TWM634873U

TWM634873U - 光固化保護膠帶

Info

Publication number: TWM634873U
Application number: TW111206863U
Authority: TW
Inventors: 陳俊發; 黃啟華; 林欽楷; 李貞儒; 謝詩柔; 陳宣佑
Original assignee: 山太士股份有限公司
Priority date: 2022-06-28
Filing date: 2022-06-28
Publication date: 2022-12-01

Abstract

一種光固化保護膠帶，包括基底以及光固化黏著層。光固化黏著層毯覆於基底上。形成光固化黏著層的原料包括寡聚物。寡聚物的重均分子量為1,000至100,000。光固化黏著層在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2。

Description

光固化保護膠帶

本新型創作是有關於一種光固化保護膠帶及加工方法。

隨著科技的發展，電子裝置往高效能、高密度、低功耗及小尺寸之方向發展，因此，廠商對半導體封裝的密度與積體度之需求快速增加。為了使半導體晶片符合廠商的需求，許多廠商致力於縮減晶片的厚度以使晶片變得更薄，並增加晶片的面積以提升晶片上之電路的積體度。

一般而言，藉由對半導體基板執行研磨製程以縮減半導體基板的厚度，進而縮減隨後形成之晶片的厚度。在對半導體基板執行研磨製程時，通常會以膠帶保護半導體基板正面的元件，並從半導體基板的背面開始研磨。

本新型創作提供一種光固化保護膠帶，可以藉由照光提升光固化保護膠帶與被貼物之間的黏著力。

本新型創作提供一種加工方法，藉由光固化保護膠帶保護基板的第一面，避免基板的第一面在研磨製程中受損。

本新型創作的至少一實施例提供一種光固化保護膠帶。光固化保護膠帶包括基底以及光固化黏著層。光固化黏著層毯覆於基底上。形成光固化黏著層的原料包括寡聚物。寡聚物的重均分子量為1,000至100,000。光固化黏著層在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2。

在一些實施例中，光固化黏著層經完全固化後的軟化溫度小於攝氏60度。

在一些實施例中，光固化黏著層經完全固化後在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2。

在一些實施例中，基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚氨酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、或上述材料的組合，且基底的厚度為25微米至188微米，且其中光固化黏著層的厚度為20微米至500微米。

在一些實施例中，光固化黏著層的原料包括寡聚物、單體以及光起始劑，其中光固化黏著層經固化後包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂或上述材料的組合。

在一些實施例中，寡聚物包括聚氨酯丙烯酸酯及聚醚丙烯酸酯中的至少一者。

本新型創作的至少一實施例提供一種加工方法，包括：提供基板，基板包括第一面以及相對於第一面的第二面；將光固化保護膠帶貼於基板的第一面，其中光固化保護膠帶包括基底以及光固化黏著層，光固化黏著層毯覆於基底上，其中形成光固化黏著層的原料包括寡聚物，且寡聚物的重均分子量為1,000至100,000，且光固化黏著層在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2；對光固化保護膠帶照射光線，以使光固化黏著層至少部分固化；對基板的第二面執行研磨製程；將光固化保護膠帶加熱至剝離製程溫度，並將光固化保護膠帶自基板上剝離。

在一些實施例中，剝離製程溫度大於經完全固化後的光固化黏著層的軟化溫度。

在一些實施例中，基板的第一面包括多個導電結構，且光固化保護膠帶覆蓋所述導電結構，且其中在將光固化保護膠帶自基板上剝離之後，光固化黏著層上包括多個凹陷，凹陷的寬度大於導電結構的寬度。

在一些實施例中，在對光固化保護膠帶照射光線，以使光固化黏著層至少部分固化之後，光固化黏著層在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2。

在一些實施例中，在將光固化保護膠帶自基板上剝離之前，更包括：對基板的第二面執行蝕刻製程；對基板的第二面執行物理氣相沉積製程，以於基板的第二面形成金屬層。

在一些實施例中，執行物理氣相沉積製程時的溫度高於剝離製程溫度。

在一些實施例中，將光固化保護膠帶加熱至剝離製程溫度之後，對光固化保護膠帶施加外力以將光固化保護膠帶自基板上剝離。

在一些實施例中，在將光固化保護膠帶貼於基板的第一面之後，切割光固化保護膠帶。

10:光固化保護膠帶

12:基底

16:光固化黏著層

18:離型層

30:研磨載台

110:凹陷

112:凸起

20A,20B:封裝結構

20A’,20B’:半導體裝置

200,200A:基板

210,210A:導電結構

210W,212W:寬度

212:切割道

220A:晶片

230A:封裝膠

a-a’:線

E:蝕刻製程

F:邊框

G:研磨裝置

H:加熱製程

M:金屬層

M1:第一金屬層

M2:第二金屬層

P:光線

R:滾輪

RS:重佈線結構

S1:第一面

S2,TS:第二面

SW:側面

T1,T2,T3:厚度

圖1是依照本新型創作的一實施例的一種光固化保護膠帶的剖面示意圖。

圖2A至圖2E是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。

圖3A至圖3C是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。

圖4A是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的立體示意圖。

圖4B是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。

圖5A是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的立體示意圖。

圖5B是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。

圖6A是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的立體示意圖。

圖6B是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。

圖7是依照本新型創作的一實施例的一種半導體裝置的剖面示意圖。

圖8是依照本新型創作的一實施例的一種半導體裝置的剖面示意圖。

請參考圖1，光固化保護膠帶10包括基底12以及光固化黏著層16。在一些實施例中，在使用光固化保護膠帶10前，光固化保護膠帶10設置於離型層18上，其中光固化黏著層16位於離型層18與基底12之間。在欲使用光固化保護膠帶10時，將光固化保護膠帶10自離型層18撕起，接著再將光固化保護膠帶10貼合至被貼物。

在一些實施例中，基底12的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚烯烴(polyolefins,PO)、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride,PVC)、聚氨酯(Polyurethane,PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚碸(Polyethersulfones,PES)、上述材料的組合或其他合適的材料。在基底12為聚氨酯的實施例中，基底12可以選用熱塑性聚氨酯，但本新型創作不以此為限。

基底12的厚度T1例如為25微米至188微米。在一些實施例中，基底12例如為可以捲曲的材料層，且基底12的製造方式例如包括抽出成型、塗佈或其他合適的製程。

光固化黏著層16毯覆於基底12上。在本實施例中，光固化黏著層16直接形成於基底12上。

光固化黏著層16的厚度T2例如為20微米至500微米。在一些實施例中，光固化黏著層16藉由塗佈、印刷或其他合適的製程而直接形成於基底12上。

在一些實施例中，形成光固化黏著層16的原料包括寡聚物、單體、光起始劑以及添加劑。換句話說，光固化黏著層16在固化前包括寡聚物、單體、光起始劑以及添加劑，而光固化黏著層16經固化後包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂或上述材料的組合。

在一些實施例中，光固化黏著層16的原料中具有溶劑，且在光固化黏著層16形成於基底12上之後，對光固化黏著層16執行軟烤製程，以移除光固化黏著層16中多餘的溶劑。在其他實施例中，光固化黏著層16的原料中不包含溶劑，因此不需要透過軟烤製程移除溶劑。當光固化黏著層16的原料中不包含溶劑時，可以形成厚度較厚的光固化黏著層16。

光固化黏著層16的原料中的寡聚物構成光固化黏著層16的主體，且所述寡聚物決定了固化後之光固化黏著層16的主要性能。在一些實施例中，寡聚物為聚丙烯酸酯(Polyacrylate)或其衍伸物，例如環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯(Urethane Acrylic)、聚醚丙烯酸酯或其組合。表1比較了不同的寡聚物所組成之光固化黏著層16的特性。

由表1可以得知，為了獲得硬度相對較軟的光固化黏著層16，寡聚物優選為聚氨酯丙烯酸酯及/或聚醚丙烯酸酯。舉例來說，寡聚物選用一種或一種以上的聚氨酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯，且寡聚物的重均分子量(Mw)為1,000至100,000。在光固化黏著層16的原料中，寡聚物的重量比大於40wt%、大於50wt%、大於60wt%或大於70wt%。在一些實施例中，寡聚物的重量比為40wt%至80wt%。基於上述，使光固化黏著層16具有低硬度的特性。

需注意的是，表1提供了不同的寡聚物對光固化黏著層16的特性的影響，但其並非用於限制本申請。實際上，光固化黏著層16的特性還可能會因為其他因素而出現變化。

光固化黏著層16之原料中的單體適用於調整黏度，且會參與聚合反應。原料中之單體的多寡也會影響固化後之光固化黏著層16的特性。在一些實施例中，在光固化黏著層16的原料中，單體的重量比為20wt%至50wt%，例如30wt%或40wt%。在一些實施例中，單體包括單官能基單體、雙官能基單體或其組合。

在一些實施例中，所述單官能基單體例如為丙烯酸十酯(Isodecyl acrylate,IDA)、丙烯酸四氫呋喃甲酯(Tetrahydrofurfuryl acrylate,THFA)、丙烯酸異冰片酯(Isobornyl acrylate,IBOA)或2-苯氧基乙基丙烯酸酯(2-phenoxy ethyl acrylate,PHEA)，其中丙烯酸十酯、丙烯酸四氫呋喃甲酯、丙烯酸異冰片酯以及2-苯氧基乙基丙烯酸酯的化學結構分別如下化學式1、化學式2、化學式3以及化學式4所示。

化學式3

在一些實施例中，所述雙官能基單體例如為己二醇二丙烯酸酯(Hexanediol diacrylate,HDDA)或聚乙二醇(600)二丙烯酸酯(Polyethylene glycol(600)diacrylate,PEG(600)DA)，其中己二醇二丙烯酸酯以及聚乙二醇(600)二丙烯酸酯的化學結構分別如下化學式5、化學式6所示。

表2比較了單體之官能基數量增加對所組成之光固化黏著層16的特性之影響以及單體之鏈長增加對所組成之光固化黏著層16的特性之影響。

由表2可以得知，為了獲得硬度相對較軟的光固化黏著層16，單體優選為單官能基單體。舉例來說，單體選用一種或一種以上的單官能基單體搭配雙官能基的單體，且在光固化黏著層16的原料中，所述單體的重量比為20wt%至40wt%或30wt%至40wt%，藉此進行配方的調控，並提升對底材的潤濕性。在此單體比例下，塗料配方具有較佳的成膜性與收捲性。此外，保護膠帶可以較佳的填補段差或包覆錫球，以滿足製程需求。

需注意的是，表2提供了調整單體對光固化黏著層16的特性的影響，但其並非用於限制本申請。實際上，光固化黏著層16的特性還可能會因為其他因素而出現變化。

組成光固化黏著層16之原料中的光起始劑適用於引發聚合與架橋反應。舉例來說，以一種或一種以上的光起始劑使單體與寡聚物產生聚合與架橋反應。在一些實施例中，光起始劑包括自由基型光起始劑。在一些實施例中，在光固化黏著層16的原料中，所述光起始劑的重量比小於或等於10wt%，例如小於或等於9wt%、8wt%、7wt%、6wt%、5wt%、4wt%、3wt%、2wt%或1wt%。在一些實施例中，光起始劑適用於吸收紫外光而引發聚合反應。

在一些實施例中，聚酯丙烯酸酯樹脂、聚氨酯丙烯酸酯樹脂或聚醚丙烯酸酯樹脂使用自由基型光起始劑，例如1-羥基環己基苯基甲酮(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)，其化學結構如下化學式7。

在一些實施例中，組成光固化黏著層16之原料還包括添加劑。添加劑例如為表面活性劑、穩定劑、染料、溶劑或其他材料。在一些實施例中，添加劑例如為導電顆粒、導電纖維、導電高分子或其他合適的導電材料，因此，光固化黏著層16具有抗靜電的功能。在一些實施例中，在光固化黏著層16的原料中，所述添加劑的重量比為0wt%至10wt%，例如9wt%、8wt%、7wt%、6wt%、5wt%、4wt%、3wt%、2wt%或1wt%。

離型層18可以為任何一種離型材料。舉例來說，離型層18為聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚烯烴(polyolefins,PO)或離型紙。離型層18的厚度例如為25微米至175微米。

光固化黏著層16位於離型層18與基底12之間。在一些實施例中，在將離型層18覆蓋於光固化黏著層16上之後，以光線(例如紫外光)照射光固化黏著層16，藉此使光固化黏著層16更佳的附著於基底12上。在一些實施例中，在對光固化保護膠帶10進行第一次照光後，使光固化黏著層16為C階段(C stage)。在一些實施例中，在使用光固化保護膠帶10之前(進行第一次照光後，且在進行第二次照光前)，光固化黏著層16在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2，以及相對低的玻璃轉移溫度。在一些實施例中，在對光固化保護膠帶10進行第二次照光後，光固化黏著層16在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2以及相對高的玻璃轉移溫度。

基於上述，由於光固化黏著層16在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2，光固化黏著層16可以更好的覆蓋被貼物之不平整的表面，並提升光固化黏著層16與被貼物之間的接觸面積。待光固化黏著層16覆蓋被貼物之後，藉由第二次照光(例如紫外光)固化光固化黏著層16。由於固化後之光固化黏著層16與被貼物之間的接觸面積較大，可以提升光固化黏著層16與被貼物之間的黏著力。

請參考圖2A，提供基板200，基板200包括第一面S1以及相對於第一面S1的第二面S2。基板200例如是晶圓、晶片封裝結構或其他合適的電子元件。基板200的第一面S1包括多個導電結構210，導電結構210例如為錫球、導電柱或其他連接端子。在一些實施例中，基板200的第一面S1還包括被動元件或其他電子元件。在一些實施例中，導電結構210的寬度210W為30微米至260微米。

在本實施例中，以滾輪R將光固化保護膠帶10貼於基板200的第一面S1，並使光固化保護膠帶10包覆導電結構210。更具體地說，光固化保護膠帶10的光固化黏著層16貼於晶圓W的第一面S1，並包覆導電結構210。在本實施例中，光固化保護膠帶10的具體結構可以參考圖1以及圖1的相關說明，於此不再贅述。在一些實施例中，在室溫(約攝氏23度)下將光固化保護膠帶10貼於基板200的第一面S1。光固化黏著層16的厚度大於導電結構210的厚度。

在本實施例中，由於光固化黏著層16在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2，光固化黏著層16可包覆導電結構210，以提升光固化黏著層16與導電結構210之間的接觸面積。導電結構210陷入光固化黏著層16中，並使光固化黏著層16上產生對應於導電結構210的凹陷110。

在一些實施例中，基板200的第一面S1還包括切割道212，且光固化黏著層16填入切割道212中。在一些實施例中，切割道212的寬度212W為10微米至600微米。

請參考圖2B，對光固化保護膠帶10照射光線P，以使光固化黏著層16至少部分固化。在一些實施例中，將光固化保護膠帶10貼於基板200之後，對光固化黏著層16照射光線P以進行第二次照光。在一些實施例中，第二次照光所使用的光線(例如紫外光)的能量大於第一次照光所使用的光線(例如紫外光)的能量。在一些實施例中，在對光固化保護膠帶10照射光線P後，光固化黏著層16在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2。

請參考圖2C，藉由切割光固化保護膠帶10，使光固化保護膠帶10與基板200修齊對準。在本實施例中，光固化保護膠帶10是透過切割製程對準基板200，因此，在將光固化保護膠帶10貼於基板200的時候(如圖2A所示的步驟)不需要很精確的對光固化保護膠帶10與基板200進行對位。基於上述，相較於將其他硬質支撐物(例如玻璃)藉由蠟或其他黏著材料貼於基板200所需的精確對位，本實施例可以較輕易的將光固化保護膠帶10貼於基板200上，且本實施例不會因為貼合製程時的對位不準而影響後續製程。

另外，在本實施例中，由於光固化保護膠帶10的硬度較低，可以減少切割光固化保護膠帶10時對刀片產生的磨損，藉此降低製程成本。

請參考圖2D，將光固化保護膠帶10以及基板200設置於研磨載台30上。在一些實施例中，藉由靜電、真空或其他方式將光固化保護膠帶10固定於研磨載台30上。

對基板200的第二面S2執行研磨製程。舉例來說，以研磨裝置G研磨基板200的第二面S2。在一些實施例中，研磨製程將基板200的厚度減少至500微米以下。在一些實施例中，研磨製程後基板200的TTV小於或等於3微米。在一些實施例中，研磨製程後基板200的翹曲值小於6毫米。

在一些實施例中，研磨製程例如為化學機械研磨、物理研磨或其他研磨製程。在一些實施例中，研磨製程時的溫度為室溫。在一些實施例中，在研磨基板200的第二面S2時，於基板200的第二面S2上施加研磨液。由於光固化保護膠帶10包覆導電結構210，可以避免研磨製程時所用的研磨液汙染基板200的第一面S1。

請參考圖2E，執行加熱製程H以將光固化保護膠帶10加熱至剝離製程溫度，並將光固化保護膠帶10自基板200上剝離。在一些實施例中，剝離製程溫度大於經完全固化後的光固化黏著層16的軟化溫度。因此，光固化保護膠帶10在剝離製程溫度下較容易自基板200上剝離。在一些實施例中，在剝離製程溫度下對光固化保護膠帶10施加外力以將光固化保護膠帶10自基板200上剝離。在一些實施例中，剝離製程溫度為攝氏60度至攝氏80度。在一些實施例中，光固化黏著層16的軟化溫度小於攝氏60度。

光固化保護膠帶10自基板200上剝離之後，光固化保護膠帶10的表面的凹陷110的寬度110W大於導電結構210的寬度210W。另外，在一些實施例中，光固化保護膠帶10的表面具有對應於切割道212的凸起112。

常見的感光膠帶具有照射光線後黏性減少的特性。一般而言，在使用感光膠帶時，可以透過照射紫外光後黏性減少的特性來將感光膠帶自被貼物上移除。然而，若感光膠帶貼附於不平整的表面，被貼物表面的凸起或顆粒可能會遮蔽部分感光膠帶，導致部分感光膠帶沒辦法被紫外光照射。在這種情況下，感光膠帶沒有照射到光線的部分會因為黏性較大而在撕除感光膠帶後殘留於基板上。在本實施例中，光固化保護膠帶10是透過加熱後自基板200上剝離，因此，光固化保護膠帶10不會因為光線照射不均勻而導致殘膠問題。

在一些實施例中，在移除光固化保護膠帶10之後，沿著切割道212對基板200執行單分割製程或其他製程，以獲得預期的半導體裝置(例如包括微機電系統(Microelectromechanical Systems，MEMS)、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)、三維晶片(3DIC)、記憶體、邏輯晶片、電源晶片(Power IC)、射頻晶片、二極體(例如發光二極體(LED))、中介基板(Interposer)或其他電子元件)。

實施例1至實施例4

實施例1至實施例4提供一種光固化黏著層的組成配方。在實施例1中，形成光固化黏著層的原料包括寡聚物、單體、光起始劑以及添加劑，其中寡聚物的重量比大於40wt%(例如為40wt%至80wt%)，單體的重量比為20wt%至40wt%，光起始劑的重量比小於10wt%，且添加劑的重量比小於5wt%。

在實施例1至實施例4中，寡聚物包括聚丙烯酸酯(重量比為20wt%至40wt%)以及聚氨酯丙烯酸酯(重量比為20wt%至40wt%)，單體包括丙烯酸異冰片酯(重量比為10wt%至30wt%)以及2-苯氧基乙基丙烯酸酯(重量比為10wt%至30wt%)，光起始劑包括1-羥基環己基苯基甲酮以及苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，且添加劑為γ-巰丙基三甲氧基矽烷(γ-Mercaptopropyltrimethoxysilane)。表3顯示了實施例1至實施例4的寡聚物以及單體的重量比，其中表3是以寡聚物以及單體的總重量為100wt%計算。

實施例1至實施例4藉由調整寡聚物以及單體的含量，獲得硬度不同之光固化黏著層。

表4顯示了實施例1至實施例4的光固化黏著層在第一次照光之後且在第二次照光(如圖2B)之前的硬度以及光固化黏著層的貼合效果。實施例1至實施例4的光固化黏著層皆可以透過滾輪而貼合至包含直徑為75微米之錫球的基板。

由表4可以得知，硬度較低的光固化黏著層可以較佳的貼合於表面不平整之基板。光固化黏著層在貼合至基板後，可能會因為分子間的內聚力而浮起，並局部分離於基板。而硬度較低的光固化黏著層的分子間的內聚力較低，因此，在長時間放置後，不容易浮起。

表5顯示了實施例1至實施例4的光固化黏著層在第二次照光(如圖2B)之前對基板在室溫下的黏著力以及貼合24小時後在室溫下撕起後的殘膠狀態，其中黏著力是在將光固化黏著層貼合至矽晶圓的基板並放置24小時後測量。

由表5可以得知，硬度較低的實施例3與實施例4的光固化黏著層有較高的黏著力，因此可以較佳的貼合於表面不平整之基板。然而，由於實施例3與實施例4的光固化黏著層的黏著力較大，因此在室溫下撕起會有輕微的殘膠殘留於基板上。

表6顯示了實施例3與實施例4的光固化黏著層在第二次照光(如圖2B)之後的硬度、對基板在室溫下的黏著力以及對基板在攝氏60度下的黏著力。

結合表5與表6可以知道，在第二次照光之後，光固化黏著層與基板之間在室溫下的黏著力上升，其中實施例3的光固化黏著層從肖氏硬度19E2提升至肖氏硬度59E2，而實施例4的光固化黏著層從肖氏硬度8E2提升至肖氏硬度52E2。光固化黏著層與基板之間的黏著力會因為升溫至攝氏60度而下降，因此，在攝氏60度時撕除光固化黏著層，可以使光固化黏著層較不容易殘留於基板上。

表7顯示了實施例3與實施例4的光固化黏著層對包含不同直徑之錫球的基板的黏著效果。

由表7可以得知，針對尺寸較大的錫球，硬度較低的實施例4的光固化黏著層可以較佳的貼合於錫球。

圖3A至圖3C是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A和圖3C的實施例沿用圖2A至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖3A，接續圖2D的步驟，在研磨基板200的第二面S2之後，對基板200的第二面S2執行蝕刻製程E。蝕刻製程例如是藉由氫氟酸、硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸或上述溶液的混合液作為蝕刻液以粗化基板200的第二面S2。在本實施例中，光固化保護膠帶10具有耐化學藥品(蝕刻液)性，因此，蝕刻液不容易在蝕刻製程中滲入光固化保護膠帶10與基板200之間的界面，且光固化保護膠帶10不容易在蝕刻製程中出現膨潤的問題。舉例來說，在一些實施例中，由於光固化保護膠帶10中之寡聚物的重均分子量小(重均分子量(Mw)為1,000至100,000)，因此，光固化保護膠帶10在固化後的架橋密度高，使得光固化保護膠帶10在固化後不容易出現膨潤的問題。

此外，由於光固化保護膠帶10在固化前的硬度小，使光固化保護膠帶10可以填入基板200的切割道212，因此，蝕刻液不容易透過切割道212而侵蝕基板200的第一面S1。

請參考圖3B，對基板200的第二面S2執行物理氣相沉積(Physical vapor deposition,PVD)製程，以於基板200的第二面S2形成金屬層M。

在一些實施例中，在高真空(10^-7torr)以及高溫(攝氏150度)執行1小時的物理氣相沉積製程，由於光固化保護膠帶10具有耐熱以及耐真空的特性，光固化保護膠帶10在物理氣相沉積製程中不會與基板200分離，使物理氣相沉積製程所沉積的金屬不容易侵入基板200的第一面S1，藉此避免導電結構210短路。

在一些實施例中，物理氣相沉積製程時的溫度高於光固化保護膠帶10的剝離製程溫度(例如為攝氏60度至攝氏80度)。然而，由於在物理氣相沉積製程時未對光固化保護膠帶10施加外力，在物理氣相沉積製程時光固化保護膠帶10不會與基板200分離。

在一些實施例中，金屬層M的材料包括銀、鈦、鎳、銅或其他合適的材料。金屬層M為銀時可提升基板200的傳輸效率，金屬層M為鈦、鎳或銅時有效幫助基板200快速散熱，可使基板200能維持更好的工作溫度。在一些實施例中，金屬層M為單層或多層結構。當金屬層M為多層結構時，金屬層M可包括不同的材料。

在本實施例中，研磨製程、蝕刻製程與物理氣相沉積製程使用同一張光固化保護膠帶10。換句話說，在執行蝕刻製程與物理氣相沉積製程之前不用撕除光固化保護膠帶10，也不用將其他保護膠帶貼附於基板200的第一面S1，因此，可以減少基板200的加工成本。

接著請參考圖3C，將光固化保護膠帶10加熱至剝離製程溫度，並將光固化保護膠帶10自基板200上剝離。在一些實施例中，剝離製程溫度大於經完全固化後的光固化黏著層16的軟化溫度。因此，光固化保護膠帶10在剝離製程溫度下較容易自基板200上剝離。在一些實施例中，在剝離製程溫度下對光固化保護膠帶10施加外力以將光固化保護膠帶10自基板200上剝離。在一些實施例中，剝離製程溫度為攝氏60度至攝氏80度。在一些實施例中，光固化黏著層16的軟化溫度小於攝氏60度。

在本實施例中，光固化保護膠帶10是透過加熱後自基板200上剝離，因此，光固化保護膠帶10不會因為光線照射不均勻而導致殘膠問題。

在一些實施例中，在移除光固化保護膠帶10之後，沿著切割道212對基板200執行單分割製程或其他製程，以獲得預期的半導體裝置(例如包括電源晶片、功率金氧半場效電晶體(Power MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、三維晶片、二極體(例如發光二極體(LED))或其他電子元件)。

圖4A、圖5A與圖6A是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的立體示意圖。圖4B、圖5B與圖6B是依照本新型創作的一實施例的一種加工方法的剖面示意圖。圖4B、圖5B與圖6B分別對應了圖4A、圖5A與圖6A的線a-a’的位置。在此必須說明的是，圖4A至圖6B的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖4A與圖4B，提供光固化保護膠帶10。在本實施例中，光固化保護膠帶10的具體結構可以參考圖1以及圖1的相關說明，於此不再贅述。將邊框F貼於光固化保護膠帶10上。

請參考圖5A與圖5B，將光固化保護膠帶10貼於封裝結構20A的第一面S1。

舉例來說，封裝結構20A包括基板200A、多個導電結構210A、晶片220A、重佈線結構RS以及封裝膠230A。晶片220A位於基板200A之上，且透過重佈線結構RS而電性連接至基板200A。舉例來說，晶片220A透過覆晶封裝技術而封裝於基板200A之上。

基板200A例如為印刷電路板。晶片220A與導電結構210A位於基板200A的相對兩側。具體地說，導電結構210A位於基板200A的第一側S1，而晶片220A以及重佈線結構RS位於基板200A的第二側S2。在本實施例中，基板200A的第一側S1為封裝結構20A的外側，換句話說，第一側S1可視為封裝結構20A的第一側S1。封裝膠230A位於基板200A之上，且覆蓋晶片220A。

在一些實施例中，導電結構210A為錫球，且適用於球閘陣列封裝(Ball Grid Array,BGA)技術。

在一些實施例中，將光固化保護膠帶10貼於封裝結構20A的第一面S1，並將封裝結構20A的導電結構210A壓入光固化保護膠帶10的光固化黏著層16中。光固化保護膠帶10的光固化黏著層16接觸基板200A以及導電結構210A。由於光固化黏著層16在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2，光固化黏著層16可較佳的包覆導電結構210A，藉此提升光固化黏著層16與封裝結構20A之間的接觸面積。導電結構210A陷入光固化黏著層16中，並使光固化黏著層16上產生對應於導電結構210的凹陷110。接著，對光固化保護膠帶10照射光線P，以使光固化黏著層16至少部分固化。在一些實施例中，第二次照光所使用的光線(例如紫外光)的能量大於第一次照光所使用的光線(例如紫外光)的能量。在一些實施例中，在對光固化保護膠帶10照射光線P後，光固化黏著層16在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2。光固化黏著層16將封裝結構20A固定，減少封裝結構20A在後續製程中偏移的機率。

請參考圖6A與圖6B，沉積第一金屬層M1於封裝結構20A的第二面TS上，其中第二面TS相對於第一面S1。在本實施例中，沉積第一金屬層M1於封裝結構20A的第二面TS、封裝結構20A的側面SW、光固化保護膠帶10以及邊框F上。在一些實施例中，第一金屬層M1形成於封裝膠230A、光固化黏著層16以及邊框F上。由於導電結構210A位於光固化黏著層16中，第一金屬層M1不會與導電結構210A接觸，藉此避免導電結構210A短路的問題。

在一些實施例中，形成第一金屬層M1的方法包括物理氣相沉積(Physical vapor deposition,PVD)製程。在一些實施例中，在高真空(10^-7torr)以及高溫(攝氏150度)執行物理氣相沉積製程，由於光固化保護膠帶10具有耐熱以及耐真空的特性，光固化保護膠帶10在物理氣相沉積製程中不會與基板200分離，使物理氣相沉積製程所沉積的金屬不容易侵入封裝結構20A的第一面S1，藉此避免導電結構210短路。

接著，請參考圖6B以及圖7，將光固化保護膠帶10加熱至剝離製程溫度，並將封裝結構20A自光固化保護膠帶10上取起。部分第一金屬層M1隨著封裝結構20A一起被取起，以構成半導體裝置20A’。在一些實施例中，半導體裝置20A’例如為電源晶片、射頻晶片、光電元件、高速傳輸晶片、靜電防護晶片或其他電子元件。

在一些實施例中，剝離製程溫度大於經完全固化後的光固化黏著層16的軟化溫度。因此，光固化保護膠帶10在剝離製程溫度下較容易與封裝結構20A分離。在一些實施例中，在剝離製程溫度下對封裝結構20A施加外力以將封裝結構20A自光固化保護膠帶10上取起。舉例來說，以頂針配合真空吸引將封裝結構20A自光固化保護膠帶10上取起。在一些實施例中，剝離製程溫度為攝氏60度至攝氏80度。在一些實施例中，光固化黏著層16的軟化溫度小於攝氏60度。

圖8是依照本新型創作的一實施例的一種半導體裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖8的半導體裝置20B’與圖7的半導體裝置20A’的主要差異在於：半導體裝置20B’的封裝結構20B包括多個晶片220A、多個重佈線結構RS，且半導體裝置20B’包括第一金屬層M1以及第二金屬層M2。

請參考圖8，在本實施例中，封裝結構20B整合了多個晶片220A，其中多個晶片220A透過重佈線結構RS而電性連接至基板200A。導電結構210A與晶片220A分別位於基板200A的不同側。

在本實施例中，在形成第一金屬層M1之後，沉積第二金屬層M2於第一金屬層M1上，接著才將封裝結構20B自光固化保護膠帶10(請參考圖6B)上取起。在一些實施例中，第一金屬層M1的材料包括銅，且第二金屬層M2的材料包括不鏽鋼，但本新型創作不以此為限。第一金屬層M1與第二金屬層M2的材料可以依照實際需求而進行調整。

基於上述，光固化保護膠帶可以在沉積金屬層時保護封裝結構的導電結構，避免導電結構短路。相較於使用訂製的金屬冶具保護導電結構，光固化保護膠帶可以適用於各種不同型式的封裝結構，藉此節省沉積金屬層時所需的成本。此外，還可以節省維護金屬冶具所需的成本(例如刨、刷沉積於金屬冶具上之金屬層之成本)。

10:光固化保護膠帶

12:基底

16:光固化黏著層

18:離型層

T1,T2,T3:厚度

Claims

一種光固化保護膠帶，包括：一基底；以及一光固化黏著層，毯覆於所述基底上，其中形成所述光固化黏著層的原料包括寡聚物，且所述寡聚物的重均分子量為1,000至100,000，且所述光固化黏著層在攝氏23度的硬度小於肖氏硬度50E2。
如請求項1所述的光固化保護膠帶，其中所述光固化黏著層經完全固化後的軟化溫度小於攝氏60度。
如請求項1所述的光固化保護膠帶，其中所述光固化黏著層經完全固化後在攝氏23度的硬度為肖氏硬度50E2至90E2。
如請求項1所述的光固化保護膠帶，其中所述基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚氨酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、或上述材料的組合，且所述基底的厚度為25微米至188微米，且其中所述光固化黏著層的厚度為20微米至500微米。
如請求項1所述的光固化保護膠帶，其中所述光固化黏著層的所述原料包括所述寡聚物、單體以及光起始劑，其中所述光固化黏著層經固化後包括壓克力樹脂、聚氨酯樹脂或上述材料的組合。
如請求項5所述的光固化保護膠帶，其中所述寡聚物包括聚氨酯丙烯酸酯及聚醚丙烯酸酯中的至少一者。