JP5800646B2 - チップ間隔維持方法 - Google Patents

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Description

本発明は、デバイスウエーハが分割されて形成された複数のチップの間隔を拡張して維持するチップ間隔維持方法に関する。
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された各領域にそれぞれIC、LSI等のデバイスが形成されたデバイスウエーハは、裏面が研削されて所望の厚さに加工された後、分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
デバイスウエーハは、粘着テープであるダイシングテープを介して環状フレームで支持され、この状態で切削装置のチャックテーブルに搭載される。デバイスウエーハの切削には、切削ブレードを回転可能に支持する切削ユニットを備えたダイサーと呼ばれる切削装置が広く使用されている。
切削装置による切削では、厚さ20〜40μm程度の環状の切刃を有する切削ブレードを高速回転させてウエーハへと切り込み、分割予定ラインに沿って分割溝を形成するため、分割予定ラインにある程度の幅が必要である。
そこで、近年分割予定ラインの幅を狭くして1枚のデバイスウエーハからのデバイスチップの取り分を多くする方法として、デバイスウエーハに対して透過性を有するレーザビームを照射してウエーハ内部に改質層を形成した後、デバイスウエーハに外力を付与して改質層を分割起点として個々のチップへと分割する方法が例えば特開2005−129607号公報に開示されている。
この方法では、分割されたチップ間の間隔が殆どないため、デバイスウエーハ分割後のハンドリング時等において隣接するチップ同士が接触して、チップに欠けを生じさせてしまうという問題がある。
この問題を解決するため、例えば特開2002−334852号公報には、テープを拡張してデバイスウエーハをチップに分割後に、デバイスウエーハの外周縁と環状フレームの内周との間の領域のテープを加熱して収縮させることで、チップ間隔を維持する方法が開示されている。
特開2005−129607号公報 特開2002−334852号公報
ところが、特許文献2に開示された方法のようにテープを拡張後に加熱してテープを収縮させると、テープにテンションがかかった方向に対して直交する方向でテープが中心方向に収縮したようなしわが発生するという問題がある。
これはテープの製法上、テープには一方向にテンションがかかっているためと推測される。しわがデバイスウエーハの分割予定ラインと平行に発生すると、チップ間隔が維持できずに隣接するチップ同士が接触してチップに欠けを生じさせてしまうことがあるため問題となる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、テープを拡張後加熱して収縮させた後でも、チップの間隔をテープを拡張した状態に維持できるチップ間隔維持方法を提供することである。
請求項1記載の発明によると、デバイスウエーハが分割されて形成された複数のチップの間隔を拡張して維持するチップ間隔維持方法であって、表面に交差する複数の分割予定ラインで区画される各領域にデバイスが形成されたデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、該デバイスウエーハ準備ステップで準備したデバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝が形成されたデバイスウエーハの裏面を研削してデバイスウエーハを該チップの仕上げ厚みへ薄化するとともに、デバイスウエーハの裏面に該溝を露出させることによりデバイスウエーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、複数のチップに分割されたデバイスウエーハの裏面にエキスパンド性を有するとともに所定温度以上の加熱で収縮性を発現するテープを貼着し、該テープの外周部を環状フレームに貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該テープを拡張して隣接する該チップの間隔を拡張するテープ拡張ステップと、該テープ拡張ステップを実施した後、該複数のチップに分割されたデバイスウエーハが貼着されている該テープの領域を吸引保持テーブルで吸引保持しながら、該テープのデバイスウエーハの外側と該環状フレームの内周との間の領域を加熱して該テープを収縮させることで、隣接する該チップ間の間隔を維持するチップ間隔維持ステップとを具備し、該テープ貼着ステップでは、該テープのテンション方向とデバイスウエーハの該分割予定ラインとを非平行にした状態で該テープがデバイスウエーハに貼着されることを特徴とするチップ間隔維持方法が提供される。
請求項2記載の発明によると、請求項1記載の発明において、該テープは、該テープに貼着されるデバイスウエーハより大きい面積を有する該テープ上に貼着された接着フィルムを含み、該テープ貼着ステップでは、該テープとともに該接着フィルムが複数のチップへ分割されたデバイスウエーハの裏面に貼着され、該テープ拡張ステップでは、該テープとともに該接着フィルムが拡張されることで該接着フィルムが該チップに沿って破断されるチップ間隔維持方法が提供される。
請求項1記載の発明によると、デバイスウエーハの分割予定ラインとテープのテンション方向とが非平行となるようにテープがデバイスウエーハに貼着される。従って、テープ拡張時のしわの発生方向が分割予定ラインと平行にならないため、チップの間隔を拡張した状態に維持できる。
請求項2記載の発明によると、デバイスウエーハの分割予定ラインとテープのテンション方向とが非平行となるように接着フィルム付きテープがデバイスウエーハに貼着されることで、接着フィルムをチップに沿って破断する際の破断不良を防止することができる。
デバイスウエーハの斜視図である。 図2(A)は溝形成ステップを示す斜視図、図2(B)は溝形成ステップで形成された切削溝を有するウエーハの断面図である。 溝形成ステップ終了後のデバイスウエーハの斜視図である。 分割ステップを示す斜視図である。 分割ステップ終了後の表面保護テープに貼着されたデバイスウエーハの斜視図である。 テープ貼着装置の斜視図である。 テープ貼着装置の一部断面側面図である。 テープ貼着ステップの説明図である。 カッターアセンブリが作動位置に下降されている状態のテープ貼着装置の一部断面側面図である。 DAF付き粘着テープを介して環状フレームに支持されたデバイスウエーハの斜視図である。 デバイスウエーハの裏面に貼着されたDAFに破断起点を形成する破断起点形成ステップの第1実施形態を示す斜視図である。 テープ拡張ステップを示す断面図である。 チップ間隔維持ステップを示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。デバイスウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、これら複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成されたデバイスウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。デバイスウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
本発明のチップ間隔維持方法では、まず、デバイスウエーハ11の表面11aから分割予定ライン13に沿ってチップの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップを実施する。この溝形成ステップについて図2(A)を参照して説明する。
図2(A)に示す切削装置2は、吸引保持手段を備えX軸方向に移動可能なチャックテーブル4と、切削ユニット6と、切削ユニット6と一体的にY軸方向及びZ軸方向に移動可能なアライメントユニット8とを含んでいる。
切削ユニット6は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル10と、スピンドル10の先端部に装着された切削ブレード12を備えている。アライメントユニット8は、顕微鏡及びCCDカメラ等を有する撮像手段14を備えている。
溝形成ステップを実施するには、チャックテーブル4上にデバイスウエーハ11をその表面11aを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ11をチャックテーブル4上に吸引保持する。
このようにして、ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル4は、図示しない加工送り機構によって撮像手段14の直下に位置付けられる。チャックテーブル4が撮像手段14の直下に位置付けられると、撮像手段14及び図示しない制御手段によって、デバイスウエーハ11に切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実施する。
即ち、撮像手段14及び図示しない制御手段は、デバイスウエーハ11の第1の方向に伸長している分割予定ライン13と、切削ブレード12との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。更に、チャックテーブル4を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に対しても、同様に切削領域のアライメントを遂行する。
このようなアライメント実施後、デバイスウエーハ11を保持したチャックテーブル4を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード12を図2(A)において、矢印Aで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。
この切り込み送り量は、切削ブレード12の外周縁がデバイスウエーハ11の表面11aからデバイス(チップ)の仕上がり厚さに相当する深さ位置(例えば100μm)に設定される。
このようにして、切削ブレード12の切り込み送りを実施してから、切削ブレード12を回転しつつチャックテーブル4を図2(A)においてX軸方向、即ち矢印X1で示す方向に加工送りすることによって、図2(B)に示すように、分割予定ライン13に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ(例えば100μm)の切削溝23が形成される。
この溝形成ステップをデバイスウエーハ11に形成された全ての分割予定ライン13に沿って実施する。その結果得られたデバイスウエーハ11の表面側斜視図が図3に示されている。
溝形成ステップ実施後、切削溝23が形成されたデバイスウエーハ11の裏面11bを研削してデバイスウエーハ11をチップの仕上げ厚みへ薄化するとともに、デバイスウエーハ11の裏面11bに切削溝23を露出させることにより、デバイスウエーハ11を複数のチップ15へと分割する分割ステップを実施する。
分割ステップは、デバイスウエーハ11の表面11aに表面保護テープ25を貼着してから、図4に示すように、チャックテーブル30と研削ユニット16とを備えた研削装置によって実施する。
研削ユニット16は、スピンドル18の先端部に固定されたホイールマウント20と、このホイールマウント20にねじ24により着脱可能に装着された研削ホイール22を含んでいる。研削ホイール22は、環状基台26と、環状基台26の下面外周に固着された複数の研削砥石28とから構成される。
この分割ステップは、研削装置のチャックテーブル30上にデバイスウエーハ11をその裏面11bを上にして保持し、例えば、チャックテーブル30を矢印aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール22を矢印bで示す方向に6000pmで回転して、デバイスウエーハ11の裏面11bに研削砥石28を接触させることにより、デバイスウエーハ11の裏面11bを研削して実施する。この研削は、切削溝23がデバイスウエーハ11の裏面11bに表出(露出)するまで実施する。
このように切削溝23が表出するまでデバイスウエーハ11の裏面11bを研削することによって、図5に示すように、デバイスウエーハ11は個々のチップ(デバイス)15に分割される。
尚、分割された複数のチップ15は、デバイスウエーハ11の表面11aに表面保護テープ25が貼着されているので、ばらばらにはならずデバイスウエーハ11の形態が維持される。
この分割ステップを実施した後、複数のチップ15に分割されたデバイスウエーハ11の裏面11bにエキスパンド性を有するとともに所定温度以上の加熱で収縮性を発現するテープを貼着するとともに、テープの外周部を環状フレームに貼着するテープ貼着ステップを実施する。
図6を参照すると、テープ貼着ステップを実施するのに適したテープ貼着装置32の斜視図が示されている。テープ貼着装置32は、ロール状に巻回された粘着テープ34が軸35に装着された送り出しロール36と、使用済みの粘着テープ34を巻き取り軸48でロール状に巻き取る巻き取りロール46を備えている。
ここで、粘着テープ(粘着シート)34は、エキスパンド性を有するとともに所定温度以上の加熱で収縮性を発現するような特性を有している。好ましくは、粘着テープ4は、接着フィルムであるDAF(Die Attach Film)が所定間隔をおいて粘着テープと一体的に形成されたDAF一体型粘着テープである。
送り出しロール36から送りだされる粘着テープ34は、固定ローラ38、テープ貼着可動ローラ40、テープ剥離可動ローラ42,44の間を通って巻き取りロール46の巻き取り軸48で巻き取られる。
52は環状フレームFとデバイスウエーハ11とを載置し吸引固定する保持テーブルであり、環状フレームFを載置固定するフレーム載置領域54と、デバイスウエーハ11を載置固定するウエーハ載置領域56とを有している。
保持テーブル52は、粘着テープ34の送り出し方向に対して直角方向に進退し、環状フレームFとデバイスウエーハ11を保持テーブル52上にセットする作業領域58と、粘着テープ34を環状フレームFとデバイスウエーハ11に貼着するテープ貼着領域60とに位置付けられるようになっている。
50はカッターアセンブリであり、図7の一部断面側面図に示すように、図示しない駆動手段により上下方向に移動する取付ベース62と、取付ベース62に対して軸66周りを図示しない駆動手段により旋回する旋回アーム64とを含んでいる。
旋回アーム64には、テープカッター68が水平方向移動可能に取り付けられている。デバイスウエーハ11のインチ径に応じて、テープカッター68はデバイスウエーハ11の半径方向に移動調整される。
再び図6を参照すると、テープ貼着装置32の前面側にはその操作を制御するコンソール63が設けられており、作業者はコンソール63にタッチすることによりテープ貼着装置32の操作を制御する。
以下、このように構成されたテープ貼着装置32の作用について説明する。まず、作業者が保持テーブル52のフレーム載置領域54に環状フレームFを位置決めして載置し、ウエーハ載置領域56にデバイスウエーハ11を位置決めして載置する。
ウエーハ載置領域56にデバイスウエーハ11を位置決め載置する際に重要なのは、図8に示す粘着テープ34のテンション方向を示す矢印Aとデバイスウエーハ11の分割予定ライン13との関係である。
即ち、粘着テープ34のテンション方向Aとデバイスウエーハ11の分割予定ライン13とを非平行にした状態で粘着テープ34がデバイスウエーハ11に貼着されるように、ウエーハ載置領域56にデバイスウエーハ11を位置決めして載置する。
好ましくは、粘着テープ34のテンション方向Aと分割予定ライン13とのなす角が概略45度程度になるように、デバイスウエーハ11をウエーハ載置領域56に位置決めして載置する。
上述したように、好ましくは、粘着テープ34はDAF33が所定間隔で粘着テープ上に形成されたDAF一体型粘着テープ34である。図8において、デバイスウエーハ11の表面11aは表面保護テープ25により保護され、デバイスウエーハ11の裏面11bにはDAF一体型粘着テープ34のDAF33が貼着される。
このように環状フレームF及びデバイスウエーハ11を位置決め載置した後、ボタンAを押すと、環状フレームFとデバイスウエーハ11が保持テーブル52に吸引保持され、矢印65で示す方向に保持テーブル52が移動されてテープ貼着領域60に位置付けられる。
テープ貼着領域60に位置付けられた環状フレームFとデバイスウエーハ11に対して粘着テープ34を図7で点線で示すように貼着するために、テープ貼着可動ローラ40が矢印Sで示すように往復運動する。これにより、粘着テープ34は環状フレームF及びデバイスウエーハ11に一体接着される。このとき、カッターアセンブリ50は上昇された待機位置にある。
次いで、図9に示すようにカッターアセンブリ50が下降し、テープカッター68に環状フレームF上の粘着テープ34を押圧させる。この状態で、旋回アーム64を軸66を中心として360度旋回させることにより、テープカッター68で粘着テープ34を円形に切断する。切断が完了した後、カッターアセンブリ50は待機位置に復帰する。
次いで、テープカッター68により切断された外側の使用済みの粘着テープ34がテープ剥離ローラ42,44の移動によって環状フレームFから剥離される。即ち、テープ剥離ローラ42、44が図3で矢印S方向に往復動され、使用済みの粘着テープ34を巻き取りロール46で巻き取ると同時に未使用の粘着テープ34をテープ送り出しロール36からテープ貼着領域60まで引き出す。
次いで、粘着テープ34の貼着が完了した環状フレームF及びデバイスウエーハ11が保持テーブル52に載置固定された状態で図6に示す作業領域58まで移動される。この作業領域58において、作業者が粘着テープ34によって一体となった環状フレームFとデバイスウエーハ11を取り出し、ウエーハカセットに収容したり又は次の工程に搬送したりする。
図10を参照すると、DAF一体型粘着テープ34により一体化された環状フレームFとデバイスウエーハ11の斜視図が示されている。デバイスウエーハ11の裏面11bにはDAF33が貼着され、DAF33は粘着テープ34に貼着されている。
テープ貼着ステップでは、上述したセミオート式のテープ貼着装置の他、ウエーハ及びフレームのセットも自動で行うフルオート式のテープ貼着装置を用いても良いし、作業者がローラを使ってマニュアルで貼着してもよい。
テープ貼着ステップを実施した後、好ましくは、DAF33に破断起点を形成する破断起点形成ステップを実施する。この破断起点形成ステップの第1実施形態は、レーザ加工装置により実施する。
即ち、図11に示すように、デバイスウエーハ11をDAF33及び粘着テープ4を介してレーザ加工装置のチャックテーブル70で吸引保持し、レーザ加工装置の集光器72でDAF33に対して透過性を有する波長のレーザビームを切削溝23を介してDAF33の内部に集光し、チャックテーブル70を矢印X1方向に加工送りしながら切削溝23に沿ってDAF33内部に改質層を形成する。
切削溝23のピッチずつ割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての切削溝23に沿ってDAF33内部に改質層を形成する。次いで、チャックテーブル70を90度回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての切削溝23に沿ってDAF33内部に改質層を形成する。
この破断起点形成ステップ(改質層形成ステップ)における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4パルスレーザ
波長 :1064nm
出力 :0.1W
繰り返し周波数 :50kHz
加工送り速度 :200mm/秒
上述した第1実施形態では、破断起点形成ステップを実施するのにDAF33に対して透過性を有する波長のレーザビームを使用して、DAF内部に改質層を形成することにより実施したが、破断起点形成ステップの第2実施形態では、DAF33に対して吸収性を有する波長のレーザビームを使用して、デバイスウエーハ11の切削溝23に沿ってアブレーション加工によりDAF表面に破断起点となる浅い加工溝を形成するようにしてもよい。
このアブレーション加工による破断起点形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4パルスレーザ
波長 :355nm(YVO4レーザの第3高調波)
出力 :0.2W
繰り返し周波数 :200kHz
加工送り速度 :200mm/秒
第1及び第2実施形態の破断起点形成ステップでは、所定の波長を有するレーザビームにより破断起点を形成したが、切削装置の切削ブレードによるDAF33のハーフカットにより、デバイスウエーハ11の切削溝23に沿ってDAF33の表面に切削溝を形成すし、この切削溝を破断起点としてもよい。
本発明のチップ間隔維持方法では、破断起点形成ステップを実施した後、粘着テープ34を拡張して、隣接するチップ15の間隔を拡張するとともにDAF33を破断するテープ拡張ステップを実施する。
このテープ拡張ステップは、図12に示すような分割装置80を使用して実施する。分割装置80は、環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット82と、フレーム保持ユニット82に保持された環状フレームFに貼着された粘着テープ34を拡張する拡張ドラム84を備えている。
フレーム保持ユニット82は、環状のフレーム保持部材86と、フレーム保持部材86の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ88とから構成される。フレーム保持部材86の上面は環状フレームFを載置する載置面86aを形成しており、載置面86a上に環状フレームFが載置される。
環状のフレーム保持部材86の内側に配設された拡張ドラム84は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに貼着された粘着テープ34に貼着されるデバイスウエーハ11の外径より大きい内径を有している。
拡張ドラム84の上端部には多孔質材料から形成された吸引保持部85が配設されている。吸引保持部85は、図示しない吸引路及び切替バルブを介して吸引源に選択的に接続される。
環状のフレーム保持部材86は駆動手段90により上下方向に移動される。駆動手段90は複数のエアシリンダ92を含んでおり、エアシリンダ92のピストンロッド94がフレーム保持部材86の下面に連結されている。
複数のエアシリンダ92から構成される駆動手段90は、環状のフレーム保持部材86を、その載置面86aが拡張ドラム84の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム84の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。
このような構成を有する分割装置80によるテープ拡張ステップでは、まず図12(A)に示すように、デバイスウエーハ11を粘着テープ34を介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材86の載置面86a上に載置し、クランプ88によってフレーム保持部材86を固定する。このとき、フレーム保持部材86はその載置面86aが拡張ドラム84の上端部に固定された吸引保持部85の上面と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
次いで、エアシリンダ92を駆動してフレーム保持部材86を図12(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材86の載置面86a上に固定されている環状フレームFを下降するため、環状フレームFに装着された粘着テープ34は拡張ドラム84の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
その結果、粘着テープ34に貼着されているDAF33及びデバイスウエーハ11に放射状に引張力が作用する。このようにDAF33及びデバイスウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、DAF33の内部に形成された改質層は強度が低下されているので、この改質層が破断起点となってDAF33は改質層に沿って破断され、DAF33が裏面に貼着されたチップ15はその間隔が拡張される。尚、このテープ拡張ステップでは、吸引保持部85は吸引源から遮断され、吸引力が作用していない。
テープ拡張ステップを実施した後、チップ間の間隔を拡張した状態に維持できるチップ間隔維持ステップを実施する。このチップ間隔維持ステップでは、吸引保持部85を吸引源に接続し、吸引保持部85でデバイスウエーハ11を吸引保持しながら、図12(B)に示した状態からエアシリンダ92を駆動して、環状のフレーム保持部材86の載置面86aが拡張ドラム84の上端と略同一高さとなる基準位置まで上昇させる。
粘着テープ34は図12(B)に示した状態で半径方向に拡張されているので、図13に示すようにフレーム保持部材86を基準位置まで戻すと、デバイスウエーハ11の外周縁と環状フレームFの内周との間の領域の粘着テープ34には弛みが発生する。
よって、本実施形態のチップ間隔維持ステップでは、吸引保持部85を吸引源に接続し、吸引保持部85でデバイスウエーハ11を吸引保持しながら、加熱ヒータ96を矢印R方向に回転してデバイスウエーハ11の外側と環状フレームFの内周との間の粘着テープ34を加熱する。この加熱により粘着テープが収縮して弛みが除去される。
本実施形態のテープ貼着ステップでは、デバイスウエーハ11の分割予定ライン13とテープ34のテンション方向を概略45度に設定してデバイスウエーハ11を粘着テープ34に貼着しているので、従来問題となったしわの発生方向が分割予定ライン13と平行にならないため、吸引保持部85の吸引保持を解除しても、隣接するチップ15の間隔を拡張した状態に維持することができる。
上述した実施形態では、デバイスウエーハ11の裏面11bをDAF付き粘着テープ34に貼着しているが、テープ貼着ステップでは、DAF33は貼着せずにデバイスウエーハ11の裏面11bに粘着テープ34を直接貼着するようにしてもよい。
11 デバイスウエーハ
12 切削ブレード
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス(チップ)
22 研削ホイール
23 切削ホイール
25 表面保護テープ
32 テープ貼着装置
33 DAF
34 粘着テープ
72 集光器
80 分割装置
82 フレーム保持ユニット
84 拡張ドラム
85 吸引保持部
86 フレーム保持部材
96 加熱ヒータ

Claims (2)

  1. デバイスウエーハが分割されて形成された複数のチップの間隔を拡張して維持するチップ間隔維持方法であって、
    表面に交差する複数の分割予定ラインで区画される各領域にデバイスが形成されたデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、
    該デバイスウエーハ準備ステップで準備したデバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
    該溝が形成されたデバイスウエーハの裏面を研削してデバイスウエーハを該チップの仕上げ厚みへ薄化するとともに、デバイスウエーハの裏面に該溝を露出させることによりデバイスウエーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、
    該分割ステップを実施した後、複数のチップに分割されたデバイスウエーハの裏面にエキスパンド性を有するとともに所定温度以上の加熱で収縮性を発現するテープを貼着し、該テープの外周部を環状フレームに貼着するテープ貼着ステップと、
    該テープ貼着ステップを実施した後、該テープを拡張して隣接する該チップの間隔を拡張するテープ拡張ステップと、
    該テープ拡張ステップを実施した後、該複数のチップに分割されたデバイスウエーハが貼着されている該テープの領域を吸引保持テーブルで吸引保持しながら、該テープのデバイスウエーハの外側と該環状フレームの内周との間の領域を加熱して該テープを収縮させることで、隣接する該チップ間の間隔を維持するチップ間隔維持ステップとを具備し、
    該テープ貼着ステップでは、該テープのテンション方向とデバイスウエーハの該分割予定ラインとを非平行にした状態で該テープがデバイスウエーハに貼着されることを特徴とするチップ間隔維持方法。
  2. 該テープは、該テープに貼着されるデバイスウエーハより大きい面積を有する該テープ上に貼着された接着フィルムを含み、
    該テープ貼着ステップでは、該テープとともに該接着フィルムが複数のチップへ分割されたデバイスウエーハの裏面に貼着され、
    該テープ拡張ステップでは、該テープとともに該接着フィルムが拡張されることで該接着フィルムが該チップに沿って破断される請求項1記載のチップ間隔維持方法。
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JP2014232782A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
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JP6614865B2 (ja) * 2015-09-01 2019-12-04 リンテック株式会社 シート貼付装置およびシート貼付方法
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JP2019197805A (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 株式会社ディスコ Dafの破断起点形成装置及びdaf貼着装置
JP2019197806A (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
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JP2019197869A (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 株式会社ディスコ Daf貼着装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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