JP2019197802A - Ｄａｆ - Google Patents

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卓 岡村
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良彰 淀
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Abstract

【課題】被加工物を加工する際の所要時間を抑制しつつ、デバイスチップ毎に容易に分割することができるＤＡＦを提供すること。【解決手段】ウエーハから分割されたデバイスチップを被固定部材に固定するためのＤＡＦ１１５であって、内部に破断起点となる改質層２０が形成されている。この改質層２０がスポット状に形成されている。ＤＡＦ１１５は、エキスパンドテープ１１７の上に積層されて該エキスパンドテープ１１７と一体に成形されている。【選択図】図３

Description

本発明は、ＤＡＦに関する。
半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどの被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを基板などに固定するためのＤＡＦ（Die Attached Film）が用いられている（例えば、特許文献１参照）。被加工物の加工方法の１つとして知られるＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）工程は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にＤＡＦ及びエキスパンドテープを貼着した後に、エキスパンドテープを拡張して、被加工物を個々のデバイスチップに分割するとともに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割する。
また、特許文献１などに記載された被加工物の加工方法であるＤＢＧ（Dicing Before Grinding）と、ＤＡＦをレーザー光線などにより切断する工程とを組み合わせた工程は、個々のデバイスチップに分割された被加工物の裏面にＤＡＦを貼着した後に、分割溝から露出するＤＡＦをアブレーション加工などでデバイスチップ毎に分割する。
特開２０１５−２０７７２４号公報
ＳＤＢＧ工程では、加工条件によっては、ＤＡＦをデバイスチップ毎に完全に分割できないおそれがある。また、ＤＢＧとＤＡＦの切断とを組み合わせた工程では、被加工物の裏面を研削する際にデバイスチップが僅かに動いて、該デバイスチップの並びにずれが生じる。このため、デバイスチップのずれに応じたアライメント及びＤＡＦを分割するためのアブレーション加工などにより、被加工物を加工する際の所要時間が長時間化する。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、被加工物を加工する際の所要時間を抑制しつつ、デバイスチップ毎に容易に分割することができるＤＡＦを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るＤＡＦは、内部に破断起点となる改質層が形成されていることを特徴とするものである。
この構成によれば、被加工物に貼着される前の状態でＤＡＦの内部に破断起点となる改質層が形成されているため、被加工物を加工する際の所要時間が長時間化することを抑制できるとともに、ＤＡＦをチップ毎に容易に分割することができる。
この構成において、該改質層がスポット状に形成されていてもよい。また、貼着対象の被加工物と同形であり、該改質層は、中央部が外周部より多い構成としてもよい。ここで、改質層が多いとは、ＤＡＦの中央部に対応する領域における改質層の割合が、ＤＡＦの外周部に対応する領域における改質層の割合よりも大きいことをいう。
また、該改質層として該ＤＡＦの表面に露出する位置に形成された第１改質層と、該改質層として該ＤＡＦの裏面に露出する位置に形成された第２改質層とを備え、該第１改質層と該第２改質層とが交互に形成されていてもよい。
また、エキスパンドテープの上に積層されて該エキスパンドテープと一体に成形されていてもよい。また、該ＤＡＦは、ロール状に巻回されていてもよい。
本発明によれば、被加工物に貼着される前の状態でＤＡＦの内部に破断起点となる改質層が形成されているため、被加工物を加工する際の所要時間が長時間化することを抑制できるとともに、ＤＡＦをチップ毎に容易に分割することができる。
図１は、実施形態１に係るＤＡＦを有する粘着シートの一例を示す斜視図である。 図２は、図１のＩ−Ｉ断面図である。 図３は、ＤＡＦに形成された改質層の一例を示す平面図である。 図４は、ＤＡＦが貼着される被加工物の一例を示す斜視図である。 図５は、ＤＡＦ及びエキスパンドテープが貼着された被加工物の一例を示す斜視図である。 図６は、実施形態２に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。 図７は、実施形態２に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。 図８は、実施形態３に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。 図９は、実施形態３に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。 図１０は、実施形態４に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す図である。 図１１は、実施形態４に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分断面図である。 図１２は、実施形態５に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。 図１３は、実施形態５に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。 図１４は、レーザー加工装置の概略構成を示す斜視図である。 図１５は、レーザー加工装置の一部を図１４に示すＹ軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示す図である。 図１６は、レーザー光線照射ユニットの構成の一例を示す図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
［実施形態１］
実施形態１に係るＤＡＦ（Die Attached Film；ダイアタッチフィルム）について説明する。図１は、実施形態１に係るＤＡＦを有する粘着シートの一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩ−Ｉ断面図である。図３は、ＤＡＦに形成された改質層の一例を示す平面図である。図４は、ＤＡＦが貼着される被加工物の一例を示す斜視図である。図５は、ＤＡＦ及びエキスパンドテープが貼着された被加工物の一例を示す斜視図である。
本実施形態において、ＤＡＦが貼着される被加工物としてのウエーハ１２１は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ１２１は、図４に示すように、表面１２１Ａと裏面１２１Ｂとを有し、表面１２１Ａに形成された複数の分割予定ライン１０２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス１０３が形成されている。これらの分割予定ライン１０２は、互いに直交して格子状に配置されており、ウエーハ１２１は、既存の加工方法（例えば、ＳＤＢＧ工法もしくはＤＢＧ工法）によって、分割予定ライン１０２に沿って各デバイスチップに分割される。
粘着シート１１１は、図１に示すように、剥離シート１１３と、ＤＡＦ１１５と、エキスパンドテープ１１７とを備える。粘着シート１１１は、ＤＡＦ１１５とエキスパンドテープ１１７とが一体に成形された複合タイプのシートである。粘着シート１１１（エキスパンドテープ１１７）は、長尺に形成されてロール状に巻き付けられている。粘着シート１１１は、例えば、加熱された樹脂が第１の方向１０に沿って移動されながら第１の方向１０と該第１の方向１０に対して直交する第２の方向１１とに延伸されて、第１ローラ１０６に巻き付けられる。本実施形態では、第１の方向１０は、所謂流れ方向（ＭＤ：Machine Direction方向）であり、第２の方向１１は、所謂垂直方向（ＴＤ：Transverse Direction方向）である。
エキスパンドテープ１１７は、図２に示すように、合成樹脂で構成された樹脂層１１７ａ及び粘着層１１７ｂを有する。粘着層１１７ｂは、樹脂層１１７ａに積層される。樹脂層１１７ａには厚さ１００μｍ程度のポリオレフィンなどを用いることができ、粘着層１１７ｂには厚さ１０μｍ程度のアクリル樹脂系の糊などを用いることができる。本実施形態では、粘着層１１７ｂは、例えば、所定波長（３００〜４００ｎｍ）の紫外線を照射することによって粘着力が低下する粘着材料が用いられている。
ＤＡＦ１１５は、ダイボンティング用のフィルム状の粘着性部材であり、エキスパンドテープ１１７の粘着層１１７ｂに予め積層される。ＤＡＦ１１５は、図１に示すように、上記した第１の方向１０に所定の間隔を空けてエキスパンドテープ１１７の上に複数設けられる。ＤＡＦ１１５は、例えばアクリル系接着剤や、ポリイミド系接着剤などを用いることができ、エキスパンドテープ１１７の粘着層１１７ｂの上に配置される。本実施形態では、ＤＡＦ１１５は、貼着されるウエーハ１２１と同形である円盤状の外形を有し、図５に示すウエーハ１２１の裏面１２１Ｂに貼着される。ＤＡＦ１１５は、ウエーハ１２１の裏面全体を覆った状態でウエーハ１２１に貼着できるように、ウエーハ１２１が有する直径よりも長い直径を有する。また、ＤＡＦ１１５が積層されたエキスパンドテープ１１７は、所定長さ及び所定形状（円盤状）に切断されて、エキスパンドテープ１１７の外周部がウエーハ１２１の周囲に載置される環状のフレーム１３３に貼着される。
ウエーハ１２１及びフレーム１３３に、ＤＡＦ１１５及びエキスパンドテープ１１７を貼着することにより、図５に示す板状物（フレームユニット）２００が生成される。エキスパンドテープ１１７は、ＤＡＦ１１５を介してウエーハ１２１に間接的に貼着し、また、フレーム１３３に直接貼着される。ＤＡＦ１１５及びエキスパンドテープ１１７を貼着することにより、ウエーハ１２１はフレーム１３３に内側に支持された状態となる。すなわち、ウエーハ１２１及びフレーム１３３は、ＤＡＦ１１５及びエキスパンドテープ１１７（粘着シート１１１）を介して一体化された部材となる。
ウエーハ１２１の表面１２１Ａに、分割予定ライン１０２に沿って切削された溝（図示せず）が形成されるＤＧＢ加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割された状態のウエーハ１２１の裏面１２１Ｂに粘着シート１１１が貼着された板状物２００が生成される。また、ウエーハ１２１の内部に、分割予定ライン１０２に沿った改質層が形成されるＳＤＢＧ加工が実施される場合、複数のデバイスチップに分割される前の状態のウエーハ１２１の裏面１２１Ｂに粘着シート１１１が貼着された板状物２００が生成される。板状物２００において、ＤＡＦ１１５はウエーハ１２１の裏面１２１Ｂの全体を覆うように貼着される。なお、ウエーハ１２１の表面１２１Ａには、粘着シート１１１を貼着する前に表面保護部材（図示せず）が貼着される。
剥離シート１１３は、図１及び図２に示すように、ＤＡＦ１１５及びエキスパンドテープ１１７を覆うように、ＤＡＦ１１５及びエキスパンドテープ１１７に重畳される。剥離シート１１３は、貼着前のＤＡＦ１１５及び粘着層１１７ｂの表面を保護し、ウエーハ１２１及びフレーム１３３に貼着する際に剥離されて、ＤＡＦ１１５及び粘着層１１７ｂの表面を露出する。
粘着シート１１１のＤＡＦ１１５には、図２及び図３に示すように、該ＤＡＦ１１５の内部に改質層２０が形成されている。改質層２０とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった変質領域であり、例えば、ＤＡＦ１１５を拡張処理した場合の破断起点となる。改質層２０は、例えば、ＤＡＦ１１５に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該ＤＡＦ１１５に照射することにより形成される。改質層２０は、平面視でＤＡＦ１１５の全面に形成されており、図３の例では、レーザー光線をスポット状に照射することにより、スポット状の改質層２０がＤＡＦ１１５の内部に、上記した第１の方向１０及び第２の方向１１に沿ってそれぞれ間欠的に形成されている。この構成によれば、ウエーハ１２１に貼着する前にＤＡＦ１１５の内部に改質層２０が予め形成されているため、従来のようにアブレーション加工などによりＤＡＦ１１５を切断する工程を備える場合と比較して、ウエーハ１２１に貼着されたＤＡＦ１１５をデバイスチップごとに分割する時間を抑制でき、結果として、ＤＡＦ１１５が貼着されたウエーハ１２１を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。
また、例えば、ＤＡＦ１１５に貼着されるウエーハ１２１に形成された隣接する分割予定ライン１０２の間隔Ｌ１（図５）が予め判明している場合、第１の方向１０及び第２の方向１１に沿って延びる一連の改質層２０のラインの間隔Ｌａを、分割予定ライン１０２の間隔Ｌ１と同等にして改質層２０を形成することが好ましい。この構成によれば、ウエーハ１２１に貼着されたＤＡＦ１１５の改質層２０は、ウエーハ１２１の分割予定ライン１０２に相当する位置に形成されるため、より効率良く、ＤＡＦ１１５が貼着されたウエーハ１２１を分割することができる。
また、上記した一連の改質層２０のラインの間隔Ｌａは、ウエーハ１２１の分割予定ライン１０２の幅Ｌ２に対して、
１／２Ｌ２≦Ｌａ＜Ｌ２ （１）
を満たすように形成してもよい。この構成によれば、一連の改質層２０のラインの間隔Ｌａは、ウエーハ１２１の分割予定ライン１０２の幅Ｌ２よりも小さいため、ＤＡＦ１１５の改質層２０は、分割予定ライン１０２に対応する位置に形成されることにより、ウエーハ１２１に貼着されたＤＡＦ１１５をデバイスチップごとに容易に分割することができる。また、一連の改質層２０のラインの間隔Ｌａを、ウエーハ１２１の分割予定ライン１０２の幅Ｌ２の１／２以上とすることにより、ＤＡＦ１１５に形成される改質層２０を抑制することができ、該改質層２０を形成する工程の長時間化を抑制できる。
［実施形態２］
次に、実施形態２に係るＤＡＦについて説明する。図６は、実施形態２に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。図７は、実施形態２に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。この実施形態２では、改質層２０が形成されるパターンが上記した実施形態１と異なり、その他の構成は同一であるため、同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１では、ＤＡＦ１１５の内部に、スポット状の改質層２０が第１の方向１０及び第２の方向１１に沿ってそれぞれ間欠的に形成されている構成を説明したが、この実施形態２に係るＤＡＦ１１５Ａは、図６及び図７に示すように、該ＤＡＦ１１５Ａの内部に形成されたスポット状の改質層２０が第１の方向１０及び第２の方向１１に沿ってそれぞれ連なっている。この構成によれば、スポット状の改質層２０が第１の方向１０及び第２の方向１１に沿ってそれぞれ連なっているため、ＤＡＦ１１５が貼着されたウエーハ１２１を実施形態１のＤＡＦ１１５より容易に分割することができる。
［実施形態３］
次に、実施形態３に係るＤＡＦについて説明する。図８は、実施形態３に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。図９は、実施形態３に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。この実施形態３についても、改質層２０が形成されるパターンが上記した実施形態１と異なり、その他の構成は同一であるため、同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１，２では、第１の方向１０及び第２の方向１１に沿って延びる改質層２０のラインの間隔Ｌａは、いずれも同一に形成されている構成を説明したが、この実施形態３に係るＤＡＦ１１５Ｂは、図８に示すように、第１の方向１０及び第２の方向１１に沿って延びる改質層２０のラインの間隔Ｌａを異ならせている。また、各ライン上に形成される改質層２０の間隔Ｌｂを相互に異ならせている。この構成によれば、ＤＡＦ１１５Ｂに対して、レーザー光線を照射する際の照射条件、及び、例えば、レーザー照射装置に対する粘着シート１１１の送り速度条件などを厳密に管理する必要がなく、ＤＡＦ１１５Ｂの内部に改質層２０を簡易に形成することができる。この場合であっても、改質層２０のラインの間隔Ｌａは、上記した式（１）を満たすことが好ましい。これによれば、改質層２０のラインの間隔Ｌａが異なったとしても、分割予定ライン１０２に対応する位置に、少なくとも１つの改質層２０のラインが形成されることにより、ウエーハ１２１に貼着されたＤＡＦ１１５Ｂをデバイスチップごとに容易に分割することができる。なお、この実施形態３では、上記ライン上に間隔Ｌｂを設けて改質層２０を形成しているが、これら改質層２０を連なるように形成しても勿論よい。
［実施形態４］
次に、実施形態４に係るＤＡＦについて説明する。図１０は、実施形態４に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す図である。図１１は、実施形態４に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分断面図である。この図１１では、説明の便宜上、第１の方向１０に沿って延びる改質層２０のみを描いているが、第２の方向１１に沿って延びる改質層２０を備えることができることは勿論である。この実施形態４についても、改質層２０が形成されるパターンが上記した実施形態１と異なり、その他の構成は同一であるため、同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
この実施形態４に係るＤＡＦ１１５Ｃは、図１０及び図１１に示すように、中央部１１５Ｃ１と外周部１１５Ｃ２とを備え、ＤＡＦ１１５Ｃの中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０の割合が、ＤＡＦＣの外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０の割合よりも大きい。すなわち、外周部１１５Ｃ２に対応する領域よりも中央部１１５Ｃ１に対応する領域における単位体積あたりの改質層２０の体積（量）が大きい。更に言い換えれば、ＤＡＦ１１５Ｃの中央部１１５Ｃ１には改質層２０が密に形成され、外周部１１５Ｃ２には中央部１１５Ｃ１よりも改質層２０が疎に形成されている。
ＤＡＦ１１５の中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０の割合を外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０の割合よりも大きく形成するには、例えば、レーザー照射装置に対する粘着シート１１１の送り速度を、外周部１１５Ｃ２よりも中央部１１５Ｃ１で遅くすれば、レーザー照射条件を変更しなくとも可能である。また、中央部１１５Ｃ１にレーザー光線の出力（パワー）を外周部１１５Ｃ２よりも強くすることによっても可能である。改質層２０の量は、一般に、レーザー光線の出力の大きさに依存する傾向にあるため、より出力の大きなレーザー光線を照射することにより、中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０の割合を外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０の割合よりも大きく形成することができる。
同様に、ＤＡＦ１１５Ｃの中央部１１５Ｃ１に対応する領域に照射されるレーザー光線の集光点をＤＡＦ１１５Ｃの厚み方向に変更し、中央部１１５Ｃ１に対応する領域の厚み方向に形成される改質層の本数を、外周部１１５Ｃ２に対応する領域に形成される改質層の本数よりも多くすることもできる。改質層の本数が増えれば、その分、改質層の割合が増えるため、中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０の割合を外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０の割合よりも大きく形成することができる。また、中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０のラインの間隔Ｌａを、外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０のラインの間隔Ｌａよりも狭めて、中央部１１５Ｃ１に対応する領域に形成される改質層２０の割合を増やしてもよい。さらに、中央部１１５Ｃ１に対応する領域におけるレーザー光線の繰り返し周波数を、外周部１１５Ｃ２に対応する領域におけるレーザー光線の繰り返し周波数よりも高くしてもよい。
一般に、ＤＡＦを径方向に拡張することにより該ＤＡＦを分割する場合、ＤＡＦの中央部の方が外周部よりも拡張されにくいため、中央部が分割されにくい傾向にある。実施形態４によれば、ＤＡＦ１１５の中央部１１５Ｃ１に対応する領域における改質層２０の割合を外周部１１５Ｃ２に対応する領域における改質層２０の割合よりも大きく形成しているため、中央部１１５Ｃ１に対応する領域が外周部１１５Ｃ２に対応する領域よりも分割し易くなる。このため、ＤＡＦ１１５を径方向に拡張することにより該ＤＡＦ１１５を分割する際に、ＤＡＦ１１５の中央部１１５Ｃ１の未分割を防ぐことができる。
［実施形態５］
次に、実施形態５に係るＤＡＦについて説明する。図１２は、実施形態５に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大図である。図１３は、実施形態５に係るＤＡＦに形成された改質層のパターンを示す部分拡大断面図である。この図１２では、説明の便宜上、第１の方向１０に沿って延びる改質層２０のみを描いているが、第２の方向１１に沿って延びる改質層２０を備えることができることは勿論である。この実施形態５ついても、改質層２０が形成されるパターンが上記した実施形態１と異なり、その他の構成は同一であるため、同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
この実施形態５に係るＤＡＦ１１５Ｄは、図１２及び図１３に示すように、改質層２０としてＤＡＦ１１５Ｄの表面１１５Ｄ１に露出する位置に形成された第１改質層２０Ａと、ＤＡＦ１１５Ｄの裏面１１５Ｄ２（粘着層１１７ｂ側）に露出する位置に形成された第２改質層２０Ｂとを備える。また、第１改質層２０Ａと第２改質層２０Ｂとは、これら第１改質層２０Ａと第２改質層２０Ｂが延びるライン上において交互に形成されている。
第１改質層２０Ａは、レーザー光線の焦点（集光点）をＤＡＦ１１５Ｄの表面１１５Ｄ１に合わせて照射することにより形成される。また、第２改質層２０Ｂは、レーザー光線の焦点（集光点）をＤＡＦ１１５Ｄの裏面１１５Ｄ２に合わせて照射することにより形成される。この構成によれば、第１改質層２０Ａ及び第２改質層２０Ｂが、それぞれＤＡＦ１１５Ｄの異なる厚み位置に形成されるため、例えば、ＤＡＦの内部に改質層が形成された場合と比較して、破断起点が増えるためＤＡＦ１１５Ｄを容易に分割することができる。また、改質層が延びるラインにおいて、ＤＡＦの表面及び裏面の両側から同じ位置に改質層が形成されていると、その部分の強度が低くなり、ＤＡＦ貼着時にＤＡＦが破損してしまう可能性がある。これに対して、この構成では、第１改質層２０Ａと第２改質層２０Ｂとは、該第１改質層２０Ａ及び第２改質層２０Ｂが延びるライン上において交互に形成されているため、ＤＡＦ１１５Ｄの強度と分割のしやすさとを両立することができる。
次に、上記した実施形態のＤＡＦ１１５，１１５Ａ〜１１５Ｄに改質層２０を形成するためのレーザー加工装置について説明する。図１４は、レーザー加工装置の概略構成を示す斜視図である。図１５は、レーザー加工装置の一部を図１４に示すＹ軸方向に平行な方向から見たときの概略構成を示す図である。図１４及び図１５においては、本実施形態に係るレーザー加工装置の構成の一部を適宜省略して示す。また、図１４及び図１５においては、レーザー加工装置のＸ軸方向は、上記した粘着シート１１１の第１の方向１０に平行な方向と一致し、レーザー加工装置のＹ軸方向は、上記した粘着シート１１１の第２の方向１１に平行な方向と一致し、レーザー加工装置のＺ軸方向は、上記した粘着シート１１１の第１の方向１０及び第２の方向１１に対してそれぞれ垂直な方向に平行な方向と一致する。
レーザー加工装置１は、本体部１５と、本体部１５から立設した壁部１２と、壁部１２からに連なって延びるアーム部１３とを有する。アーム部１３の先端部には、レーザー光線照射ユニット１５０及び撮像装置１５４が取り付けられる。
レーザー加工装置１は、本体部１５の上方に、ロール状に巻かれた状態で上記した粘着シート１１１がセットされる第１ローラ１０６が配置される。第１ローラ１０６には、粘着シート１１１が本体部１５の上面と平行に向い合わされた状態で送り出されるように、粘着シート１１１がセットされる。第１ローラ１０６は、粘着シート１１１を送り出す送り出し手段として機能する。本体部１５は、案内機構Ｇ１及び案内機構Ｇ２を有する。案内機構Ｇ１及び案内機構Ｇ２は、案内機構Ｇ１及び案内機構Ｇ２で、粘着シート１１１の幅方向両側から粘着シート１１１を挟み込むようにして、本体部１５の上面に設置される。
第１ローラ１０６の下方には、第２ローラ１１２と第３ローラ１１４とが配置される。第２ローラ１１２の円筒状の外周面及び第３ローラ１１４の円筒状の外周面は、第２ローラ１１２と第３ローラ１１４との間に挿通される粘着シート１１１を介して間接的に接している。第２ローラ１１２は、図示しない駆動機構によって粘着シート１１１の送り方向ｄ１に垂直な回転軸周りに回転できる。第２ローラ１１２は、粘着シート１１１を送り出すとき、方向ｒ１に向かって回転する。第３ローラ１１４は、Ｘ軸方向に平行な方向に沿って第２ローラ１１２と隣接して配置される。第３ローラ１１４は第２ローラ１１２の回転運動に従って動作する。
第２ローラ１１２及び第３ローラ１１４から、Ｘ軸方向に平行な方向にやや間隔を空けて、第４ローラ１１６及び第５ローラ１１８が配置される。第４ローラ１１６の円筒状の外周面及び第５ローラ１１８の円筒状の外周面は、第４ローラ１１６と第５ローラ１１８との間に挿通される粘着シート１１１を介して間接的に接している。第４ローラ１１６は、図示しない駆動機構によって粘着シート１１１の送り方向ｄ１に垂直な回転軸周りに回転できる。第４ローラ１１６は、粘着シート１１１を送り出すとき、方向ｒ１に向かって回転する。第５ローラ１１８は、Ｘ軸方向に平行な方向に沿って第４ローラ１１６と隣接して配置される。第５ローラ１１８は第４ローラ１１６の回転運動に従って動作する。
第４ローラ１１６及び第５ローラ１１８の上方には、第２ローラ１１２及び第３ローラ１１４によって送り出された粘着シート１１１に、レーザー光線照射ユニット１５０によりレーザー光線が照射された粘着シート１１１を巻き取る巻き取り手段として機能する第６ローラ１２０が配置される。第６ローラ１２０は、粘着シート１１１の送り出しのタイミングに同期しながら、粘着シート１１１の巻き取りを実行する。第６ローラ１２０は、レーザー光線が照射された後の粘着シート１１１を巻き取ることができるように粘着シート１１１の一方の端部がセットされる。
レーザー加工装置１は、第１ローラ１０６、第２ローラ１１２及び第４ローラ１１６のそれぞれを制御する駆動回路（図示せず）を制御することにより、粘着シート１１１の送り出し量を調整する。レーザー加工装置１は、第６ローラ１２０を制御する駆動回路（図示せず）を制御することにより、粘着シート１１１の送り出しのタイミングと粘着シート１１１の巻き取りのタイミングとを同期させながら、粘着シート１１１の巻き取り量を調整する。また、レーザー加工装置１は、第２ローラ１１２又は第４ローラ１１６の回転方向を切り換えることにより粘着シート１１１に張力を付加することもできる。
第２ローラ１１２及び第４ローラ１１６により送り出される粘着シート１１１は、案内機構Ｇ１及び案内機構Ｇ２により、本体部１５の表面１５ＳＦ（図１５）に対して平行に位置付けられる。
レーザー光線照射ユニット１５０は、粘着シート１１１のＤＡＦ１１５に対してレーザー光線を照射する。図１６は、レーザー光線照射ユニットの構成の一例を示す図である。レーザー光線照射ユニット１５０は、図１６に示すように、レーザー光線発振部５１と、照射角度調整機構５２と、集光機構５３とを有する。
レーザー光線発振部５１は、予め設定される周波数に基づいて、ＤＡＦ１１５が透過性を有する波長のレーザー光線Ｌを発振する。照射角度調整機構５２は、ミラー５２ａ及びアクチュエータ５２ｂを有する。ミラー５２ａは、レーザー光線発振部５１から発振されたレーザー光線Ｌの光軸をＹ軸方向に偏向できる。アクチュエータ５２ｂはミラー５２ａの角度を変更する。集光機構５３は、照射角度調整機構５２により偏向されたレーザー光線Ｌを集光するとともに、集光したレーザー光線ＬをＤＡＦ１１５に照射する。
制御装置１００は、レーザー加工装置１の各部を制御することにより、ＤＡＦ１１５の加工処理を実行する。すなわち、ＤＡＦ１１５の加工処理は、粘着シート１１１の送り出し処理、及びＤＡＦ１１５に対するレーザー光線Ｌの照射処理を含む。制御装置１００は、粘着シート１１１の送り出し処理を実行するために、第１ローラ１０６、第２ローラ１１２、第４ローラ１１６、及び第６ローラ１２０の動作を制御できる。また、制御装置１００は、ＤＡＦ１１５に対するレーザー光線Ｌの照射処理を実行するために、レーザー光線照射ユニット１５０を制御できる。
制御装置１００は、第１ローラ１０６、第２ローラ１１２、第４ローラ１１６及び第６ローラ１２０を制御しつつ、粘着シート１１１の送り出しを開始する。粘着シート１１１は、例えば、ＤＡＦ１１５を本体部１５の表面１５ＳＦに平行に向い合せた状態で送り出される。制御装置１００は、ＤＡＦ１１５がレーザー光線Ｌの照射開始位置に到達すると、粘着シート１１１の送り出しを停止する。制御装置１００は、撮像装置１５４により撮影される画像に基づいて、送り出されるＤＡＦ１１５の位置を特定し、ＤＡＦ１１５の位置を調整できる。また、制御装置１００は、第２ローラ１１２又は第４ローラ１１６を送り方向ｄ１とは逆方向に回転させることにより、ＤＡＦ１１５に対するレーザー光線Ｌの照射を開始する前に、ＤＡＦ１１５に張力を付加することができる。
レーザー光線Ｌの照射開始位置にＤＡＦ１１５を位置付けた後、制御装置１００は、集光機構５３を制御して、レーザー光線照射ユニット１５０から照射するレーザー光線Ｌの焦点（集光点；不図示）を、ＤＡＦ１１５の内部に合わせる。続いて、制御装置１００は、レーザー光線発振部５１からのレーザー光線Ｌの発振、及び照射角度調整機構５２によるレーザー光線Ｌの偏向を制御して、Ｙ軸方向にＤＡＦ１１５を走査しながら、ＤＡＦ１１５に対してレーザー光線Ｌを照射する。すなわち、制御装置１００は、ＤＡＦ１１５が透過性を有する波長のレーザー光線ＬをＤＡＦ１１５の内部に焦点（集光点）を合わせた状態で照射できる。
レーザー光線の照射開始位置におけるレーザー光線の照射が完了すると、制御装置１００は、次のレーザー光線の照射位置までＤＡＦ１１５を送り出し、次のレーザー光線の照射位置に位置付けられたＤＡＦ１１５に対してレーザー光線Ｌを照射する。制御装置１００は、ＤＡＦ１１５の全面に対するレーザー光線Ｌの照射を完了するまで、ＤＡＦ１１５の送り出し及びＤＡＦ１１５に対するレーザー光線Ｌの照射を繰り返し実行する。
レーザー光線Ｌの照射によって、ＤＡＦ１１５の内部に該ＤＡＦ１１５を効率的に破断するための改質層２０を形成できる。レーザー加工装置１は、粘着シート１１１に設けられるＤＡＦ１１５の内部に改質層２０を予め形成しておくことができるので、アブレーション加工などによりＤＡＦ１１５を切断する場合に比較して、ウエーハ１２１に貼着されたＤＡＦをデバイスチップごとに分割する時間を抑制でき、結果として、ＤＡＦが貼着されたウエーハ１２１（被加工物）を加工する際の所要時間の長期化を抑制できる。
制御装置１００は、演算処理装置及び記憶装置を含む。演算処理装置は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、ＤＳＰ、システムＬＳＩ（Large Scale Integration）などのプロセッサである。記憶装置は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）などの不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、またはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）である。
記憶装置は、本実施形態に係るレーザー加工装置１の処理を実現するコンピュータプログラム及びコンピュータプログラムによる処理に用いられるデータを記憶する。コンピュータプログラムは、レーザー光線照射ユニット１５０及び撮像装置１５４などの制御を実現するための機能を提供する制御用プログラムを含む。演算処理装置が実行するコンピュータプログラムは、コンピュータで実行可能な、データ処理を行うための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な（non-transitory）記録媒体を有するコンピュータプログラムプロダクトであるともいえる。記憶装置は、演算処理装置がコンピュータプログラムに記述された命令を実行する際の一時的な作業領域として利用されてもよい。
演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを読み出して、コンピュータプログラムに記述された命令を実行することにより、本実施形態に係るレーザー加工装置１の処理、すなわち、上述した粘着シート１１１の送り出し処理及びレーザー光線照射処理が実現される。
演算処理装置は、専用のハードウェアで実現されてもよい。この場合、演算処理装置は、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）又はこれらを組み合わせたものである。
制御装置１００は、第１ローラ１０６、第２ローラ１１２、第４ローラ１１６、及び第６ローラ１２０の動作を制御する駆動回路、レーザー光線照射ユニット１５０及び撮像装置１５４を制御するための制御信号を出力する出力用のインタフェース装置（図示せず）、撮像装置１５４の画像データを入力する入力用のインタフェース装置（図示せず）、各種の情報や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示装置（図示せず）と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力装置（図示せず）などを有してよい。制御装置１００は、入力用及び出力用のインタフェース装置、表示装置、入力装置に接続されてよい。入力装置は、表示装置に設けられるタッチパネルやキーボードなどのユーザインタフェースにより構成されてよい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、レーザー加工装置１は、ＤＡＦ１１５の全領域のうち、ウエーハ１２１に表面１２１Ａに形成される分割予定ライン１０２に対応する位置にレーザー光線Ｌを照射するようにしてもよい。この場合、レーザー加工装置１は、撮像装置１５４により撮影されるＤＡＦ１１５の画像に基づいてＤＡＦ１１５の端部を特定し、ＤＡＦ１１５の端でアライメントをして、ＤＡＦ１１５の端から所定の距離に設定する加工開始位置から所定のピッチでレーザー光線Ｌの照射を実行するというように、ＤＡＦ１１５のレーザー加工を実行してもよい。また、上記した構成では、レーザー加工装置１は、エキスパンドテープ１１７の樹脂層１１７ａ越しに、ＤＡＦ１１５に対してレーザー光線Ｌを照射する例を示すが、この例に限定されるものではなく、剥離シート１１３越しに、ＤＡＦ１１５に対してレーザー光線Ｌを照射してもよい。
また、上記した構成では、レーザー光線照射ユニット１５０の照射角度調整機構５２は、レーザー光線発振部５１から発振されたレーザー光線Ｌの光軸をＹ軸方向に偏向する構成としたが、該レーザー光線Ｌを更にＸ軸方向に偏向する照射角度調整機構を別途設けてもよい。この構成によれば、例えば、本体部１５の表面１５ＳＦ上に、ＤＡＦ１１５（粘着シート１１１）を止めた状態で、ＤＡＦ１１５の全面に改質層２０を形成することができる。
１ レーザー加工装置
２０ 改質層
２０Ａ 第１改質層
２０Ｂ 第２改質層
１０２ 分割予定ライン
１０３ デバイス
１１１ 粘着シート
１１３ 剥離シート
１１５、１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃ、１１５Ｄ ＤＡＦ
１１５Ｃ１ 中央部
１１５Ｃ２ 外周部
１１５Ｄ１ 表面
１１５Ｄ２ 裏面
１１７ エキスパンドテープ
１１７ａ 樹脂層
１１７ｂ 粘着層
１２１ ウエーハ（被加工物）
１２１Ａ 表面
１２１Ｂ 裏面
１３３ フレーム
２００ 板状物

Claims (6)

  1. 内部に破断起点となる改質層が形成されたＤＡＦ。
  2. 該改質層がスポット状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＡＦ。
  3. 貼着対象の被加工物と同形であり、
    該改質層は、中央部が外周部より多いことを特徴とする請求項１に記載のＤＡＦ。
  4. 該改質層として該ＤＡＦの表面に露出する位置に形成された第１改質層と、該改質層として該ＤＡＦの裏面に露出する位置に形成された第２改質層とを備え、該第１改質層と該第２改質層とが交互に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＡＦ。
  5. エキスパンドテープの上に積層されて該エキスパンドテープと一体に成形されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＤＡＦ。
  6. 該ＤＡＦは、ロール状に巻回されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のＤＡＦ。
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