KR100706944B1

KR100706944B1 - 질화물계 반도체 발광소자

Info

Publication number: KR100706944B1
Application number: KR1020050097604A
Authority: KR
Inventors: 고건유; 황석민; 박형진
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2005-10-17
Filing date: 2005-10-17
Publication date: 2007-04-12
Also published as: CN100495749C; JP2007116153A; JP4762849B2; CN1953224A; US8168995B2; US20070085095A1

Abstract

본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 맞물리는 핑거 구조의 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 반사전극과, 상기 반사전극 상에 형성되어 있는 p형 전극과, 상기 n형 전극 상에 형성되되, 적어도 하나 이상 상기 n형 전극의 다른 변에 인접하게 배치된 다수의 n형 전극 패드를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.

질화물, 반도체, 대면적, 분할, 구동전압, 전류확산

Description

질화물계 반도체 발광소자{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도.

도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.

도 6은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 발광면적 분할에 따른 구동전압의 변화를 나타낸 시뮬레이션 결과도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 110 : 버퍼층

120 : n형 질화물 반도체층 130 : 활성층

140 : p형 질화물 반도체층 150 : n형 전극

155 : n형 전극 패드 160 : p형 전극

165 : p형 전극 패드 170 : 반사 전극

본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 질화물계 반도체 발광소자의 전류확산 효율을 향상시켜 낮은 구동전압을 구현할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.

일반적으로, 질화물계 반도체는 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체결정으로서, 단파장광(자외선 내지 녹색광), 특히 청색광을 낼 수 있는 발광소자에 널리 사용된다.

한편, 상기 질화물계 반도체 발광소자는, 결정성장을 위한 격자정합조건을 만족하는 사파이어 기판이나 SiC 기판 등의 절연성 기판을 이용하여 제조되므로, p형 및 n형 질화물 반도체층에 연결된 2개의 전극이 발광구조의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평 구조를 가진다.

최근 이러한 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위해서 대전류에서 동작 할 수 있는 대면적 질화물계 반도체 발광소자를 제작하고 있다.

그러나, 이러한 수평(planar) 구조를 가지는 대면적 질화물계 반도체 발광소 자는, 2개의 전극이 발광구조물 상하면에 각각 배치된 수직(vertical) 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자에 비해 전류의 흐름이 전체 발광영역에 있어 균일하게 분포하지 못하므로, 발광에 사용되는 유효면적 또한 크지 않아 발광효율이 낮은 문제가 있다.

또한, 상기 수평 구조를 가지는 대면적 질화물계 반도체 발광소자에 대전류를 인가하게 되면 인가된 전류가 열로 변환되어 소자의 온도를 상승시켜 소자의 구동전압 및 특성을 감소시키는 문제가 있다.

그러면, 이하 도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 수평 구조를 가지는 대면적 질화물계 반도체 발광소자의 문제점에 대하여 상세히 설명한다.

도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도이다.

도 1을 참조하면, 기판 상에 순차적으로 적층된 n형 질화물 반도체층(120), 활성층 및 p형 질화물 반도체층(도시하지 않음)으로 이루어진 발광소자의 상면이 도시되어 있다.

상기 발광소자의 상면에는 p형 질화물 반도체층(반사전극(170)이 형성된 경우에는 반사전극) 및 n형 질화물 반도체층(120)에 각각 연결된 p형 전극(160) 및 n형 전극(150)이 형성되어 있다.

상기 n형 전극(150)은 두 개의 전극 패드(155)와 그로부터 연장된 다수의 가지 전극(150', 150")을 포함하며, 상기 p형 전극(160)과 서로 맞물리는 구조 즉, 핑거(finger) 형상의 구조로 형성되어 있다. 이때, 상기 p형 전극(160)은 상기 n형 전극(150)의 가지 전극(150', 150")을 통해 발광면적이 분할되도록 분할되어 있다.

즉, 상기 n형 전극 상에 두 개의 n형 전극 패드를 구비하여 대전류 인가시, 인가되는 전류를 분산시키고, n형 전극으로부터 연장된 다수의 가지 전극과 p형 전극을 핑거 형상으로 배치하여 전류확산 효율을 향상시켜 대전류 인가로 인한, 소자의 불량을 방지하였다.

그러나, 상기와 같은 종래의 대면적 질화물계 반도체 발광소자는, 두 개의 n형 전극 패드를 구비하여 인가되는 대전류를 분산시켜 소자가 구동전압 및 특성이 열화되는 것을 방지하고 있으나, 두 개의 n형 전극 패드가 모두 발광소자의 한쪽 면에 집중되게 형성되어 있으므로, 소자에 인가되는 대전류를 분산시켜 소자의 전류확산 효율을 향상시키고 구동전압을 감소시키는 점에 있어 한계가 있다.

따라서, 상기 대면적 질화물계 반도체 발광소자의 전류확산 효율을 향상시키고, 구동전압을 낮출 수 있는 발광소자 관련 기술의 개발이 계속적으로 요구되고 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, n형 전극 패드를 3개 이상 구비하되, 대면적에 균일하게 분포 되도록 배치하여 대전류 인가시 전류를 효율적으로 분산시킴으로써, 전류확산 효율을 향상시키는 동시에 구동전압을 감소시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 맞물리는 핑거 구조의 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 반사전극과, 상기 반사전극 상에 형성되어 있는 p형 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성되어 있는 n형 전극 및 상기 n형 전극 상에 형성되되, 적어도 하나 이상 상기 n형 전극의 다른 변에 인접하게 배치된 다수의 n형 전극 패드를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 제2 영역은, 상기 기판의 중앙부를 기준으로 양측이 서로 대칭적으로 형성된 것이 바람직하다. 이는 대면적으로 이루어진 발광 면 전체에 균일한 발광이 일어나게 하기 위함이다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 n형 전극 패드는, 적어도 3개 이상 형성되어 다른 면에 형성된 n형 전극 패드와 서로 엇갈리게 배치되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는, 발광면의 감소를 최소화하기 위해 최대 500㎛ 이하의 너비를 가지고, 최소 50㎛ 이상의 너비를 가지는 것이 바람직하다. 여기서 최소값은 통상 와이어 본딩에서 널리 사용되는 와이어의 직경이 20~50μm 정도이고, 이 와이어에 의해서 형성되는 전극 패드 너비의 하한값이 대략 50μm 정도라는 점으로 미루어보면 당연히 도출될 수 있는 정도의 값이고, 당업자에게 이 정도의 하한값은 자명한 사항 정도에 불과한 것이다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 n형 전극은, 상기 n형 질화물 반도체층의 최외각 변을 따라 제1 영역 상에 형성된 제1 n형 가지 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 내부에 위치하는 핑거 구조의 제1 영역 상에 형성된 제2 n형 가지 전극을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 다수의 n형 전극 패드는, 상기 n형 전극의 제1 n형 가지 전극을 통해 모두 전기적으로 연결되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 n형 가지 전극은, 상기 제2 n형 가지 전극의 너비보다 25% 이상 더 큰 너비를 가지게 형성하여 각각의 n형 전극 패드로부터 인가받는 전류의 충돌로 인하여 저항이 높아지는 것을 방지하기 위함이다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 제2 영역의 면적은, 발광 면을 최대화하기 위해 상기 제1 영역의 면적보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

이제 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

실시예 1

먼저, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 수평 구조를 가지는 대면적 질화물계 반도체 발광소자의 구조에 대하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.

도 2와 도 3을 참조하면, 광투과성인 기판(100) 상에 버퍼층(110)과 n형 질화물 반도체층(120)이 순차 적층되어 있다. 이때, 상기 n형 질화물 반도체층(120)은, 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 맞물려 있는 핑거(finger) 구조의 제2 영역으로 구분되어 있다.

여기서, 상기 제2 영역은 발광 면을 정의하고 있으며, 그에 따라, 상기 제2 영역의 면적은 제1 영역의 면적보다 크게 형성하여 소자의 휘도 특성을 향상시키는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제2 영역의 면적은, 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 전체 면적의 50% 이상에 해당하는 면적을 가진다. 또한, 상기 제2 영역은, 상기 기판(100)의 중앙부를 기준으로 양측이 서로 대칭적으로 형성된 것이 바람직하다. 이는 대면적으로 이루어진 발광 면 전체에 균일한 발광이 일어나게 하기 위함이다.

상기 기판(100)은, 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드 (AlN)로 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(110)은, 상기 기판(100) 상에 n형 질화물 반도체층(120)을 성장시키기 전에 상기 사파이어 기판(110)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 일반적으로 AlN/GaN으로 형성되어 있다.

상기 n형 질화물 반도체층(120)은, In_XAl_YGa₁ _-X- _YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층(120)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다.

그리고, 상기 n형 질화물 반도체(120)의 제2 영역 상에는 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)이 순차 적층되어 발광 구조물을 이룬다.

상기 활성층(130)은 다중 양자우물(Multi-Quantum Well) 구조의 InGaN/GaN층으로 이루어질 수 있다.

상기 p형 질화물 반도체층(140)은, In_XAl_YGa₁ _-X- _YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 p형 질화물 반도체층(140)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다.

또한, 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 제1 영역 상에는 n형 전극(150)이 형성되어 있다. 상기 n형 전극(150)은, 대전류 인가시, 전류를 효율적으로 분산시키기 위해 이로부터 연장되어 있는 다수의 n형 가지 전극(150', 150")을 포함한다. 보다 상세하게, 상기 n형 전극(150)은, 국부적인 전류 집중 현상을 최소화하기 위하여 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 최외각 변을 따라 제1 영역 상에 균일하게 둘러지도록 형성된 제1 n형 가지 전극(150')과, 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 내부에 위치하는 핑거 구조의 제1 영역 상에 형성된 제2 n형 가지 전극(150")을 포함한다.

그리고, 상기 n형 전극(150) 상에는 다수의 n형 전극 패드(155)가 형성되어 있으며, 이중 적어도 하나 이상의 n형 전극 패드(155)는 발광 면의 어느 지점에서라도 균일한 전류를 공급하기 위하여 상기 n형 전극(150)의 서로 다른 변에 인접하게 위치하고, 서로 다른 변에 인접하게 형성된 n형 전극 패드(155)는 엇갈리게 배치된다.

본 실시예에서는 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 n형 전극 패드(155)를 4개 구비하되, 각각 서로 다른 면에 구비하여 서로 엇갈리게 배치하고 있다. 이때, 상기 n형 전극 패드(155)는, 발광면의 감소를 최소화하기 위해 최대 500㎛ 이하의 너비를 가지고, 최소 50㎛ 이상의 너비를 가지는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시예에서는 상기 다수의 n형 전극 패드(155)가 상기 n형 전극(150)의 제1 n형 가지 전극(150')을 통해 모두 전기적으로 연결되어 있으므로 대면적을 가지는 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 전류를 확산시키는데 보다 효율적이다.

한편, 상기와 같이 상기 제1 n형 가지 전극(150')을 통해 상기 다수의 n형 전극 패드(155)가 모두 연결되면, 전류확산 효율은 향상시킬 수 있으나, 각각의 n형 전극 패드(155)로부터 인가받는 전류(도 2의 실선 참조)가 제1 n형 가지 전극(150')에서 충돌되어 저항이 증가하는 문제가 있다.

따라서, 본 실시예에서는, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 상기 제1 n형 가지 전극(150')의 너비를 상기 제2 n형 가지 전극(150")의 너비보다 25% 더 크게 형성하여 각각의 n형 전극 패드(155)로부터 인가받는 전류가 제1 n형 가지 전극(150')에서 충돌시, 저항이 증가하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 반사전극(170)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 반사전극(170) 상에는 p형 전극(160)이 형성되어 있다. 본 실시예에 따른 상기 p형 전극(160)은, 상기 n형 전극(150)의 제1 및 제2 n형 가지 전극(150', 150")을 통해 4개로 면 분할되어 있되, 모두 전기적으로 연결되어 있으므로, 전류확산 특성을 보다 향상시킬 수 있어, 구동전압 또한 감소시킬 수 있다.

또한, 상기 p형 전극(160) 상에는 다수의 p형 전극 패드(165)가 형성되어 있다.

실시예 2

도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 수평 구조를 가지는 대면적 질화물계 반도체 발광소자의 구조에 대하여 설명하기로 한다. 다만, 제2 실 시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 전극 및 활성영역을 나타낸 배치도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 p형 전극(160)이, 상기 n형 전극(150)의 제1 및 제2 n형 가지 전극(150', 150")을 통해 4개로 면 분할되어 있지 않고, 5개로 면 분할되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.

한편, 제1 실시예에 따른 n형 전극 패드(155)는 4개 형성되어 있는 반면에 제2 실시예에 따른 n형 전극 패드(155)는 3개로, 제1 실시예에 비하여 1개 감소하기는 하였으나, 상기 n형 전극 패드(155)가 형성된 위치가 거의 동일하므로, 이는 발광 면을 최대화하기 위한 것으로 발광소자의 특성에 큰 영향을 미치지 않는다.

따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예와 마찬가지로, 다수의 n형 전극 패드(155) 및 다수개로 면 분할되어 있되, 모두 전기적으로 연결되어 있는 p형 전극(160)을 포함하고 있기 때문에 제1 실시예서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.

또한, 제2 실시예는, 제1 실시예보다 상기 p형 전극(160)이 1개 더 분할되어 있으므로, 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 비해 더욱 낮은 구동전압을 얻 을 수 있는 이점이 있다.

여기서, 도 6은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 발광면적 분할에 따른 구동전압의 변화를 나타낸 시뮬레이션 결과도이다.

한편, 본 발명에 따른 제1 및 제2 실시예에서 나타낸 n형 전극 패드와 p형 전극 패드는 도면 상에 155 및 165로 나타내었으나, 이는 실제 존재하지 않고 단지 서브마운트와 범프 볼을 통해 전기적 연결시, 범프볼이 접촉하는 영역을 가리킨다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 상기 p형 전극을 n형 전극의 가지 전극을 통해 면 분할하되 전기적으로 모두 연결되도록 형성함으로써, 대면적으로 이루어진 발광 면을 낮은 구동전압으로 구동시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명은 서로 다른 면에 다수의 n형 전극 패드를 구비하여 대전류 인가시, 전류를 발광 면에 모든 부분에 균일하게 분산시킴으로써, 발광이 발광 면 전체에 균일하게 일어나도록 하여 휘도를 향상시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.

따라서, 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 구동전압을 감소시키고, 휘도를 향상시켜 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims

기판;

상기 기판 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 맞물려 있는 핑거 구조의 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층;

상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되어 있는 활성층;

상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층;

상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 반사전극;

상기 반사전극 상에 형성되어 있는 p형 전극;

상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성되어 있는 n형 전극; 및

상기 n형 전극 상에 형성되되, 적어도 하나 이상 상기 n형 전극의 다른 변에 인접하게 배치된 다수의 n형 전극 패드;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 영역은, 상기 기판의 중앙부를 기준으로 양측이 서로 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 n형 전극 패드는, 적어도 3개 이상 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제3항에 있어서, 상기 n형 전극 패드는 50μm 이상, 500μm 이하의 너비를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 n형 전극 패드는, 다른 면에 형성된 n형 전극 패드와 서로 엇갈리게 배치된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 n형 전극은, 상기 n형 질화물 반도체층의 최외각 변을 따라 제1 영역 상에 형성된 제1 n형 가지 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 내부에 위치하는 핑거 구조의 제1 영역 상에 형성된 제2 n형 가지 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제6항에 있어서,

상기 제1 n형 가지 전극은, 상기 제2 n형 가지 전극의 너비보다 25% 이상 더 큰 너비를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 다수의 n형 전극 패드는, 상기 n형 전극의 제1 n형 전극 가지를 통해 모두 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 영역의 면적은, 상기 제1 영역의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.