JP2010056406A - 加工用テープ及び加工用テープの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着材層の性能低下を招かない、半導体ウェハのバックグラインド工程、半導体ウェハのダイシング工程、半導体チップのフリップチップ実装に適した半導体ウェハの加工用テープを提供する。
【解決手段】突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープ。
【選択図】図３

Description

本発明は、加工用テープ及び加工用テープの製造方法に関する。

従来、このような分野の技術として、下記特許文献１に記載の半導体装置製造方法が知られている。この文献に記載された製造方法では、基材フィルム上に粘着材層と接着材層を有してなるウェハ加工用テープが準備される。そして、この加工用テープが半導体ウェハの凸型電極が形成された面に貼合された状態で、前記半導体ウェハのバックグラインド工程、前記半導体ウェハを個片化するダイシング工程が行われる。このダイシング工程で得られた半導体チップは、ピックアップ時に接着材層がチップへ残るため、ピックアップに続いてフリップチップ実装が可能となる。

特開２００６−４９４８２号公報

前記特許文献１によれば、基材フィルム上に放射線硬化型の粘着材層と熱硬化型の接着材層を積層したテープが発明された。当該接着材層は、バックグラインド工程とダイシング工程を経て、最終的に半導体チップのフリップチップ実装までその表面状態を清浄に維持する必要がある。前記特許文献１のテープ構成では、テープ製造工程において、前記接着材層の半導体ウェハへ接する面が保護されていない。このことから、前記接着材層の表面に傷や異物が付く可能性があり、フリップチップ実装工程で重要な、前記接着材層の性能へ多大な影響を与えることが懸念される。

一方、半導体の製造工程は常に低コスト化が課題となっている。そのため、新たな設備投資を必要とせず、既存プロセスで利用可能なウェハ加工用テープが望まれている。また、既存プロセスの数を減らすため、ウェハ加工用テープの複合機能化が望まれている。この複合機能化は、テープの組成最適化だけでなく、テープの形状最適化も求められている。

本発明は、上記課題を解決し、接着材層の性能低下を招かない、半導体ウェハのバックグラインド工程、半導体ウェハのダイシング工程、半導体チップのフリップチップ実装に適した半導体ウェハの加工用テープを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明にかかる半導体ウェハの加工用テープは、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなることを特徴とする。本発明は、以下に関する。
本発明は、［１］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープに関する。
また、本発明は、［２］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなり、前記接着材層と前記粘着材層と前記基材フィルムが、前記半導体ウェハの回路素子を覆うのに十分な大きさを持つ加工用テープに関する。
また、本発明は、［３］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面にある離型層へ接着材層を積層したものと、基材フィルムの片面へ粘着材層を積層したものを、前記接着材層と前記粘着材層が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする前記の加工用テープの製造方法に関する。
また、本発明は、［４］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面にある離型層へ接着材層と粘着材層をこの順で積層し、前記粘着材層と基材フィルムの片面が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする前記の加工用テープの製造方法に関する。
また、本発明は、［５］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープの製造方法であって、基材フィルムの片面へ粘着材層と接着材層をこの順で積層し、前記接着材層とキャリアフィルムの片面にある離型層が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする前記の加工用テープの製造方法に関する。
また、本発明は、［６］突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープを、前記接着材層と前記粘着材層と前記基材フィルムを前記半導体ウェハの回路素子を覆うのに十分な大きさへカットし、ウェハへ貼合する部分をキャリアフィルムへ残し、それ以外の不要部分を取り除くことを特徴とする前記の加工用テープの製造方法に関する。
また、本発明は、［７］前記粘着材層が感圧型の粘着材であることを特徴とする前記の加工用テープに関する。

本発明によれば、接着材層と粘着材層と基材フィルムをキャリアフィルムへ積層したシートを準備することで、前記シートの製造時から半導体ウェハへラミネートする直前まで、前記接着材層の表面を保護することができ、前記半導体ウェハ表面と前記接着材層の間における傷の発生や異物混入の可能性を減らすことができる。

また、本発明によれば、前記キャリアフィルムへ積層された前記接着材層と前記粘着材層と前記基材フィルムを半導体ウェハの回路素子を覆うのに十分な大きさに加工することで、半導体ウェハへ略同一の加工用テープを貼合した後に、フィルムを略同一の大きさへカットする工程や装置設備が省略でき、さらに、カット時のバリや異物等の発生をなくすことができる。

また、本発明によれば、前記キャリアフィルムの片面に離型層を形成することで、キャリアフィルムと接着材層の剥離力の自由度が増すため、前記キャリアフィルムの材質と前記の接着材層および粘着材層の組成の選択肢を広げることができる。

本発明について図面を参照しながら以下説明する。

以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法が用いられる半導体デバイスの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。

（第１実施形態）
まず、図１に示されるような半導体ウエハ１０を用意する。半導体ウエハ１０は、半導体プロセスにより回路が形成された回路面（主面）Ｓ１と、回路面Ｓ１の反対側の面である裏面Ｓ２とを有している。そして、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１には、回路面Ｓ１から突出する突出電極１０ａが複数形成されている。なお、このときの半導体ウエハ１０の厚さは、バックグラインド前の状態であり、通常５５０μｍ〜７５０μｍである。

更に、キャリアフィルム４の片面上に、テープ状の絶縁性接着材層３、テープ状の粘着材層２、基材フィルム１がこの順で形成されてなる半導体加工用テープＦ１を準備する。そして、キャリアフィルム４を剥離させて絶縁性接着材層３を露出させて半導体加工用テープＦ１ａを準備し、絶縁性接着材層３側を回路面Ｓ１に向けた状態で、加工用テープＦ１ａを半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１に貼り付ける。この加工用テープＦ１ａの半導体ウエハ１０への貼付けは、例えばラミネートロールを用いて行うことができる。

このとき、基材フィルム１が所定の圧力で加圧されることで、突出電極１０ａ同士の間を埋めるように絶縁性接着材層３が充填される。これにより、図２に示すように、回路面Ｓ１上には突出電極１０ａを埋め込むような絶縁性接着材層３ａが形成される（接着材層形成工程）。上記基材フィルム１には、変形可能な柔らかい基材が用いられる。上記基材フィルム１と粘着材層２が一体となったものは、通常バックグラインドテープと呼ばれる。上記のような絶縁性接着材層３ａは、一般に、「ＮＣＦ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）」等と呼ばれる場合がある。

続いて、図３に示されるように、基材フィルム１に圧力を加えつつ、半導体ウエハ１０を裏面Ｓ２側から裏面研削装置（バックグラインダ）１２によって研削し、半導体ウエハ１０の厚みを薄くする。具体的には、半導体ウエハ１０の厚みが５０μｍ〜５５０μｍとなるように、半導体ウエハ１０の研削を行う（研削工程）。ここでは、上記加工用テープＦ１ａが半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側に貼付けられているので、均一に圧力を加えることができる。その結果、研削により半導体ウエハ１０の裏面Ｓ２を平坦化できる。また、加工用テープＦ１ａにより、バックグラインド時の半導体ウエハ１０の破損を抑制することができる。このようにして、薄化された半導体ウエハ１０とその回路面Ｓ１に貼り付けられた加工用テープＦ１ａとからなる積層体Ｒ１が製作される。

続いて、図４に示されるように、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側に加工用テープＦ１ａが貼付けられたままの状態で、この積層体Ｒ１の裏面Ｓ２側及びダイシングフレーム１４の下縁１４ａにダイシングテープ１６を貼付ける。ここで、ダイシングフレーム１４は、円環状の金属製部材であり、半導体ウエハ１０のダイシング時に半導体ウエハ１０の固定治具として用いられる。ダイシングフレーム１４は、その内径が半導体ウエハ１０の外形よりも大きくなっており、半導体ウエハ１０を囲むようにダイシングテープ１６上に配置される。また、ダイシングテープ１６は、基材フィルム１６ａと、基材フィルム１６ａの表面に形成された粘着層１６ｂとを有している。

なお、図示はしていないが、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１にはダイシングブレードＤＢ（後述する）によるダイシング位置を位置決めするための位置決めパターンが形成されているので、加工用テープＦ１ａは、上記位置決めパターンが視認できる程度の透過率（例えば、加工用テープＦ１ａ全体としての可視光透過率が２０％以上）を有するものであると好ましい。

続いて、図５に示すように、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１が上方を向いた状態で、ダイシングブレードＤＢによって、半導体ウエハ１０を加工用テープＦ１ａと共に、加工用テープＦ１ａ側からダイシングし（いわゆる、フェイスアップダイシング）、複数の半導体チップ２４とする（ダイシング工程）。このとき、半導体チップ２４の大きさが０．５ｍｍ×０．５ｍｍ程度となるようにする。ここでは、フェイスアップダイシングを採用することにより、上記の位置決めパターンを利用して、ダイシング位置の位置決めを比較的容易に行うことができる。

続いて、図６に示されるように、基材フィルム１の表面全体に、粘着テープ２６を貼付ける。そして、図７に示すように、個片化された基材フィルム１と粘着材層２を、上記粘着テープ２６と共に絶縁性接着材層３ａから剥離する。

その後、詳細は省略するが、紫外線等の照射によりダイシングテープ１６の粘着層１６ｂの粘着力を低下させた後、回路面Ｓ１上に絶縁性接着材層３ａが形成された半導体チップ２４を一つ一つピックアップし、半導体チップ２４を実装基板にフリップチップ実装する工程を経て、この半導体チップ２４を含む半導体デバイスを得ることができる。

上記接着材層形成工程において、上記の接着材層形成工程において、基材フィルム１と粘着材層２と絶縁性接着材層３が積層された加工用テープＦ１ａを半導体ウエハ１０の主面Ｓ１上への貼り付ける。従って、接着材層の貼り付け時には、ウェハと接着材層の界面にエアボイドの巻き込みが発生しないよう加熱・加圧による埋め込みを行うだけで、接着材層形成工程の後にバックグラインドテープを貼り付けることなく研削工程を行うことができるため、テープ貼り付け工程を短縮化する事ができる。

また、加工用テープＦ１ａは半導体ウエハ１０のＳ１の外形と相似であり、Ｓ１の回路素子を覆うのに十分な大きさを持つ。従って、接着材層の貼り付け後に、半導体ウエハ１０からはみ出た加工用テープＦ１ａをカットする必要がないため、テープ貼り付け工程の短縮化と、カット工程による切り屑の発生を抑制する事ができる。

また、上記の接着材層形成工程において、絶縁性接着材層３を覆っているキャリアフィルム４を貼り付け直前に剥離させる。従って、貼り付け直前まで接着材層の表面が清浄に保たれるため、、ウェハと絶縁性接着材層３の貼り付け面に異物が混入する可能性が減少し、ウェハ表面と絶縁性接着材層３の傷の発生や汚染を抑制する事ができる。

また、上記のダイシング工程では、積層体Ｒ１から基材フィルム１と粘着材層２を除去しないで、当該基材フィルム１側から半導体ウエハ１０のダイシングを行う。従って、ダイシングで発生する切り屑によって、半導体ウエハ１０が汚染されることを抑制することができる。

なお、上記のような切り屑による汚染抑制の作用効果は得られなくなるが、図８に示すように、ダイシングテープ１６が貼付けられた積層体Ｒ１の半導体ウエハ１０から、基材フィルム１と粘着材層２を除去した後に、ダイシングを行ってもよい。

前述の加工用テープＦ１におけるキャリアフィルム４としては、例えば、ＰＥＴ基材が挙げられる。前記ＰＥＴ基材の片面を常法によりシリコーン系組成物で表面処理することで、離型層５が形成される。離型層５を形成しない場合、絶縁性接着材層３の形成時に乾燥等の熱処理を行うため、前記ＰＥＴ基材と絶縁性接着材層３の密着強度が大きくなってしまい、テープ貼り付け工程で、絶縁性接着材層３の外観を損なわずにキャリアフィルムを剥離する事が困難になる。また、仮に外観を損なわずに剥離に成功したとしても、絶縁性接着材層３の一部を引き剥がしてしまうといった問題がある。一方、離型層５を形成した場合、キャリアフィルム剥離を容易に行う事ができる。前記ＰＥＴ基材と離型層５の密着強度（強度Ａ）と、離型層５と絶縁性接着材層３の密着強度（強度Ｂ）は、絶縁性接着材層３の温度が０℃から１００℃の時に、Ａ＜Ｂの関係が成立する事が好ましい。離型層５の厚みは、Ａ＜Ｂの関係が成立できる厚みであればよいが、生産性の観点から、加工用テープＦ１がロール状に巻き取り可能な厚みであることがより好ましく、具体的には１００μｍ以下がより好ましい。

基材フィルム１としては、例えば、シリコーン等によって表面が離型処理されたＰＥＴ基材が挙げられる。本実施形態では、基材フィルム１と粘着材層２は剥離することは必要ではなく、部材コストの面から、シリコーン等によって表面が離型処理されていないＰＥＴ基材がより好ましい。

絶縁性接着材層３は、例えば、キャリアフィルム４に接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成される。絶縁性接着材層３は、例えば常温において固体である。絶縁性接着材層３は、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。

粘着材層２は、例えば、基材フィルム１に粘着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成される。粘着材層２は、例えば常温において固体である。

加工用テープＦ１は、例えば、前述のキャリアフィルム４に絶縁性接着材層３が形成されたものと、基材フィルム１に粘着材層２が形成されたものを、絶縁性接着材層３と粘着材層２を貼り合せるように、室温ないしは加温してラミネートすることで形成される。加工用テープＦ１は、例えば、キャリアフィルム４に接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成された絶縁性接着材層３へ、粘着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって粘着材層２を形成し、さらに粘着材層２へ基材フィルム１を室温ないしは加温してラミネートすることで形成される。加工用テープＦ１は、例えば、基材フィルム１に粘着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成された粘着材層２へ、接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって絶縁性接着材層３を形成し、さらに絶縁性接着材層３へキャリアフィルム４を室温ないしは加温してラミネートすることで形成される。

上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。

絶縁性接着材層３は、硬化反応を促進させるための硬化剤を含んでもよい。絶縁性接着材層３は、高反応性及び保存安定性を両立させるために、潜在性の硬化剤を含むことが好ましい。

絶縁性接着材層３は、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレンブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。これらの中でも、半導体ウエハ１０への貼付性を確保するために室温付近に軟化点を有する熱可塑性樹脂が好ましく、グリシジルメタクリレートなどを原料に含むアクリル酸共重合体が好ましい。

絶縁性接着材層３には、低線膨張係数化のためのフィラー（無機微粒子）を添加してもよい。このようなフィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。絶縁性接着材層３の硬化後の線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウエハ１０から製造された半導体チップが配線基板に搭載された後も、突出電極１０ａと配線基板の配線との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと配線基板とを接続することによって製造される半導体デバイスの信頼性を向上させることができる。

絶縁性接着材層３は、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。

絶縁性接着材層３内には、導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極１４ａの高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、絶縁性接着材層３を異方導電性の接着材層とすることができる。

絶縁性接着材層３の厚みは、絶縁性接着材層３が半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。通常、絶縁性接着材層３の厚みが、突出電極１０ａの高さと配線基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる。

前述のダイシングテープ１６は、基材フィルム１６ａと、基材フィルム１６ａの表面に形成された粘着層１６ｂとを有している。基材フィルム１６ａは、放射線透過性であることが好ましく、具体的には、通常、プラスチック、ゴムなどを用いることができる。基材フィルム１６ａは、放射線を透過する限りにおいて特に制限されるものではないが、紫外線照射によって放射線硬化性粘着剤を硬化させる場合には、光透過性の良いものを選択することができる。

このような基材フィルム１６ａとして選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。

なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルム１６ａを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルム１６ａを用いると効果的である。基材フィルム１６ａの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。なお、基材フィルム１６ａの粘着層１６ｂを塗布する側と反対側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすると、ブロッキング防止、ダイシングテープ１６の放射状延伸時のダイシングテープ１６と治具との摩擦を減少することによる基材フィルム１６ａのネッキング防止などの効果があるので好ましい。

一方、粘着層１６ｂは、本実施形態において、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含むアクリル系粘着剤からなる。なお、ここで放射線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。

粘着層１６ｂの主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の導入量は、ヨウ素価で、通常０．５〜２０、好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。

上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、「Ｔｇ」とも言う。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。

上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（(１)）と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（(２)）とを反応させて得たものが用いられる。

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（(１)）は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（(１)−１）と、官能基を有する単量体（(１)−２）とを共重合させて得ることができる。

単量体（(１)−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。

単量体（(１)−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（(１)−１）の総重量の５重量％以下の範囲内で可能である。

単量体（(１)−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（(１)−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。

化合物（(２)）において、用いられる官能基としては、化合物（(１)）、つまり単量体（(１)−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（(１)−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。

化合物（(１)）と化合物（(２)）との反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本実施形態で規定するものを製造することができる。

上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本実施形態において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、半導体ウエハ１０をダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を超えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。

なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。

ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。

次に、粘着層１６ｂのもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルム１６ａと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ等を用いることができる。

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（登録商標、三菱化学株式会社製）等を用いることができる。本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。

化合物（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．４〜３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を超えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。

また、本実施形態において、粘着層１６ｂには、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着層１６ｂの含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．０１〜５重量部とすることが好ましく、０．０１〜４重量部とすることがより好ましい。

さらに本実施形態において用いられる放射線硬化性の粘着層１６ｂには必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤および慣用成分を配合することができる。粘着材層の厚さは特に制限されるものではないが、通常２〜５０μｍである。

（第２実施形態）
この実施形態では、ダイシング工程において、図９に示すように、積層体Ｒ１の基材フィルム１側にダイシングテープ１６を貼り付ける。そして、図１０に示すように、半導体ウエハ１０の裏面Ｓ２が上方を向いた状態で、ダイシングブレードＤＢによって、裏面Ｓ２側から半導体ウエハ１０を基材フィルム１と粘着材層２と共にダイシングする（いわゆる、フェイスダウンダイシング）。

そして、図１１に示すように、粘着材層２と絶縁性接着材層３ａとの境界を剥離させ、絶縁性接着材層３ａが主面Ｓ１に形成された状態の半導体チップ１２４をピックアップする。その後、ピックアップした半導体チップ１２４を実装基板にフリップチップ実装する工程を経て、この半導体チップ１２４を含む半導体デバイスを得ることができる。なお、この実施形態において、前述の第１実施形態と同一又は同等の構成については、図面に同一符号を付して重複する説明を省略する。

上記のようなダイシング工程によれば、半導体チップ１２４のピックアップの際に、基材フィルム１と粘着材層２とダイシングテープ１６とを、半導体チップ１２４から同時に除去できるので、基材フィルム１と粘着材層２を剥離する工程を省略することができる。また、フェイスダウンダイシングが行われるので、ダイシングにより発生する切り屑によって、回路面Ｓ１が汚染されることを抑制することができる。

本発明に係る第１実施形態のバックグラインド方法及びダイシング方法が適用される半導体ウエハ及び半導体ウェハ加工用テープを示す断面図である。 図１の半導体ウエハの回路面上に絶縁性接着材層が形成された状態を示す断面図である。 図２の半導体ウエハの裏面側を研削する工程を示す図である。 図３で作製された積層体をダイシングフレームにセットした状態を示す断面図である。 図４の積層体のダイシング工程を示す断面図である。 図５でダイシングされた積層体から、加工用テープの基材フィルムと粘着材層を除去する工程を示す断面図である。 ダイシング後、加工用テープ基材フィルムと粘着材層が除去された半導体ウエハを示す断面図である。 半導体ウエハのダイシング工程の他の例を示す断面図である。 本発明の第２実施形態において、積層体をダイシングフレームにセットした状態を示す断面図である。 図９の積層体をダイシングした状態を示す断面図である。 ダイシングされた半導体チップをピックアップする工程を示す断面図である。

符号の説明

１０…半導体ウエハ、１０ａ…突出電極、１…基材フィルム、２…粘着材層、３…絶縁性接着材層、３ａ…絶縁性接着材層、４…キャリアフィルム、５…離型層、１２…バックグラインダ、１４…ダイシングフレーム、１４ａ…下縁、１６…ダイシングテープ、１６ａ…基材フィルム、１６ｂ…粘着層、２４…半導体チップ、２６…粘着テープ、１２４…半導体チップ、Ｒ１…積層体、Ｆ１…加工用テープ、Ｆ１ａ…加工用テープ、Ｓ１…主面（回路面）、Ｓ２…裏面。

Claims (7)

1. 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープ。
2. 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなり、前記接着材層と前記粘着材層と前記基材フィルムが、前記半導体ウェハの回路素子を覆うのに十分な大きさを持つ加工用テープ。
3. 請求項１記載の加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面にある離型層へ接着材層を積層したものと、基材フィルムの片面へ粘着材層を積層したものを、前記接着材層と前記粘着材層が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする加工用テープの製造方法。
4. 請求項１記載の加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面にある離型層へ接着材層と粘着材層をこの順で積層し、前記粘着材層と基材フィルムの片面が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする加工用テープの製造方法。
5. 請求項１記載の加工用テープの製造方法であって、基材フィルムの片面へ粘着材層と接着材層をこの順で積層し、前記接着材層とキャリアフィルムの片面にある離型層が向かい合うようにして貼り合わせることを特徴とする加工用テープの製造方法。
6. 請求項２記載の加工用テープの製造方法であって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープを、前記接着材層と前記粘着材層と前記基材フィルムを前記半導体ウェハの回路素子を覆うのに十分な大きさへカットし、ウェハへ貼合する部分をキャリアフィルムへ残し、それ以外の不要部分を取り除くことを特徴とする加工用テープの製造方法。
7. 粘着材層が感圧型の粘着材であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加工用テープ。

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