JP4630731B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Description
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの厚さ方向中間部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの厚さ方向中間部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの少なくとも一方の面付近における該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差部に照射し、ウエーハの少なくとも一方の面に間欠的に露出する露出変質層を形成する露出変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層および露出変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該露出変質層を割断起点として該内部変質層に沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
内部変質層形成工程と露出変質層形成工程を分割予定ライン方向に沿って交互に実施することにより、交差部間においてはウエーハの厚さ方向中間部に内部変質層を形成し、交差部においてはウエーハの表面に露出する露出変質層を形成し、パルスレーザー光線の集光点を上下に移動させて内部変質層及び露出変質層を形成するようにした、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
該露出変質層形成工程を実施する該交差部と該端部との間及び交差部間は、パルスレーザー光線の集光点をカーブを描いて上下に移動して該内部変質層形成工程を実施することが望ましい。
図3には、本発明によるウエーハの分割方法よって分割される被加工物としての半導体ウエーハ20の斜視図が示されている。図3に示す半導体ウエーハ20は、例えば厚さが300μmのシリコンウエーハからなっており、表面20aに互いに平行に形成された複数の第1の分割予定ライン21と該第1の分割予定ライン21と直角に交差し互いに平行に形成された複数の第2の分割予定ライン22とによって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス23が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ20は、図4に示すように環状のフレーム30に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ40に表面20a側を貼着する。従って、半導体ウエーハ20は、裏面20bが上側となる。
なお、半導体ウエーハ20に形成された第1の分割予定ライン21に対する加工送り開始位置座標値(A1〜An)と交差点座標値(E1,E2,E3・・・En)および加工送り終了位置座標値(B1〜Bn)および第2の分割予定ライン22に対する加工送り開始位置座標値(C1〜Cn)と交差点座標値(F1,F2,F3・・・Fn)および加工送り終了位置座標値(D1〜Dn)は、半導体ウエーハ20の設計値を予めリードオンリメモリ(ROM)102またはランダムアクセスメモリ(RAM)103に格納しておき、上述した分割予定ライン検出工程を省略してもよい。
変質層形成工程は、先ずチャックテーブル36を移動して図5の(a)において最上位の第1の分割予定ライン21をレーザー光線照射手段52の集光器8の直下に位置付ける。そして、更に図7で示すように第1の分割予定ライン21の一端(図7において左端)である加工送り開始位置座標値(A1)(図5の(a)参照)を集光器8の直下に位置付ける。そして、集光器8から被加工物である半導体ウエーハ20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36即ち半導体ウエーハ20を図7において矢印X1で示す方向に加工送りする。そして、第1の分割予定ライン21の他端(図7において右端)即ち加工送り終了位置座標値(B1)がレーザー光線照射手段52の集光器8の照射位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36即ち半導体ウエーハ20の加工送りを停止する。
図8に示す第1の実施形態においては、加工送り開始位置座標値(A1)ではパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の厚さ方向中間部に合わせる。この結果、半導体ウエーハ20の厚さ方向中間部には、第1の分割予定ライン21に沿って内部変質層210が形成される(内部変質層形成工程)。そして、上記交差点座標値(E1)が集光器8の直下に達したら、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の表面20a(下面)付近に合わせる。この集光点Pの変更は制御手段10により上述した集光点深さ変位手段71のガルバノスキャナー715、716を制御することによって行われる。この結果、半導体ウエーハ20の交差点座標値(E1)には表面20a(下面)に露出する露出変質層220が形成される(露出変質層形成工程)。このように内部変質層形成工程と露出変質層形成工程を交互に実施することにより、交差点座標値間においては半導体ウエーハ20の厚さ方向中間部に内部変質層210が形成され、交差点座標値(E1,E2,E3・・・En)においては半導体ウエーハ20の表面20a(下面)に露出する露出変質層220が形成される。この内部変質層210および露出変質層220は、溶融再固化層、クラック層として形成され、強度を低下せしめられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nm
パルス出力 :10J
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 :40nm
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
図9に示す実施形態は、交差点座標値E(F)においてパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の裏面2b(上面)付近に合わせ露出変質層形成工程実施することにより、半導体ウエーハ20の裏面2b(上面)に露出する露出変質層220を形成する。なお、内部変質層形成工程は、上記図8に示す第1の実施形態と同じでよい。
図10に示す実施形態は、交差点座標値E(F)においてパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の表面20a(下面)付近と裏面2b(上面)付近に合わせ露出変質層形成工程実施することにより、半導体ウエーハ20の表面20aおよび裏面2b(上面)に露出する露出変質層220、220を形成する。なお、内部変質層形成工程は、上記図8に示す第1の実施形態と同じでよい。
図11に示す実施形態は、加工送り開始位置座標値A(C)と加工送り終了位置座標値B(D)および交差点座標値E(F)においてパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の表面20a(下面)付近と裏面2b(上面)付近に合わせ露出変質層形成工程実施する。この結果、加工送り開始位置座標値A(C)と加工送り終了位置座標値B(D)および交差点座標値E(F)に半導体ウエーハ20の表面20aおよび裏面2b(上面)に露出する露出変質層220、220を形成する。なお、内部変質層形成工程は、上記図8に示す第1の実施形態と同じでよい。
図12に示す実施形態は、加工送り開始位置座標値A(C)と加工送り終了位置座標値B(D)および交差点座標値E(F)においてパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ20の表面20a(下面)付近に合わせ露出変質層形成工程実施する。そして、上記各座標値間は、パルスレーザー光線の集光点Pをカーブを描いて上下に移動して内部変質層形成工程を実施する。この結果、加工送り開始位置座標値A(C)と加工送り終了位置座標値B(D)および交差点座標値E(F)に半導体ウエーハ20の表面20aおよび裏面2b(上面)に露出する露出変質層220が形成されるとともに、上記各座標値間に半導体ウエーハ20の厚さ方向中間部に内部変質層210が形成され、半導体ウエーハ20の内部には露出変質層220と内部変質層210とによってブリッジ状の変質層が形成される。
即ち、保持テープ40に貼着された半導体ウエーハ20(第1の分割予定ライン21および第2の分割予定ライン22に沿って内部変質層210および露出変質層220が形成されている)を柔軟なゴムシート上に載置し、その上面をローラーによって押圧することによって、半導体ウエーハ20を内部変質層210および露出変質層220が形成され強度が低下した第1の分割予定ライン21および第2の分割予定ライン22に沿って割断する方法を用いることができる。また、内部変質層210および露出変質層220が形成され強度が低下した分割予定ライン21および22に沿って例えば周波数が28kHz程度の縦波(疎密波)からなる超音波を作用せしめる方法や、内部変質層210および露出変質層220が形成され強度が低下した第1の分割予定ライン21および第2の分割予定ライン22に沿って押圧部材を作用せしめる方法、或いは内部変質層210および露出変質層220が形成され強度が低下した第1の分割予定ライン21および第2の分割予定ライン22に沿ってレーザー光線を照射してヒートショックを与える方法等を用いることができる。
また、上述した各実施形態においては、第1の分割予定ライン21と第2の分割予定ライン22との交差点に露出変質層220を形成する例を示したが、ウエーハの厚さが200μm以上と比較的厚い場合には、交差点以外の領域に所定の間隔で間欠的に露出変質層を形成してもよい。
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
6:パルスレーザー光線発振手段
7:光学伝送手段
71:集光点深さ変位手段
8:集光器8
81:集光レンズ
9:撮像手段
10:制御手段
20:半導体ウエーハ
21:第1の分割予定ライン
22:第2の分割予定ライン
23:デバイス
30:環状のフレーム
40:保護テープ
60:分割装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
63:支持手段
Claims (2)
- 表面に互いに平行に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差し互いに平行に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの厚さ方向中間部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの厚さ方向中間部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの少なくとも一方の面付近における該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差部に照射し、ウエーハの少なくとも一方の面に間欠的に露出する露出変質層を形成する露出変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層および露出変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該露出変質層を割断起点として該内部変質層に沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
内部変質層形成工程と露出変質層形成工程を分割予定ライン方向に沿って交互に実施することにより、交差部間においてはウエーハの厚さ方向中間部に内部変質層を形成し、交差部においてはウエーハの表面に露出する露出変質層を形成し、
パルスレーザー光線の集光点を上下に移動させて内部変質層及び露出変質層を形成するようにした、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該露出変質層形成工程は、該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインの端部において実施し、
該露出変質層形成工程を実施する該交差部と該端部との間及び交差部間は、パルスレーザー光線の集光点をカーブを描いて上下に移動して該内部変質層形成工程を実施する、
ようにした請求項1に記載のウエーハの分割方法。
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