JP2011171712A - 半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体ウエハ加工用接着テープを効率よく半導体ウエハに貼り付けることができる半導体ウエハ加工用接着テープを提供すること。
【解決手段】 基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。より詳しくは、本発明は、半導体ウエハのウエハ薄化加工（バックグラインド処理）時に適用される半導体ウエハ加工用テープとして半導体ウエハに供給され、さらに、半導体回路をフェイスダウンボンディング方式で回路基板に接続する際のアンダーフィルの機能を持つ回路部材接続用接着剤として適用される半導体ウエハ加工用接着テープ、この半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、この半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関するものである。

半導体ウエハ加工用接着テープは、半導体ウエハのウエハ薄化加工（バックグラインド処理）時に適用され、さらに、半導体回路をフェイスダウンボンディング方式で回路基板に接続する際のアンダーフィルの機能を持つ回路部材接続用接着剤として適用される。

従来、このような技術の分野として、下記特許文献１に記載の半導体装置の製造方法が知られている。特許文献１記載の製造方法では、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層を有してなるウエハ加工用テープが用いられている。そして、この加工用テープが半導体ウエハの突出電極が形成された面に張り合わされた状態で、半導体ウエハのバックグラインド処理が行われる。更に、この半導体ウエハは接着剤層付きのチップに個片化され、この接着剤層を介して実装することによって半導体装置を作製することが出来る。

特開２００６−４９４８２号公報

半導体ウエハのバックグラインド処理にあたって、先ず半導体ウエハ加工用接着テープを半導体ウエハに、エアボイド等の欠陥の咬み込み無く貼り付ける必要がある。その貼り付け方法としては、既に半導体ウエハサイズに切り取られた半導体ウエハ加工用接着テープを貼る方法や、半導体ウエハよりも大きなサイズに切り取られた半導体ウエハ加工用接着テープを半導体ウエハに貼り付けた後、該ウエハサイズに半導体ウエハ加工用接着テープを切り取る方法がある。

しかし、これらの方法は、半導体ウエハに、前もって切り出した半導体ウエハ加工用接着テープを一枚一枚個別に貼り付けるため、作業の効率が著しく低下する。

また、ウエハへの貼り合わせの際には半導体ウエハ加工用接着テープがウエハ回路面の凹凸に追従し、エアボイドの咬み込み無く接着剤層とウエハの界面を密着させなければならない。このためには、半導体ウエハ加工用接着テープをピンと引っ張った状態で半導体ウエハに貼り付ける必要があるが、前もって切り出した半導体ウエハ加工用接着テープを半導体ウエハに貼る場合、引っ張るためのミミの部分を大きくする必要があり、該ウエハサイズに半導体ウエハ加工用接着テープを切り取ったあと廃棄処理する部分が大きくなり無駄が生じるという課題があった。

本発明は、上記問題を解決し、半導体ウエハ加工用接着テープを効率よく半導体ウエハに貼り付けることができる半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、その半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法、及び、半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープは、基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープである。この半導体ウエハ加工用接着テープは、半導体ウエハ加工用接着テープを巻き出し、半導体ウエハに貼り付け、該ウエハサイズに半導体ウエハ加工用接着テープを切り取り、切り取った半導体ウエハ加工用接着テープを連続的に巻き取る、一連の工程によって半導体ウエハ上に半導体ウエハ加工用接着テープをロールｔｏロールで形成できる半導体ウエハ加工用接着テープであることを特徴とする。上記半導体ウエハ加工用接着テープは、その幅が該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きくなっていることにより、上記一連の工程による貼り付け作業をロールｔｏロールで効率よく行うことができる。

また、本発明の半導体ウエハ加工用接着テープは、上記基材フィルムと上記接着剤層との間に配置された分離層を備えることが好ましい。分離層を備えることにより、半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付けた半導体ウエハからの基材フィルムの剥離が容易となる。

また、半導体ウエハ加工用接着テープを半導体ウエハに貼り付ける作業を効率よく行うためには、連続的に半導体ウエハ加工用接着テープを巻き出し、半導体ウエハに貼り付け、該ウエハサイズに半導体ウエハ加工用接着テープを切り取り、切り取ったあとの半導体ウエハ加工用接着テープを連続的に巻き取る、一連の工程によって半導体ウエハ上に半導体ウエハ加工用接着テープを形成する方法が有効である。

すなわち、本発明の半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法は、上記本発明の半導体ウエハ加工用接着テープを巻き出す工程と、半導体ウエハに、該半導体ウエハの幅に対して上記半導体ウエハ加工用接着テープの幅が片側あたり３ｍｍ以上大きくなるように、上記半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける工程と、上記半導体ウエハのサイズに上記半導体ウエハ加工用接着テープを切り取る工程と、切り取ったあとの上記半導体ウエハ加工用接着テープを連続的に巻き取りロールに巻き取る工程と、を含む一連の工程によって、半導体ウエハ上に上記半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法である。かかる製造方法により、半導体ウエハへの半導体ウエハ加工用接着テープの貼り付け作業を連続的に行うことができ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハを効率よく製造することができる。

また、本発明は、上記本発明の製造方法により製造された半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハをバックグラインド処理する工程と、上記半導体ウエハ加工用接着テープの少なくとも上記接着剤層が半導体ウエハに貼り付いた状態となるように、少なくとも上記基材フィルムを上記接着剤層から剥離し、接着剤層付き半導体ウエハを得る工程と、上記接着剤層付き半導体ウエハを用いて半導体装置を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法を提供するものである。

ここで、上記半導体ウエハ加工用接着テープが、上記基材フィルムと上記接着剤層との間に配置された分離層を備えるものである場合、上記基材フィルムを上記接着剤層から剥離する際に、上記基材フィルムのみを上記分離層から剥離する、又は、上記分離層の少なくとも一部とともに上記基材フィルムを上記接着剤層から剥離することができる。

更に、本発明は、上記製造方法により製造された半導体装置を提供するものである。

本発明によれば、半導体ウエハ加工用接着テープを効率よく半導体ウエハに貼り付けることができる半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、その半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法、及び、半導体装置を提供することができる。

基材フィルム上に回路部材接続用接着剤層が形成された半導体ウエハ加工用接着テープの一部分を拡大した状態を示す模式断面図である。 突出電極が表面に形成された半導体ウエハを準備し、半導体ウエハ加工用接着テープの接着剤層側を半導体ウエハに向け、貼り付ける準備をした状態を示す模式断面図である。 半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付けた状態を示す模式断面図である。 半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付けた後、半導体ウエハのサイズに半導体ウエハ加工用接着テープを切り取り、切り取ったあとの半導体ウエハ加工用接着テープを巻き取りロールに巻き取る一連の工程図である。 バックグラインド工程によって半導体ウエハが薄く研削された状態を示す模式断面図である。 薄膜化された半導体ウエハから半導体ウエハ加工用接着テープの基材フィルムを引き剥がすためにダイシングテープに固定した状態を示す模式断面図である。 基材フィルムを引き剥がすための引き剥がし用粘着テープを基材フィルム裏面に貼り付けた状態を示す模式断面図である。 半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハから基材フィルムを引き剥がした状態を示す模式断面図である。 半導体ウエハから個片化された半導体チップとこれに相対向する回路を有する回路基板を準備した状態を示す模式断面図である。 半導体チップと回路基板とを、接着剤層を介して接続した半導体装置を示す模式断面図である。

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープは、基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層（場合により、単に「接着剤層」と言う）を有してなるものである。まず、図１は基材フィルム上に回路部材接続用接着剤層が形成された半導体ウエハ加工用接着テープの一部分を拡大した状態を示す。図１に示す半導体ウエハ加工用接着テープ１０は、基材フィルム１と、基材フィルム１上に形成された分離層２と、分離層２上に形成された接着剤層３とを有する。図２は、突出電極５が表面に形成された半導体ウエハ４を準備し、半導体ウエハ加工用接着テープ１０の接着剤層３側を半導体ウエハ４に向け、貼り付ける準備をした状態を示す。

図３は、半導体ウエハ４に半導体ウエハ加工用接着テープ１０を貼り付けた状態を示す。貼り付けは、図４のように、例えばステージ及び押圧ロールに加熱機構が施されたラミネータもしくは加熱機構と吸引機構と押圧ロール機構を備えたラミネータを用いて行うことができる。この貼り付け工程は、例えば図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ラミネートローラ１２を用いて半導体ウエハ４に半導体ウエハ加工用接着テープ１０を貼り付けた後、半導体ウエハ４のサイズに半導体ウエハ加工用接着テープ１０を切り取り、切り取ったあとの切り取り部１４を有する半導体ウエハ加工用接着テープ１０を巻き取りロール１１に巻き取ることで行われる。この貼り付け工程において、半導体ウエハ加工用接着テープ１０の幅を半導体ウエハ４の外形よりも大きくすることによって、半導体ウエハ４に貼り付けた後に該半導体ウエハ４のサイズに切り取った後も半導体ウエハ加工用接着テープ１０の端部はつながっており、半導体ウエハ加工用接着テープ１０を連続して巻き取りながら作業を行うことが出来る。従って、貼り付け時にテンションをかけやすく、シワや折れのない貼付を容易に行うことが可能である。この貼り付け作業後の接着剤層３は、突出電極５を埋め込んでおり、さらに突出電極５上にも接着剤層３が残った状態で貼り付けられている。そのため、基材フィルム１は平坦に形成することが出来る。

図５はバックグラインド工程によって半導体ウエハ４が薄く研削された状態を示す。バックグラインドは一般的なバックグラインド装置を用いて行われる。図６は、薄膜化された半導体ウエハ４から半導体ウエハ加工用接着テープ１０の基材フィルム１を引き剥がすため、及び、半導体ウエハ４の割れを防止しつつ半導体ウエハ４を分割する目的で、半導体ウエハ４をダイシングテープ６に固定した状態を示す。ダイシングテープ６への固定は一般的なダイシングテープ貼付装置で行われ、ダイシングフレームを支持枠として半導体ウエハ４が固定される。ダイシングテープ６は市販品のダイシングテープが使用される。図７は基材フィルム１を引き剥がすための引き剥がし用粘着テープ７を基材フィルム１の裏面に貼り付けた状態を示す。図８は基材フィルム１を引き剥がした状態を示す。図７及び図８はバックグラインドテープ引き剥がし用の引き剥がし装置を用いて行われる。

図９は半導体ウエハ４から個片化された半導体チップ２０とこれに相対向する回路電極３２を有する回路基板３０を準備した状態を示す。この際、半導体チップ２０上の接着剤層３は、突出電極５と回路電極３２で形成される半導体装置の隙間に対して十分な高さを備えている。なお、図９の個片化された半導体チップ２０は、ダイシング装置を用いて半導体ウエハ４をダイシングすることにより得られる。ダイシング時には接着剤層３を介して半導体ウエハ４上の切断位置を確認する。さらに、個片化した半導体チップ２０の相対向する回路電極３２を有する回路基板３０への位置合わせも、接着剤層３を介して半導体チップ２０上の位置あわせマークを認識して行われる。図１０は半導体チップ２０と回路基板３０を、接着剤層３を介して接続した半導体装置（半導体回路）１００を示す。この接続はフリップチップ用の接続装置を用いて、加熱及び加圧によって行われる。半導体装置１００において、半導体チップ２０と回路基板３０とは、接着剤層と分離層の硬化物４０により接続されている。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープの幅は、半導体ウエハの幅（直径）よりも大きく、半導体ウエハに貼り付けて該半導体ウエハのサイズに切断した後、テープの両端が何れも切れることなくつながっている幅であれば良い。そのため、貼り付け時のウエハ位置精度や基材フィルムの強度等を考慮すると、半導体ウエハ加工用接着テープの幅は、半導体ウエハの直径に対して片側あたり３ｍｍ以上大きいことが必要である。これにより、半導体ウエハに貼り付けて切断した後の半導体ウエハ加工用接着テープは、切り取り部の両側に、片側あたり３ｍｍ以上の幅のテープが残る。そのため、切り取ったあとの半導体ウエハ加工用接着テープは、切れることなく連続的に巻き取りロールに巻き取ることができ、且つ、半導体ウエハ加工用接着テープにテンションをかけた状態で半導体ウエハへの貼り付けを行うことができるため、効率よく安定した貼り付け作業を行うことができる。更に、８インチ以上の半導体ウエハを用いる場合、半導体ウエハ加工用接着テープの幅は、半導体ウエハの直径に対して片側あたり５ｍｍ以上大きな幅であればより安定した貼り付け作業が可能である。また、半導体ウエハ加工用接着テープの幅の上限には特に規制はないが、テープの無駄や作業スペース等の関係から、半導体ウエハの直径に対して片側あたり３０ｍｍ以下にすることが望ましい。本発明の半導体ウエハ加工用接着テープは、上述したテープ幅でロール状に巻かれたものであり、例えば、巻芯上にロール状に巻きつけられたものである。

上述の基材フィルムの構成材料として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマ、およびこれらの混合物を列挙することができる。これらの中でも、優れた強度が得られることから、基材フィルムの構成材料は、ポリエチレンテレフタレートであることが特に好ましい。

接着剤層は、接着剤層を形成する回路接続用接着剤を基材フィルム上に塗布した後に乾燥することによって形成することも可能であり、また、塗工面を離形処理したＰＥＴ基材等の塗工用フィルム基材に回路接続用接着剤を塗布し乾燥したのち、ラミネートによって基材フィルム（分離層を備える場合は分離層）に貼り合わせ、塗工用フィルム基材をはく離することによって形成することもできる。

接着剤層は、バックグラインド工程においてウエハの平坦性を保持させる必要があるため、常温において固体である。接着剤層はウエハの突出電極が形成された面へ押圧によって貼り合わされ、バックグラインド工程中のウエハの保持、ダイシング工程中での回路面保護、フリップチップボンディングにおける回路チップと回路基板との接着および接続を行う。接着剤層は、ウエハへの貼り合わせの際にはウエハ回路面の凹凸に追従し、エアボイドの咬み込み無く接着剤層とウエハとの界面を密着させなければならない。このため、貼り合わせ時は粘度が低下してウエハ回路面の形状への追従性を向上させなければならない。貼り合わせの温度としては接着剤層中の熱硬化性樹脂の反応が開始しない温度よりも低いことが望ましく、常温よりも高いことが望ましい。また、接着剤層の熱収縮によってウエハに反りを発生させることを防止する観点から、低い温度での貼り付けが望ましい。望ましい貼り付け温度は、３０℃〜９０℃である。接着剤層は貼り付け温度で粘度が低下し、この貼り付け時の粘度としては１００００Ｐａ・ｓ以下が望ましい。

次に、接着剤層はバックグラインド工程中にウエハを保持させるため、高弾性化しなければならない。接着剤層は、室温状態では１ＧＰａ以上の弾性率であることが好ましい。次いでダイシング工程においてはブレードによる分割またはステルスダイシング後の分断時にウエハ表面から剥がれることなく、密着していなければならない。また、フィルムの伸び発生によるバリの抑制や、分断時にウエハに追従して分断されなければならず、高弾性化でなければならない。この観点からも、接着剤層の室温状態の弾性率は１ＧＰａ以上であることが好ましい。

高弾性化、バリの抑制、分断性の向上のため、接着剤層にはフィラーが含まれることが望ましい。ダイシング工程で半導体ウエハのスクライブラインの認識、もしくはフリップチップ接続工程でチップ回路面に形成された位置あわせパターンを接着剤層を透過して観察できなければならず、このため、フィラーと接着剤層との屈折率が近似の値であることが好ましい。

接着剤層は、少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、架橋反応を開始させるための化合物と、からなる樹脂組成物と、この樹脂組成物との屈折率差が±０．０６の範囲のフィラーと、を含むことが好ましい。

熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。高分子量成分は、室温では固体であり、接着剤層のフィルム形成性を向上させると共に、加熱によって軟化する。架橋反応を開始させるための開始剤は、固体もしくは液状であり、架橋反応を起こすための加熱時に熱硬化性樹脂と反応する又は熱硬化性樹脂の反応を促進する一方、室温から貼付温度までの作業温度では反応しない、もしくは反応速度が遅く、フリップチップ接続時の接着性が十分に発現される程度まで反応性を保持した状態を維持させることができる。フィラーは樹脂組成物の未硬化時の凝集力を高くすると共に、硬化後の線膨張係数を低減させる。

基材フィルムと接着剤層との密着性及びはく離特性を制御するために、基材フィルムと接着剤層との間には粘着剤層または分離層を設けることも可能である。なお、図１では半導体ウエハ加工用接着テープが分離層を備える場合を示したが、分離層を有していなくてもよく、分離層に代えて粘着剤層を有していてもよい。

粘着剤層は、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、２−エチルヘキシルアクリレート等の低Ｔｇモノマーを主モノマーとし、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーと共重合することで得られたアクリル共重合体を、イソシアネート系、メラミン系、エポキシ系等の架橋剤にて架橋することにより得ることができる。また、粘着剤層の厚みは、３μｍ〜２０μｍであることが好ましい。

分離層は、基材フィルム上に形成された分離層と接着剤層との凝集力の関係が、分離層＜接着剤層（分離層の凝集力より接着剤層の凝集力の方が大きい）の関係にある。基材フィルムと接着剤層との間に分離層を有することで、接着剤層を被着体に貼り付けて基材フィルムを剥ぎ取る際に、分離層と接着剤層界面での界面はく離、分離層の凝集破壊、及び、分離層と基材フィルム界面での界面はく離の１種以上が生じることで分離が起こるため、基材フィルムを容易に引きはがせると共に、また被着体上に設計量通りの接着剤層を残すことができるという効果がある。

分離層は、例えば、基材フィルムに分離層用樹脂組成物を塗布した後に乾燥することによって形成することが可能である。また、分離層は、塗工面を離形処理したＰＥＴ基材等の塗工用フィルム基材に分離層用樹脂組成物を塗布し乾燥したのち、ラミネートによって基材フィルムに転写して形成することも可能である。更に、分離層は、塗工面を離形処理したＰＥＴ基材等の塗工用フィルム基材に回路接続用接着剤を塗布し乾燥して上記接着剤層を形成したのち、接着剤層上に分離層用樹脂組成物を塗布し乾燥させて、この後、基材フィルムに分離層側が基材フィルムに接するようにラミネートし、離形処理したＰＥＴ基材をはく離することによって形成することも可能である。

分離層は、常温において固体である。分離層は、少なくとも熱硬化性樹脂と、高分子量成分と、架橋反応を開始させるための化合物と、からなる樹脂組成物を含むことが好ましい。

熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。高分子量成分は室温では固体であり、分離層のフィルム形成性を向上させると共に、加熱によって軟化する。架橋反応を開始させるための開始剤は固体もしくは液状であり、架橋反応を起こすための加熱時に熱硬化性樹脂と反応する又は熱硬化性樹脂の反応を促進する一方、室温から貼付温度までの作業温度では反応しない、もしくは反応速度が遅く、フリップチップ接続時の接着性が十分に発現される程度まで反応性を保持した状態を維持させることができる。

分離層はバックグラインド工程後に基材フィルムを引き剥がす工程で、分離層と基材フィルム間での界面はく離、分離層の凝集破壊、及び分離層と接着剤層間での界面はく離のいずれか単独もしくは混合の破壊モードで引き剥がされることによって、接着剤層がウエハから剥がれることなく基材フィルムを引き剥がすことが出来る。分離層の破壊を伴って基材フィルムが接着剤層から引き剥がされた後、接着剤層を透過してウエハ回路面のスクライブラインまたはアライメントマークを認識させる必要があり、分離層が厚すぎる場合には、破壊後の凹凸が乱反射の原因となって認識性が低下するため、好ましくない。一方、分離層が薄すぎる場合の不具合は特に無いものの、均一な塗工状態を確保するために、分離層の厚みは１μｍ〜５μｍであることが好ましく、１μｍ〜３μｍであることがさらに好ましい。

分離層と接着剤層との凝集力は、分離層＜接着剤層の関係である。分離層の凝集力が接着剤層の凝集力以上である場合、基材フィルムを引き剥がす際に接着剤層の凝集破壊を伴う危険性があるため、好ましくない。分離層と接着剤層の凝集力差は、例えば配合成分の量、種類を変更することによって調整することができ、それによって凝集力の関係を分離層＜接着剤層とすることが出来る。例えば、高分子量成分の分子量を分離層＜接着剤層とすること、樹脂組成物中に含ませる液状成分の量を分離層＞接着剤層とすること、接着剤層にフィラーを含有させること、等によって、凝集力の関係を分離層＜接着剤層とすることが出来る。分離層と接着剤層の凝集力が分離層＝接着剤層である場合、および分離層＞接着剤層である場合、基材フィルムを引き剥がす際に接着剤層の分離層側からの一部もしくは厚み方向全体が抜き取られてしまい、フリップチップ接続した際の樹脂充てんが不十分になり、半導体装置の信頼性が損なわれるため、好ましくない。

分離層と接着剤層に凝集力の差を設けるための設計時の測定手法として、分離層および接着剤層の凝集力比較は、分離層を形成させるための樹脂組成物と、接着剤層を形成させるための組成物のそれぞれを離形処理が施された塗工用フィルム基材に塗布した後乾燥し、それぞれ単独の層で形成したフィルムを作製後、テンシロンなどの引っ張り試験機で引っ張り測定を行うことで凝集力を比較することが出来る。また、分離層を形成させるための樹脂組成物と、接着剤層を形成させるための組成物のそれぞれを離形処理が施された塗工用フィルム基材に塗布した後乾燥し、作製したフィルムについて粘弾性測定装置を用い、引っ張りモードで周波数を加えて室温の弾性率を測定することによっても比較することができる。周波数は相対評価のため、比較対象間で同一であれば良く、任意の周波数を選択することが出来る。または、上記作製したフィルムについてずり粘弾性測定装置を用い、ずりモードで周波数を加えて室温の弾性率を測定することによっても比較することができる。周波数は相対評価のため、比較対象間で同一であれば良く、任意の周波数を選択することが出来る。また、基材フィルム上に分離層、接着剤層の順に積層して積層体とした後、接着剤層を半導体ウエハに貼り付け、基材フィルムを引き剥がすこと、または接着剤層を両面テープで適当な基材表面に固定した後、基材フィルムを引き剥がす。引き剥がした後、基材フィルム上に残った樹脂の厚みをマイクロメータ等の厚みを計測する装置で計測し、基材フィルムに塗布した際の分離層の厚みと同等もしくはこれ以下であれば凝集力の関係が分離層＜接着剤層であり、基材フィルム上に残った樹脂の厚みが当初の分離層の厚みよりも厚くなった場合は凝集力の関係が分離層＝接着剤層、または分離層＞接着剤層であると判定することが出来る。

上記分離層及び接着剤層に使用される熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。分離層と接着剤層に使用される熱硬化性樹脂は同種であっても、別種であっても構わないが、好ましくは反応機構、保存性、反応温度が同種の熱硬化性樹脂であることが好ましい。

高分子量成分としては、室温で固体状態であり、加熱によって軟化するポリマーであって、重量平均分子量で１万以上のポリマーであることが好ましい。このような高分子量成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレンブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。また、これらの高分子量成分は、熱硬化性樹脂と反応する官能基を側鎖もしくは末端に有することもできる。このような官能基としては、エポキシ基、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミノ基等が挙げられる。これらの官能基は反応時に解裂する保護基や立体障害で反応性を抑制したキャッピングが施されていても良い。

架橋反応を開始させるための化合物としては、熱硬化性樹脂の高反応性と保存安定性を両立させるための潜在性を有する化合物であることが好ましい。潜在性は、例えばマイクロカプセルによる保護、分解温度と保存温度の差を広げること、融点を有し保存時は固体で反応時に融解することにより反応性を発現するものであって保存温度と融解温度の差を広げること、反応温度で解裂する保護基を導入し保存時は安定とする、等の方法によって発現することが出来る。マイクロカプセル型硬化剤は、例えば、硬化剤を核としてポリウレタン、ポリスチレン、ゼラチン及びポリイソシアネート等の高分子物質や、ケイ酸カルシウム、ゼオライトなどの無機物、及びニッケルや銅などの金属薄膜などの被膜により実質的に覆われており、平均粒径が１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下のものである。上述の架橋反応を開始させるための化合物は、熱硬化性樹脂の反応機構に最適な化合物を選択することが出来る。例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、重合促進にイミダゾールやアミン系の化合物を選択することが出来る。付加反応で架橋が進行する場合にはトリフェニルフォスフィンやＤＢＵ等の重合触媒を使用することができる。

この他にも、分離層及び接着剤層に使用される樹脂組成物は、三次元架橋性樹脂と反応する成分としてフェノール系、イミダゾール系、ヒドラジド系、チオール系、ベンゾオキサジン、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド、有機過酸化物系の化合物を含んでも良い。また、これらの硬化剤の可使時間を長くするためポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化してもよい。

フィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。接着剤層にフィラーを添加することによって凝集力を向上させられるため、分離層との凝集力差を設けることが容易となる。フィラーの屈折率は樹脂組成物の屈折率との差が±０．１以内であることが好ましく、更に好ましくは±０．０６以内である。屈折率差が大きい場合、フィラーの配合によって接着剤層の透過率が低下し、半導体ウエハに貼り付けた際の認識作業が行えなくなるため、好ましくない。また、フィラーによって接着剤層硬化後の線膨張係数を小さくすることが出来る。線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウエハから製造された半導体チップが回路基板に搭載された後も、突出電極と回路基板の配線（回路電極）との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと回路基板とを接続することによって製造される半導体装置の信頼性を向上させることができる。

樹脂組成物の屈折率はアッベ屈折計を用い、ナトリウムＤ線（５８９ｎｍ）を光源として測定することができる。

フィラーの屈折率は光学顕微鏡と屈折率既知の屈折率試薬を使用し、ベッケ法で測定することが出来る。

本発明に用いられるフィラーは平均粒径が１５μｍ以下かつ最大粒径が４０μｍ以下のものが好ましく、より好ましくは平均粒径５μｍ以下さらに好ましくは平均粒径３μｍ以下であり、最も好ましくは平均粒径３μｍ以下かつ最大粒径２０μｍ以下の粒子である。平均粒径が１５μｍより大きい場合はチップのバンプ及び回路基板の電極間にフィラーがかみこみ、特に低圧で実装する場合やバンプの材質がニッケル等の硬質である場合には埋め込まれなくなるため、電気的接続の妨げとなって好ましくない。また、最大粒径が４０μｍを超える場合はチップと基板のギャップよりもフィラーが大きくなる可能性が発生し、実装時の加圧でチップの回路又は基板の回路を傷つける原因となるため、好ましくない。

また、本発明に用いるフィラーは比重が５以下のものが好ましく、比重２〜５のものがより好ましく、さらに好ましくは比重２〜３．５のものである。比重が２未満のフィラーに関しては特に好ましくない理由はないが、比重が５より大きい場合は樹脂組成物のワニスに添加した場合、比重差が大きいことによってワニス中での沈降が発生する原因となり、フィラーが均一に分散した回路部材接続用接着剤が得られなくなるため、好ましくない。

上述のフィラーとしては、化学組成が単一の化合物として表されるものであっても、複数の組成からなる化合物として表されるフィラーであっても良い。単一の化合物として表されるフィラーの例としては、シリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア等の酸化物フィラー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物フィラー、硫酸バリウム、硫酸ナトリウム等の硫酸化物フィラー等が挙げられる。複数の組成からなる化合物として表されるフィラーの例としては、亜鉛、アルミニウム、アンチモン、イッテルビウム、イットリウム、インジウム、エルビウム、オスミウム、カドミウム、カルシウム、カリウム、銀、クロム、コバルト、サマリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、錫、セリウム、タングステン、ストロンチウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ナトリウム、ニオブ、ニッケル、バナジウム、ハフニウム、パラジウム、バリウム、ビスマス、プラセオジム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ユウロピウム、ランタン、リン、ルテチウム、ルテニウム、ロジウム、ボロン等の金属元素を含む酸化物が挙げられる。これらは混合して用いることも出来る。複合酸化物は２種類以上の金属を原料として含み、原料金属が単独で酸化物となったときの構造とは異なる構造を有する化合物であることが好ましい。特に好ましくはアルミニウム、マグネシウムまたはチタンから選ばれる少なくとも１種類の金属元素と、他の元素の２種類以上を原料に含む酸化物の化合物からなる複合酸化物粒子である。このような複合酸化物としてはホウ酸アルミニウム、コージェライト、フォルスライト、ムライト、などが挙げられる。

複合酸化物粒子の線膨張係数は、０℃以上７００℃以下の温度範囲で７×１０^−６／℃以下であることが好ましく、さらに好ましくは３×１０^−６／℃以下である。熱膨張係数が大きい場合は回路部材接続用接着剤の熱膨張係数を下げるために複合酸化物粒子を多量に添加する必要が発生するため、好ましくない。

分離層及び接着剤層は、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。

接着剤層には導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極の高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、接着剤層を異方導電性の接着剤層とすることができる。

接着剤層の厚みは、接着剤層が半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。また、接着剤層は、半導体ウエハの突出電極を埋め込んだ状態であっても突出電極の高さよりも厚みが大きいものである。通常、接着剤層の厚みが、突出電極の高さと回路基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープが適用される半導体ウエハは、表面としては、バックグラインドダイシングの工程の後に半導体チップを得ることが出来るものである。半導体チップは突出した接続端子（突出電極）を有している。半導体チップの突出した接続端子は、金ワイヤを用いて形成される金スタッドバンプ、金属ボールを半導体チップの電極に熱圧着や超音波併用熱圧着機によって固定したもの、及びめっきや蒸着によって形成されたものでもよい。突出した接続端子は単一の金属で構成されている必要はなく、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス等、複数の金属成分を含んでいてもよいし、これらの金属層が積層された形をしていてもよい。また、突出した接続端子を有する半導体チップは、突出した接続端子を有する半導体ウエハの状態でも構わない。

半導体チップの突出した接続端子と配線パターンの形成された基板とを相対向して配置するために、半導体チップと回路基板は位置あわせが行われる。位置あわせのため、半導体チップは突出した接続端子と同一面に位置合わせマークを有することができる。配線パターンの形成された回路基板は通常の回路基板でもよく、また半導体チップでもよい。回路基板の場合、配線パターンは、エポキシ樹脂やベンゾトリアジン骨格を有する樹脂をガラスクロスや不織布に含浸して形成した基板、ビルドアップ層を有する基板、ポリイミド、ガラス、セラミックスなどの絶縁基板表面に形成された銅などの金属層の不要な部分をエッチング除去して形成することもでき、絶縁基板表面にめっきによって形成することもでき、また蒸着などによって形成することも出来る。また、配線パターンは単一の金属で形成されている必要はなく、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス等複数の金属成分を含んでいてもよいし、これらの金属層が積層された形をしていてもよい。また、基板が半導体チップの場合、配線パターンは通常アルミニウムで構成されているが、その表面に、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマスなどの金属層を形成してもよい。

半導体ウエハのバックグラインドは、半導体ウエハの回路面に本発明の半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付けた後、市販のバックグラインディング装置を用いて行われる。

半導体ウエハのダイシングは市販のダイシング装置で行われる。これは、ブレードによる切断であっても良く、レーザ加工での分割でも構わない。ダイシングテープは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成された粘着層とを有している。基材フィルムに粘着層が塗布されたダイシングテープとしては、市販のダイシングテープを適用することが出来る。

半導体チップと回路基板との位置あわせは、半導体チップの回路面に貼りついた半導体ウエハ加工用接着テープの接着剤層を透過してチップの回路面に形成された位置合わせマークを識別することによって行うことが好ましい。位置合わせマークは通常のフリップチップボンダーに搭載されたチップ認識用の装置で識別することが出来る。この認識装置は通常ハロゲンランプを有するハロゲン光源、ライトガイド、照射装置、ＣＣＤカメラから構成される。ＣＣＤカメラで取り込んだ画像は画像処理装置によってあらかじめ登録された位置合わせ用の画像パターンとの整合性が判断され、位置合わせ作業が行われる。

可視光並行透過率は、日本電色株式会社製濁度計ＮＤＨ２０００を用い、積分球式光電光度法で測定することが出来る。例えば、膜厚５０μｍの帝人デュポン製ＰＥＴフィルム（ピューレックス、全光線透過率９０．４５、ヘイズ４．４７）を基準物質として校正した後、ＰＥＴ基材に２５μｍ厚で回路接続用接着剤を塗工し、これを測定する。また、他の基材に回路接続用接着剤を塗工した場合には、これをＰＥＴ基材に転写して同様に測定する。測定結果からは濁度、全光線透過率、拡散透過率及び並行透過率を求めることが出来る。

可視光並行透過率は、日立製Ｕ−３３１０形分光光度計で測定することも出来る。例えば、膜厚５０μｍの帝人デュポン製ＰＥＴフィルム（ピューレックス、５５５ｎｍ透過率８６．０３％）を基準物質としてベースライン補正測定を行った後、ＰＥＴ基材に２５μｍ厚で回路接続用接着剤を塗工もしくは他の基材から転写し、４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光領域の透過率を測定する。フリップチップボンダーで使用されるハロゲン光源とライトガイドの波長相対強度において５５０ｎｍ〜６００ｎｍが最も強いことから、本発明においては５５５ｎｍの透過率をもって可視光並行透過率の比較を行うことが出来る。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープの接着剤層と分離層の一部が使用されて、半導体チップと回路基板が接続される際、加熱加圧によって接着剤層と分離層の一部は硬化する。このときの硬化反応率が低い場合には加熱後の接続が保持されなくなるため、好ましくない。硬化反応率は８０％以上となることが望ましい。１８０℃２０秒加熱を行った際、硬化反応率が８０％以上になるような接着剤であれば、通常の加熱加圧による接続条件の範囲では接続後の電気的接続が保持できる硬化状態を得ることができるため、１８０℃２０秒での反応率を持って材料の反応性の良否を判定することが出来る。硬化時には、硬化反応率が９０％以上になるように加熱処理することがより好ましい。

熱硬化性樹脂の反応率は、ＤＳＣ（示差走査熱分析）による測定方法を用いて測定することができる。ＤＳＣは測定温度範囲内で、発熱、吸熱のない標準試料との温度差を打ち消すように熱量を供給または除去するゼロ位法を測定原理とするものであり、測定装置が市販されており、全自動で測定を行なうことができる。エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化反応は発熱反応であり、一定の昇温速度で試料を加熱していくと、試料が反応し反応熱が発生する。その発熱量をチャートに出力し、ベースラインを基準として発熱曲線とベースラインで囲まれた領域の面積を発熱量とする。測定は室温から硬化反応が完了する温度を充分カバーする範囲で行なう。例えば、エポキシ樹脂の場合、室温から２５０℃まで５〜２０℃／分の昇温速度で測定し、上記した発熱量を求める。熱硬化性樹脂の反応率は次のようにして求める。まず、未硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とする。次に、測定試料の発熱量を測定し、これをＢとする。測定試料の硬化度Ｃ（％）は下記式（Ｉ）で与えられる。
Ｃ（％）＝｛（Ａ−Ｂ）／Ａ｝×１００ （Ｉ）

また、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合には、可視レーザ励起のラマン分光計や近赤外レーザ励起のラマン分光計等で測定したエポキシ基のラマンスペクトルのピーク強度や面積強度を用いて反応硬化率を評価することもできる（例えば、特開２０００−１７８５２２号公報参照）。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープの分離層及び接着剤層は、８０℃１０分加熱した後のＤＳＣで測定した際の反応率が１０％以下であることが好ましい。さらに好ましくは反応率５％以下であり、より好ましくは反応率３％以下である。半導体ウエハへの貼り付け工程では突出電極への埋め込みと、ウエハへの密着強度を増加させるため、接着剤層を軟化させて貼り付ける必要があり、このため、接着剤層及び分離層の硬化反応が始まらない程度に加熱して貼り付ける。このための温度として８０℃程度の加熱で貼付作業が行われ、加熱された工程への滞留は長くても１０分である。このため、貼付後も未硬化状態を維持し、バックグラインド、ダイシング後の接続作業で高接続信頼性を維持するためには、８０℃１０分の加熱時に反応が進行しない必要がある。８０℃１０分後に反応率が１０％を超える場合には、分離層及び接着剤層の三次元架橋が進行してしまい、フリップチップ接続での信頼性が低下するため、好ましくない。

本発明の分離層及び接着剤層の加熱硬化前の５０℃以上９０℃未満での粘度は１０００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ〜１０００００Ｐａ・ｓの範囲であり、更に好ましくは３０００Ｐａ・ｓ〜５００００Ｐａ・ｓの範囲である。粘度が１０００００Ｐａ・ｓより大きい場合は半導体ウエハへの貼付が不十分となり、バックグラインド工程で、均等にバックグラインドが出来なくなるため好ましくない。粘度が１０００Ｐａ・ｓを下回る場合は貼付時に樹脂が流れきってしまい、目的の厚みを保持できなくなるため好ましくない。

加熱硬化前の分離層及び接着剤層の粘度は、市販の動的粘弾性測定装置を用いて測定することが可能であり、測定は全自動で行なわれる。所定の温度に加熱した恒温槽内で、試料を２枚の平行プレートにはさみ、片方のプレートに微小な正弦波状のひねり歪みを付加した時、他方のプレートに発生する応力と歪みから弾性率および粘度を算出する。一般に測定周波数は０．５〜１０Ｈｚであり、高分子材料は粘弾性体として挙動するため、弾性成分に由来する貯蔵弾性率Ｇ’と粘性成分に由来する損失弾性率Ｇ”が得られる。この二つの値から複素弾性率Ｇ^＊が下記式（ＩＩ）で与えられる。さらに粘度をη（Ｐａ・ｓ）、測定周波数をｆ（Ｈｚ）、複素弾性率Ｇ^＊（Ｐａ）とすると、粘度は下記式（ＩＩＩ）で与えられる。
複素弾性率Ｇ^＊＝｛（Ｇ’）^２＋（Ｇ”）^２｝^１／２ （ＩＩ）
粘度η＝Ｇ^＊／２πｆ （ＩＩＩ）

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（半導体ウエハ加工用接着テープの作製）
まず、半導体ウエハ加工用接着テープを以下の条件で作製した。三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂ＮＣ７０００（日本化薬株式会社製、商品名）１５質量部、三次元架橋性樹脂と反応する硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製、商品名）１５質量部、重量平均分子量１００万以下、Ｔｇ４０℃以下、かつ三次元架橋製樹脂と反応可能な官能基を側鎖に少なくとも１箇所含む共重合性樹脂としてエポキシ基含有アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量３０万）２０質量部、マイクロカプセル型硬化剤としてＨＸ−３９４１ＨＰ（旭化成株式会社製、商品名）５０質量部及びシランカップリング剤ＳＨ６０４０（東レ・ダウコーニングシリコーン製、商品名）を用い、それらをトルエンと酢酸エチルとの混合溶媒中に溶解し、接着剤層用樹脂組成物のワニスを得た。

一方、粉砕し大粒径を除去するための５μｍの分級処理を行った平均粒径１μｍのコージェライト粒子（２ＭｇＯ・２Ａｌ_２Ｏ_３・５ＳｉＯ_２、比重２．４、線膨張係数１．５×１０^−６／℃、屈折率１．５７）１００質量部を、上記接着剤層用樹脂組成物のワニスに混ぜ、撹拌して分散し、回路接続用接着剤を得た。この接着剤を、表面に離形処理が施されたセパレータフィルム（ＰＥＴフィルム）上にロールコータを用いて塗布した後、７０℃のオーブンで１０分間乾燥させて、セパレータフィルム上に厚み５０μｍの接着剤層を形成した。

一方、三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂ＮＣ７０００（日本化薬株式会社製、商品名）１５質量部、三次元架橋性樹脂と反応する硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製、商品名）１５質量部、重量平均分子量１００万以下、Ｔｇ４０℃以下、かつ三次元架橋製樹脂と反応可能な官能基を側鎖に少なくとも１箇所含む共重合性樹脂としてエポキシ基含有アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量３０万）１０質量部、マイクロカプセル型硬化剤としてＨＸ−３９４１ＨＰ（旭化成株式会社製、商品名）５０質量部及びシランカップリング剤ＳＨ６０４０（東レ・ダウコーニングシリコーン製、商品名）を用い、それらをトルエンと酢酸エチルとの混合溶媒中に溶解し、分離層用樹脂組成物のワニスを得た。

このワニスを、基材フィルム（ＰＥＴフィルム）上にロールコータを用いて塗布した後、７０℃のオーブンで１０分間乾燥させて、基材フィルム上に厚み３μｍの分離層を形成した。

接着剤層と分離層とをラミネータに通して貼り合わせ、接着剤層側のセパレータフィルム（離形処理ＰＥＴ）を引き剥がし、基材フィルム、分離層及び接着剤層がこの順に積層されてなる半導体ウエハ加工用接着テープを得た。

（実施例１）
上記半導体ウエハ加工用接着テープを幅２１０ｍｍで支管（巻芯）に巻き、支管上にロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープを作製した。この半導体ウエハ加工用接着テープを、ロールｔｏロールで、８０℃に加熱されたラミネートローラを用いて８インチ（直径２０３．２ｍｍ）半導体ウエハに貼り付け、同時に該半導体ウエハのサイズにカッターナイフで切り取った。このとき、８インチ半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付け、半導体ウエハ加工用接着テープを片側あたり３．４ｍｍのミミを残して切り抜き、その後１００ｍｍ送り出し（同時に巻き取りロールで巻き取り）、また新たな８インチ半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける作業を８インチ半導体ウエハ１０枚連続して行った。その結果、片側あたり３．４ｍｍのミミを残した半導体ウエハ加工用接着テープは、巻き取り時のテンションに加え、ラミネート時のラミネートロールの圧力に起因する引っ張り力にも切れることなく、また、ねじれもほとんどなくロールｔｏロールで貼り付け作業を行うことが出来た。

（実施例２）
上記半導体ウエハ加工用接着テープを幅２４０ｍｍで支管に巻き、支管上にロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープを作製した。この半導体ウエハ加工用接着テープを、実施例１と同じラミネータを用い、８インチ（直径２０３．２ｍｍ）半導体ウエハに貼り付けた。８インチ半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付け、半導体ウエハ加工用接着テープを片側あたり１８．４ｍｍのミミを残して切り抜き、その後１００ｍｍ送り出し（同時に巻き取りロールで巻き取り）、また新たな８インチ半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける作業を８インチ半導体ウエハ１０枚連続して行った。その結果、片側あたり１８．４ｍｍのミミを残した半導体ウエハ加工用接着テープは、巻き取り時のテンションに加え、ラミネート時のラミネートロールの圧力に起因する引っ張り力にも切れることなく、また、ねじれもなくロールｔｏロールで貼り付け作業を行うことが出来た。

（比較例１）
上記半導体ウエハ加工用接着テープを幅２０５ｍｍで支管に巻き、支管上にロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープを作製した。この半導体ウエハ加工用接着テープを、実施例１と同じラミネータを用い、８インチ（直径２０３．２ｍｍ）半導体ウエハに貼り付けた。８インチ半導体ウエハに半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付けた後、半導体ウエハ加工用接着テープを片側あたり０．９ｍｍのミミを残して切り抜くことは可能であったが、片側あたり０．９ｍｍ幅のミミは巻き取り時のテンション及びラミネート時のラミネートロールの圧力に起因する引っ張り力によって切れやすく、また、半導体ウエハ加工用接着テープの蛇行によって半導体ウエハのサイズに切り抜いた際にミミの部分が残らない場合もあり、ロールｔｏロールでの作業が出来なかった。

実施例１及び２記載の半導体ウエハ加工用接着テープは、本テープを貼り付ける半導体ウエハの大きさに対して片側あたり３ｍｍ以上大きな幅でロール状に巻いたものとすることによって、切り抜いたミミの部分が切れることなく、またねじれもなくロールｔｏロールで連続的に貼り付け作業を効率よく行うことが出来た。一方、比較例１のようにミミの部分が３ｍｍ未満と少ない場合は、ロールｔｏロールの作業が出来ず、従ってこの作業効率が著しく低下した。

本発明の半導体ウエハ加工用接着テープは、ロールｔｏロールで連続的にバックグラインド工程前に半導体ウエハに貼り付けることが出来ると共に、バックグラインドを行い、ダイシング前に基材フィルムを引き剥がしてもウエハ表面から接着剤が剥がれることが無い。そのため、ダイシング後に接着剤付きの半導体チップを得ることができ、フリップチップ接続に利用することが出来るため、チップ接続用フィルムの基板貼付工程を削減することが出来、半導体装置組立の工程短縮に役立つ。

１…基材フィルム、２…分離層、３…接着剤層、４…半導体ウエハ、５…突出電極、１０…半導体ウエハ加工用接着テープ、２０…半導体チップ、３０…回路基板、３２…回路電極、４０…接着剤層と分離層の硬化物、１００…半導体装置。

Claims (6)

1. 基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープ。
2. 前記基材フィルムと前記接着剤層との間に配置された分離層を備える、請求項１記載の半導体ウエハ加工用接着テープ。
3. 請求項１又は２に記載の半導体ウエハ加工用接着テープを巻き出す工程と、
   半導体ウエハに、該半導体ウエハの幅に対して前記半導体ウエハ加工用接着テープの幅が片側あたり３ｍｍ以上大きくなるように、前記半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウエハのサイズに前記半導体ウエハ加工用接着テープを切り取る工程と、
   切り取ったあとの前記半導体ウエハ加工用接着テープを連続的に巻き取りロールに巻き取る工程と、
   を含む一連の工程によって、半導体ウエハ上に前記半導体ウエハ加工用接着テープを貼り付ける、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法。
4. 請求項３に記載の製造方法により製造された半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハをバックグラインド処理する工程と、
   前記半導体ウエハ加工用接着テープの少なくとも前記接着剤層が半導体ウエハに貼り付いた状態となるように、少なくとも前記基材フィルムを前記接着剤層から剥離し、接着剤層付き半導体ウエハを得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体ウエハを用いて半導体装置を形成する工程と、
   を含む、半導体装置の製造方法。
5. 前記半導体ウエハ加工用接着テープが、前記基材フィルムと前記接着剤層との間に配置された分離層を備えるものであり、
   前記基材フィルムを前記接着剤層から剥離する際に、前記基材フィルムのみを前記分離層から剥離する、又は、前記分離層の少なくとも一部とともに前記基材フィルムを前記接着剤層から剥離する、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 請求項４又は５に記載の製造方法により製造された半導体装置。
   

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