JP2007266338A - 半導体発光素子及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光素子及び半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007266338A JP2007266338A JP2006089891A JP2006089891A JP2007266338A JP 2007266338 A JP2007266338 A JP 2007266338A JP 2006089891 A JP2006089891 A JP 2006089891A JP 2006089891 A JP2006089891 A JP 2006089891A JP 2007266338 A JP2007266338 A JP 2007266338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- layer
- light
- reflective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 182
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 344
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017942 Ag—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板の第2の主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子において、前記第2の主面上に前記発光素子の光を反射する反射層を有し、前記基板断面において、前記発光層と前記反射層とが基板を挟んで対向して配置され、反射層の幅は発光層の幅よりも狭い半導体発光素子。
【選択図】 図1A
Description
[基板]
透光性基板としては、特に限定されるものではなく、例えば、窒化物半導体を成長させる基板として、サファイア(C面、A面、R面)、スピネル(MgAl2O4)、SiC、NGO(NdGaO3)基板、LiAlO2基板、LiGaO3基板、GaN等が挙げられる。基板は、半導体層とは異なる屈折率を有する材料からなることが好ましく、基板と半導体層の界面において光の反射や屈折がおこり、半導体層側に光を集めることができるからである。さらには基板の屈折率は、半導体層の屈折率よりも小さいもの、例えばサファイア基板等、が好ましく、屈折率の小さい半導体層側に光を閉じ込め、第1の主面側に光を取り出すことがより効果的にできるからである。
透光性基板の第1の主面上に形成される半導体は、少なくとも発光層を有する構造であり、具体的には、n型半導体、p型半導体など、各導電型の半導体層が含まれているものであり、そのp−n接合部に発光層を有するものとなる。さらには、n型半導体とp型半導体の間に発光層、活性層を有する構造にすることもできる。活性層は、多重量子井戸構造又は単一量子井戸構造のいずれでもよい。本発明においては、半導体が活性層を有さない構造でもよく、この場合は、n型半導体とp型半導体との界面において、発光し、発光領域となる。好ましくは、第1導電型の半導体層、活性層、第2導電型の半導体層が形成され、第1導電型の半導体層が露出するように半導体層を一部除去して電極が形成されているものである。具体例としては、図1Aに示すように、基板の第1の主面上に、発光素子構造が積層された半導体層を有し、同一面側に各導電型層の電極(n電極、p電極)がそれぞれ設けられた構造とし、第1の主面側を主な光取り出し側とする発光素子構造となる。また、上記一部除去による電極形成においては、残された発光構造部と、電極などが形成される領域の非発光部と、を有した発光素子構造となる。
半導体層としては、後述に具体例として示す窒化ガリウム系化合物半導体は、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)のものを用いることができる。また、これに加えて、III族元素としてBが一部に置換されたものを用いてもよいし、V族元素としてNの一部をP、Asで置換されたものを用いてもよい。n型半導体層は、n型不純物として、Si、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr、CdなどのIV族元素又はVI族元素等のいずれか1つ以上を含有している。また、p型半導体層は、p型不純物として、Mg、Zn、Be、Mn、Ca、Sr等を含有している。不純物は、例えば、1×1016〜1×1021/cm3程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。また、窒化ガリウム系化合物半導体以外に、GaAs、GaP系化合物半導体、AlGaAs、InAlGaP、などにも適用することができる。
反射層の膜厚としては、ここに照射された光を十分に反射させることのできる膜厚であればよく、具体的には、0.05μm〜1μm、好ましくは0.1μm〜0.3μmである。この程度の膜厚であれば、透光性基板との密着性の良い発光素子とすることができ好ましい。また、別の観点では、効率的に反射させること及び透光性基板との間の応力を考慮して、例えば、200Å〜1μm程度が適当である。なかでも、500Å〜3000Å程度が好ましい。反射層は、単一の金属材料からなる単層であってもよいし、合金からなる単層であってもよいし、単一の金属材料又は合金層を含む積層構造、単一の金属材料と合金層とからなる積層構造であってもよい。
このような特定の形状の反射層を有する半導体発光素子の製造方法としては、基板の第1の主面上に半導体層を積層し、基板の第2の主面側を研磨して薄くする。その後、基板の第2の主面にフォトリソグラフィ法を用いてレジストを任意の形状にパターニングし、スパッタ装置等で反射層を成膜した後、素子に分割するという方法がある。この方法で作製すると、素子化する際に、形成した反射層のパターンの間で任意に分割することができ、素子化の位置合わせをする必要がなく、工程が簡略化でき好ましい。また、先に形成した発光素子構造を見て発光素子又は発光部の形状に合わせてレジストをパターニングして反射層を形成することも可能である。この方法を用いると、各素子に合わせたパターンを形成することができ、各発光素子又は発光部の形状に合わせた反射層のパターンにできるので光取り出しをより良好にすることができる。
[第1の態様]
本発明の第1の態様では、例えば、図2,5の断面のように基板を挟む対向領域において、反射層40の幅は発光層23の幅よりも狭くなるように形成されている。これによって、図5に示すように、発光層23の光(図中の白抜き矢印)は、それに対向する領域の反射層40によって、基板面の法線方向に低角度の光(図中の下向き矢印)は、効果的に光が反射されて(図中の黒矢印)、第1の主面側、その発光構造部31に取り出され、主に半導体層内を通って、素子外に取り出されることになると考えられる。他方、高角度で入射した光(図中の斜め方向の矢印)は、反射層40から露出した基板表面(第2の主面)、側面などから、効果的に素子外部へ光が取り出される(図中の実線矢印)傾向にあると考えられる。また、素子構造30内の非発光部32、電極形成部21aなどでは、光が直接発生せず、直下に進む光が少なくなるため、上方に反射して半導体層側から取り出す光が少ない。また電極が形成されていれば、透明電極でない場合にそれによる遮光の影響があり、効率的な光取り出しが困難な傾向にある。そのため、このような領域32,31a,31bに反射層を設けても、効率的な半導体層側からの光取り出しへの寄与が、発光構造部31の場合に比して小さくなると考えられる。
本発明の第2の態様では、上述したように、図2,5のように反射層40(41,42)は、非発光部32,33と対向する第2の主面が露出するように形成されていることで、発光部においては、発光した光を反射層で取り出し、非発光部においては、非発光部に来た光を素子内に留まらせることなく半導体層側からも基板側からも取り出すことが可能になり、光取り出し効率を上げることができる。そのため、上述したように、基板面内で、素子構造35外側、若しくは発光構造部31よりも外側の非発光部32,33が露出されることが好ましく、更に、図1B,2の21cの対向領域のように、素子周縁部、発光素子の最も外側に配置された非発光部33が露出されることが好ましい。また、図3A,5に観るように、非発光部32が発光構造部31の外側に配置される場合には、上記外縁部の非発光部33(図1B,2)のように、反射層40(41,40C)から少なくとも一部が露出されることが好ましく、電極形成露出部21aでパッド電極部24bの場合(図3A,5)には、該露出部21aに対向する領域が半分以上の幅、面積で露出されること、更に好ましくは、全てが露出されることが、広い幅・面積の非発光部への適合性、反射層を設ける事による電極の反射光の吸収低下に、優れる。
本発明の第3の態様では、図1,2,4,5のように発光部30は複数の発光部で構成され、主に素子内側の第1の発光部31aとそれより外側の第2の発光部31bを有している。第1の発光部31aは素子中央部において発光し、第2の発光部は、第1の発光部とは発光層が少なくとも一部で分離、離間している。
このように、第1,2の発光部の面積被覆率の関係で反射層を形成し、発光部の領域ごとに最適な光取り出し方法を用いることによって発光素子外に効率良く光を取り出すことができる。
ここで、本発明の各実施形態、各態様における発光素子構造について説明する。また、図1は、後述の実施例の発光素子構造であり、図1Aは半導体層側を上面視した模式的な平面図であり、図1B,Cは、図1AのAA、BB断面を説明する模式断面図である。また、図2は、図1Bにおいて別の実施形態を説明する模式断面図であり、図3は、別の実施形態に係る発光素子の構造及び反射層を説明する模式断面図(図3A)と基板裏面側から上面視した平面図(図3B)である。図4は、図1Aの発光素子構造を基板(第2の主面)側から上面視した平面図を示し、様々な実施形態に係る反射層を説明する平面図であり、図5は一実施形態に係る発光素子及びその反射層、並びに実装基体170を用いて、本発明を説明する模式断面図である。これらの図を用いて、本発明について説明する。
本発明の第4の態様としては、図4B〜Dに示すように、基板面内で発光構造部36内で、素子・発光構造の隅部、外周縁部、好ましくは多角形状の角部、更に好ましくは矩形状の角部を反射層領域45(a,c,e)から露出した露出領域とするものである。または、図1Aに示すような複数の発光領域36を有する場合に、基板面内で素子、発光構造の外側に配された発光領域36a,A,cの端部、特に長手方向の両端部を露出領域とすることである。これにより、基板面内で光が集まり易く、基板裏面から取り出し易い領域で露出部が設けられる。
[保護層他]
また、半導体発光素子及び半導体発光装置の機能や特性を向上させるものとして、反射層の上に保護層や接着層を設けることも可能である。
実装用基板としては、図6A,Bに示すように、実装用の基体・領域201の発光素子実装部となるもので、素子をダイボンディングするためのものであればよく、例えば、発光素子用、受光素子用のステム、平面実装用セラミック基板、プラスチック基板等が挙げられる。具体的にはAlNからなる実装部を用いると放熱性の高い発光装置を得ることができ好ましい。半導体発光素子が実装される実装面は金属材料からなることが好ましい。これによって、発光素子外に取り出された光を反射し、好適に光を取り出せる発光装置とすることができる。金属材料は本発光装置の発光波長の光を高反射率で反射することのできる金属材料が好ましく、具体的には、Ag、Al、Rh等が挙げられる。発光装置の例は、図4に示すように、装置の基体・筐体220に設けられた素子実装部216に接着層160を介して、第2の主面に反射層140、バリア層150を設けた半導体発光素子100を熱圧着などで実装して、各電極にワイヤ250などで、発光装置200のリード電極210(a,b)とそれぞれ接続して、発光素子を封止部材230で封止するなどしたものとなる。
(実施例1)
この実施例の半導体発光素子100は、図1に示すような□1mmの正方形状のチップを用いる。図1Bの断面に示すように、C面サファイア基板10の表面上に、n型窒化物半導体層21、発光層23(InGaN井戸層の多重量子井戸構造)及びp型窒化物半導体層22を順に積層して積層構造を形成する。続いてn型半導体層が露出するように半導体層を一部除去し、n層表面21a及びp層22表面上に電極24,25を形成してなる半導体発光素子100を用いる。
本実施例では、反射層45bとして、実施例1と同様に、図4Bに示すように発光素子100の重心がほぼ一致する1辺約817μmの略正方形で形成する。このとき、発光素子構造部を囲んで外部に露出される幅約50μmのn型窒化物半導体層21cの対向する第2の主面を露出させる反射層45bを設ける。これにより素子の構成辺では全周にわたって幅が約106μmの非発光部が設けられ、面積比約2/3となる。これにより得られる発光素子の出力比は、118%(発光波長455nm)となる。
実施例3として、図4Dに示すように幅245μmで十字形状(1辺245μmの略正方形5つを中心部[重心一致]とその上下左右に並べた形状)の反射層45eを形成する発光素子では、発光出力比、約125%のものが得られる。
Claims (20)
- 第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板の第1の主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子において、
前記第2の主面上に前記発光素子の光を反射する反射層を有し、
前記基板断面において、前記発光層と前記反射層とが基板を挟んで対向して配置され、反射層の幅は発光層の幅よりも狭い半導体発光素子。 - 前記第2の主面が前記反射層から露出する露出部を有する請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子は、前記基板断面において、前記発光素子構造を有する発光構造部と、非発光部とを有し、
該非発光部と前記露出部とが、前記基板を挟んで対向して配置される請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記基板断面において、前記露出部の幅が前記非発光部の幅よりも広いことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。
- 第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板の第1の主面上に少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造が設けられ、該発光構造部と非発光部とを有する半導体発光素子において、
前記第2の主面上に発光素子の光を反射する反射層と、前記非発光部と対向する領域で基板が露出された露出部とを有し、
前記基板面内において、反射層の面積は、発光構造部の面積よりも小さい半導体発光素子。 - 前記第2の主面の露出部の面積が、前記非発光部の面積よりも大きい請求項5に記載の半導体発光素子。
- 第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板の第1の主面上に少なくとも発光層を備える半導体発光素子構造を有する半導体発光素子において、
第2の主面上には該発光素子からの光を反射する反射層を有し、
前記発光素子構造は、前記発光層が分離又は離間して設けられた第1,2の発光部を少なくとも有し、
前記基板面内において、前記各発光部の面積に対する該各発光部に対向する領域に設けられた反射層の面積との比、(R1,R2)=[第1,2の発光部に対向する領域の反射層の面積SR1,SR2]/[第1,2の発光部の面積S1,S2]は、第1の発光部における面積被覆率R1が第2の発光部における面積被覆率R2よりも大きい、R1>R2、半導体発光素子。 - 前記基板面内において、前記第1の発光部の面積が前記第2の発光部の面積より大きい請求項7記載の半導体発光素子。
- 前記基板面内において、前記第1の発光部が第2の発光部より前記第1の主面の中心部側に配置されている請求項7又は8記載の半導体発光素子。
- 第1の発光部と対向する領域に設けられた反射層の面積が第2の発光部と対向する領域に設けられた面積よりも大きい請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記反射層は、前記第1の発光部のほぼ全面を被覆し、前記第2の発光部の一部が露出されていることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記基板面内において、前記第1,2の発光部は長手形状を有して、第1,2の発光部は長手方向の中央部と端部を有し、
前記第1の発光部は前記第2の発光部の間に設けられ、
前記第1,2の発光部の少なくとも一方において、該発光物の前記端部の両方と対向する第2の主面の領域に、反射層から露出された露出部が設けられている請求項7乃至11のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記半導体発光素子の基板面において、前記発光素子構造は、
発光層が分離又は離間し、前記基板面中央部に配置された第1の発光部と、該第1の発光部を挟んで対向して配置された第2の発光部とを有し、
前記反射層は、前記第1の発光部及び第2の発光部の中央部に、基板を挟んで対向する第2の主面領域を被覆し、
前記第1,2の発光部の少なくとも一方における前記中央部より外側の端部に、基板を挟んで対向する第2の主面領域を露出させる露出部を有する請求項1乃至12のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記反射層が、前記第1の発光部及び第2の発光部の中央部を挟む両端部に、基板を挟んで対向する第2の主面領域を露出させる露出部を有する請求項13記載の半導体発光素子。
- 前記基板面若しくは前記発光素子構造が基板面内で矩形状を有し、前記露出部が、前記矩形状の角部に設けられている請求項13又は14記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子構造は、第1導電型の半導体層、発光層、第2導電型の半導体層がこの順に積層され、前記非発光部は第1導電型の半導体層が露出している請求項1乃至15のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 基板の屈折率は、半導体層の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 反射層上に、反射層を被覆する保護層が形成されている請求項1乃至17のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記請求項1乃至18に記載の半導体発光素子が実装されてなる半導体発光装置であって、前記発光素子の基板において、反射層側が実装され、前記基板の第2の主面における反射層から露出された領域から光が取り出されることを特徴とする半導体発光装置。
- 半導体発光素子が実装される実装面が反射膜を有し、
前記反射層と反射被膜が金属材料からなることを特徴とする請求項19に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089891A JP5286641B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089891A JP5286641B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266338A true JP2007266338A (ja) | 2007-10-11 |
JP5286641B2 JP5286641B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=38639028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089891A Active JP5286641B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5286641B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011100905A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nichia Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2011253846A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317546A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-11-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2001085736A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2003338637A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
JP2006066449A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2009524918A (ja) * | 2006-01-27 | 2009-07-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電式半導体チップ |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006089891A patent/JP5286641B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317546A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-11-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2001085736A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2003338637A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
JP2006066449A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2009524918A (ja) * | 2006-01-27 | 2009-07-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電式半導体チップ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011100905A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nichia Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2011253846A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5286641B2 (ja) | 2013-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2565944B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
KR100887139B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
JP5719110B2 (ja) | 発光素子 | |
KR101546929B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈 | |
JP5196097B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 | |
TWI529966B (zh) | 半導體發光裝置 | |
TWI529970B (zh) | 半導體發光裝置及其製造方法 | |
JP5276959B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | |
TWI543399B (zh) | 半導體發光裝置 | |
US9799808B2 (en) | Light emitting element and light emitting element package | |
JP5698633B2 (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2009043934A (ja) | フリップチップ型発光素子 | |
JP2009164423A (ja) | 発光素子 | |
JP2006253298A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JP2007103690A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2007103689A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2018510508A (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップ、オプトエレクトロニクス半導体部品及びオプトエレクトロニクス半導体チップの生産方法 | |
JP2009059969A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 | |
TWI493758B (zh) | 半導體發光裝置及發光模組 | |
JP6149878B2 (ja) | 発光素子 | |
KR101707532B1 (ko) | 발광 소자 | |
KR101229834B1 (ko) | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
JP5586371B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP4947569B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5286641B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5286641 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |