JP2004165227A

JP2004165227A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JP2004165227A
Application number: JP2002326195A
Authority: JP
Inventors: Masaki Hashimura; 昌樹橋村; Shigeteru Konishi; 茂輝小西
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2002-11-08
Filing date: 2002-11-08
Publication date: 2004-06-10

Abstract

【課題】分離後のＬＥＤ素子外周におけるレーザー溶融部を減少させること。
【解決手段】（ａ）は、レーザー走査により破線状の分離溝Ｌを形成した基板Ｓの断面の模式図である。破線状の分離溝Ｌは長さｌ_Ｌ、間隔ｌ_ｉｎｔで形成され、台形状の断面を有する。このような破線状の分離溝Ｌは、一定速度で基板Ｓを移動させて分離線上にレーザーを走査し、レーザー照射時間と停止時間の比をｌ_Ｌ：ｌ_ｉｎｔとすることにより形成される。（ａ）では、レーザー走査方向を矢印で示している。分離溝Ｌのレーサー照射方向の断面は（ｂ）のように矩形状であっても、また、（ｃ）のように鋭角三角形状であっても良い。ｌ_Ｌ：ｌ_ｉｎｔは１：８乃至１：１の比で行う。分離溝Ｌは、（ｄ）のように各ＬＥＤ素子の４辺を囲む分離線上に２個ずつ形成しても、（ｅ）のように各ＬＥＤ素子の４頂点の分離線上に十字型に２個ずつ形成しても良い。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法に関する。本発明は、特に、基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を容易且つ歩止まり良く分離して、個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を得るための製造工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造、例えばＬＥＤ等の製造においては、基板としてサファイアやスピネルなどが用いられている。これらの材料の基板はシリコンやガリウムヒ素を用いた基板と異なり、加工が容易でないため、基板上にＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を積層して得られるウエハを個々の素子に分割する際、他の半導体素子とは異なり困難が伴う。公知技術としては例えば以下の特許文献１乃至３のような技術がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−１３１０６９号公報
【特許文献２】
特開平５−３１５６４６号公報
【特許文献３】
特許第３２３０５７２号公報
【０００４】
特許文献１、２のように、例えば、エッチングにより分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の一部を除去し、又はダイヤモンドブレードを用いたダイサーにより基板の表面から約１０μｍの深さに達する分離溝を形成した後（いわゆるハーフカット）、裏面にスクライバーで浅い裏面溝を形成してローラーブレイキングして素子を分離していた。この際、素子形成後に厚さ３００μｍのウエハの裏面を研磨してウエハの厚さを１００μｍ程度としてから裏面溝を形成することが多かった。その結果、分離に際し、素子として機能しないような割れ方をしたもの（素子ワレ）や周辺部が一部欠けて正常品とは認めがたいもの（カケ）を合わせて５％程度生じるものが多かった。ダイサーにより、基板の分離溝を深さ１０μｍに形成する場合、その分離溝の幅は２０〜３０μｍが必要である。基板表面からの深さを大きくすると基板のワレ方に起因する不具合が低減されるが、深くするには幅もより広げざるを得ない。分離溝の幅が大きくなると、１枚のウエハから得られる半導体素子の個数が減少する。更に異なる厚さのウエハに対しては例えば裏面研磨の時間や条件設定を変えなければならないが、それは試行錯誤を伴う極めて煩雑な作業である。一方、特許文献３等のように、レーザービームにより分離溝を形成するものが各種提案されているが、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造において、実用化には至っていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
レーザービームにより分離溝を形成する場合、基板材料や半導体材料の溶融、蒸発が生じるため、反応物が素子面を汚染する。このうち素子の表面の汚染については、分離溝形成前に保護膜等で被覆するなどして防止することができる（出願人による特願２００２−１８３７３０）。しかし、形成した分離溝自体は、素子の外周、即ち側面に基板が溶融し再固化した形で残る。透明なサファイア基板に形成した発光素子の場合は、この素子外周（側面）に非透明部分を形成することとなり、光取り出し効率を低下させることとなる。
【０００６】
本発明は上記の課題を解決するために完成されたものであって、分離後の素子外周における基板の溶融部の面積を減少させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の手段によれば、基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層のうち前記基板に近い側の電極形成層のみが残された状態、又は分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層が無い状態とする半導体層除去工程と、分離線に沿ってレーザービームを走査して破線状又は点線状の分離溝を形成するレーザー走査工程とを有し、分離線に沿ってレーザービームの走査により形成された破線状又は点線状の分離溝を用いて基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２に記載の手段によれば、半導体層除去工程は、エッチングにより前記電極形成層の電極形成部を露出させる電極形成エッチング工程により行われることを特徴とする。また、請求項３に記載の手段によれば、ダイシングにより、分離線上の素子形成側の前記基板の一部まで除去することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４に記載の手段によれば、レーザー走査工程の前に、基板表面側層を覆う、後の工程で除去可能な保護膜を形成する保護膜形成工程を有し、レーザー走査工程の後に、前記保護膜及びレーザービーム走査により生じた不要物を除去する保護膜等除去工程を有することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に記載の手段によれば、分離溝を用いて基板を素子ごとに分離する前に、分離線に対応するように、基板裏面に裏面溝を形成することを特徴とする。また、請求項６に記載の手段によれば、分離溝を用いて基板を素子ごとに分離する前に、基板を裏面から研磨により薄肉化して、基板表面に形成された分離溝のみにより基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とする。また、請求項７に記載の手段によれば、分離溝を用いて基板を素子ごとに分離する前に、基板を裏面から研磨により薄肉化した後、前記分離線に対応するよう、基板裏面に裏面溝を形成することを特徴とする。
【００１１】
【作用及び発明の効果】
レーザー走査により形成される分離溝を破線状又は点線状としたので、レーザー照射により形成される溶融部分の占有率を低下させることができる。これにより、発光素子の製造においては、レーザー走査により連続した分離溝を形成する場合に比較し、素子の側面の溶融物の付着領域の全側面に対する割合が減少するので光取り出し効率を向上させることができる。このとき、分離線上の隣り合う分離溝と分離溝の間は、基板が元の厚さのままで残っているので、ウエハ全体としての剛性を保つことができ、ウエハのハンドリングの容易性を維持することができる。よって、各分離溝の深溝加工が容易となり、ウエハのハンドリングの容易性と、個々の素子に分離する際の加工容易性を両立させることができる。また、分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層のうち基板に近い側の電極形成層のみが残された状態、又は分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層が無い状態とすることで、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層のレーザー走査による溶融物、反応物が、各々異なる電極と接触すべき層の間で短絡を生じることを防止することができる（請求項１）。
【００１２】
分離溝を形成する前に、エッチングにより基板に近い側の電極形成層の電極形成部を露出させる電極形成エッチング工程により、分離線上の他の電極層を除去すれば、レーザー走査により生じた溶融物によって異なる層間が短絡することを防ぐための半導体層除去工程を別に設ける必要がなく、作業工程が短縮できる（請求項２）。また、ダイシングにより少なくとも、素子形成側の基板の一部までを除去すれば、条件設定により基板表層を所望の深さに削ることが可能である（請求項３）。
【００１３】
保護膜を形成することで、レーザー走査により生じる基板やＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の溶融物、反応物が半導体素子に付着することを防止することができる。特に、各々異なる極性の電極と接触すべき層の間で短絡を生じることを防止することができる。このようにして、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の電気特性等に不具合を生じることなく、幅が一定で細く、深い分離溝を形成することができる。即ち、走査速度や多重回数で分離溝の深さを調整可能とし、幅が一定な、深い分離溝やウエハの厚さやウエハの反りに応じた深さの分離溝を容易に形成することができる。また、当該深い分離溝の形成に際しＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層と基板の剥離が生じない。同じ深さの分離溝の形成に必要な消耗品であるブレードや純水を削減することができ、製造コストを抑えることができる。現在既に２０μｍ以下のビーム径のレーザーが入手可能で、同じ深さの分離溝の形成の際にダイシングで生じる分離溝の幅より狭くでき、例えば発光素子においては発光面の間隔を６０μｍ以下とすることができる（請求項４）。
【００１４】
分離線に対応するよう、基板裏面に裏面溝を形成することで、確実に分離線に沿って分離面を形成することができる（請求項５）。また、基板を裏面から研磨により薄肉化すれば、基板表面に形成された分離溝のみにより容易に基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることも可能である（請求項６）。これらを組合わせて、基板を裏面から研磨により薄肉化した後、分離線に対応するよう、基板裏面に裏面溝を形成すれば、より確実に基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることができ、レーザー走査による表面側分離溝の形成において、分離溝を浅く且つレーザー走査を速くすることができる（請求項７）。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて本願発明の実施態様を説明する。尚、本願発明は以下の説明内容に限定されるものではない。また、各図においては、本発明の本質を説明するため、極めて簡略化した図を用いるが、以下に説明する通り、各図に基づいて、本発明は通常のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法に適用できるものである。
【００１６】
図１（ａ）は、レーザー走査により破線状の分離溝Ｌを形成した基板Ｓの断面の模式図である。破線状の分離溝Ｌは長さｌ_Ｌ、間隔ｌ_ｉｎｔで形成され、台形状の断面を有する。このような破線状の分離溝Ｌは、一定速度で基板Ｓを移動させて分離線上にレーザーを走査し、レーザー照射時間と停止時間の比をｌ_Ｌ：ｌ_ｉｎｔとすることにより形成される。図１（ａ）では、基板側から見て、即ち基板を停止させた場合の基板に対するレーザーの相対的走査方向を矢印で示している。レーザー照射開始位置においては、全く溶融が無い基板表面部分からレーザーによる溶融が開始するのでその溶融深さは小さい。一方、レーザー照射条件（エネルギー）と基板の移動速度及び熱伝導による熱損失のバランスから、溶融部の深さｄ_Ｌはある一定量に近づく。こうして溶融部の深さがほぼ一定量ｄ_Ｌであるような溶融部が連続して形成される。最後にレーザー照射を停止すると、その部分では溶融部の深さがｄ_Ｌとなる。こうして分離面（分離線を含み、ウエハ面に垂直な平面）での断面が台形状のレーザー溶融部が形成される。これはウエハ面側から見ると、破線状の分離溝となる。尚、分離溝Ｌのレーザー照射方向に並行な断面は図１（ａ）のような台形状に限定されず、図１（ｂ）のように矩形状であっても、また、図１（ｃ）のように鋭角三角形状であっても良く、レーザー走査条件の設定により、任意に形成できる。
【００１７】
以下に示す通り、ｌ_Ｌ：ｌ_ｉｎｔの比としては、１：６乃至３：４の実施例において素子特性が良好であったので、１：６乃至３：４の範囲で良好な特性を得られることは明らかと考えるが、１：８乃至１：１の範囲でも良好な結果が得られると考えられるのでこのような比の範囲で行うことが望ましい。矩形状の素子に分離するとして、各素子の一辺当たり、分離溝は平均１個以上とすることが好ましい。分離溝Ｌの深さｄ_Ｌは、のちの作業工程の条件との関係により所望の値とする。例えば図１（ａ）のように裏面から深さｄだけ基板Ｓを研磨して薄肉化する、裏面溝ｄ_ｓを形成するなどの場合には、分離溝Ｌの深さｄ_Ｌは極めて小さいものとすることも可能である。
【００１８】
破線状の分離溝Ｌの形成例を図１（ｄ）、（ｅ）に示す。破線状の円で囲んだ部分は、ＬＥＤ素子を間略して記載したものである。分離溝Ｌは、例えば図１（ｄ）のように各ＬＥＤ素子の４辺を囲む各分離線上に２個ずつ形成しても良い。あるいは図１（ｅ）のように各ＬＥＤ素子の４頂点を示すように２つの分離線の交点付近に十字型に２個ずつ形成しても良い。図１（ｄ）、（ｅ）は極めて正確な位置合わせをする図を示しているが、例えば「概略」各ＬＥＤ素子の４辺の分離線上に２個以上ずつ形成するとして、その位置合わせについては分離線上にあれば良く、各ＬＥＤ素子との関係では位置合わせにこだわらないものであっても本願発明に当然包含される。
【００１９】
図２（ａ）は図１（ｄ）の各ＬＥＤ素子を分離した後の１個のＬＥＤ素子の斜視図、図２（ｂ）は図１（ｅ）の各ＬＥＤ素子を分離した後の１個のＬＥＤ素子の斜視図である。いずれも１個のＬＥＤ素子の外周に形成される溶融部Ｍの占有する面積が外周全体の面積に対して小さいことがわかる。これは図３の（ａ）、（ｂ）と比較すると更に明らかである。例えば図３（ａ）のように、いわゆる「フルカット」のレーザー分離溝を形成した場合は各ＬＥＤ素子の外周全てが溶融部Ｍとして形成され、図３（ｂ）のように、いわゆる「ハーフカット」のレーザー分離溝を形成した場合は各ＬＥＤ素子の外周に一定幅の連続した溶融部Ｍが形成される。この時図３（ａ）、（ｂ）のＬＥＤ素子の発光効率は、レーザーを用いない従来の分離方法により得られたＬＥＤ素子の発光効率を１として、０．９〜０．９５と、発光効率の低下があり、溶融部Ｍが発光効率を低下させていることがわかる。
【００２０】
〔実施例〕
図４は本発明の具体的な実施例を説明するための工程図（断面図）である。厚さ約３００μｍのサファイア基板１上にＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層２を積層して、約３０００個のｐｎダブルヘテロ接合構造の青色ＬＥＤ素子を形成した。当該素子部分の積層構造については簡略化し１の符号２で示す。電極を含まないで、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の総膜厚は約５μｍである。まず、ダイヤモンドブレードを使用するダイサーによって、各格子内が１の青色ＬＥＤ素子となる格子枠状の分離線に沿って、最深部１０μｍ、幅約３０μｍの溝部を形成した。この時、溝部の最深部において、サファイア基板１は約５μｍ削除された。尚、図４の各図では当該溝部に沿った断面を示しているので、溝部自体は図４各図では示さない。
【００２１】
次に、透明樹脂４を素子形成面の全面に塗布し、硬化させた（図４の（ａ））。次にＹＡＧレーザーの第３次高調波（波長３５５ｎｍ）を用い、ビーム径約２０μｍのレーザービームを分離線に沿って照射し、溝部より更に５０μｍ〜８０μｍ深い破線状の分離溝Ｌを形成した（図４の（ｂ））。この後、サファイア基板１の裏面１１を研磨して薄肉化させ、１００μｍ厚の薄肉化ウエハ１０を得た（図４の（ｃ））。次に薄肉化ウエハ１０の裏面にスクライバーにより分離溝ｄ_ｓを形成した（図４の（ｄ））。この後、透明樹脂４を除去し、ローラーブレイキングによりサファイア基板を割り、個々の青色ＬＥＤ素子に分離した。破線状の分離溝Ｌの長さｌ_Ｌ及び間隔ｌ_ｉｎｔとを、ＬＥＤ素子の１辺３５０μｍに対し、長さｌ_Ｌを２５μｍ、間隔ｌ_ｉｎｔを１５０μｍとした場合、長さｌ_Ｌを５０μｍ、間隔ｌ_ｉｎｔを１２５μｍとした場合、長さｌ_Ｌを７５μｍ、間隔ｌ_ｉｎｔを１００μｍとした場合と変化させて実施したが、いずれも分離によるワレ、カケの不良品は１０個以下であった。また、レーザーを用いないで分離した青色ＬＥＤ素子の発光効率を１とした場合、本実施例の発光効率は０．９５以上で、レーザー溶融物による発光効率の悪化は無かった。このように、本願発明の破線状又は点線状の分離溝を形成することで溶融部面積の小さいＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を形成することができ、発光素子においては、発光効率の低下を抑制できる。
【００２２】
本実施例によるＬＥＤの製造工程における写真図を示す。図５はレーザー走査による分離溝の形成後の写真図、図６はローラーブレーキングにより個々のＬＥＤに分離した写真図、図７はそのＬＥＤの外周部の写真図であり、各図で（ａ）図は分離溝について長さｌ_Ｌを２５μｍ、間隔ｌ_ｉｎｔを１５０μｍとした場合、各図で（ｂ）図は、分離溝について長さｌ_Ｌを２５μｍ、間隔ｌ_ｉｎｔを１５０μｍ、とした場合である。いずれの場合も図６のようにワレ、カケを生じず、またその外周部における溶融部も図７のように面積の小さいものであることがわかる。
【００２３】
〔別断面からの説明〕
図８は、本発明の実施の形態を別方向の断面から説明する工程図（断面図）である。基板１ｓに、複数層のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を形成し、素子形成及び電極形成を行う。図８では、２つのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層２ｎと３ｐで代表させているが、これは短絡させてはいけない層を意味するのであって、２層のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層のみを意味するものではない。次に、分離線上に、エッチング又はダイサーによるダイシング等で、基板に近い側の電極形成層２ｎのみ基板上に残された状態を作る（図８の（ａ））。即ち、凹部Ａを形成する。ここで分離線とは、基板１ｓから全てのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を個々に分離するための理想の分離面（ただし基板１ｓ面に垂直）を、基板１ｓ表面側又は裏面側から見た場合の、格子枠状の線を意味する。図８の（ａ）では、基板に近い側の電極形成層２ｎのみ残す状態としたが、基板１ｓが露出するまで、或いは基板１ｓの表面の一部を取り除くまで、エッチング又はダイサーによるダイシング等を行って良いことはもちろんである。次に、レーザー照射により基板１ｓが溶融及び反応してその溶融物等が素子に付着することを防止するため、保護膜４を全表面に形成する（図８の（ｂ））。保護膜４は、レーザー走査による分離溝５の形成の際、レーザーが当たらない部分では容易には溶融しないものであって、後の工程で除去可能であり、半導体素子の特性に悪影響を及ぼさないものであれば任意のものが使用可能である。
【００２４】
次に、レーザーにより、基板１ｓに、破線状又は点線状の分離溝５を形成する（図８の（ｃ））。破線状又は点線状の分離溝５は格子枠状の分離線に沿って基板１ｓの表面側（素子を形成した側）に格子枠状に形成される。破線状又は点線状の分離溝５は、後の工程で研磨により基板１ｓを薄肉化した後の厚さの１／５程度以上の深さとすると良い。尚、基板１ｓの一部を取り除くまで、エッチング又はダイサーによるダイシング等を行う場合は、それにより取り除かれた基板１ｓの厚さとレーザー走査により削られた深さを併せた深さを、後の工程で研磨により基板１ｓを薄肉化した後の厚さの１／５程度以上の深さとすれば良い。次に、保護膜４を、レーザー照射により生成した基板や半導体の反応物とともに除去する（図８の（ｄ））。
【００２５】
次に、基板１ｓ裏面を研磨し、基板１ｓを薄肉化する（図８の（ｅ））。次に基板１ｓの裏面の格子枠状の分離線に対応する位置に、裏面溝６を形成する（図８の（ｆ））。裏面溝６の形成方法に関してはは破線状又は点線状の分離溝５と異なり、スクライバー等により浅い連続した溝を形成すれば良い。こののちローラーブレイキング等により格子枠状の分離線に沿って個々の素子に分離する。この場合、破線状又は点線状の分離溝５の深さは薄肉化した基板１ｓの１／５程度以上であるので、分離面７は確実に格子枠状の分離線に沿った、破線状又は点線状の分離溝５と裏面溝６とを接続したものとなる。即ち、斜め方向などの望ましくない方向に割れることが防止される（図８の（ｇ））。
【００２６】
〔変形例〕
図９は、本発明の変形例の形態を説明するための工程図（断面図）である。図８の第１の実施の形態同様、分離線上に、エッチング又はダイサーによるダイシング等で、基板に近い側の電極形成層２ｎのみ基板上残された状態を作る（図９の（ａ））。この場合、基板１ｓが露出するまで、或いは基板１ｓの表面の一部を取り除くまでエッチング又はダイサーによるダイシング等を行って良いことはもちろんである。次に、後の工程で除去可能な保護膜４を全表面に形成する（図９の（ｂ））。次に、本実施形態では、基板１ｓの厚さの１／５程度以上の深さの第１の溝５ｄを、格子枠状の分離線に沿って基板１ｓの表面側（素子を形成した側）に格子枠状に形成する（図９の（ｃ））。次に、保護膜４を、レーザー照射により生成した基板や半導体の反応物とともに除去する（図９の（ｄ））。
【００２７】
次に基板１ｓの裏面の格子枠状の分離線に対応するように、裏面溝６を形成する（図９の（ｅ））。裏面溝６の形成方法は第１の実施の形態におけるものと同様に、スクライバー等により浅い溝を形成すれば良い。こののちローラーブレイキング等により格子枠状の分離線に沿って個々の素子に分離する。破線状又は点線状の分離溝５ｄの深さが基板１ｓの１／５程度以上であるので、分離面７は確実に格子枠状の分離線に沿った、破線状又は点線状の分離溝５ｄと裏面溝６とを接続したものとなる（図９の（ｆ））。
【００２８】
〔別の変形例〕
図１０は、本発明の別の変形例の形態を説明するための工程図（断面図）である。図９の変形例の形態同様、分離線上に、エッチング又はダイサーによるダイシング等で、基板に近い側の電極形成層２ｎのみ残された状態を作る（図１０の（ａ））。この場合、基板１ｓが露出するまで、或いは基板１ｓの表面の一部を取り除くまでエッチング又はダイサーによるダイシング等を行って良いことはもちろんである。次に、後の工程で除去可能な保護膜４を全表面に形成する（図１０の（ｂ））。次に、後の工程で研磨により基板１ｓを薄肉化した後の厚さ程度以上の深さの第１の溝５ｄを、格子枠状の分離線に沿って基板１ｓの表面側（素子を形成した側）に格子枠状に形成する（図１０の（ｃ））。次に、保護膜４を、レーザー照射により生成した基板や半導体の反応物とともに除去する（図１０の（ｄ））。
【００２９】
次に、１枚の粘着シート８を基板１ｓ表面全体に貼り付け、裏返して基板１ｓ裏面を研磨し、基板１ｓを裏面側から薄肉化する（図１０の（ｅ））。基板１ｓを薄肉化して、破線状又は点線状の分離溝５の深さ以下にまで薄肉化すれば、確実に格子枠状の分離線に沿った、破線状又は点線状の分離溝５により個々の素子が分離できる（図１０の（ｆ））。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態を説明するための模式図、（ｂ）、（ｃ）は分離溝の断面の他の例、（ｄ）、（ｅ）は破線状の分離溝Ｌの形成例を示す模式図。
【図２】（ａ）は図１（ｄ）の、（ｂ）は図１（ｅ）の、各ＬＥＤ素子を分離した後の１個のＬＥＤ素子の斜視図。
【図３】（ａ）は「フルカット」のレーザー分離溝により分離したＬＥＤの斜視図、（ｂ）は「ハーフカット」のレーザー分離溝により分離したＬＥＤの斜視図。
【図４】本発明の具体的な実施例を説明するための工程図（断面図）。
【図５】実施例におけるレーザー走査後の写真図。
【図６】実施例におけるローラブレーキング後の写真図。
【図７】実施例における各ＬＥＤ素子の外周部の写真図。
【図８】別段面から本発明の実施の形態を説明するための工程図（断面図）。
【図９】変形例の形態を説明するための工程図（断面図）。
【図１０】別の変形例の実施の形態を説明するための工程図（断面図）。
【符号の説明】
１、１ｓ基板
２積層したＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層
２ｎ基板に近い電極形成層（ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層）
３ｐＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層
４保護膜
５、５ｄ分離溝
６裏面溝
７分離面
８粘着シート

Claims

基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、
分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層のうち前記基板に近い側の電極形成層のみが残された状態、又は分離線上のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層が無い状態とする半導体層除去工程と、
分離線に沿ってレーザービームを走査して破線状又は点線状の分離溝を形成するレーザー走査工程とを有し、
分離線に沿ってレーザービームの走査により形成された破線状又は点線状の分離溝を用いて基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記半導体層除去工程は、エッチングにより前記電極形成層の電極形成部を露出させる電極形成エッチング工程により行われることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記半導体層除去工程は、ダイシングにより、分離線上の素子形成側の前記基板の一部まで除去することを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記レーザー走査工程の前に、基板表面側に形成された層を覆う、後の工程で除去可能な保護膜を形成する保護膜形成工程を有し、
前記レーザー走査工程の後に、前記保護膜及びレーザービーム走査により生じた不要物を除去する保護膜等除去工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記分離溝を用いて前記基板を素子ごとに分離する前に、前記分離線に対応するように、基板裏面に裏面溝を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記分離溝を用いて前記基板を素子ごとに分離する前に、前記基板を裏面から研磨により薄肉化して、基板表面に形成された前記分離溝のみにより基板を素子ごとに分離して個々のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記分離溝を用いて基板を素子ごとに分離する前に、前記基板を裏面から研磨により薄肉化した後、前記分離線に対応するよう、基板裏面に裏面溝を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。