JP6912731B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一または同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[半導体発光素子の構成]
まず、図1〜図10を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子の構成について説明する。なお、図8〜図10の平面図は、半導体発光素子100の製造過程を表す図12〜図14の断面図に対応した製造中の状態をそれぞれ示している。
本実施形態に係る半導体発光素子100は、LED(発光ダイオード)構造を有し、図2において、上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、半導体発光素子100の下面側が、光取り出し面である。また、詳細は後記するが、半導体発光素子100は、ウエハレベルで作製される。
半導体発光素子100は、基板11と、半導体積層体12と、n電極13と、p電極としてのpパッド電極17および導電部材14と、カバー部材15と、絶縁膜16と、を備えている。なお、p電極は、pパッド電極17及び導電部材14を備える。
基板11は、その主面に半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、C面、R面、A面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化ケイ素(SiC)、シリコン、Si、GaAs、ダイヤモンドが挙げられる。本実施形態においては、半導体発光素子100の光取り出し効率を向上させる観点から透光性を有するサファイア基板を用いることが好ましい。基板11は主面に凹凸を有しているものでもよい。このように、基板11の主面に凹凸を有することで凹凸部において活性層12aからの光を散乱させ、光取り出し効率を向上させることができる。
半導体積層体12は、基板11の上に積層された積層体であって、基板11の側から、n側半導体層12nと、活性層12aと、p側半導体層12pとを、この順に備えている。p側半導体層12pおよび活性層12aは、n側半導体層12nにおける外周部12cを除いた内側領域に設けられている。なお、図1等の平面図では、内側領域と外周部12cとの境界に符号12gを付しており、以下では符号12gにより内側の領域を示すものとして内側領域12gと表記する。
半導体積層体12は、上面視で略矩形状であって、図2および図9に示すように、穴部12bと、外周部12cと、を有している。なお、図9は、後記するn側半導体層露出工程(図13参照)が終わった後の平面図である。
穴部12bの直径を小さくすれば、活性層12a等を部分的に除去する領域を低減できるため、発光領域を増加させることができる。
穴部12bの直径を大きくすれば、n電極13とn側半導体層12nとの接触面積を増加させることができるので順方向電圧Vfの上昇を抑制することができる。
穴部12bの直径の下限はエッチングにより穴部12bを精度よく製造できる程度で設定することができる。また、穴部12bの直径の上限は、穴部12bを設けるために活性層12a等を部分的に除去しても製品として所望の発光を維持することができる程度で設定することができる。
なお、半導体発光素子100において、半導体積層体12の外周部12cを設けることで露出したp側半導体層12pおよび活性層12aの側面は、絶縁膜16によって被覆されている。また、半導体積層体12の外周部12cは、n電極13や絶縁膜16によって被覆されるが、一部は露出している。
導電部材14は、図2に示すように、p側半導体層12pの上面を覆うように設けることができる。導電部材14は、n側半導体層12nの穴部12bとなる領域に対応した位置に開口を有している。
導電部材14は、pパッド電極17を介して供給される電流を、p側半導体層12pに拡散させることができる。また、導電部材14は、良好な光反射性を有し、半導体発光素子100が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する層として用いてもよい。
カバー部材15は、図2および図8に示すように、導電部材14の上面の一部および側面を被覆するように設けられている。図8は、後記するカバー部材形成工程(図12参照)が終わった後の平面図である。カバー部材15の下には、カバー部材15の外形よりも小さく、カバー部材の外形と同様の形状である導電部材14が設けられる。カバー部材15は、n側半導体層12nの穴部12bとなる領域に対応した位置に形成された開口15aを有している。また、カバー部材15は省略することができる。
また、カバー部材15は、金属のみからなる単体であってもよく、例えばAuを用いることができる。また、カバー部材15は、合金であってもよく、例えば、AlCu合金などを用いることができる。さらに、カバー部材15は、これらの材料を含むものであれば、単層であってもよく、または積層したものであってもよい。本実施形態においては、カバー部材15として、外部から導電部材への水分の侵入を防ぎ、マイグレーションを好適に防止することができる単層のSiNを用いている。
絶縁膜16は、半導体積層体12上に設けられ、半導体発光素子100の保護膜および帯電防止膜として機能する層間絶縁膜である。絶縁膜16としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜16として、屈折率の異なる2種以上の透光性誘電体を用いて積層し、DBR(Distributed Bragg Reflector)膜を構成するようにしてもよい。
上面視において、pパッド電極17は、半導体積層体12の中央部を含む領域に配置されており、n電極13は、pパッド電極17の周囲を取り囲んで設けられている。
これにより、外周部12cに複数の第2のnコンタクト部32が配置されているので、内側領域12gの第1のnコンタクト部31の面積を減らしつつ順方向電圧Vfの悪化を低減することができる。また、外周部12cにおいて第2のnコンタクト部32が等間隔に複数点在しているので、電流密度分布のばらつきを抑制することができる。
また、第2のnコンタクト部32を点在して配置することで、n電極13が外周部12c全体でn側半導体層12nと導通する形態に比べて、外周部12cに設けた電極部分による光の吸収が発生しにくくなる。また、n電極13が外周部12c全体でn側半導体層12nと導通する形態に比べて、外周部12cに電流密度が集中することを防止することができる。
半導体積層体12は、図6に示すように、上面視において、上辺41、底辺42、左辺43および右辺44を備えている。以下では、半導体積層体12の一辺が上辺41であるものとして説明する。半導体積層体12の一辺41と平行な方向は、図6において水平方向を示す。半導体積層体12の一辺41と直交する方向は、図6において垂直方向を示す。図6に示すように、pパッド電極17は、半導体積層体12の一辺41と平行な方向に両端がn側半導体層12nの外周部12cに近接するように延伸している。このpパッド電極17は、半導体積層体12を第1領域12eと第2領域12fとに分けるように設けられている。
これは第2領域12fにおいても同様である。
次に、図1および図2を参照して、半導体発光素子100の動作について説明する。
半導体発光素子100は、n電極13およびpパッド電極17に、実装基板を介して外部電源が接続されると、n電極13およびpパッド電極17間に電流が供給される。そして、n電極13およびpパッド電極17間に電流が供給されると、半導体発光素子100の活性層12aが発光する。
次に、図11〜図14を参照(適宜図1〜図10参照)して、図1に示した半導体発光素子100の製造方法について説明する。半導体発光素子100の製造方法は、半導体積層体形成工程と、導電部材形成工程と、カバー部材形成工程と、n側半導体層露出工程と、絶縁膜形成工程と、パッド電極形成工程と、個片化工程と、を含み、この順で各工程が行われる。
図15に示すように、第2実施形態に係る半導体発光素子100Bでは、半導体積層体12の形状が第1実施形態に係る半導体発光素子100と相違している。以下では、図1に示す半導体発光素子100と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
11 基板
12 半導体積層体
12n n側半導体層
12a 活性層
12p p側半導体層
12b 穴部
12c 外周部
12e 第1領域
12f 第2領域
12g 内側領域
13 n電極
14 導電部材
15 カバー部材
15a,15b 開口
16 絶縁膜
17 pパッド電極
20 p側開口
21 第1のn側開口
22 第2のn側開口
31 第1のnコンタクト部
32 第2のnコンタクト部
41 半導体積層体12の上辺
51 第1区画
52 第2区画
61 第1区分
62 第3区分
63 第2区分
71〜74 点
81〜86 線
90 延出領域
Claims (7)
- n側半導体層と、前記n側半導体層上であって当該n側半導体層における外周部を除いた内側領域に設けられたp側半導体層と、を有する上面視で略矩形状の半導体積層体と、
前記半導体積層体上で、前記p側半導体層上に設けられたp側開口と、前記内側領域における前記n側半導体層上に設けられた複数の第1のn側開口と、前記n側半導体層の前記外周部上に設けられた複数の第2のn側開口と、を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上および前記n側半導体層の前記外周部に延在して設けられ、前記第1のn側開口を通じて前記n側半導体層と導通した第1のnコンタクト部と、前記n側半導体層の前記外周部の少なくとも4隅それぞれにおいて前記第2のn側開口を通じて前記n側半導体層と導通する第2のnコンタクト部と、を有するn電極と、
前記p側開口を通じて前記p側半導体層と導通し、上面視において、前記半導体積層体の中央部を含む領域に配置され、前記半導体積層体の一辺と平行な方向に両端が前記n側半導体層の前記外周部に近接するように延伸し、前記半導体積層体を第1領域と第2領域とに分けるように設けられたpパッド電極と、を備え、
前記第1領域および前記第2領域のそれぞれは、前記半導体積層体の一辺と直交する方向において前記pパッド電極と前記半導体積層体の外周部との間で2等分された、前記pパッド電極の側に位置する第1区画と、前記半導体積層体の外周部の側に位置する第2区画と、を有し、
前記第1領域および第2領域の前記第2区画のそれぞれは、前記半導体積層体の一辺に平行な方向において3等分された、第1区分と、第3区分と、前記第1区分と前記第3区分との間に位置する第2区分と、を有し、
前記第1領域および前記第2領域の前記第1区画における前記第1のnコンタクト部の面積は、前記第1領域および前記第2領域の前記第2区画における前記第1のnコンタクト部の面積よりも大きく、
前記第1領域および前記第2領域の前記第2区分における前記第1のnコンタクト部の面積は、前記第1領域および前記第2領域の前記第1区分および第3区分における前記第1のnコンタクト部の面積よりも大きい半導体発光素子。 - 前記第2のnコンタクト部は、前記4隅と併せて、前記4隅の間となる前記n側半導体層の前記外周部に複数点在して配置される請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第2のnコンタクト部は、前記4隅と併せて、前記4隅の間となる前記n側半導体層の前記外周部に等間隔に複数点在して形成される請求項1に記載の半導体発光素子。
- 上面視において、複数の前記第2のnコンタクト部の面積の合計値は、複数の前記第1のnコンタクト部の面積の合計値よりも大きい請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 上面視において、複数の前記第1のnコンタクト部の形状および大きさはそれぞれ同一であり、
前記第1領域および前記第2領域において、複数の前記第1のnコンタクト部の個数は、前記pパッド電極から離れるにしたがって減少している請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 - 上面視において、複数の前記第1のnコンタクト部は、前記半導体積層体の一辺と平行である複数の線上に配置され、
前記複数の線のうち、少なくとも1つの線上に配置される複数の前記第1のnコンタクト部は、等間隔に配置される請求項1からの請求項5いずれか一項に記載の半導体発光素子。 - 上面視において、前記n側半導体層の前記外周部は、前記内側領域に向かって延出した延出領域を有し、
前記絶縁膜は、前記延出領域内に形成された前記第2のn側開口を有し、
前記n電極は、前記延出領域に設けられた前記第2のn側開口を覆って形成されている請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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