WO2024070132A1 - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム - Google Patents

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WO2024070132A1
WO2024070132A1 PCT/JP2023/025585 JP2023025585W WO2024070132A1 WO 2024070132 A1 WO2024070132 A1 WO 2024070132A1 JP 2023025585 W JP2023025585 W JP 2023025585W WO 2024070132 A1 WO2024070132 A1 WO 2024070132A1
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WO
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semiconductor wafer
adhesive layer
laminate
semiconductor
electrodes
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PCT/JP2023/025585
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English (en)
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幸一 茶花
慎 佐藤
強 田澤
Original Assignee
株式会社レゾナック
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive film for processing semiconductor wafers.
  • FC connection method conductive protrusions called bumps are formed on the semiconductor chip or substrate to directly connect the semiconductor chip and substrate.
  • FC connection methods include metal bonding using solder, tin, gold, silver, copper, etc., metal bonding using ultrasonic vibrations, and maintaining mechanical contact using the contraction force of resin. From the perspective of the reliability of the connection, however, metal bonding using solder, tin, gold, silver, copper, etc. is the most common.
  • COB Chip On Board
  • BGA Bit Grid Array
  • CSP Chip Size Package
  • FC connection method is also widely used in COC (chip on chip) connection methods, in which bumps or wiring are formed on semiconductor chips to connect between semiconductor chips (see, for example, Patent Document 1).
  • chip-stack packages that use the above-mentioned connection methods in multiple layers, such as POP (Package On Package) and TSV (Through-Silicon Via), are becoming more widely used.
  • the above technology is widely used because it allows packages to be made smaller by arranging the components in a three-dimensional rather than flat form. It is also effective in improving semiconductor performance, reducing noise, reducing mounting area, and saving power, and is attracting attention as a next-generation semiconductor wiring technology.
  • COW Chip On Wafer
  • WOW Wafer On Wafer
  • an adhesive film for semiconductor wafer processing is attached to the side of the wafer where the electrodes are provided.
  • the side of the wafer opposite to the side where the electrodes are provided is ground to thin the wafer with the adhesive film for semiconductor wafer processing.
  • the thinned wafer with the adhesive film for semiconductor wafer processing is diced to separate it into individual semiconductor chips.
  • the semiconductor chip is picked up by a collet and fed to a crimping tool via the collet.
  • the chip is aligned with the chip or the chip is aligned with the substrate, and the chip is crimped.
  • the temperature of the crimping tool is raised so that the metal at the top and bottom connections, or at either the top or bottom connections, reaches or exceeds its melting point, so that a metallic bond is formed.
  • the chip stack PKG which is layered and multi-layered, the chip pick-up, alignment, and crimping process are repeated.
  • the present disclosure has been made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress chipping and cracking of semiconductor wafers during grinding, and an adhesive film for semiconductor wafer processing.
  • the present disclosure provides the following semiconductor device manufacturing method and adhesive film for semiconductor wafer processing.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: preparing a semiconductor wafer having a plurality of electrodes on one of its main surfaces; attaching a laminate including a backgrind tape including a substrate and an adhesive layer formed on the substrate, and an adhesive layer formed on the adhesive layer, to the side of the semiconductor wafer on which the electrodes are provided, from the adhesive layer side; thinning the semiconductor wafer by grinding the side of the semiconductor wafer opposite to the side on which the electrodes are provided; dicing the thinned semiconductor wafer and the adhesive layer to individualize the semiconductor chips with the adhesive layer; and electrically connecting the electrodes of the semiconductor chips with the adhesive layer to electrodes of another semiconductor chip or a wiring circuit board, wherein the semiconductor wafer and the laminate have a circular shape in a plan view, and a diameter A of the semiconductor wafer and a diameter X of the laminate satisfy the relationship of the following formula (1) in a plan view.
  • a ⁇ X ⁇ A+5mm ... (1) [2] The method for manufacturing a semiconductor device described in [1] above, wherein the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is lower than the adhesive strength between the adhesive layer and the semiconductor wafer. [3] An adhesive film for semiconductor wafer processing, comprising a laminate including a backgrind tape including a substrate and an adhesive layer formed on the substrate, and an adhesive layer formed on the adhesive layer, wherein the semiconductor wafer and the laminate have a circular shape in plan view, and a diameter A of the semiconductor wafer and a diameter X of the laminate satisfy the relationship of the following formula (1) in plan view. A ⁇ X ⁇ A+5mm ... (1)
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress chipping and cracking of semiconductor wafers during grinding, and an adhesive film for semiconductor wafer processing.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of an adhesive film for semiconductor wafer processing according to the present disclosure.
  • 1 is a plan view showing one embodiment of an adhesive film for semiconductor wafer processing according to the present disclosure.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of an adhesive film for semiconductor wafer processing (hereinafter, also simply referred to as "adhesive film") of the present disclosure.
  • Fig. 2 is a plan view showing one embodiment of an adhesive film for semiconductor wafer processing of the present disclosure.
  • the adhesive film for semiconductor wafer processing 10 shown in Figs. 1 and 2 is composed of a base film 1 and a laminate 6.
  • the laminate 6 is composed of an adhesive layer 2 and a backgrind tape 5.
  • the backgrind tape 5 is composed of a pressure-sensitive adhesive layer 3 and a base material 4.
  • the laminate 6 is precut to have a circular shape in plan view, as shown in FIG. 2, to match the shape of the semiconductor wafer to which it is to be attached.
  • the laminate 6 is peeled off from the base film 1 and attached to the main surface of the semiconductor wafer, which has a circular shape in plan view, on the side on which the electrodes are provided.
  • the term "circular” means that the shape is approximately circular, and includes not only a perfect circle, but also a circle that is close to a perfect circle and a circle that has a cutout portion (orientation flat) for positioning.
  • the diameter A (unit: mm) of the semiconductor wafer to be attached and the diameter (precut diameter) X (unit: mm) of the laminate 6 satisfy the relationship of the following formula (1) in plan view. A ⁇ X ⁇ A+5mm ... (1)
  • the diameter X of the laminate 6 satisfies the above formula (1), the occurrence of chipping and cracking of the semiconductor wafer during grinding can be suppressed.
  • X is less than A
  • a part of the end of the main surface (attaching surface) of the wafer to which the laminate 6 is attached will be exposed without being covered by the laminate 6.
  • X is the same as A, even if the attachment position of the laminate 6 on the wafer is only slightly shifted, a part of the end of the attachment surface of the wafer will be exposed without being covered by the laminate 6. Then, when the wafer is ground to be thinned, chipping or cracking will occur at the end of the exposed attachment surface.
  • X may be A+1 mm or more, or may be A+3 mm or more.
  • X is set to A+5 mm or less.
  • the adhesive layer can be formed using an adhesive composition. Although not particularly limited, the adhesive composition constituting the adhesive layer will be described below.
  • the adhesive composition contains, for example, (a) a resin with a weight average molecular weight of less than 10,000 (hereinafter, sometimes referred to as “component (a)”) and (b) a curing agent (hereinafter, sometimes referred to as “component (b)”).
  • component (a) a resin with a weight average molecular weight of less than 10,000
  • component (b) a curing agent
  • the adhesive composition may optionally contain (c) a polymer component having a weight average molecular weight of 10,000 or more (hereinafter, sometimes referred to as “component (c)”).
  • the adhesive composition may optionally contain (d) a fluxing agent (hereinafter, sometimes referred to as “component (d)”).
  • the adhesive composition may optionally contain (e) a filler (hereinafter, sometimes referred to as “component (e)”).
  • Component (a) Resin with a weight average molecular weight of less than 10,000 Component (a) is not particularly limited, but is preferably one that reacts with a curing agent. Components with small molecular weights may decompose when heated and cause voids, so it is preferable that they react with a curing agent from the viewpoint of heat resistance.
  • component (a) examples include epoxy resin, acrylic resin, etc.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in the molecule.
  • bisphenol A type bisphenol F type, naphthalene type, phenol novolac type, cresol novolac type, phenol aralkyl type, biphenyl type, triphenylmethane type, dicyclopentadiene type, and various polyfunctional epoxy resins can be used. These can be used alone or as a mixture of two or more types.
  • the epoxy resin content is, for example, 10 to 50% by mass, based on the total solid content of the adhesive composition. If the content is 10% by mass or more, the amount of curing component is sufficient, and the flow of the resin can be adequately controlled even after curing; if the content is 50% by mass or less, the cured product does not become too hard, and warping of the package tends to be reduced.
  • solids refers to the non-volatile content excluding volatile substances (water, solvents, etc.) contained in the adhesive composition, and includes components that are liquid, syrup-like, or waxy at room temperature (around 25°C).
  • the epoxy resin is preferably solid at room temperature (25°C). A solid resin is less likely to cause voids than a liquid resin, and the adhesive composition before curing (B stage) has less viscosity (tack), making it easier to handle.
  • acrylic resin there are no particular limitations on the acrylic resin as long as it has one or more acrylic groups in the molecule.
  • bisphenol A type, bisphenol F type, naphthalene type, phenol novolac type, cresol novolac type, phenol aralkyl type, biphenyl type, triphenylmethane type, dicyclopentadiene type, fluorene type, adamantane type, and various polyfunctional acrylic resins can be used. These can be used alone or as a mixture of two or more types.
  • the content of the acrylic resin is preferably 10 to 50% by mass, and more preferably 15 to 40% by mass, based on the total solid content of the adhesive composition. If the content is 10% by mass or more, the amount of curing component is sufficient, and the flow of the resin can be sufficiently controlled even after curing, while if the content is 50% by mass or less, the cured product does not become too hard, and warping of the package tends to be reduced.
  • the acrylic resin is solid at room temperature (25°C).
  • a solid resin is less likely to cause voids than a liquid resin, and the adhesive composition before curing (B stage) has less viscosity (tack), making it easier to handle.
  • the number of functional groups in the acrylic group is preferably three or less. If the number of functional groups is three or less, the number of functional groups will not be too high, curing will tend to proceed in a short period of time, and the curing reaction rate will tend to be improved. This is thought to be because it is possible to prevent the number of functional groups from becoming too high, causing the curing network to progress too quickly and leaving unreacted groups behind.
  • Component (b) Curing Agent
  • Curing Agents examples include phenolic resin-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, amine-based curing agents, imidazole-based curing agents, phosphine-based curing agents, azo compounds, and organic peroxides.
  • Phenolic resin-based curing agent is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, and for example, phenol novolac resin, cresol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol naphthol formaldehyde polycondensate, triphenylmethane type polyfunctional phenolic resin, and various polyfunctional phenolic resins can be used. These can be used alone or in a mixture of two or more kinds.
  • the equivalent ratio (phenolic hydroxyl group/epoxy group or acrylic group, molar ratio) of the phenolic resin-based hardener to the above component (a) is preferably 0.3 to 1.5, more preferably 0.4 to 1.0, and even more preferably 0.5 to 1.0, from the viewpoint of good curing properties, adhesion, and storage stability.
  • the equivalent ratio is 0.3 or more, there is a tendency for the curing properties and adhesion to improve, and when it is 1.5 or less, there is no excess of unreacted phenolic hydroxyl groups remaining, the water absorption rate is kept low, and insulation reliability tends to improve.
  • Acid anhydride-based curing agent examples include methylcyclohexanetetracarboxylic dianhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, and ethylene glycol bisanhydrotrimellitate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the equivalent ratio (acid anhydride group/epoxy group or acrylic group, molar ratio) of the acid anhydride curing agent to the above component (a) is preferably 0.3 to 1.5, more preferably 0.4 to 1.0, and even more preferably 0.5 to 1.0, from the viewpoint of good curing properties, adhesion, and storage stability.
  • the equivalent ratio is 0.3 or more, the curing properties and adhesion tend to improve, and when it is 1.5 or less, there is no excess unreacted acid anhydride remaining, the water absorption rate is kept low, and insulation reliability tends to improve.
  • amine-based curing agent for example, dicyandiamide can be used.
  • the equivalent ratio of the amine-based curing agent to the above component (a) is preferably 0.3 to 1.5, more preferably 0.4 to 1.0, and even more preferably 0.5 to 1.0, from the viewpoint of good curability, adhesion, and storage stability.
  • the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability and adhesion tend to improve, and when it is 1.5 or less, there is no excess unreacted amine remaining, and insulation reliability tends to improve.
  • imidazole-based curing agents examples include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimid
  • the content of the imidazole-based hardener is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and more preferably 0.1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of component (a). If the content of the imidazole-based hardener is 0.1 parts by mass or more, the hardening property tends to improve, and if it is 20 parts by mass or less, the adhesive layer does not harden before the metal bond is formed, and connection failures tend to be less likely to occur.
  • Phosphine-Based Curing Agent examples include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra(4-methylphenyl)borate, and tetraphenylphosphonium(4-fluorophenyl)borate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the phosphine-based hardener is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of component (a). If the content of the phosphine-based hardener is 0.1 parts by mass or more, the hardening property tends to improve, and if it is 10 parts by mass or less, the adhesive layer does not harden before the metal bond is formed, and connection failures tend not to occur.
  • Phenol resin-based hardeners, acid anhydride-based hardeners, and amine-based hardeners can each be used alone or in a mixture of two or more.
  • Imidazole-based hardeners and phosphine-based hardeners can each be used alone, but they can also be used together with phenol resin-based hardeners, acid anhydride-based hardeners, or amine-based hardeners.
  • Organic peroxides examples include ketone peroxides, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, peroxydicarbonates, and peroxyesters. From the viewpoint of storage stability, hydroperoxides, dialkyl peroxides, and peroxyesters are preferred. Furthermore, from the viewpoint of heat resistance, hydroperoxides and dialkyl peroxides are preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the organic peroxide is preferably 0.5 to 10 parts by mass, and more preferably 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of component (a).
  • the content of the organic peroxide is 0.5 parts by mass or more, curing tends to proceed sufficiently, while when the content is 10 parts by mass or less, curing tends to proceed too quickly and the number of reaction points increases, which tends to prevent the molecular chain from becoming shorter or unreacted groups from remaining, resulting in a decrease in reliability.
  • component (a) and curing agents (i) to (vi) there are no particular restrictions on the combination of component (a) and curing agents (i) to (vi) as long as the curing proceeds, but for epoxy resins, from the viewpoints of handling, storage stability, and curing properties, phenol and imidazole, acid anhydride and imidazole, amine and imidazole, or imidazole alone may be used. Since productivity improves when connection is made in a short time, imidazole alone, which has excellent fast curing properties, may be used. Since volatile components such as low molecular weight components can be suppressed when curing in a short time, it is also possible to suppress the generation of voids. For acrylic resins, organic peroxides may be used from the viewpoints of handling and storage stability.
  • the curing reaction rate may be 80% or more, or 90% or more. If the curing reaction rate at 200°C (below the solder melting temperature)/5s is 80% or more, the solder is less likely to flow or splash when connected (above the solder melting temperature), and connection failures and poor insulation reliability tend not to occur.
  • the curing system may be a radical polymerization system.
  • a radical polymerization acrylic resin (acrylic-peroxide curing system) is preferable compared to an anionic polymerization epoxy resin (epoxy-curing agent curing system).
  • the acrylic curing system (radical polymerization system) has a higher curing reaction rate, so it is easier to suppress voids and easier to suppress the flow and scattering of metal at the connection part. If an anionic polymerization epoxy resin is contained, it may be difficult to achieve a curing reaction rate of 80% or more.
  • the epoxy resin may be 20 parts by mass or less for every 80 parts by mass of the acrylic resin.
  • the acrylic curing system may be used alone.
  • Component (c) Polymer component having a weight average molecular weight of 10,000 or more
  • component (c) include epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polycarbodiimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, polyester resin, polyethylene resin, polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin, acrylic rubber, etc.
  • Component (c) may be epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, acrylic resin, acrylic rubber, cyanate ester resin, polycarbodiimide resin, etc. from the viewpoint of excellent heat resistance and film formability, and may be epoxy resin, phenoxy resin, polyimide resin, acrylic resin, acrylic rubber, etc. from the viewpoint of excellent heat resistance and film formability.
  • These polymer components may be used alone or as a mixture or copolymer of two or more kinds.
  • the mass ratio of the epoxy resin, which is the (c) component, to the (a) component is not particularly limited, but from the viewpoint of maintaining the film shape, the epoxy resin may be 0.01 to 5 parts by mass, 0.05 to 4 parts by mass, or 0.1 to 3 parts by mass per part by mass of the (c) component.
  • the amount of the epoxy resin per part by mass of the (c) component is 0.01 part by mass or more, the curing property and adhesive strength tend to be improved, and when it is 5 parts by mass or less, the film formability tends to be improved.
  • the mass ratio of component (c) to the acrylic resin, which is component (a), is not particularly limited, but may be 0.01 to 10 parts by mass, 0.05 to 5 parts by mass, or 0.1 to 5 parts by mass of acrylic resin per part by mass of component (c).
  • amount of acrylic resin per part by mass of component (c) is 0.01 part by mass or more, the curing properties and adhesive strength tend to improve, and when it is 10 parts by mass or less, the film formability tends to improve.
  • the glass transition temperature (Tg) of component (c) may be 120°C or less, 100°C or less, or 85°C or less, from the viewpoint of excellent adhesion of the adhesive layer to the substrate and semiconductor chip. If the Tg is 120°C or less, the adhesive layer tends to easily fill in the bumps formed on the semiconductor chip, the electrodes formed on the substrate, the wiring pattern, and other irregularities, and tends to easily prevent air bubbles from remaining and causing voids.
  • the above Tg is the Tg measured using a DSC (for example, PerkinElmer, product name "DSC-7 type") under the following conditions: a sample amount of 10 mg, a heating rate of 10°C/min, and a measurement atmosphere of air.
  • the weight average molecular weight of component (c) is 10,000 or more in polystyrene equivalent, but may be 30,000 or more, 40,000 or more, or 50,000 or more in order to exhibit good film-forming properties by itself. When the weight average molecular weight is 10,000 or more, film-forming properties tend to be improved.
  • the weight average molecular weight means the weight average molecular weight measured in polystyrene equivalent using high performance liquid chromatography (for example, Shimadzu Corporation, product name "C-R4A").
  • Component (d) Fluxing Agent
  • the adhesive composition may contain a fluxing agent, that is, a flux activator, which is a compound that exhibits flux activity (activity to remove oxides and impurities).
  • Component (d) may include nitrogen-containing compounds having unshared electron pairs, such as imidazoles and amines, carboxylic acids, phenols, and alcohols. Organic acids such as carboxylic acids exhibit stronger flux activity than alcohols, improving connectivity.
  • the adhesive composition may contain a filler in order to control the viscosity and physical properties of the cured product, as well as to suppress the generation of voids when semiconductor chips are connected to each other or when a semiconductor chip is connected to a substrate, and to suppress the moisture absorption rate.
  • Examples of the (e) component include inorganic fillers, whiskers, and resin fillers.
  • the inorganic filler may be an insulating inorganic filler.
  • the (e) component may be used alone or as a mixture of two or more types. There are no particular limitations on the shape, particle size, and amount of the (e) component.
  • insulating inorganic fillers examples include fillers made of glass, silica, alumina, titanium oxide, carbon black, mica, boron nitride, etc. Among these, silica, alumina, titanium oxide, boron nitride, etc. are preferred, and silica, alumina, and boron nitride are more preferred.
  • Whiskers include those made of aluminum borate, aluminum titanate, zinc oxide, calcium silicate, magnesium sulfate, boron nitride, etc.
  • resin fillers examples include fillers made of polyurethane resin, polyimide resin, methyl methacrylate resin, methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymer resin (MBS), etc.
  • the (e) component may be a surface-treated filler from the viewpoint of improving dispersibility and adhesive strength.
  • the surface treatment include glycidyl-based (epoxy-based), amine-based, phenyl-based, phenylamino-based, acrylic-based, methacrylic-based, vinyl-based, and silane-based surface treatments.
  • the physical properties of the (e) component may be appropriately adjusted by the above surface treatment.
  • component (e) may be a filler that has been subjected to a silane-based surface treatment.
  • silane-based surface treatments include epoxy silane-based, amino silane-based, and acrylic silane-based surface treatments.
  • component (e) may be a filler that has been surface-treated with a glycidyl, phenylamino, acrylic, or methacrylic agent. From the viewpoint of storage stability, component (e) may be a filler that has been surface-treated with a phenyl, acrylic, or methacrylic agent.
  • the average particle size of component (e) is 1.5 ⁇ m or less, and from the viewpoint of visibility (transparency), it is more preferable that the average particle size is 1.0 ⁇ m or less.
  • the average particle size of component (e) is the particle size at the point corresponding to 50% volume when a cumulative frequency distribution curve is calculated based on particle size, with the total volume of the particles being 100%, and can be measured using a particle size distribution measuring device using a laser diffraction scattering method, etc.
  • resin fillers can provide flexibility at high temperatures such as 260°C, making them suitable for improving reflow resistance. In addition, because resin fillers can provide flexibility, they are also effective in improving film formability.
  • component (e) is insulating.
  • the adhesive composition does not need to contain conductive metal fillers such as silver fillers or solder fillers.
  • the content of component (e) is preferably 30 to 90 mass %, more preferably 40 to 80 mass %, based on the total solid content of the adhesive composition.
  • the content of component (e) is 30 mass % or more, heat dissipation is high and there is a tendency to be able to suppress the generation of voids and moisture absorption rate.
  • the content of component (e) is 90 mass % or less, there is a tendency to be able to suppress the increase in viscosity, the decrease in fluidity of the adhesive composition, and the biting (trapping) of the filler into the connection, and to suppress the decrease in connection reliability.
  • the adhesive composition may contain additives such as ion trappers, antioxidants, silane coupling agents, titanium coupling agents, and leveling agents in addition to the above-mentioned components (a) to (e). These may be used alone or in combination of two or more. The content of the additives may be appropriately adjusted so that the effect of each additive is exerted.
  • additives such as ion trappers, antioxidants, silane coupling agents, titanium coupling agents, and leveling agents in addition to the above-mentioned components (a) to (e). These may be used alone or in combination of two or more. The content of the additives may be appropriately adjusted so that the effect of each additive is exerted.
  • the adhesive layer 2 can be formed by dissolving or dispersing the adhesive composition containing the above-mentioned components in a solvent to form a varnish, applying this varnish to the base film 1, and removing the solvent by heating.
  • Methods for applying the varnish onto the substrate film 1 include commonly known methods such as knife coating, roll coating, spray coating, gravure coating, bar coating, and curtain coating.
  • the temperature conditions are preferably around 70 to 150°C.
  • the solvent to be used is not particularly limited, but is preferably determined taking into consideration the boiling point and volatility during the formation of the adhesive layer.
  • solvents with relatively low boiling points such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene are preferred because they do not easily cause the adhesive layer to harden during the formation of the adhesive layer.
  • solvents with relatively high boiling points such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, and cyclohexanone may be used to improve the coatability. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the thickness of the adhesive layer 2 may be 2 to 50 ⁇ m, or 5 to 20 ⁇ m, or from the viewpoint of suppressing resin overflow after mounting, may be 5 to 16 ⁇ m.
  • the substrate film is not particularly limited as long as it has heat resistance that can withstand the heating conditions when drying the organic solvent.
  • the substrate film include polyolefin films such as polypropylene film and polymethylpentene film, polyester films such as polyethylene terephthalate film and polyethylene naphthalate film, polyimide film, polyetherimide film, etc.
  • the substrate film may be a single-layer film of one type alone or a multilayer film of two or more types combined.
  • the backgrind tape 5 including the substrate 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed on the substrate 4 can be constructed using a known backgrind tape used when grinding semiconductor wafers. Although not particularly limited, the backgrind tape will be described below.
  • the substrate 4 is not particularly limited, and any known substrate can be used.
  • a resin film is preferable as the substrate 4.
  • a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polybutylene terephthalate film, a polypropylene film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyphenylene sulfide film, a polyarylate film, etc. can be used as the resin film.
  • a polyester film is preferable as the substrate 4, and a polyethylene terephthalate film is more preferable.
  • the thickness of the substrate 4 can be selected appropriately as long as it does not impair workability.
  • the thickness of the substrate 4 may be 200 ⁇ m or less, 10 to 150 ⁇ m, or 20 to 100 ⁇ m.
  • the adhesive layer 3 is not particularly limited, and known adhesives can be used. At least one selected from the group consisting of compounds having a diol group, isocyanate compounds, urethane (meth)acrylate compounds, diamine compounds, urea methacrylate compounds, and high-energy radiation polymerizable copolymers having an ethylenically unsaturated group in the side chain can be used as the adhesive layer 3.
  • the adhesive layer 3 is preferably composed of a component whose adhesiveness is unlikely to change depending on the storage environment such as temperature, humidity, storage period, and the presence or absence of oxygen, and more preferably composed of a component whose adhesiveness does not change depending on the storage environment.
  • the adhesive layer 3 may also contain a component that is cured by high-energy rays such as ultraviolet rays or radiation, or by heat. Among such components, a component that is cured by high-energy rays is preferred, and a component that is cured by ultraviolet rays is more preferred. When the adhesive layer 3 contains a component that is cured by high-energy rays such as ultraviolet rays or radiation, or by heat, the adhesive strength of the adhesive layer 3 can be reduced by a curing treatment.
  • the adhesive film 10 can be obtained by laminating the above-mentioned base film 1 and adhesive layer 2 with the backgrind tape 5, and then precutting the adhesive layer 2 and the backgrind tape 5 to form the laminate 6.
  • the lamination and precutting can be performed by known methods.
  • the adhesive strength between the pressure sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 2 is lower than the adhesive strength between the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer to be attached. This makes it easier to peel the backgrind tape 5 from the adhesive layer 2 after the semiconductor wafer has been ground.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of preparing a semiconductor wafer having a plurality of electrodes on one of its main surfaces, attaching the laminate 6 of the adhesive film 10 for semiconductor wafer processing to the side of the semiconductor wafer on which the electrodes are provided from the adhesive layer 2 side, thinning the semiconductor wafer by grinding the side of the semiconductor wafer opposite to the side on which the electrodes are provided, dicing the thinned semiconductor wafer and the adhesive layer 2 to separate the semiconductor chips with the adhesive layer, and electrically connecting the electrodes of the semiconductor chips with the adhesive layer to the electrodes of another semiconductor chip or a wiring circuit board.
  • the semiconductor wafer and the laminate 6 have a circular shape in a plan view, and the diameter A of the semiconductor wafer and the diameter X of the laminate 6 satisfy the relationship of the following formula (1) in a plan view.
  • the relationship between X and A may be as described in the description of the adhesive film 10 for semiconductor wafer processing. A ⁇ X ⁇ A+5mm ... (1)
  • the laminate 6 can be attached to the semiconductor wafer by, for example, heat pressing, roll lamination, vacuum lamination, etc.
  • the thickness of the adhesive layer 2 in the laminate 6 can be set appropriately depending on the size of the semiconductor chip or wiring circuit board, the bump (electrode) height, etc.
  • the laminate 6 can be attached to the semiconductor wafer by peeling the laminate 6 from the base film 1 in the adhesive film 10 for semiconductor wafer processing and attaching the peeled laminate 6 to the semiconductor wafer, or it can be attached by preparing a laminate 6 without the base film 1 and attaching the laminate 6 directly to the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer with the laminate is thinned by grinding the side opposite to the side on which the electrodes are provided.
  • the thickness of the semiconductor wafer after thinning may be 30 to 300 ⁇ m.
  • the backgrind tape 5 is peeled off from the thinned semiconductor wafer with the adhesive layer.
  • the semiconductor wafer with the adhesive layer is diced to separate the semiconductor wafer into individual semiconductor chips, thereby producing semiconductor chips with an adhesive layer attached (semiconductor chips with an adhesive layer).
  • the semiconductor chip with the adhesive layer is picked up and pressed onto a wiring circuit board.
  • Pressing is performed using a pressing device such as a flip chip bonder at a temperature above the melting point of the solder bumps, forming a metal bond at the connection.
  • Heat treatment can also be performed using a thermocompression machine, a reflow furnace, a pressure oven, etc.
  • the obtained coating varnish was applied to a base film (manufactured by Toyobo Film Solutions Co., Ltd., product name "Purex A55") using a small precision coating device (Yasui Seiki Co., Ltd.) and dried at 100°C for 5 minutes to form an adhesive layer 20 ⁇ m thick.
  • the above adhesive varnish was applied using an applicator onto a 25 ⁇ m thick polyethylene terephthalate (PET) substrate (manufactured by Unitika Ltd., product name "EMBRED S25”) while adjusting the gap so that the adhesive layer would be 20 ⁇ m thick after drying, and then dried at 80°C for 5 minutes. This resulted in a backgrind tape with a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a backgrind tape was attached to the surface of the adhesive layer opposite the base film under conditions of 50°C, a linear pressure of 3 kgf, and a speed of 5 m/min, to obtain an adhesive film for semiconductor wafer processing having a laminated structure of base film/adhesive layer/pressure-sensitive adhesive layer/base material.
  • the backgrind tape and adhesive layer (layers other than the base film) were precut into a circular shape with the diameter (precut diameter) shown in Table 2 in plan view, as shown in Figure 2, to obtain adhesive films for semiconductor wafer processing of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, which comprise a precut laminate.
  • the laminate was peeled off from the adhesive film obtained in each of the Examples and Comparative Examples, and the adhesive layer side of the laminate was attached to the surface of a silicon wafer (diameter 300 mm, thickness 775 ⁇ m) using a vacuum laminator (manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., product name "V130") under the following conditions: diaphragm temperature: 80°C, stage temperature: 40°C, pressure: 0.5 MPa, and pressure application time: 60 seconds.
  • the silicon wafer with the laminate attached was ground from the side opposite to the side with the laminate attached using a back grinder (manufactured by Disco Corporation, product name "DGP8761"). Grinding was performed using a grindstone with a grain size of #340 to the finishing thickness Z1 shown in Table 2, and then using a grindstone with a grain size of #6000 to the finishing thickness Z2 shown in Table 2. After grinding, the presence or absence of adhesion of the laminate to the stage of the back grinder was visually confirmed, and no adhesion was found in either the examples or the comparative examples.
  • a back grinder manufactured by Disco Corporation, product name "DGP8761”

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Abstract

主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハの電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、粘着剤層上に形成された接着剤層と、を含む積層体を接着剤層側から貼り付ける工程と、半導体ウエハを研削して薄化する工程と、薄化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、半導体ウエハ及び積層体は平面視で円形の形状を有し、平面視において、半導体ウエハの直径Ａと積層体の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす、半導体装置の製造方法。　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　…（１）

Description

半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム
　本開示は、半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムに関する。
　これまで、半導体チップと基板を接続するには、金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されてきた。しかしながら、半導体装置に対する高機能・高集積・高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板とを直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
　ＦＣ接続方式としては、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法が一般的である。
　例えば、半導体チップと基板間の接続においては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）型の接続方式もＦＣ接続方式である。
　ＦＣ接続方式は半導体チップ上にバンプ又は配線を形成して、半導体チップ間で接続するＣＯＣ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）型接続方式にも広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００８－２９４３８２号公報
　さらなる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されるパッケージでは、上述した接続方式を積層・多段化したチップスタック型パッケージ、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ　Ｏｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）等も広く普及し始めている。
　平面状でなく立体状に配置することでパッケージを小さくできることから、上記の技術は多用され、半導体の性能向上及びノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であり、次世代の半導体配線技術として注目されている。
　生産性向上の観点から、ウエハ上に半導体チップを圧着（接続）して後に個片化して半導体パッケージを作製するＣＯＷ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｗａｆｅｒ）、ウエハ同士を圧着（接続）して後に個片化して半導体パッケージを作製するＷＯＷ（Ｗａｆｅｒ　Ｏｎ　Ｗａｆｅｒ）も注目されている。
　上述したフリップチップパッケージの組立では、まず、ウエハの電極が設けられている側に半導体ウエハ加工用接着フィルムを貼り付ける。次に、ウエハの電極が設けられている側と反対側を研削して、半導体ウエハ加工用接着フィルム付ウエハを薄化する。次に、上記薄化した半導体ウエハ加工用接着フィルム付ウエハをダイシングし、半導体チップに個片化する。
　その後、上記半導体チップをコレットでピックアップし、コレットを介して圧着ツールに供給する。次に、チップ－チップ、又は、チップ－基板の位置合わせを行い、圧着する。金属結合が形成されるように、上下の接続部、又は、上下どちらか一方の接続部の金属が融点以上に達するように圧着ツールの温度を上昇させる。積層・多段化するチップスタックＰＫＧでは、チップピックアップ、位置合わせ、圧着を繰り返す。
　フリップチップパッケージは、パッケージが小型化、薄型化する傾向にあり、半導体ウエハ及び半導体チップの更なる薄化が求められている。しかしながら、半導体ウエハ及び半導体チップに求められる厚さが薄くなるほど、半導体ウエハ加工用接着フィルム付ウエハを薄化する際、研削時に半導体ウエハの欠け又は割れが発生しやすくなる。
　本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、研削時の半導体ウエハの欠け及び割れの発生を抑制できる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本開示は、以下の半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供する。
［１］主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を含む積層体を上記接着剤層側から貼り付ける工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄化する工程と、上記薄化した半導体ウエハ及び上記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、上記半導体ウエハ及び上記積層体は平面視で円形の形状を有し、平面視において、上記半導体ウエハの直径Ａと上記積層体の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす、半導体装置の製造方法。
　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
［２］上記粘着剤層と上記接着剤層との間の接着力が、上記接着剤層と上記半導体ウエハとの間の接着力よりも低い、上記［１］に記載の半導体装置の製造方法。
［３］基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を含む積層体を備える、半導体ウエハ加工用接着フィルムであって、上記半導体ウエハ及び上記積層体は平面視で円形の形状を有し、平面視において、上記半導体ウエハの直径Ａと上記積層体の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす、半導体ウエハ加工用接着フィルム。
　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
　本開示によれば、研削時の半導体ウエハの欠け及び割れの発生を抑制できる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することができる。
本開示に係る半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 本開示に係る半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す平面図である。
　以下、場合により図面を参照しつつ本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
＜半導体ウエハ加工用接着フィルム＞
　図１は、本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルム（以下、単に「接着フィルム」とも言う）の一実施形態を示す模式断面図である。図２は、本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す平面図である。図１及び図２に示される半導体ウエハ加工用接着フィルム１０は、基材フィルム１、及び、積層体６から構成されている。積層体６は、接着剤層２、及び、バックグラインドテープ５から構成されている。バックグラインドテープ５は、粘着剤層３及び基材４から構成されている。
　本実施形態の接着フィルム１０において、積層体６は、図２に示されるように、貼り付ける半導体ウエハの形状に合わせて、平面視で円形の形状となるようにプリカットされている。半導体装置の製造方法においては、積層体６が基材フィルム１から剥離され、平面視で円形の形状を有する半導体ウエハの電極が設けられている側の主面に貼り付けられる。ここで、円形とは、略円形であればよく、真円形のほか、真円形に近い円形、位置決め用の切り欠き部（オリエンテーションフラット）を有する円形も含む。
　また、本実施形態の接着フィルム１０は、平面視において、貼り付ける半導体ウエハの直径Ａ（単位：ｍｍ）と積層体６の直径（プリカット径）Ｘ（単位：ｍｍ）とが下記式（１）の関係を満たす。
　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
　積層体６の直径Ｘが上記式（１）を満たすことにより、研削時の半導体ウエハの欠け及び割れの発生を抑制することができる。ここで、ＸがＡ未満であった場合、ウエハの積層体６を貼り付けた主面（貼付面）の端部の一部が、積層体６に覆われずに露出することとなる。また、ＸがＡと同じであった場合、ウエハへの積層体６の貼り付け位置が僅かにずれるだけでも、ウエハの貼付面の端部の一部が、積層体６に覆われずに露出することとなる。そして、ウエハを研削して薄化する際に、上記露出した貼付面の端部に欠け又は割れが発生することとなる。これに対し、ＸをＡよりも大きくすることで、上記貼付面の端部の露出を抑制することができ、ウエハに欠け又は割れが発生することを抑制することができる。かかる効果をより十分に得る観点から、Ｘは、Ａ＋１ｍｍ以上であってもよく、Ａ＋３ｍｍ以上であってもよい。一方、ＸがＡ＋５ｍｍを超えても、ウエハに欠け又は割れが発生することを抑制する効果が更に向上することはないため、ＸはＡ＋５ｍｍ以下とする。また、ＸをＡ＋５ｍｍ以下とすることで、ウエハの貼付面からはみ出した積層体６が、積層体６のラミネート時及びウエハの研削時に、装置のステージ上に貼り付いて作業性が低下することを抑制することができる。
　以下、本実施形態の接着フィルム１０を構成する各層について詳細に説明する。
（接着剤層２）
　接着剤層は、接着剤組成物を用いて構成することができる。特に限定するものではないが、以下、接着剤層を構成する接着剤組成物について説明する。
　接着剤組成物は、例えば、（ａ）重量平均分子量が１００００未満の樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という）、及び、（ｂ）硬化剤（以下、場合により「（ｂ）成分」という）を含有する。
　接着剤組成物は、必要に応じて、（ｃ）重量平均分子量が１００００以上の高分子成分（以下、場合により「（ｃ）成分」という）を含有していてもよい。接着剤組成物は、必要に応じて、（ｄ）フラックス剤（以下、場合により「（ｄ）成分」という）を含有していてもよい。接着剤組成物は、必要に応じて、（ｅ）フィラー（以下、場合により「（ｅ）成分」という）を含有していてもよい。
（ａ）成分：重量平均分子量が１００００未満の樹脂
　（ａ）成分としては、特に制限はないが、硬化剤と反応するものが好ましい。分子量が小さい成分は加熱時に分解等してボイドの原因となる場合があるため、硬化剤と反応する方が耐熱性の観点から好ましい。
　（ａ）成分としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
　エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、及び、各種多官能のエポキシ樹脂等を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合体として使用することができる。
　エポキシ樹脂の含有量は、接着剤組成物の固形分全体を基準として、例えば１０～５０質量％である。含有量が１０質量％以上の場合、硬化成分の量が十分となり、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することができ、５０質量％以下の場合、硬化物が硬くなりすぎず、パッケージの反りを低減できる傾向がある。
　なお、本明細書において「固形分」とは、接着剤組成物に含まれる揮発する物質（水、溶剤等）を除いた不揮発分を指し、室温（２５℃付近）で液状、水飴状、又はワックス状の成分も含む。
　エポキシ樹脂は、室温（２５℃）で固形であることが好ましい。液状に比べて固形の方が、ボイドが発生しにくく、また、硬化前（Ｂステージ）の接着剤組成物の粘性（タック）が小さく取り扱いに優れる。
　アクリル樹脂は、分子内に１個以上のアクリル基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型、及び、各種多官能のアクリル樹脂等を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合体として使用することができる。
　アクリル樹脂の含有量は、接着剤組成物の固形分全体を基準として、１０～５０質量％が好ましく、１５～４０質量％がより好ましい。含有量が１０質量％以上の場合、硬化成分の量が十分となり、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することができ、５０質量％以下の場合、硬化物が硬くなりすぎず、パッケージの反りを低減できる傾向がある。
　アクリル樹脂は、室温（２５℃）で固形であることが好ましい。液状に比べて固形の方が、ボイドが発生しにくく、また、硬化前（Ｂステージ）の接着剤組成物の粘性（タック）が小さく取り扱いに優れる。
　アクリル樹脂において、アクリル基の官能基数は３官能以下が好ましい。３官能以下であると、官能基数が多くなり過ぎず、短時間での硬化が進行しやすく、硬化反応率を向上させやすい傾向がある。これは、官能基数が多くなり過ぎて硬化のネットワークが急速に進み、未反応基が残存することを抑制できるためであると考えられる。
（ｂ）成分：硬化剤
　（ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ホスフィン系硬化剤、アゾ化合物、有機過酸化物等が挙げられる。
（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
　フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
　上記（ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／エポキシ基又はアクリル基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
　酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
　上記（ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／エポキシ基又はアクリル基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
　アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。
　上記（ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／エポキシ基又はアクリル基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
　イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２、４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２、４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２、４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２、４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４、５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２、４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２、４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２、４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４、５－ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤を用いることもできる。
　イミダゾール系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１～２０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤層が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
（ｖ）ホスフィン系硬化剤
　ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４－メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４－フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　ホスフィン系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤層が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
　フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種を単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよいが、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。
（ｖｉ）有機過酸化物
　有機過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステル等が挙げられる。保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステルが好ましい。さらに、耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイドが好ましい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　有機過酸化物の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．５～１０質量部が好ましく、１～５質量部がより好ましい。有機過酸化物の含有量が０．５質量部以上の場合、十分に硬化が進行し易く、１０質量部以下の場合、硬化が急激に進行して反応点が多くなるために分子鎖が短くなったり、未反応基が残存したりして信頼性が低下することを抑制できる傾向がある。
　（ａ）成分と硬化剤（ｉ）～（ｖｉ）との組み合わせは、硬化が進行すれば特に制限はないが、エポキシ樹脂には、取り扱い性、保存安定性、硬化性の観点から、フェノールとイミダゾール、酸無水物とイミダゾール、アミンとイミダゾール、イミダゾール単独であってよい。短時間で接続すると生産性が向上することから、速硬化性に優れたイミダゾール単独であってよい。短時間で硬化すると低分子成分等の揮発分が抑制できることから、ボイド発生抑制も可能である。アクリル樹脂には、取り扱い性、保存安定性の観点から、有機過酸化物であってよい。
　硬化反応率は８０％以上、又は９０％以上であってもよい。２００℃（はんだ溶融温度以下）／５ｓの硬化反応率が８０％以上であると、接続時（はんだ溶融温度以上）ではんだが流動・飛散が起こり難く、接続不良及び絶縁信頼性不良が発生し難い傾向がある。
　硬化系はラジカル重合系であってよい。例えば、重量平均分子量１００００以下の樹脂としては、アニオン重合のエポキシ樹脂（エポキシ－硬化剤の硬化系）と比較してラジカル重合のアクリル樹脂（アクリル－過酸化物の硬化系）が好ましい。アクリル硬化系（ラジカル重合系）の方が硬化反応率が高いため、ボイドをより抑制し易く、接続部金属の流動・飛散がより抑制し易い。アニオン重合のエポキシ樹脂等を含有すると、硬化反応率が８０％以上になる事が難しい場合がある。エポキシ樹脂を併用する場合には、アクリル樹脂８０質量部に対してエポキシ樹脂は２０質量部以下であってもよい。アクリル硬化系を単独で用いてもよい。
（ｃ）成分：重量平均分子量が１００００以上の高分子成分
　（ｃ）成分としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。（ｃ）成分は、耐熱性及びフィルム形成性に優れる観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等であってもよく、さらに耐熱性及びフィルム形成性に優れる観点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴムであってもよい。これらの高分子成分は単独又は２種以上の混合体もしくは共重合体として使用することもできる。
　（ｃ）成分と（ａ）成分であるエポキシ樹脂との質量比は、特に制限されないが、フィルム状を保持する観点から、（ｃ）成分１質量部に対して、エポキシ樹脂が０．０１～５質量部、０．０５～４質量部、又は、０．１～３質量部であってよい。（ｃ）成分１質量部に対するエポキシ樹脂の量が０．０１質量部以上であると、硬化性が向上し、接着力が向上する傾向があり、５質量部以下であると、フィルム形成性が向上する傾向がある。
　（ｃ）成分と（ａ）成分であるアクリル樹脂との質量比は、特に制限されないが、（ｃ）成分１質量部に対して、アクリル樹脂が０．０１～１０質量部、０．０５～５質量部、又は、０．１～５質量部であってよい。（ｃ）成分１質量部に対するアクリル樹脂の量が０．０１質量部以上であると、硬化性が向上し、接着力が向上する傾向があり、１０質量部以下であると、フィルム形成性が向上する傾向がある。
　（ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、基板及び半導体チップへの接着剤層の貼付性に優れる観点から、１２０℃以下、１００℃以下、又は、８５℃以下であってよい。Ｔｇが１２０℃以下であると、半導体チップに形成されたバンプ、基板に形成された電極及び配線パターン等の凹凸を接着剤層により埋め込みやすく、気泡が残存してボイドが発生することを抑制しやすい傾向がある。なお、上記Ｔｇとは、ＤＳＣ（例えば、パーキンエルマー社製、商品名「ＤＳＣ－７型」）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇである。
　（ｃ）成分の重量平均分子量は、ポリスチレン換算で１００００以上であるが、単独で良好なフィルム形成性を示すために、３００００以上、４００００以上、又は、５００００以上であってよい。重量平均分子量が１００００以上である場合には、フィルム形成性が向上する傾向がある。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（例えば、島津製作所製社製、商品名「Ｃ－Ｒ４Ａ」）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。
（ｄ）成分：フラックス剤
　接着剤組成物は、フラックス剤、すなわち、フラックス活性（酸化物及び不純物を除去する活性）を示す化合物であるフラックス活性剤を含有することができる。（ｄ）成分としては、イミダゾール類及びアミン類のように非共有電子対を有する含窒素化合物、カルボン酸類、フェノール類及びアルコール類が挙げられる。なお、アルコール類に比べてカルボン酸類等の有機酸の方が、フラックス活性を強く発現し、接続性が向上する。
（ｅ）成分：フィラー
　接着剤組成物は、粘度及び硬化物の物性を制御するため、並びに、半導体チップ同士又は半導体チップと基板とを接続した際のボイドの発生の抑制、及び、吸湿率の抑制のために、フィラーを含有してもよい。
　（ｅ）成分としては、無機フィラー、ウィスカー、樹脂フィラー等が挙げられる。無機フィラーは、絶縁性無機フィラーであってよい。（ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上の混合体として使用してもよい。（ｅ）成分の形状、粒径、及び配合量については、特に制限されない。
　絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等からなるフィラーが挙げられる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素等が好ましく、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。
　ウィスカーとしてはホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等からなるウィスカーが挙げられる。
　樹脂フィラーとしては、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、メタクリル酸メチル－ブタジエン－スチレン共重合樹脂（ＭＢＳ）等からなるフィラーが挙げられる。
　（ｅ）成分は、分散性及び接着力向上の観点から、表面処理フィラーであってもよい。表面処理としては、グリシジル系（エポキシ系）、アミン系、フェニル系、フェニルアミノ系、アクリル系、メタクリル系、ビニル系、シラン系等の表面処理が挙げられる。（ｅ）成分は、上記表面処理によって物性を適宜調整してもよい。
　表面処理のし易さから、（ｅ）成分は、シラン系の表面処理が施されたフィラーであってもよい。シラン系の表面処理としては、エポキシシラン系、アミノシラン系、アクリルシラン系等の表面処理が挙げられる。
　分散性、流動性、接着力の観点から、（ｅ）成分は、グリシジル系、フェニルアミノ系、アクリル系、メタクリル系の表面処理が施されたフィラーであってもよい。また、保存安定性の観点から、（ｅ）成分は、フェニル系、アクリル系、メタクリル系の表面処理が施されたフィラーであってもよい。
　（ｅ）成分の粒径に関しては、フリップチップ接続時のかみ込み防止の観点から、平均粒径が１．５μｍ以下であることが好ましく、視認性（透明性）の観点から、平均粒径が１．０μｍ以下であることがより好ましい。なお、（ｅ）成分の平均粒径は、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径であり、レーザ回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。
　樹脂フィラーは無機フィラーに比べて、２６０℃等の高温で柔軟性を付与することができるため、耐リフロー性向上に適している。また、樹脂フィラーは柔軟性を付与できるため、フィルム形成性向上にも効果がある。
　絶縁信頼性の観点から、（ｅ）成分は絶縁性であることが好ましい。接着剤組成物は、銀フィラー、はんだフィラー等の導電性の金属フィラーを含有していなくてよい。
　（ｅ）成分の含有量は、接着剤組成物の固形分全体を基準として、３０～９０質量％が好ましく、４０～８０質量％が更に好ましい。（ｅ）成分の含有量が３０質量％以上であると、放熱性が高く、また、ボイド発生及び吸湿率を抑制できる傾向がある。（ｅ）成分の含有量が９０質量％以下であると、粘度が高くなって接着剤組成物の流動性の低下及び接続部へのフィラーの噛み込み（トラッピング）が生じることを抑制でき、接続信頼性の低下を抑制できる傾向がある。
　接着剤組成物は、上述した（ａ）～（ｅ）成分のほか、イオントラッパー、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。添加剤の含有量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。
　接着剤層２は、上述した各成分を含有する接着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを基材フィルム１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。
　上記ワニスを基材フィルム１上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。
　加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０～１５０℃程度が好ましい。
　用いる溶剤は、特に限定されないが、接着剤層形成時の揮発性等を沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は接着剤層形成時に接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させる目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　接着剤層２の厚さは、２～５０μｍであってもよく、５～２０μｍであってもよく、実装後の樹脂のはみ出しを抑制する観点から、５～１６μｍであってもよい。
（基材フィルム１）
　基材フィルムは、有機溶剤を乾燥させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限されない。基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルムなどが挙げられる。基材フィルムは、１種単独の単層フィルムであっても、２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよい。
（バックグラインドテープ５）
　基材４及び該基材４上に形成された粘着剤層３を含むバックグラインドテープ５は、半導体ウエハの研削時に使用される公知のバックグラインドテープを用いて構成することができる。特に限定するものではないが、以下、バックグラインドテープについて説明する。
　基材４としては、特に制限はなく、公知のものを使用できる。基材４としては、例えば、樹脂フィルムが好ましい。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリアリレートフィルム等を使用することができる。基材４としては、ポリエステル系フィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましい。
　基材４の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択することができる。基材４の厚さは、２００μｍ以下、１０～１５０μｍ、又は、２０～１００μｍであってよい。
　粘着剤層３としては、特に制限はなく、公知のものを使用できる。粘着剤層３としては、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、及び側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。粘着剤層３は、温度、湿度、保管期間、酸素の有無等の保管環境によって粘着性が変化し難い成分から構成されることが好ましく、保管環境によって粘着性が変化しない成分から構成されることがより好ましい。
　また、粘着剤層３は、紫外線、放射線等の高エネルギー線、又は、熱によって硬化する成分を含んでもよい。そのような成分の中でも、高エネルギー線によって硬化する成分が好ましく、紫外線によって硬化する成分がより好ましい。粘着剤層３が、紫外線、放射線等の高エネルギー線、又は、熱によって硬化する成分を含む場合、硬化処理によって粘着剤層３の粘着力を低下させることができる。
　接着フィルム１０は、上述した基材フィルム１及び接着剤層２と、バックグラインドテープ５とを貼り合わせた後、接着剤層２及びバックグラインドテープ５をプリカットして積層体６を形成することで得ることができる。貼り合わせ及びプリカットは、公知の方法で行うことができる。
　接着フィルム１０において、粘着剤層３と接着剤層２との間の接着力が、接着剤層２と貼り付ける半導体ウエハとの間の接着力よりも低いことが好ましい。これにより、半導体ウエハを研削した後、バックグラインドテープ５を接着剤層２から剥離することが容易となる。
（半導体装置の製造方法）
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、上述した半導体ウエハ加工用接着フィルム１０における積層体６を上記接着剤層２側から貼り付ける工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄化する工程と、上記薄化した半導体ウエハ及び上記接着剤層２をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有する。ここで、上記半導体ウエハ及び上記積層体６は平面視で円形の形状を有し、平面視において、上記半導体ウエハの直径Ａと上記積層体６の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす。ＸとＡとの関係は、半導体ウエハ加工用接着フィルム１０の説明において述べた通りであってよい。
　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
　半導体ウエハへの積層体６の貼付は、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。積層体６における接着剤層２の厚さは、半導体チップ又は配線回路基板のサイズ、及び、バンプ（電極）高さ等に応じて適宜設定してよい。
　半導体ウエハへの積層体６の貼付は、半導体ウエハ加工用接着フィルム１０における基材フィルム１から積層体６を剥離し、剥離した積層体６を半導体ウエハに貼り付けることで行ってもよいが、基材フィルム１を有さない積層体６を用意し、当該積層体６をそのまま半導体ウエハに貼り付けることで行ってもよい。
　次に、積層体付き半導体ウエハの電極が設けられている側とは反対側を研削して半導体ウエハを薄化する。薄化後の半導体ウエハの厚さは、３０～３００μｍであってよい。
　その後、薄化した接着剤層付き半導体ウエハからバックグラインドテープ５を剥離する。次いで、接着剤層付き半導体ウエハのダイシングを行い、半導体ウエハを半導体チップに個片化することによって、接着剤層が貼付された半導体チップ（接着剤層付き半導体チップ）を作製する。
　ダイシング後、接着剤層付き半導体チップをピックアップし、配線回路基板上に圧着する。圧着は、フリップチップボンダー等の圧着装置を用いて、はんだバンプの融点以上の温度で圧着を行い、金属結合を接続部に形成する。加熱処理は、熱圧着機、リフロー炉、加圧オーブン等によって行うこともできる。以上の工程を経て、半導体装置を製造することができる。
　以上、本開示の好適な実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。
　以下、実施例により本開示をより具体的に説明するが、本開示は実施例に限定されるものではない。
　各実施例及び比較例で使用した化合物は以下の通りである。
（ａ）重量平均分子量が１００００未満の樹脂
　（ａ－１）トリフェノールメタン骨格含有多官能エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製、商品名「ＥＰ１０３２Ｈ６０」、重量平均分子量：８００～２０００）
　（ａ－２）ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製、商品名「ＹＬ９８３Ｕ」、重量平均分子量：約３４０）
（ｂ）硬化剤
　２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成工業株式会社製、商品名「２ＭＡＯＫ－ＰＷ」）
（ｃ）重量平均分子量が１００００以上の高分子成分
　フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名「ＺＸ１３５６」、Ｔｇ：約７１℃、重量平均分子量：約６３０００）
（ｄ）フラックス剤（カルボン酸）
　グルタル酸（融点：約９５℃）
（ｅ）フィラー
　（ｅ－１）シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０」、平均粒径：０．５μｍ）
　（ｅ－２）メタクリル表面処理ナノシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ－ＳＭ」、平均粒径：約５０ｎｍ）
　（ｅ－３）樹脂フィラー（ロームアンドハースジャパン（株）社製、商品名「ＥＸＬ－２６５５」、コアシェルタイプ有機微粒子）
（実施例１～３及び比較例１～２）
＜接着剤層の作製＞
　表１に示す質量割合の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分、及び（ｅ）成分に対し、ＮＶ値（［乾燥後のワニス質量］／［乾燥前のワニス質量］×１００）が６０質量％になるように有機溶媒（シクロヘキサノン）を添加した。その後、上記（ａ）～（ｅ）成分及び有機溶媒の全配合量と同質量のφ１．０ｍｍのジルコニアビーズを加え、ボールミル（フリッチュ・ジャパン株式会社製、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。撹拌後、ジルコニアビーズをろ過によって除去し、塗工ワニスを作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　得られた塗工ワニスを、基材フィルム（東洋紡フイルムソリューション株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５５」）上に、小型精密塗工装置（株式会社康井精機）で塗工し、１００℃で５分間乾燥することで、厚さ２０μｍの接着剤層を形成した。
＜バックグラインドテープの作製＞
　主モノマーとして２－エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は－３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＨＬ」）を１０質量部の割合で配合して、粘着剤用ワニスを調製した。
　厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（ユニチカ株式会社製、商品名「エンブレッドＳ２５」）上に、上記粘着剤用ワニスを、アプリケータを用いて乾燥後の粘着剤層の厚さが２０μｍとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、８０℃で５分間乾燥した。これにより、基材上に感圧型の粘着剤層が形成されたバックグラインドテープを得た。
＜半導体ウエハ加工用接着フィルムの作製＞
　次に、接着剤層の基材フィルムとは反対側の面上にバックグラインドテープを、５０℃、線圧３ｋｇｆ、速度５ｍ／分の条件で貼り付け、基材フィルム／接着剤層／粘着剤層／基材の積層構造を有する半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。
　得られた多層フィルムにおいて、バックグラインドテープ及び接着剤層（基材フィルム以外の層）を、図２に示すように、平面視で表２に示す直径（プリカット径）を有する円形状となるようにプリカットを行い、プリカットされた積層体を備える実施例１～３及び比較例１～２の半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。
［半導体ウエハの欠け及び割れの評価］
　実施例及び比較例で得られた接着フィルムから積層体を剥離し、積層体の接着剤層側を、シリコンウエハ（直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍ）の表面に、真空ラミネータ（ニッコーマテリアルズ社製、商品名「Ｖ１３０」）を用いて、ダイアフラム温度：８０℃、ステージ温度：４０℃、圧力：０．５ＭＰａ、加圧時間：６０秒の条件で貼り付けた。
　積層体を貼り付けたシリコンウエハを、積層体を貼り付けた側とは反対側の面から、バックグラインダー（ディスコ社製、商品名「ＤＧＰ８７６１」）を用いて研削を行った。研削は、表２に示す仕上げ厚Ｚ１まで粒度＃３４０の砥石を用いて行った後、表２に示す仕上げ厚Ｚ２まで粒度＃６０００の砥石を用いて行った。研削後、バックグラインダーのステージへの積層体の付着の有無を目視で確認したところ、実施例及び比較例のいずれも付着は無かった。
　研削後、ウエハ表面を光学顕微鏡にて観察し、ウエハ端部に欠け及び割れが発生していないかを確認した。欠け及び割れのいずれも発生していない場合を「Ａ」評価とし、欠け及び割れの少なくとも一方が発生している場合を「Ｂ」評価とした。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　１…基材フィルム、２…接着剤層、３…粘着剤層、４…基材、５…バックグラインドテープ、６…積層体、１０…半導体ウエハ加工用接着フィルム。

Claims (3)

  1. 　主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの前記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を含む積層体を前記接着剤層側から貼り付ける工程と、
    　前記半導体ウエハの前記電極が設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄化する工程と、
    　前記薄化した半導体ウエハ及び前記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、
    　前記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、
    を有し、
    　前記半導体ウエハ及び前記積層体は平面視で円形の形状を有し、
    　平面視において、前記半導体ウエハの直径Ａと前記積層体の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす、半導体装置の製造方法。
    　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
  2. 　前記粘着剤層と前記接着剤層との間の接着力が、前記接着剤層と前記半導体ウエハとの間の接着力よりも低い、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を含む積層体を備える、半導体ウエハ加工用接着フィルムであって、
    　前記半導体ウエハ及び前記積層体は平面視で円形の形状を有し、
    　平面視において、前記半導体ウエハの直径Ａと前記積層体の直径Ｘとが下記式（１）の関係を満たす、半導体ウエハ加工用接着フィルム。
    　Ａ＜Ｘ≦Ａ＋５ｍｍ　　…（１）
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049482A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP2010056406A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 加工用テープ及び加工用テープの製造方法
JP2010056409A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ加工用接着フィルム
WO2010131575A1 (ja) * 2009-05-13 2010-11-18 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
JP2010287848A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP2010287836A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体加工用接着フィルム積層体
WO2021171898A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 リンテック株式会社 保護膜形成用シート、保護膜付きチップの製造方法、及び積層物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049482A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP2010056406A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 加工用テープ及び加工用テープの製造方法
JP2010056409A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ加工用接着フィルム
WO2010131575A1 (ja) * 2009-05-13 2010-11-18 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
JP2010287848A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP2010287836A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体加工用接着フィルム積層体
WO2021171898A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 リンテック株式会社 保護膜形成用シート、保護膜付きチップの製造方法、及び積層物

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