JP5381853B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
また、第2の発明は、平面形状が第1辺とこれに直交する第2辺とを有する矩形の透光性基板と、この透光性基板の上に積層されたn型のIII 族窒化物半導体から成る第1半導体層と、p 型のIII 族窒化物半導体から成る第2半導体層と、第2半導体層の上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜の上部に形成された反射膜と、透明導電膜の一部の箇所において接続された第2中間電極と、第2半導体層側からエッチングされて露出した第1半導体層の電極形成部に形成された第1中間電極とを有し、透光性基板の側から光を出力するようにしたフリップチップ型の半導体発光素子において、第1中間電極は、第1半導体層の面上において、透光性基板の第1辺に平行な複数の線上及び第2辺に平行な複数の線上の複数の箇所に形成された複数の電極形成部のそれぞれに接続する複数の電極であり、第2中間電極は、複数の線の透明導電膜の面上の正射影線上であって、第1中間電極に対して、第1辺に平行な方向及び第2辺な平行な方向に、交互に配設されて、透明導電膜の複数の箇所にそれぞれ接続する複数の電極であり、複数の第1中間電極を接続する第1電極と、複数の第2中間電極を接続する第2電極とを有し、透明導電膜は、第1辺に平行な方向及び第2辺に平行な方向であって、第1中間電極と第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、その他の領域に比べて薄く形成されていることを特徴とする半導体発光素子である。
また、本発明において、透明導電膜は、第1中間電極と第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、厚さの薄い複数の凹部が散在された膜であっても良い。
また、本発明において、透明導電膜は、第1中間電極と第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、厚さが他の領域よりも薄く、この領域において、厚さの厚い複数の凸部が散在された膜であっても良い。
また、第1中間電極と第2中間電極との距離が最も短くなる領域とは、一つの第1中間電極に対して、全ての第2中間電極に対して、対を構成した場合に、最も近くなる2つの電極間に存在する領域である。例えば、それらの2つの電極を含まない、電極間を長軸とする楕円、電極間を長辺とする長方形、電極間を長辺とし、電極間を結ぶ線分に対して対象とする多角形などの領域である。この組合せを、第1中間電極を、順次、変更した場合に、その各第1中間電極に対して、第2中間電極との距離が最も短くなる各領域が、上記のように定義される。この領域の全体が、他の領域よりも一様に薄く形成されていたり、この領域に厚さを薄くする複数の柱状の凹部が散在している。要するに、この領域が、他の領域に比べて、平均的に、薄く形成されていれば良い。
基板としては、透光性基板であれば、材料は任意である。たとえば、サファイア(Al2O3)などである。
10…透明導電膜
20…第1絶縁性保護膜
21…第2絶縁性保護膜
50…反射膜
60…第1電極
70…第2電極
30…第1中間電極
40…第2中間電極
101…サファイア基板
102…バッファ層
104…n型コンタクト層
105…ESD層
106…発光層
107…p型クラッド層
108…p型コンタクト層
Claims (4)
- 平面形状が第1辺とこれに直交する第2辺とを有する矩形の透光性基板と、この透光性基板の上に積層されたn型のIII 族窒化物半導体から成る第1半導体層と、p 型のIII 族窒化物半導体から成る第2半導体層と、第2半導体層の上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜の上部に形成された反射膜と、前記透明導電膜の一部の箇所において接続された第2中間電極と、前記第2半導体層側からエッチングされて露出した前記第1半導体層の電極形成部に形成された第1中間電極とを有し、前記透光性基板の側から光を出力するようにしたフリップチップ型の半導体発光素子において、
前記第1中間電極は、前記第1半導体層の面上において、前記透光性基板の前記第1辺に平行な第1線上の複数の箇所に形成された複数の電極形成部のそれぞれに接続する複数の電極であり、
前記第2中間電極は、前記第1辺に平行で、前記第2辺の方向に前記第1線と間隔を隔てた第2線上において前記透明導電膜の複数の箇所にそれぞれ接続する複数の電極であり、
複数の前記第1中間電極のそれぞれは、複数の前記第2中間電極のそれぞれと、前記第1辺の方向において同一位置に設けられて各対を構成しており、
複数の前記第1中間電極を接続する第1電極と、
複数の前記第2中間電極を接続する第2電極とを有し、
前記透明導電膜は、前記各対を構成する前記第1中間電極と前記第2中間電極との間であって距離が最も短くなる領域において、その他の領域に比べて薄く形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 平面形状が第1辺とこれに直交する第2辺とを有する矩形の透光性基板と、この透光性基板の上に積層されたn型のIII 族窒化物半導体から成る第1半導体層と、p 型のIII 族窒化物半導体から成る第2半導体層と、第2半導体層の上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜の上部に形成された反射膜と、前記透明導電膜の一部の箇所において接続された第2中間電極と、前記第2半導体層側からエッチングされて露出した前記第1半導体層の電極形成部に形成された第1中間電極とを有し、前記透光性基板の側から光を出力するようにしたフリップチップ型の半導体発光素子において、
前記第1中間電極は、前記第1半導体層の面上において、前記透光性基板の前記第1辺に平行な複数の線上及び前記第2辺に平行な複数の線上の複数の箇所に形成された複数の電極形成部のそれぞれに接続する複数の電極であり、
前記第2中間電極は、前記複数の線の前記透明導電膜の面上の正射影線上であって、前記第1中間電極に対して、前記第1辺に平行な方向及び前記第2辺な平行な方向に、交互に配設されて、前記透明導電膜の複数の箇所にそれぞれ接続する複数の電極であり、
複数の前記第1中間電極を接続する第1電極と、
複数の前記第2中間電極を接続する第2電極とを有し、
前記透明導電膜は、前記第1辺に平行な方向及び前記第2辺に平行な方向であって、前記第1中間電極と前記第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、その他の領域に比べて薄く形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記透明導電膜は、前記第1中間電極と前記第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、その他の領域に比べて一様に薄く形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記透明導電膜は、前記第1中間電極と前記第2中間電極との距離が最も短くなる領域において、厚さの薄い複数の凹部が散在された膜であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010071823A JP5381853B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 半導体発光素子 |
CN201110080168.4A CN102201515B (zh) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | 半导体发光器件 |
US13/064,453 US8466481B2 (en) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010071823A JP5381853B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011204964A JP2011204964A (ja) | 2011-10-13 |
JP5381853B2 true JP5381853B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=44655347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010071823A Active JP5381853B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 半導体発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8466481B2 (ja) |
JP (1) | JP5381853B2 (ja) |
CN (1) | CN102201515B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5381853B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-01-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5541261B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2014-07-09 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US8785952B2 (en) * | 2011-10-10 | 2014-07-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package including the same |
US9419182B2 (en) | 2012-01-05 | 2016-08-16 | Micron Technology, Inc. | Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods |
JP5989420B2 (ja) | 2012-06-28 | 2016-09-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
KR20140076204A (ko) * | 2012-12-12 | 2014-06-20 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
JP6221926B2 (ja) | 2013-05-17 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
CN104617198A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-13 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 利用ito区域性方阻变化改善电流扩展的发光二极管及制作方法 |
JP2015106641A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015177031A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2015177030A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP6942780B2 (ja) * | 2014-07-29 | 2021-09-29 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 光電部品 |
US9614126B2 (en) | 2015-04-27 | 2017-04-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP7118227B2 (ja) | 2019-12-18 | 2022-08-15 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 光電部品 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3489395B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2004-01-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
US7057208B2 (en) * | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2006128227A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
KR100706944B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-12 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
KR100896576B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2009-05-07 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100812737B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-03-12 | 삼성전기주식회사 | 플립칩용 질화물계 발광소자 |
JP2008227109A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系LED素子および発光装置 |
JP5223102B2 (ja) | 2007-08-08 | 2013-06-26 | 豊田合成株式会社 | フリップチップ型発光素子 |
JP2009260237A (ja) | 2008-01-24 | 2009-11-05 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置 |
JP2009302201A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US8124999B2 (en) * | 2008-07-18 | 2012-02-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting element and method of making the same |
JP5151758B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-02-27 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
CN101447545B (zh) | 2008-12-26 | 2010-06-09 | 上海蓝光科技有限公司 | 平行四边形led芯片 |
JP5381853B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-01-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010071823A patent/JP5381853B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-25 CN CN201110080168.4A patent/CN102201515B/zh active Active
- 2011-03-25 US US13/064,453 patent/US8466481B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102201515A (zh) | 2011-09-28 |
CN102201515B (zh) | 2014-05-28 |
US20110233588A1 (en) | 2011-09-29 |
JP2011204964A (ja) | 2011-10-13 |
US8466481B2 (en) | 2013-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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