JP6221926B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
このとき、半導体発光素子からの光取り出し面は、半導体層が積層された面と反対側である基板側となる。このため、半導体層側には、基板側に光を反射するための反射部材を備えることとなる。
また、特許文献2及び特許文献3に記載の半導体発光素子は、パッド電極の外部との接続部を除き、前記金属膜を含めて酸化物や窒化物からなる絶縁膜で被覆されている。
また、本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、前記した効果を有する半導体発光素子を製造することができる。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[半導体発光素子の構成]
本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子の構成を、図1A乃至図1Fを参照して説明する。なお、図1Fは、図1Aの位置A1−A2−A3−A4を結ぶ線における断面図である。また、図1Fは、半導体発光素子の内部構造を分かり易くするために、各部材の幅や配置間隔を適宜に拡大又は縮小して示している。また、図1Fに示した位置A1〜位置A4は、それぞれ図1Aにおける位置A1〜位置A4に対応している。
第1実施形態に係る半導体発光素子1はフリップチップ型の実装をするLED(発光ダイオード)である。図1A乃至図1Fに示すように、第1実施形態に係る半導体発光素子1は、基板2と、基板2上に積層された半導体積層体3と、n側電極4nと、全面電極41、カバー電極42、金属酸化膜43及びp側電極4pと、絶縁膜6と、を備えている。フリップチップ型実装に適するように、本例では、n側電極4n及びp側電極4pは、何れも基板2の半導体積層体3が設けられた側の面に設けられている。
また、本明細書において、「上」とは、基板2の半導体積層体3を積層した面に垂直方向であって、半導体積層体3を積層した方向をいうものとする。例えば、図1Bにおいては図の上方向を指す。
基板2は、半導体積層体3をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。半導体積層体3が窒化物半導体からなる場合は、基板材料としては、C面、R面、A面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、また炭化ケイ素(SiC)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド、および窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。また、本実施形態における半導体発光素子1は、フリップチップ型実装をするため、基板2の裏面が光取り出し面となる。したがって、半導体発光素子1で発光した光が、基板2を透過して光取り出し面から出射するため、基板2は、少なくとも、この光の波長に対して透明であることが好ましい。
半導体積層体3は、基板2側から順に、n型半導体層31と、活性層32と、p型半導体層33とが積層された積層構造を有するものである。また、本実施形態においては、半導体積層体3の表面の一部において、厚さ方向にp型半導体層33及び活性層32のすべて、及びn型半導体層31の一部が除去された段差部3a,3bが設けられている。
なお、段差部3aの個数、形状及び配置場所は、本例に限定されるものではなく、1箇所以上を、任意の形状で任意の領域に設けるようにすることができる。
全面電極41は、p型半導体層33上に、p型半導体層33の略全面を覆うように設けられ、p側電極4p及びカバー電極42を介して外部から供給される電流を、p型半導体層33の全面に均一に拡散するための電極である。また、フリップチップ型実装をする本実施形態に係る半導体発光素子1においては、活性層32で発光した光を、光取り出し面である基板2の裏面側に反射するための反射膜としての機能も有する。
カバー電極42は、全面電極41の表面全体、すなわち上面及び側面の全体を被覆し、全面電極41の構成材料の、特にAgのマイグレーションを防止するためのバリア層として機能する金属膜である。
また、カバー電極42は、全面電極41の外縁部においてp型半導体層33の上面と接し、当該p型半導体層33との接触面においては、反射膜として機能する。
また、カバー電極42は、平面視で、全面電極41の端部から外側に2〜10μm程度離れた領域まで設けることが好ましい。これによって、全面電極41に含有されるAgのマイグレーションをより良好に防止することができる。
なお、カバー電極42は、例えば、スパッタリング法や蒸着法などにより形成することができる。
金属酸化膜43は、カバー電極42の表面を被覆する絶縁性の膜であり、p側電極4pの側面と接するように設けられている。金属酸化膜43は、絶縁膜6とともに、カバー電極42の製造工程における損傷を防止する保護膜として機能する。また、金属酸化膜43は、p側電極4pと接するように設けられることにより、絶縁膜6とp側電極4pとの隙間から侵入する酸素や水分などが、カバー電極42と接触することを防止し、その結果として、絶縁膜6のカバー電極42からの剥離を効果的に防止する。
この金属酸化膜43の膜厚は、例えば、50Å(5nm)程度とすることができる。
n側電極4nはn型半導体層31と、p側電極4pはカバー電極42及び全面電極41を介してp型半導体層33と、それぞれ電気的に接続して、半導体発光素子1に外部から電流を供給するためのパッド電極である。
n側電極4nは、半導体積層体3の段差部3aの底面であるn型半導体層31上に設けられる。図1Aに示した例では、n側電極4nは、半導体積層体3の9箇所に設けられた段差部3aのそれぞれに設けられている。
また、p側電極4pは、カバー電極42の上面の一部に設けられている。図1Aに示した例では、平面視で横長の矩形形状のp側電極4pが、カバー電極42の上面の4箇所に設けられている。
また、全体の電気抵抗や外部との接続性などを考慮して、例えば、下層側から順に、Al−Cu−Si合金/Ti/Pt/Au/Tiの多層膜とするようにしてもよい。
また、n側電極4n及びp側電極4p上に、AuやAu−Sn共晶などからなる金属バンプ(不図示)を設けるようにしてもよい。
絶縁膜6は、半導体積層体3の露出した表面(上面及び段差部3a,3bの側面)を被覆する絶縁性の被膜であり、半導体発光素子1の保護膜および帯電防止膜として機能する。絶縁膜6としては、Si,Ti,Ta,Nbなどの酸化物を用いることができ、蒸着法、スパッタリング法などの公知の方法によって形成することができる。絶縁膜6の膜厚は100nm以上とすることが好ましく、例えば、膜厚が350nm程度のSiO2とすることができる。
本実施形態では、絶縁膜6は、パッド電極であるn側電極4n及びp側電極4pの上部(上面及び側面の上層部)は被覆していない。また、本実施形態では、絶縁膜6は、カバー電極42を、金属酸化膜43を介して被覆しているため、カバー電極42と良好に密着している。
図2に示すように、p側電極4pは、カバー電極42の上面の一部において形成された凹部42a上に設けられている。詳細は後記するが、凹部42aは、カバー電極42上に形成された金属酸化膜43及び絶縁膜6をエッチングにより除去した後、更なるエッチングにより形成される。また、p側電極4pとの接続面である凹部42aの底面は、粗面化されている。また、凹部42aの底面には、エッチングによって除去されなかった金属酸化膜43の残渣43aがあってもよい。すなわち、凹部42aの深さは、金属酸化膜43が略除去される程度又はそれ以上とすることができる。
また、粗面化された凹部42a上にp側電極4pを設けることにより、カバー電極42とp側電極4pとの密着性が向上する。
これによって、カバー電極42は、大気中の酸素や水分から効果的に保護され、劣化が防止される。その結果、カバー電極42による全面電極41を構成するAgのマイグレーションの防止機能を長期にわたって維持することができ、半導体発光素子1の信頼性を向上することができる。
次に、図1A乃至図1Fを参照して、第1実施形態に係る半導体発光素子1の動作について説明する。
半導体発光素子1は、n側電極4n及びp側電極4pに、不図示の金属バンプやボンディングワイヤを介して外部から電流が供給されると、半導体積層体3の活性層32が発光する。活性層32が発光した光は、基板2の裏面側から取り出される。活性層32が発光した光の内、光取り出し面と反対方向に進行する光は、反射膜として機能する全面電極41、カバー電極42のp型半導体層33との接触面、及びn側電極4nのn型半導体層31との接触面などによって反射され、光取り出し面である基板2の裏面側から取り出される。
次に、本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子1の製造方法について、図3A及び図3Bを参照して説明する。
また、第2金属膜露出工程S16は、図3Bに示すように、レジストパターン形成工程S161と、絶縁膜エッチング工程S162と、を含んで構成される。
また、図4A乃至図7Bにおいて、基板2及び半導体積層体3の各層のハッチングの記載は省略している。
まず、半導体積層体形成工程S11において、図4Aに示すように、サファイアなどの透光性の基板2上に、公知の製造方法により、半導体積層体3を形成する。図4Aに示した例では、半導体積層体3は、n型半導体層31、活性層32及びp型半導体層33を順次に積層して形成されている。
次に、第1金属膜形成工程S12において、全面電極(第1金属膜)41として、少なくとも最下層をAg又はAgを主成分とする合金とする金属膜をパターニングして形成する。このような金属膜としては、例えば、下層側から順にAg/Ni/Ti/Ruを積層してなる多層膜をスパッタリング法にて成膜することができる。そして、フォトリソグラフィ法により、図4Bに示すように、所定形状の全面電極41を形成する。
次に、第2金属膜形成工程S13において、カバー電極(第2金属膜)42を形成する。
この工程においては、まず、図4Cに示すように、ウエハ全体に、カバー電極42として、例えば、Al又はAlを主成分とする合金、例えば、Al−Cu合金からなる金属膜を、例えば、スパッタリング法にて成膜する。
続いて、図5Aに示すように、カバー電極42となる金属膜上に、フォトリソグラフィ法によりカバー電極42を所定の形状に整形するためのレジストパターン71を形成する。すなわち、レジストパターン71が設けられる領域は、平面視で所定の形状のカバー電極42が設けられる領域と一致する。
そして、図5Bに示すように、レジストパターン71をマスクとして、マスクされない領域の金属膜をエッチングにより除去することで、カバー電極42の外形形状を整形する。その後、レジストパターン71を除去する。
次に、金属酸化膜形成工程S14において、図5Cに示すように、カバー電極42の露出した表面を酸化処理することにより、Alの酸化物を主成分とする金属酸化膜43を形成する。カバー電極42の酸化処理は、例えば、(a)硝酸や硫酸などの酸化性溶液で処理する方法、(b)紫外光などを用いたアッシング、(c)オゾンなどを用いて洗浄する方法、(d)酸素雰囲気でアニールする方法、(e)熱水処理などによって行うことができる。
更にまた、大気中(すなわち、酸素の存在下)に放置することによっても、カバー電極42の主成分であるAlが酸化され、Alの酸化物を主成分とする金属酸化膜43を形成することができる。
なお、全面電極41は、カバー電極42によって側面が被覆されるように、段差部3a,3bの端部から離間した位置までの領域に設けられている。
次に、絶縁膜形成工程S15において、図6Aに示すように、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリング法やCVD法などによりSiO2などの絶縁性の酸化物を積層して、絶縁膜6を形成する。
次に、第2金属膜露出工程S16において、エッチング法により、p側電極4pを設ける領域のカバー電極(第2金属膜)42を露出させる。本実施形態では、この工程において、同時にn側電極4nを設ける領域のn型半導体層31も露出させる。
そのために、第2金属膜露出工程S16のサブ工程として、まず、レジストパターン形成工程S161において、図6Bに示すように、レジストパターン72を形成する。このレジストパターン72は、p側電極4pを設ける領域に開口部72pを有するとともに、n側電極4nを形成する領域に開口部72nを有する。
これによって、p側電極4pを設ける領域のカバー電極(第2金属膜)42が露出するとともに、n側電極4nを設ける領域のn型半導体層31が露出する。
なお、金属酸化膜43は完全に除去せずに、残渣43a(図2参照)が残る程度であってもよい。
また、凹部42aは、カバー電極42の厚さにもよるが、全面電極41が露出しない程度、例えば、カバー電極42を厚さ方向に数nm〜2500nm程度除去することにより形成することができる。
次に、第3金属膜形成工程S17において、図7Aに示すように、第2金属膜露出工程S16で形成したレジストパターン72を保持したまま、ウエハ全体にp側電極(第3金属膜)4p及びn側電極4nとなる金属膜40を成膜する。本実施形態では、少なくとも最下層をAl又はAlを主成分とする合金を用いて形成する。また、金属膜40は、Al又はAl合金の単層膜としてもよく、上層に異なる材料を積層した多層膜としてもよい。
なお、本実施形態では、n側電極4nは、p側電極4pと同じ材料を用いて形成するようにしたが、n側電極4nを形成する工程を分離して、異なる材料を用いて形成するようにしてもよい。
なお、図示は省略するが、割断領域である段差部3bを、スクライブ法やダイシング法などを用いて割断することで、半導体発光素子1をチップ化することができる。
[半導体発光素子の構成]
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体発光素子の構成を、図8A乃至図8Cを参照して説明する。第2実施形態に係る半導体発光素子1Aは、フリップチップ型実装をするLEDである。図8A乃至図8Cに示すように、半導体発光素子1Aは、基板2と、基板2上に積層された半導体積層体3と、n側電極4n及びn側共晶用パッド電極8nと、全面電極41、カバー電極42、金属酸化膜43、p側電極4p及びp側共晶用パッド電極8pと、絶縁膜6と、を備えている。フリップチップ型実装に適するように、本例では、n側電極4n及びp側電極4pは、何れも基板2の半導体積層体3が設けられた側の面に設けられている。
第2実施形態に係る半導体発光素子1Aは、図1A乃至図1Fに示した第1実施形態に係る半導体発光素子1に対して、更にp側共晶用パッド電極8pと、n側共晶用パッド電極8nとを有することが異なる。
なお、図8Aにおいて、絶縁膜6及び金属酸化膜43の図示は省略している。また、図8B及び図8Cに示した断面図において、基板2及び半導体積層体3の各層については、ハッチングの記載を省略している。また、図8Cは、図8AにおけるA−A線における断面図であり、半導体発光素子の内部構造を分かり易くするために、各部材の幅や配置間隔を適宜に拡大又は縮小して示している。また、図8Cにおける領域A1〜領域A3は、それぞれ図8Bにおける領域A1〜領域A3に対応している。すなわち、図8Cは図8Bに対して、水平方向について、領域A1及び領域A3が拡大して示されており、領域A2が縮小して示されている。
p側共晶用パッド電極(第5金属膜)8p及びn側共晶用パッド電極(第4金属膜)8nは、実装基板に実装する際に、Au−Sn共晶ハンダなど用いて接続されるパッド電極である。p側共晶用パッド電極8pは、絶縁膜6の開口部6p内のp側電極4pの上面と電気的に接続されており、更に、絶縁膜6上の、図8Aにおける左側領域の広範囲に延在するように設けられている。また、n側共晶用パッド電極8nは、絶縁膜6の開口部6n内のn側電極4nの上面と電気的に接続されており、更に、絶縁膜6上の、図8Aにおける右側領域の広範囲に延在するように設けられている。また、p側共晶用パッド電極8p及びn側共晶用パッド電極8nは、何れもp型半導体層33の上方に設けられた絶縁膜6上の、基板2の上面から見て略同じ高さまで延在している。従って、フリップチップ型実装をする際の接続部であるp側共晶用パッド電極8p及びn側共晶用パッド電極8nの上端の高さが揃っているため、p側電極接続面とn側電極接続面との間に段差が無く、実装の信頼性を高めることができる。
図8A乃至図8Cに示した例では、p側共晶用パッド電極8pは、段差部3a内のn側電極4n上に設けられた絶縁膜6上にまで延在している。
第2実施形態に係る半導体発光素子1Aは、第1実施形態に係る半導体発光素子1に対して、n側電極4nの形状及び配置数が異なること、及びp側共晶用パッド電極8p及びn側共晶用パッド電極8nを介して外部から電流を供給されること以外は同様であるから、動作の説明は省略する。
次に、第2実施形態に係る半導体発光素子1Aの製造方法について、図9を参照して説明する。
図9に示すように、第2実施形態に係る半導体発光素子1Aの製造方法は、半導体積層体形成工程S31と、第1金属膜形成工程S32と、第2金属膜形成工程S33と、金属酸化膜形成工程S34と、第1絶縁膜形成工程(絶縁膜形成工程)S35と、第2金属膜露出工程S36と、第3金属膜形成工程S37と、第2絶縁膜形成工程S38と、第4,第5金属膜形成工程S39と、を含んで構成される。
また、第1絶縁膜形成工程S35及び第2金属膜露出工程S36は、第1実施形態における絶縁膜形成工程S15及び第2金属膜露出工程S16において、第1実施形態における絶縁膜6として第1絶縁膜61を形成し、エッチングするものであるから、詳細な説明は省略する。また、第3金属膜形成工程S37は、第1実施形態における第3金属膜形成工程S17と同様であるから、詳細な説明は省略する。
なお、図10B及び図10Cにおいて、基板2及び半導体積層体3の各層のハッチングの記載は省略している。
次に、第2絶縁膜形成工程S38において、図10Bに示すように、ウエハの表面に、第1絶縁膜61と同じ材料を用いて、開口部6p,6nを有する第2絶縁膜62を形成する。
この工程では、まず、第1絶縁膜61と同様の手法により、ウエハ全体に第2絶縁膜62を成膜する。その後、公知のフォトリソグラフィ法を用いて、第2絶縁膜62に、p側電極4pとp側共晶用パッド電極8pとを接続する領域に開口部6pを、n側電極4nとn側共晶用パッド電極8nとを接続する領域に開口部6nを、それぞれ形成し、p側電極4p及びn側電極4nの上面の一部を露出させる。
次に、第4,第5金属膜形成工程S39において、図10Cに示すように、p側共晶用パッド電極(第5金属膜)8p及びn側共晶用パッド電極(第4金属膜)8nを形成する。本実施形態では、p側共晶用パッド電極8pは、図10Cにおいて左側に記載されたp側電極4pと第2絶縁膜62の開口部6p内で電気的に接続するとともに、段差部3a内のn側電極4nの上面を被覆する第2絶縁膜62上まで延在するように設けられている。また、n側共晶用パッド電極8nは、段差部3a内のn側電極4nと第2絶縁膜62の開口部6n内で電気的に接続するとともに、図10Cにおいて右側に記載されたp側電極4pの上面を被覆する第2絶縁膜62上まで延在するように設けられている。
以上説明した工程により、第2実施形態に係る半導体発光素子1Aを製造することができる。
次に、本発明の第3実施形態に係る半導体発光素子の構造を、図11A乃至図11Cを参照して説明する。第3実施形態に係る半導体発光素子1Bは、フリップチップ型実装をするLEDであり、図8A乃至図8Cに示した第2実施形態に係る半導体発光素子1Aと同様に、立体配線構造を有するものである。
なお、図11Aにおいて、絶縁膜6及び金属酸化膜43の図示は省略している。また、図11B及び図11Cに示した断面図において、基板2及び半導体積層体3の各層については、ハッチングの記載を省略している。また、図11Cは、図11AにおけるA−A線における断面図であり、半導体発光素子の内部構造を分かり易くするために、各部材の幅や配置間隔を適宜に拡大又は縮小して示している。また、図11Cにおける領域A1〜領域A3は、それぞれ図11Bにおける領域A1〜領域A3に対応している。すなわち、図11Cは図11Bに対して、水平方向について、領域A1及び領域A3が拡大して示されており、領域A2が縮小して示されている。
なお、本実施形態におけるp側共晶用パッド電極8p及びn側共晶用パッド電極8nは、前記した第4,第5金属膜形成工程S39(図9参照)において、金属膜を整形するためのレジストパターンを、図11Aに示したp側共晶用パッド電極8p及びn側共晶用パッド電極8nの形状に応じて形成することにより形成することができる。
[半導体発光素子の構成]
次に、本発明の第4実施形態に係る半導体発光素子の構成を、図12A乃至図12Cを参照して説明する。第4実施形態に係る半導体発光素子1Cは、フリップチップ型実装をするLEDであり、図8A乃至図8Cに示した第2実施形態に係る半導体発光素子1Aと同様に、立体配線構造を有するものである。
なお、図12Aにおいて、絶縁膜6及び金属酸化膜43の図示は省略している。また、図12B及び図12Cに示した断面図において、基板2及び半導体積層体3の各層については、ハッチングの記載を省略している。また、図12Cは、図12AにおけるA−A線における断面図であり、半導体発光素子の内部構造を分かり易くするために、各部材の幅や配置間隔を適宜に拡大又は縮小して示している。また、図12Cにおける領域A1〜領域A3は、それぞれ図12Bにおける領域A1〜領域A3に対応している。すなわち、図12Cは図12Bに対して、水平方向について、領域A1及び領域A3が拡大して示されており、領域A2が縮小して示されている。
なお、第4実施形態においては、p側共晶用パッド電極8Apは、第2実施形態におけるp側共晶用パッド電極8pと同様に、段差部3a内のn側電極4n上に設けられた絶縁膜6上にまで延在している。
また、前記したように本実施形態においては、p側共晶用パッド電極(第3金属膜)8Apが、カバー電極42と直接接続される。このため、Al又はAlを主成分とする合金からなるカバー電極42と接合されるp側共晶用パッド電極8Apの最下層は、Al又はAlを主成分とする合金を用いることが好ましい。このような金属膜としては、例えば、下層側から順に、Al−Cu−Si合金(例えば、Cu:2質量%、Si:1質量%、Al:残部)/Ti/Ni/Auを順に積層した多層膜を用いることができる。このように、Alを主成分とする金属材料を最下層とすることによって、カバー電極42とp側共晶用パッド電極8Apとの密着性を向上することができる。
半導体発光素子1Cの他の構成及び動作については、第2実施形態に係る半導体発光素子1Aと同様であるから、説明は省略する。
次に、第4実施形態に係る半導体発光素子1Cの製造方法について、図13を参照して説明する。
図13に示すように、第4実施形態に係る半導体発光素子1Cの製造方法は、半導体積層体形成工程S51と、第1金属膜形成工程S52と、第2金属膜形成工程S53と、金属酸化膜形成工程S54と、n側電極形成工程S55と、絶縁膜形成工程S56と、第2金属膜露出工程S57と、第3,第4金属膜形成工程S58と、を含んで構成される。
なお、図14A乃至図15Bにおいて、基板2及び半導体積層体3の各層のハッチングの記載は省略している。
次に、n側電極形成工程S55において、図14Bに示すように、段差部3a内に、n側電極4nを形成する。n側電極4nは、フォトリソグラフィ法やリフトオフ法によって形成することができる。なお、本実施形態におけるn側電極4nとなる金属膜は、前記した他の実施形態におけるn側電極4nと同様の材料を用い、スパッタリング法などによって成膜することができる。
次に、絶縁膜形成工程S56において、図14Cに示すように、ウエハ全体に絶縁膜6を形成する。絶縁膜6の形成は、SiO2などの酸化物からなる絶縁材料を用いて、第1実施形態における絶縁膜形成工程S15と同様にして行うことができる。
次に、第2金属膜露出工程S57において、図15Aに示すように、絶縁膜6に、エッチング法により、開口部6p,6nを形成する。すなわち、カバー電極(第2金属膜)42のp側共晶用パッド電極8Apを接続するための領域と、n側電極4nのn側共晶用パッド電極8nを接続するための領域とを露出させる。
次に、第3,第4金属膜形成工程S58において、図15Bに示すように、p側共晶用パッド電極(第3金属膜)8Ap及びn側共晶用パッド電極(第4金属膜)8nを形成する。本実施形態では、p側共晶用パッド電極8Apは、図15Bにおいて左側に記載されたカバー電極42と絶縁膜6の開口部6p内で電気的に接続するとともに、段差部3a内のn側電極4nの上面を被覆する絶縁膜6上まで延在するように設けられている。また、n側共晶用パッド電極8nは、段差部3a内のn側電極4nと絶縁膜6の開口部6n内で電気的に接続するとともに、図15Bにおいて右側に記載されたカバー電極42の上面を、金属酸化膜43を介して被覆する絶縁膜6上まで延在するように設けられている。
なお、第3,第4金属膜形成工程S58は、第2実施形態における第4,第5金属膜形成工程S39(図9参照)と同様にして行うことができるため、詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第5実施形態に係る半導体発光素子の構成を、図16A乃至図16Cを参照して説明する。第5実施形態に係る半導体発光素子1Dは、フリップチップ型実装をするLEDであり、図12A乃至図12Cに示した第4実施形態に係る半導体発光素子1Cと同様に、立体配線構造を有するものである。
なお、図16Aにおいて、絶縁膜6及び金属酸化膜43の図示は省略している。また、図16B及び図16Cに示した断面図において、基板2及び半導体積層体3の各層については、ハッチングの記載を省略している。また、図16Cは、図16AにおけるA−A線における断面図であり、半導体発光素子の内部構造を分かり易くするために、各部材の幅や配置間隔を適宜に拡大又は縮小して示している。また、図16Cにおける領域A1〜領域A3は、それぞれ図16Bにおける領域A1〜領域A3に対応している。すなわち、図16Cは図16Bに対して、水平方向について、領域A1及び領域A3が拡大して示されており、領域A2が縮小して示されている。
なお、本実施形態におけるp側共晶用パッド電極8Ap及びn側共晶用パッド電極8nは、前記した第3,第4金属膜形成工程S58(図13参照)において、金属膜を整形するためのレジストパターンを、図16Aに示したp側共晶用パッド電極8Ap及びn側共晶用パッド電極8nの形状に応じて形成することにより形成することができる。
各サンプルは、半導体発光素子は窒化ガリウム系の半導体材料を用いて形成し、発光波長は450nm(青色光)である。
また、各サンプルの形状は、図1Aに示した発光素子1において、段差部3a及びn側電極4nの配置数を、3×3=9個から、4×4=16個としたものである。
また、各サンプルにおいて、p型半導体層とAgからなる全面電極との接触面積を100%としたとき、p型半導体層とカバー電極との接触面積は、5.0%である。
また、各サンプルについて、カバー電極に用いた金属材料は次の通りである。
(実施例1)
Al−Cu合金(Cu:2質量%、Al:残部。膜厚2000nm)の単層膜
(実施例2)
下層側から順にAl−Cu合金(Cu:2質量%、Al:残部。膜厚2000nm)/Ru(膜厚100nm)/Ti(膜厚3nm)を積層した多層膜
(比較例)
下層側から順に、Ti(膜厚2nm)/Au(膜厚170nm)/W(膜厚120nm)/Ti(膜厚3nm)を積層した多層膜
(実施例1)154.5[lm/W]
(実施例2)155.5[lm/W]
(比較例) 148.5[lm/W]
カバー電極としてAl系合金を用いた実施例1及び実施例2は、比較例に対して、効率が4〜5%改善されることが確認できた。
2 基板
3 半導体積層体
3a 段差部
3b 段差部
31 n型半導体層
32 活性層
33 p型半導体層
4n n側電極
4p p側電極(第3金属膜)
41 全面電極(第1金属膜)
42 カバー電極(第2金属膜)
42a 凹部
43 金属酸化膜
43a 残渣
6 絶縁膜
6n 開口部
6p 開口部
61 第1絶縁膜
62 第2絶縁膜
71 レジストパターン
72 レジストパターン
72n 開口部
72p 開口部(レジスト開口部)
8n n側共晶用パッド電極(第4金属膜)
8p p側共晶用パッド電極(第5金属膜)
8Ap p側共晶用パッド電極(第3金属膜)
Claims (10)
- n型半導体層とp型半導体層とが積層された半導体積層体と、
前記p型半導体層の上面に設けられ、前記p型半導体層と接する面がAg又はAgを主成分とする合金からなる第1金属膜と、
前記第1金属膜の表面を被覆し、かつ前記第1金属膜の外縁において前記p型半導体層の上面と接するように設けられ、Al又はAlを主成分とする合金からなる第2金属膜と、
前記第2金属膜の表面の一部に設けられる第3金属膜と、
前記第2金属膜の他の表面を被覆し、前記第2金属膜を構成する金属材料の酸化物を少なくとも含有する金属酸化膜と、
前記金属酸化膜の表面を被覆する酸化物からなる絶縁膜と、
を有する半導体発光素子。 - 前記金属酸化膜は、前記第3金属膜に接していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第2金属膜と前記第3金属膜との接続部が粗面化されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記第3金属膜は、前記第2金属膜と接する面がAl又はAlを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層体は、前記p型半導体層の上面の一部において、積層方向について前記p型半導体層の全部及び前記n型半導体層の一部が除去された段差部を有し、当該段差部上に前記n型半導体層と電気的に接続されたn側電極が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁膜は、前記第3金属膜、前記n側電極及び前記半導体積層体を被覆するとともに、前記n側電極の上面の一部において開口する開口部を有し、
前記開口部内で前記n側電極と電気的に接続し、かつ前記第2金属膜上に設けられた前記絶縁膜上に延在する第4金属膜と、
前記第3金属膜と電気的に接続し、かつ前記絶縁膜上に延在する第5金属膜と、
を更に有することを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。 - 前記絶縁膜は、前記n側電極及び前記半導体積層体を被覆するとともに、前記n側電極の上面の一部において開口する開口部を有し、
前記第3金属膜は、前記絶縁膜上に延在し、
前記開口部内で前記n側電極と電気的に接続し、かつ前記第2金属膜上に設けられた前記絶縁膜上に延在する第4金属膜を更に有することを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。 - n型半導体層とp型半導体層とを積層して半導体積層体を形成する半導体積層体形成工程と、
前記p型半導体層の上面に、前記p型半導体層と接する面がAg又はAgを主成分とする合金となるように第1金属膜を形成する第1金属膜形成工程と、
Al又はAlを主成分とする合金を用いて、前記第1金属膜の表面を被覆するとともに、前記第1金属膜の外縁において前記p型半導体層の上面と接するように第2金属膜を形成する第2金属膜形成工程と、
前記第2金属膜の表面を被覆し、前記第2金属膜を構成する金属材料の酸化物を少なくとも含有する金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、
酸化物からなる絶縁材料を用いて、前記金属酸化膜の表面を被覆する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
エッチングによって、前記第2金属膜の表面の一部を露出させる第2金属膜露出工程と、
前記第2金属膜の露出部上に、第3金属膜を形成する第3金属膜形成工程と、
が順次に行われることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第2金属膜露出工程は、
前記第2金属膜の上面に設けられた前記絶縁膜上の一部の領域において開口するレジスト開口部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト開口部内の前記絶縁膜をエッチングするとともに、更に下層の前記第2金属膜を、厚さ方向について一部をエッチングして前記第2金属膜を露出させる絶縁膜エッチング工程と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜エッチング工程において、前記第2金属膜の露出面を更にエッチングすることにより粗面化することを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。
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