JP2012174945A - 半導体ウエハの加工方法 - Google Patents
半導体ウエハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012174945A JP2012174945A JP2011036554A JP2011036554A JP2012174945A JP 2012174945 A JP2012174945 A JP 2012174945A JP 2011036554 A JP2011036554 A JP 2011036554A JP 2011036554 A JP2011036554 A JP 2011036554A JP 2012174945 A JP2012174945 A JP 2012174945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- adhesive layer
- tape
- wafer
- wafer processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【課題】温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）容易に接着剤層を分断することができる半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】本発明は基材フィルム上に粘着剤層１２と接着剤層１３とが積層されたウエハ加工用テープ１０を用いる半導体ウエハＷの分断方法に関する。当該分断方法では、半導体ウエハＷとウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３とを貼合する工程と、半導体ウエハＷにレーザー光を照射して改質領域３０を格子状に形成する工程と、半導体ウエハＷの改質領域３０の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向Ａと縦方向Ｂとに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする工程と、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】本発明は基材フィルム上に粘着剤層１２と接着剤層１３とが積層されたウエハ加工用テープ１０を用いる半導体ウエハＷの分断方法に関する。当該分断方法では、半導体ウエハＷとウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３とを貼合する工程と、半導体ウエハＷにレーザー光を照射して改質領域３０を格子状に形成する工程と、半導体ウエハＷの改質領域３０の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向Ａと縦方向Ｂとに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする工程と、を備える。
【選択図】図６
Description
本発明は半導体ウエハの加工方法に関し、特に半導体ウエハをダイシング・ピックアップする過程において半導体ウエハに付随する接着剤層を分断するのに好適な技術に関する。
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後にウエハをチップ単位に切断するダイシング工程、ウエハ加工用テープをエキスパンド（伸張または拡張）する工程、分断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。
上記バックグラインド工程では、ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を汚染から保護するための表面保護テープが使用される。
ウエハの裏面研削終了後は、この表面保護テープをウエハ表面から剥離する際に、以下に述べるウエハ加工用テープをウエハ裏面に貼合した後、ウエハ加工用テープ側を吸着テーブルに固定し、表面保護テープに対してウエハに対する接着力を低下させる処理を施し、その後に表面保護テープを剥離する。
表面保護テープが剥離されたウエハは、その後、裏面にウエハ加工用テープが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。
なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、エネルギー線照射処理であり、表面保護テープが例えば熱硬化性成分からなるような加熱によって粘着力が制御される場合は、熱照射（加熱）処理である。
ウエハの裏面研削終了後は、この表面保護テープをウエハ表面から剥離する際に、以下に述べるウエハ加工用テープをウエハ裏面に貼合した後、ウエハ加工用テープ側を吸着テーブルに固定し、表面保護テープに対してウエハに対する接着力を低下させる処理を施し、その後に表面保護テープを剥離する。
表面保護テープが剥離されたウエハは、その後、裏面にウエハ加工用テープが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。
なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、エネルギー線照射処理であり、表面保護テープが例えば熱硬化性成分からなるような加熱によって粘着力が制御される場合は、熱照射（加熱）処理である。
上記バックグラインド工程の後のダイシング工程〜マウント工程では、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層されたウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）が使用される。
一般に、ウエハ加工用テープを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にウエハ加工用テープの接着剤層を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハおよび接着剤層をチップ単位にダイシングする。
その後、テープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
ダイシング後のチップは、ピックアップ工程において接着剤層とともに粘着剤層から剥離・ピックアップされ、マウント工程においてリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。
このように、ウエハ加工用テープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や、別途各チップに対してダイボンディングフィルム（接着剤層が形成されたフィルム）を接着する工程などを省略することができる。
その後、テープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
ダイシング後のチップは、ピックアップ工程において接着剤層とともに粘着剤層から剥離・ピックアップされ、マウント工程においてリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。
このように、ウエハ加工用テープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や、別途各チップに対してダイボンディングフィルム（接着剤層が形成されたフィルム）を接着する工程などを省略することができる。
しかしながら、上記ダイシング工程では、上述のようにダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。
接着剤層の切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造において歩留まりが低下してしまう。
接着剤層の切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造において歩留まりが低下してしまう。
上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをブレードでダイシングし、エキスパンド工程において、ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、接着剤層を個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の段落００５５〜００５６）。
このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑の発生が大きく抑制され、ピックアップ工程を効率よく行うことができる。
このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑の発生が大きく抑制され、ピックアップ工程を効率よく行うことができる。
近年では、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断可能な、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。
例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
また、例えば、特許文献３では、レーザー加工装置を用いた半導体ウエハの切断方法の別法として、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着フィルム（接着剤層）を装着する工程と、裏面に該接着フィルムが装着された半導体ウエハの接着フィルム側に伸長可能な保護粘着テープを貼着する工程と、保護粘着テープを貼着した半導体ウエハの表面からストリートに沿ってレーザー光線を照射して個々の半導体チップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張（エキスパンド）して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを半導体チップ毎に破断する工程と、破断された接着フィルムが貼着されている半導体チップを保護粘着テープから離脱する工程、とを含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。
これら特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射やウエハ加工用テープのエキスパンドにより、非接触で半導体ウエハを切断するので、半導体ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなく半導体ウエハの切断が可能であるし、さらに、エキスパンドにより接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。
このため、特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法は、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
このため、特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法は、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
特許文献１〜３の技術では、いずれも、接着剤層をエキスパンドにより分断している点で共通している。
この場合に、たとえば、特許文献１（段落００５や図１０参照）や特許文献３（段落００３７や図８参照）の技術では、図１３（ａ）に示すとおり、基材フィルム１１に粘着剤層１２および接着剤層１３が積層されたウエハ加工用テープ１０の背面に対して昇降可能な円筒状部材１００を配置し、図１３（ｂ）に示すとおり、円筒状部材１００を基材フィルム１１側から突き上げ、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドし、接着剤層１３を分断している。
接着剤層１３およびこれと貼合される半導体ウエハＷは円形状を呈しており、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすると、接着剤層１３には中央部から外周部に向けて放射状に（径方向に）引張り力が加わる。
この場合に、たとえば、特許文献１（段落００５や図１０参照）や特許文献３（段落００３７や図８参照）の技術では、図１３（ａ）に示すとおり、基材フィルム１１に粘着剤層１２および接着剤層１３が積層されたウエハ加工用テープ１０の背面に対して昇降可能な円筒状部材１００を配置し、図１３（ｂ）に示すとおり、円筒状部材１００を基材フィルム１１側から突き上げ、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドし、接着剤層１３を分断している。
接着剤層１３およびこれと貼合される半導体ウエハＷは円形状を呈しており、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすると、接着剤層１３には中央部から外周部に向けて放射状に（径方向に）引張り力が加わる。
このような方法によると、ウエハ加工用テープ１０の円筒状部材１００に接している部分の近傍では、ウエハ加工用テープ１０は大きく引き伸ばされるものの、ウエハ加工用テープ１０の中央部分では、十分に引き伸ばされにくく、接着剤層１３が分断できないことがある。さらに、接着剤層やダイシングテープ（粘着剤層の形成されたテープ）の種類によっては、接着剤層がエキスパンドにより分断できないということもありえる。
このような問題に対し、特許文献４の技術では、接着剤層が低温域で脆弱化するという性質を利用し、低温環境下（たとえば−１５〜０℃）でウエハ加工用テープをエキスパンドすることがおこなわれている。
このような問題に対し、特許文献４の技術では、接着剤層が低温域で脆弱化するという性質を利用し、低温環境下（たとえば−１５〜０℃）でウエハ加工用テープをエキスパンドすることがおこなわれている。
しかしながら、特許文献４の方法では、エキスパンドをおこなう際に低温環境を作らなければならず、そのためのコストがかかるという問題が新たに生じる。
したがって、本発明の主な目的は、接着剤層をエキスパンドにより分断する際に、温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）容易に接着剤層を分断することができる半導体ウエハの加工方法を提供することにある。
したがって、本発明の主な目的は、接着剤層をエキスパンドにより分断する際に、温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）容易に接着剤層を分断することができる半導体ウエハの加工方法を提供することにある。
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハにレーザー光を照射して改質領域を格子状に形成する工程と、
前記半導体ウエハの改質領域の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。
基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハにレーザー光を照射して改質領域を格子状に形成する工程と、
前記半導体ウエハの改質領域の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハをブレードまたはレーザー光により格子状に切断する工程と、
前記半導体ウエハの縦および横の切断方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。
基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハをブレードまたはレーザー光により格子状に切断する工程と、
前記半導体ウエハの縦および横の切断方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。
本発明によれば、半導体ウエハの改質領域の形成方向または切断方向に対して、ウエハ加工用テープのエキスパンド方向をこれと直交する方向と明確にしているから、エキスパンドによる引っ張り力を、接着剤層の分断しようとする位置に集中させることができ、特に温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）容易に接着剤層を分断することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
図１は、本発明の好ましい実施形態にかかるウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハＷが貼り合わされた状態を示す断面図である。
図１に示すとおり、半導体ウエハＷの回路パターン形成面（ウエハ表面）には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ１４が貼合されている。
半導体ウエハＷの裏面には、ウエハ加工用テープ１０が貼合されている。
ウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。
ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上に半導体ウエハＷの裏面が貼合される。
なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。
ウエハ加工用テープ１０は、ウエハ１枚分ごとに切断された形態を有していてもよいし、これが複数形成された長尺のシートがロール状に巻き取られた形態を有していてもよい。
図１に示すとおり、半導体ウエハＷの回路パターン形成面（ウエハ表面）には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ１４が貼合されている。
半導体ウエハＷの裏面には、ウエハ加工用テープ１０が貼合されている。
ウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。
ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上に半導体ウエハＷの裏面が貼合される。
なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。
ウエハ加工用テープ１０は、ウエハ１枚分ごとに切断された形態を有していてもよいし、これが複数形成された長尺のシートがロール状に巻き取られた形態を有していてもよい。
以下に、各層の構成について説明する。
＜基材フィルム（１１）＞
基材フィルム１１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層１２として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１３ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
また、近年、エキスパンド後はウエハ加工用テープ１０に弛みが生じる為に個々の半導体チップの間隔を安定に保持できなくなり、搬送時に互いに隣接する半導体チップ間で接触して接着剤層１３の再癒着が起きてしまうといった問題を解決する為、ウエハ加工用テープ１０を加熱収縮性テープとし、分断工程の後にテープを加熱して緊張させ、半導体チップ間の間隔を保持する方法が提案されている。
このような加熱収縮性テープとするためには、基材フィルム１１は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満の熱可塑性架橋樹脂から構成するとよい。
このような構成の基材フィルム１１を使用することで、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ１０が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。
なお、一般にエキスパンド工程後の加熱工程においてテープは５０〜９０℃程度になる為、軟化点がこの範囲より高すぎれば弛みを十分に除去するのが困難であり、また逆に低すぎればテープが溶断する危険がある。
＜基材フィルム（１１）＞
基材フィルム１１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層１２として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１３ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
また、近年、エキスパンド後はウエハ加工用テープ１０に弛みが生じる為に個々の半導体チップの間隔を安定に保持できなくなり、搬送時に互いに隣接する半導体チップ間で接触して接着剤層１３の再癒着が起きてしまうといった問題を解決する為、ウエハ加工用テープ１０を加熱収縮性テープとし、分断工程の後にテープを加熱して緊張させ、半導体チップ間の間隔を保持する方法が提案されている。
このような加熱収縮性テープとするためには、基材フィルム１１は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満の熱可塑性架橋樹脂から構成するとよい。
このような構成の基材フィルム１１を使用することで、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ１０が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。
なお、一般にエキスパンド工程後の加熱工程においてテープは５０〜９０℃程度になる為、軟化点がこの範囲より高すぎれば弛みを十分に除去するのが困難であり、また逆に低すぎればテープが溶断する危険がある。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満のものであれば何でも良いが、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体若しくはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、且つ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。
上記アイオノマー樹脂は分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは何でも良いが、特に亜鉛イオンが溶出性の低さから特に低汚染性の面から言って好ましい。
上記アイオノマー樹脂は分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは何でも良いが、特に亜鉛イオンが溶出性の低さから特に低汚染性の面から言って好ましい。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂の他に、比重０．９１０以上〜０．９３０未満の低密度ポリエチレン若しくは比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレンに電子線を照射することで架橋させたものも好適である。
この熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存しているので、一定の均一拡張性を有する為に上記エキスパンド工程に適し、加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。
低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンに対して照射する電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
上記電子線で架橋されたポリエチレンは分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンの一例としては、日本ポリケム社製のカーネル等が挙げられる。
この熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存しているので、一定の均一拡張性を有する為に上記エキスパンド工程に適し、加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。
低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンに対して照射する電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
上記電子線で架橋されたポリエチレンは分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンの一例としては、日本ポリケム社製のカーネル等が挙げられる。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂や電子線架橋されたポリエチレンの他に、エチレン−酢酸ビニル共重合体に電子線を照射することで架橋させたものも好適である。
この熱可塑性架橋樹脂は加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程において特に好適である。
電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
上記電子線架橋されたエチレン−酢酸ビニル共重合体もまた分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記のエチレン−酢酸ビニル共重合体一例としては、日本ポリケム社製のウルトラセン等が挙げられる。
この熱可塑性架橋樹脂は加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程において特に好適である。
電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
上記電子線架橋されたエチレン−酢酸ビニル共重合体もまた分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記のエチレン−酢酸ビニル共重合体一例としては、日本ポリケム社製のウルトラセン等が挙げられる。
なお、図１に示す例では、基材フィルム１１は単層であるが、これに限定されず、２種以上のビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満の熱可塑性架橋樹脂を積層させた２層以上の複数層構造であってもよい。
基材フィルム１１の厚みは特に規定しないが、ウエハ加工用テープ１０の拡張工程において引き伸ばし易く、且つ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、５０〜２００μｍ程度がよく、１００〜１５０μｍがより好ましい。
基材フィルム１１の厚みは特に規定しないが、ウエハ加工用テープ１０の拡張工程において引き伸ばし易く、且つ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、５０〜２００μｍ程度がよく、１００〜１５０μｍがより好ましい。
複数層の基材フィルム１１の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。
ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。
接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。
接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
＜粘着剤層（１２）＞
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。
本発明のウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層１３との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１３との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。
ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層１２はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１３との剥離が容易な材料であることが好ましい。
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。
本発明のウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層１３との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１３との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。
ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層１２はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１３との剥離が容易な材料であることが好ましい。
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。
ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、又は電子線などの電離性放射線である。
ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、又は電子線などの電離性放射線である。
粘着剤層１２の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。
化合物（Ａ）のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。
ヨウ素価が０．５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性が十分で、ウエハ加工用テープ１０の拡張後におけるチップの間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各チップの画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
化合物（Ａ）のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。
ヨウ素価が０．５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性が十分で、ウエハ加工用テープ１０の拡張後におけるチップの間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各チップの画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。
ガラス転移点が−７０℃以上であれば、エネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の半導体チップの飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物とを混合したものや、官能基をもつアクリル系共重合体または官能基をもつメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得たものが用いられる。
ガラス転移点が−７０℃以上であれば、エネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の半導体チップの飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物とを混合したものや、官能基をもつアクリル系共重合体または官能基をもつメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得たものが用いられる。
このうち、前記の官能基を有する化合物（Ａ１）は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどのエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（Ａ１−１）と、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体（Ａ１−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（Ａ１−１）としては、アルキル鎖の炭素数が６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、またはアルキル鎖の炭素数が５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（Ａ１−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。
また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（Ａ１−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
単量体（Ａ１−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。
また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（Ａ１−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
単量体（Ａ１−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（Ａ１−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
化合物（Ａ２）において、用いられる官能基としては、化合物（Ａ１）、つまり単量体（Ａ１−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（Ａ１−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。
この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。
この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。
３０万未満では、凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
３０万未満では、凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。
また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。
化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。
この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。
粘着剤層１２に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。
例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
粘着剤層１２に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。
例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層１２の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。
なお、粘着剤層１２は複数の層が積層された構成であってもよく、各層の組成は同一であっても、それぞれ異なっていてもよい。
なお、粘着剤層１２は複数の層が積層された構成であってもよく、各層の組成は同一であっても、それぞれ異なっていてもよい。
＜接着剤層（１３）＞
接着剤層１３は、半導体ウエハＷが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップに付着した状態で粘着剤層１２と剥離され、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
半導体ウエハ加工に際して、該接着剤層１３は基材フィルム１１に粘着剤層１２を積層したウエハ加工用テープ１０に予め積層されていてもよいし、それぞれ別々に半導体ウエハに貼合してもよい。
接着剤は得に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。
接着剤層１３の厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
接着剤層１３は、半導体ウエハＷが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップに付着した状態で粘着剤層１２と剥離され、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
半導体ウエハ加工に際して、該接着剤層１３は基材フィルム１１に粘着剤層１２を積層したウエハ加工用テープ１０に予め積層されていてもよいし、それぞれ別々に半導体ウエハに貼合してもよい。
接着剤は得に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。
接着剤層１３の厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
本発明のウエハ加工用テープ１０において、接着剤層１３は予め接着剤層１３がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム１１上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。
ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。
なお、接着フィルムをセパレータ上に接着剤層１３が形成されたものとし、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままウエハ加工用テープ１０のカバーフィルムとして使用し、半導体ウエハＷを貼合する際に剥離してもよい。
ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。
なお、接着フィルムをセパレータ上に接着剤層１３が形成されたものとし、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままウエハ加工用テープ１０のカバーフィルムとして使用し、半導体ウエハＷを貼合する際に剥離してもよい。
接着フィルムは粘着剤層１２の全面に積層してもよいが、予め貼合される半導体ウエハＷに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。
半導体ウエハＷに応じた接着フィルムを積層した場合、図１に示すように、半導体ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム２０（図３など参照）が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。
一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０は粘着剤層１２と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
半導体ウエハＷに応じた接着フィルムを積層した場合、図１に示すように、半導体ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム２０（図３など参照）が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。
一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０は粘着剤層１２と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
＜用途＞
ウエハ加工用テープ１０の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層１３を分断する工程を含む半導体ウエハの加工方法に使用する限り、特に限定されない。
例えば、ウエハ加工用テープ１０は、以下の半導体ウエハの加工方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用できる。
ウエハ加工用テープ１０の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層１３を分断する工程を含む半導体ウエハの加工方法に使用する限り、特に限定されない。
例えば、ウエハ加工用テープ１０は、以下の半導体ウエハの加工方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用できる。
半導体ウエハの加工方法（Ａ）では、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
半導体ウエハの加工方法（Ｂ）では、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から切断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに切断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から切断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに切断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
半導体ウエハの加工方法（Ｃ）では、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを切断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに切断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
なお、上記工程（ｅ）においては、半導体ウエハのみを切断してもよいし、半導体ウエハおよび接着剤層あるいは粘着剤層、基材フィルムの一部まで切断してもよい。接着剤層等まで切断した場合であっても、接着剤層等の切削屑によって一旦は切断した接着剤層間が再癒着するため、エキスパンドによって接着剤層を分断することがピックアップを良好に行うために有効である。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを切断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに切断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
なお、上記工程（ｅ）においては、半導体ウエハのみを切断してもよいし、半導体ウエハおよび接着剤層あるいは粘着剤層、基材フィルムの一部まで切断してもよい。接着剤層等まで切断した場合であっても、接着剤層等の切削屑によって一旦は切断した接着剤層間が再癒着するため、エキスパンドによって接着剤層を分断することがピックアップを良好に行うために有効である。
半導体ウエハの加工方法（Ｄ）では、
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む。
なお、上記半導体ウエハの加工方法（Ａ）から（Ｄ）は、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とを有するウエハ加工用テープを用いる場合の加工方法である。
ウエハ加工用テープを基材フィルムと粘着剤層のみを有するものとした場合は、ウエハ加工用テープを半導体ウエハに貼合する工程において、半導体ウエハの裏面に接着剤層を介してウエハ加工用テープを貼合するようにする。
ウエハ加工用テープを基材フィルムと粘着剤層のみを有するものとした場合は、ウエハ加工用テープを半導体ウエハに貼合する工程において、半導体ウエハの裏面に接着剤層を介してウエハ加工用テープを貼合するようにする。
＜使用方法＞
本発明のウエハ加工用テープ１０を上記半導体ウエハの加工方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図１２を参照しながら説明する。
本発明のウエハ加工用テープ１０を上記半導体ウエハの加工方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図１２を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分からなる表面保護テープ１４を貼合し、半導体ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
バックグラインド工程の終了後、図３に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に半導体ウエハＷの表面側を下にして半導体ウエハＷを載置し、その後半導体ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０を貼合する。
ここで使用するウエハ加工用テープ１０は、貼合する半導体ウエハＷに応じた形状に予め切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層したものであり、半導体ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出した領域が設けられている。
このウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分と半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。
このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。
ここで使用するウエハ加工用テープ１０は、貼合する半導体ウエハＷに応じた形状に予め切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層したものであり、半導体ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出した領域が設けられている。
このウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分と半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。
このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。
次に、ウエハ加工用テープ１０が貼合された半導体ウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図４に示すように、ウエハ加工用テープ１０側を下にしてウエハ吸着テーブル２６上へ載置する。
その後、吸着テーブル２６に吸着固定された半導体ウエハＷの上方から、例えば紫外線光源２７を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を表面保護テープ１４の基材面側に照射し、表面保護テープ１４の半導体ウエハＷに対する接着力を低下させ、半導体ウエハＷの表面から表面保護テープ１４を剥離する。
その後、吸着テーブル２６に吸着固定された半導体ウエハＷの上方から、例えば紫外線光源２７を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を表面保護テープ１４の基材面側に照射し、表面保護テープ１４の半導体ウエハＷに対する接着力を低下させ、半導体ウエハＷの表面から表面保護テープ１４を剥離する。
次に、図５に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域３０を形成する。
改質領域３０の形成後の状態を平面視すると、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハＷには改質領域３０が格子状に形成されている。
その後、図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷおよび接着剤層１３の外側に１対のエキスパンド用のクリップ部材５０を配置する。図７に示すように、クリップ部材５０はウエハ加工用テープ１０を上下で挟持しうる構造を有している。ここでは、半導体ウエハＷおよび接着剤層１３の外側で基材フィルム１１および粘着剤層１２（ダイシングテープ）を挟持する。図６（ｂ）に示すように、クリップ部材５０の先端部５２は半導体ウエハＷなどの外形に対応して円弧状を呈している。
その後、図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷおよび接着剤層１３の外側に１対のエキスパンド用のクリップ部材５０を配置する。図７に示すように、クリップ部材５０はウエハ加工用テープ１０を上下で挟持しうる構造を有している。ここでは、半導体ウエハＷおよび接着剤層１３の外側で基材フィルム１１および粘着剤層１２（ダイシングテープ）を挟持する。図６（ｂ）に示すように、クリップ部材５０の先端部５２は半導体ウエハＷなどの外形に対応して円弧状を呈している。
その後、ウエハ加工用テープ１０のダイシングテープをクリップ部材５０により挟持した状態で、図６（ｃ）に示すように、クリップ部材５０を「横方向Ａ」に移動させ、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。
すなわち、半導体ウエハＷの改質領域３０のうち縦の改質領域に対し、これに直交する横方向Ａに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。
その結果、半導体ウエハＷが横方向に引き伸ばされ、改質領域３０を起点または境界として縦に分断される。この場合、接着剤層１３は、半導体ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制されて破断は起こらないが、半導体ウエハＷの縦の分断箇所では、ウエハ加工用テープ１０のエキスパンドによる張力が集中して破断する。
したがって、結果的に、半導体ウエハＷとともに接着剤層１３も分断される。
これにより、接着剤層１３が付いた複数の半導体チップＣを得ることができる。
すなわち、半導体ウエハＷの改質領域３０のうち縦の改質領域に対し、これに直交する横方向Ａに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。
その結果、半導体ウエハＷが横方向に引き伸ばされ、改質領域３０を起点または境界として縦に分断される。この場合、接着剤層１３は、半導体ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制されて破断は起こらないが、半導体ウエハＷの縦の分断箇所では、ウエハ加工用テープ１０のエキスパンドによる張力が集中して破断する。
したがって、結果的に、半導体ウエハＷとともに接着剤層１３も分断される。
これにより、接着剤層１３が付いた複数の半導体チップＣを得ることができる。
次に、エキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して半導体チップＣの間隔を安定に保持する工程を行う。
この工程では、例えば、図６（ｄ），図８に示すように、ウエハ加工用テープ１０における半導体チップＣが存在する領域とリングフレーム２０との間の円環状の領域２８に対し、温風ノズル２９を用いて５０〜９０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１０を緊張させる。
エキスパンド後のウエハ加工用テープ１０の弛みが許容範囲内であれば、領域２８に熱風を当てて基材フィルム１１を収縮させるような処理はしなくてもよい。
この工程では、例えば、図６（ｄ），図８に示すように、ウエハ加工用テープ１０における半導体チップＣが存在する領域とリングフレーム２０との間の円環状の領域２８に対し、温風ノズル２９を用いて５０〜９０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１０を緊張させる。
エキスパンド後のウエハ加工用テープ１０の弛みが許容範囲内であれば、領域２８に熱風を当てて基材フィルム１１を収縮させるような処理はしなくてもよい。
その後、図６（ｅ）に示すように、クリップ部材５０の配置を９０°回転させ、ダイシングテープをクリップ部材５０で挟持し、図６（ｆ）に示すように、ウエハ加工用テープ１０を同図中の縦方向Ｂにエキスパンドする。
すなわち、ここでも、半導体ウエハＷの改質領域３０のうち横の改質領域に対し、これに直交する縦方向Ｂに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。
その結果、すでに縦に分断されていた半導体ウエハＷが改質領域３０を起点または境界として横にも分断され、それに伴って接着剤層１３も横に分断される。
これにより、接着剤層１３が付いた所定サイズの複数の半導体チップＣを完全な形態で得ることができる。
その後、図６（ｄ），図８を用いて説明したのと同様に、領域２８に温風を当てて、エキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して半導体チップＣの間隔を安定に保持する。
この場合も、エキスパンド後のウエハ加工用テープ１０の弛みが許容範囲内であれば、領域２８に熱風を当てて基材フィルム１１を収縮させるような処理はしなくてもよい。
すなわち、ここでも、半導体ウエハＷの改質領域３０のうち横の改質領域に対し、これに直交する縦方向Ｂに沿ってウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。
その結果、すでに縦に分断されていた半導体ウエハＷが改質領域３０を起点または境界として横にも分断され、それに伴って接着剤層１３も横に分断される。
これにより、接着剤層１３が付いた所定サイズの複数の半導体チップＣを完全な形態で得ることができる。
その後、図６（ｄ），図８を用いて説明したのと同様に、領域２８に温風を当てて、エキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して半導体チップＣの間隔を安定に保持する。
この場合も、エキスパンド後のウエハ加工用テープ１０の弛みが許容範囲内であれば、領域２８に熱風を当てて基材フィルム１１を収縮させるような処理はしなくてもよい。
図６（ｃ），図６（ｆ）のエキスパンド工程によれば、半導体ウエハＷを縦に分断する場合にはウエハ加工用テープ１０を横方向Ａにエキスパンドし、逆に、半導体ウエハＷを横に分断する場合にはウエハ加工用テープ１０を縦方向Ｂにエキスパンドしており、半導体ウエハＷを分断しようとする方向に対し、常にこれと直交する方向にウエハ加工用テープ１０をエキスパンドしている。
そのため、半導体ウエハＷを分断しようとする部分に直接的に引っ張り力が集中し、温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）、接着剤層１３を、半導体ウエハＷの分断位置に対応する所望の位置で、容易に分断することができる。
そのため、半導体ウエハＷを分断しようとする部分に直接的に引っ張り力が集中し、温度管理しなくても（２５℃程度の室温でも）、接着剤層１３を、半導体ウエハＷの分断位置に対応する所望の位置で、容易に分断することができる。
エキスパンド工程では、図６（ｃ），図６（ｆ）に示すように、ウエハ加工用テープ１０を横方向Ａと縦方向Ｂとの２回にわたりエキスパンドしている。
本実施形態では、これに代えて、図９に示すように、半導体ウエハＷの外側に２対のクリップ部材５０を設けてウエハ加工用テープ１０を横方向Ａと縦方向Ｂとに同時にエキスパンドし、エキスパンド工程の処理を１回で終了させてもよい。
本実施形態では、これに代えて、図９に示すように、半導体ウエハＷの外側に２対のクリップ部材５０を設けてウエハ加工用テープ１０を横方向Ａと縦方向Ｂとに同時にエキスパンドし、エキスパンド工程の処理を１回で終了させてもよい。
さらに、エキスパンド工程では、図６（ａ）〜図６（ｆ）に示すように、環状のリングフレーム２０でウエハ加工用テープ１０を固定しエキスパンドしている。
本実施形態では、これに代えて、図１０に示すように、互いに分離可能な４本の部材からなるフレーム６０でウエハ加工用テープ１０を固定しエキスパンドしてもよい。
この場合、フレーム６０自体をクリップ部材５０で挟持し、図１１に示すように、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすればよく、横方向Ａと縦方向Ｂとで２回に分けてエキスパンドしてもよいし、まとめて１回で（横方向Ａと縦方向Ｂとに同時に）エキスパンドしてもよい。
本実施形態では、これに代えて、図１０に示すように、互いに分離可能な４本の部材からなるフレーム６０でウエハ加工用テープ１０を固定しエキスパンドしてもよい。
この場合、フレーム６０自体をクリップ部材５０で挟持し、図１１に示すように、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドすればよく、横方向Ａと縦方向Ｂとで２回に分けてエキスパンドしてもよいし、まとめて１回で（横方向Ａと縦方向Ｂとに同時に）エキスパンドしてもよい。
なお、図６〜図１１を用いて説明した当該エキスパンド工程の処理は、上記半導体ウエハの加工方法（Ａ）に限らず、上記半導体ウエハの加工方法（Ｂ）〜（Ｄ）においても適用することができる。
その後、粘着剤層１２にエネルギー線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、粘着剤層１２の接着剤層１３に対する粘着力を弱める。
その後、最終的に、図１２に示すように、ウエハ加工用テープ１０を基材フィルム１１の背面（半導体ウエハＷを貼合しない面）から突き上げ部材２２で突き上げた状態で、半導体チップＣを突き上げピン４１により突き上げて吸着コレット４２で吸着し、半導体チップＣをピックアップする。
その後、最終的に、図１２に示すように、ウエハ加工用テープ１０を基材フィルム１１の背面（半導体ウエハＷを貼合しない面）から突き上げ部材２２で突き上げた状態で、半導体チップＣを突き上げピン４１により突き上げて吸着コレット４２で吸着し、半導体チップＣをピックアップする。
上記のような半導体ウエハの加工方法において、熱可塑性架橋樹脂よりなる基材フィルム１１は、エキスパンド時に施された引張に対する復元力が大きく、且つビカット軟化点も低い為、加熱によって容易に収縮する。
したがって、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程後のウエハ加工用テープ１０に生じた弛みを加熱収縮によって除去してテープを緊張させる工程に好適に適用できる。
したがって、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程後のウエハ加工用テープ１０に生じた弛みを加熱収縮によって除去してテープを緊張させる工程に好適に適用できる。
（１）サンプルの作製
（１．１）サンプルＡ
下記配合のシート状接着剤組成物Ａにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Ａの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さがそれぞれ２０μｍ，５０μｍになるように塗工し、１１０℃でそれぞれ１８０秒、２７０秒間乾燥させ、それぞれシート状接着剤（サンプルＡ）を作製した。
（１．１）サンプルＡ
下記配合のシート状接着剤組成物Ａにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Ａの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さがそれぞれ２０μｍ，５０μｍになるように塗工し、１１０℃でそれぞれ１８０秒、２７０秒間乾燥させ、それぞれシート状接着剤（サンプルＡ）を作製した。
［シート状接着剤組成物Ａ］
エポキシ樹脂（１）…５０質量部
フェノール樹脂…５０質量部
硬化促進剤…０．４質量部
アクリル樹脂…４０質量部
シリカフィラー…１４０質量部
エポキシ樹脂（１）…５０質量部
フェノール樹脂…５０質量部
硬化促進剤…０．４質量部
アクリル樹脂…４０質量部
シリカフィラー…１４０質量部
シート状接着剤組成物Ａの上記配合において、「エポキシ樹脂（１）」は、ＥＰ−４９−２３（（株）ＡＤＥＫＡ製商品名、キレート変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７５ｇ／ｅｑ）である。「フェノール樹脂」は、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）である。「硬化促進剤」は、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）である。「アクリル樹脂」は、ＳＧ−Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８５万、ガラス転移温度１０℃）である。「シリカフィラー」は、Ｓ０−Ｃ２（ドマファイン（株）製商品名、比重２．２ｇ／ｃｍ３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ）である。
（１．２）サンプルＢ
下記配合のシート状接着剤組成物Ｂにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Ｂの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、それぞれシート状接着剤（サンプルＢ）を作製した。
下記配合のシート状接着剤組成物Ｂにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Ｂの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、それぞれシート状接着剤（サンプルＢ）を作製した。
［シート状接着剤組成物Ｂ］
エポキシ樹脂（１）…５０質量部
フェノール樹脂…５０質量部
硬化促進剤…０．４質量部
アクリル樹脂…２００質量部
エポキシ樹脂（１）…５０質量部
フェノール樹脂…５０質量部
硬化促進剤…０．４質量部
アクリル樹脂…２００質量部
シート状接着剤組成物Ｂの上記配合において、「エポキシ樹脂（１）」は、ＥＰ−４９−２３（（株）ＡＤＥＫＡ製商品名、キレート変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７５ｇ／ｅｑ）である。「フェノール樹脂」は、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）である。「硬化促進剤」は、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）である。「アクリル樹脂」は、ＳＧ−７０８−６（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量７０万、ガラス転移温度６℃）である。シランカップリング剤は、Ｚ−６０４４（東レ・ダウコーニング（株）製商品名、３−グリシドキシプロピルメチルメトキシシラン）である。
（２）サンプルの特性評価
（２．１）分断の観察
シート状接着剤Ａ，Ｂから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤Ａ，Ｂを貼合し、ウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）を作製した。
その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ２０μｍまたは５０μｍのシリコンウエハを６５℃×２０秒で加熱貼合した。
その後、シリコンウエハに対し、ブレードダイシング（表１参照）またはステルスダイシング（表２参照）による処理を施した。
ブレードダイシングの場合は、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤFＤ６３４０）を使用し４００００ｒｐｍ、カットスピード３０ｍｍ/ｓｅｃで１０ｍｍ×１５ｍｍに格子状にダイシングした。
ステルスダイシングの場合は、レーザー加工装置（株式会社東京精密製 ＭＬ２００ＲＭＥ）を用いてシリコンウエハの内部に集光点を合わせ、切断予定ラインに沿ってシリコンウエハの表面側からレーザー光を照射し、シリコンウエハの内部に格子状の改質領域を形成した。
その後、表１，表２に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばして接着剤層を分断し、その分断結果を顕微鏡により観察した。ここでは、シリコンウエハを２０分割し、接着剤層の分断結果を観察した。観察結果を表１，表２に示す。
（２．１）分断の観察
シート状接着剤Ａ，Ｂから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤Ａ，Ｂを貼合し、ウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）を作製した。
その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ２０μｍまたは５０μｍのシリコンウエハを６５℃×２０秒で加熱貼合した。
その後、シリコンウエハに対し、ブレードダイシング（表１参照）またはステルスダイシング（表２参照）による処理を施した。
ブレードダイシングの場合は、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤFＤ６３４０）を使用し４００００ｒｐｍ、カットスピード３０ｍｍ/ｓｅｃで１０ｍｍ×１５ｍｍに格子状にダイシングした。
ステルスダイシングの場合は、レーザー加工装置（株式会社東京精密製 ＭＬ２００ＲＭＥ）を用いてシリコンウエハの内部に集光点を合わせ、切断予定ラインに沿ってシリコンウエハの表面側からレーザー光を照射し、シリコンウエハの内部に格子状の改質領域を形成した。
その後、表１，表２に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばして接着剤層を分断し、その分断結果を顕微鏡により観察した。ここでは、シリコンウエハを２０分割し、接着剤層の分断結果を観察した。観察結果を表１，表２に示す。
（２．２）ピックアップ試験
シート状接着剤Ａ，Ｂから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤Ａ，Ｂを貼合し、ウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）を作製した。
その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ２０μｍまたは５０μｍのシリコンウエハを６５℃×２０秒で加熱貼合した。
その後、シリコンウエハと接着剤層とを、ブレードダイシング（表３参照）によりダイシングした。
ブレードダイシングの工程では、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤFＤ６３４０）を使用し４００００ｒｐｍ、カットスピード３０ｍｍ/ｓｅｃで１０ｍｍ×１５ｍｍに格子状にダイシングした。
シート状接着剤Ａ，Ｂから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤Ａ，Ｂを貼合し、ウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）を作製した。
その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ２０μｍまたは５０μｍのシリコンウエハを６５℃×２０秒で加熱貼合した。
その後、シリコンウエハと接着剤層とを、ブレードダイシング（表３参照）によりダイシングした。
ブレードダイシングの工程では、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤFＤ６３４０）を使用し４００００ｒｐｍ、カットスピード３０ｍｍ/ｓｅｃで１０ｍｍ×１５ｍｍに格子状にダイシングした。
その後、ダイシングダイボンドテープの粘着剤層に紫外線をメタルハライドランプ（３０ｍＷ／ｃｍ２）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。
その後、表３に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばし（エキスパンドを行い）、シリコンウエハ中央部のチップ２０個についてダイボンダー装置（キャノンマシナリー製、商品名：ＣＡＰ−３００）によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個数でのピックアップ成功率を算出した。ここでは、ピックアップされた素子に、粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものを、ピックアップが成功したものとした。算出結果を表３に示す。
その後、表３に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばし（エキスパンドを行い）、シリコンウエハ中央部のチップ２０個についてダイボンダー装置（キャノンマシナリー製、商品名：ＣＡＰ−３００）によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個数でのピックアップ成功率を算出した。ここでは、ピックアップされた素子に、粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものを、ピックアップが成功したものとした。算出結果を表３に示す。
（３）まとめ
表１〜表２に示すとおり、ブレードダイシングによる場合もステルスダイシングによる場合も、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドすると、常温２５℃の環境でも接着剤層を容易に分断することができた。
表３に示すとおり、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドすると、半導体チップのピックアップ性を向上させることができた。
以上から、接着剤層を分断したり、半導体チップのピックアップ性を向上させたりするうえでは、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドするのが有用であることがわかる。
表１〜表２に示すとおり、ブレードダイシングによる場合もステルスダイシングによる場合も、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドすると、常温２５℃の環境でも接着剤層を容易に分断することができた。
表３に示すとおり、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドすると、半導体チップのピックアップ性を向上させることができた。
以上から、接着剤層を分断したり、半導体チップのピックアップ性を向上させたりするうえでは、ダイシングダイボンドテープを横方向，縦方向にエキスパンドするのが有用であることがわかる。
１０ ウエハ加工用テープ
１１ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１４ 表面保護フィルム
２０ リングフレーム
２２ 突き上げ部材
２５ ヒーターテーブル
２６ 吸着テーブル
２７ 紫外線光源
２８ 加熱収縮領域
２９ 温風ノズル
３０ 改質領域
４１ 突き上げピン
４２ 吸着コレット
５０ クリップ部材
５２ 先端部
６０ フレーム
１００ 円筒状部材
Ｗ 半導体ウエハ
Ｃ 半導体チップ
１１ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１４ 表面保護フィルム
２０ リングフレーム
２２ 突き上げ部材
２５ ヒーターテーブル
２６ 吸着テーブル
２７ 紫外線光源
２８ 加熱収縮領域
２９ 温風ノズル
３０ 改質領域
４１ 突き上げピン
４２ 吸着コレット
５０ クリップ部材
５２ 先端部
６０ フレーム
１００ 円筒状部材
Ｗ 半導体ウエハ
Ｃ 半導体チップ
Claims (6)
- 基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハにレーザー光を照射して改質領域を格子状に形成する工程と、
前記半導体ウエハの改質領域の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法。 - 請求項１に記載の半導体ウエハの加工方法において、
前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程では、
前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、その後に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 請求項１に記載の半導体ウエハの加工方法において、
前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、これと同時に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、
半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、
前記半導体ウエハをブレードまたはレーザー光により格子状に切断する工程と、
前記半導体ウエハの縦および横の切断方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、
を備える半導体ウエハの加工方法。 - 請求項４に記載の半導体ウエハの加工方法において、
前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程では、
前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、その後に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 請求項４に記載の半導体ウエハの加工方法において、
前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、これと同時に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011036554A JP2012174945A (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 半導体ウエハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011036554A JP2012174945A (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 半導体ウエハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012174945A true JP2012174945A (ja) | 2012-09-10 |
Family
ID=46977550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011036554A Withdrawn JP2012174945A (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 半導体ウエハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012174945A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072437A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社ディスコ | 拡張装置、及び接着シートの破断方法 |
| JP2017195254A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | エキスパンドシート |
| JP6535138B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187184A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187187A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187186A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187185A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176157A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176156A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176158A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019220513A (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | リンテック株式会社 | シート貼付装置および貼付方法 |
| KR20210015893A (ko) * | 2019-05-29 | 2021-02-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
| KR20210015889A (ko) * | 2019-05-29 | 2021-02-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011036554A patent/JP2012174945A/ja not_active Withdrawn
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072437A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社ディスコ | 拡張装置、及び接着シートの破断方法 |
| JP2017195254A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | エキスパンドシート |
| CN110546738A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| WO2019187187A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| CN110546737A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| WO2019187186A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187185A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| KR20190113748A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
| KR20190113749A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
| JP2019175960A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019175959A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176157A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176156A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176159A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019175958A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP2019176158A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| JP6535138B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| WO2019187184A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| CN110546736A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| CN110546735A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| JP7129375B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-09-01 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
| KR102112771B1 (ko) | 2018-03-28 | 2020-05-19 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
| KR102112772B1 (ko) | 2018-03-28 | 2020-05-19 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 가공용 테이프 |
| CN110546737B (zh) * | 2018-03-28 | 2020-09-11 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| CN110546735B (zh) * | 2018-03-28 | 2020-10-16 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| CN110546736B (zh) * | 2018-03-28 | 2020-10-16 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| CN110546738B (zh) * | 2018-03-28 | 2020-12-29 | 古河电气工业株式会社 | 半导体加工用带 |
| JP2019220513A (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | リンテック株式会社 | シート貼付装置および貼付方法 |
| KR20210015893A (ko) * | 2019-05-29 | 2021-02-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
| KR20210015889A (ko) * | 2019-05-29 | 2021-02-10 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
| KR102505638B1 (ko) | 2019-05-29 | 2023-03-06 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
| KR102505646B1 (ko) | 2019-05-29 | 2023-03-06 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 유리 가공용 테이프 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5294358B2 (ja) | ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JP2012174945A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| KR101322160B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
| JP5731080B2 (ja) | 粘着テープおよびウエハ加工用テープ | |
| JP4934620B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP4748518B2 (ja) | ダイシングダイボンドテープおよびダイシングテープ | |
| JP6230730B2 (ja) | 半導体加工用テープ | |
| JP6097893B2 (ja) | 半導体加工用テープ | |
| KR101311647B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 및 그것을 이용한 반도체 가공 방법 | |
| JP5323779B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5582836B2 (ja) | ダイシング・ダイボンディングテープ | |
| JP5554351B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5170880B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| KR102112789B1 (ko) | 반도체 가공용 테이프 | |
| JP5184664B2 (ja) | ダイシングテープおよび半導体チップの製造方法 | |
| JP2009231699A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| CN110753992A (zh) | 隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法 | |
| JP2009200076A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| KR102112788B1 (ko) | 반도체 가공용 테이프 | |
| KR101314398B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
| KR20190113748A (ko) | 반도체 가공용 테이프 | |
| KR102112772B1 (ko) | 반도체 가공용 테이프 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140513 |