JP2011171327A - 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光層を有する半導体積層体と、上面側に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、を備えたことを特徴とする発光素子およびその製造方法、並びに発光装置が提供される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施形態にかかる発光素子の模式断面図である。
発光素子5は、透光性基板10の上方に、接着層12、接着層26、再成長下地層24、上部成長層35が、この順序で積層されている。上部成長層35の上面には上部電極42、透光性基板10の下面には下部電極44、がそれぞれ設けられている。
上部成長層35は、透光性基板10側から、第1クラッド層28、発光層30、第2クラッド層32、電流拡散層34、およびコンタクト層36、がこの順序に積層されている。また、透光性基板10の側面10aには、微小な凹凸11が全面にわたって均一に形成されている。この場合、微小な凹凸11の断面において、光束がより広い角度に放出されるので、全反射される領域が狭くなり、光取り出し効率が改善される。
図2(a)において透光性基板10は、n型GaPから成るものとし、その表面にn型導電型の接着層12を形成する。また、図2(b)のように、n型GaAsなどからなる第1の基板20の表面に、バッファ層22、再成長下地層24、および接着層26をこの順序で形成する(図2(b))。
さらに、図3(a)のように、透光性基板10の上方に積層された再成長下地層24の上方に、n型In0.5Al0.5Pからなる第1クラッド層(厚さ0.6μm)28、発光層30、p型In0.5Al0.5Pからなる第2クラッド層(厚さ0.6μm)32、In0.5(Al0.7Ga0.3)0.5Pからなる電流拡散層(厚さ2μm)34、p型Ga0.5Al0.5Asからなるコンタクト層36、およびダミー層37をこの順序で結晶成長する。なお、それぞれの層の厚さおよび組成はこれらに限定されない。また、透光性基板10および半導体積層体39の導電型はそれぞれ反対の導電型であってもよい。
図4(a)のように、フォトレジスト膜50をパターニングし、ウェットエッチング法などを用いて半導体積層体39のダイシングロードとする領域39aを除去し、フォトレジスト膜50をさらに剥離する。なお、半導体積層体39の上面には上部電極42が設けられているが図示していない。
図5(a)のように、溝部54の内側面54aに酸の水溶液などを用いたエッチング工程を含むフロスト処理を行い、高次の結晶面からなる微小な凹凸11を形成する。酸としては、HCl、H2SO4、H2O2、HFまたはこれらの混合液とすることができる。例えばHCl水溶液を用いると、凹凸11のピッチや高低差が、0.1〜3μmの範囲とすることができる。このような凹凸11が形成された面を粗面とも言う。また、HCl水溶液の温度や濃度を適正に選択することにより、凹凸11のピッチおよび高低差の平均値を0.3〜2μmの範囲とすることがより好ましい。
図6(a)において、透光性基板10の4つの側面10aには、凹凸11が形成される。図6(b)に表すように、この凹凸11の谷から山までの差で定義する高さHは、H1、H2、H3、H4のようにXZ面内の位置に応じて変化する。また、山から山の間隔で定義するピッチPは、P1、P2、P3のようにXZ面内の位置に応じて変化する。しかし、フロスト処理工程の条件を同一にすれば、側面10aの上部のA領域、中間部のB領域、下部のC領域、における高さHおよびピッチPの平均値は均一となる。なお、フロスト処理工程を用いて形成された凹凸11の山の先端および谷底は、図6(b)よりも滑らかとなっていてもよい。
第1のリード(電極)80の一方の端部側に導電性接着剤86などを用いて発光素子5を接着する。発光素子5の上部電極と第2のリード(電極)82の一方の端部とをボンディングワイヤ90を用いて接続する。熱可塑性樹脂などの絶縁部材からなる成型体84は、凹部84aを有する。凹部84aの底面84bには第1および第2のリード80、82の一部がそれぞれ露出し、発光素子は凹部84aの内部に設けられる。凹部84aにはシリコーンなどからなる封止樹脂92が充填される。また、第1のリード80の他方の端部と第2のリード82の他方の端部とは互いに反対方向に延在している。本実施形態によりチップ厚さTC1を、例えば150μm以下としてもチップ収量を高く保つことができる。このために、発光素子5の下方の成型体84の厚さ、ボンディングワイヤ90の高さ、ボンディングワイヤ90の上部の封止樹脂の高さ、を加えても、発光装置の高さTP1を0.55mm以下とすることが容易となる。例えば、TP1を0.4mmとすることもできる。
なお、絶縁部材をセラミックとし、電極を厚膜などからなる導電層としてもよい。
Claims (6)
- 発光層を有する半導体積層体と、
上面側に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、
を備えたことを特徴とする発光素子。 - 前記発光層は、Inx(GayAl1−y)1−xP(0≦x≦1、0≦y≦1)、AlzGa1−zAs(0≦z≦1)、およびGasIn1−sNtAs1−t(0≦s≦1、0≦t≦1)のいずれかからなり、
前記透光性基板は、GaP、SiC、GaN、サファイヤ、およびダイアモンドのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 発光層を有する半導体積層体と、上側面に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、を有する発光素子と、
前記発光素子が接着された第1の電極と、
前記第1の電極の一方の端部と対向しかつ 前記第1の電極の他方の端部とは互いに反対方向に延在する他方の端部と、を有する第2の電極と、
凹部が設けられ、前記凹部の底面には前記第1および第2の電極の一部がそれぞれ露出し、かつ前記凹部の内部には前記発光素子が設けられた絶縁部材と、
前記凹部内に充填された透光性樹脂層と、
を備えたことを特徴とする発光装置。 - 透光性基板の一方の面側に半導体積層体を形成する工程と、
前記透光性基板の他方の面側に貫通しない溝部を前記半導体積層体側から形成する工程と、
前記溝部の内側面に凹凸を形成する工程と、
前記溝部に至るまで前記透光性基板を前記他方の面側から研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記凹凸を形成する工程のあとに、前記半導体積層側に支持板を貼り付ける工程をさらに備え、
前記支持板を取り付ける工程のあとに、前記研磨する工程を行うことを特徴とする請求項4記載の発光素子の製造方法。 - 前記半導体積層体を形成する工程は、第1の基板の上方に再成長下地層および接着層をこの順序で形成したのち前記透光性基板と接着し、前記第1の基板を除去する工程と、前記再成長下地層の上に発光層を含む上部成長層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の発光素子の製造方法。
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