JP2006253298A - 半導体発光素子及び半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面とこれに対向する裏面電極形成部とを有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有し、前記裏面電極形成部の周囲に粗面9が形成された基板1と、前記基板の前記上面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の上に設けられた第1の電極7と、前記裏面電極形成部に設けられた第2の電極8と、前記粗面9の少なくとも一部の上に被着された反射膜10と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【選択図】 図1
Description
これら半導体発光素子では、GaAsやサファイアなどからなる基板上に、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層などを含む半導体多層膜がエピタキシャル成長により直接成長、あるいは異種基板との貼り合せ等の方法で形成され、さらにn型層、p型層のそれぞれに電極が形成されている(例えば、特許文献1及び2)。
すなわち、活性層から下方に放出された光は、基板の下に設けられた電極に入射する。しかし、電極との接触部の近傍において、基板には電極材料との合金化領域が形成されているため、活性層から放出された光は吸収されやすくなり、チップ内部で損失が生ずるという問題がある。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本具体例の半導体発光素子は、基板1の上に、クラッド層2、活性層3、クラッド層4、電流拡散層5がこの順に積層された構造を有する。電流拡散層5の上には図示しないコンタクト層を介して電極7が設けられている。一方、基板1の裏面側の一部には電極8が形成され、残余の部分は凹凸状の粗面9とされその表面に反射膜10が被着されている。
図2は、活性層3から放出された光の取り出し経路を例示する模式図である。
活性層3から放出された光は、同図に矢印で表したように、粗面9と反射膜10によって基板1の側面1Sの方向に散乱される。散乱された光は、基板1の側面1Sに対して比較的小さな角度(側面1Sに対して垂直に近い角度)で入射するので、側面1Sにおいて全反射されることなく外部に放出される。前述したように、このような半導体発光素子は、通常は屈折率が1.5程度の透光性樹脂により封止されるため、チップ内部から放出された光は半導体層と樹脂との界面において全反射されやすい。これに対して、本実施形態においては、粗面9と反射膜10とによって光を散乱させ、基板1の側面1Sに対して小さな角度で入射させることができるので、全反射されることなく光を外部に取り出すことができる。
図3及び図4は、本実施形態の半導体発光素子の製造工程の一部を表す工程断面図である。
まず、図3(a)に表したように、n型GaAs基板92の上に、InAlPエッチング停止層94、GaAsコンタクト層26、InGaAlP電流拡散層5、n型InAlPクラッド層4、InGaAlP活性層3、p型InAlPクラッド層2、InGaP接着層34、InAlPカバー層96を成長させる。n型GaAs基板92としては、例えば、直径3インチ、厚さ350μm、シリコン(Si)ドープでキャリア濃度は約1×1018/cm3 の鏡面仕上げのものを用いることができる。
次に、図4(a)に表したように、GaAsコンタクト層26の上にn側電極7を形成し、GaP基板1の裏面にp側電極8を形成する。
また、GaAsコンタクト層26による吸収を防ぐため、n側電極7の周囲のコンタクト層26はエッチングにより除去する。
まず、n側電極7の上及びp側電極8の上にそれぞれ保護膜11を形成する。保護膜11の材料としては、例えば、レジストや酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。
具体的には、例えば、金(Au)を真空蒸着により堆積して反射膜10を形成できる。その後、ウェーハの両面に設けた保護膜11を除去し、ダイシングなどの方法によりチップを分離すると本実施形態の半導体発光素子が得られる。
すなわち、p側電極8は、図6に表したように基板1の裏面の中心付近において円形状に形成してもよく、図7に表したように正方形状に形成してもよい。また、図8に表したように、p側電極8を複数のパターンに分割して設けてもよい。複数のパターンに分割すると、電流の集中を緩和でき、活性層3に均一に電流を注入して幅広い領域で発光させることができる。
本変型例においては、基板1の側面1Sがテーパ状に傾斜し、基板1が角錐台状に形成されている。そして、側面1Sには粗面9が形成されている。さらに、基板1の底面、すなわちp側電極8が設けられた下面から側面1Sの途中までの領域において、粗面9の表面に反射膜10が設けられている。
図11は、粗面9における光の取り出しを説明するための模式図である。
すなわち、基板1の側面1Sに錐状の粗面9が形成されている場合、基板1の内部を矢印Aの方向に進行した光は、粗面9の表面において臨界角よりも大きい角度で入射すると矢印Bの方向に全反射される。しかし、この反射光が対向する粗面9に入射した時には、その入射角度は臨界角よりも小さくなり、基板1から外部に取り出すことができる。このように、基板1内を進む光が粗面9の凸部に入射すると、全反射を繰り返した後に矢印Cで表したように外部に取り出すことができる。
図11に関して前述したように、反射膜10が設けられていない粗面9においては高い効率で光を外部に取り出すことができる。
一方、この半導体発光素子を銀ペーストや半田などの接着剤30によりマウントした状態において、図示したように接着剤30がチップの側面に這い上がることがある。このように接着剤30が這い上がった部分においては、光を取り出すことができない。これに対して、本変型例においては、チップのマウント面の近傍では、粗面9に反射膜10を被着することにより、光の取り出しを促進できる。すなわち、接着剤30が這い上がる領域においては、チップ内部の光を反射膜10により反射させ、外部に取り出すことを可能としている。その結果として、光の取り出し効率を改善できる。
すなわち、本変型例においては、基板1の下方のみがテーパ状に加工されている。そして、基板1の側面1Sには粗面9が形成されている。またさらに、テーパ状の部分においては、粗面9の上に反射膜10が被着されている。
このようにすると、接着剤30の這い上がりによる光の遮蔽を防ぐことができると同時に、反射膜10により反射された光が矢印Aで例示したように、垂直な側面1Sに入射されやすくなる。その結果として、光の取り出し効率をさらに上げることが可能となる。
次に、本発明の第2の実施の形態として、チップ裏面に凹部を有する半導体発光素子について説明する。
図14は、本実施形態の半導体発光素子を実装部材にマウントした状態の断面構造を例示する模式図である。
すなわち、本実施形態の半導体発光素子も、基板1と、半導体積層構造6と、を有する。半導体積層構造6は、活性層やクラッド層などを適宜含み、電極7及び8を介して電流を注入することにより発光を生ずる。この半導体発光素子は、リードフレームや実装基板などの実装部材28に接着剤30によってマウントされている。
さらにまた、凹部20が余剰の接着剤30を吸収するため、接着剤30の素子の側面1Sへの這い上がりを抑制できる。従って、凹部20において側面1Sに向けて反射された光は、接着剤30に遮られることなく外部に取り出される。
図15及び図16は、ドライエッチングにより形成するプロセスを例示する工程断面図である。
すなわち、まず、図15(a)に表したように、凹部を形成すべき基板1の裏面上にレジストなどの比較的柔軟な材料からなるマスク層40を形成する。
このようにプレスを圧接すると、図15(c)に表したように、マスク層40に突起42Pに対応した凹部44が形成される。
本変型例においては、凹部20のうちで電極8が形成されていない部分に反射膜10が被着されている。反射膜10は、第1実施形態に関して前述した各種のものを用いることが可能である。
さらに、本実施形態において、図11に関して前述したような粗面を側面1Sに設けてもよい。
次に、本発明の第3の実施の形態として、ボンディング・パッドの下における光の損失を低減した半導体発光素子について説明する。
図18は、本実施形態にかかる半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図19は、この半導体発光素子の表面に形成された電極パターンを例示する平面図である。
これらの図面についても、図1乃至図17に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
またさらに、誘電体層50を設けることにより、活性層3から放出された光を高い効率で反射させることができる。例えば、誘電体層50の材料として酸化シリコンを用いた場合、その下のInGaAlP層の屈折率nを3.2、酸化シリコンの屈折率nを1.45とすると、これら界面における全反射の臨界角は約27度と小さくなる。つまり、活性層から放出され誘電体層50に入射した光のうちで、入射角が27度以上の光は全反射される。またこの場合、入射角が27度以下の光に対しても約14パーセントの反射が生ずる。このように、誘電体層50を設けることにより、活性層3から放出された光を高い効率で反射させることができる。
すなわち、本変形例においては、基板1の側面1Sに粗面9が設けられている。このような粗面9を設けることにより、図11に関して前述したように多重反射を利用して光の取り出し効率を上げることができる。つまり、細線電極部7Bの下において生じた発光や、ボンディング・パッド7Aの下の粗面9において散乱された光を側面1Sから高い効率で取り出すことができる。
次に、本発明の第4の実施の形態として、ボンディング・パッドの下からの光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子について説明する。
図24は、本実施形態の半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
また、図25は、この半導体発光素子のボンディング・パッドの部分の拡大図である。これらの図面については、図1乃至図23に関して前述したものと同様の要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
一般に、ボンディング・パッド7Cの下で生じた発光はボンディング・パッド7Cにより遮られて外部にそのまま取り出すことができない。また、ボンディング・パッド7Cの下で半導体層に電流を注入する構造とした場合には、ボンディング・パッド7Cの下に金属と半導体との合金化領域18が形成される。この合金化領域18が発光を吸収するために損失が生ずる。従って、ボンディング・パッド7Cをワイヤの融着部80のサイズよりも大きく形成すると光の取り出し効率が低下してしまう。
図27は、本実施形態における電極パターンを例示する模式図である。
すなわち、 ワイヤの融着部80よりも小さなボンディング・パッド7Cが設けられ、幅の狭い延伸電極部7Fが放射状に接続されている。融着部80の下において生じた発光は、延伸電極部7Fの間から外部に取り出すことが可能である。また、さらに幅の狭い細線電極部7Eをチップの周囲まで延在させることにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入して幅広い範囲で発光させることが可能となる。
すなわち、本具体例においては、融着部80の下の部分で、幅の広い延伸電極部7Dが形成され、これ以外の部分においては、幅の狭い延伸電極部7Fが形成されている。融着部80の下において延伸電極部7Dを幅広に形成することにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。つまり、ワイヤ・ボンディングの際に印加される圧力や超音波などに対して、半導体層をより確実に保護できる。また、融着部80の外側の部分において幅の狭い延伸電極部7Fと、さらに幅の狭い細線電極部7Eを形成することにより、広い範囲にわたって電流を均一に注入しつつ、発光を遮蔽せずに高い効率で取り出すことができる。
すなわち、本変型例においては、融着部80の下(例えば、図27、図28において一点鎖線により表した融着部80の部分である)で、電極7(延伸電極部7D、7F、ボンディング・パッド7Cなど)が形成されていない部分の半導体層の表面に、発光に対して透光性を有する透明膜21が被覆されている。このような透明膜21を設けることにより、ワイヤ・ボンディングに対する強度を上げることができる。また、半導体発光素子を樹脂により封止する際にも、半導体層を保護することができる。またさらに、透明膜21を設けることにより、ボンディング・パッド7Cの下において生じた発光の一部をより効率的に外部に取り出すことが可能となる。すなわち、図29に矢印Aで例示したように、ボンディング・パッド7Cの下で生じた発光を透明膜21に入射させ透明膜21の表面で反射させることにより透明膜21の中を伝搬させることができる。このようにして、融着部80の下で生じた発光を透明膜21を伝搬させて取り出すことができる。
すなわち、本変型例は、図29に表した変型例と図30に表した変型例とを組み合わせた構造を有する。融着部80の下において、透明膜21と粗面9とを設けることにより、反射効果と散乱効果とを促進させ、融着部80の下で生じた発光をより高い効率で外部に取り出すことが可能となる。
次に、本発明の第5の実施の形態として、本発明の半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について説明する。すなわち、第1乃至第4実施形態に関して前述した半導体発光素子を、リードフレームや基板などに実装することにより、高輝度の半導体発光装置が得られる。
リード102の上部には、カップ部102Cが設けられ、半導体発光素子101は、このカップ部102Cの底面に接着剤などによりマウントされている。そして、もうひとつのリード103にワイヤ104により配線が施されている。カップ部102Cの内壁面は、光反射面102Rを構成し、半導体発光素子101から放出された光を反射して上方に取り出すことができる。本具体例においては、特に、半導体発光素子101の透明基板の側面などから放出される光を光反射面102Rにより反射させて上方に取り出すことができる。
なお、蛍光体108は、半導体発光素子101の表面に塗布してもよく、あるいは樹脂107に含有させてもよい。
例えば、半導体発光素子を構成する層構造の詳細などに関して当業者が適宜設計変更したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。例えば、活性層として、InGaAlP系の他にも、GaxIn1−xAsyN1−y(0≦x≦1、0≦y<1)系や、AlGaAs系、InGaAsP系など、様々な材料を用いることもできる。同様に、クラッド層や光ガイド層などについても、様々な材料を用いることもできる。
また、光を透過させる基板を持つLED製造方法の代表例として説明したウェーハ接着は、従来より知られているAlGaAs系など厚いエピタキシャル成長で透明基板を得るLEDにも適用できる。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子及び半導体発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての半導体発光素子及び半導体発光装置も同様に本発明の範囲に属する。
1S 側面
2 クラッド層
3 活性層
4 クラッド層
5 電流拡散層
6 半導体積層構造
7,8 電極
7A、7C ボンディング・パッド
7B、7E 細線電極部
7D、7F 延伸電極部
7C ボンディング・パッド
7E 細線電極部
8A、8B 電極パターン
9 粗面
10 反射膜
11 保護膜
18 合金化領域
20 凹部
21 透明膜
26 コンタクト層
28 実装部材
30 接着剤
50 誘電体層
52 電流ブロック層
80 融着部
Claims (5)
- 上面とこれに対向する裏面電極形成部とを有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有し、前記裏面電極形成部の周囲に粗面が形成された基板と、
前記基板の前記上面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、
前記半導体積層構造の上に設けられた第1の電極と、
前記裏面電極形成部に設けられた第2の電極と、
前記粗面の少なくとも一部の上に被着された反射膜と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、
前記基板の主面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、
を備え、
前記基板は、前記主面と対向するマウント面に凹部を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 第1及び第2の主面を有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有する基板と、
前記基板の前記第1の主面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含み、表面の少なくとも一部に第1の粗面が形成された、半導体積層構造と、
前記第1の粗面の上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜の上に設けられたボンディング・パッドと、
前記半導体積層構造の上に設けられ、前記半導体積層構造及び前記ボンディング・パッドと電気的に接続された細線電極部と、
前記基板の前記第2の主面上に設けられた第2の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 実装部材と、
前記実装部材にマウントされた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子と、
を備え、
前記実装部材は、前記半導体発光素子の前記基板の側面から放出される光を反射する反射部を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 実装部材と、
前記実装部材にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子に接続されたワイヤと、
を備え、
前記半導体発光素子は、
光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、
前記半導体積層構造の上に設けられ前記ワイヤの融着部に接続され且つ前記融着部よりも小なるパターンのボンディング・パッドと、
を有することを特徴とする半導体発光装置。
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