KR101089631B1 - 반도체 패키지용 접착필름 - Google Patents

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이경환
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지용 접착필름에 관한 것으로, 상기 접착필름은 기재 필름(1)상에 웨이퍼 다이싱용 점착층(2)과 다이본딩용 접착층(3)이 순차적으로 적층되되, 다이싱용 점착층은 자외선 경화형 수지 조성물로 구성되고, 다이본딩용 접착층은 무기입자를 포함하고 있지 않은 열경화성 수지와 열가소성 수지 혼합물로 구성된다. 이러한 무기입자를 포함하고 있지 않은 접착필름을 이용하여 복수개의 반도체 칩을 회로 기판에 수직으로 실장하면 상하 반도체 칩 간에 거대입자에 의한 패턴 손상이나 칩 크랙을 방지할 수 있다.

Description

반도체 패키지용 접착필름{MULTILAYER ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 패키지용 접착필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 조성의 접착층, 점착층 및 기재층으로 구성됨으로써, 반도체 패키지 제조공정에서 다이싱 완료 후의 칩들을 다이 본딩 방식에 의하여 회로 기판 또는 하부 칩 상에 부착할 때, 하부 칩 상의 패턴이 거대입자에 의해 손상되거나 칩 크랙을 방지할 수 있는 반도체 패키지용 접착필름에 관한 것이다.
종래의 반도체 패키지 제조과정에서는 리드 프레임이나 회로기판 부재에 반도체 칩을 부착함에 있어서 우선 다이 고정용 패드 부위에 액상 접착제를 주입, 도포하고 여기에 반도체 칩을 탑재한 후, 액상의 접착제 층을 일정시간 고온 경화시킨 후, 와이어 본딩이나 몰딩 공정을 행하는 다단계 과정의 공정법이 채택되어 왔다.
하지만 최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.
최근의 반도체 패키지 개발동향에 있어서는 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화ㆍ고성능화가 급격히 진행되고 또한 다기능화가 진행됨에 따라 2개 이상의 반도체 칩을 적층한 3D 패키지가 급증하고 있으며 더불어 패키지 대용량화를 목적으로 동일한 패키지 내에 더 많은 칩을 적층할 수 있도록 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 100㎛ 이하로 더욱 극박화 되고 있다.
이렇듯 반도체 칩 및 층간 접착필름의 두께가 100㎛ 이하의 패키지를 제조함에 있어서 종래의 적층방법을 적용할 경우, 웨이퍼 칩 특성상 충격에 매우 취약하기 때문에 다이본딩용 접착필름에 포함되어 있는 무기입자의 뭉침으로 인해 수 ㎛의 거대 입자가 접착필름 내에 포함되어 있을 경우 다이본딩 시 충격에 칩 크랙이 발생되거나 칩 상부의 패턴 손상으로 패키지 조립 이후 전기적 특성에 문제를 일으키게 된다.
따라서, 극박 웨이퍼의 다단 적층시 칩 크랙방지 및 패키지 조립 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지용 접착필름이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여 다이본딩용 접착필름에 표면점착성과 컷팅성 같은 패키지 조립 공정성 향상과 내열성 및 내흡습성 향상을 위해 포함하고 있는 무기입자를 제거하고, 대신에 고연화점, 내열 특성이 우수한 페놀수지를 적용함으로써, 내열성 내흡습성 및 내리플로우 크랙성 등이 우수한 신뢰성 있는 반도체 패키지용 접착필름을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 접착필름은 기재층, 점착층 및 접착층을 포함하며, 상기 접착층은 a) 열가소성 수지; b) 연화점이 30~100℃인 에폭시 수지 및 연화점이 120℃이상인 경화제를 포함하는 열경화성 수지를 포함하는 조성물인 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 경화제는 페놀수지로서, 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011044686385-pat00001
(상기 식에서, R1은 각각 동일하거나 상이할 수 있으며 수소원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분자쇄 알킬기, 환상 알킬기, 수산기 또는 아릴기를 나타내고 R2는 페놀, 크레졸 또는 아미노트리아진을 나타내고 n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.)
여기에서, 상기 페놀수지의 수산기 당량은 100~300g/eq일 수 있다.
여기에서, 상기 경화제는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 5~20중량부 포함될 수 있다.
여기에서, 상기 열가소성 수지는 아크릴산 공중합체, 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지, 폴리에스테르이미드, 폴리에테르이미드, 페녹시, 부타디엔아크릴로 니트릴 공중합 고무로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 아크릴산 공중합체는 히드록시기, 카르복실기 또는 글리시딜기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 관능기를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 열가소성 수지는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 20~80중량부 포함될 수 있다.
여기에서, 상기 에폭시 수지는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 10~60중량부 포함될 수 있다.
여기에서, 상기 접착층 조성물은 경화촉진제를 더 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 경화촉진제는 열경화성 수지 100중량부에 대하여 0.1~10중량부 포함될 수 있다.
여기에서, 상기 점착층은 점착층 조성물 전체 100중량부 대비 50~80중량부의 아크릴 공중합체, 10~30중량부의 광경화성 올리고머 및 1~5중량부의 열경화제를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 기재층은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 중 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 접착층에 무기입자가 포함되지 않기 때문에, 무기입자의 뭉침현상에 의하여 발생할 수 있는 칩 상부의 패턴 손상이나 칩 크랙을 방지하여 패키지공정에서 신뢰성을 향상시킨다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 패키지용 접착필름의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 반도체 패키지용 접착필름은 기재층(1), 점착층(2) 및 접착층(3)을 포함하는바, 이하 각 층별로 상세히 설명한다.
접착층
본 발명의 접착필름의 접착층은 a) 열가소성 수지; b) 연화점이 30~100℃인 에폭시 수지 및 연화점이 120℃이상인 경화제를 포함하는 열경화성 수지를 포함하는 조성물로 이루어진다.
상기 열가소성 수지는 경화 전 상태에서는 각각의 접착성분들이 혼합된 상태에서 필름화 될 수 있도록 상호 결합력을 부여하며 경화 후에는 접착층 내에 균일하게 분산됨에 따라 내부로부터 발생하는 응력에 대해 저항성을 가지게 함으로써 접착층의 취성을 향상시키는 효과가 있다.
한편, 에폭시 수지 성분은 경화 전에는 가열에 따라 점성이 급격히 저하되어 웨이퍼부착 및 다이본딩 부착력을 향상시킬 수 있으며, 경화 후에는 그물구조의 결합형태를 가짐에 따라 내열성 및 내습성이 향상되어 반도체 신뢰성을 부여한다는 점에서 각각 효과가 있다.
상기 열가소성 수지는 특히 제한되지 않지만, 아크릴산 공중합체, 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지, 폴리에스테르 이미드, 폴리에테르 이미드, 페녹시, 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 등을 사용할 수 있으며, 상기 열경화성 수지와의 분산성, 유기용매 가용성 면에서 아크릴산 공중합체나 폴리에스테르 수지 및 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다. 상기 수지들은 단독 또는 2종 이상을 혼용해서 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2개 이상을 혼합하여 사용하여 접착필름의 내열성, 내습성, 접착성 및 유리전이온도 조절 용이성 등의 효과를 가져 올 수 있다.
여기에서 상기 열가소성 수지는 접착층 조성물 전체 100 중량부 대비 20~80중량부 포함되는 것이 바람직하다. 20중량부 미만을 혼입할 경우 다이싱 시 접착층의 버(Burr) 발생으로 픽업에서 문제가 발생하며, 80 중량부를 초과하여 혼입하게 되면 수지 용윰점도가 커져 PCB기판과 같은 거친 표면을 메우는 효과가 떨어지므로 웨이퍼 부착 특성이 저하되는 문제가 발생한다. 이는 열가소성 수지 성분의 경우 열경화성 수지와 비교해서 훨씬 큰 분자량분포를 가지는 것에 기인되는 것으로서 접착제 흐름성을 최적으로 제어하기 위해서는 열가소성 수지의 적절한 조절이 요구된다.
상기 다이본딩용 접착층의 수지조성물 중 아크릴산 공중합체로서는 아크릴산, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 아크릴로니트릴 중 적어도 1개 이상을 모노머 성분으로 한 공중합체를 포함하며, 특히 접착제 경화 후 내열성 향상을 목적으로 하여 열경화성 수지와의 경화반응이 가능하도록 측쇄에 하이드록시기, 카르복실기 또는 글리시딜기로 이루어진 하나 이상의 관능기를 포함한 구조가 더욱 바람직하다.
그리고 이러한 관능기 부가형 아크릴모노머는 수산기를 가지는 히드록시 메타아크릴레이트, 카르복실기를 가지는 카르복실메타아크릴레이트, 글리시딜 에테르기를 가지는 글리시딜메타아크릴레이트 등을 포함한 공중합체를 사용할 수 있으며, 이때, 접착제 조성물의 필름성 및 내열성 향상을 위해 상기 아크릴산 공중합체의 수평균 분자량은 10,000~1,000,000, 더욱 바람직하게는 50,000~500,000 이내가 되도록 할 수 있다.
상기 다이본딩용 접착층의 수지조성물 중 폴리에스테르수지는 2가 이상의 카르보닐산과 2가 이상의 글리콜 성분으로부터 에스테르화 반응을 통해서 제조되며 에폭시 수지와의 상용성이 좋은 것이면 특별히 제한되지 않는다.
상기 폴리에스테르수지의 조성물 중 카르보닐산성분으로 예를 들면 테레프탈 산, 이소프탈산, 오르소프탈산, 1,5-나프탈산, 2,6-나프탈산, 4, 4＇-디페닐디카르본산, 2,2＇-디페닐디카르본산, 4,4'-디페닐에테르디카르본산 등의 방향족 2염기산과 아디핀산, 아제라인산, 세바신산, 1,4-사이클로헥산디카르본산, 1,3-사이클로헥산 디카르본산, 1,2-사이클로헥산디카르본산, 4-메틸-1,2-사이클로헥산디카르본산, 다이머산 등의 지방족이나 지환족 2염기산 등이 적절하다.
또한, 상기 폴리에스테르수지의 조성물 중 글리콜성분으로는 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 1,2-부탄디올, 1,3- 부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 사이클로디메타놀, 네오펜틸히드록시 피바린산 에스테르, 비스페놀 A의 에틸렌옥사이드 부가물 및프로필렌 옥사이드 부가물, 수소화 비스페놀A의 에틸렌 옥사이드 부가물 및 프로필렌옥사이드 부가물, 1,9-노난디올, 2-메틸옥탄디올, 1,10-도데칸디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 트리사이클로데칸디메타놀 등을 사용하며, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등 폴리에테르글리콜 성분 등을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 에폭시 수지와의 가교반응이 가능하도록 관능기를 부가하여 내열성을 향상시키기 위한 목적으로 측쇄에 관능기 부가형 성분을 첨가할 수 있다. 이러한 측쇄 관능기형 카르보닐산 성분은 벤조페논 테트라카르본산 2무수물이나 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 에틸렌글리콜비스안하이드로 트리멜리테이트 및 글리세롤트리스안하이드로트리멜리테이트 등을 포함한다.
상기 폴리에스테르수지의 적정 수평균 분자량은 다이본딩용 접착층의 접착특성 및 내열성 등의 측면에서 볼 때 5,000~200,000을 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 10,000 ~100,000 이내의 것을 사용하는 것이 좋다.
또한, 상기 폴리이미드수지는 측쇄 또는 주쇠 사슬에 이미드 결합을 가지는 형태로서 한정되는 것은 아니나 수평균 분자량이 5,000~500,000 이내이며 바람직하게는 10,000~50,000 정도인 것이 적절하다.
상기 폴리이미드 수지는 반응성 관능기를 가지지 않는 열가소성 폴리이미드계 수지와, 가열에 의해 열경화성 수지와 반응할 수 있는 관능기, 예를 들면 카르복실기 또는 하드록실기 등을 측쇄에 가지며 일반적으로 방향족 디아민과 방향족 테트라카르본산 2무수물과의 혼합물로부터 폴리아미드산 전구체을 합성하고 이것을 다시 가열함에 따라 탈수 이미드화 하는 것에 의해 올리고머상의 폴리이미드 수지를 얻을 수 있다.
상기 열가소성 폴리이미드 수지의 중합에 사용하는 산 2무수물 모노머는 3,3＇,4,4＇-비페닐테트라카르본산2무수물, 3,3＇, 4,4＇-벤조페논테트라카르본산 2무수물, 4,4＇-옥시디프탈산 2무수물, 에틸렌글리콜 비스트리멜리트산2무수물, 4,4＇-비스페놀A 2무수물, 무수피로멜리트산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르본산2무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카르본산2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르본산 2무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트산무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리메리 테이트산무수물) 등을 포함하며, 상기 물질들은 단독 또는 2종 이상 혼합해서 사용할 수 있다.
상기 산 2무수물과 반응하는 지방족 혹은 방향족 디아민은 메틸렌디아민,에틸 렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌 디디아민, 옥타메틸렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, m-자일렌디아민, p-자일렌디 아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리 딘, 1,4-디아미노사이클로헥산, 피페라진, 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메 틸-p-페닐렌디아민, 4,4＇-디아미노디페닐프로판, 3,3＇-디아미노디페닐에탄, 4,4＇-디아미노디페닐메탄, 3,3＇-디아미노디페닐메탄, 4,4＇-디아미노디페닐설폰, 3,3＇-디아미노디페닐설폰, 4,4＇-디아미노디페닐에테르, 3,3＇-디아미노비페닐, 3,3＇-디메틸-4,4＇-디아미노비페닐, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 2,2-비스4 -(4-아미노페녹시) 페닐프로판, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 비스-4-(4-아미 노 페녹시)페닐설폰, 비스-4-(3-아미노페녹시)페닐설폰 및 p-비스(2-메틸-4- 아미노펜틸)벤젠 등을 포함하며, 상기 지방족 및 방향족 디아민은 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
그리고, 더욱 바람직하게 상기 폴리이미드 수지의 디아민 성분 중의 하나로서 디아미노폴리실록산을 이용할 수 있다.
상기 디아미노폴리실록산은 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸실록산, α,ω-비스(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산, 1,3-비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, α,ω-비스(4-아미노페닐)폴리디메틸실록산, 1,3-비스(3-아미노페닐)테트라메틸실록산, α,ω-비스(3-아미노페닐)폴리디메틸 실록산, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라페닐실록산, α,ω-비스(3-아미노프로필) 폴리디페닐실록산 등을 포함하며, 상기 물질을 단독 또는 2종 이상으로 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 상기 디아미노폴리실록산은 디아민성분 총량의 5~50 몰% 이내로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다이본딩용 접착층 조성물은 열경화성 수지를 포함하는데, 상기 열경화성 수지는 자외선 조사에 의해서는 경화하지 않지만, 가열함에 따라서는 삼차원 그물구조를 가져 피착체에 강고하게 접착하는 성질과 내열성을 가질 수 있는 수지를 포함한다. 바람직하게 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 열경화성 아크릴수지, 페놀수지, 디아릴프탈레이트수지 및 폴리우레탄수지 등을 포함할 수 있으며, 이러한 열경화성 수지는 단독 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
한정되는 것은 아니나 상기 다이본딩용 접착층 조성물은 경화 전에는 낮은 용융점도를 가져 부착공정에 적용하기가 용이하며 또한 경화 후에는 고내열성을 나타내는 상반된 특성을 발현할 수 있다는 점에서, 본 발명에서는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 종래부터 공지된 여러 가지의 에폭시 수지가 이용될 수 있지만, 통상은, 분자량 300~5000 정도의 것을 사용할 수 있으며 더욱 바람직하게는 500~2000 이내인 고체상의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
또한 상기 에폭시 수지의 경우에는 용융특성을 환구법에 의한 연화점을 기준으로 구분하는 것이 통례이므로, 고체상 에폭시 수지의 적정 연화점은 30~100℃, 바람직하게는 40~70℃ 이내로 할 수 있다. 상기 연화점이 30℃ 이하가 되면 상온에서 접착층 표면의 점착력이 높아져 다이싱 후 칩 픽업성이 저하되며, 연화점이 100℃ 이상이 되면 150℃ 칩부착 공정온도에서 충분한 수지유동성을 얻기 어렵기 때문에 칩 적층시 하부의 PCB 기판이나 칩 상부의 패턴을 메우는 효과가 떨어지므로 부착력 문제가 발생할 수 있다.
구체적으로 한정되는 것을 아니나, 상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 취소화 비스페놀 A형, 수소첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플로렌형, 페놀노볼락형, 크레졸노보락형, 트리스하이드록실페닐메탄형, 테트라페닐메탄형 등의 2 관능 또는 다관능 에폭시 수지가 이용될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 경화성, 접착성 및 내열, 내습성 등의 물성면에서 비교적 우수한 비스페놀 A형, 크레졸노볼락형, 페놀노볼락형 에폭시 수지 및 상기 물질을 2종 이상 병용해서 사용할 수 있다.
상기 다이본딩용 접착층 조성물에 사용할 수 있는 페놀형 에폭시 수지 경화제로서는 하기 화학식 1로 표시되는 페놀수지를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112011044686385-pat00002
(상기 식에서 R1은 각각 동일하거나 상이할 수 있으며 수소원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분자쇄 알킬기, 환상 알킬기, 수산기 또는 아릴기를 나타내고 R2는 페놀, 크레졸 또는 아미노트리아진을 나타내고 n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.)
상기 화학식 1로 표시되는 페놀수지의 바람직한 예로는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 아미노트리아진 노볼락 수지를 들 수 있고, 이 중 연화점이 120℃ 이상인 것으로 한다.
페놀수지의 평균 수산기 당량이 100 내지 300g/eq인 것이 바람직하며 100g/eq 미만이면 수산기(OH)로 인해 흡습율이 증가하여 저장 안정성이 우려되고 300g/eq 초과면 경화 후 유리전이온도가 저하되어 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 상기 페놀수지의 함량은 조성물 전체 100 중량부에 대해서 5 내지 20 중량부의 범위에 포함되는 것이 바람직하다.
경화제 혼입량이 5 중량부 미만일 경우에는 경화성 수지의 경화효과가 부족하여 내열성 저하가 초래되며 반면에 20 중량부를 초과하여 혼입하면 수지와의 반응성이 높아지게 되어 접착필름의 취급성, 장기보관성 등의 물성특성이 크게 떨어지는 문제가 발생하게 된다.
또한, 상기 다이본딩용 접착층 조성물에는 경화촉진제를 배합하여 사용할 수 있으며, 종래부터 알려져 온 여러 가지의 경화촉진제가 사용 가능한데, 특히 아민계, 이미다졸계, 인계, 붕소계 및 인-붕소계 등의 경화촉진제를 사용할 수 있다.
이때, 상기 경화촉진제의 최적 배합량은 열경화성 수지 100 중량부에 대해서, 바람직하게는 0.01~10 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5~5 중량부 비율이 적합하며 단독 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수도 있다.
점착층
본 발명의 반도체 패키지용 접착필름에 있어서, 점착층은 자외선 경화 전에 일정한 점착력을 나타냄과 동시에 점착필름으로서의 연성 및 강도를 부여하는 지지체로의 역할을 한다.
상기 점착층은 고분자량의 아크릴공중합체 또는 고무성분과 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가짐에 따라, 자외선 조사에 따라 점착성 감소시키는 역할의 광경화성 올리고머성분, 열경화제, 및 고분자 공중합 성분을 일차 열경화시킴에 따라 점착성분들 간의 응집력을 높여주는 가교제성분 및 광개시제 성분들로 구성될 수 있다.
상기 고분자량 아크릴계 공중합체는 한정되는 것은 아니나 (메타) 아크릴산 에스테르 모노머 및 (메타) 아크릴산 유도체로부터 얻을 수 있는 탄소수가 1~18 이내인 아크릴산 알킬 에스테르 공중합체 등이 이용될 수 있으며, 바람직하게는 아크릴산 메틸, 메타크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 메타크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 메타크릴산 프로필, 아크릴산 부틸, 메타아크릴산 부틸 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 고분자량 아크릴계 공중합체로 형성된 자외선 경화형 웨이퍼 다이싱용 점착층은 점착필름의 응집력 및 내열성 등의 개질을 목적으로 알킬에스테르와 가교반응을 일으킬 수 있는 반응기를 가지는 모노머 성분을 포함할 수 있다.
상기 모노머 성분은 카르복실에틸(메타) 아크릴레이트, 카르복실펜틸(메타) 아크릴레이트, 이타콘산, 말레인산, 후말산등의 카르복실기함유 모노머와 무수 말레산, 무수 이타콘산등의 산무수물 모노머, (메타)아크릴산 2-히드록시 에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시 프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시 부틸, (메타) 아크릴산 6-히드록시 헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시 옥틸, (4-히드록시 메틸 시클로 헥실) 메틸(메타) 아크릴레이트 등의 히드록실기함유 모노머, 그리고 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 사용할 수 있으며, 이들 반응기 함유 모노머 성분들은 경우에 따라서 1종 또는 2종 이상을 혼용하여 사용할 수 있다. 특히 피착체와의 밀착성이나 점착성이 조절이 용이하다는 점에서 히드록시 에틸 아크릴레이트 등의 수산기 함유 모노머를 도입할 수 있다.
상기에서 상술한 고분자량의 아크릴계 공중합체는 점착필름의 초기 점착력 및 점착성분들 간의 응집력 향상을 위하여 분자량이 30,000~500,000 이내인 것이 적당하며 더욱 바람직하게는 50,000~200,000 이내로 형성할 수 있다.
만약 상기 분자량이 상기 범위 미만인 경우에는 점착필름의 응집력이 떨어져 자외선 경화 후 점착제 성분이 상대기재로 전사되는 현상을 초래하게 되며, 상기 범위를 초과하는 경우에는 타 점착성분들과의 상용성이 떨어져 균일한 점착특성을 구현할 수 없을 뿐만 아니라 자외선 경화 시 상분리 현상이 나타나 칩 픽업 용이성이라는 본래의 특성을 저해하는 문제가 발생할 수 있다.
또한 상기 아크릴계 공중합체의 적정 혼입량의 경우 점착층 조성물 100 중량부에 대하여 50~80 중량부 사용하는 것이 바람직하다. 그 사용량이 50 중량부 미만인 경우에는 점착필름의 점착력이 충분하지 못하게 되며, 80 중량부 초과인 경우에는 자외선 경화 후에도 점착력이 너무 높고 감광성 올리고머들 간의 원활한 광중합을 저해하여 원활한 칩 픽업성을 얻을 수 없는 문제가 발생할 수 있다.
상기 자외선 경화형 웨이퍼 다이싱용 점착층은 상기 아크릴계 공중합체 성분과 더불어 자외선에 의한 광경화 반응을 진행시키기 위하여 분자 내 주쇄 또는 측쇄에 적어도 1개 이상의 중합성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 광경화형 올리고머를 필수적으로 사용할 수 있다.
이때, 상기 광경화형 올리고머로서는 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 올리고머 등을 포함하며 이들 광경화형 올리고머는 점착특성 조절면에서 더욱 효과를 높이기 위하여 1종 또는 2종 이상 혼용하여 사용할 수 있다.
그리고, 상기 광경화형 올리고머의 최적 혼입량은 점착층 조성물 100 중량부 에 대하여 10~30중량부가 바람직하다.
상기 범위 미만일 경우에는 자외선 경화에 의한 점착력 감소효과가 충분하지 못하며, 상기 범위 초과일 경우에는 경화되지 못한 미반응 올리고머 함량이 많아져 점착력을 상승시키는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 본 발명의 접착필름이 다층구조 임에 따라 구조상 상기 자외선 경화형 웨이퍼 다이싱용 점착층과 밀착되는 다이본딩용 접착층과 자외선 조사 후, 계면 점착력을 보다 효과적으로 낮추기 위해는 실리콘 아크릴레이트 올리고머를 혼용하여 사용하는 것이 바람직하다.
하지만 실리콘 아크릴레이트 올리고머의 경우 점착성분 중에 과량으로 투입할 경우 자외선 조사 후 미반응 올리고머가 다이본딩용 접착층으로 이행하여 이후의 칩 부착 공정에서 칩과 기재와의 접착력을 떨어뜨리는 문제점을 유발할 수 있으므로 실리콘 아크릴레이트 혼입량은 광경화형 올리고머 사용량의 20%를 넘지 않는 것이 바람직하다.
상기 자외선 경화형 웨이퍼 다이싱용 점착층은 자외선 조사 전의 아크릴계 점착제 성분에 내부 경화제를 적당하게 혼용함으로써 수평균 분자량을 높여 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수도 있으며, 상기 내부 경화제는 열경화가 가능한 에폭시계 경화제, 인산염계 경화제 또는 이소시아네이트계 경화제를 첨가하여 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 경화반응온도, 속도 및 점착력 등을 조절하기 용이한 이소시아네이트계 경화제를 사용할 수 있다.
상기 내부 경화제 중 이소시아네이트경화제는 방향족 다가 이소시아네이트화합물, 지환족 다가 이소시아네이트화합물, 지방족 다가 이소시아네이트화합물 및 이들의 다가 이소시아네이트 화합물의 3량체 그리고, 이들 다가 이소시아네이트화합물과 폴리올화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체 등을 포함할 수 있다.
상기 유기 다가 이소시아네이트화합물은 점착층 조성물 100 중량부에 대해 통상 0.1~10 중량부, 특히 1~5 중량부 배합하는 것이 바람직하며, 상기 내부 경화제를 포함하는 상기 점착제는 기재층 팽창시 또는 픽업시에 발생하는 정전기를 억제하여 칩 크랙방지 효과가 있다는 점에서 대전방지제를 첨가할 수도 있다.
또한, 상기의 점착제 중에 자외선 조사에 따라 광경화형 올리고머에 함유된 탄소-탄소 이중결합기 간의 부가반응을 일으킬 수 있는 자유라디칼을 분해, 생성하는 기능의 광중합 개시제를 혼입하여 적은 자외선 조사량에도 효율적인 광경화를 일으킬 수 있다. 이러한 광개시제로서는 250~800 nm의 파장의 빛을 조사하는 것으로써 활성화 되는 것이면 모두 사용가능하며 1종 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.
이러한 광중합 개시제로서는 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 안식향산, 벤조인안식향산 메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, 히드록시 시클로헥실 페닐 케톤, 벤질 디페닐 설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 아조비스이소 부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등을 포함하며, 점착제 조성물의 0.5~5 중량부 이내로 투입하는 것이 바람직하다. 만약 상기의 함량범위를 벗어나면 광개시효율이 떨어지거나 점착제 보관상에 문제가 발생할 수 있다.
기재층
기재층의 경우 그 종류는 특히 한정되지는 않지만, 자외선 경화를 효율적으로 일으키게 하기 위해서는 자외선 투과성 기재를 사용할 수 있다.
더욱 자세히 상기 자외선 투과성 기재는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 에틸렌비닐 아세테이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들 중 두 가지 이상의 성분으로 상호 적층된 것 또는 가교시킨 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 자외선 투과성 기재는 1축 또는 2축 연신처리 등에 의해 열 수축성을 부여할 수 있으며 상기 열 수축성은 다이싱 후, 기재층이 열 수축 됨에 따라 기재상의 점착층과 다이본딩용 접착제 층간의 접착면적을 줄여주는 효과를 발현하여 칩 픽업을 용이하게 해 주는 부수적인 효과를 얻을 수 있다.
상기 기재층의 표면은 기재층 상에 형성되는 점착층과의 밀착성을 향상시키기 위하여 코로나처리, 플라즈마처리, 크롬산처리 등의 물리적 또는 화학적 처리를 할 수 있다. 그러나 상기 기재층 성분들 중 폴리염화비닐과 같이 반도체 웨이퍼의 표면을 오염시킬 수 있는 염소 이온을 다량 포함하고 있는 안정제 및 가소제 등을 함유하고 있는 성분은 가급적 사용하지 않는 것이 바람직하다.
상기 기재층 두께는 특히 한정되지는 않지만 20~200μm가 바람직하며, 반도체 제조공정에서 다이싱 된 칩의 픽업을 원활하게 하기 위한 익스팬딩성 면에서 두께는 50~150μm인 것이 더욱 바람직하다.
상기 기재층 상에 형성되는 자외선 경화형 웨이퍼 다이싱용 점착층의 경우 종래의 반도체 패키지 제조공정에 있어서 다이싱공정 용도로 일반적으로 시판되고 있는 자외선 경화형 다이싱필름 제품들 중에서 적합한 제품을 선정하여 사용하거나 점착층을 직접 제조하여 사용할 수도 있다.
이하 본 발명에 따른 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만 본 발명의 범위를 하기에 제시한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
점착층의 제조
(A1) 냉각수를 이용하여 80℃로 온도를 유지할 수 있는 1ℓ 유리 반응기에 교반기와 환류콘덴서를 설치하고 온도계로 반응시간에 따른 온도변화를 감지할 수 있는 장치를 이용하여 중합하였다. 에틸아세테이트와 중합하려고 하는 부틸아크릴레이트 48.17g, 에틸아크릴레이트 10.01g 및 2-히드록시에틸메타아크릴레이트 3.26g을 중합 반응기에 넣고 질소를 충진한 후 30분간 교반하면서 가스를 제거하였다. 그리고, 중합개시제로서 벤조일퍼옥사이드(70%) 0.54g을 에틸아세테이트에 녹여 적하깔대기를 이용하여 적하시킨 후, 80℃에서 12시간 환류시켜 중합을 실시하였다. 중합 후의 고형분의 함량을 40%가 되도록 에틸아세테이트 용매로 보정하여 점도가 23℃ 온도에서 10,000-15,000cps 이내인 아크릴 점착제 용액을 얻었다.
상기 점착제 용액 35g에 방향족 다가 이소시아네이트 경화제로 코로네이트-L(니폰폴리우렌탄사) 0.8g, 광경화형 올리고머로 CN-940(우레탄아크릴레이트, 사토머사) 8g 및 광개시제로 이가큐어184(시바스페셜티사) 0.5g을 용제 내에서 잘 혼합한 후 두께가 100um인 폴리프로필렌필름 재질의 기재필름상에 상기 광경화형 점착제 조성물을 두께가 10um가 되도록 균일하게 도포한 후 80℃, 10분 건조시킴으로써 자외선 경화형 다이싱 필름을 얻을 수 있었다.
(A2) (A1)에서 제조한 아크릴점착제 용액 35g에 경화제로 코로네이트-L(니폰폴리우렌탄사) 0.8g과 광경화형 올리고머로 우레탄아크릴레이트(사토머사, CN-940) 3.8g, 실리콘아크릴레이트(사토머사, CN-9800) 0.6g 및 광개시제로 이가큐어184(시바스페셜티사) 0.2g을 혼합한 것을 제외하고는 모두 동일한 조건으로 다이싱용 점착필름을 얻었다.
(A3) 상기 점착제 중합물과의 특성비교를 위하여 일반품인 자외선 경화형 다이싱점착필름(일본 전기화학사 제조 UV경화형 점착필름, 제품명 : UHP-110M3)을 이용하였다.
접착층의 제조
하기의 표 1에서와 같이 아크릴, 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지 등의 열가소성수지와 에폭시 수지, 페놀수지 및 경화촉진제로 구성되는 열경화성 수지의 성분들을 동표에 나타내는 비율로 배합한 다이본딩용 접착층 조성물과 이 혼합용액을 이형처리한 폴리에스테르 필름 상에 도포한 후 140℃에서 5분 동안 열풍 건조기내에서 혼합용제를 건조, 제거시킴으로써 두께가 20um인 B-스테이지 특성의 다이본딩용 접착필름을 얻었을 수 있었다.
Figure 112011044686385-pat00003
에폭시 수지1 : 비스페놀 A 에폭시
(국도화학 YD-011 당량:450g/eq, 연화점:70℃ )
에폭시 수지2 : 크레졸노볼락 에폭시
(국도화학 YDCN-505 당량:200g/eq, 연화점:62℃)
에폭시 수지3 : 크레졸노볼락 에폭시
(국도화학 YDCN-509 당량:205g/eq,연화점:93℃)
에폭시 수지4 : 비스페놀 A 에폭시
(국도화학 YD-128 당량:180g/eq)
경화제1 : 페놀노볼락수지
(코오롱유화 KPH-F2004, OH당량:106g/eq, 연화점:120℃)
경화제2 : 아미노트리아진노볼락수지
(다이니폰잉크화학공업 LA-3018-50P, OH당량:151g/eq, N=18%, 연화점: 125℃)
경화제3 : 비스페놀A노볼락수지
(다이니폰잉크화학공업 KH-6021, OH당량:118g/eq, 연화점:132℃)
경화제4 : 페놀노볼락수지
(코오롱유화 KPE-F2000, OH당량:106g/eq, 연화점:66℃)
경화제5 : 크레졸노볼락수지
(코오롱유화 KCE-F2110, OH당량:120g/eq, 연화점:111℃)
가소성수지1 : 아크릴산공중합체
(나가세켐텍 WS-023, 중량평균분자량(Mw):500,000, 유리전이온도:-5℃)
가소성수지2 : 폴리이미드수지
(신에츠사 분자량 : 30,000 유리전이온도 75℃)
가소성수지3 : 폴리에스테르수지
(에스케이씨 ES-360, 유리전이온도 : 17℃ 수평균분자량:28,000)
가소성수지4 : 폴리에스테르수지
(에스케이씨 ES-100, 유리전이온도 : 65℃ 수평균분자량:21,000)
경화촉진제 : 이미다졸 화합물 (시코쿠화성, 큐아졸 2PH)
상기의 과정에서 얻은 점착층 및 접착층을 이용하여 하기의 표2와 같은 조합으로 점착층 및 접착층을 합지한 다이싱-다이본딩용 다층구조의 접착필름을 제조한 후, 각각의 다층필름에 대해서 다음과 같은 물성평가법에 기준하여 평가한 결과, 하기의 표 2에서와 같이 제반 물성면에서 우수한 접착필름을 얻을 수 있음을 확인할 수 있었다.
Figure 112011044686385-pat00004
(1) 웨이퍼 부착력
다이본딩용 접착제 및 자외선 경화형 점착필름을 합지한 다층필름을 제조(도 1참조)한 후, 이를 다시 60℃의 핫 플레이트 상에 두께가 800㎛인 8인치 실리콘 웨이퍼(디스코 사제 DFG-840 연삭장비로 ＃2300 그라인딩 처리한 웨이퍼)를 올려놓은 다음, 다이본딩용 접착층과 웨이퍼 이면이 밀착되도록 롤라미네이션 장비를 이용하여 롤압력 2000g/cm, 롤이동속도 1 M/분 조건으로 라미네이션을 행하였다. 그 후, 접착필름을 10mm 폭으로 절단한 후, 23℃(실온)에서 30분간 정치 한 후, 23℃의 항온실에서 폴리에스테르필름 기재와 함께 박리각을 180°하여 접착필름을 박리하였을 때 필강도를 측정함으로써 웨이퍼와의 부착력을 측정하였다(접착필름의 인장 속도 300 mm/min).
(2) 자외선 조사 전, 후의 벗김 강도
기재필름상에 미리 코팅된 점착제층 위에 다이본딩용 접착제층을 순서적으로 합지(도 1 참조)한 후, 상기 (1)항과 같은 웨이퍼 부착력 측정조건과 동일하게 웨이퍼 이면에 롤라미네이션을 행한 후, 기재필름과 점착필름을 박리시킴으로써 자외선 조사전의 필강도를 측정하고, 또한 기재필름 측면 방향에서 80mJ/cm2 세기의 자외선을 조사한 후, 박리함으로써 자외선 조사 후 필강도 변화를 측정하였다.
(3) 칩 접착강도
박리강도 측정을 위하여 고하중하에서도 파손되지 않도록 두께가 800㎛ 인 실리콘웨이퍼 이면에 다이본딩용 접착층이 대면되도록 온도 120℃에서 롤라미네이션 한 후, 다시 보호필름을 제거함으로써 나타나는 다이본딩용 접착층 표면과 1 Oz 동박의 경면을 상호 맞대어 100℃ 조건으로 롤라미네이션 하였다.
이 상태로 칩과 동박과의 접착강도를 180° 박리하면서 강도를 측정함으로써 경화 전 접착력을 구하였고, 또한 상기 시편을 175℃ × 2 hr 동안 고온 경화과정을 거친 후, 180°박리강도를 측정하였다.
(4) 내칩핑성
직경 8인치의 실리콘웨이퍼의 이면을 두께 80㎛가 되도록 연마처리한 후 경면처리한 웨이퍼를 이용하였다. 이후 상기 (1)항에서와 같이 다이본딩용 접착층과 60℃ 롤라미네이션을 행하고 9mm × 12 mm 사이즈로 풀 컷팅 다이싱(디스코사제, DFD-651 다이싱장비)을 행하면서 다이싱 시의 칩핑되는 현상 유무를 관측하여 다음과 같은 기준으로 구분하였다.
○ : 칩 가장자리에서 30㎛ 이하 크기로 칩 파편발생
△ : 칩 가장자리에 30~60㎛ 이내의 크기로 칩 파편발생
X : 칩 가장자리에 60㎛ 이상의 크기로 칩 파편발생
(5) 픽업성
직경 8인치의 실리콘웨이퍼의 이면을 두께 100㎛가 되도록 연마처리한 후 경면 처리한 웨이퍼를 이용하였다. 이후 상기 (1)항에서와 같이 다이본딩용 접착층과 60℃ 롤라미네이션을 행하고 9mm × 12mm 사이즈로 풀 컷팅 다이싱(디스코사제, DFD-651 다이싱장비)을 행하였다. 상기와 같이 준비된 샘플을 다이본딩머신을 이용하여 픽업 진행하고 다음과 같은 기준에 의거하여 분류한다.
○ : 100% 픽업 가능하며 재시도 횟수가 20% 이하
△ : 90~100% 픽업 가능하며 재시도 횟수가 20% 이상
X : 픽업성 90% 이하
(6) 기판메움성
다이본딩용 접착필름(20um)에 10mm×10mm로 절단한 커버글라스(130㎛)를 라미네이터를 이용하여 60℃로 라미네이션하였다. 상기와 같이 준비된 샘플을 PCB 상에 다이본딩머신을 이용하여 120℃에서 1.0kgf의 압력으로 1.0초간 압착하였다.
이후 현미경을 이용하여 PCB 회로 패턴 사이로 흘러들어간 양을 계산하여 메움성을 확인하고 다음과 같은 기준에 의거하여 분류한다.
○ : 회로 패턴 메움성 60% 이상
△ : 회로 패턴 메움성 20~60%
× : 회로 패턴 메움성 20% 이하
(7) 내열성
반도체 패키지내에서의 다이본딩용 접착필름의 흡습에 따른 내열내습성을 평가하기 위하여 상기(3)항과 같이 칩과 동박과의 경화시편을 제작한 것을 260℃ 납조에 30초간 침적시킨 후, 현미경 관찰을 통하여 기포생성 여부를 확인하였다. 또한 상기 경화시편을 85℃/85% RH 하에서 48시간 동안 방치하여 흡습 처리한 후 다시 260℃ 납조에 30초간 침적시킴으로써 흡습 후 내열성을 평가하였다.
내열성평가 기준은 다음과 같다.
○ : 기포생성 또는 계면박리 면적이 칩 면적의 5% 이하
△ : 기포생성 또는 계면박리 면적이 칩 면적의 5~30% 이내
× : 기포생성 또는 계면박리 면적이 칩 면적의 30% 이상
상기 [표 2]의 비교예 2 내지 비교예 8을 참조하면, 다이본딩용 접착층에서 무기입자가 빠짐으로 해서 다이싱 시 칩핑 현상이 일어나며 흡습 이후 내열성 측면에서도 문제점을 보이고 있다.
그리고, 상기 [표 2]를 참조하면 본 발명에 포함되는 연화점 120℃ 이상의 페놀 수지를 사용하여 제조된 실시 예 1 내지 실시 예 5의 접착필름이 접착강도와 내칩핑성, 기판 메움성 및 흡습 전후의 내열성에 있어 우수한 결과를 확인할 수 있었다. 반면에 다른 형태의 페놀 수지나 연화점이 120℃ 이하의 페놀 수지를 사용한 비교예 6 내지 비교예 8은 종류에 따라 약간의 차이가 있었으나 내칩핑성, 픽업성, 기판메움성에서 문제가 있었고 흡습 후의 낮은 내열성으로 인해 신뢰성에 문제가 있음을 확인할 수 있었다.
1: 기재층
2: 점착층
3: 접착층

Claims (12)

  1. 기재층, 점착층 및 접착층을 포함하는 반도체 패키지용 접착필름에 있어서,
    상기 접착층은,
    a) 열가소성 수지;
    b) 연화점이 30~100℃인 에폭시 수지 및 연화점이 120℃이상인 경화제를 포함하는 열경화성 수지;를 포함하되,
    상기 경화제는 페놀수지로서, 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
    [화학식 1]
    Figure 112011083847084-pat00007

    (상기 식에서, R1은 각각 동일하거나 상이할 수 있으며 수소원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분자쇄 알킬기, 환상 알킬기, 수산기 또는 아릴기를 나타내고 R2는 페놀, 크레졸 또는 아미노트리아진을 나타내고 n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.)
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 페놀수지의 수산기 당량은 100~300g/eq인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 10~60중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 경화제는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 5~20중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 아크릴산 공중합체, 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지, 폴리에스테르이미드, 폴리에테르이미드, 페녹시, 부타디엔아크릴로 니트릴 공중합 고무로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 아크릴산 공중합체는 히드록시기, 카르복실기 또는 글리시딜기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 관능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 접착층 조성물 전체 100중량부 대비 20~80중량부, 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 접착층 조성물은 경화촉진제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 경화촉진제는 열경화성 수지 100중량부에 대비 0.1~10중량부인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층은 점착층 조성물 전체 100중량부 대비 50~80중량부의 아크릴 공중합체, 10~30중량부의 광경화성 올리고머 및 1~5중량부의 열경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 기재층은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248008B1 (ko) * 2012-05-02 2013-03-27 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
WO2013103284A1 (ko) * 2012-01-06 2013-07-11 주식회사 엘지화학 전자장치의 제조방법
WO2015088282A1 (ko) * 2013-12-13 2015-06-18 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
US9540547B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Lg Chem, Ltd. Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film
WO2017217627A1 (ko) * 2016-06-16 2017-12-21 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
KR101843900B1 (ko) * 2015-04-29 2018-03-30 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101722137B1 (ko) * 2014-01-03 2017-03-31 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
WO2015102342A1 (ko) * 2014-01-03 2015-07-09 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
KR101807807B1 (ko) 2014-11-17 2018-01-18 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
KR102584266B1 (ko) * 2019-05-10 2023-10-05 주식회사 엘지화학 반도체 회로 접속용 접착제 조성물, 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059787A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR100894173B1 (ko) * 2008-03-31 2009-04-22 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101284978B1 (ko) * 2008-04-21 2013-07-10 주식회사 엘지화학 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
KR20090121254A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 엘지화학 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059787A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR100894173B1 (ko) * 2008-03-31 2009-04-22 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9698378B2 (en) 2012-01-06 2017-07-04 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
WO2013103284A1 (ko) * 2012-01-06 2013-07-11 주식회사 엘지화학 전자장치의 제조방법
CN104024360A (zh) * 2012-01-06 2014-09-03 Lg化学株式会社 电子装置的制造方法
KR101454101B1 (ko) * 2012-01-06 2014-10-27 주식회사 엘지화학 전자장치의 제조방법
US10141543B2 (en) 2012-01-06 2018-11-27 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing electronic device
KR101248008B1 (ko) * 2012-05-02 2013-03-27 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
WO2015088282A1 (ko) * 2013-12-13 2015-06-18 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
US9540547B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Lg Chem, Ltd. Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film
KR101843900B1 (ko) * 2015-04-29 2018-03-30 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
US10759971B2 (en) 2015-04-29 2020-09-01 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film
US10865329B2 (en) 2015-04-29 2020-12-15 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor
WO2017217627A1 (ko) * 2016-06-16 2017-12-21 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
US10964445B2 (en) 2016-06-16 2021-03-30 Lg Chem, Ltd. Heating element and manufacturing method therefor

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