JP2008101183A - 粘接着シート、これを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

粘接着シート、これを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できるとともに、半導体装置の製造過程において熱が加えられても粘接着剤層が十分な流動性を維持できる粘接着シートを提供すること。
【解決手段】本発明の粘接着シート１は、表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以下の支持基材１０及び粘接着剤層２０を備える。粘接着剤層２０は、（Ａ）分子量が６０万以上１００万以下の高分子量成分、（Ｂ）分子量が１０万以上６０万未満の高分子量成分、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（Ｅ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、及び（Ｆ）紫外線照射により塩基とラジカルを発生する光開始剤を含有し、（Ａ）成分の含有量ＷＡ（質量％）及び（Ｂ）成分の含有量ＷＢ（質量％）はＷＡ≧ＷＢの条件を満たす。
【選択図】図１

Description

本発明は、粘接着シート、これを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体素子とこれを搭載する支持部材との接合に用いるダイボンド材として、銀ペーストが使用されてきた。しかし、半導体素子の小型化・高性能化に伴い、銀ペーストに代えてフィルム状接着剤が主に使用されている。最近では、このフィルム状接着剤についての研究開発が進展し、ウエハ固定機能と半導体素子接着機能とを併せ持つ粘接着シート（ダイシング・ダイボンディングテープ）が種々提案されている（例えば、特許文献１〜５参照）。
粘接着シートは、一般に以下のようにして使用される。まず、粘接着シートの接着剤層を半導体ウエハの回路面とは反対側の面（裏面）全体に貼り付けた後に、ダイシングソウによって半導体ウエハ及びの接着剤層を個片化する（ダイシング工程）。このダイシング工程後、チップ裏面に接着剤層が残存している状態で支持基材からチップをピックアップし（ピックアップ工程）、リードフレーム等にマウントした後、加熱などにより接着剤層を硬化させ接着を行う。
粘接着シートは感圧型及び紫外線照射型の２種類のタイプに大別される。感圧型の粘接着シートは支持基材上に塗布された感圧型のダイシング用粘着剤層上に、ダイボンディング用の接着剤層を積層したものである（特許文献１参照）。他方、紫外線照射型の粘接着シートは支持フィルム上に塗布されたダイシング用の粘着剤層上に、ダイボンディング用の接着剤層を積層したものであり、この粘着剤層は紫外線が照射されると粘着力が低下する組成物で構成されている（特許文献２参照）。
特開２００６−５１５９号公報 特開２００５−２７６９７１号公報 特許第１９８７０３４号公報 特開平１０−８００１号公報 国際公開第０５／１１２０９１号パンフレット
感圧型の粘接着シートは、作製のプロセスが簡単であると共に保管条件が寛容であるという特長を有している。しかしながら、粘接着シートはダイシング時には十分な粘着力を要し、ピックアップ時には低い粘着力が望ましいという相反する性能が要求される。そのため、感圧型の場合は、粘着力の公差を小さくした、半導体素子のサイズや加工条件にあった各種の粘着力を有する多種の粘接着シートを揃える必要があり、在庫管理が複雑化する。
一方、紫外線照射型の粘接着シートは、ダイシング時の高い粘着力及びピックアップ時の低い粘着力を実現し得る。しかしながら、紫外線照射型の粘接着シートは、感圧型のものと比較して、保管条件が寛容ではなく、低温や光を遮断した条件下での保管を要するものもある。また、ダイシング用の粘着剤層とダイボンディング用の接着剤層とが融着してしまい、紫外線照射後のピックアップ作業を効率的に行えない場合も多かった。
なお、上記の特許文献３に記載の粘接着シートは、硬化物の耐熱性が不十分であり、この点について改善の余地がある。この粘接着シートを使用して半導体パッケージを製造した場合、当該半導体パッケージの耐熱性に係る信頼性が不十分となるおそれがある。特許文献４に記載の粘接着シートは、光照射によって粘接着剤層を硬化させて半導体ウエハとの密着力を低下させるものであり、粘接着剤層において種々の光反応性モノマーが用いられている。しかしながら、そこで使用する光反応性モノマーは紫外線照射後の耐熱性が不十分であるため、熱時接着力や耐リフロー性について改善の余地がある。
一方、特許文献５に記載の粘接着シートは、半導体装置製造工程の簡略化に寄与するとともに、厳しい湿熱条件に曝した後に赤外線リフロー（ＩＲリフロー）を行っても十分な接着力を維持できるという特長を有している。ここで、厳しい湿熱条件とは、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体パッケージに要求される湿熱条件（例えば、温度：８５℃、相対湿度：８５％、保持時間：１６８時間）である。しかしながら、当該粘接着シートを、複数の半導体素子が垂直方向に積層されてなるＳｔａｃｋｅｄ−ＣＳＰの製造に用いる場合、当該半導体パッケージの製造過程（例えば、ワイヤーボンディング工程）における加熱処理によって粘接着剤層が半硬化すると、その流動性が不十分となる場合があり、この点について改善の余地があった。
そこで、本発明は、上記実情に鑑み、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できるとともに、半導体装置の製造過程において熱が加えられても粘接着剤層が十分な流動性を維持できる粘接着シートを提供することを目的とする。また、本発明は、この粘接着シートを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の粘接着シートは、表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以下の支持基材と、該支持基材上に設けられた粘接着剤層と、を備え、粘接着剤層は以下の（Ａ）〜（Ｆ）に記載の成分：
（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が６０万以上１００万以下である第１の高分子量成分（以下、「（Ａ）成分」とも称す。）、
（Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上６０万未満である第２の高分子量成分（以下、「（Ｂ）成分」とも称す。）、
（Ｃ）エポキシ樹脂（以下、「（Ｃ）成分」とも称す。）、
（Ｄ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤（以下、「（Ｄ）成分」とも称す。）、
（Ｅ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上である光反応性モノマー（以下、「（Ｅ）成分」とも称す。）、及び、
（Ｆ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤（以下、「（Ｆ）成分」とも称す。）、を含有する。そして、粘接着剤層における（Ａ）成分（第１の高分子量成分）の含有量ＷＡ（質量％）及び（Ｂ）成分（第２の高分子量成分）の含有量ＷＢ（質量％）は下記式（Ｉ）で表される条件を満たしている。
ＷＡ≧ＷＢ … （Ｉ）
粘接着剤層が上記成分を含有することで本発明に係る粘接着シートがダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる理由は下記のように推察される。
（１）上記式（Ｉ）の条件を満たす配合量の（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を併用することによって、（Ａ）成分又は（Ｂ）成分の一方のみを使用した場合や式（Ｉ）の条件を満たさない場合と比較して、粘接着剤層に含まれる高分子量成分の分子の大きさ（分子量）の分散性が高まる。粘接着剤層に種々の大きさの高分子量成分を含有せしめることで、半導体装置の製造過程における加熱によって粘接着剤層が半硬化の状態となっても優れた流動性を維持できると推察される。
（２）（Ｄ）成分に係る硬化剤と（Ｅ）成分に係る光反応性モノマーとを併用することにより耐熱性が向上し、耐リフロークラック性に優れた粘接着剤層の硬化物を得ることができると推察される。
（３）（Ｄ）成分に係る硬化剤及び（Ｅ）成分に係る光反応性モノマーとともに、（Ｆ）成分に係る光開始剤を配合することで、光が当たらない状態ではエポキシ樹脂及び光反応性モノマーの反応はほとんど進行せず、粘接着剤層自体の流動性が保持される。このため、保存安定性に優れた粘接着シートを得ることができる。そして、光を照射すれば光反応が促進されると同時にエポキシ樹脂の硬化促進剤が発生するため、加熱するとスムーズにエポキシ樹脂の硬化が進行する。このようなメカニズムにより保存安定性及び反応性の両立を高水準に達成できると推察される。
なお、本発明において、「支持基材の表面自由エネルギー」は、接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により算出した値である。
Figure 2008101183
［式中、θ１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］
また、本発明において、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値を示す。また、上記「硬化物のガラス転移温度」は、（Ｅ）成分に係る光反応性モノマーに上記（Ｆ）成分に係る光開始剤を添加し、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射して得られた硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形したものを測定用試料とし、この測定用試料を「ＥＸＳＴＲＡ６０００」（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて圧縮モードにより測定した値である。
本発明の粘接着シートによれば、上記構成を有する粘接着剤層を備え、且つ、表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以下の支持基材を備えることにより、半導体装置の製造において、ダイシング性及びピックアップ性の双方をさらに高水準で両立させることができる。これに加え、半導体素子搭載用の支持部材に半導体素子をより確実に接着させることができる。これらの効果によって、半導体装置の生産性をさらに向上させることが可能となる。また、半導体装置の製造過程において粘接着剤層に熱が加えられ、粘接着剤層が半硬化の状態となった後でも、粘接着剤層は十分な流動性を維持することができる。これにより、耐リフロークラック性が良好となる。
本発明の粘接着シートにおいては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に係る高分子量成分と、（Ｃ）成分に係るエポキシ樹脂とが非相溶性を有することが好ましい。これらの成分が非相溶であることで、硬化反応の進行に伴って相分離が生じ、いわゆる海島構造を形成しやすい。これにより、当該高分子量成分（ポリマー）及びエポキシ樹脂のそれぞれの特性を両立でき、低弾性、接着性、作業性及び高温時信頼性に優れた粘接着剤層の硬化物を得ることができる。
本発明の粘接着シートにおいては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に係る高分子量成分は、同一の官能基を有することが好ましい。また、（Ａ）成分は重量平均分子量が６０万以上１００万以下のアクリルゴムを含有することが好ましく、（Ｂ）成分は重量平均分子量が１０万以上６０万未満のアクリルゴムを含有することが好ましい。（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分がアクリルゴムを含有するものであると、低弾性、流動性、作業性及び高温時信頼性が更に優れた粘接着剤層の硬化物を得ることができる。
粘接着剤層が（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としてアクリルゴムを含有する場合、当該粘接着剤層に含まれるアクリルゴムの分子量分布は二以上のピークを有することが好ましい。粘接着剤層に含まれるアクリルゴムが分子量分布において二箇所以上のピークが有するものであると、分子量分布のピークが一箇所であるものを使用した場合と比較して、優れた流動性を備える粘接着剤層を形成できる。すなわち、半硬化状態の粘接着剤層の流動性をより一層向上させることができる。
本発明においては、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の合計量を１００質量部とすると、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計量は５０質量部以下であることが好ましい。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計量は５０質量部以下の粘接着剤層は、適度な可とう性及び接着力を有するため、耐リフロークラック性が一層良好となる。
また、粘接着剤層は熱硬化性を有するものであり、粘接着剤層の硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、粘接着剤層の硬化後の熱時接着力が１ＭＰａ以上であることが好ましい。本発明の粘接着シートにおいて、粘接着剤層の熱時弾性率及び熱時接着力が上記条件を満たすことにより、耐リフロークラック性がさらに良好となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。
なお、本発明において、上記の「熱時弾性率」は、粘接着剤層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、１７５℃で５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６０℃における値を意味する。
また、上記の「熱時接着力」は、以下のようにして求めた値を意味する。すなわち、粘接着シートを貼り付けた半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後、粘接着剤層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射する。次いで、粘接着剤層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、このチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件でダイボンディングし、１７５℃で５時間加熱して粘接着剤層を硬化させたものを測定用試料とする。この試料を、２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）を用いて測定する。このとき得られた値を上記の「熱時接着力」とする。
本発明の粘接着シートにおいて、紫外線照射後の粘接着剤層からの支持基材の９０°ピール強度は１０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。紫外線照射後の支持基材／粘接着剤層の９０°ピール強度が上記条件を満たすことにより、ピックアップ性がさらに良好となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。
なお、本発明において、「紫外線照射後の粘接着剤層からの支持基材の９０°ピール強度」とは、以下のようにして測定される９０°ピール強度を意味する。すなわち、ウエハに粘接着シートを貼り付けた後に、支持基材に２本の切り込みを平行（１ｃｍ間隔）に入れる。そして、粘接着剤層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射した後、切り込みを入れた部分の支持基材を引張り速度１５０ｍｍ／分で剥離することによって、粘接着剤層と支持基材の界面における９０°ピール強度を測定したものである。
また、支持基材の２５℃における弾性率は１０００ＭＰａ以下であることが好ましい。支持基材の２５℃における弾性率が上記条件を満たすことにより、転写性、ダイシング性及びピックアップ性がさらに良好となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。
なお、本発明において、上記の「支持基材の２５℃における弾性率」は、１ｃｍ×５ｃｍの支持基材を測定用試料とし、この試料の両側１ｃｍずつを固定し、（株）オリエンテック製のテンシロンを用いて測定温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／分の条件で引っ張り強度測定を行い、横軸：伸び（％）、縦軸：応力（ＭＰａ）の関係を求め、測定用試料を１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂと原点とを結んだ直線の傾きである（図５参照）。
更に、本発明は、上記粘接着シートを用いて、半導体素子と半導体搭載用の支持部材とが接着されてなる半導体装置を提供する。本発明によれば、上述の本発明の粘接着シートを用いることにより、信頼性に優れる半導体装置を提供することができる。
また、本発明は、上記粘接着シートの粘接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程と、半導体ウエハ及び粘接着剤層をダイシングすることにより、粘接着剤層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着剤層に紫外線を照射して粘接着剤層を硬化させる紫外線照射工程と、紫外線の照射によって硬化した粘接着剤層が付着した半導体素子を支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を、粘接着剤層を介して半導体搭載用の支持部材に接着する接着工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、上述の本発明の粘接着シートを用いることにより、半導体装置の生産性の向上が実現可能となる。すなわち、上記ダイシング工程においてはチップ飛びを十分低減できる効果、上記ピックアップ工程においてはチップがピックアップされない不良を十分低減できる効果、上記接着工程においては半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接着性を十分確保できる効果、及び、接着工程後においては粘接着剤層が半硬化の状態であっても十分流動性が維持され、優れた充填性を確保できる効果が得られ、その結果、信頼性に優れる半導体装置を歩留まりよく製造することができる。
本発明によれば、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できるとともに、半導体装置の製造過程において熱が加えられても粘接着剤層が十分な流動性を維持できる粘接着シートを提供することができる。また、本発明によれば、この粘接着シートを用いて製造される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
なお、本明細書における「（メタ）アクリロイル基」とは「アクリロイル基」及びそれに対応する「メタクリロイル基」を意味し、「（メタ）アクリル共重合体」とは「アクリル共重合体」及びそれに対応する「メタクリル共重合体」を意味し、「（メタ）アクリルエステル共重合体」とは「アクリルエステル共重合体」及びそれに対応する「メタクリルエステル共重合体」を意味する。
（粘接着シート）
図１は、本発明の粘接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される粘接着シート１は、支持基材１０と、支持基材１０上に設けられた粘接着剤層２０と、粘接着剤層２０上に設けられた保護フィルム（剥離基材）３０とから構成されている。
本実施形態において、支持基材１０の表面自由エネルギーは、ピックアップ性を十分良好な水準にする観点から５０ｍＮ／ｍ以下であることが必要であるが、好ましくは２０〜５０ｍＮ／ｍであり、より好ましくは３０〜４５ｍＮ／ｍである。支持基材１０の表面自由エネルギーが２０ｍＮ／ｍより小さいと、支持基材と粘接着剤層との界面の密着力が低いため、保護フィルム３０を剥がす際に粘接着剤層／支持基材界面の一部が剥離する可能性が高くなる。
支持基材１０は、上記の条件を満たすものであればよく、その材質については特に限定されない。本実施形態で用いる支持基材１０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、上記のフィルムは、光透過性が高いことが好ましく、具体的には、２００〜４５０ｎｍの波長域における最小光透過率が５０％以上であることが好ましい。
本実施形態の粘接着シート１は、使用時に剥離基材を粘接着剤層からスムーズに剥離できるよう支持基材と粘接着剤層との密着力を向上させる目的で、剥離基材上に形成された粘接着剤層が支持基材に熱転写されている。この熱転写の観点から、支持基材１０は、２５℃において１０００ＭＰａ以下の弾性率を有することが好ましい。支持基材の弾性率が１０００ＭＰａを超えると、１０００ＭＰａ以下のものと比較して、支持基材１０と粘接着剤層２０とを熱により貼り合わせる場合、剥離基材側に形成された粘接着剤層２０を支持基材１０側に十分に転写しにくくなる。本実施形態においては、支持基材の２５℃における弾性率が１０〜１０００ＭＰａであることがより好ましい。弾性率が１０ＭＰａを下回ると、支持基材としての機能を十分維持することが困難となる傾向にある。さらに、転写性、ダイシング性及びピックアップ性をより一層向上させる観点から、支持基材の弾性率は５０〜１０００ＭＰａであることが更に好ましく、１００〜５００ＭＰａであることが特に好ましい。
支持基材１０は、厚さが５〜２００μｍであることが好ましく、５０〜１５０μｍであることがより好ましく、７０〜１２０μｍであることが特に好ましい。この厚さが５μｍより薄いとダイシング時に支持基材まで切込みを入れた場合に支持基材が切れ易くなる傾向にあり、２５０μｍより厚いと経済的に不利となる傾向にある。
次に、粘接着剤層２０について説明する。
本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着剤層２０は、下記の（Ａ）成分〜（Ｆ）成分を含有してなるものである。
（Ａ）成分：官能基を有し重量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値）が６０万以上１００万以下である高分子量成分、
（Ｂ）成分：官能基を有し重量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値）が１０万以上６０万以下である高分子量成分、
（Ｃ）成分：エポキシ樹脂、
（Ｄ）成分：フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｅ）成分：紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、
（Ｆ）成分：波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤。
以下、粘接着剤層２０に含まれる各成分について詳細に説明する。
＜（Ａ）成分及び（Ｂ）成分＞
官能基を有し重量平均分子量が６０万以上１００万以下である高分子量成分（（Ａ）成分）及び官能基を有し重量平均分子量が１０万以上６０万未満である高分子量成分（（Ｂ）成分）としては、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着性向上の点で、グリシジル基、（メタ）アクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を含有するものが好ましく、中でも架橋性の点でグリシジル基を含有するものが好ましい。
具体的には、（Ａ）成分として、原料モノマーとして少なくともグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを重合させて得られる重量平均分子量が６０万以上１００万以下であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。同様に（Ｂ）成分として、原料モノマーとして少なくともグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを重合させて得られる重量平均分子量が１０万以上６０万未満であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。
粘接着剤層における上記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）、上記（Ｂ）成分の含有量をＷＢ（質量％）とすると、半硬化の状態の粘接着剤層の優れた流動性を確保する観点からＷＡとＷＢは下記式（１）で表される条件を満たす必要がある。
ＷＡ≧ＷＢ … （１）
上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分は、耐リフロー性の点で、上記（Ｃ）成分であるエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。これらの成分が非相溶であると、硬化反応の進行に伴って相分離が生じ、いわゆる海島構造を形成しやすい。これにより、粘接着剤層に係る特性（低弾性、接着性、作業性及び高温時信頼性）を一層向上させることができる。これに伴い、粘接着剤層の耐リフロー性も一層向上する。ただし、相溶性は（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分の特性のみでは決定しないので、それぞれが相溶しない組み合わせを選択することになる。
上記の共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられ、アクリルゴムを用いることがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレートアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。
官能基としてグリシジル基を選択する場合、共重合体モノマー成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。所望の重量平均分子量を有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記のモノマーから適宜モノマーを選択して製造することができる。また、（Ａ）成分として使用可能な市販品として、例えば、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（商品名、ナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。また、（Ｂ）成分として使用可能な市販品として、例えば、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（商品名、ナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分において、それぞれの高分子量成分を構成する成分の種類によっても異なるが、高分子量成分に含まれる官能基の数は架橋密度に影響するので、上記高分子量成分を複数のモノマーの共重合体として得る場合、原料として使用する官能基含有モノマーの量は、共重合体中に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましい。
（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分としてグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を使用する場合、原料として使用するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマーの量は、共重合体に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。共重合体におけるグリシジル基含有モノマーの含有量をかかる範囲とすることで、グリシジル基の緩やかな架橋によって接着力を十分確保できるとともにゲル化を防止することができる。また、（Ｃ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、粘接着剤層が応力緩和性に優れるようになる。
また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等以外に他の官能基が組み込まれていてもよい。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定することが好ましい。具体的には、かかる重合体のガラス転移温度が−１０℃以上となるように混合比率を設定することが好ましい。重合体のガラス転移温度が−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないため好ましい。
（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分として、上記グリシジル基含有モノマーを重合させて得られるグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
本実施形態において、（Ａ）成分の重量平均分子量は６０万以上１００万以下であるが、６５万〜９５万であることが好ましく、７０万〜９０万がより好ましく、７５万〜８５万であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の重量平均分子量は１０万以上６０万未満であるが、１５万〜５５万であることが好ましく、２０万〜５０万がより好ましく、２５万〜４５万であることが特に好ましい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の重量平均分子量が、それぞれ上記範囲内にあると、粘接着剤層の強度、可とう性及びタック性を良好にバランスさせることが容易となるとともに粘接着剤層のフロー性が良好となるため、配線の回路充填性を十分確保できる。
＜（Ｃ）成分＞
（Ｃ）成分として用いるエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えばエポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７及び１００９、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０，３０１及び３６１、東都化成（株）製のＹＤ８１２５及びＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート１５２及び１５４、日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５及び１０２７、東都化成（株）製のＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３及び７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のＥｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製のデナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１及び３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート６０４、東都化成（株）製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１及び４２０６等が挙げられる。キサンテン型エポキシ樹脂としては、大日本インキ化学工業（株）製のＥＸＡ−７３３５及びＥＸＡ−７３３７等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
本実施形態においては、粘接着剤層に高接着力を付与する観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
既に述べたように、（Ｃ）エポキシ樹脂は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と相溶しないものであることが好ましい。
＜（Ｄ）成分＞
粘接着剤層２０に含まれるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、硬化後の粘接着剤層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持することを可能とする。
かかるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等が挙げられる。より具体的には、例えば、フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０（以上、大日本インキ化学工業（株）製、商品名）、ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製、商品名）、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（本州化学工業（株）、商品名）等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
＜（Ｅ）成分＞
本実施形態の粘接着シート１において、粘接着剤層２０が（Ｅ）紫外線照射によって得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマーを含むことにより、紫外線照射後の粘接着剤層の耐熱性が向上するため、熱時接着力及び耐リフロークラック性が良好になる。本実施形態においては、上記硬化物のガラス転移温度が、鉛フリーハンダ対応の２６０℃以上である光反応性モノマーを粘接着剤層に含有させることが好ましい。一方、上記硬化物のガラス転移温度が高すぎる光反応性モノマーは、紫外線照射後の粘接着シートの常温貼り付け性が劣るようになる傾向があるので、かかるガラス転移温度の上限としては３５０℃程度である。
上記（Ｅ）成分の具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート及びペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能アクリレート等が挙げられる。これらの光反応性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。紫外線照射後の残存モノマーをより低減させる観点から、多官能であるもののなかでも、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートやジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが好ましい。より具体的には、Ａ−ＤＰＨ、Ａ−９３００（以上、新中村化学社製、商品名）、Ｄ−３１０（日本化薬（株）製商品名、ＫＡＹＡＲＡＤシリーズ、商品名）等が挙げられる。
なお、複数の（Ｅ）成分を使用する場合、硬化物のガラス転移温度は複数の光反応性モノマーの混合物を上記測定方法で測定したときに得られる値であり、それぞれのモノマーの硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上であることを要しない。
＜（Ｆ）成分＞
本実施形態において用いる波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤（以下、「光塩基発生剤」という場合もある）は、一般的にはα−アミノケトン化合物と呼ばれるものである。このような化合物は、例えば、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ１，２００１等に記載されているもので、紫外線を照射すると下記一般式のように反応する。
Figure 2008101183
本実施形態の粘接着シートは、粘接着剤層に上記の光開始剤を含むことにより、室温での保存安定性と、接着性とを高水準で両立することが可能となる。このような効果が得られる理由としては、本発明者らは以下のとおり推察する。すなわち、α−アミノケトン化合物は、紫外線照射する前は、ラジカルが存在しないため光反応性モノマーの重合反応は起きない。また、立体障害のため熱硬化性樹脂の硬化も促進しない。しかし、紫外線が照射されると、α−アミノケトン化合物の解離が起こり、ラジカルの発生に伴い、光反応性モノマーの重合反応が起こる。また、α−アミノケトン化合物の解離により、立体障害が低下し活性化したアミンが存在するようになる。そのため、アミンが熱硬化性樹脂の硬化促進作用を有するようになり、以後加熱により硬化促進作用が働くと類推される。このような作用により、紫外線照射する以前には、ラジカルや活性化したアミンが存在しないため室温での保存安定性に非常に優れ、紫外線照射後には、優れた接着性を発揮できる粘接着シートが実現可能になるものと考えられる。
上記光塩基発生剤としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア９０７」）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア３６９」）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）及びベンゾイソオキサゾロン誘導体等が挙げられる。
なお、紫外線照射により生じるラジカル及びアミンの構造によって光反応性モノマーやエポキシ樹脂の硬化速度が変化するので、熱による硬化速度を調節する場合、粘接着剤層に含まれる上記（Ｃ）〜（Ｅ）成分に応じて（Ｆ）光塩基発生剤を適宜選択することが好ましい。
上記光塩基発生剤のほかに、光フリース転位、光クライゼン転位、クルチウス転位、スチーブンス転位によって塩基を発生させる方法を用いることができる。
上記光塩基発生剤は、分子量５００以下の低分子化合物として用いるほか、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着剤層の粘接着性及び流動性を向上させる観点から、重量平均分子量１０００〜１０００００が好ましく、より好ましくは５０００〜３００００である。
粘接着剤層における上記（Ａ）成分の含有量及び上記（Ｂ）成分の含有量は上記式（Ｉ）の条件を満たすものであればよいが、（Ａ）成分の含有量は、（Ｂ）成分の含有量を１００質量部に対して１００〜１０００質量部が好ましく、１２０〜９００質量部がより好ましく、１５０〜６００質量部が特に好ましい。（Ａ）成分の含有量がかかる範囲にあると、粘接着剤層の流動性をより一層向上させることができ、耐リフロークラック性に優れた粘接着剤層を得ることができる。
粘接着剤層における上記（Ｃ）エポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して５〜４０質量部が好ましく、１０〜３５質量部がより好ましく、１５〜３０質量部が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量がかかる範囲にあると、粘接着剤層の弾性率及び成型時のフロー性抑制を十分確保でき、高温での取り扱い性を良好にできる。
また、粘接着剤層における上記（Ｄ）成分の含有量は、（Ｃ）エポキシ樹脂のエポキシ基１個当たりフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲となるように設定することが好ましく、当量比が０．８〜１．２の範囲となるように設定することがより好ましい。かかる当量比で（Ｄ）成分を含有させることにより、硬化後の粘接着剤層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持する効果がより確実に得られる。また、（Ｄ）成分の含有量が上記の条件を満足することにより、エポキシ樹脂の硬化（橋かけ）を十分なレベルまで進行させることができ、硬化物のガラス転移温度を十分高めることがより確実にできる。これにより、硬化した粘接着剤層の耐湿性及び高温での接続信頼性を十分確保でき、その結果、吸湿時の耐電食性がより確実に向上する。
また、粘接着剤層における上記（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して５０質量部以下が好ましく、２０〜４５質量部がより好ましく、２５〜４０質量部が特に好ましい。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計量がかかる範囲にあると、ピックアップ性をより一層向上させることができる。
また、粘接着剤層における上記（Ｅ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して５〜１００質量部が好ましく、１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜５０質量部が特に好ましい。かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射による光反応性モノマーの重合反応が不十分となる傾向にあり、粘接着シートのピックアップ性が不十分となる傾向にある。また、かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射後の粘接着剤層の耐熱性を十分向上させることが困難となる傾向にあり、熱時接着力及び耐リフロークラック性を十分向上させることが困難となる傾向にある。一方、粘接着剤層における上記（Ｅ）成分の含有量が上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して１００質量部より多くなると、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の低弾性が機能しにくくなり、フィルムが脆くなることで耐湿性や高温の電気特性などが劣る傾向にある。
また、粘接着剤層における上記（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して０．１〜２０質量部が好ましく、０．５〜１５質量部がより好ましく、１〜５質量部が特に好ましい。かかる含有量が０．１質量部より少ないと、上記（Ｃ）エポキシ樹脂及び（Ｅ）光反応性モノマーを十分に反応させることが困難となり残存モノマーが残りやすく、これにより耐リフロークラック性が劣る傾向にある。一方、かかる含有量が２０質量部より多いと、重合反応によって分子量を十分に増加させることが困難となり、低分子量成分が多く存在する傾向にある。この場合、耐リフロー性に影響を及ぼす可能性がある。
本実施形態の粘接着シート１において、粘接着剤層２０は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、その他の成分を必要に応じて更に含むことができる。以下、その他の成分について説明する。
本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着剤層２０には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（Ｇ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。
このような高分子量樹脂としては、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と非相溶になるものが耐リフロークラック性をより確実に向上させることができるため、接続信頼性向上の観点から好ましく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
粘接着剤層に上記（Ｇ）成分を含有させることにより、上記（Ｃ）エポキシ樹脂が（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分と相溶性がある場合であっても、（Ｃ）エポキシ樹脂が（Ａ）成分や（Ｂ）成分よりも上記（Ｇ）成分と相溶しやすい場合、結果的に（Ｃ）エポキシ樹脂と（Ａ）成分及び（Ｂ）成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。このような作用によって、耐リフロークラック性をより確実に向上させることができる。
粘接着剤層におけるエポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の含有量は、上記（Ｃ）成分及び上記（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、硬化後の粘接着剤層のガラス転移温度を十分高い値に確保できる。
また、粘接着剤層２０には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。なお、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記の無機フィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
粘接着剤層における無機フィラーの含有量は、粘接着剤層１００質量部に対して１〜４０質量部が好ましい。含有量が１質量部未満であると、上記の添加効果が得られにくくなる傾向にあり、４０質量部を超えると、粘接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が発生し易くなる傾向にある。
また、粘接着剤層２０には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。商業的に入手可能なものとしては、例えば、「Ａ−１８９」及び「Ａ−１１６０」（日本ユニカー社製、商品名）が挙げられる。
粘接着剤層における上記カップリング剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。
また、粘接着剤層２０には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を更に添加することができる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物及びビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
粘接着剤層における上記イオン捕捉剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。
また、本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着剤層２０は、熱硬化性であり、硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、硬化後の熱時接着力が１ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、接続信頼性を更に向上させることが可能となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。
粘接着剤層２０の厚さは、特に制限はないが、３〜２００μｍであることが好ましい。厚さが３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向にあり、２００μｍより厚いと経済的に不利となる上に、半導体装置の小型化に対応しにくくなる傾向にある。
粘接着剤層２０と支持基材１０の合計の厚さは、特に制限はないが、１０〜２５０μｍであることが好ましい。また、作業性の観点から、粘接着剤層２０の厚さは支持基材１０の厚さ以下にすることが好ましい。粘接着剤層２０と支持基材１０の厚さの好ましい組み合わせ（粘接着剤層の厚さ（μｍ）／支持基材の厚さ（μｍ））としては、５／２５、１０／３０、１０／５０、２５／５０、５０／５０、５０／７５などが挙げられ、粘接着シート１を使用する条件や装置等によって適宜決定すればよい。
保護フィルム３０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。
保護フィルムは、厚さが１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚さが１０μｍ未満では塗工の際、保護フィルムが破れる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。
以上、説明した構成の粘接着シートに対して紫外線を支持基材側から照射すると、紫外線照射後には粘接着剤層と支持基材との界面の粘着力は大きく低下する。そのため、粘接着剤層付の半導体素子を支持基材から容易にピックアップすることができる。
（粘接着シートの製造方法）
図２（ａ）〜（ｃ）は、粘接着シート１の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の粘接着シートの製造方法は、上記した粘接着剤層２０の構成成分を含む粘接着剤層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、塗工用基材上に粘接着剤層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜から溶媒を除去して粘接着剤層を形成する粘接着剤層形成工程と、形成された粘接着剤層上に支持基材を加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程とを備える。
なお、本実施形態においては、塗工用基材として上述の保護フィルム３０を用いる。また、支持基材として、上述した支持基材１０を用いる。
塗工液調製工程では、粘接着剤層２０の構成成分を所定の溶媒に公知の混合手段により溶解・分散させることにより粘接着剤層形成用塗工液を調製する。用いる溶媒は、特に限定されないが、粘接着剤層形成時の揮発性などを沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は粘接着剤層形成時に粘接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較例高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
塗膜形成工程では、上記で得られた粘接着剤層形成用塗工液を保護フィルム３０上に公知の塗工手段により塗布する。塗工手段としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法などが挙げられる。
上記の塗工液調製工程、塗膜形成工程及び粘接着剤層形成工程を経ることによる、図２（ａ）に示されるように、保護フィルム３０上に粘接着剤層２０が形成される。
次に、図２（ｂ）に示されるように、上記で形成された粘接着剤層２０上に支持基材１０を加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程を行う。
なお、本実施形態では、粘接着剤層２０上に支持基材１０を積層した積層体がロールに巻取られる直前に、ロール手段５により支持基材１０に粘接着剤層２０を転写する加熱転写が行われているが、例えば、加熱することなく上記積層体をロールに巻取り、その後あらためてその積層体を加熱ロールに通すことによっても熱転写を行うことができる。
熱転写の温度は、シートの反りの抑制及び支持基材と粘接着剤層との密着力向上を両立させる観点から、３０℃〜８０℃が好ましく、３０〜５０℃がより好ましく、３０〜４０℃が特に好ましい。
上記熱転写工程を経て、図２（ｃ）に示される粘接着シート１が作製される。
なお、支持基材１０を塗工用基材として用い、支持基材１０上に粘接着剤層を形成した後、熱転写工程を経てもかまわない。また、粘接着剤層と同一の組成物からなるシートを別途作製し、これを複数枚積層することによって粘接着剤層を形成してもよい。こうすることによって所望の厚さの粘接着剤層を容易に得られるという利点がある。ただし、この場合、複数のシート同士が剥離しないように貼り合わせる作業が必要である。
次に、粘接着シート１を用いて半導体装置（半導体パッケージ）を製造する方法について説明する。
（半導体装置（半導体パッケージ）の製造方法）
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４は、粘接着シート１を用いる半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の粘接着シート１の粘接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程（ウエハラミネート工程）と、半導体ウエハ及び粘接着剤層をダイシングすることにより粘接着剤層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着剤層に紫外線を照射する紫外線照射工程と、粘接着剤層が付着した半導体素子を支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を粘接着剤層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程とを備える。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
＜貼り付け工程＞
先ず、粘接着シート１を所定の装置に配置して保護シート３０を剥がす。このとき、常温貼付性に優れる本発明に係る粘接着シート１を用いることにより、粘接着シートを装置に配置する際の作業性が良好となるとともに保護シート３０を容易に剥がすことができる。続いて、図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウエハＷの主面Ｗｓに、粘接着剤層２０を介して粘接着シート１を貼り付ける。また、半導体ウエハＷの回路面は、主面Ｗｓとは反対側の面であることが好ましい。
＜ダイシング工程＞
次に、図３（ｃ）に示されるように、半導体ウエハＷ及び粘接着剤層２０をダイシングする。このとき、支持基材１０を途中までダイシングするとしてもよい。このように、粘接着シート１は、ダイシングシートとしても機能する。
＜紫外線照射工程＞
次に、図３（ｄ）に示されるように、粘接着剤層２０に紫外線を照射することにより粘接着剤層２０を硬化させ、粘接着剤層２０と支持基材１０との間の接着力を低下させる。本実施形態においては、波長２００〜４５０ｎｍの紫外線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように照射することが好ましい。
＜ピックアップ工程＞
紫外線を照射した後、図３（ｅ）に示されるように、支持基材１０をエキスパンド（拡張）することにより、切断により得られた各半導体素子５０を互いに離間させつつ、支持基材１０側からニードル４２で突き上げられた粘接着剤層付き半導体素子５０を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。なお、粘接着付き半導体素子５０は、半導体素子Ｗａと粘接着剤層２０ａとを有する。また、半導体素子Ｗａは半導体ウエハＷを分割して得られるものであり、粘接着剤層２０ａは粘接着剤層２０を分割して得られるものである。ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドを行わなくてもよいが、エキスパンドすることによりピックアップ性をより向上させることができる。
また、ニードル４２による突き上げも必要に応じて行うことが好ましい。さらに、極薄ウエハに対しても十分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段ピックアップ法を行ってもよい。また、本実施形態においては、吸引コレット４４以外の方法によって半導体素子５０のピックアップを行うこともできる。
＜接着工程＞
粘接着剤層付き半導体素子５０をピックアップした後、図３（ｆ）に示されるように、粘接着剤層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着剤層２０ａを介して半導体素子搭載用の支持部材６０に接着する。
粘接着付き半導体素子５０を粘接着剤層２０ａを介して支持部材６０上に搭載した後、再び、接着層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着剤層２０ａを介して半導体素子Ｗａに接着するとしてもよい。これにより、複数の半導体素子Ｗａを支持部材５０上に搭載することができる。この場合、粘接着剤層２０ａの熱履歴は大きくなるが、本実施形態に係る粘接着剤層２０ａによれば、半導体素子Ｗａと支持部材６０との接着性を十分維持することができ、また、支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に対して粘接着剤層２０ａを十分良好に充填可能である。
続いて、図４に示されるように、必要に応じて半導体素子Ｗａと支持部材６０とをワイヤーボンド７０により電気的に接続することが好ましい。このとき、半導体素子Ｗａ、粘接着剤層２０ａ及び支持部材６０は、例えば、１７０℃で１５〜６０分程度加熱される。さらに、ワイヤーボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Ｗａを樹脂封止することが好ましい。樹脂封止材８０を支持部材６０の表面６０ａに形成するが、支持部材６０の表面６０ａとは反対側の面に外部基板（マザーボード）との電気的な接続用として、はんだボール９０を形成してもよい。
なお、樹脂封止する際に粘接着剤層２０ａは半硬化の状態であることが好ましい。これにより、樹脂封止する際に支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に粘接着剤層２０ａをより良好に充填することができる。半硬化の状態とは、粘接着剤層２０ａが完全には硬化していない状態を意味する。半硬化の状態の粘接着剤層２０ａは半導体装置の製造過程における１回又は複数回の加熱処理を利用して最終的に加熱硬化させてもよい。
以上の工程を経ることにより、粘接着シート１を用いて半導体装置１００を製造することができる。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
先ず、シクロヘキサノンに、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）７０質量部、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：３０万、Ｔｇ：−７℃）３０質量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０）５．９質量部、ＹＤＦ−８１７０（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５７）１７．６質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１６．６質量部、Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業（株）製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、硬化後のＴｇ：２５０℃以上）３０質量部、イルガキュア９０７（チバスペシャリティーケミカルズ社製商品名、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン：Ｉ−９０７）１．５質量部を加えて攪拌混合し、さらに真空脱気することにより接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−１」とした。
次に、上記で得られた粘接着剤層形成用塗工液−１を、保護フィルムとしての厚さ３８μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に塗布し、１００℃で３０分間加熱乾燥し粘接着剤層を形成した。そして、形成した粘接着剤層上に、支持基材としての厚さ１００μｍの光透過性の軟質ポリオレフィンフィルム（ロンシール社製、商品名：ＰＯＦ−１２０Ａ）を積層してラミネートした。これにより保護フィルム、粘接着剤層、及び支持基材の３層構成を有する実施例１の粘接着シートを作製した。なお、本実施例で使用した支持基材の表面自由エネルギー及び弾性率（２５℃）は、それぞれ３３ｍＮ／ｍ及び１２０ＭＰａであった。
（実施例２）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、ＹＤＣＮ−７０３、ＹＤＦ−８１７０、及びプライオーフェンＬＦ２８８２の配合量をそれぞれ、１１．７質量部、３５．１質量部、及び３３．２質量部に変更したこと、すなわち、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計を８０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−２」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−２を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の粘接着シートを作製した。
（実施例３）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（重量平均分子量：８０万）、及びＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（重量平均分子量：３０万）の配合量をそれぞれ、５０質量部、及び５０質量部に変更したこと、すなわち、これらの高分子量成分の質量比（分子量８０万のゴム／分子量３０万のゴム）を５０／５０にしたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−３」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−３を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の粘接着シートを作製した。
（実施例４）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、光反応性モノマーとしてＡ−ＤＰＨの代わりにＤ−３１０（日本化薬（株）製商品名、ＫＡＹＡＲＡＤシリーズ、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、硬化後のＴｇ：２５０℃以上）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−４」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−４を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の粘接着シートを作製した。
（実施例５）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、三層フィルム「ＦＨＦ−１００」（サーモ（株）製、低密度ポリエチレンテレフタレート／酢酸ビニル／低密度ポリエチレンテレフタレートの三層構造）を用いた以外は粘接着剤層形成用塗工液−１を用いて実施例１と同様にして、実施例５の粘接着シートを作製した。なお、本実施例で使用した支持基材の表面自由エネルギー及び弾性率（２５℃）は、それぞれ３６ｍＮ／ｍ及び８８ＭＰａであった。
（実施例６）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、硬化剤としてプライオーフェンＬＦ―２８８２の代わりにＴｒｉｓＰ−ＰＡ（本州化学（株）製商品名、トリスフェノールノボラック、ＯＨ当量：１４１、分子量：４２４）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−５」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−５を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例６の粘接着シートを作製した。
（比較例１）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（重量平均分子量：８０万）、及びＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（重量平均分子量：３０万）の配合量をそれぞれ、１００質量部、及び０質量部に変更したこと、すなわち、これらの高分子量成分の質量比（分子量８０万のゴム／分子量３０万のゴム）を１００／０にしたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−６」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−６を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の粘接着シートを作製した。
（比較例２）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（重量平均分子量：８０万）、及びＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（重量平均分子量：３０万）の配合量をそれぞれ、２０質量部、及び８０質量部に変更したこと、すなわち、これらの高分子量成分の質量比（分子量８０万のゴム／分子量３０万のゴム）を２０／８０にしたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−７」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−７を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の粘接着シートを作製した。
（比較例３）
実施例１の粘接着剤層形成用塗工液−１の調製において、光反応性モノマーとしてＡ−ＤＰＨの代わりにＦＡ−３２１（日立化成工業（株）製商品名、ＥＯ変性ビスフェノールＡジメタクリレート、硬化後のＴｇ：１５０℃以下）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを「粘接着剤層形成用塗工液−８」とした。そして、粘接着剤層形成用塗工液−１の代わりに粘接着剤層形成用塗工液−８を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例３の粘接着シートを作製した。
（比較例４）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」にコロナ処理を施したものを用いた以外は、粘接着剤層形成用塗工液−１を用いて実施例１と同様にして、比較例４の粘接着シートを作製した。なお、本比較例で使用した支持基材の表面自由エネルギー弾性率（２５℃）は、それぞれ５５ｍＮ／ｍ及び１２０ＭＰａであった。
（粘接着シートの評価）
実施例１〜６及び比較例１〜４の粘接着シートについて、以下に示す方法により、紫外線照射後における粘接着剤層の９０°ピール強度、ダイシング性（チップの飛散の有無）、ピックアップ性、剪断接着強度及び熱履歴埋込性の評価を行った。
＜紫外線照射後の９０°ピール強度＞
粘接着シートを厚さ２８０μｍのシリコンウエハ上に貼り付けた後、支持基材に２本の切り込みを平行（１ｃｍ間隔）に入れた。そして、粘接着剤層に対して照度：５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射した後、切り込みを入れた部分の支持基材を引張り速度１５０ｍｍ／分で剥離することによって、粘接着剤層と支持基材の界面における９０°ピール強度を測定した。
＜ダイシング性の評価（チップの飛散の有無）＞
粘接着シートを厚さ２８０μｍのシリコンウエハ上に貼り付けた、粘接着シート付きシリコンウエハをダイシング装置上に載置した。次いで、シリコンウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、粘着力が弱いために粘接着シート上から剥離する半導体チップの有無について目視により評価した。
＜ピックアップ性の評価＞
シリコンウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、フュージョン社製露光機（ＡＥＬ―１Ｂ／Ｍ）を使用して、照度５０ｍＷ／ｃｍ２の地点に照射体を置き、粘接着シートの基材フィルム側から６秒照射した。粘接着剤層付き半導体チップを光透過性の支持基材からピックアップが可能であるかを評価した。ピックアップ性についての評価基準は下記の通りとした。
Ａ：９０％以上のチップがピックアップ可能、
Ｂ：ダイシングしたチップの５０％を超え９０％未満がピックアップ可能、
Ｃ：ダイシングしたチップのピックアップ可能なチップが５０％以下。
＜熱時接着力の測定＞
シリコンウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした。次いで、粘接着剤層に対して照度：５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射した後、粘接着剤層付き半導体チップを支持基材からピックアップした。ピックアップした半導体チップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃−２ＭＰａ−３０秒の条件でダイボンディングした。その後、更に１７５℃にて５時間加熱して粘接着剤層を硬化させて測定用試料を得た。この試料を２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）を用いて、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件で半導体チップと有機基板との熱時接着力（剪断接着強度）を測定した。熱時接着力についての評価基準は下記の通りとした。
Ａ：熱時接着力が１ＭＰａ以上、
Ｂ：熱時接着力が０．７ＭＰａを超え１ＭＰａ未満、
Ｃ：熱時接着力が０．７ＭＰａ以下。
＜粘接着剤層の流動性の評価＞
粘接着シートを用いて、半導体チップを配線基板に１００℃−２００ｇｆ−１秒の条件でダイボンディングすることによって半導体チップを備える構造体を得た。この構造体に対してワイヤーボンディングにおける熱処理に相当する熱履歴（１７０℃、１時間）を与えた後、封止剤（日立化成製：ＣＥＬ−９７００−ＨＦ１０）を用いて所定の形状にモールドした。更に、１７５℃にて５時間加熱処理することにより半導体パッケージを得た。このようにして得た半導体パッケージの配線の段差部分における粘接着剤の埋込性を超音波顕微鏡で観察し、熱履歴後の粘接着剤層の流動性について評価した。かかる流動性の評価基準は下記の通りとした。なお、下記の配線段差埋込性（％）は超音波顕微鏡の観察結果画像の白黒の比率によって算出した値である。
Ａ：配線段差埋込性が９５％以上１００％以下、
Ｂ：配線段差埋込性が９０を超え９５％未満、
Ｃ：配線段差埋込性が９０％以下。
＜耐リフロークラック性（熱履歴無し）＞
粘接着シートを用いて、半導体チップを配線基板に１００℃−２００ｇＦ−３秒の条件でダイボンディングすることによって半導体チップを備える構造体を得た。封止剤（日立化成製：ＣＥＬ−９７００−ＨＦ１０）を用いて上記構造体を所定の形状にモールドした後、１７５℃にて５時間加熱処理することにより半導体パッケージを得た。このようにして１０個の半導体パッケージを作製し、これらを温度：８５℃、相対湿度６０％の条件で７日間保管した。その後、１０個の半導体パッケージをそれぞれＩＲリフロー炉に通し、リフローによって半導体パッケージ中に発生するクラックの有無を目視及び超音波顕微鏡によって観察した。１０個の半導体パッケージのうち、内部にクラックが発生した個数を表３及び表４に記載した。なお、ＩＲリフロー炉の温度は、半導体パッケージの表面最高温度が２６０℃となるように設定し、この温度が２０秒間保持されるようにした。
＜耐リフロークラック性（熱履歴有り）＞
上記条件のＩＲリフロー炉による熱履歴を経た１０個の半導体パッケージを温度：８５℃、相対湿度：６０％の条件で７日間保管した後、再びＩＲリフロー炉に通した。次いで、半導体パッケージ中のクラックの有無を目視及び超音波顕微鏡によって観察した。１０個の半導体パッケージのうち、内部にクラックが生じている個数を表３及び表４に記載した。なお、ＩＲリフロー炉の温度は、半導体パッケージの表面最高温度が２６０℃となるように設定し、この温度が２０秒間保持されるようにした。
Figure 2008101183
Figure 2008101183
Figure 2008101183
Figure 2008101183
以上の結果により、実施例１〜６の粘接着シートは、ダイシング性、ピックアップ性、熱時接着性及び耐リフロークラック性のすべてが高水準であることが示された。これに対し、比較例１及び２の粘接着シートでは粘接着剤層に含まれる高分子量成分の配合比率が適正ではないため、耐リフロークラック性（特に熱履歴有りの場合）が劣っている。また、比較例３の粘接着シートは光反応性モノマーに対して紫外線を照射して得られる硬化物のガラス転移温度が低いため、耐リフロークラック性が劣っている。更に、比較例４の粘接着シートは支持基材の表面自由エネルギーが高いため、紫外線照射後のピックアップ性が劣っている。
本発明の粘接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の粘接着シートを製造する方法の好適な一例を示す断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を示す断面図である。 本発明の半導体装置の好適な一実施形態を示す断面図である。 支持基材の弾性率測定における伸びと応力の関係を示すグラフである。
符号の説明
１…粘接着シート、５…ロール、１０…支持基材、２０…粘接着剤層、３０…保護フィルム（剥離基材）、５０…粘接着剤層付き半導体素子、６０…支持部材、７０…ワイヤーボンド、８０…樹脂封止材、９０…はんだボール、１００…半導体装置、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (12)

  1. 表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以下の支持基材と、該支持基材上に設けられた粘接着剤層と、を備える粘接着シートであって、
    前記粘接着剤層は、
    （Ａ）官能基を含む重量平均分子量が６０万以上１００万以下である第１の高分子量成分、
    （Ｂ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上６０万未満である第２の高分子量成分、
    （Ｃ）エポキシ樹脂、
    （Ｄ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
    （Ｅ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、及び、
    （Ｆ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤、
    を含有するものであり、
    前記粘接着剤層における前記（Ａ）第１の高分子量成分の含有量ＷＡ（質量％）及び前記（Ｂ）第２の高分子量成分の含有量ＷＢ（質量％）は下記式（Ｉ）で表される条件を満たすことを特徴とする粘接着シート。
    ＷＡ≧ＷＢ … （Ｉ）
  2. 前記（Ａ）第１の高分子量成分及び前記（Ｂ）第２の高分子量成分と、前記（Ｃ）エポキシ樹脂とが非相溶性を有することを特徴とする、請求項１に記載の粘接着シート。
  3. 前記（Ｂ）第２の高分子量成分の官能基は前記（Ａ）第１の高分子量成分の官能基と同一であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の粘接着シート。
  4. 前記（Ａ）第１の高分子量成分は、重量平均分子量が６０万以上１００万以下の第１のアクリルゴムを含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の粘接着シート。
  5. 前記（Ｂ）第２の高分子量成分は、重量平均分子量が１０万以上６０万未満の第２のアクリルゴムを含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の粘接着シート。
  6. 前記第１のアクリルゴム及び前記第２のアクリルゴムを含有する前記粘接着剤層において、当該粘接着剤層に含まれるアクリルゴムの分子量分布が二以上のピークを有することを特徴とする、請求項５に記載の粘接着シート。
  7. 前記粘接着剤層における前記（Ａ）第１の高分子量成分及び前記（Ｂ）第２の高分子量成分の合計量を１００質量部とすると、前記（Ｃ）エポキシ樹脂及び前記（Ｄ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤の合計量は５０質量部以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに一項に記載の粘接着シート。
  8. 前記粘接着剤層は熱硬化性を有するものであり、前記粘接着剤層の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、前記粘接着剤層の熱時接着力が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の粘接着シート。
  9. 紫外線照射後の前記粘接着剤層からの前記支持基材の９０°ピール強度が１０Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の粘接着シート。
  10. 前記支持基材の２５℃における弾性率が１０００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の粘接着シート。
  11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の粘接着シートを用いて、半導体素子と半導体搭載用の支持部材とが接着されてなる半導体装置。
  12. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の粘接着シートの粘接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程と、
    前記半導体ウエハ及び前記粘接着剤層をダイシングすることにより、前記粘接着剤層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、
    前記粘接着剤層に紫外線を照射して前記粘接着剤層を硬化させる紫外線照射工程と、
    紫外線の照射によって硬化した前記粘接着剤層が付着した前記半導体素子を前記支持基材からピックアップするピックアップ工程と、
    前記半導体素子を、前記粘接着剤層を介して半導体搭載用の支持部材に接着する接着工程と、
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010189485A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010189484A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010258430A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム及び半導体装置の製造方法
WO2010137443A1 (ja) * 2009-05-26 2010-12-02 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
EP2337065A1 (en) 2009-12-16 2011-06-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor device fabrication, adhesive used for the sheet, and method for fabricating semiconductor device using the sheet
US20110151625A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for substrateless semiconductor package fabrication and method for fabricating substrateless semiconductor package using the adhesive sheet
KR101050562B1 (ko) * 2008-12-22 2011-07-19 도레이첨단소재 주식회사 반도체 패키지용 몰드공정필름
JP2011165761A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及び回路部材接続用接着シート
JP2011210944A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 帯電防止性半導体加工用粘着テープ
JP2013082836A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Adeka Corp 耐熱性接着剤
CN103525342A (zh) * 2013-10-10 2014-01-22 浙江海川安全防护用品有限公司 光学偏光板本体用粘合剂的制备方法
JP2014086677A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 磁気センサ及びその製造方法
WO2014175306A1 (ja) * 2013-04-24 2014-10-30 王子ホールディングス株式会社 粘着シート及び積層体とその製造方法
JP2016216571A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 日立化成株式会社 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体
JP6196751B1 (ja) * 2016-03-31 2017-09-13 三井化学東セロ株式会社 部品製造用フィルム及び部品の製造方法
JP2018026567A (ja) * 2017-08-21 2018-02-15 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法
KR101847526B1 (ko) 2011-01-28 2018-04-10 린텍 코포레이션 반도체용 접착제 조성물, 반도체용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2018180594A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001240717A (ja) * 2000-02-25 2001-09-04 Beiersdorf Ag ポリマーブレンド
WO2005112091A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001240717A (ja) * 2000-02-25 2001-09-04 Beiersdorf Ag ポリマーブレンド
WO2005112091A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101050562B1 (ko) * 2008-12-22 2011-07-19 도레이첨단소재 주식회사 반도체 패키지용 몰드공정필름
JP2010189484A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010189485A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2010258430A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム及び半導体装置の製造方法
WO2010137443A1 (ja) * 2009-05-26 2010-12-02 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
EP2337065A1 (en) 2009-12-16 2011-06-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor device fabrication, adhesive used for the sheet, and method for fabricating semiconductor device using the sheet
US8502397B2 (en) 2009-12-16 2013-08-06 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor device fabrication, adhesive used for the sheet, and method for fabricating semiconductor device using the sheet
US20110151625A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for substrateless semiconductor package fabrication and method for fabricating substrateless semiconductor package using the adhesive sheet
US8436481B2 (en) 2009-12-22 2013-05-07 Nitto Denko Corporation Heat-resistant adhesive sheet for substrateless semiconductor package fabrication and method for fabricating substrateless semiconductor package using the adhesive sheet
JP2011165761A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及び回路部材接続用接着シート
JP2011210944A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 帯電防止性半導体加工用粘着テープ
KR101847526B1 (ko) 2011-01-28 2018-04-10 린텍 코포레이션 반도체용 접착제 조성물, 반도체용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2013082836A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Adeka Corp 耐熱性接着剤
JP2014086677A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 磁気センサ及びその製造方法
JPWO2014175306A1 (ja) * 2013-04-24 2017-02-23 王子ホールディングス株式会社 粘着シート及び積層体とその製造方法
WO2014175306A1 (ja) * 2013-04-24 2014-10-30 王子ホールディングス株式会社 粘着シート及び積層体とその製造方法
CN103525342A (zh) * 2013-10-10 2014-01-22 浙江海川安全防护用品有限公司 光学偏光板本体用粘合剂的制备方法
JP2016216571A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 日立化成株式会社 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体
JP6196751B1 (ja) * 2016-03-31 2017-09-13 三井化学東セロ株式会社 部品製造用フィルム及び部品の製造方法
WO2018180594A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
KR20190126817A (ko) * 2017-03-28 2019-11-12 린텍 가부시키가이샤 필름상 접착제 복합 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN110461973A (zh) * 2017-03-28 2019-11-15 琳得科株式会社 膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法
JPWO2018180594A1 (ja) * 2017-03-28 2020-02-06 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
CN110461973B (zh) * 2017-03-28 2022-02-08 琳得科株式会社 膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法
TWI758445B (zh) * 2017-03-28 2022-03-21 日商琳得科股份有限公司 膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法
KR102552837B1 (ko) * 2017-03-28 2023-07-06 린텍 가부시키가이샤 필름상 접착제 복합 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2018026567A (ja) * 2017-08-21 2018-02-15 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法

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