JP2009124135A - 半導体用接着部材及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子接用の接着部材の問題点であった粘接着剤のウエハリングへの糊残りに関して、より作業性が大幅に向上した、半導体用接着部材を提供すること。
【解決手段】粘接着剤層と基材層を備える接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）プロトン供与性化合物、（Ｄ）光ラジカル発生剤、並びに（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を含むことを特徴とする半導体用接着部材。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体用接着部材及び半導体装置に関する。

近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ（以下ＭＣＰと略する）と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージなどの新しい形式の実装方法が採用され始め、それに伴い使用される半導体ウエハの厚みもさらなる薄膜化が進んでいる。

従来の半導体素子搭載用支持部材に用いられる接着部材としては液状あるいはフィルム状の接着剤が使用されるのが一般的であるが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており、そのため、近年、微細加工が容易である接着フィルムが多く使われている。

この接着フィルムは、個片貼付け方式あるいはウエハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し、上記接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、上記個片貼付け方式の接着フィルムを用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。

一方、後者のウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼付けさらに接着フィルムの他方の面に半導体ウエハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後上記ウエハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着フィルム付き半導体素子を粘着フィルムより剥離しそれを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムは、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。

このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムと共に用いられる粘着フィルムは、感圧型と紫外線硬化型に大別される。前者の感圧型粘着フィルムは通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく粘着フィルムより剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のような、相反する２つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことにより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから粘着フィルムの在庫管理が複雑化していた。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化が進んだ結果半導体素子が大型化する傾向にあり、またＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品にあっては使用されるＩＣやメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、接着フィルムを剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じていた。

一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着フィルムを粘着フィルムより剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。

さらにウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いる方法にあっては、上記ダイシング工程までに、接着フィルムと粘着フィルムを貼付するといった２つの貼付工程が必要であった。そのため、接着フィルムと粘着フィルムを予め積層した接着部材や、接着フィルムと粘着フィルムの両方の機能を備えた粘接着剤層を有する接着部材が開発されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
特許第３３４８９２３号公報 特開平１０−３３５２７号公報

しかしながら、現在の粘接着剤層を有する接着部材はウエハとの密着力を確保する為に室温またはラミネート温度でのタック力が強いものが主であったが、その強タック力が故に、ウエハリング上にも粘接着剤が残るという不具合があり、作業性を著しく低下させていた。そこで、本発明は、半導体素子接用の接着部材の問題点であった粘接着剤のウエハリングへの糊残りに関して、より作業性が大幅に向上した、半導体用接着部材及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、粘接着剤層内に特定の粒子径を有する微粒子を添加することにより、粘接着剤層に要求されるピックアップ性などの他の特性を維持しつつ表面のタックを抑えることが可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、粘接着剤層と基材層を備える接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）プロトン供与性化合物、（Ｄ）光ラジカル発生剤、並びに（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を含むことを特徴とする半導体用接着部材に関する。
本発明の半導体用接着部材において、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、かつそのエポキシ基含有反復単位の量が０．５〜６重量％であることが好ましい。
また、本発明の半導体用接着部材が有する粘接着剤層において、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）プロトン供与性化合物を０．１〜２０重量部、（Ｄ）光ラジカル発生剤を０．５〜５０重量部、（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を１０〜５００重量部含有することが好ましい。
また、本発明の半導体用接着部材においては、粘接着剤層の加熱硬化後の貯蔵弾性率が、２５℃で１０〜５０００ＭＰａ、２６０℃で１〜５０ＭＰａであることが好ましい。
本発明の半導体用接着部材は、粘接着剤層に放射線を照射することで、前記粘接着剤層と基材層界面の接着強度を制御することが可能である。
また、本発明は、上記半導体用接着部材を用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置に関する。

半導体素子接用の粘接着剤組成物の問題点であった粘接着剤のウエハリングへの糊残りに関して、フィルム内に粒子を添加することにより作業性が大幅に向上した、半導体用接着部材及びこれを用いた半導体装置を提供することが可能となった。

本発明の接着部材は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、光重合性開始剤として（Ｃ）プロトン供与性化合物、（Ｄ）光ラジカル発生剤、さらに（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を含む粘接着剤層と、基材層とを少なくとも備えていることを特徴とする接着部材である。

本発明の接着部材は、ダイシング工程では、半導体素子が飛散しない程度に十分な粘着力を有し、半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に接合するために、半導体素子をピックアップする時には放射線照射により粘接着剤層と基材層界面の接着強度を制御することで各素子を傷つけることがない程度の低い粘着力を有するという要求を満足する粘着フィルムとして作用し、かつ半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合するダイボンド工程ではそれらの接続信頼性を優れたものとする接着フィルムとして作用する接着部材であり、ダイシングおよびダイボンドの各工程を一つの接着部材で完了することができる。

（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤
本発明の接着部材に使用する上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。

本発明の接着部材に使用する上記エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。

（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分
本発明の接着部材において、官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基、ニトリル基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。
高分子量成分としては、例えば、分子内に１個以上の官能性基を有する（メタ）アクリル共重合体（アクリルゴム）、好ましくはグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などを用いることができ、さらにこれがエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂成分と非相溶であることが特に好ましい。

本発明において、高分子量成分を得るための材料として官能性モノマーを用いることにより、高分子量成分に官能性基を導入することが可能である。官能性モノマーとしては、例えば、上述の官能性基を有するモノマーが挙げられる。具体的には、グリシジル（メタ）アクリレート、アクリロニトリル、イソシアネート類などを用いることができる。なお、官能性モノマーとは官能基を有するモノマーのことを意味する。また、グリシジル（メタ）アクリレートとは、グリシジルアクリレートとグリシジルメタクリレートの両方を示す。
本発明において用いられるイソシアネート類としては、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどや、これらをイソシアヌレート変性、ビューレット変性、トリメチロールプロパン等多価アルコールでアダクト変性したものが挙げられる。

脂肪族環を有するジイソシアネート類としては、例えばイソホロンジイソシアネート、ビス（イソシアネートメチル）ビシクロヘプタン、ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン及びビス（イソシアネートシクロヘキシル）メタンなどがある。さらに、イソシアネート類として、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート、リジンエステルトリイソシアネート、ウンデカントリイソシアネート、ヘキサメチレントリイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、及びこれらイソシアネート化合物の重合体、誘導体、変性体、水素添加体等が挙げられる。イソシアネート類の好ましい官能数は、２又は３である。

また、上記官能性モノマーとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、等が挙げられる。なお本発明において、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとは、ヒドロキシエチルアクリレートとヒドロキシエチルメタクリレートの両方を示す。

また、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等の官能基モノマーを含む高分子量成分における他の共重合モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。なお本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を、ブチル（メタ）アクリレートとは、ブチルアクリレートとブチルメタクリレートの両方を示す。

また、上記アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。

また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有反復単位の量は、０．５〜６重量％であることが好ましく、０．５〜５重量％であることがより好ましく、０．８〜５重量％であることが特に好ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着強度を確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。

モノマーを重合させて上記重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法は特に制限されず、例えば、懸濁重合、溶液重合等の方法を使用することができる。

本発明において、高分子量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、部材状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため配線の回路充填性を確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。

（Ｃ）プロトン供与性化合物
本発明の接着部材を形成する粘接着剤層には、紫外線等の活性光の照射によってプロトンを生成するプロトン供与性化合物が成分として含有される。使用するプロトン供与性化化合物としては特に制限はなく、具体的にはイミダゾール類、メルカプタン類等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ、使用量としては、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して通常０．１〜２０重量部であることが好ましい。

（Ｄ）光ラジカル発生剤
また、本発明の接着部材を形成する粘接着剤層には、紫外線等の活性光の照射によってラジカルを生成する光ラジカル発生剤が成分として含有される。使用する光ラジカル発生剤については特に制限はなく、具体的には、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア９０７」）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア３６９」）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）及びベンゾイソオキサゾロン誘導体等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ、使用量としては、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して通常０．５〜５０重量部であることが好ましい。

（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子
本発明においては、無機または樹脂微粒子として、平均粒子径（メディアン径、体積平均）が１ｎｍ〜３５０ｎｍである微粒子を用いる。これよりも大きいと紫外線を照射した際に光を吸収し、粘接着剤層の硬化を阻害し、ピックアップ性が低下するという傾向がある。

無機微粒子としては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、微粒子の形状は特に制限されるものではない。これらの微粒子は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

また、樹脂微粒子としても特に制限は無くポリエステル樹脂、ポリエステルポリウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、アセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、変性オレフィン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、エチレン−アクリル酸共重合体、アクリル酸エステル共重合体、スチレンアクリル共重合体、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂などが用いられる。

前記した樹脂微粒子の樹脂は、次のモノマーを原料とする重合体又は共重合体を用いることもできる。なお、以下において、（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基又はメタアクリロイル基の意味で用いる。

分子中に（メタ）アクリロイル基を１個有するモノマーとしては、メチルメタクリレ−ト、エチルメタクリレ−ト、オクチルメタクリレ−ト等の脂肪族アルコ−ルのメタクリル酸エステル、メチルアクリレ−ト、エチルアクリレ−ト、ブチルアクリレ−ト、オクチルアクリレ−ト等の脂肪族アルコ−ルのアクリル酸エステル、シクロヘキシルアクリレ−ト、シクロヘキシルメチルアクリレ−ト等の脂環式アルコ−ルのアクリル酸エステル、シクロヘキシルメタクリレ−ト、シクロヘキシルメチルメタクリレ−ト等の脂環式アルコ−ルのメタクリル酸エステル、フェニルアクリレ−ト、４−プロモフェニルアクリレ−ト、ベンジルアクリレ−ト、ベンジルメタクリレ−ト等の芳香族基を含むアクリル酸エステル、フェニルメタクリレ−ト、４−クロルフェニルメタクリレ−ト、ベンジルメタクリレ−ト等の芳香族基を含むメタクリル酸エステル、２−ヒドロキシエチルアクリレ−ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト等のアクリル酸又はメタクリル酸のヒドロキシアルキルエステル等がある。

分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するモノマーとしては、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，３−ジアクリロキシ−２−プロパノールポリエチレングリコールジアクリレート等のアクリル酸ジエステル、エチレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ジメタクリロキシ−２−プロパノール等のメタクリル酸ジエステル、グリセリントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等のアクリル酸トリエステル、グリセリントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート等のメタクリル酸トリエステル等がある。

分子中に１つのビニル基を有するモノマーとしては、スチレンモノマー、メチルスチレン、エチルスチレン、プロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、ヘプチルスチレン、オクチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、ジエチルスチレン、トリエチルスチレンなどのアルキルスチレンモノマー、フロロスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、ヨードスチレン、ジブロモスチレンなどのハロゲン化スチレンモノマー、ニトロスチレンモノマー、アセチルスチレンモノマー、メトキシスチレンモノマー、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール、酢酸ビニル、アクリロニトリル、塩化ビニル、臭化ビニル、塩化ビニリデン、臭化ビニリデンなどのハロゲン化ビニル又はビニリデン等がある。

本発明の接着部材を形成する粘接着剤層は、上記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）プロトン供与性化合物、（Ｄ）光ラジカル発生剤および（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を主成分として含有するが、前記（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部としたとき、前記（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は１０〜４００重量部、（Ｃ）プロトン供与性化合物は０．１〜２０重量部、（Ｄ）光ラジカル発生剤は０．５〜５０重量部（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子は１０〜５００重量部であることが好ましい。

本発明の接着部材を形成する粘接着剤層の厚みは、特に制限はないが、５〜２５０μｍが好ましい。５μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。

また、本発明の接着部材における粘接着剤層は、所望の厚さを得るために、２層以上を貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しにくいような貼り合わせ条件が必要である。

また、本発明の接着部材を形成する粘接着剤層は、紫外線を照射して、光重合により基材との接着力低下させた後加熱硬化した段階で、貯蔵弾性率が２５℃で１０〜５０００ＭＰａ、２６０℃で１〜５０ＭＰａであることが好ましく、２５℃で１０〜２０００ＭＰａ、２６０℃で３〜５０ＭＰａであることがより好ましい。さらに、２５℃での貯蔵弾性率は、２０〜１９００ＭＰａがより好ましく、５０〜１８００ＭＰａが特に好ましい。また、２６０℃での貯蔵弾性率は、５〜５０ＭＰａがより好ましく、７〜５０ＭＰａが特に好ましい。貯蔵弾性率が上記の範囲にあると、半導体素子と支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、粘接着剤層の取り扱い性に優れ、リフロークラックの発生を抑制できる。上記加熱硬化の条件は粘接着剤層の組成によっても異なるが、通常１２０〜２４０℃、５〜６００分の範囲である。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、粘接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−５０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。

また、本発明の接着部材を形成する粘接着剤層には、さらに不飽和結合を有する放射線重合性モノマーを含有させることができる。不飽和結合を有する放射線重合性モノマーとしては、紫外線や電子ビームなどの放射線が照射されると重合・硬化する化合物であればよく、特に制限は無いが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレートなどを使用することができる。これらの放射線重合性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお本発明において、（メタ）アクリレートとは、アクリレートとメタクリレートの両方を示す。

上記不飽和結合を有する放射線重合性モノマーの使用量は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、５〜３０重量部とすることが好ましい。

また、本発明の接着部材を形成する粘接着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。

上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ（β−アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ（β−アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ（β−Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピルービスートリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウムージーｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウムージーｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部とすることが好ましい。

本発明の接着部材を形成する粘接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られるＮ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミンなどの化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系、マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して０．０１〜５重量部とすることが好ましい。

粘接着剤層の組成物（粘接着剤組成物）は、上記の成分を溶剤とともに混合し、溶解ないし分散することによりワニスとして調製することができるが、粘接着剤層に微粒子を添加した際のワニスの製造には、微粒子の分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、微粒子と低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。

上記のワニス化に用いることのできる溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。次いで、得られたワニスを基材に塗布し、乾燥することにより接着部材を得ることができる。

また、本発明の接着部材は、例えば、粘接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、まず、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、のような支持フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより粘接着剤層を支持フィルム上に形成し、この粘接着剤層を基材層に貼り合せることにより、粘接着剤層を支持フィルムと基材層の間に粘接着剤層が存在する接着部材を作製することもできる。この場合には、支持フィルムをカバーフィルムとして用いることもできる。

基材層上または支持フィルム上へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。

本発明の接着部材を形成する上記基材層としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ酢酸ビニルフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用することもできる。

基材層のフィルムは、使用時に剥離して粘接着剤層のみを使用することもできるし、基材層のフィルムを剥離せずに使用し、後で除去することもできる。

また、基材層の厚みは、特に制限はないが、３０〜３００μｍが好ましく、４０〜２５０μｍがより好ましく、５０〜２００μｍが特に好ましい。３０μｍより薄いと、ダイシング時に基材層まで切断され易くなり、チップが飛散し易くなる傾向があり、３００μｍより厚いと経済的でなくなる。

半導体装置の製造する際の、接着部材を用いて半導体チップを半導体素子搭載用支持部材へ貼り付ける方法の一例を、図１、２を参照して説明する。
まず、上記のようにして基材層１、粘接着剤層２および支持フィルム３を備えた接着部材（図１）を作製した後、支持フィルムを剥がし、粘接着剤層２の上面に、ダイシング加工すべき半導体ウエハを貼着した後、半導体ウエハをダイシングし洗浄、乾燥する。この際、粘接着剤層２により半導体ウエハは接着部材に充分に保持されているので、上記各工程の間に半導体ウエハが脱落することはない。

次に放射線を接着部材の粘接着剤層２に照射し、放射線重合性を有する粘接着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、放射線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても良い。接着部材への放射線照射は、基材層１の面から行う。したがって、前述のように、放射線としてＵＶを用いる場合には基材層１は光透過性である必要があるが、放射線としてＥＢを用いる場合には基材層１は必ずしも光透過性である必要はない。

放射線照射後、ピックアップすべき半導体素子４を、例えば吸引コレット等により順次ピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子４を基材層１の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。半導体素子４と粘接着剤層２との間の接着強度は、粘接着剤層２と基材層１との間の接着強度よりも大きいため、半導体素子４のピックアップを行うと、粘接着剤層２が半導体素子４の下面に付着した状態で剥離する。

次いで、各半導体素子４を粘接着剤層２を介して半導体素子搭載用支持部材５に載置し加熱する。加熱により粘接着剤層２は接着強度が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。

次いで、ボンディングや樹脂封止などを行うことにより半導体装置が得られる半導体素子搭載用支持部材としてはリードフレーム、配線基板、レジストなどの基板、半導体チップを積層していく際の半導体チップなどがあげられる。

本発明の半導体素子搭載用支持部材に用いる配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。

このようにして得られる本発明の半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではなく、何れの場合でも効果がある。

半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率の粘接着剤層を有する接着部材を用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、半導体素子搭載用支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。

また、本発明の接着部材の特性として、前記接着部材を半導体素子搭載用支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、粘接着剤層からの分解物などの揮発分を抑制できる。

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
４Ｌガラス釜を用い、純水および、分散剤としてポリビニルアルコールを加え、モノマーとしてブチルアクリレート（４４重量部）、エチルアクリレート（２７重量部）、グリシジルメタクリレート（３重量部）、ヘキサメチレンジイソシアネート（１３重量部）、アクリロニトリル（１３重量部）触媒としてラウロイルパーオキサイド、連鎖移動剤として、ノルマルオクチルメルカプタンを加え、６０℃の湯浴で重合させ、アクリルゴム（重量平均分子量１０万以上）を得た（１）。無機微粒子としてはＲ−９７２（日本アエロジル株式会社製）のシクロヘキサノン溶液をビーズミルによって平均粒子径（存在率５０％）が１００ｎｍ、最大粒子径（存在率１００％）が３００ｎｍになるまで分散させた（２）。エポキシ樹脂としてＹＤＦ−８１７０Ｃ（東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）５５重量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製）４５重量部、シランカップリング剤としてＮＵＣ Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製）０．７重量部、プロトン供与性化合物としてアンテージＭＢ（川口化学株式会社製）１．２重量部、光ラジカル発生剤としてイルガキュア６５１（チバ・ガイギー株式会社製）１８重量部、放射線重合性化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（新中村化学株式会社製商品名、ＮＫエステルＡ−ＤＰＨ）３０重量部、無機微粒子（２）からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。これにアクリルゴム（１）２００重量部を混合し、真空脱気した。ワニスを厚さ７５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が７５μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、基材層と粘接着剤層を備えた接着部材を作製した。
なお、粒子径は、日機装株式会社製マイクロトラック粒度分布測定装置ＭＴ３０００ＩＩを用いて測定した。

（実施例２）
メタクリル酸メチル６５ｇ、エチレングリコールジメタクリレート６ｇ、蒸留水１８００ｇ、及び過硫酸アンモニウム３ｇを混合撹拌し、室温から８０℃に昇温させて２時間重合を行った。こうして得られる架橋ポリメタクリル酸粒子を減圧下８０℃で水を揮発させて乾燥し、得られる粒子をシクロヘキサノン中に再分散させ、平均粒子径が３００ｎｍのポリマ微粒子を得た。このポリマ微粒子を無機微粒子の代わりに用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、基材層と粘接着剤層を備えた接着部材を作製した。

（比較例１）
実施例１で使用した無機粒子として平均粒子径が５００ｎｍ、最大粒子径が２０００ｎｍのものを使用した以外は同様の操作を行った。

（比較例２）
実施例１で使用した無機粒子としてビーズミルにより平均粒子径が１０００ｎｍ、最大粒子径が１００００ｎｍのものを使用した以外は同様の操作を行った。

（比較例３）
実施例１で使用した無機粒子を使用しなかった以外は同様の操作を行った。

各種の測定は以下の通り行った。
＜ダイシェア強度、ピックアップ性＞
半導体ウエハに各種フィルムをラミネートし、ダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした後に、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、粘接着剤層付き半導体チップを基材層からピックアップを行い、その成功率をカウントした。また、得られたチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１２０℃−０．１ＭＰａ−５ｓｅｃの条件でダイボンディングし、１７５℃、３時間の後硬化を加え評価サンプルを吸湿前とした。このサンプルを８５℃８５％の恒温恒湿層にて２４時間吸湿させたものを吸湿後とした。この評価サンプルを２６５℃の熱板上で２０ｓｅｃ保持した後、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μｍの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）により測定した。

＜糊残り性＞
半導体ウエハリングに各種フィルムをラミネートし、これを手動にて引き剥がしたときのウエハリングへの粘接着剤の付着が少しでも生じた場合を×、糊残りなく引き剥がせた場合を○とした。

＜ピール強度＞
各種フィルムを２５ｍｍ×５０ｍｍに裁断したサンプルの、Ｔ字ピール強度を測定した。また、このサンプルに照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量２００ｍＪとなるように紫外線照射し、照射後のＴ字ピール強度を測定した。

＜貯蔵弾性率＞
４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断した各種フィルムを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２５℃、２６０℃の値を測定した。

＜耐ＰＣＴ＞
５ｍｍ角に切断された半導体素子及び粘接着剤層と、厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボールを形成）を作製し、サンプル表面の最高温度が２６０℃でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察した。試料１０個すべてでクラックの発生していないものを○とし、１個以上発生していたものを×とした。

半導体素子接用の粘接着剤組成物の問題点であった粘接着剤のウエハリングへの糊残りに関して、フィルム内に粒子を添加することにより作業性が大幅に向上した、半導体用接着部材及び半導体装置を提供することが可能となった。
また、粘接着剤層に含まれる微粒子の粒子径を制御することにより、ＵＶ照射による光の散乱を防ぐことが可能となり、粘接着剤層の硬化の阻害を防止し、優れたピックアップ性を得ることができた。

本発明に係る基材層と粘接着剤層とを備えた接着部材の一例の断面図である。 粘接着剤層付きの半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に熱圧着した状態を示す図である。

符号の説明

１ 基材層
２ 粘接着剤層
３ 支持フィルム
４ 半導体素子
５ 半導体素子搭載用支持部材

Claims (6)

1. 粘接着剤層と基材層を備える接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）プロトン供与性化合物、（Ｄ）光ラジカル発生剤、並びに（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を含むことを特徴とする半導体用接着部材。
2. （Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、かつそのエポキシ基含有反復単位の量が０．５〜６重量％である、請求項１記載の半導体用接着部材。
3. 粘接着剤層において、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対し、（Ｂ）分子内に１個以上の官能性基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）プロトン供与性化合物を０．１〜２０重量部、（Ｄ）光ラジカル発生剤を０．５〜５０重量部、（Ｅ）平均粒子径が１〜３５０ｎｍである無機または樹脂微粒子を１０〜５００重量部含有する、請求項１または２に記載の半導体用接着部材。
4. 粘接着剤層の加熱硬化後の貯蔵弾性率が、２５℃で１０〜５０００ＭＰａ、２６０℃で１〜５０ＭＰａである、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用接着部材。
5. 粘接着剤層に放射線を照射することで、前記粘接着剤層と基材層界面の接着強度を制御する、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用接着部材。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体用接着部材を用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置。

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