な幅Ｗを有している場合、上記した基端側の幅が狭い形状に比べて、延出部７２ｎを狭くした箇所で生じる電流の集中を抑制できる。その結果、延出部７２ｎの先端側に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈに効率良く電流を供給することができる。そのため、発光素子１の面内における発光強度分布を良好にするには、複数の延出部７２ｎの幅Ｗは基端側から先端側に亘って略均一であることが好ましい。
複数の延出部７２ｎの幅Ｗを基端側から先端側に亘って略均一に形成する場合、延出部７２ｎの幅Ｗは、半導体積層体１２の一方の辺６１に対して平行な方向における長さＬに対して１／１００〜１／３、好ましくは１／５０〜１／５とすることが好ましい。これにより、発光素子１の面内の発光強度分布を良好にしながら、ｐ側ポスト電極３ｐの領域を広く確保し実装性を向上させることができる。
複数の延出部７２ｎは、平面視で、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において等間隔に設けられていることが好ましい。つまり、図６に示すように、複数の延出部７２ｎの間隔Ｄは、等しいことが好ましい。ここで、延出部７２ｎの間隔Ｄとは、隣接する２つの延出部７２ｎの中心間の距離を意味する。また、各延出部７２ｎは、それぞれ第２のｎコンタクト部１３ｈを通じてｎ型半導体層１２ｎと導通している。そのため、このように配置することで、ｎ側電極１３を介してｎ型半導体層１２ｎに供給される電流が、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において均等に拡散され、発光素子１の面内の発光強度分布を改善させることができる。
図６及び図１３に示すように、複数の延出部７２ｎは、平面視で、それぞれ同一形状であることが好ましい。これにより、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において、ｎ側電極１３を介して供給される電流をｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光素子１の面内における発光強度分布を改善させることができる。
ｐ側電極１７は、発光素子１のｐ側のパッド電極である。ｐ側電極１７は、図２及び図６に示すように、図６における右側の領域のｐ側開口１６ｐ及びカバー電極１５の開口２２ｂに延在している。また、ｐ側電極１７は、ｐ側開口１６ｐ及びカバー電極１５の開口２２ｂを通じて全面電極１４と電気的に接続され、全面電極１４を介してｐ型半導体層１２ｐと導通している。平面視で、ｐ側電極１７はｐ側開口１６ｐと同様の櫛状に、ｐ側開口１６ｐ又はカバー電極１５の開口２２ｂよりも一回り大きく形成されている。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１７としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（以下、ＡＳＣという）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
［ｎ側ポスト電極３ｎ，ｐ側ポスト電極３ｐ］
ｎ側ポスト電極３ｎは、図１及び図２に示すように、ｎ側電極１３上に設けられ第２のｎコンタクト部１３ｈと導通している。
ｐ側ポスト電極３ｐは、図１及び図２に示すように、ｐ側電極１７上に設けられｐ側電極１７と導通している。
また、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
ｎ側ポスト電極３ｎは、図１及び図２に示すように、ｎ側電極１３上に設けられ第２のｎコンタクト部１３ｈと導通している。
ｐ側ポスト電極３ｐは、図１及び図２に示すように、ｐ側電極１７上に設けられｐ側電極１７と導通している。
また、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を好適に用いることができる。ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、電解メッキ法により形成することができる。ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの形成方法の詳細については後記する。
実装時に、ｎ側ポスト電極３ｎと外部の配線パターンとの間、及び、ｐ側ポスト電極３ｐと外部の配線パターンとの間に、接着部材を設け、接着部材が溶融した後、冷却されることにより、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐと外部の配線パターンとが強固に接合される。ここで、接着部材としてＳｎ−Ａｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｇ−Ｃｕなどの半田を用いることもできる。その場合は、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの最上層を、用いる接着部材と良好な密着性が得られる材料で構成することが好ましい。
上記構成の発光装置１００は、図１に示すように、ｎ側電極１３が第１のｎコンタクト部１３ｓを備えている。この第１のｎコンタクト部１３ｓの幅、形成領域、面積等を調整することで、半導体積層体１２の穴部１２ｂの個数（第２のｎコンタクト部１３ｈの個数）を増加、又は半導体積層体１２の穴部１２ｂの直径（第２のｎコンタクト部１３ｈの直径）を拡大することなく、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積を容易に確保することができる。そのため、発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制し、発光出力を向上させることができる。なお、本実施形態において、第１のｎコンタクト部１３ｓは半導体積層体１２の全周に設けられているが、順方向電圧Ｖｆ低減の効果を低下させない程度にｎ型半導体層１２ｎと一部接触していない領域があってもよい。
加えて、発光装置１００は、平面視で、半導体積層体１２の一方の辺６１の側には、ｐ側ポスト電極３ｐと、第２のｎコンタクト部１３ｈと、を備え、一方の辺６１の側とは反対側である他方の辺６２の側には、ｎ側ポスト電極３ｎと、第２のｎコンタクト部１３ｈと、を備えている。そして、発光装置１００は、平面視で、一方の辺６１の側に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数が、他方の辺６２の側に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数よりも少なくなるように構成されている。したがって、平面視で、両側に、同数の第２のｎコンタクト部１３ｈを配置した場合と比べて、一方の辺６１の側に設けられるｐ側ポスト電極３ｐの面積を広くとることができ、発光装置１００の実装性を向上させることができる。ここで、一方の辺６１の側又は他方の辺６２の側に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数とは、一方の辺６１に対して平行な半導体積層体１２の中心線を境界として、一方の辺６１の側又は他方の辺６２の側に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を指す。なお、半導体積層体の１２の中心線上に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数については数えない。
［発光装置の動作］
次に、図１及び図２を参照して、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００は、外部との接続用の正負電極であるｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐに、実装基板を介して外部電源が接続されると、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１７間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが発光する。
次に、図１及び図２を参照して、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００は、外部との接続用の正負電極であるｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐに、実装基板を介して外部電源が接続されると、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１７間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが発光する。
発光素子１の活性層１２ａが発光した光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面又は側面（図２参照）から出射して、外部に取り出される。なお、発光素子１内を上方向に伝播する光は、全面電極１４によって反射され、発光素子１の下面から出射して、外部に取り出される。
［発光装置の製造方法］
次に、図７〜図９を参照（適宜図１〜図６参照）して、図１に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
発光装置１００の製造方法は、半導体積層体形成工程と、全面電極形成工程と、カバー電極形成工程と、ｎ型半導体層露出工程と、絶縁膜形成工程と、パッド電極形成工程と、マスク形成工程と、ポスト電極形成工程と、マスク除去工程と、個片化工程と、を含み、この順で各工程が行われる。
次に、図７〜図９を参照（適宜図１〜図６参照）して、図１に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
発光装置１００の製造方法は、半導体積層体形成工程と、全面電極形成工程と、カバー電極形成工程と、ｎ型半導体層露出工程と、絶縁膜形成工程と、パッド電極形成工程と、マスク形成工程と、ポスト電極形成工程と、マスク除去工程と、個片化工程と、を含み、この順で各工程が行われる。
なお、図７〜図９において、各部材について、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。また、ウエハレベルでの発光装置１００の製造工程において、多数の発光素子が２次元配列した状態で各工程が行われる。また、図７〜図９に示した断面図は、図２に示した断面図と同様に、図１のＩＩ−ＩＩ線に相当する。
まず、半導体積層体形成工程において、サファイアなどからなる基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
次に、全面電極形成工程において、図７（ａ）に示すように、全面電極１４を所定の領域に形成する。全面電極１４は、リフトオフ法により形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ法により、全面電極１４を配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成した後、ウエハ全面にスパッタリング法や蒸着法などによりＡｇなどの前記した反射性の良好な金属膜を成膜する。そして、レジストパターンを除去することにより、金属膜がパターニングされ、開口２１を有した全面電極１４が形成される。
次に、カバー電極形成工程において、図７（ｂ）に示すように、全面電極１４の上面及び側面を被覆するように、カバー電極１５を形成する。カバー電極１５は、例えばＳｉＮを用いて、スパッタリング法や蒸着法などによりウエハ全面にＳｉＮ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１５を配置する領域以外に開口を有するレジストパターンを形成する。そして、当該レジストパターンをマスクとしてエッチングすることによりＳｉＮ膜がパターニングされ、その後にレジストパターンを除去することで開口２２ａを有したカバー電極１５が形成される。
次に、ｎ型半導体層露出工程において、図７（ｃ）に示すように、半導体積層体１２の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ、活性層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をドライエッチングにより除去して、ｎ型半導体層１２ｎが露出する穴部１２ｂ及び周縁部１２ｃを形成する。
なお、ドライエッチングの際のエッチングマスクは、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１５を被覆するように形成される。このため、カバー電極１５の側面に設けられたエッチングマスクの厚さ分だけ、ｐ型半導体層１２ｐは、カバー電極１５の配置領域よりも広い範囲まで残される。言い換えると、穴部１２ｂに対応したｐ型半導体層１２ｐの開口２３（穴部１２ｂとｐ型半導体層１２ｐとの境界線）は、カバー電極１５の開口２２ａ（図７（ｂ）参照）よりもエッチングマスクの厚さ分だけ小さくなる。なお、図４では、ｐ型半導体層１２ｐの開口２３（図７（ｃ））を省略している。
次に、絶縁膜形成工程において、図８（ａ）に示すように、所定の絶縁材料を用いて、穴部１２ｂにｎ側開口１６ｎを有すると共にカバー電極１５の上面の一部にｐ側開口１６ｐを有する絶縁膜１６を形成する。このとき、ｐ側開口１６ｐが形成される領域下に配置されたカバー電極１５に開口２２ｂを形成する。したがって、ｐ側開口１６ｐと開口２２ｂは略同じ大きさになる。なお、この絶縁膜１６は、スパッタリング法などによりウエハ全面に絶縁膜を形成した後に、前記した所定領域に開口を有するレジストパターンを形成し、絶縁膜をエッチングすることによってパターニングすることができる。
次に、パッド電極形成工程において、図８（ｂ）に示すように、例えば、スパッタリング法などによって、絶縁膜１６上に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７を形成する。ｎ側電極１３及びｐ側電極１７は、例えば、リフトオフ法によってパターニングすることができる。このとき、ｐ側電極１７は、絶縁膜１６のｐ側開口１６ｐ及びカバー電極１５の開口２２ｂを通じて全面電極１４と接続される。つまり、ｐ側電極１７は、全面電極１４を介してｐ型半導体層１２ｐと電気的に接続される。また、このとき、ｎ側電極１３の第２のｎコンタクト部１３ｈは、絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎを通じてｎ型半導体層１２ｎと接続される。さらに、ｎ側電極１３の第１のｎコンタクト部１３ｓは、半導体積層体１２の周縁部１２ｃにてｎ型半導体層１２ｎと接続される。なお、ウエハ上では、発光素子間の境界線となる周縁部１２ｃの上の個片化工程で切り代となる領域にはｎ側電極１３が形成されないようにパターニングされる。このため、ウエハ上において、ｎ側電極１３は、発光装置ごとに分離される。さらに、パッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１７を覆うように、損傷を抑制するための保護膜を形成してもよい。
次に、マスク形成工程において、図８（ｃ）に示すように、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７を被覆するマスク９０を形成する。マスク９０は、フォトレジストやＳｉＯ２などの絶縁材料を用いて形成される。マスク９０は、後工程において、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを配置しない領域上に、メッキ成長させないための絶縁性のマスクである。マスク９０は、前記した所定領域に開口部９１ｎ，９１ｐを有する。
次に、ポスト電極形成工程において、図９（ａ）に示すように、マスクの開口部９１ｎ，９１ｐ内に、電解メッキ法によってｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを形成する。ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、電解メッキの電流経路となる不図示のシード層をパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１７上に形成し、マスクの開口部９１ｎ，９１ｐ内でシード層上にメッキ成長させることで形成される。
次に、マスク除去工程において、図９（ｂ）に示すように、適宜な溶剤や薬剤を用いてマスク９０を除去する。また、マスク９０をドライエッチングすることで除去することもできる。
次に、個片化工程において、ダイシング法やスクライビング法によって、境界線に沿ってウエハを切断することにより、発光装置１００を個片化する。個片化によって形成された半導体積層体１２の外縁となる側面は、図２に示すように、絶縁膜１６、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７の何れによっても被覆されず、露出している。
以上説明したように、本実施形態に係る発光装置１００は、ｎ側電極１３に、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに接触するように配置された第１のｎコンタクト部１３ｓと、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂに接触するように配置された第２のｎコンタクト部１３ｈとを備えている。このように第１のｎコンタクト部１３ｓをｎ側電極１３に設けたことで、発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制し、発光出力を向上させることができる。また、発光装置１００は、ｐ側ポスト電極３ｐが配置された側に設けられた第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を少なくしたことにより、発光素子１の面内における発光強度分布を維持することができる。したがって、発光装置１００は、発光素子１の面内における発光強度分布を維持しながら発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
（第２実施形態）
図１０に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂでは、ｎ側電極１３、ｐ側電極１７及びｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
図１０に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂでは、ｎ側電極１３、ｐ側電極１７及びｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
発光装置１００Ｂは、平面視で、半導体積層体１２の一方の辺６１側には、ｐ側ポスト電極３ｐを備え、一方の辺６１の側とは反対側である他方の辺６２の側には、ｎ側ポスト電極３ｎを備えている。ｐ側ポスト電極３ｐは、平面視で略矩形状に形成されている点が図１に示した発光装置１００と相違している。
そして、発光装置１００Ｂは、平面視で、複数の第２のｎコンタクト部１３ｈが他方の辺６２の側に偏って配置されている。
そして、発光装置１００Ｂは、平面視で、複数の第２のｎコンタクト部１３ｈが他方の辺６２の側に偏って配置されている。
図１０に示す例では、合計６個の第２のｎコンタクト部１３ｈが半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向に２列で配置されている。具体的には、第１列目として、図１０の中心線よりも他方の辺６２の側に、３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられている。ここでは、これらを内周Ｎコンタクト３１，３２，３３と呼ぶ。また、第２列目として、図１０の中心線の近傍且つ一方の辺６１の側に、３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられている。ここでは、これらを内周Ｎコンタクト３４，３５，３６と呼ぶ。
この発光装置１００Ｂは、平面視で、内周Ｎコンタクト３１，３２，３３から、半導体積層体１２の他方の辺６２までの距離をαとし、また、内周Ｎコンタクト３４，３５，３６から半導体積層体１２の一方の辺６１までの距離をβとしたとき、β＞αとなるように複数の第２のｎコンタクト部１３ｈが偏って配置されている。
この発光装置１００Ｂは、平面視で、内周Ｎコンタクト３１，３２，３３から、半導体積層体１２の他方の辺６２までの距離をαとし、また、内周Ｎコンタクト３４，３５，３６から半導体積層体１２の一方の辺６１までの距離をβとしたとき、β＞αとなるように複数の第２のｎコンタクト部１３ｈが偏って配置されている。
発光装置１００Ｂは、平面視で、すべての第２のｎコンタクト部１３ｈのうち最も一方の辺６１側に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈと、一方の辺６１側に配置されたｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃと、の間に、ｐ側ポスト電極３ｐの全体が配置されている。
図１０に示す例では、内周Ｎコンタクト３４，３５，３６と、半導体積層体１２の一方の辺６１との間に、ｐ側ポスト電極３ｐの全体が配置されている。
図１０に示す例では、内周Ｎコンタクト３４，３５，３６と、半導体積層体１２の一方の辺６１との間に、ｐ側ポスト電極３ｐの全体が配置されている。
発光装置１００Ｂにおいて、ｐ側ポスト電極３ｐは、平面視で略矩形状に形成されており、ｎ側電極１３は、ｐ側電極１７の周囲を取り囲んで設けられている。このうち、ｎ側電極１３は、第１実施形態と同様に、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに接触するように配置された第１のｎコンタクト部１３ｓと、ｎ側開口１６ｎを通じてｎ型半導体層１２ｎに接触するように配置された第２のｎコンタクト部１３ｈとを備えている。なお、発光装置１００Ｂの製造方法は、前記した方法と同様なので説明を省略する。
本実施形態に係る発光装置１００Ｂは、第１のｎコンタクト部１３ｓをｎ側電極１３に設けたことで、発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制し、発光出力を向上させることができる。さらに、発光装置１００Ｂは、平面視で、複数の第２のｎコンタクト部１３ｈがｎ側ポスト電極３ｎの側（図１０において左）に偏って配置されていることにより、略矩形状のｐ側ポスト電極３ｐの面積を容易に確保することができるので、発光素子１の面内における発光強度分布を維持しながら実装性を向上させることができる。したがって、発光装置１００Ｂは、発光素子１の面内における発光強度分布を維持しながら発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
（第３実施形態）
図１１に示すように、第３実施形態に係る発光装置１００Ｃでは、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数及び配置、ｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
図１１に示すように、第３実施形態に係る発光装置１００Ｃでは、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数及び配置、ｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
発光装置１００Ｃには、合計８個の第２のｎコンタクト部１３ｈが半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向に３列で配置されている。具体的には、半導体積層体１２の中心線に沿って３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられ、一方の辺６１の側に、２個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられ、他方の辺６２の側に、３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられている。
本実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００よりも平面視で略正方形に形成した場合の一辺のサイズが小さい場合に特に好ましい実施形態であり、第１実施形態に係る発光装置１００と同様の効果を奏することができる。
本実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００よりも平面視で略正方形に形成した場合の一辺のサイズが小さい場合に特に好ましい実施形態であり、第１実施形態に係る発光装置１００と同様の効果を奏することができる。
（第４実施形態）
図１２に示すように、第４実施形態に係る発光装置１００Ｄでは、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数及び配置、ｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
図１２に示すように、第４実施形態に係る発光装置１００Ｄでは、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数及び配置、ｐ側ポスト電極３ｐの形状が第１実施形態に係る発光装置１００と相違している。以下では、図１に示す発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
発光装置１００Ｄには、合計１８個の第２のｎコンタクト部１３ｈが半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向に４列で配置されている。具体的には、図１２において最も左側の列（第１列）と、その隣の列（第２列）とには、５個の第２のｎコンタクト部１３ｈがそれぞれ設けられており、残りの列（第３列、第４列）には、４個の第２のｎコンタクト部１３ｈがそれぞれ設けられている。ここで、第１列及び第２列は、半導体積層体１２の中心線よりも他方の辺６２側に配置され、第３列及び第４列は、半導体積層体１２の中心線よりも一方の辺６１側に配置されている。
本実施形態において、ｎ側電極１３の延出部７２ｎには、第２のｎコンタクト部１３ｈが先端部以外にも設けられている。
本実施形態に係る発光装置１００Ｄは、第１実施形態に係る発光装置１００よりも平面視で略正方形に形成した場合の一辺のサイズが大きい場合に特に好ましい実施形態であり、第１実施形態に係る発光装置１００と同様の効果を奏することができる。
本実施形態において、ｎ側電極１３の延出部７２ｎには、第２のｎコンタクト部１３ｈが先端部以外にも設けられている。
本実施形態に係る発光装置１００Ｄは、第１実施形態に係る発光装置１００よりも平面視で略正方形に形成した場合の一辺のサイズが大きい場合に特に好ましい実施形態であり、第１実施形態に係る発光装置１００と同様の効果を奏することができる。
以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態によって具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
以下、発光装置のその他の変形例について列挙する。
例えば、発光装置１００のｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。特に、上面が実装面となるｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。また、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの下層部がＣｕなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、上層部をＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのような、積層構造としてもよい。さらに、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの上面に、凹凸形状を有するようにしてもよい。
例えば、発光装置１００のｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。特に、上面が実装面となるｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。また、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの下層部がＣｕなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、上層部をＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのような、積層構造としてもよい。さらに、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの上面に、凹凸形状を有するようにしてもよい。
発光装置１００において、基板１１を研磨により薄肉化してもよい。また、基板１１の裏面側に、蛍光体を含有する樹脂などにより蛍光体層を設けるようにしてもよい。
発光素子１において、絶縁膜１６のｐ側開口１６ｐの大きさや形状は上記実施形態に限定されるものではなく、複数のｐ側開口を備えてもよい。
発光素子１において、絶縁膜１６のｐ側開口１６ｐの大きさや形状は上記実施形態に限定されるものではなく、複数のｐ側開口を備えてもよい。
絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎの大きさや形状、すなわち、第２のｎコンタクト部１３ｈの大きさや形状は上記実施形態に限定されるものではなく、また、大きさや形状が異なる第２のｎコンタクト部１３ｈが含まれていてもよい。
本発明の発光装置の性能を確かめるために以下の実験を行った。
第１実施形態に係る発光装置１００と同様の形状の発光装置（以下、実施例１という）を製造した。実施例１の発光装置の製造に用いた材料は以下の通りである。
第１実施形態に係る発光装置１００と同様の形状の発光装置（以下、実施例１という）を製造した。実施例１の発光装置の製造に用いた材料は以下の通りである。
（実施例１）
基板１１に関しては、サファイアを用いた。基板１１上に、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ、ｐ型半導体層１２ｐを構成するそれぞれのＧａＮ半導体を成長させた。
全面電極１４に関しては、ｐ型半導体層１２ｐのほぼ全面に、Ａｇ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層およびＰｔ層を順に、それぞれ所定の膜厚ずつ連続的に成膜することで形成した。
カバー電極１５に関しては、全面電極１４を被覆するように、絶縁性のＳｉＮを用いて形成した。
ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂ及び周縁部１２ｃに関しては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａ、さらにｎ型半導体層１２ｎの一部を除去することで形成した。
絶縁膜１６はＳｉＯ2を用いて形成した。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１７としては、Ｔｉ／ＡＳＣ（Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ）／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉの順で積層して同じ工程で形成した。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１７の上に、ＳｉＯ2を用いて保護膜を形成した。
ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを形成する領域には、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕを順に積層してシード層を形成した。
ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐについては、Ｃｕめっきで形成した。
個片化工程の前に、基板１１を研磨により薄肉化した。
基板１１に関しては、サファイアを用いた。基板１１上に、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ、ｐ型半導体層１２ｐを構成するそれぞれのＧａＮ半導体を成長させた。
全面電極１４に関しては、ｐ型半導体層１２ｐのほぼ全面に、Ａｇ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層およびＰｔ層を順に、それぞれ所定の膜厚ずつ連続的に成膜することで形成した。
カバー電極１５に関しては、全面電極１４を被覆するように、絶縁性のＳｉＮを用いて形成した。
ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂ及び周縁部１２ｃに関しては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａ、さらにｎ型半導体層１２ｎの一部を除去することで形成した。
絶縁膜１６はＳｉＯ2を用いて形成した。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１７としては、Ｔｉ／ＡＳＣ（Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ）／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉの順で積層して同じ工程で形成した。
ｎ側電極１３及びｐ側電極１７の上に、ＳｉＯ2を用いて保護膜を形成した。
ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐを形成する領域には、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕを順に積層してシード層を形成した。
ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐについては、Ｃｕめっきで形成した。
個片化工程の前に、基板１１を研磨により薄肉化した。
実施例１の発光装置を構成する部材の条件は以下の通りである。
発光装置の平面サイズ：１．０ｍｍ×１．０ｍｍ
半導体積層体の周縁部の幅：５５μｍ
ウエハ上で発光素子１間の境界領域（ダイシングストリート）の半値幅：２５μｍ
第２のｎコンタクト部の直径（ｎ側開口の直径）：φ＝４０μｍ
発光装置の平面サイズ：１．０ｍｍ×１．０ｍｍ
半導体積層体の周縁部の幅：５５μｍ
ウエハ上で発光素子１間の境界領域（ダイシングストリート）の半値幅：２５μｍ
第２のｎコンタクト部の直径（ｎ側開口の直径）：φ＝４０μｍ
実施例１の発光装置において第２のｎコンタクト部の条件は以下の通りである。
第２のｎコンタクト部の個数：１１個
第２のｎコンタクト部の配置：図１と同様に、実施例１の発光装置は、一方の辺６１の側に３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられ、他方の辺６２の側に４個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられている。すなわち、実施例１の発光装置は、平面視で、図１において右に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数は、図１において左に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数よりも少なくなるように構成されている。
第２のｎコンタクト部の個数：１１個
第２のｎコンタクト部の配置：図１と同様に、実施例１の発光装置は、一方の辺６１の側に３個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられ、他方の辺６２の側に４個の第２のｎコンタクト部１３ｈが設けられている。すなわち、実施例１の発光装置は、平面視で、図１において右に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数は、図１において左に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数よりも少なくなるように構成されている。
＜Ｖｆ特性及びＰｏ特性の測定実験＞
実施例１の発光装置の順方向電圧Ｖｆ及び光出力Ｐｏの向上を確認するため、比較例１として、第１のｎコンタクト部１３ｓを備えていない発光装置を同様な手順で製造した。
比較例１及び実施例１の発光装置を用いて、所定条件の下で、順方向電圧Ｖｆと、光出力Ｐｏを実測したところ、順方向電圧Ｖｆについて実施例１は比較例１よりも０．０４Ｖ程度低下させることができた。また、光出力Ｐｏについて実施例１は比較例１よりも０．２％程度上昇させることができた。
実施例１の発光装置の順方向電圧Ｖｆ及び光出力Ｐｏの向上を確認するため、比較例１として、第１のｎコンタクト部１３ｓを備えていない発光装置を同様な手順で製造した。
比較例１及び実施例１の発光装置を用いて、所定条件の下で、順方向電圧Ｖｆと、光出力Ｐｏを実測したところ、順方向電圧Ｖｆについて実施例１は比較例１よりも０．０４Ｖ程度低下させることができた。また、光出力Ｐｏについて実施例１は比較例１よりも０．２％程度上昇させることができた。
＜発光強度分布の測定実験＞
実施例１の発光強度分布の向上を確認するため、比較例２として、第１のｎコンタクト部１３ｓを備えると共に、平面視で、図１における左右に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数が同数である発光装置を製造した。すなわち、比較例２の発光装置は、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を１２個として、一方の辺６１の側（図１において右）にも４個の第２のｎコンタクト部１３ｈを設けて同様に製造した。なお、ｐ側ポスト電極３ｐを配置する面積は、発光装置の実装性を維持するためにｎ側電極１３の延出部７２ｎの一部を狭くして実施例１と同様の面積とした。
実施例１の発光強度分布の向上を確認するため、比較例２として、第１のｎコンタクト部１３ｓを備えると共に、平面視で、図１における左右に配置された第２のｎコンタクト部１３ｈの個数が同数である発光装置を製造した。すなわち、比較例２の発光装置は、第２のｎコンタクト部１３ｈの個数を１２個として、一方の辺６１の側（図１において右）にも４個の第２のｎコンタクト部１３ｈを設けて同様に製造した。なお、ｐ側ポスト電極３ｐを配置する面積は、発光装置の実装性を維持するためにｎ側電極１３の延出部７２ｎの一部を狭くして実施例１と同様の面積とした。
比較例２及び実施例１の発光装置を用いて、所定条件の下で、発光強度分布を実測した。図１４は実施例１の結果を示し、図１５は比較例２の結果を示す。図１４及び図１５において発光装置の右側のスケールは、発光強度の数値と色合いとの対応関係を示している。数値が高くなるにつれて、より長い波長の色で発光強度が表示される。例えば、青の数値は２、緑の数値は４０、黄緑の数値は６０、橙色の数値は８０、赤の数値は１００にそれぞれ対応している。また、これらの色の中で最も薄い黄色の数値は７５であり、黄色から次に薄いのは橙色、その次に薄いのは黄緑である。
図１４及び図１５に示すように、各発光装置において、周縁部の色は青く濃度が高い。また、中心線に沿って設けられた４個の第２のｎコンタクト部１３ｈの近傍の色は赤く濃度が高い。つまり、両者とも、平面視で、中心線に沿って設けられた４個の第２のｎコンタクト部１３ｈの近傍の発光強度が最も高く、半導体積層体１２の周縁部１２ｃに近づくにつれて発光強度が徐々に弱くなっていたことを確認した。
ただし、比較例２の発光装置の場合、図１５に示すように、ｐ側ポスト電極３ｐの側（図１５において右）の発光強度が、ｎ側ポスト電極３ｎの側（図１５において左）よりも低かった。つまり、比較例２の発光装置の発光は、平面視で左右に偏りが生じる強度分布となった。
ただし、比較例２の発光装置の場合、図１５に示すように、ｐ側ポスト電極３ｐの側（図１５において右）の発光強度が、ｎ側ポスト電極３ｎの側（図１５において左）よりも低かった。つまり、比較例２の発光装置の発光は、平面視で左右に偏りが生じる強度分布となった。
これに対して、実施例１の発光装置の発光強度分布を実測した結果、図１４に示すように、ｐ側ポスト電極３ｐの側（図１４において右）の発光強度が比較例２よりも高くなった。つまり、実施例１の発光装置の発光は、平面視で左右の偏りが低減され、左右均等の強度分布に改善された。
上記した各実験から、実施例１の発光装置は、発光素子１の面内における発光強度分布を維持しながら、発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しつつ、発光出力を向上させることが確認できた。
上記した各実験から、実施例１の発光装置は、発光素子１の面内における発光強度分布を維持しながら、発光素子１の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しつつ、発光出力を向上させることが確認できた。
１ 発光素子
３ｎ ｎ側ポスト電極
３ｐ ｐ側ポスト電極
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｃ 周縁部
１２ｂ 穴部
１３ ｎ側電極
１３ｓ 第１のｎコンタクト部
１３ｈ 第２のｎコンタクト部
１４ 全面電極
１５ カバー電極
１６ 絶縁膜
１６ｎ ｎ側開口
１６ｐ ｐ側開口
１７ ｐ側電極
２１，２２ａ，２２ｂ，２３ 開口
３１〜３６ 内周Ｎコンタクト（第２のｎコンタクト部）
６１，６２ 辺
７０ｎ ｎ側櫛状部
７１ｎ 基部
７２ｎ 延出部
７３ｎ 周壁部
９０ マスク
９１ｎ，９１ｐ 開口部
１００，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ 発光装置
３ｎ ｎ側ポスト電極
３ｐ ｐ側ポスト電極
１１ 基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｃ 周縁部
１２ｂ 穴部
１３ ｎ側電極
１３ｓ 第１のｎコンタクト部
１３ｈ 第２のｎコンタクト部
１４ 全面電極
１５ カバー電極
１６ 絶縁膜
１６ｎ ｎ側開口
１６ｐ ｐ側開口
１７ ｐ側電極
２１，２２ａ，２２ｂ，２３ 開口
３１〜３６ 内周Ｎコンタクト（第２のｎコンタクト部）
６１，６２ 辺
７０ｎ ｎ側櫛状部
７１ｎ 基部
７２ｎ 延出部
７３ｎ 周壁部
９０ マスク
９１ｎ，９１ｐ 開口部
１００，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ 発光装置
Claims (9)
- ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上で当該ｎ型半導体層の周縁部及び前記周縁部よりも内側の一部を除く領域に設けられたｐ型半導体層と、を有する平面視で略矩形状の半導体積層体と、
前記半導体積層体上で、前記ｐ型半導体層上に設けられた少なくとも１つのｐ側開口と、前記周縁部よりも内側の一部の前記ｎ型半導体層上に設けられた複数のｎ側開口と、を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上から前記ｎ型半導体層の前記周縁部まで延在して設けられ、前記周縁部にて前記ｎ型半導体層と導通する第１のｎコンタクト部を有すると共に前記ｎ側開口を通じて前記ｎ型半導体層と導通した第２のｎコンタクト部を有するｎ側電極と、
前記絶縁膜上に設けられ前記ｐ側開口を通じて前記ｐ型半導体層と導通したｐ側電極と、を有する発光素子を備え、
平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記ｐ側電極上に設けられ前記ｐ側電極と導通したｐ側ポスト電極と、前記第２のｎコンタクト部と、を備え、
平面視で、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記ｎ側電極上に設けられ前記第２のｎコンタクト部と導通したｎ側ポスト電極を備え、
平面視で、前記一方の辺側に設けられた前記第２のｎコンタクト部の個数は、前記他方の辺側に設けられた前記第２のｎコンタクト部の個数よりも少ない発光装置。 - 前記ｎ側電極は、前記第２のｎコンタクト部を含み前記半導体積層体の前記他方の辺側から前記一方の辺側に向かって櫛状に設けられたｎ側櫛状部と、前記第１のｎコンタクト部を含み前記ｎ側櫛状部から連続して設けられる周壁部と、を有する請求項１に記載の発光装置。
- 前記ｎ側櫛状部は、
前記半導体積層体の前記一方の辺と平行に設けられた基部と、
前記基部から前記一方の辺側に延出して前記一方の辺側の前記第２のｎコンタクト部を通じて前記ｎ型半導体層と導通する複数の延出部と、を有し、
前記複数の延出部の幅は略均一である請求項２に記載の発光装置。 - 平面視で、前記複数の延出部は、前記半導体積層体の前記一方の辺と平行な方向において等間隔に設けられている請求項３に記載の発光装置。
- 平面視で、前記複数の延出部は、同一形状である請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
- 前記延出部の幅は、前記半導体積層体の前記一方の辺に対して平行な方向における長さに対して１／１００〜１／３である請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
- ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上で当該ｎ型半導体層の周縁部及び前記周縁部よりも内側の一部を除く領域に設けられたｐ型半導体層と、を有する平面視で略矩形状の半導体積層体と、
前記半導体積層体上で、前記ｐ型半導体層上に設けられた少なくとも１つのｐ側開口と、前記周縁部よりも内側の一部の前記ｎ型半導体層上に設けられた複数のｎ側開口と、を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上から前記ｎ型半導体層の前記周縁部まで延在して設けられ、前記周縁部にて前記ｎ型半導体層と導通する第１のｎコンタクト部を有すると共に前記ｎ側開口を通じて前記ｎ型半導体層と導通した第２のｎコンタクト部を有するｎ側電極と、
前記絶縁膜上に設けられ前記ｐ側開口を通じて前記ｐ型半導体層と導通したｐ側電極と、を有する発光素子を備え、
平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記ｐ側電極上に設けられ前記ｐ側電極と導通したｐ側ポスト電極を備え、
平面視で、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記ｎ側電極上に設けられ前記第２のｎコンタクト部と導通したｎ側ポスト電極を備え、
平面視で、前記複数の第２のｎコンタクト部は前記他方の辺側に偏って配置されており、すべての前記第２のｎコンタクト部のうち最も前記一方の辺側に配置された前記第２のｎコンタクト部と、前記一方の辺側に配置された前記周縁部と、の間に、前記ｐ側ポスト電極の全体が配置されている発光装置。 - 平面視で、前記ｐ側電極は略矩形状に形成され、前記ｎ側電極は前記ｐ側電極の周囲を取り囲んで設けられている請求項７に記載の発光装置。
- 前記ｎ側開口の直径が３μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
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