JP5170880B2 - ウエハ加工用テープ - Google Patents
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Description
(a)半導体ウエハの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(b)前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
(a)半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
(a)半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(b)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
図1及び図2に、本発明のウエハ加工用テープの2つの例を示す。図1は、基材フィルム11上に、粘着剤層12及び接着剤層13が積層されたダイシング・ダイボンディングテープ10を示す断面図であり、図2は、基材フィルム11上に粘着剤層12のみが形成されたダイシングテープ20を示す断面図である。図1及び図2においては、ウエハ加工用テープに半導体ウエハWが貼り合わされた様子が示されている。
以下に、各層について詳細に説明する。
基材フィルム11は、図3に示すように、互いの製膜方向(MD)が略90°を成すようにして積層された2層の樹脂層11a,11bを有する。従来の基材フィルムは、押出成形される際に、製膜方向(MD)に応力が加えられ、これと直交する方向(TD)の応力が抑制されるため、成形されたフィルムの拡張性に異方性が生じるのに対し、本発明の基材フィルム11は、上層11aと下層11bとが、互いの製膜方向(MD)が一致しないように、略90°を成すようにして積層されてなるので、基材フィルム全体での拡張性の異方性を小さくすることができる。したがって、エキスパンド時に、基材フィルムのMDとTDにおける接着剤層の分断性を向上させることができる。
基材フィルム11の上層11aとしては、特に限定されないが、JIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上80℃未満の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。接着剤層13にウエハWの裏面を貼合する際には、接着剤を加熱軟化させて接着性を高めるために、70〜80℃程度の加熱貼合が行われる場合があるので、50℃以上80℃未満のビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いることで、加熱貼合の際に上層11aを軟化させ、フィルムの成形時に異方的に生じたひずみ応力を緩和することができる。これにより、拡張性の異方性をより小さくすることが可能となる。なお、ビカット軟化点が低すぎると、上記加熱貼合の際に、樹脂が過剰に軟化し、流動化してしまうので好ましくない。したがって、ビカット軟化点の下限は50℃程度が適当である。
後述する粘着剤層12として、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、基材フィルムの上層11aは、放射線透過性であることが好ましい。
基材フィルム11の下層11bとしては、上層11aと同じ熱可塑性樹脂を用いることができるが、これに限定されず、公知のプラスチック、ゴムなどを用いてもよい。後述する粘着剤層12として、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、基材フィルムの上層11aは、放射線透過性であることが好ましい。このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。
粘着剤層12は、基材フィルム11に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
上記化合物(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物((1))と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物((2))とを反応させて得たものが用いられる。
単量体((1)−1)としては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
上記の化合物(A)の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
ここで、化合物(A)の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
エポキシ樹脂としては、TETRAD−X(三菱化学株式会社製商品名)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
(C)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.5〜5質量部とすることがより好ましい。
接着剤層13は、ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
本実施形態の2層の樹脂層からなる基材フィルムの製造方法としては、従来公知の押出成形法などによって2層の樹脂膜をそれぞれ成形し、成形された2層の樹脂膜を粘着剤又は接着剤を介して積層するドライラミネート法を採用することができる。このような製造方法により製造された基材フィルム11は、基材フィルムの2層の樹脂層間、すなわち上層11aと下層11bとの間には、さらに粘着剤層又は接着剤層が介在することになる。粘着剤としては、上述の粘着剤層12の構成材料と同様のものを使用することができ、接着剤としては、上述の接着剤層13の構成材料と同様のものを使用することができる。
本発明のウエハ加工用テープの使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層を分断する工程を含む半導体製造装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体製造装置の製造方法(A)〜(C)において好適に使用できる。
(a)ウエハWの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、ウエハWの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(b)ウエハWの裏面にウエハ加工用テープ10の接着剤層13を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
(c)ウエハ加工用テープ10をエキスパンドすることにより、ウエハWと接着剤層13とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
(a)ウエハWの裏面にウエハ加工用テープ10の接着剤層13を貼合する工程と、
(b)ウエハWの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)ウエハ加工用テープ10をエキスパンドすることにより、接着剤層13を半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
(a)ウエハWの裏面にウエハ加工用テープ10の接着剤層13を貼合する工程と、
(b)ダイシングブレードを用いてウエハWを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)ウエハ加工用テープ10をエキスパンドすることにより、接着剤層13を半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。
本発明のダイシング・ダイボンディングテープ10を上記半導体装置の製造方法(A)に適用した場合の、テープの使用方法について、図4及び図5を参照しながら説明する。
まず、図4に示すように、半導体ウエハWの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を30形成する。
なお、半導体ウエハWにレーザー光を照射する工程に先立って、ウエハWとの貼合工程を実施してもよい。
11:基材フィルム
11a:上層
11b:下層
12:粘着剤層
13:接着剤層
20:ダイシングテープ
40:リングフレーム
41:ステージ
42:突き上げ部材
Claims (10)
- エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
互いの製膜方向(MD)が一致しないようにして積層された複数の樹脂層からなる基材フィルムと、
前記基材フィルム上に設けられた第1の粘着剤層と
を有することを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記基材フィルムは、互いの製膜方向(MD)が略90°を成すようにして積層された2層の樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記2層の樹脂層の厚さは、それぞれ50〜200μmであることを特徴とする請求項2に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記2層の樹脂層のうち、前記第1の粘着剤層と接触する上層は、JIS K7206で規定されるビカット軟化点が50℃以上80℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記2層の樹脂層間に、さらに粘着剤層を有することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記2層の樹脂層間に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記第1の粘着剤層の上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記ウエハ加工用テープは、
(a)半導体ウエハの分割予定部分に予めレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(b)前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と
を順序不同に含み、さらに、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項7に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項7に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(b)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(c)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項7に記載のウエハ加工用テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075651A JP5170880B2 (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | ウエハ加工用テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075651A JP5170880B2 (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | ウエハ加工用テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231570A JP2009231570A (ja) | 2009-10-08 |
JP5170880B2 true JP5170880B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=41246636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075651A Active JP5170880B2 (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | ウエハ加工用テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5170880B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231699A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2010182761A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハ加工用フィルム及びその基材フィルム |
JP2012079936A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
JP5831232B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2015-12-09 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP5800645B2 (ja) | 2011-09-01 | 2015-10-28 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持方法 |
JP5800646B2 (ja) | 2011-09-01 | 2015-10-28 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持方法 |
JP6280459B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-02-14 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
JP6252698B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2017-12-27 | 日立化成株式会社 | ダイシング・ダイボンディング一体型テープ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4578050B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2010-11-10 | グンゼ株式会社 | ウェハダイシングテープ用基材 |
JP2003272333A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドサスペンション及び磁気ディスク装置 |
JP4462978B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-05-12 | 日産自動車株式会社 | 自動車のエネルギー吸収構造 |
JP4369280B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2009-11-18 | グンゼ株式会社 | ダイシングシ−ト用基体フイルム |
JP2006165000A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Gunze Ltd | ダイシング用フイルム |
JP4748518B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | ダイシングダイボンドテープおよびダイシングテープ |
JP5140910B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2013-02-13 | 住友ベークライト株式会社 | フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ |
KR101461243B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2014-11-12 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 다이싱·다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법 |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008075651A patent/JP5170880B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009231570A (ja) | 2009-10-08 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120824 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121224 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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