JP5831232B2 - ワーク分割装置及びワーク分割方法 - Google Patents

Description

本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、ダイシングテープ（粘着シート）を介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング、グルービング加工された半導体ウェハに対し、ダイシング加工後にダイシングテープをエキスパンドして個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関するものである。

従来、半導体チップの製造にあたり、例えば、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが形成された半導体ウェハをＤＡＦ（Die Attach Film ダイアタッチフィルム)と呼ばれるダイボンディング用のフィルム状接着剤が付いたダイシングテープを介し
てフレームに張り付けたワークにおいて、ダイシングテープを拡張（エキスパンド）して半導体ウェハ及びＤＡＦを個々のチップに分割するようにしている。

図１７にワークの一例を示す。図１７（ａ）は斜視図、図１７（ｂ）は断面図である。

図１７に示すように、半導体ウェハＷは、片面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープＳが裏面に貼り付けられ、ダイシングテープＳは剛性のあるリング状のフレームＦにマウントされ、ワーク分割装置において、半導体ウェハＷがチャックステージに載置され、ダイシングテープＳがエキスパンドされて、各チップＴに個片化（分割）される。

ここで、ＤＡＦは室温付近では粘性が高く、上述したようにＤＡＦの付いたテープを拡張して半導体ウェハをチップに個片化するためには、ＤＡＦを冷却して脆性化させた状態でテープを拡張する必要がある。従来、冷却方法として、雰囲気冷却方式が知られている。

例えば、特許文献１に記載のワーク分割装置では、カバー内に配設された分割手段にワークを載置して、このカバー内において冷却ノズルから冷却されたエアーを噴出してワークをダイシングテープとともにＤＡＦ全体を冷却し、ＤＡＦを脆性化した状態でダイシングテープを拡張してウェハを多数のチップに分割している。その後、ワークを搬送手段により加熱手段に搬送してダイシングテープが拡張されて弛んだ領域を加熱して収縮させている。

特開２０１０−２０６１３６号公報

しかしながら、一般的にＤＡＦ付きダイシングテープにおいては、ウェハをＤＡＦ上に載置する際の位置決めの誤差を考慮してＤＡＦはウェハの径よりも２０ｍｍ程度大きな径を有しており、ウェハをダイシングテープにマウントした際にウェハ外周に１０ｍｍ程度の領域にＤＡＦが暴露しているため、上記特許文献１のようにカバー内で冷気を噴出して雰囲気冷却方式でワーク全体を冷却すると、ウェハの外周に暴露しているＤＡＦも冷却されて脆性化してしまう。

この状態でダイシングテープを拡張すると、ウェハ外周部に暴露したＤＡＦだけの部分では、ＤＡＦとダイシングテープの接着力がダイシングテープを拡張することによる剪断力に負けて、ＤＡＦが、ダイシングテープから剥離して立ち上がり、破断してデブリ（debris 破片）となって、ウェハのデバイス面やチップの隙間に付着してしまうという問題がある。

本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、ウェハ分割対象領域のみを選択的に冷却し、それ以外の部分は冷却しないようにすることにより、ウェハ外周部のＤＡＦの破断を抑制すると同時に、ウェハ領域のＤＡＦは冷却により十分脆性化して分割することを可能とするワーク分割装置及びワーク分割方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明のワーク分割装置は、ダイシングテープをエキスパンドすることによって選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともにワークを分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割手段を備えたワーク分割装置であって、前記ダイシングテープ表面に貼付された前記ダイアタッチフィルムと、前記ダイアタッチフィルム上に貼付された前記ワークと、前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却可能な選択的冷却手段と、前記ダイアタッチフィルムはその上に貼付されるワークの径よりも大きい径を有し、前記選択的冷却手段による前記ダイアタッチフィルムの冷却時に、前記ワークからはみ出した部分のダイアタッチフィルムに室温の気体を噴出する気体噴出手段と、を備える。

これにより、ウェハ分割対象領域のみを選択的に冷却し、それ以外の部分は冷却しないようにして、半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが冷却されるのを抑制し、ダイシングテープをエキスパンドするとき半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが破断して小片化するのを防止すると同時に、半導体ウェハが貼付された領域のＤＡＦは十分冷却して脆性化することにより容易に分割することが可能となる。

また、ダイアタッチフィルムの厚み方向よりも、ワークの外側にはみ出した部分の長さ方向に熱が伝わり難いため、外周部のダイアタッチフィルムの冷却による脆性化を抑制することができ、外周部のダイアタッチフィルムの破断を防止することができる。

また、一つの実施態様として、前記ワーク分割手段は、前記冷却されたワークのダイシングテープを下から押し上げてエキスパンドする突上げ用リングであることが好ましい。

これにより、ワークを一度に効率よく個別のチップに分割することができる。

また、一つの実施態様として、前記選択的冷却手段が前記ワークが貼付された前記ダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却する際、前記突上げ用リングを前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに対して接触させることが好ましい。

これにより、選択的冷却手段による冷却熱をダイシングテープに接触したエキスパンド手段を介して熱伝達により逃がすことで、外周部のダイアタッチフィルムが冷却されるのを抑制することができる。

また、一つの実施態様として、前記選択的冷却手段は、前記ワークの分割対象領域を冷却可能な冷凍チャックテーブルであることが好ましい。

これにより、必要な部分のみを選択的に冷却することができる。

また、一つの実施態様として、本発明のワーク分割装置は、さらに、前記ワーク分割手段による前記ダイシングテープのエキスパンドを解除した後、前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに発生する弛み部分を選択的に加熱する選択的加熱手段を備えたことが好ましい。

これにより、エキスパンドによって分割された各チップ間の隙間を、エキスパンドを解除した後も保持することができる。

また、一つの実施態様として、前記選択的加熱手段は、光加熱装置であることが好ましい。

これによれば、ダイシングテープのエキスパンド状態が保持されていない部分に発生する弛み部分を選択的に加熱することができる。

また、一つの実施態様として、本発明のワーク分割装置は、さらに、前記エキスパンドされたワークの半導体ウェハの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置され、下降したときに前記半導体ウェハを覆うウェハカバーを備えたことが好ましい。

これによれば、ウェハカバーにより半導体ウェハの領域を光加熱装置の熱から遮蔽することができ、ダイアタッチフィルムが溶けるのを防ぎ、突上げ用リングを降下させてもチップ間隔を維持することができる。
また、本発明の他の態様に係るワーク分割装置は、ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを、予めワークに形成された分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置において、ダイシングテープ表面に貼付されたダイアタッチフィルムと、前記ダイアタッチフィルム上に貼付されたワークと、前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却可能な選択的冷却手段と、前記ダイシングテープをエキスパンドすることによって前記選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともに前記ワークを前記分断予定ラインに沿って分割するワーク分割手段と、前記ワーク分割手段による前記ダイシングテープのエキスパンドを解除した後、前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに発生する弛み部分を選択的に加熱する選択的加熱手段と、前記エキスパンドされたワークの半導体ウェハの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置され、下降したときに前記半導体ウェハを覆うウェハカバーと、を備えたことを特徴とする。

また、同様に前記目的を達成するために、本発明のワーク分割方法は、ダイシングテープをエキスパンドすることによって選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともにワークを分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割方法であって、前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却する選択的冷却工程と、前記ダイアタッチフィルムはその上に貼付されるワークの径よりも大きい径を有し、前記選択的冷却工程による前記ダイアタッチフィルムの冷却時に、前記ワークからはみ出した部分のダイアタッチフィルムに室温の気体を噴出する気体噴出工程と、を備える。

これにより、ウェハ分割対象領域のみを選択的に冷却し、それ以外の部分は冷却しないようにして、半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが冷却されるのを抑制し、ダイシングテープをエキスパンドするとき半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが破断して小片化するのを防止すると同時に、半導体ウェハが貼付された領域のＤＡＦは十分冷却して脆性化することにより容易に分割することが可能となる。

また、ダイアタッチフィルムの厚み方向よりも、ワークの外側にはみ出した部分の長さ方向に熱が伝わり難いため、外周部のダイアタッチフィルムの冷却による脆性化を抑制することができ、外周部のダイアタッチフィルムの破断を防止することができる。

また、一つの実施態様として、前記選択的冷却工程は、前記ワークの分割対象領域を冷却可能な冷凍チャックテーブルによって実行されることが好ましい。

これにより、冷凍チャックテーブルを接触させることによる熱伝達現象により、必要な部分のみを選択的に冷却することができる。

以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが冷却されるのを抑制し、ダイシングテープをエキスパンドするとき半導体ウェハ外周部にはみ出した部分のＤＡＦが破断して小片化するのを防止すると同時に、半導体ウェハが貼付された領域のＤＡＦは十分冷却して脆性化することにより容易に分割することが可能となる。

本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態を示す要部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るワーク分割装置の動作を示すフローチャートである。 第１の実施形態で冷凍チャックテーブルによりワークを冷却している状態を示す要部断面図である。 第１の実施形態のワーク分割装置がエキスパンドを行っている状態を示す断面図である。 サブリングをダイシングテープに挿入した状態を示す断面図である。 サブリングによってダイシングテープの拡張状態を保持している状態を示す断面図である。 本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態の変形例を示す要部断面図である。 本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態のさらに他の変形例を示す要部断面図である。 本発明に係るワーク分割装置の第２の実施形態を示す要部断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るワーク分割装置の動作を示すフローチャートである。 第２の実施形態で冷凍チャックテーブルによりワークを冷却している状態を示す要部断面図である。 第２の実施形態のワーク分割装置がエキスパンドを行っている状態を示す断面図である。 ウェハカバーを下降させた状態を示す断面図である。 ウェハカバーと突上げ用リングでダイシングテープを把持したまま降下した状態を示す断面図である。 ダイシングテープの弛んだ部分を光加熱装置で加熱している状態を示す断面図である。 ダイシングテープを加熱硬化した後の状態を示す断面図である。 ワークを示す（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明に係るワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明する。本発明は、ウェハ外周部に暴露したＤＡＦが冷却によって脆性化しないように、ウェハ外周部に暴露したＤＡＦを冷却する領域とは熱的に分離して、暴露した外周部のＤＡＦに室温のドライエアーを吹き付けることにより外周部のＤＡＦの脆性化を防ぎ、その破断を抑制すると同時に、ウェハ領域のＤＡＦは冷却により十分脆性化して分割することを可能とするものである。

図１は、本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態を示す要部断面図である。

図１に示すように、ワーク分割装置１は、冷凍チャックテーブル１０、突上げ用リング１２を備えている。冷凍チャックテーブル１０上に、図１７に示したような、半導体ウェハがダイシングテープＳを介してフレームＦにマウントされたワーク２が設置される。なお、半導体ウェハＷの裏面には、ＤＡＦ（Die Attach Film ダイアタッチフィルム)Ｄ（以下、ＤＡＦ（Ｄ）と表示する。）を介してダイシングテープＳが貼付された状態となっている。ここで例えば、半導体ウェハＷは厚さ５０μｍ程度、ＤＡＦ（Ｄ）及びダイシングテープＳはそれぞれ厚さ数μｍから１００μｍ程度であるとする。

ダイシングテープとしては、常温で伸縮性を有しつつ、７０℃程度に加熱されると収縮する性質を有するものが使用される。例えば、材料としてはポリプロピレン、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等の合成樹脂シートがある。

なお、テープの表面には、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化樹脂を用いても良い。ＤＡＦは、冷却することで脆化するシートであり、常温で粘着性をもつシートを使用する。例えば、日立化成などから販売されている市販のダイアタッチフィルムを使用すればよい。

冷凍チャックテーブル１０は、ワーク２を真空吸着により保持して、ワーク２を冷凍チャックテーブル１０に接触させて、接触した部分を介して熱伝達によりＤＡＦ（Ｄ）を０℃以下、例えば−５℃〜−１０℃程度に冷却するものである。

冷凍チャックテーブルは、ペルチェ効果によりチャックテーブル自体を積極的に冷却しつつ、表面に真空溝が形成されて、ワークを全面で密着させて吸着しながら、ワークの熱を裏面からチャックテーブルの表面が奪い去る。

冷却されたチャックテーブルがワークに接触することで、ワーク及びークに貼り付けられたＤＡＦ、及びダイシングテープが冷却される。よって、こうした冷却は熱伝達方式である。熱伝達方式の場合、局所的に冷却する部分と、冷却しない部分との境界を明瞭に分けることが可能となる。

ここで冷凍チャックテーブルの構成について説明する。

冷凍チャックテーブルは、ウェハに接触する側より、アルミニウム、樹脂、ステンレスの３層構造となっている。アルミニウムを用いるのは、熱伝導率を良くするためである。内部に用いる樹脂はテーブルの底面側からの熱の侵入を防ぐとともに、ステンレス側が冷えないようするためである。また、ステンレスを用いるのは全体の構造を支持するためである。

冷凍チャックテーブルの内部は、アルミニウム側より流路が形成されており、冷凍チャックテーブル内の面内温度差を１℃程度に抑えている。また、内部には、例えばガルデン（ソルベイソレクシス社製）、フロリナート、ノベック（３Ｍ社製）等のフッ素系媒質によりダメージを受けない材質を用いてシールがなされている。

また、アルミニウム表面には、ウェハにダメージを与えないようにするため、幅０．２ｍｍ、深さ０．４ｍｍのバキューム用の溝が形成されている。この幅であれば、到達真空圧を調整することにより、テープ厚１００μｍ、ウェハ厚２０μｍでもウェハにダメージを与えることなく吸着し、冷却することができる。

このような構成の冷凍チャックテーブルを用いれば、テープ厚１００μｍ、ウェハ厚１００μｍ程度であれば、約２０秒で室温から−１０℃まで面内温度差１℃程度に冷却することができる。

また、フッ素系媒質を用いた際に、媒質と隔壁内で帯電が生じることがある。この帯電がウェハやテープを帯電させることがないように、冷凍チャックテーブル表面のアルマイト処理皮膜の内側はすべて接地電圧となるように構成されている。

雰囲気冷却の場合、チャンバー内部から冷却されたウェハを取り出すとウェハ表面が結露する。しかし、チャックテーブル方式であれば、チャックテーブルにテープを吸着しているときのみ冷却される。

従って、チャンバーからワークを取り出すおよそ１０秒前に吸着を解除すれば、チャンバー内部のウェハが室温に戻る。これにより、チャンバーからワークを取り出した際に、ウェハ表面が結露することがない。

なお、チャックテーブルにおいて、ウェハと接触する部分をすべて冷却部分にする必要はない。例えば、ウェハと接触する部分の中で、冷却したい部分を冷凍状態にして、冷却したくない部分を通常の室温状態にしたチャックを形成してもよい。これは、ペルチェ素子を埋め込み冷却する部分と、そこから断熱材を挟んで室温にするチャック部分とをつなぎ合わせ、結果的に、表面が面一になるように構成すればよい。

このようにすることで、チャックをウェハに接触させながら、チャック表面温度の境界領域によって、冷却する部分と冷却しない部分を明確に分けることが可能となる。

また、突上げ用リング１２は、冷凍チャックテーブル１０の周りを囲むように配置され、リング昇降機構１６によって昇降可能に構成されたリングである。このリングにはテープとの摩擦力低減のたるのコロ（ローラ）を設けてもよい。図１では、突上げ用リング１２は、下降位置（待機位置）に位置している。

半導体ウェハＷには、図１７に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。詳しくは後述するが、突上げ用リング１２は、上昇することにより下からダイシングテープＳを押し上げて、ダイシングテープＳをエキスパンドするものである。このようにダイシングテープＳを引き伸ばすことにより、分断予定ラインが分断されて半導体ウェハＷがＤＡＦ（Ｄ）とともに個々のチップＴに分割される。

ところで、上述したように、冷凍チャックテーブル１０でＤＡＦ（Ｄ）を冷却するのは、ＤＡＦ（Ｄ）は室温では粘度が高く、突上げ用リング１２でダイシングテープＳを下側から押し上げても、ＤＡＦ（Ｄ）はダイシングテープＳとともに伸びてしまい、分断されないからである。すなわち、ＤＡＦ（Ｄ）を冷却して脆性化することにより、分断しやすくしているのである。

また、図１に示すように、ワーク２は、ダイシングテープＳの裏面が、丁度冷凍チャックテーブル１０の上面に接触するような位置に、フレーム固定機構１８によりフレームＦが固定されるようになっている。また、突上げ用リング１２の外周側には、サブリング１４が設置されている。詳しくは後述するが、このサブリング１４は、エキスパンドされたダイシングテープＳの拡張状態を保持して、分断されたチップＴ間の間隔を維持するためのものである。

なお、冷凍チャックテーブル１０、ＤＡＦ（Ｄ）、及び半導体ウェハＷの寸法関係については後述するが（図３参照）、ウェハＷの径よりもＤＡＦ（Ｄ）の径のサイズの方が大きい。

また、ＤＡＦの径サイズより、冷凍チャックテーブルの径は小さく形成され、冷凍チャックテーブルの径は、ウェハの径と略同径に形成されている。

ただし、これは、冷凍チャックテーブルの冷凍する領域が接触部分全面を冷凍する場合である。例えば、接触するエリアはＤＡＦの径サイズと同径の場合であっても、冷凍する領域をウェハと同等サイズとすればよい。

すなわち、接触することにより、熱伝達現象によって冷却されるエリアは、ＤＡＦの径サイズよりも小さくし、ウェハ径(厳密にはＤＡＦとともに分割したいウェハ領域)と略同等としておく。これにより、空間的には、ＤＡＦとともに分断したいウェハ領域のみを局所的に冷却し、それ以外の分断とは関係ないエリアは冷却しない状態にすることができる。

前述したように、冷却したい部分のみを冷凍状態にして、冷却したくない部分を通常の室温状態にしたチャックを形成することにより、冷凍チャックテーブルの径がＤＡＦの径サイズよりも大きく形成されていてもよい。この場合、ウェハの実効分割領域に当たる冷凍チャックテーブルの内側部分が実質的な冷却領域となり、冷凍チャックテーブルの外側（外周側）部分は室温状態を保つように構成される。

またさらに、ＤＡＦの径サイズも特に限定はされず、ＤＡＦの径は、ウェハ径と略同径であってもよいし、逆にフレームと同じサイズであってもよい。この場合、エキスパンドした際、ウェハの外周部からはみ出たＤＡＦが割れたとしてもＤＡＦの外周部がフレームの外周リングによって押さえられているため、割れたＤＡＦの破片が内側のウェハ側に飛び散ることはない。

なお、図１に示すように、結露防止のために、ダイシングテープＳの下側から、室温のドライエアーを吹き付けるノズル１９が、半導体ウェハＷの外周に沿って突上げ用リング１２の外側に複数（図では２つ表示されている）配置されている。このように、ノズル１９はもともと結露防止のために配置されているものであるが、半導体ウェハＷの外周部に室温のドライエアーを吹き付けることで、半導体ウェハＷの外周部に暴露したＤＡＦ（Ｄ）が冷却によって脆性化しないように冷却を抑制する効果をも有しているので、半導体ウェハＷの外周部に暴露したＤＡＦ（Ｄ）の冷却抑制手段として用いてもよい。

ただし、冷凍チャックによって、ダイシングテープＳやＤＡＦ（Ｄ）が極めて局所的に冷却され、外周部に暴露したＤＡＦまで冷却されないのであれば、あえてノズル１９を配置してドライエアーを吹き付けなくてもよい。

以下、図２のフローチャートに沿って、ワーク分割装置１によるワーク２の半導体ウェハＷを個々のチップＴに分割して個片化する動作を説明する。

まず、図２のステップＳ１００において、図１に示すように、半導体ウェハＷの裏面にＤＡＦ（Ｄ）を介してダイシングテープＳが接着されたワーク２のフレームＦをフレーム固定機構１８により固定する。そして、半導体ウェハＷが存在する領域が冷凍チャックテーブル１０の上に位置するように配置する。

次に図２のステップＳ１１０において、図３に示すように、冷凍チャックテーブル１０は、ワーク２の裏面を真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル１０の表面に確実に接触させる。冷凍チャックテーブル１０は低温状態にあり、ワーク２は冷凍チャックテーブル１０に接触した部分を介した熱伝達によって冷却される。

ここで、冷凍チャックテーブル１０、ＤＡＦ（Ｄ）、及び半導体ウェハＷのサイズについて説明する。

例えば、１２インチウェハの場合には、図３において、半導体ウェハＷの径をＬ_Ｗ、冷凍チャックテーブル１０の径をＬ_Ｃ、ＤＡＦ（Ｄ）の径をＬ_Ｄ、フレームＦの内径をＬ_Ｆ、とする。ここでは、それぞれの径のサイズは次のように設定されている。すなわち、半導体ウェハＷの径Ｌ_Ｗは３００ｍｍ、冷凍チャックテーブル１０の径Ｌ_Ｃは３０８ｍｍ、ＤＡＦ（Ｄ）の径Ｌ_Ｄは３２０ｍｍ、フレームＦの内径Ｌ_Ｆは３５０ｍｍである。なお、冷凍チャックテーブル１０は、そのコーナー部Ｃが面取りされているため、実際にワーク２に接触する部分の径は３０６ｍｍ〜３０７ｍｍ程度である。

また、例えば、８インチウェハの場合には、図３において、半導体ウェハＷの径をＬ_Ｗ、冷凍チャックテーブル１０の径をＬ_Ｃ、ＤＡＦ（Ｄ）の径をＬ_Ｄ、フレームＦの内径をＬ_Ｆ、とする。ここでは、それぞれの径のサイズは次のように設定されている。すなわち、半導体ウェハＷの径Ｌ_Ｗは２００ｍｍ、冷凍チャックテーブル１０の径Ｌ_Ｃは２０８ｍｍ、ＤＡＦ（Ｄ）の径Ｌ_Ｄは２２０ｍｍ、フレームＦの内径Ｌ_Ｆは２５０ｍｍである。なお、冷凍チャックテーブル１０は、そのコーナー部Ｃが面取りされているため、実際にワーク２に接触する部分の径は２０６ｍｍ〜２０７ｍｍ程度である。

なお、先にも述べたように、ＤＡＦ及びダイシングテープの厚みは、せいぜい１００μｍ程度である。よって、冷凍チャックテーブル表面からの距離は、ＤＡＦ、及びイシングテープ、ウェハまでの距離はせいぜい大きくて０．２ｍｍ以内である。それに対して、冷凍チャックテーブルの外周からＤＡＦの外周までの径の差は１２ｍｍであるため、片側６ｍｍ程度はある。

ここで、熱の伝わる現象についてみると、熱量は温度勾配と断面積に比例して伝導、伝達される。

厚さΔｘ、面積Ｓで囲われたある微小区間ＳΔｘ内の断面を通過する熱の総量ΔＱは、熱伝導率λ、接触面積Ｓ、温度ｕ、温度勾配Δｕ／Δｘ、微小時間Δｔとして、次式で表すことができる。

ΔＱ＝λＳ（Δｕ／Δｘ）Δｔ ・・・・・・（１）
なお、異種材料間を伝わる熱伝達においては、同種材料内を伝わる熱伝導と基本的には同じであり、熱伝導率の変わりに熱伝達係数が適用されるだけである。

よって、冷凍チャックテーブルを、例えば、−５℃に冷却したとする。すると、ウェハ領域内は、ＤＡＦ及びイシングテープの厚みΔｘはせいぜい０．２ｍｍであるのに対して、熱が伝わる断面積Ｓはウェハ領域全域に相当する。そのため、熱伝達によって移動する熱量は非常に大きく、ＤＡＦやダイシングテープの熱伝達係数や熱伝導率が多少低くても、熱伝達によってすぐさまウェハ領域内のＤＡＦは冷却される。

一方、ＤＡＦの外径部分は、先の事例では、冷凍チャックの外径より６ｍｍも離れている。すなわち、熱が伝導する距離に相当するΔｘは６ｍｍとなる。また、ＤＡＦを貼り付けているダイシングテープはポリエチレン等の樹脂で形成されているため熱伝導率λも低い。さらに、そのポリエチレンの厚みが１００μｍと非常に薄いため、すなわち熱が伝わる断面積Ｓも非常に小さくなる。その結果、ウェハへの熱伝達性と比較して、ダイシングテープやＤＡＦを伝わる熱伝導性は極めて低くなる。

そのため、冷凍チャックが接触しない部分、実質的にダイシングテープの厚み以上に距離が離れているＤＡＦ外周部分は、冷凍チャックからの熱伝達によって冷却される影響を受けることはない。また、冷凍チャックから離れたダイシングテープの部分は、ほとんどの面積が周りの雰囲気に晒されているため、冷凍チャックの温度ではなく、冷凍チャック以外の周囲の雰囲気の温度に支配されるようになる。そのため、例えば、周囲の雰囲気を室温に保持している場合は、冷凍チャックが接触している領域以外は、ほとんど周囲の雰囲気の温度になる。すなわち、冷凍チャックの冷凍域で、実質上の温度の境界領域を形成することが可能となる。

以上のような境界領域を形成することは、ＤＡＦテープの厚みやダイシングテープの厚みを、ウェハ領域(厳密にはウェハとＤＡＦの双方を分割する領域)よりも外周部にはみ出たＤＡＦまでの距離よりも小さく(薄く)、しているためである。

それにより、熱伝達による冷却エリアを限定し、効率よく所定領域(分割したい領域)だけを冷却することが可能となる。

そうしたことから、従来、ＤＡＦテープは伸縮性の材料であるから、ウェハ裏面に確実に貼り付けるためには、貼り付け精度上のマージンからＤＡＦ外径はウェハ径よりも１０ｍｍ程度、少なくともＤＡＦ外径は２ｍｍ以上(片側１ｍｍ以上)は、ウェハ径よりも大きくなければならなかった。

その状態でＤＡＦ全域を低温にすると、ウェハが存在しない外周部のＤＡＦは、低温になることで収縮し、その結果、ＤＡＦの下に存在するダイシングテープとの熱膨張の差でＤＡＦはダイシングテープからめくれ上がってしまっていた。めくれ上がったＤＡＦは、一部が分離してウェハ上に降りかかり、ＤＡＦが異物としてウェハ上に付着するという問題が起こっていた。

しかし、ＤＡＦが貼り付けられた状態であっても、熱伝達を考慮して、十分薄いＤＡＦとダイシングテープを使用し、冷凍チャックを使用し、ウェハ領域を真空でチャックするとともに、チャックされたウェハ領域のみを効率的に、熱伝達現象で局所冷却することによって、ウェハより外周にはみ出たＤＡＦが冷却されることはない。そのため、外周のＤＡＦが冷却により脆化し、めくれ上がってウェハ上に降りかかるという問題は起こらない。

また一方、冷却された部分においてＤＡＦの分断性は向上するため、ダイシングテープを引っ張ることで、ウェハが割断されると同時に、ＤＡＦもきれいに分断することができる。

従って、ＤＡＦ（Ｄ）は、半導体ウェハＷの外周に１０ｍｍ（直径で言うと２０ｍｍ）程度の領域がはみ出している（なお、図では半導体ウェハＷの外周部を特にわかりやすく拡大して表現しているので、ＤＡＦ（Ｄ）のはみ出した部分の図示された寸法は正確ではない。）。また、冷凍チャックテーブル１０が冷却する領域は、上述したように半導体ウェハＷの外周よりも３ｍｍ程度大きくなっている。

この半導体ウェハＷの外周にはみ出した（暴露した）部分のＤＡＦ（Ｄ）が冷却されて脆性化してしまうと、後でダイシングテープＳを拡張したときに、はみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）がダイシングテープＳから剥がれたり、破断して細かい破片となることがある。
これに対して本実施形態では、冷凍チャックテーブル１０を用いて冷却したい領域（ワークの分割対象領域）のみを選択的に冷却し、それ以外の部分は冷却しないようにしている。また上述したように、結露防止のために冷凍チャックテーブル１０の周囲に配置したノズル１９から、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）に向けて、室温のドライエアーを噴出して、このはみ出したＤＡＦ（Ｄ）が冷却されないようにしてもよい。このドライエアーの露点は冷凍チャックテーブルの温度より十分低く調整されている。しかし、これは必ずしも必要ではなく、冷凍チャックテーブルによる局所的な冷却と、その冷却された周囲の室温の管理が不十分な場合に併用的に使用すればよい。

また、このとき、半導体ウェハＷに貼付した部分のＤＡＦ（Ｄ）を冷却する際、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）まで冷却されないように、突上げ用リング１２を昇降機構１６によって上昇させてダイシングテープＳに接触させて、冷却熱を突上げ用リング１２を介して熱伝達により逃がすようにすることが好ましい。これにより、突上げ用リング１２によって、半導体ウェハＷの外周にはみ出した冷却されてはいけないＤＡＦ（Ｄ）の部分と、半導体ウェハＷに貼付した冷却されるべきＤＡＦ（Ｄ）の部分とが熱的に分離される。

このようにして、半導体ウェハＷに貼付した部分のＤＡＦ（Ｄ）が−５℃〜−１０℃程度に冷却される。その結果、半導体ウェハＷに貼付された部分のＤＡＦ（Ｄ）は脆性化し、力を加えることにより容易に割れるようになる。冷凍チャックテーブル１０は、所定時間真空吸着を行い特にＤＡＦ（Ｄ）が所定温度になるまでワーク２の冷却を行う。なお、これらの制御は、図示を省略した制御手段によって行われる。

次に、図２のステップＳ１２０において、図４に示すように、エキスパンドを行い半導体ウェハＷをＤＡＦ（Ｄ）とともに個片化する。

すなわち、図４に示すように、冷凍チャックテーブル１０は、真空吸着を停止し、ワーク２の吸着を解除し、リング昇降機構１６により突上げ用リング１２及びサブリング１４を上昇させる。突上げ用リング１２の上昇は、例えば、４００ｍｍ／ｓｅｃで、１５ｍｍ上方に突き上げるようにしている。なお、このときサブリング１４はフレームＦよりも上には上昇しないような位置で止まっているようにする。

図４に示すように、突上げ用リング１２の上昇により、ダイシングテープＳは下から押し上げられ、ダイシングテープＳの面内において放射状にエキスパンド（拡張）される。ダイシングテープＳが拡張されると、半導体ウェハＷは分断予定ラインに沿って分割され、個々のチップＴ間に数μｍから１００μｍの隙間が形成される。このときＤＡＦ（Ｄ）は、冷却されて脆性化しているので、ＤＡＦ（Ｄ）も半導体ウェハＷと一緒に分断予定ラインに沿って分割される。これにより半導体ウェハＷは、裏面にＤＡＦ（Ｄ）が付いた各チップＴに個片化される。

ダイシングテープＳは、室温においては突上げ用リング１２によるエキスパンドを解除するとその弾性によって元に戻ってしまい各チップＴ間の隙間がなくなってしまう。従って、少なくとも各チップＴが存在する領域においてダイシングテープＳの拡張状態を維持しなければならない。

そこで、次に図２のステップＳ１３０において、図５に示すように、サブリング１４を、フレームＦ上の拡張されたダイシングテープＳに挿入できる位置までリング昇降機構１６によって上昇させ、サブリング１４をダイシングテープＳの拡張された部分に挿入する。このとき、上昇するサブリング１４によってダイシングテープＳが破断しないように、低速でサブリング１４を上昇させる。

次に、図２のステップＳ１４０において、図６に示すように、サブリング１４だけをフレームＦよりも上の位置に残して突上げ用リング１２を下降させ、下降位置（待機位置）に移動させる。このとき、サブリング１４はフレームＦ上の位置に残っているので、ダイシングテープＳの拡張状態が保持される。

これにより、ダイシングテープＳの拡張状態が保持されるので、各チップＴ間の隙間も広く維持され、ＤＡＦ（Ｄ）が再固着することもない。従って、ダイシングテープＳが弛んだ状態でワーク２を搬送するようなことがなく、その後の処理が容易となる。

以上のように、図２のフローチャートに沿って説明したような方法でワーク２を分割することにより、まず冷凍チャックテーブル１０でＤＡＦ（Ｄ）を冷却する際、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）に対してドライエアーを吹き付けて、この部分が冷却されて脆性化しないようにしたことで、このはみ出したＤＡＦ（Ｄ）がダイシングテープＳから剥離したり、破断したりするのを抑性することができる。

また、ダイシングテープＳの拡張をサブリング１４で保持するようにしたことで、ワークの個片化及び分割した各チップ間の隙間を維持するための拡張状態の保持までを一つのユニット内で行うことができ、製品を製造するタクトタイムを速くすることが可能となる。

このとき、サブリング１４を用いてダイシングテープＳの拡張状態を保持すると、サブリング１４によってダイシングテープＳを破ってしまう虞がある。

そこで、第１の実施形態の変形例として、図７に示すように、サブリングを用いないようにしてもよい。この場合も上記の例と同様に、冷凍チャックテーブル１０でワーク２を冷却する際、突上げ用リング１２をダイシングテープＳに接触させて、半導体ウェハＷに対応するＤＡＦ（Ｄ）とその外周側のＤＡＦ（Ｄ）とを熱的に分離した状態で、冷凍チャックテーブル１０の周囲に配置したノズル１９から、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）に向けて、室温のドライエアーを噴出して、このはみ出したＤＡＦ（Ｄ）が冷却されないようにする。

ただし、この場合には、突上げ用リング１２がダイシングテープＳのエキスパンドを解除した後もダイシングテープＳの拡張された状態を保持するための、サブリングに代わる手段が必要となる。

そこで、第１の実施形態のさらに他の変形例として、図８に示すように、選択的加熱手段として光加熱装置２２を用い、弛んだダイシングテープＳの部分のみを局所的に加熱して緊張させるようにしてダイシングテープＳの拡張状態を保持するようにしてもよい。光加熱装置は、例えばスポットタイプのハロゲンランプヒータである。光加熱装置２２は、昇降機構２３によって昇降可能に設置され、またその個数は、２個に限定されるものではなく、より多くの光加熱装置２２をワーク２の周囲に配置するようにしてもよい。

またさらに、光加熱装置２２がワーク２の周囲に対して均等に熱を加えるよう、光加熱装置２２をワーク２の周囲に回転可能としてもよい。このとき昇降機構２３が回転機構を兼ねるようにしてもよい。

また、本発明の第２の実施形態として、図９に示すワーク分割装置１００のように、半導体ウェハＷを覆うように昇降可能に配置されたウェハカバー２０を備えて、半導体ウェハＷに貼付されたＤＡＦ（Ｄ）を光加熱装置２２の熱から熱的に分離するようにしてもよい。

ウェハカバー２０は、有底の高さの低い円筒形状をしており、底面２０ａと側面２０ｂとからなり、底面２０ａは半導体ウェハＷよりも一回り大きく形成されている。また、ウェハカバー２０は、カバー昇降機構２１によって昇降可能に設置されており、下降した位置において、半導体ウェハＷを覆うようになっている。また一方、ウェハカバー２０の側面２０ｂの先端面は、上昇した突上げ用リング１２の先端面と突き合わされるようになっており、これにより半導体ウェハＷの領域はウェハカバー２０によって完全に密閉され、光加熱装置２２によって加熱されるダイシングテープＳの領域に対して熱的に分離される。

これにより、冷却されてチップＴに分割された半導体ウェハＷの各チップＴ間の隙間が再び閉じてしまったりすることが防止される。

以下、図１０のフローチャートに沿って、図９に示すように光加熱装置２２とウェハカバー２０を備えた本発明の第２の実施形態のワーク分割装置１００の作用を説明する。

まず、図１０のステップＳ２００において、図９に示すように、半導体ウェハＷの裏面にＤＡＦ（Ｄ）を介してダイシングテープＳが接着されたワーク２のフレームＦをフレーム固定機構１８により固定する。そして、半導体ウェハＷが存在する領域が冷凍チャックテーブル１０の上に位置するように配置する。なお、半導体ウェハＷには、図１７に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。

次に図１０のステップＳ２１０において、図１１に示すように、冷凍チャックテーブル１０は、ワーク２の裏面を真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル１０の表面に確実に接触させ、熱伝達によってワーク２を冷却する。またこのとき、冷凍チャックテーブル１０の周囲に配置したノズル１９から、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）に向けて、室温のドライエアーを噴出して、このはみ出したＤＡＦ（Ｄ）が冷却されないようにする。このドライエアーの露点は冷凍チャックテーブルの温度より十分低く調整されている。

また、図１１に示すように、前の実施形態と同様に、半導体ウェハＷに貼付した部分のＤＡＦ（Ｄ）を冷却する際、半導体ウェハＷの外周にはみ出した部分のＤＡＦ（Ｄ）まで冷却されないように、突上げ用リング１２を昇降機構１６によって上昇させてダイシングテープＳに接触させて、冷却熱を突上げ用リング１２を介して熱伝達により逃がすようにすることが好ましい。これにより、突上げ用リング１２によって、半導体ウェハＷの外周にはみ出した冷却されてはいけないＤＡＦ（Ｄ）の部分と、半導体ウェハＷに貼付した冷却されるべきＤＡＦ（Ｄ）の部分とが熱的に分離される。

冷凍チャックテーブル１０は、所定時間ワーク２を真空吸着して、ＤＡＦ（Ｄ）が脆性化するように冷却した後、真空吸着を解除する。

次に、図１０のステップＳ２２０において、図１２に示すように、リング昇降機構１６によって突上げ用リング１２を上昇させて、ダイシングテープＳをエキスパンドする。このときの突上げ用リング１２の突上げは、前の実施形態と同様に、例えば４００ｍｍ／ｓｅｃの速度で、１５ｍｍの高さまでダイシングテープＳを突き上げる。

これによりダイシングテープＳが放射状に拡張されて半導体ウェハＷが分断予定ラインに沿ってＤＡＦ（Ｄ）と一緒になって、各チップＴに分割される。

次に、図１０のステップＳ２３０において、図１３に示すように、ウェハカバー２０及び光加熱装置２２を、それぞれカバー昇降機構２１及びヒータ昇降機構２３によって下降させ、ウェハカバー２０でワーク２の半導体ウェハＷの部分を被覆する。このとき図１３に示すように、ウェハカバー２０の側面２０ｂの先端面と、突上げ用リング１２の先端面とを突き合わせて、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する。

このウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する力は、例えば４０ｋｇｆ程度である。

次に、図１０のステップＳ２４０において、図１４に示すように、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持したまま、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２を、半導体ウェハＷの下側のダイシングテープＳの裏面が冷凍チャックテーブル１０の上面に接触する位置まで下降させる。これにより、ダイシングテープＳの、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２とで把持された部分の周辺部が弛緩し、弛み部が発生する。なお、このとき、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する力は４０ｋｇｆを維持している。

次に、図１０のステップＳ２５０において、図１５に示すように、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間で把持した部分の外側の弛緩したダイシングテープＳの部分に対してのみ、光加熱装置２２でスポット光を当てて選択的に加熱する。このとき、もしＤＡＦ（Ｄ）も同時に加熱されてしまうとＤＡＦ（Ｄ）が溶けてチップＴ間の隙間がなくなってしまう虞があるので、ダイシングテープＳの弛んだ部分のみを選択的に加熱する必要がある。

この加熱により弛んだダイシングテープＳが緊張して、弛みが次第に解消して行く。なお、例えば光加熱装置２２はそれぞれ１００Ｗであり、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間の把持力も４０ｋｇｆが維持されている。

またこのとき、光加熱装置２２をオンしてからその加熱状態が安定した後（約２秒後）、固定した一定の位置からのみ加熱することによってダイシングテープＳの緊張状態に偏りが生じないように、光加熱装置２２をウェハカバー２０の周囲に一定の周期で所定速度で回転することが好ましい。このように光加熱装置２２をウェハカバー２０の周囲に一定の周期で回転させることで様々な方向から加熱することにより、ダイシングテープＳの緊張状態に偏りが生じるのを防ぐことができる。なお、光加熱装置２２を回転する場合に、ヒータ昇降機構２３が単に光加熱装置２２を昇降させるだけでなく、光加熱装置２２を一定の周期で回転させるヒータ回転機構の機能をも備えるようにしてもよい。

また、この例においては、光加熱装置２２による熱輻射によって加熱しているので、ダイシングテープＳの弛んだ部分にのみ局所的に（選択的に）加熱することができる。また特に本実施形態では、半導体ウェハＷをウェハカバー２０で覆っているため熱を遮蔽して、光加熱装置２２によってＤＡＦ（Ｄ）が加熱されてしまうのを防ぐことができ、より一層光加熱装置２２による局所的な加熱を可能としている。

また、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２とによってダイシングテープＳの弛んだ部分の近くを把持しているので、弛んだ部分を加熱することによってウェハカバー２０や突上げ用リング１２も加熱されるが、この熱は熱伝達によってウェハカバー２０や突上げ用リング１２を通じて逃げて行く。従って、ウェハカバー２０及び突上げ用リング１２の内部に囲われたＤＡＦ（Ｄ）は、熱的に遮蔽されており、加熱されることはない。

この点従来は、温風による加熱であったので、熱対流により全体が加熱されてしまうので、ダイシングテープＳの弛んだ部分だけを選択的に加熱することはできなかった。また、ＤＡＦ（Ｄ）の冷却も、雰囲気冷却方式でユニット全体を冷却してエキスパンドを行っていたので、選択的な冷却をすることができず、冷却と加熱を一つのユニットで行うことができなかった。

これに対してこの例では、ＤＡＦ（Ｄ）の冷却についても、冷凍チャックテーブル１０で吸着してワーク２を接触させることによる熱伝達を用いており、さらに半導体ウェハＷの外側にはみ出したＤＡＦ（Ｄ）に対しては室温のドライエアーを吹き付けて冷却しないようにして、ＤＡＦ（Ｄ）の部分のみを選択的に冷却するようにしている。

従って、ＤＡＦ（Ｄ）の冷却と、弛んだダイシングテープＳの加熱とを一つのユニット内で行うことが可能である。

このようにして、ダイシングテープＳを所定時間加熱してダイシングテープＳが緊張して弛みが解消したら、光加熱装置２２による加熱（光加熱装置２２の回転）を停止する。このときダイシングテープＳが硬化するまで約３０秒程度、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２とによるダイシングテープＳの把持を続ける。さらに、このとき冷凍チャックテーブル１０による真空吸着により硬化を促進するようにしてもよい。ここで冷凍チャックテーブル１０によって真空吸着して冷却することにより、ダイシングテープＳの外周部の加熱された部分の熱をとってやることで、通常室温に放置するよも短時間でダイシングテープＳを硬化させることができる。

最後に、図１０のステップＳ２６０において、図１６に示すように、ウェハカバー２０（と光加熱装置２２）を上昇させるとともに、突上げ用リング１２を降下させて、ダイシングテープＳの把持を解放する。またこのとき、冷凍チャックテーブル１０による真空吸着を行っていた場合、真空吸着も停止する。

このようにして、各チップＴの間隔が十分維持されるとともに、周囲のダイシングテープＳに弛みのないワーク２を製造することができる。

従って、この例によれば、チップの品質低下や歩留りの低下を生じることもない。このように、ウェハカバーによりワーク２の半導体ウェハＷの部分を被覆して加熱手段である光加熱装置２２から熱的に遮蔽していたが、光加熱装置２２はスポット的に熱を当てて選択的に加熱することがてきるので、図８に示す例のように、必ずしもウェハカバーを用いなくともよい。

また、ワーク２のＤＡＦ（Ｄ）を冷却する際、冷凍チャックテーブル１０で半導体ウェハＷに貼付されたＤＡＦ（Ｄ）の領域のみを選択的に冷却し、そのとき半導体ウェハＷの外周からはみ出したＤＡＦ（Ｄ）の部分に対して室温のドライエアーを吹き付けることで、半導体ウェハＷの外周からはみ出したＤＡＦ（Ｄ）の部分が冷却されるのを防止するようにしたため、この部分のＤＡＦ（Ｄ）が脆性化して破断し、その破片が半導体ウェハＷに付着するのを防止することができる。

以上、本発明のワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。

１、１００…ワーク分割装置、２…ワーク、１０…冷凍チャックテーブル、１２…突上げ用リング、１４…サブリング、１６…リング昇降機構、１８……フレーム固定機構、１９…ノズル、２０…ウェハカバー、２１…カバー昇降機構、２２…光加熱装置、２３…ヒータ昇降機構（回転機構）

Claims (10)

1. ダイシングテープをエキスパンドすることによって選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともにワークを分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割手段を備えたワーク分割装置であって、
   前記ダイシングテープ表面に貼付された前記ダイアタッチフィルムと、
   前記ダイアタッチフィルム上に貼付された前記ワークと、
   前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却可能な選択的冷却手段と、
   前記ダイアタッチフィルムはその上に貼付されるワークの径よりも大きい径を有し、前記選択的冷却手段による前記ダイアタッチフィルムの冷却時に、前記ワークからはみ出した部分のダイアタッチフィルムに室温の気体を噴出する気体噴出手段と、
   を備えたワーク分割装置。
2. 前記ワーク分割手段は、前記冷却されたワークのダイシングテープを下から押し上げてエキスパンドする突上げ用リングであることを特徴とする請求項１に記載のワーク分割装置。
3. 前記選択的冷却手段が前記ワークが貼付された前記ダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却する際、前記突上げ用リングを前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに対して接触させることを特徴とする請求項２に記載のワーク分割装置。
4. 前記選択的冷却手段は、前記ワークの分割対象領域を冷却可能な冷凍チャックテーブルであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のワーク分割装置。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のワーク分割装置であって、さらに、前記ワーク分割手段による前記ダイシングテープのエキスパンドを解除した後、前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに発生する弛み部分を選択的に加熱する選択的加熱手段を備えたことを特徴とするワーク分割装置。
6. 前記選択的加熱手段は、光加熱装置であることを特徴とする請求項５に記載のワーク分割装置。
7. 請求項５又は６に記載のワーク分割装置であって、さらに、前記エキスパンドされたワークの半導体ウェハの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置され、下降したときに前記半導体ウェハを覆うウェハカバーを備えたことを特徴とするワーク分割装置。
8. ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを、予めワークに形成された分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置において、
   ダイシングテープ表面に貼付されたダイアタッチフィルムと、
   前記ダイアタッチフィルム上に貼付されたワークと、
   前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却可能な選択的冷却手段と、
   前記ダイシングテープをエキスパンドすることによって前記選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともに前記ワークを前記分断予定ラインに沿って分割するワーク分割手段と、
   前記ワーク分割手段による前記ダイシングテープのエキスパンドを解除した後、前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに発生する弛み部分を選択的に加熱する選択的加熱手段と、
   前記エキスパンドされたワークの半導体ウェハの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置され、下降したときに前記半導体ウェハを覆うウェハカバーと、
   を備えたことを特徴とするワーク分割装置。
9. ダイシングテープをエキスパンドすることによって選択的に冷却されたダイアタッチフィルムとともにワークを分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割方法であって、
   前記ダイシングテープの前記ダイアタッチフィルムが貼付された側とは反対側から前記ダイシングテープに接触することによって、前記ダイアタッチフィルムの前記ワークの分割対象領域のみを、熱伝達現象により選択的に冷却する選択的冷却工程と、
   前記ダイアタッチフィルムはその上に貼付されるワークの径よりも大きい径を有し、前記選択的冷却工程による前記ダイアタッチフィルムの冷却時に、前記ワークからはみ出した部分のダイアタッチフィルムに室温の気体を噴出する気体噴出工程と、
   を備えたワーク分割方法。
10. 前記選択的冷却工程は、前記ワークの分割対象領域を冷却可能な冷凍チャックテーブルによって実行されることを特徴とする請求項９に記載のワーク分割方法。

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