JP2010056409A - 半導体ウェハ加工用接着フィルム - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 95
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 26
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 16
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 113
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 25
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 18
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 18
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 3
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- OWQPOVKKUWUEKE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzotriazine Chemical group N1=NN=CC2=CC=CC=C21 OWQPOVKKUWUEKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006225 ethylene-methyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- HDNHWROHHSBKJG-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;furan-2-ylmethanol Chemical compound O=C.OCC1=CC=CO1 HDNHWROHHSBKJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
【解決手段】基材フィルム、分離層、および接着剤層がこの順に積層された半導体ウェハ加工用接着フィルムであって、分離層と接着剤層の凝集力が分離層<接着剤層の関係である、半導体ウェハ加工用接着フィルム。
【選択図】図1
Description
この半導体ウェハ加工用接着フィルムでは、基材フィルム上に形成された分離層と接着剤層の凝集力の関係が分離層<接着剤層の関係にあるため、接着剤層を被着体に貼り付けて基材フィルムを剥ぎ取る際に分離層と接着剤層界面の界面はく離、及び/または分離層の凝集破壊、及び/または分離層と基材フィルム界面の界面はく離で分離が起こるため、基材フィルムを容易に引きはがせると共に、また被着体上に設計量通りの接着剤層を残すことができるという効果がある。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは分離層が少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、架橋反応を促進させるための化合物と、からなる樹脂組成物を含むことを特徴とする。
従って、接着樹脂層の組成との相溶性が良く、分離層が凝集破壊して接着剤層上に残った場合でも接着剤層の接着能力を阻害しないという効果がある。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記接着剤層が半導体チップと回路基板をフリップチップ接続した際の半導体回路表面から回路基板表面までの高さよりも厚く分離層上に形成されており、前記半導体ウェハ加工用接着フィルムを突出電極が形成された半導体ウェハにラミネートした際に突出電極上にも接着剤層が形成される程度に厚く形成されていることを特徴とする。
従って、半導体ウェハの突出電極形成面に半導体ウェハ加工用接着フィルムを貼り付けた際に、突出電極を埋め込んで平坦な状態とすることが出来るため、バックグラインドした際にウェハ裏面の研削ムラを発生させないという効果があり、さらに基材フィルムを引き剥がしてフリップチップ接続を行うにあたって、目的とする半導体装置の回路間を十分に充てんさせることができるという効果がある。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記接着剤層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする。
従って、フリップチップ接続時の加熱工程で十分に信頼性の高い硬化物を得ることが出来るという効果がある。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記分離層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする。
従って、基材フィルムを引き剥がした際に凝集破壊して接着剤層に残った分離層もフリップチップ接続時に硬化するという効果を持つ。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記分離層及び接着剤層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする。
従って、分離層と接着剤層が混ざったとしても十分に信頼性の高い硬化物を得ることができるという効果を持つ。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記分離層及び接着剤層を80℃10分加熱した後のDSCで測定した際の反応率が10%以下であることを特徴とする。
従って、半導体ウェハへの貼付工程で密着性を向上させるために加熱して貼り付けた場合であっても熱硬化性樹脂が十分な反応性を保持しており、保存安定性に優れ、バックグラインド工程、さらにダイシング工程後のフリップチップ接続工程において、接続性を維持し続けることができるという効果を持つ。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記分離層及び接着剤層の加熱硬化前の弾性率低下温度が40℃以上80℃未満であることを特徴とする。
従って、熱硬化性樹脂の反応が起きない80℃程度の貼付温度で十分に軟化するため、半導体ウェハの突出電極をボイドなく埋め込み、密着させることができる。
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは前記基材フィルムの軟化点温度が100℃以上であることを特徴とする。
従って、半導体ウェハへの貼付温度に対して基材フィルムの軟化点温度が十分に高いため、貼り付け時の熱によって基材フィルムが変形して平坦性が損なわれることが発生せず、バックグラインド工程での研削ムラの発生が抑制できる。
従って、半導体ウェハへの貼付時の温度で基材フィルムの伸び変形が発生しないため、貼付後の平坦性が確保でき、さらに、熱収縮が小さいため、バックグラインドで薄膜化したウェハの反りを抑制することが出来る。
まず、図1は基材フィルム上に分離層と接着剤樹脂層が積層された半導体ウェハ加工用接着フィルムの一部断面を拡大した状態を示す。図2は突出電極が表面に形成された半導体ウェハを準備し、半導体ウェハ加工用接着フィルムの接着剤層側を半導体ウェハに向け、貼り付ける準備をした状態を示す。図3は半導体ウェハに半導体加工用接着フィルムを貼り付けた状態を示す。貼付は例えばステージ及び押圧ロールに加熱機構が施されたラミネータもしく加熱機構と吸引機構と押圧ロール機構を備えたラミネータを用いて行うことができる。貼付後の接着剤層は突出電極を埋め込んでおり、さらに突出電極上にも接着剤層が残った状態で貼り付けられており、さらに基材フィルムは平坦に形成されている。また、半導体加工用接着フィルムの可視光透過率が10%以上であるため、貼付後にボイド等の残留有無を確認することが可能であり、バックグラインド前に良品・不良品の選別が可能である。図4はバックグラインド工程によって半導体ウェハが薄く研削された状態を示す。バックグラインドは一般的なバックグラインド装置を用いて行われる。図5は薄膜化された半導体ウェハから半導体加工用接着フィルムの基材フィルムを引き剥がすため、半導体ウェハの割れを防止しつつ半導体ウェハを分割する目的でダイシングテープに固定した状態を示す。ダイシングテープへの固定は一般的なダイシングテープ貼付装置で行われ、ダイシングフレームを支持枠として半導体ウェハが固定される。ダイシングテープは市販品のダイシングテープが使用される。図6は基材フィルムを引き剥がすための引き剥がし用粘着テープを基材フィルム裏面に貼り付けた状態を示す。図7は基材フィルム引き剥がしテープを引っ張り基材フィルムを引き剥がす際に分離層が凝集破壊し、一部は接着層表面に残り、一部は基材フィルム上に付いて剥がれた状態を示す。図6及び図7はバックグラインドテープ引き剥がし用の引き剥がし装置を用いて行われる。図8は半導体ウェハから個片化された半導体チップとこれに相対向する回路を有する回路基板を準備した状態を示す。この際、半導体チップ上の接着剤層は突出電極と回路電極で形成される半導体装置の隙間に対して十分な高さを備えている。なお、図8の個片化された半導体チップはダイシング装置を用いて行われる。ダイシング時には接着剤層を介して半導体ウェハ上の切断位置を確認する。さらに、個片化した半導体チップの相対向する回路を有する回路基板への位置合わせも接着剤層を介して半導体チップ上の位置あわせマークを認識して行われる。図9は半導体チップと回路基板を接着剤層を介して接続した半導体回路を示す。この接続はフリップチップ用の接続装置を用いて、加熱及び加圧によって行われ、加熱・加圧の工程で接着剤層及び分離層からの一部凝集破壊物はDSC測定で80%以上の反応率に達するため、信頼性の高い半導体装置を得ることが出来る。
分離層及び接着剤層は、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。
接着剤層の厚みは、接着剤層が半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。また、半導体ウェハの突出電極を埋め込んだ状態であっても突出電極高さよりも厚みが大きい接着剤層である。通常、接着剤層の厚みが、突出電極の高さと回路基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる。
C(%)=((A−B)/A)×100・・・(1)
(実施例1)
三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂NC7000(日本化薬株式会社製、商品名)15重量部、三次元架橋性樹脂と反応する硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂XLC−LL(三井化学株式会社製、商品名)15重量部、分子量100万以下、Tg40℃以下、かつ三次元架橋製樹脂と反応可能な官能基を側鎖に少なくとも1カ所含む共重合性樹脂としてエポキシ基含有アクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量30万)20重量部、マイクロカプセル型硬化剤としてHX−3941HP(旭化成株式会社製、商品名)50重量部及びシランカップリング剤SH6040(東レ・ダウコーニングシリコーン製、商品名)を用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、接着層用樹脂組成物のワニスを得た。一方、ワニスを計量した後、粉砕し、大粒径を除去するための5μmの分級処理を行った平均粒径1μmのコージェライト粒子(2MgO・2Al2O3・5SiO2、比重2.4、線膨張係数1.5×10−6/℃、屈折率1.57)100重量部を混ぜ、撹拌して分散した後、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を得た。得られたフィルムの一部をセパレータフィルムから掻き取り、DSC測定用のアルミ製サンプルパンに10mg量り取り、TAインスツルメンツ製示差熱型DSC測定装置で25℃〜300℃まで20℃/minで昇温測定を行い、加熱反応前の発熱量を計測した。次いで、接着剤層フィルムの一部をセパレータから掻き取り、DSC測定用のアルミ製サンプルパンに10mg量り取り、180℃に加熱したホットプレート上に20秒間放置し、SAS製実験台で急冷した。これを先と同様にDSC測定を行い、180℃20秒加熱後の発熱量を計測した。加熱反応前の発熱量と加熱後の発熱量から算出された反応率は90%であった。次いで、接着剤層のフィルムをラミネートして厚み500μmのサンプルを作製した。これをレオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製粘弾性測定装置ARESを用い、直径8mmの平行プレートに挟み込み25℃〜250℃まで10℃/minで昇温する過程での周波数10Hzでの粘度挙動を測定した。この結果、80℃での溶融粘度が2000Pa・sであった。
得られた半導体ウェハ加工用接着フィルムを基材フィルムで初期化を行った濁度計(日本電色株式会社製濁度計NDH2000)に挿入し、測定した結果、可視光並行透過率は30%であった。得られたフィルムの一部を基材フィルムから掻き取り、DSC測定用のアルミ製サンプルパンに10mg量り取り、TAインスツルメンツ製示差熱型DSC測定装置で25℃〜300℃まで20℃/minで昇温測定を行い、加熱反応前の発熱量を計測した。次いで、半導体ウェハ加工用接着フィルムの一部を基材フィルムから掻き取り、反応率を測定した結果90%であった。
次に半導体ウェハ加工用接着フィルムを表面が酸化膜の半導体ウェハに80℃でラミネートし、基材フィルムを引き剥がしたところ、分離層を凝集破壊して引き剥がすことが出来た。基材フィルムに残った樹脂の厚みをマイクロメータで計測した結果、最大3μmの厚みであった。
三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂NC7000(日本化薬株式会社製、商品名)30重量部、フェノキシ樹脂としてYP−50S(東都化成製、商品名)30重量部、マイクロカプセル型硬化剤としてHX−3941HP(旭化成株式会社製、商品名)40重量部及びシランカップリング剤SH6040(東レ・ダウコーニングシリコーン製、商品名)を用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、接着層用樹脂組成物のワニスを得た。一方、ワニスを計量した後、粉砕し、大粒径を除去するための5μmの分級処理を行った平均粒径1μmのコージェライト粒子(2MgO・2Al2O3・5SiO2、比重2.4、線膨張係数1.5×10−6/℃、屈折率1.57)60重量部を混ぜ、撹拌して分散した後、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を得た。得られたフィルムの一部をセパレータフィルムから掻き取り、DSC測定用のアルミ製サンプルパンに10mg量り取り、TAインスツルメンツ製示差熱型DSC測定装置で25℃〜300℃まで20℃/minで昇温測定を行い、加熱反応前の発熱量を計測した。次いで、接着剤層フィルムの一部をセパレータから掻き取り、DSC測定用のアルミ製サンプルパンに10mg量り取り、180℃に加熱したホットプレート上に20秒間放置し、SAS製実験台で急冷した。これを先と同様にDSC測定を行い、180℃20秒加熱後の発熱量を計測した。加熱反応前の発熱量と加熱後の発熱量から算出された反応率は90%であった。次いで、接着剤層のフィルムをラミネートして厚み500μmのサンプルを作製した。これをレオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製粘弾性測定装置ARESを用い、直径8mmの平行プレートに挟み込み25℃〜250℃まで10℃/minで昇温する過程での周波数10Hzでの粘度挙動を測定した。この結果、80℃での溶融粘度が5000Pa・sであった。
実施例1記載の接着剤層の組成で樹脂組成物とフィラーからなるワニスを作製した。このワニスを表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を得た。次いで、同じワニスを用いて基材フィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、厚み3μmのフィルムを得た。得られたフィルムをラミネータを用いて貼り合わせ、セパレータを引き剥がした。次いで、表面が酸化膜の半導体ウェハに80℃でラミネートし、基材フィルムを引き剥がしたところ、一部は凝集破壊で一部はウェハ界面で樹脂がはく離した。基材フィルム上に残った樹脂の厚みは最大53μmであった。
実施例2記載の接着剤層の組成で樹脂組成物とフィラーからなるワニスを作製した。このワニスを表面に離形処理が施されたセパレータフィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、セパレータ上に厚み50μmの接着剤層を得た。次いで、同じワニスを用いて基材フィルム(PETフィルム)上にロールコータを用いて塗布した後、70℃のオーブンで10分間乾燥させて、厚み3μmのフィルムを得た。得られたフィルムをラミネータを用いて貼り合わせ、セパレータを引き剥がした。次いで、表面が酸化膜の半導体ウェハに80℃でラミネートし、基材フィルムを引き剥がしたところ、一部は凝集破壊で一部はウェハ界面で樹脂がはく離した。基材フィルム上に残った樹脂の厚みは最大53μmであった。
Claims (10)
- 基材フィルム、分離層、および接着剤層がこの順に積層された半導体ウェハ加工用接着フィルムであって、分離層と接着剤層の凝集力が分離層<接着剤層の関係であることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 分離層が少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、架橋反応を促進させるための化合物と、からなる樹脂組成物を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 接着剤層が少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、架橋反応を開始させるための化合物と、からなる樹脂組成物と、フィラーを含むことを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 接着剤層が半導体チップと回路基板をフリップチップ接続した際の半導体回路表面から回路基板表面までの高さよりも厚く分離層上に形成されており、前記半導体ウェハ加工用接着フィルムを突出電極が形成された半導体ウェハにラミネートした際に突出電極上にも接着剤層が形成される程度に厚く形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 接着剤層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする請求項1ないし3いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 分離層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする請求項1ないし4いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 分離層及び接着剤層が180℃20秒で加熱した後のDSCで測定した際の反応率が80%以上であることを特徴とする請求項1ないし3いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 分離層及び接着剤層を80℃10分加熱した後のDSCで測定した際の反応率が10%以下であることを特徴とする請求項1ないし6いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 接着剤層の加熱硬化前の50℃以上90℃未満での粘度が100000Pa・sよりも小さいことを特徴とする請求項1ないし7いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 基材フィルムの軟化点温度が120℃以上であることを特徴とする請求項1ないし8いずれかに記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008221718A JP5224111B2 (ja) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 半導体ウェハ加工用接着フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008221718A JP5224111B2 (ja) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 半導体ウェハ加工用接着フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056409A true JP2010056409A (ja) | 2010-03-11 |
JP5224111B2 JP5224111B2 (ja) | 2013-07-03 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5224111B2 (ja) |
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