TWI805254B - 保護膠帶以及研磨方法 - Google Patents

Abstract

一種保護膠帶，包括基底、黏著層以及抑制翹曲層。抑制翹曲層位於基底與黏著層之間。抑制翹曲層在研磨製程溫度下具有第一熱膨脹係數。保護膠帶在照光減黏後的剝離製程溫度下具有第二熱膨脹係數。研磨製程溫度小於剝離製程溫度。第一熱膨脹係數小於第二熱膨脹係數。第二熱膨脹係數大於10 µm/m℃。

Description

保護膠帶以及研磨方法

本發明是有關於一種保護膠帶，且特別是有關於一種包含抑制翹曲層的保護膠帶以及使用保護膠帶的基板的研磨方法，保護膠帶可以藉由加熱移除。

隨著科技的發展，電子裝置往高效能、高密度、低功耗及小尺寸之方向發展，因此，廠商對半導體封裝的密度與積體度之需求快速增加。為了使半導體晶片符合廠商的需求，許多廠商致力於縮減晶片的厚度以使晶片變得更薄，並增加晶片的面積以提升晶片上之電路的積體度。

一般而言，藉由對半導體基板執行研磨製程以縮減半導體基板的厚度，進而縮減隨後形成之晶片的厚度。在對半導體基板執行研磨製程時，通常會以膠帶保護半導體基板正面的元件，並從半導體基板的背面開始研磨。

本發明提供一種保護膠帶，能避免移除保護膠帶時對基 板造成損傷。

本發明提供一種基板的研磨方法，能改善基板在研磨後出現損傷的問題。

本發明的一實施例提供一種保護膠帶。保護膠帶包括基底、黏著層以及抑制翹曲層。抑制翹曲層位於基底與黏著層之間。抑制翹曲層在研磨製程溫度下具有第一熱膨脹係數。保護膠帶在照光後的剝離製程溫度下具有第二熱膨脹係數。研磨製程溫度小於剝離製程溫度。第一熱膨脹係數小於第二熱膨脹係數。第二熱膨脹係數大於10μm/m℃。

在一些實施例中，研磨製程溫度約為攝氏23度，且剝離製程溫度大於攝氏80度。

在一些實施例中，抑制翹曲層在攝氏23度的硬度大於肖氏硬度30A。

在一些實施例中，基底的柔韌性大於抑制翹曲層的柔韌性。

在一些實施例中，抑制翹曲層的玻璃轉移溫度大於攝氏20度，且黏著層的玻璃轉移溫度小於攝氏-20度。

在一些實施例中，抑制翹曲層的重均分子量大於所述黏著層的重均分子量。

在一些實施例中，抑制翹曲層的重均分子量為400,000至800,000g/mol，且黏著層的重均分子量為10,000至400,000g/mol。

在一些實施例中，基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚醚碸、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮或上述材料的組合。抑制翹曲層的材料包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧烷樹脂或上述材料的組合。

在一些實施例中，黏著層包括光敏材料。

在一些實施例中，以原料組成抑制翹曲層，原料包括寡聚物、單體以及起始劑，其中寡聚物包括環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或其組合，單體包括單官能基單體、雙官能基單體、多官能基單體或其組合，且起始劑包括自由基型起始劑或陽離子型起始劑。

在一些實施例中，抑制翹曲層的原料中，寡聚物的重量比大於或等於40wt%，單體的重量比為20wt%至50wt%，且起始劑的重量比小於或等於10wt%。

在一些實施例中，基底的厚度為25微米至200微米，抑制翹曲層的厚度為25微米至500微米，且黏著層的厚度為5微米至100微米。

在一些實施例中，第一熱膨脹係數小於10μm/m℃。

在一些實施例中，保護膠帶在照光減黏前在研磨製程溫度具有第三熱膨脹係數，第三熱膨脹係數小於10μm/m℃。

本發明的一實施例提供一種基板的研磨方法，包括：提供基板，基板包括第一面以及相對於第一面的第二面；將保護膠帶貼於基板的第一面；在研磨製程溫度下對基板的第二面執行研 磨製程；對保護膠帶照射紫外光，以減少保護膠帶中的黏著層的黏著力；以及將保護膠帶加熱至剝離製程溫度，以使保護膠帶自基板的所述第一面剝離。

在一些實施例中，研磨製程將基板的厚度減少至100微米以下。

在一些實施例中，將保護膠帶加熱至剝離製程溫度之後，保護膠帶呈現捲曲的狀態。

在一些實施例中，在將保護膠帶貼於基板的第一面之後，切割保護膠帶。

10:保護膠帶

12:基底

14:抑制翹曲層

16,16’:黏著層

20:離型層

30:研磨載台

C:導電結構

G:研磨裝置

R:滾輪

S1:第一面

S2:第二面

T1,T2,T3:厚度

W:基板

圖1是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的剖面示意圖。

圖2A至圖2G是依照本發明的一實施例的一種基板的研磨方法的剖面示意圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶在照光減黏後的熱機械分析圖。

圖1是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的剖面示意圖。

請參考圖1，保護膠帶10包括基底12、黏著層16以及抑制翹曲層14。抑制翹曲層14位於基底12與黏著層16之問。在一些實施例中，在使用保護膠帶10前，保護膠帶10設置於離型層20上，其中黏著層16朝向離型層20。在欲使用保護膠帶10時，將保護膠帶10自離型層20撕起，接著再將保護膠帶10貼合至其他位置。

在一些實施例中，基底12的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚氨酯(Polyurethane,PU)、聚醚碸(Polyethersulfones,PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚醚酮(Polyetheretherketone，PEEK)、上述材料的組合或其他合適的材料。在基底12為聚氨酯的實施例中，基底12可以選用熱塑性聚氨酯，但本發明不以此為限。在一些實施例中，基底12包括耐熱基材(Tg>80℃)。

基底12的厚度T1例如為25微米至200微米。在一些實施例中，基底12例如為可以捲曲的材料層，且基底12的製造方式例如包括抽出成型、塗佈或其他合適的製程。

抑制翹曲層14位於基底12上。在本實施例中，保護膠帶10包括兩種或兩種以上的熱膨脹係數。舉例來說，抑制翹曲層14在研磨製程溫度下具有第一熱膨脹係數，保護膠帶10在照光減黏後的剝離製程溫度下具有第二熱膨脹係數，其中研磨製程溫度小於剝離製程溫度，且第一熱膨脹係數小於第二熱膨脹係數。在 一些實施例中，第一熱膨脹係數小於10μm/m℃，例如小於1μm/m℃、2μm/m℃、3μm/m℃、4μm/m℃、5μm/m℃、6μm/m℃、7μm/m℃、8μm/m℃或9μm/m℃。在一些實施例中，第二熱膨脹係數大於10μm/m℃，例如大於20μm/m℃、30μm/m℃、40μm/m℃、50μm/m℃、60μm/m℃、70μm/m℃、80μm/m℃、90μm/m℃或100μm/m℃。在一些實施例中，研磨製程溫度小於攝氏80度，例如為室溫(約為攝氏23度)。在一些實施例中，剝離製程溫度大於攝氏80度，例如大於或等於攝氏100度或攝氏150度。

在一些實施例中，基底12的柔韌性大於抑制翹曲層14的柔韌性。換句話說，基底12選用相對柔韌的材料，而抑制翹曲層14選用相對剛硬的材料。在一些實施例中，抑制翹曲層14在攝氏23度的硬度大於肖氏硬度30A，例如大於肖氏硬度40A，藉此可以抑制需要被研磨的基板在研磨製程後出現翹曲的問題。

在一些實施例中，抑制翹曲層14的材料包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧烷樹脂、上述材料的組合或其他合適的高分子材料。

抑制翹曲層14的厚度T2例如為25微米至500微米。在一些實施例中，抑制翹曲層14藉由塗佈、印刷、熱熔擠壓或其他合適的製程而直接形成於基底12上。

在一些實施例中，以原料組成抑制翹曲層14，原料包括寡聚物、單體以及起始劑。

組成抑制翹曲層14之原料中的寡聚物構成抑制翹曲層 14的主體，且所述寡聚物決定了固化後之抑制翹曲層14的主要性能。在一些實施例中，在抑制翹曲層14的原料中，所述寡聚物的重量比大於或等於40wt%，例如40wt%至80wt%。在一些實施例中，所述寡聚物包括環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或其組合。表1比較了不同的寡聚物所組成之抑制翹曲層14的特性。

由表1可以得知，為了獲得硬度相對較硬的抑制翹曲層14，寡聚物優選為環氧丙烯酸酯及/或聚酯丙烯酸酯。舉例來說，寡聚物選用一種或一種以上的環氧丙烯酸酯或聚酯丙烯酸酯，且寡聚物的重均分子量為1,000至100,000，且在抑制翹曲層14的原料中所述寡聚物的重量比大於40wt%、大於50wt%、大於60wt%或大於70wt%。基於上述，使抑制翹曲層14具有高剛性、高抗張強度以及耐磨性等優點。

需注意的是，表1提供了不同的寡聚物對抑制翹曲層14的特性的影響，但其並非用於限制本申請。實際上，抑制翹曲層14的特性還可能會因為其他因素而出現變化。

組成抑制翹曲層14之原料中的單體適用於調整黏度，且會參與聚合反應。原料中之單體的多寡也會影響固化後之抑制翹曲層14的性能。在一些實施例中，在抑制翹曲層14的原料中，所述單體的重量比為20wt%至50wt%。在一些實施例中，單體包括單官能基單體、雙官能基單體、多官能基單體或其組合。

在一些實施例中，所述單官能基單體例如為丙烯酸十酯(Isodecyl acrylate,IDA)或丙烯酸四氫呋喃甲酯(Tetrahydrofurfuryl acrylate,THFA)，其中丙烯酸十酯與丙烯酸四氫呋喃甲酯的化學結構分別如下化學式1以及化學式2所示。

在一些實施例中，所述雙官能基單體例如為己二醇二丙烯酸酯(Hexanediol diacrylate,HDDA)，其中己二醇二丙烯酸酯 的化學結構如下化學式3。

在一些實施例中，所述多官能基單體例如為三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(Trimethylolpropane Triacrylate,TMPTA)或二季戊四醇六丙烯酸酯(Dipentaerythritol Hexaacrylate,DPHA)，其中三羥甲基丙烷三丙烯酸酯以及二季戊四醇六丙烯酸酯的化學結構分別如下化學式4以及化學式5。

表2比較了單體之官能基數量增加對所組成之抑制翹曲層14的特性之影響以及單體之鏈長增加對所組成之抑制翹曲層 14的特性之影響。

由表2可以得知，為了獲得硬度相對較硬的抑制翹曲層14，單體優選為雙官能基及/或多官能基單體。舉例來說，單體選用一種或一種以上的雙官能基單體搭配多官能基單體，且在抑制翹曲層14的原料中，所述單體的重量比大於20wt%、大於30wt%或大於40wt%，藉此進行配方的調控，並提升對底材的潤濕性。此外，在固化(例如UV固化)之後，結構的架橋密度得以被提升，並能賦予材料剛性，使固化後之抑制翹曲層14的硬度提升。

需注意的是，表2提供了調整單體對抑制翹曲層14的特性的影響，但其並非用於限制本申請。實際上，抑制翹曲層14的特性還可能會因為其他因素而出現變化。

組成抑制翹曲層14之原料中的起始劑適用於引發聚合與架橋反應。舉例來說，以一種或一種以上的起始劑使單體與寡聚物產生聚合與架橋反應。在一些實施例中，起始劑包括自由基型 起始劑或陽離子型起始劑。在一些實施例中，在抑制翹曲層14的原料中，所述起始劑的重量比小於或等於10wt%，例如小於或等於9wt%、8wt%、7wt%、6wt%、5wt%、4wt%、3wt%、2wt%或1wt%。在一些實施例中，所述起始劑為光起始劑，且其適用於吸收紫外光而引發聚合反應，但本發明不以此為限。在其他實施例中，抑制翹曲層14可以為熱固型材料。

在一些實施例中，聚酯丙烯酸酯樹脂使用自由基型光起始劑，例如1-羥基環己基苯基甲酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)，其化學結構如下化學式6。

在一些實施例中，環氧丙烯酸酯樹脂使用陽離子型光起始劑，例如二苯基(4-苯硫基)苯基锍六氟銻酸鹽(Diphenyl(4-phenylthio)phenyl sulfonium hexafluoroantimonate)及/或(硫代二-4,1-亞苯基)雙(二苯鋶)二六氟亞胺酸鹽((Thiodi-4,1-phenylene)bis(diphenylsulfonium)dihexafluoroatimonate)，其化學結構分別如下化學式7與化學式8。

化學式7

在一些實施例中，組成抑制翹曲層14之原料還包括添加劑。添加劑例如為表面活性劑、穩定劑、染料、溶劑或其他材料。在一些實施例中，在抑制翹曲層14的原料中，所述添加劑的重量比為0wt%至10wt%，例如9wt%、8wt%、7wt%、6wt%、5wt%、4wt%、3wt%、2wt%或1wt%。

黏著層16位於抑制翹曲層14上。在一些實施例中，黏著層16的黏著性大於抑制翹曲層14的黏著性。黏著層16例如為感壓膠。在一些實施例中，黏著層16包括光敏材料，且黏著層16在照光(例如紫外光)後會減少黏著力。在一些實施例中，黏著層16的材料包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、上述材料的組合或其他合適的高分子材料。

黏著層16的厚度T3例如為5微米至100微米。在一些實施例中，黏著層16藉由塗佈、印刷或其他合適的製程而直接形成於抑制翹曲層14上。

黏著層16適用於使保護膠帶10與被貼物(例如基板) 黏合。黏著層16與其他材料黏合的方式包括物理吸附(Adsorption)、擴散、靜電吸附、機械性交互鎖扣(Mechanical interlocking)以及化學鍵結。物理吸附例如藉由包括凡德瓦爾力或氫鍵吸附。擴散例如是在溫度高於黏著層16之玻璃轉移溫度時，黏著層16與被貼物之界面產生之互相擴散的現象。機械性交互鎖扣例如是於被貼物表面進行物理處理或化學處理，以使被貼物的表面粗糙化，使黏著層16得以卡合於被貼物的粗糙表面。

為了使黏著層16能較佳的與被貼物黏合，黏著層16的剛性不能太高，使黏著層16得以填入被貼物的表面上的所有細縫，以提升黏著層16與被貼物的表面之問的接觸面積。

在本實施例中，抑制翹曲層14的架橋密度大於黏著層16的架橋密度，抑制翹曲層14的重均分子量大於黏著層16的重均分子量，抑制翹曲層14的玻璃轉移溫度大於黏著層16的玻璃轉移溫度。

在一些實施例中，抑制翹曲層14的重均分子量為400,000至800,000g/mol，且黏著層16的重均分子量為10,000至400,000g/mol。在一些實施例中，抑制翹曲層14的玻璃轉移溫度大於攝氏20度，且黏著層的玻璃轉移溫度小於攝氏-20度，例如攝氏-20度至攝氏-60度。基於上述，黏著層16具有足夠的黏著力，且能避免研磨液或研磨碎屑在研磨基板時汙染基板正面。

離型層20可以為任何一種離型材料。舉例來說，離型層20為聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚 烯烴(polyolefins,PO)或離型紙。離型層20的厚度例如為25微米至175微米。

實施例1

實施例1提供一種抑制翹曲層14的組成配方。在實施例1中，組成抑制翹曲層14的原料包括寡聚物、單體、光起始劑以及添加劑，其中寡聚物的重量比大於50wt%，單體的重量比為20wt%至40wt%，光起始劑的重量比小於10wt%，且添加劑的重量比小於5wt%。

在實施例1中，寡聚物包括雙酚A環氧二丙烯酸酯(Bisphenol A Epoxy Diacrylate)以及聚酯二丙烯酸酯(Polyester diacrylate)，單體包括丙烯酸四氫呋喃甲酯(Tetrahydrofurfuryl acrylate,THFA)以及己二醇二丙烯酸酯(Hexanediol diacrylate,HDDA)，光起始劑包括1-羥基環己基苯基甲酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)以及苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦(phenyl bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide)，且添加劑為γ-巰丙基三甲氧基矽烷(γ-Mercaptopropyltrimethoxysilane)。

實施例2

實施例2提供一種抑制翹曲層14的組成配方。在實施例2中，組成抑制翹曲層14的原料包括寡聚物、單體、光起始劑以及添加劑，其中寡聚物的重量比為60wt%至70wt%，單體的重量比為21wt%至37wt%，光起始劑的重量比為2wt%至4wt%，且添 加劑的重量比為1wt%至5wt%。

在實施例2中，寡聚物包括聚氨酯丙烯酸酯以及環氧丙烯酸酯，單體包括月桂酸丙烯酸酯、乙氧化1,6-己二醇二丙烯酸酯以及三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，光起始劑包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦以及1-羥基環已基苯基酮，且添加劑包括矽烷添加劑以及矽氧烷添加劑。

圖2A至圖2G是依照本發明的一實施例的一種基板的研磨方法的剖面示意圖。

請參考圖2A，提供基板W，基板W包括第一面S1以及相對於第一面S1的第二面S2。在一些實施例中，基板W例如為半導體基板，舉例來說，基板W的材料包括矽、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化矽、上述材料的組合或其他合適的材料。在本實施例中，基板W的第一面S1形成有導電結構C，導電結構C例如為金屬(例如錫球)或其他材料。

在本實施例中，以滾輪R將保護膠帶10貼於基板W的第一面S1，並包覆導電結構C。更具體地說，保護膠帶10的黏著層16貼於基板W的第一面S1，並包覆導電結構C。在本實施例中，保護膠帶10的具體結構可以參考圖1以及圖1的相關說明，於此不再贅述。

請參考圖2B與圖2C，在將比基板W大的保護膠帶10貼於基板W的第一面S1之後，藉由切割製程使切割後的保護膠帶10與基板W修齊對準。因此，在將保護膠帶10貼於基板W的 時候(如圖2A所示的步驟)不需要很精確的對保護膠帶10與基板W進行對位。基於上述，相較於將其他硬質支撐物(例如玻璃)藉由蠟或其他黏著材料貼於基板W所需的精確對位，本實施例可以較輕易的將保護膠帶10貼於基板W上，且本實施例不會因為貼合製程時的對位不準而影響後續製程。

請參考圖2D與圖2E，將保護膠帶10以及基板W設置於研磨載台30上。在一些實施例中，藉由靜電、真空或其他方式將保護膠帶10固定於研磨載台30上。

在研磨製程溫度下對基板W的第二面S2執行研磨製程。舉例來說，以研磨裝置G研磨基板W的第二面S2。在一些實施例中，研磨製程將基板W的厚度減少至100微米以下。

在一些實施例中，研磨製程例如為化學機械研磨、物理研磨或其他研磨製程。在一些實施例中，研磨製程溫度為室溫(約為攝氏23度)。在一些實施例中，在研磨基板W的第二面S2時，於基板W的第二面S2上施加研磨液，其中研磨液的溫度為研磨製程溫度。

在一些實施例中，由於抑制翹曲層14在研磨製程溫度的第一熱膨脹係數小於10μm/m℃，因此，可以改善抑制翹曲層14在研磨製程時因為受熱膨脹而導致基板W破損的問題。在一些實施例中，抑制翹曲層14在研磨製程溫度的第一熱膨脹係數與基板W在研磨製程溫度的熱膨脹係數互相匹配。舉例來說，基板W在研磨製程溫度的熱膨脹係數與抑制翹曲層14在研磨製程溫度的第 一熱膨脹係數之間的差值小於10μm/m℃，例如小於9μm/m℃、8μm/m℃、7μm/m℃、6μm/m℃、5μm/m℃、4μm/m℃、3μm/m℃、2μm/m℃或1μm/m℃。在一些實施例中，保護膠帶10在照光減黏前(如圖2E)在研磨製程溫度具有第三熱膨脹係數。第三熱膨脹係數大約等於抑制翹曲層14在研磨製程溫度的第一熱膨脹係數。換句話說，保護膠帶10在照光減黏前在研磨製程溫度的第三熱膨脹係數小於10μm/m℃，例如小於9μm/m℃、8μm/m℃、7μm/m℃、6μm/m℃、5μm/m℃、4μm/m℃、3μm/m℃、2μm/m℃或1μm/m℃。

在一些實施例中，由於抑制翹曲層14在研磨製程溫度的硬度大於肖氏40A，抑制翹曲層14可以抑制基板W在研磨製程後出現翹曲的問題。在一些實施例中，基板W在研磨製程後的翹曲小於3mm。此外，保護膠帶10的設置可以提升研磨製程的均勻性，降低總厚度差異(Total Thickness Variation，TTV)。舉例來說，基板W在研磨製程後的總厚度差異小於或等於3微米。

請參考圖2F，在研磨製程後，對保護膠帶10照射光線(例如紫外光)，以使黏著層16轉變為黏著力較小或不具黏著力的黏著層16’。換句話說，藉由對保護膠帶10照射光線以減少保護膠帶10中的黏著層16’的黏著力。

請參考圖2G，將保護膠帶10加熱至剝離製程溫度，以使保護膠帶10自基板W的第一面S1剝離。在一些實施例中，剝離製程溫度大於攝氏80度，例如大於或等於攝氏100度或攝氏150 度。

在本實施例中，保護膠帶10在照光後的剝離製程溫度下具有第二熱膨脹係數，且第二熱膨脹係數大於10μm/m℃，因此，將保護膠帶10加熱至剝離製程溫度之後，保護膠帶10自動剝離，並呈現捲曲的狀態。在本實施例中，照光減黏後的保護膠帶10的第二熱膨脹係數大於基板W的熱膨脹係數。

在本實施例中，由於是在減少保護膠帶10中的黏著層16’的黏著力之後才將保護膠帶10加熱至剝離製程溫度，因此，可以避免保護膠帶10在自動剝離時因為拉扯基板W而導致基板W受損。此外，由於保護膠帶10在加熱至剝離製程溫度可以自動剝離，能避免用工具撕除保護膠帶10時對基板W造成的損傷。在一些實施例中，在保護膠帶10自動剝離後，黏著力較小之黏著層16’不容易殘留於基板W上，因此不需要額外使用清洗製程來移除殘留的黏著層16’。

在一些實施例中，在移除保護膠帶10之後，對基板W執行單分割製程或其他製程，以獲得預期的半導體裝置(例如包括微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS)、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)、三維晶片(3DIC)、記憶體、邏輯晶片、電源晶片(Power IC)、射頻晶片、二極體(例如發光二極體(LED))、中介基板(Interpose)或其他電子元件)。

圖3是依照本發明的一實施例的一種保護膠帶的熱機械 分析圖。在圖3中，縱軸代表尺寸(長度)變化，且單位為微米；橫軸代表溫度，且單位為攝氏度。在圖3中，較粗的線條為量測出來的實際數值，較細的線條則顯示保護膠帶照光減黏後的Tg(玻璃轉移溫度)為攝氏127.29度。

請參考圖3，在本實施例中，在較低的溫度時(例如低於127.29℃)，保護膠帶10在照光減黏後的尺寸(長度)變化小，且具有小於10μm/m℃的熱膨係數(例如約為4.782μm/m℃，由圖3可知30℃至60℃的熱膨係數為4.782μm/m℃)；在較高的溫度時(例如高於127.29℃)，保護膠帶10的尺寸(長度)變化大，且具有大於10μm/m℃的熱膨係數(例如約為101.6μm/m℃，由圖3可知190℃至210℃的熱膨係數為101.6μm/m℃)。基於上述，保護膠帶10在研磨製程時具有較少的膨脹，以減少研磨的基板因為保護膠帶的拉扯而受損；且保護膠帶10在照光減黏後的剝離製程時可以受熱膨脹並自動剝離。

10:保護膠帶

12:基底

14:抑制翹曲層

16:黏著層

20:離型層

T1,T2,T3:厚度

Claims (17)

1. 一種保護膠帶，包括：基底；黏著層；以及抑制翹曲層，位於所述基底與所述黏著層之間，其中以原料組成所述抑制翹曲層，所述原料包括寡聚物、單體以及起始劑，其中所述寡聚物在所述原料中的重量比大於50wt%且小於80wt%，其中所述抑制翹曲層在研磨製程溫度下具有第一熱膨脹係數，所述保護膠帶在照光減黏後的剝離製程溫度下具有第二熱膨脹係數，其中所述研磨製程溫度小於所述剝離製程溫度，且所述第一熱膨脹係數小於所述第二熱膨脹係數，所述第二熱膨脹係數大於10μm/m℃，其中所述研磨製程溫度約為攝氏23度，且所述剝離製程溫度大於攝氏80度。
2. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述抑制翹曲層在攝氏23度的硬度大於肖氏硬度30A。
3. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述基底的柔韌性大於所述抑制翹曲層的柔韌性。
4. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述抑制翹曲層的玻璃轉移溫度大於攝氏20度，且所述黏著層的玻璃轉移溫度小於攝氏-20度。
5. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述抑制翹曲層的重均分子量大於所述黏著層的重均分子量。
6. 如請求項3所述的保護膠帶，其中所述抑制翹曲層的重均分子量為400,000至800,000g/mol，且所述黏著層的重均分子量為10,000至400,000g/mol。
7. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚醚碸、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮或上述材料的組合，其中所述抑制翹曲層的材料包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧烷樹脂或上述材料的組合。
8. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述黏著層包括光敏材料。
9. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述寡聚物包括環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或其組合，所述單體包括單官能基單體、雙官能基單體、多官能基單體或其組合，且所述起始劑包括自由基型起始劑或陽離子型起始劑。
10. 如請求項9所述的保護膠帶，其中在所述抑制翹曲層的所述原料中，所述單體的重量比為20wt%至50wt%，且所述起始劑的重量比小於或等於10wt%。
11. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述基底的厚度為25微米至200微米，所述抑制翹曲層的厚度為25微米至500微米，且所述黏著層的厚度為5微米至100微米。
12. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述第一熱膨脹係數小於10μm/m℃。
13. 如請求項1所述的保護膠帶，其中所述保護膠帶在所述照光減黏前在所述研磨製程溫度具有一第三熱膨脹係數，所述第三熱膨脹係數小於10μm/m℃。
14. 一種基板的研磨方法，包括：提供基板，所述基板包括第一面以及相對於所述第一面的第二面；將請求項1至請求項13中的任一項所述的保護膠帶貼於所述基板的所述第一面；在所述研磨製程溫度下對所述基板的所述第二面執行研磨製程；對所述保護膠帶照射光線，以減少所述保護膠帶中的所述黏著層的黏著力；以及將所述保護膠帶加熱至所述剝離製程溫度，以使所述保護膠帶自所述基板的所述第一面剝離。
15. 如請求項14所述的基板的研磨方法，其中所述研磨製程將所述基板的厚度減少至100微米以下。
16. 如請求項14所述的基板的研磨方法，其中將所述保護膠帶在照射所述光線後加熱至所述剝離製程溫度之後，所述保護膠帶呈現捲曲的狀態。
17. 如請求項14所述的基板的研磨方法，其中在將所述保護膠帶貼於所述基板的所述第一面之後，切割所述保護膠帶。

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