CN110461973A - 膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，该支撑片具有基材，该固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，该支撑片的杨氏模量与该支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。
Description
技术领域
本发明涉及膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法。
本申请基于2017年3月28日于日本提出申请的日本特愿2017-063654号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，有时使用贴附有用于芯片键合(die bonding)的膜状粘合剂的半导体芯片。作为得到这种带膜状粘合剂的半导体芯片的方法之一，有以下方法：在通过切割半导体晶圆而得到的单片化的多个半导体芯片上贴附膜状粘合剂后，在对应半导体芯片的配置位置的位置上切断该膜状粘合剂。在该方法中，通常使用在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片，将膜状粘合剂贴附在多个半导体芯片上。半导体芯片例如通过在半导体晶圆上形成槽后，对背面侧进行磨削直至到达该槽而制成，这是一个例子，也可通过其他方法制作半导体芯片。对于切断后的贴附有膜状粘合剂的半导体芯片，将各膜状粘合剂从支撑片上分离(拾取)，用于芯片键合。
在上述方法中，作为切断膜状粘合剂的方法，例如已知对膜状粘合剂照射激光而进行切断的方法、或通过扩展膜状粘合剂而进行切断的方法。然而，在照射激光的方法中，需要激光照射装置，且同时还存在无法以短时间有效地进行切断的问题。此外，在进行扩展的方法中，需要扩展装置，且同时还存在切断面粗糙的问题。进一步，在扩展中，由于力仅在与膜状粘合剂同一面的方向上起作用，因此存在膜状粘合剂与支撑片一同伸长但未被切断的可能性。因此，有时要冷却膜状粘合剂以便于切断进而进行扩展，但此时需要冷却工序，生产率差。
作为能够解决这些问题的方法，公开了一种以下的方法：使用特定的厚度及拉伸断裂伸长率的膜状粘合剂，在半导体芯片的拾取之前的阶段，将半导体芯片与该未切断的膜状粘合剂一同在拾取方向上拾起，利用此时产生的剪切力切断膜状粘合剂(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-179317号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，在专利文献1中公开的方法中，不确定是否能够抑制工序异常的发生且从支撑片上拾取贴附有切断后的膜状粘合剂的半导体芯片。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其技术问题在于提供一种在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片及使用了该复合片的半导体装置的制造方法，其中，在制造半导体装置时，能够抑制工序异常的产生，并以简化的方法从支撑片上分离贴附有膜状粘合剂的半导体芯片。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明提供一种膜状粘合剂复合片，该复合片在具有基材的支撑片上设有厚度为1～60μm的固化性膜状粘合剂，所述支撑片的杨氏模量A(MPa)与所述支撑片的厚度B(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内。
在本发明的膜状粘合剂复合片中，优选以使总厚度成为200μm的方式层叠固化前的所述膜状粘合剂而成的层叠体的断裂伸长率C为5～2000％。
此外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中使用了所述膜状粘合剂复合片，该方法具有以下工序：经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上的工序；对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的支撑片，通过从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧施加力，由此隔着支撑片对膜状粘合剂施加力，切断膜状粘合剂的工序；将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离的工序。
即，本发明包含以下实施方式。
[1]一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，其中，
所述支撑片具有基材，
所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，
所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。
[2]根据[1]所述的膜状粘合剂复合片，其中，
所述膜状粘合剂具有以下特性：在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂伸长率为1～2000％。
[3]一种半导体装置的制造方法，其使用了[1]所述的膜状粘合剂复合片，该制造方法包括：
经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上；
对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂；
将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离。
发明效果
根据本发明，提供一种在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片及使用了该复合片的半导体装置的制造方法，其中，在制造半导体装置时，能够抑制工序异常的发生，并以简化的方法从支撑片上分离贴附有膜状粘合剂的半导体芯片。
附图说明
图1为示意性地表示在本发明的半导体装置的制造方法中，从切断膜状粘合剂开始到从支撑片上分离半导体芯片为止的一个实施方式的截面图。
图2为用于示意性地说明在本发明的半导体装置的制造方法中，对膜状粘合剂施加力并将其切断的另一个实施方式的截面图。
图3为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的一个形态的截面图。
图4为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的另一个形态的截面图。
具体实施方式
《膜状粘合剂复合片》
本发明的膜状粘合剂复合片在具有基材的支撑片上设有厚度为1～60μm的固化性膜状粘合剂，所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(即，表示A×B的值)在4～150MPa·mm的范围内。
所述膜状粘合剂复合片在支撑片上设有膜状粘合剂，在制造半导体装置时，通过所述膜状粘合剂来贴附在半导体芯片的一个面上。在之后的工序中，所述半导体芯片以贴附有所述膜状粘合剂的状态从所述支撑片上分离(拾取)。
此时，通过使所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内，能够抑制工序异常的发生，将贴附有所述膜状粘合剂的半导体芯片从所述支撑片上分离。
作为一个侧面，优选所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)为13.6～112.5MPa·mm。
更具体而言，如下所述。
首先，可通过进行隔着支撑片对膜状粘合剂施加力这一通常的拾取操作，切断所述膜状粘合剂。即，即使不另外设置以切断膜状粘合剂为主要目的的工序，也能够在常温下对以膜状粘合剂为目标的位置进行切断。因此，能够抑制伴随膜状粘合剂未切断的半导体芯片的分离(拾起)不良。
此外，能够将膜状粘合剂的与目标半导体芯片对应的部位从支撑片上剥离，且同时抑制膜状粘合剂的对应非目标半导体芯片的部位从支撑片上剥离的现象。因此，能够抑制膜状粘合剂的目标部位未从支撑片上剥离所造成的半导体芯片的分离(拾起)不良，或者抑制不仅目标半导体芯片、与其相邻的半导体芯片也同时与膜状粘合剂一同从支撑片上分离的所谓的双模(double die)的产生。
另外，在本说明书中，“抑制工序异常”是指抑制上述半导体芯片的分离不良及双模的产生等。
若所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)小于4MPa·mm，则认为基材会产生较大的变形，拾取的力无法传递至膜状粘合剂，膜状粘合剂的切断变得困难。此外，若积(A×B)超过150MPa·mm，则认为基材较硬，对应于半导体芯片的目标膜状粘合剂的部位的周围也被拾起，拾取时的力无法传递至膜状粘合剂，膜状粘合剂的切断变得困难。
作为一个侧面，若所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内，则基材不会产生较大的变形，拾取的力容易传递至膜状粘合剂，因此膜状粘合剂的切断变得容易。此外，由于基材不会变得过硬，能够抑制对应于半导体芯片的目标膜状粘合剂的部位的周围被拾起，因此拾取时的力容易传递至膜状粘合剂，故而膜状粘合剂的切断变得容易。
如此，通过使用所述膜状粘合剂复合片，能够抑制半导体芯片的分离不良与双模的产生。进一步，由于能够省略上述以切断膜状粘合剂为主要目的的工序，例如对膜状粘合剂照射激光而进行切断的工序、或通过扩展膜状粘合剂而进行切断的工序等，因此能够避免因进行这些工序而产生的问题，同时还能够在常温下切断膜状粘合剂，削减工序数量，并能够以简化的方法制造半导体装置。
对此，上述“日本特开2013-179317号公报”(专利文献1)中公开了一种在半导体芯片的拾取之前的阶段，将半导体芯片与未切断的膜状粘合剂一同在拾取方向上拾起，利用此时产生的剪切力切断膜状粘合剂的方法。然而，在该方法中，不确定是否能够抑制工序异常的发生且从支撑片上拾取贴附有切断后的膜状粘合剂的半导体芯片。例如，不确定是否能够以正常具备切断后的膜状粘合剂的状态从支撑片上分离半导体芯片。在该文献的实施例中，虽然具体公开了在通常的切割片(即，具有基材及粘着剂层的支撑片)上设置膜状粘合剂而成的膜状粘合剂复合片，但未公开起到了上述本发明的效果。
<支撑片>
所述支撑片为具有基材的片，其可以是仅由基材构成(即，仅具有基材)的片，也可以是具有基材与除了基材以外的其他层的片。作为所述具有其他层的支撑片，例如可列举出在基材上具备粘着剂层的片。
后文所述的膜状粘合剂设置在支撑片上。因此，例如当支撑片为在基材上具备粘着剂层的片时，膜状粘合剂设置在所述粘着剂层上。当支撑片为仅由基材构成的片时，膜状粘合剂直接接触并设置在所述基材上。
支撑片的厚度可根据目的而在满足所述积(A×B)的条件的范围中适当选择，优选为20μm～200μm，更优选为25μm～150μm，特别优选为30μm～100μm，极优选为38μm～80μm。
此处，“支撑片的厚度”是指支撑片整体的厚度，例如，由多个层构成的支撑片的厚度是指构成支撑片的所有层的总厚度。另外，作为支撑片的厚度的测定方法，例如可列举出利用接触式厚度计在任意5处测定厚度，计算该测定值的平均值的方法等。
支撑片的杨氏模量可根据目的在满足积(A×B)的条件的范围中适当选择，优选为50MPa～5000MPa，更优选为100MPa～4000MPa，特别优选为150MPa～3000MPa，极优选为170MPa～2250MPa。
如后文所述的实施例的记载所述，“杨氏模量”为使用万能试验机，根据JIS K7127:1999，在夹持器具间距：100mm、拉伸速度：200mm/min的条件下测定的值。
作为一个侧面，优选本发明的支撑片为厚度(B)为38μm～80μm、杨氏模量(A)为170MPa～2250MPa、且两者的积(A×B)为13.6～112.5MPa·mm的支撑片。
[基材]
所述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可列举出聚乙烯(例如，低密度聚乙烯(有时简称为LDPE)、线型低密度聚乙烯(有时简称为LLDPE)、高密度聚乙烯(有时简称为HDPE等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯·乙烯丁烯·苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(有时简称为PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、其中的任一种树脂的氢化物、改性物、交联物或共聚物等。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也相同，例如“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以由一层(即，单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。在基材由多个层构成时，这些多个层彼此可以相同也可以不同。即，可以所有的层相同，也可以所有的层不同，还可以仅一部分的层相同。此外，在多个层彼此不同时，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。此处，多个层彼此不同是指各层的材质及厚度中的至少一种彼此不同。
另外，在本说明书中，不仅限于基材的情况，“多个层彼此可以相同也可以不同”是指“可以所有的层相同，也可以所有的层不同，还可以仅一部分的层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度中的至少一种彼此不同”。
基材的厚度可根据目的在满足积(A×B)的条件的范围中适当选择，优选为20μm～200μm，更优选为25μm～150μm，特别优选为30μm～100μm，极优选为38μm～80μm。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。另外，作为基材的厚度的测定方法，例如可列举出利用接触式厚度计在任意5处测定厚度，计算该测定值的平均值的方法等。
基材的杨氏模量可根据目的在满足积(A×B)的条件的范围中适当选择，优选为50MPa～5000MPa，更优选为100MPa～4000MPa，特别优选为150MPa～3000MPa，极优选为170MPa～2250MPa。
作为一个侧面，优选本发明的基材为厚度为38μm～80μm、杨氏模量为170MPa～2250MPa、且两者的积为13.6～112.5MPa·mm的基材。
为了提高与设置于其上的粘着剂层等其他层的密合性，基材可以为对表面实施了基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理，电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等的基材。
此外，基材还可以为表面实施了底漆处理的基材。
此外，在叠合抗静电涂层、膜状粘合剂复合片进行保存时，基材也可以具有防止基材与其他片材粘合或基材与吸台粘合的层等。
其中，从抑制在切割半导体晶圆时因刀片的摩擦而导致产生基材的断片的点出发，特别优选基材为表面实施了电子束照射处理的基材。
[粘着剂层]
所述粘着剂层可适当使用公知的粘着剂层。
粘着剂层可由含有用于构成该粘着剂层的各种成分的粘着剂组合物形成。粘着剂组合物中的常温下不气化的成分彼此的含量比率通常与粘着剂层的所述成分彼此的含量比率相同。另外，在本说明书中，“常温”是指没有特别进行冷却或加热的温度，即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。
当所述粘着剂层含有能量射线固化性成分时，通过照射能量射线使其粘着性下降，由此使半导体芯片的拾取变得更容易。对粘着剂层照射能量射线而使粘着性下降的处理可在将膜状粘合剂复合片贴附在被粘物之后进行，也可在贴附在被粘物之前预先进行。
在本发明中，“能量射线”是指在电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线，作为其例子，可列举出紫外线、电子束等。
紫外线例如可通过使用高压汞灯、融合H灯(fusion H lamp)或氙灯等作为紫外线源而进行照射。电子束可照射利用电子束加速器等而产生的电子束。
在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不固化的性质。
作为所述粘着剂组合物，例如优选含有丙烯酸聚合物与能量射线聚合性化合物的组合物(粘着剂组合物(i))；含有具有羟基且在侧链具有聚合性基团的丙烯酸聚合物(例如，具有羟基，且经由氨基甲酸酯键而在侧链具有聚合性基团的聚合物)与异氰酸酯类交联剂的组合物(粘着剂组合物(ii))，更优选进一步含有溶剂的组合物。
除了上述成分以外，所述粘着剂组合物可进一步含有光聚合引发剂或着色剂(颜料、染料)、劣化防止剂、抗静电剂、阻燃剂、硅酮化合物、链转移剂等各种添加剂中的任一种。
所述粘着剂组合物可含有反应延迟剂，其用于抑制在保存中进行非目标的交联反应。作为所述反应延迟剂，例如可列举出阻碍作为使交联反应进行的催化剂的成分的作用的反应延迟剂。作为优选的反应延迟剂，例如可列举出利用针对所述催化剂的螯合物形成螯合物配位化合物(chelate complex)的反应延迟剂。作为优选的反应延迟剂，更具体而言，可列举出在分子中具有2个以上羰基(-C(＝O)-)的反应延迟剂，例如可列举出二羧酸、酮酸、二酮等。
在支撑片具有粘着剂层时，粘着剂层的厚度可根据目的在满足积(A×B)的条件的范围中适当选择，优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。此处，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如，由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的总厚度。另外，作为粘着剂层的厚度的测定方法，例如可列举出利用接触式厚度计在任意5处测定厚度，计算该测定值的平均值的方法等。
粘着剂组合物可通过掺合丙烯酸聚合物等用于构成粘着剂的各个成分而得到，例如除了掺合成分不同这一点以外，可通过与后文所述的粘合剂组合物的情况相同的方法得到。
粘着剂层可通过在所述基材的表面上涂布粘着剂组合物并使其干燥而形成。
此时，可根据需要通过对涂布的粘着剂组合物进行加热来进行交联。加热条件例如可设为在100～130℃下进行1～5分钟，但并不限于此。此外，通过在剥离膜的剥离处理面上涂布粘着剂组合物并使其干燥而形成粘着剂层，将该粘着剂层贴合在基材的表面上，根据需要去除所述剥离膜，由此也能够在基材上形成粘着剂层。
利用公知的方法对基材的表面或剥离材料的剥离层表面涂布粘着剂组合物即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。
<膜状粘合剂>
所述膜状粘合剂具有固化性。所述膜状粘合剂优选具有热固性，优选具有压敏粘合性。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂在未固化状态下可通过轻轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂可通过加热并软化而贴附在各种被粘物上。膜状粘合剂通过固化而最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严酷的高温·高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。
所述膜状粘合剂的厚度为1μm～60μm，优选为3μm～25μm，更优选为5μm～15μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，可得到对被粘物(即，半导体芯片)的高粘合力。此外，通过使膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下，可通过进行在制造半导体装置时通常实施的隔着支撑片对膜状粘合剂施加力的操作，并利用该操作中所产生的剪切力而将膜状粘合剂容易地切断，不需要另外设置以切断膜状粘合剂为主要目的的工序。
作为膜状粘合剂的厚度的测定方法，例如可列举出利用接触式厚度计在任意5处测定厚度，计算该测定值的平均值的方法等。
在本发明中，以使总厚度成为200μm的方式层叠固化前的所述膜状粘合剂而得到的层叠体的断裂伸长率C例如优选为5～2000％，更优选为30～1200％，进一步优选为40～1100％，特别优选为45～1050％。通过使断裂伸长率(C)为所述上限值以下，在拾取贴附有膜状粘合剂的半导体芯片之前，能够更容易地切断膜状粘合剂。
即，作为一个侧面，本发明的膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂为具有下述特性的膜状粘合剂：在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂伸长率(C)为1～2000％，优选为30～1200％，更优选为40～1100％，特别优选为45～1050％。
进一步，作为另一个侧面，断裂伸长率(C)优选为2000％以下，更优选为1500％以下，特别优选为1000％以下，例如可以为30～1500％、40～500％及45～1000％等中的任一种。通过使断裂伸长率(C)为所述上限值以下，在拾取贴附有膜状粘合剂的半导体芯片之前，可通过各种方式更容易地切断膜状粘合剂。
即，作为膜状粘合剂的切断方式，不仅能够适用最通常的销上顶(ピン突き上げ)方式，也能够适用滑块上顶方式等其他方式，膜状粘合剂复合片的通用性变高。
在本说明书中，“断裂伸长率(C)(％)”是指以使总厚度成为200μm的方式层叠固化前的所述膜状粘合剂而得到的层叠体的断裂伸长率。
在本发明中，固化前的膜状粘合剂或层叠该粘合剂而得到的层叠体整体的断裂伸长率为以JIS K7161-1994(ISO 527-1)或JIS K7127:1999(ISO527-3)为基准求出的值。在测定对象物(试验片)不具有屈服点时，测定拉伸断裂应变，在具有屈服点时，测定拉伸标称断裂应变(nominal tensile strain at break)，可使用这些测定值求出断裂伸长率。
作为求出断裂伸长率C的对象的所述层叠体为将厚度小于200μm的固化前的膜状粘合剂、优选为将用于构成本发明的膜状粘合剂复合片的厚度为1～60μm的固化前的膜状粘合剂以总厚度成为200μm的方式层叠2片以上而得到的层叠体。
断裂伸长率C可通过以下方式求出：将所述层叠体裁切为宽度为15mm、长度为100mm、厚度为200μm的试验片，以使固定位置之间的距离(例如，通过万能试验机的固定夹持器具在两处固定试验片时，所述固定夹持器具的前端部之间的距离)成为75mm的方式在两处对所述试验片进行固定，将拉伸速度设为200mm/min，在该固定位置之间拉伸所述层叠体，测定层叠体断裂时试验片的伸长率。
另外，在本说明书中，“断裂伸长率(C)为X％(式中，X为正数)”是指，在上述的测定方法中拉伸试验片(由层叠体制成的试验片)，相对于原长度(未进行拉伸时的长度)，试验片在其拉伸方向仅拉伸X％的长度时试验片发生断裂，即当试验片在拉伸方向上的整体长度为拉伸前长度的[1+X/100]倍时，试验片发生断裂。
在本发明中，以使总厚度成为200μm的方式层叠固化前的所述膜状粘合剂而得到的层叠体的断裂强度(D)优选为0.1～17MPa，更优选为0.2～15MPa，特别优选为0.4～13MPa。此处，层叠体与作为上述断裂伸长率(C)(％)的测定对象的层叠体相同。
断裂强度D为在测定断裂伸长率(C)时，试验片断裂(被破坏)时的拉伸应力，即拉伸断裂应力，可与断裂伸长率(C)同时进行测定。
即，作为一个侧面，本发明的膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂为具有以下特性的膜状粘合剂：在层叠固化前的所述膜状粘合剂制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂强度(D)优选为0.1～17MPa，更优选为0.2～15MPa，特别优选为0.4～13MPa。
固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力(E)优选为3N/24mm以上，更优选为4N/24mm以上。粘合力(E)的上限值例如可设为15N/24mm、11N/24mm及10N/24mm中的任意一个，但这些值仅为一个例子。作为一个侧面，本发明的膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂为具有以下特性的膜状粘合剂：将固化前的所述膜状粘合剂粘合于半导体晶圆时的粘合力(E)优选为3N/24mm以上15N/24mm以下，更优选为3N/24mm以上11N/24mm以下，特别优选为4N/24mm以上11N/24mm以下，极优选为4N/24mm以上10N/24mm以下。
在本说明书中，固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力E(N/24mm)可通过以下的方法进行测定。即，制成宽度为24mm、长度为任意的膜状粘合剂及粘着胶带的层叠片。该层叠片在粘着胶带的粘着面上层叠有膜状粘合剂，作为粘着胶带，使用NICHIBAN CO,LTD.制造的宽度为24mm的“cellotape(注册商标)No.405”。接着，通过加热至60℃的膜状粘合剂在半导体晶圆上贴附该层叠片，制成依次层叠粘着胶带、膜状粘合剂及半导体晶圆而成的层叠体。立即在JIS Z0237 2009中规定的标准环境下将制成后的该层叠体放置30分钟后，以使膜状粘合剂及半导体晶圆相互接触的面彼此呈180°的角度的方式，以150mm/min的剥离速度从半导体晶圆上剥离膜状粘合剂及粘着胶带的层叠片，进行所谓的180°剥离。测定此时的剥离力，将该测定值作为粘合力E(N/24mm)。供于测定的所述层叠片的长度只要是能够稳定地测定剥离力的范围则没有特别限定。作为所述层叠片的长度，例如优选为120～250mm。
固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力(E)可通过调节膜状粘合剂的含有成分的种类及量、膜状粘合剂的厚度、构成所述支撑片的设置膜状粘合剂的面的材料、该面的状态(表面状态)等而进行适当调节。
例如，若调节膜状粘合剂的含有成分，则通过调节后文所述的硅烷偶联剂等偶联剂(e)的种类或量，可容易地调节固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力E。
此外，例如，支撑片的所述表面状态例如可通过实施上文中作为提高基材与其他层的密合性的处理而列举出的表面处理来进行调节，即基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理；底漆处理等。
然而，这些调节方法仅为一个例子。
膜状粘合剂的所述断裂伸长率(C)及断裂强度(D)可通过调节膜状粘合剂的含有成分的种类及量而进行适当调节。例如，通过调节后文所述的聚合物成分(a)的分子量及含量、构成环氧类热固性树脂(b)的成分的结构、软化点及含量、以及填充剂(c)的含量等，可容易地调节膜状粘合剂的断裂伸长率(C)及断裂强度(D)。
然而，这些调节方法仅为一个例子。
在本发明中，由所述断裂伸长率(C)、所述断裂强度(D)及所述粘合力(E)求出的E/(C×D)的值优选为0.0005以上，更优选为0.0006以上，特别优选为0.0007以上。E/(C×D)的上限值没有特别限定，例如可设为0.80以下、0.50以下及0.10以下中的任意一个，但这些值仅为一个例子。
作为一个侧面，本发明的膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂为具有以下特性的膜状粘合剂：由所述断裂伸长率(C)、所述断裂强度(D)及所述粘合力(E)求出的E/(C×D)的值优选为0.0005以上0.80以下，更优选为0.0006以上0.50以下，特别优选为0.0007以上0.10以下。
[粘合剂组合物]
膜状粘合剂可由含有其构成材料的粘合剂组合物形成。例如，可通过在膜状粘合剂的形成对象面上涂布粘合剂组合物，根据需要使其干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。粘合剂组合物中的常温下不气化的成分彼此的含量比率通常与膜状粘合剂的所述成分彼此的含量比率相同。其中，“常温”与上文所说明的常温相同。
使用公知的方法进行粘合剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定，但在粘合剂组合物含有后文所述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选以70～130℃、10秒～5分钟的条件进行干燥。
作为优选的粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的组合物。以下对各成分进行说明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)为聚合性化合物进行聚合反应而形成的成分，其为对膜状粘合剂赋予造膜性或可挠性等，且同时用于提高与半导体芯片等粘合对象的粘合性(贴附性)的聚合物化合物。此外，聚合物成分(a)为不属于后文所述的环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的成分。
聚合物成分(a)可单独使用一种，也可同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸类树脂(例如，具有(甲基)丙烯酰基的树脂)、聚酯、氨基甲酸酯类树脂(例如，具有氨基甲酸酯键的树脂)、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、硅酮类树脂(例如，具有硅氧烷键的树脂)、橡胶类树脂(例如，具有橡胶结构的树脂)、苯氧基树脂、热固性聚酰亚胺等，优选为丙烯酸类树脂。
作为聚合物成分(a)中的所述丙烯酸类树脂，可列举出公知的丙烯酸聚合物。
丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。通过使丙烯酸类树脂的重均分子量在所述的范围内，容易在上述范围内调节固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力E。
另一方面，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为所述下限值以上，膜状粘合剂的形状稳定性(保管时的经时稳定性)得以提高。此外，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为所述上限值以下，膜状粘合剂容易追随被粘物的凹凸面，可进一步抑制在被粘物与膜状粘合剂之间产生孔隙(void)等。
另外，在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(有时简称为GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(有时简称为Tg)优选为-60～70℃，更优选为-30～50℃。通过使丙烯酸类树脂的Tg为所述下限值以上，膜状粘合剂与支撑片的粘合力受到抑制，在拾取时，具备膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得更容易。此外，通过使丙烯酸类树脂的Tg为所述上限值以下，膜状粘合剂与半导体芯片的粘合力E得以提高。
作为构成丙烯酸类树脂的所述(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等、构成烷基酯的烷基为碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯；
(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等的(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯氧基烷基酯；
(甲基)丙烯酰亚胺；
(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。此处，“取代氨基”是指氨基的1个或2个氢原子被除了氢原子以外的基团取代而成的基团。
丙烯酸类树脂例如可以为除了所述(甲基)丙烯酸酯以外，还共聚选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羟甲基丙烯酰胺等中的一种或两种以上单体而成的物质。
构成丙烯酸类树脂的单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
丙烯酸类树脂也可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等能够与其他化合物键合的官能团。丙烯酸类树脂的所述官能团可经由后述的交联剂(f)与其他化合物键合，也可以不经由交联剂(f)而直接与其他化合物键合。丙烯酸类树脂通过所述官能团与其他化合物键合，由此使用膜状粘合剂复合片而得到的封装的可靠性具有提高的倾向。
在本发明中，作为聚合物成分(a)，可单独使用除了丙烯酸类树脂以外的热可塑性树脂(以下，有时简称为“热可塑性树脂”)而不使用丙烯酸类树脂，也可同时使用热可塑性树脂与丙烯酸类树脂。通过使用所述热可塑性树脂，在拾取时，具备膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得更容易，膜状粘合剂容易追随被粘物的凹凸面，抑制在被粘物与膜状粘合剂之间产生孔隙等。
所述热可塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000，更优选为3000～80000。
所述热可塑性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～150℃，更优选为-20～120℃。
作为所述热可塑性树脂，例如可列举出聚酯、聚氨酯、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的所述热可塑性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
在粘合剂组合物中，相对于除了溶剂以外的所有成分的总含量(总质量)，聚合物成分(a)中的丙烯酸类树脂的含量(即，相对于膜状粘合剂的总质量的聚合物成分(a)中的丙烯酸类树脂的含量)优选为5～40质量％，更优选为7～25质量％。
在粘合剂组合物中，相对于除了溶剂以外的所有成分的总含量(质量)的聚合物成分(a)的含量(即，相对于膜状粘合剂的总质量的聚合物成分(a)的含量)与聚合物成分(a)的种类无关，优选为5～85质量％，更优选为7～80质量％。
通过使用所述热可塑性树脂，能够得到上述效果，但另一方面，在将固化前的膜状粘合剂暴露在高温中时，存在其硬度下降、呈未固化或半固化状态的膜状粘合剂的引线键合(wire bonding)适应性下降的可能性。因此，优选考虑所述影响后对粘合剂组合物的聚合物成分(a)的含量进行设定。
(环氧类热固性树脂(b))
环氧类热固性树脂(b)由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)构成。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
·环氧树脂(b1)
作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能度以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(b1)，可使用具有不饱和烃基的环氧树脂。与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘合剂复合片而得到的封装的可靠性得以提高。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出将多官能度类环氧树脂的环氧基的一部分变换为具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。另外，在本说明书中，只要没有特别说明，则“衍生物”是指原化合物的至少1个基团被除其以外的基团(取代基)取代而成的化合物。其中，“基团”不仅包含由多个原子键合而成的原子团，也包括1个原子。
此外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出在构成环氧树脂的芳香环等上直接键合了具有不饱和烃基的基团的化合物等。
不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例，可列举出次乙基(也称为乙烯基)、2-丙烯基(也称为烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选为丙烯酰基。
环氧树脂(b1)的重均分子量没有特别限定，从膜状粘合剂的固化性以及固化后的膜状粘合剂的强度及耐热性的点出发，优选为300～30000。
环氧树脂(b1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为150～800g/eq。
在本说明书中，“环氧当量”是指含有1克当量的环氧基的环氧化合物的克数(g/eq)，其可按照JIS K 7236:2001的方法进行测定。
环氧树脂(b1)可单独使用一种，也可同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
·热固化剂(b2)
热固化剂(b2)作为针对环氧树脂(b1)的固化剂而发挥功能。
作为热固化剂(b2)，例如可列举出在1分子中具有两个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚性羟基、氨基或酸基酐化而成的基团等，更优选为酚性羟基或氨基。
作为热固化剂(b2)中的具有酚性羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯型酚树脂、联苯型酚树脂、芳烷基酚树脂等。
作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(以下，有时简称为“DICY”)等。
热固化剂(b2)可具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(b2)，例如可列举出酚树脂的羟基的一部分被具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、在酚树脂的芳香环上直接键合具有不饱和烃基的基团而成的化合物等。
热固化剂(b2)中的所述不饱和烃基与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。
在使用酚类固化剂作为热固化剂(b2)时，从容易在上述范围内对固化前的所述膜状粘合剂对半导体晶圆的粘合力E进行调节的点出发，热固化剂(b2)优选为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。
热固化剂(b2)的重均分子量例如优选为60～30000。
热固化剂(b2)可单独使用一种，也可同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，膜状粘合剂的固化变得更易进行。此外，通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，可降低膜状粘合剂的吸湿率，进一步提高使用膜状粘合剂复合片而得到的封装的可靠性。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，环氧类热固性树脂(b)的含量(即，环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为50～1000质量份，更优选为100～900质量份，特别优选为150～870质量份。通过使环氧类热固性树脂(b)的所述含量为所述范围，在拾取时，具备膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得更容易。
作为一个侧面，相对于粘合剂组合物及膜状粘合剂的总质量，环氧类热固性树脂(b)的含量优选为20～80质量％。
为了改良其各种物性，除了聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)以外，所述膜状粘合剂可进一步根据需要含有不属于聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的其他成分。
作为所述膜状粘合剂所含有的优选的其他成分，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。
即，作为一个侧面，本发明的膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂含有聚合物成分(a)；环氧类热固性树脂(b)；选自由固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)及通用添加剂(i)组成的组中的至少一种成分。
(固化促进剂(c))
固化促进剂(c)为用于调节粘合剂组合物的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑等咪唑类(例如，至少一个氢原子被除氢原子以外的基团取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(例如，至少一个氢原子被有机基团取代的膦)；四苯基硼四苯基膦、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
在使用固化促进剂(c)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧类热固性树脂(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用固化促进剂(c)所带来的效果。此外，通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如，在高温·高湿度的条件下，抑制高极性的固化促进剂(c)在膜状粘合剂中向与被粘物的粘合界面侧移动并偏析的效果得以提高，使用膜状粘合剂复合片而得到的封装的可靠性进一步得以提高。
(填充材料(d))
通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，其热膨胀系数的调节变得容易，通过使该热膨胀系数相对于膜状粘合剂的贴附对象物最适化，使用膜状粘合剂复合片而得到的封装的可靠性进一步得以提高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，也能够降低固化后的膜状粘合剂的吸湿率、提高散热性。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任一种，但优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁丹(bengala)、碳化硅、氮化硼等粉末；将这些无机填充材料球形化而成的珠子；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
当使用填充材料(d)时，在粘合剂组合物中，相对于除了溶剂以外的所有成分的总含量(总质量)的填充材料(d)的含量(即，相对于膜状粘合剂总质量的填充材料(d)的含量)优选为5～80质量％，更优选为7～60质量％。通过使填充材料(d)的含量为所述范围，上述热膨胀系数的调节变得更容易。
(偶联剂(e))
通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，对被粘物的粘合性及密合性得以提高。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，其固化物的耐水性得以提高而不损害耐热性。偶联剂(e)具有能够与无机化合物或有机化合物反应的官能团。
偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)等所具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的所述硅烷偶联剂，例如可列举出3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷、含环氧基的低聚物等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
当使用偶联剂(e)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。
通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，能够更显著地得到提高填充材料(d)在树脂中的分散性或提高膜状粘合剂与被粘物的粘合性等通过使用偶联剂(e)所带来的效果。此外，通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气的产生。
(交联剂(f))
使用上述丙烯酸类树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的成分作为聚合物成分(a)时，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可以含有用于使所述官能团与其他化合物键合并交联的交联剂(f)。通过使用交联剂(f)来进行交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及凝聚力。
作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(即，具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(即，具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，有时将这些化合物统一简称为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；所述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚体、异氰脲酸酯体及加成物；使所述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。所述“加成物”是指所述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物，作为其例子，可列举出如后文所述的三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。此外，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键、且在分子的末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯基二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或一部分的羟基上加成甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为所述有机多元亚胺化合物，例如可列举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
在使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。在交联剂(f)具有异氰酸酯基，聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，能够简单地将交联结构导入膜状粘合剂。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
在使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，能够更显著地得到使用交联剂(f)所带来的效果。此外，通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，能够抑制交联剂(f)的过量使用。
(能量射线固化性树脂(g))
通过使膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)，通过能量射线的照射，能够使特性发生变化。
能量射线固化性树脂(g)具有通过照射能量射线而固化(聚合)的性质。
作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出在分子内具有至少一个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为所述丙烯酸酯类化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含链状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二环戊基酯、三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯等含环状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；环氧改性(甲基)丙烯酸酯；除了所述聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。
能量射线固化性树脂(g)的重均分子量优选为100～30000。
粘合剂组合物所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
相对于粘合剂组合物的总质量，能量射线固化性树脂(g)的含量优选为1～95质量％，更优选为3～90质量％，特别优选为5～85质量％。
(光聚合引发剂(h))
当粘合剂组合物含有能量射线固化性树脂(g)时，为了有效地促进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可含有光聚合引发剂(h)。
作为粘合剂组合物中的光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
此外，作为光聚合引发剂(h)，例如可列举出胺等光敏剂等。
粘合剂组合物所含有的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
在粘合剂组合物中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。
(通用添加剂(i))
通用添加剂(I)为公知的物质，可根据目的进行任意选择，没有特别限定，作为优选的通用添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、着色剂(染料、颜料)、吸杂剂(gettering agent)等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
粘合剂组合物及膜状粘合剂的含量没有特别限定，可根据目的进行适当选择。
(溶剂)
优选粘合剂组合物进一步含有溶剂。含有溶剂的粘合剂组合物的操作性良好。
所述溶剂虽没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(也称为2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(即，具有酰胺键的化合物)等。
粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
从能够更均匀地混合粘合剂组合物中的含有成分的点出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
[粘合剂组合物的制备方法]
粘合剂组合物可通过掺合用于构成它的各个成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，也可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可以通过将溶剂与除了溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除了溶剂以外的任意掺合成分，而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各个成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌器或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用搅拌机进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
优选本发明的膜状粘合剂复合片的支撑片仅由基材构成，膜状粘合剂以与该基材直接接触的方式设置。如此，当支撑片不具有粘着剂层等而在基材上直接设置膜状粘合剂时，能够抑制以下的构成成分的层间移动：膜状粘合剂中的成分向粘着剂层等基材上的其他层转移；或者与该情况相反，这些其他层中的成分向膜状粘合剂中转移等。因此，可显著抑制在制造半导体装置时发生工序异常、半导体封装的可靠性的下降。
通常，当使用不具有粘着剂层的复合片作为膜状粘合剂复合片时，在将半导体芯片以贴附有膜状粘合剂的状态直接从支撑片上分离时，容易产生双模。然而，根据本发明的膜状粘合剂复合片，即使在该复合片不具有粘着剂层时，也能够抑制双模的产生。
《膜状粘合剂复合片的制造方法》
本发明的膜状粘合剂复合片可依次层叠上述各层以使其呈对应的位置关系的方式进行制造。各层的形成方法与在上文中说明的相同。
例如制造支撑片时，在基材上层叠粘着剂层的情况下，通过在基材上涂布上述粘着剂组合物并根据需要使其干燥，能够层叠粘着剂层。
例如，在层叠于基材上的粘着剂层上进一步层叠膜状粘合剂时，作为一个侧面，可在粘着剂层上涂布粘合剂组合物，在所述粘着剂层上直接形成膜状粘合剂。即，在使用任一种组合物形成连续的两层层叠结构时，可在由所述组合物形成的层上进一步直接涂布其他组合物，形成新的层。此外，作为另一个侧面，也可预先使用所述组合物在另一个剥离膜上形成所述两层中后层叠的层，通过将该形成的层的、与同所述剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面与已经形成的剩余的层的露出面贴合，从而形成连续的两层层叠结构。此时，所述组合物优选涂布在剥离膜的剥离处理面上。在形成层叠结构后，根据需要去除剥离膜即可。
例如，当制造基材上层叠有粘着剂层，在所述粘着剂层上层叠膜状粘合剂而成的膜状粘合剂复合片(即，支撑片为基材及粘着剂层的层叠物的膜状粘合剂复合片)时，通过在基材上涂布粘着剂组合物并根据需要使其干燥，在基材上层叠粘着剂层，另外通过在剥离膜上涂布粘合剂组合物并根据需要使其干燥，在所述剥离膜上形成膜状粘合剂，将该膜状粘合剂的露出面与层叠在所述基材上的粘着剂层的露出面贴合，在所述粘着剂层上层叠所述膜状粘合剂，从而可得到膜状粘合剂复合片。
另外，在基材上层叠粘着剂层时，如上所述，也可通过在剥离膜上涂布粘着剂组合物并根据需要进行干燥，在剥离膜上形成粘着剂层，将该粘着剂层的露出面与基材的一个表面贴合，从而在所述基材上层叠所述粘着剂层，以代替在基材上涂布粘着剂组合物的方法。
在任一种方法中，只要在形成目标层叠结构后的任意时间点去除剥离膜即可。
如此，由于除了构成膜状粘合剂复合片的基材以外的层均能够以预先形成在剥离膜上并贴合于目标层的表面的方法进行层叠，因此只要根据需要适当选择采用这种工序的层来制造膜状粘合剂复合片即可。
另外，膜状粘合剂复合片通常以在与其支撑片为相反侧的最表层(例如，膜状粘合剂)的表面上贴合有剥离膜的状态进行保管。因此，在该剥离膜(优选为其剥离处理面)上涂布用于形成下述层的组合物(即，粘合剂组合物等)，所述层为构成膜状粘合剂复合片的与支撑片侧为相反侧的最表层的层，根据需要使其干燥，由此在剥离膜上形成构成所述最表层的层，使用上述任一种方法在该层的与同剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面上层叠剩下的各层，由此，即使在不去除剥离膜而贴合的状态，也可得到膜状粘合剂复合片。
《半导体装置的制造方法》
作为本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法中，使用了所述膜状粘合剂复合片，所述制造方法包括：经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上(以下，有时简称为“贴附工序”)；对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片的支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂(以下，有时简称为“切断工序”)；将所述半导体芯片与贴附在其上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离(以下，有时简称为“分离工序”)。
根据所述制造方法，通过使用所述膜状粘合剂复合片，在制造半导体装置时，能够以简化的方法，抑制工序异常的发生，将贴附有膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上分离。
<贴附工序>
在所述贴附工序中，经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上。在本工序中，将一片膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂贴附在多个半导体芯片的背面。
已分割的多个半导体芯片例如可通过以下方式制作：在半导体晶圆的与所述膜状粘合剂复合片的贴附面(有时称为背面)为相反侧的表面上形成槽，磨削所述背面直至到达该槽。作为形成所述槽的方法，例如可列举出通过使用刀片切割半导体晶圆而形成槽的方法(即，刀片切割)；通过激光照射切割半导体晶圆而形成槽的方法(即，激光切割)；通过喷射含有研磨剂的水切割半导体晶圆而形成槽的方法(即，水切割)等。
此外，已分割的多个半导体芯片也可通过以下方式制作：以集束于设定在半导体晶圆内部的焦点的方式照射红外区域的激光，在半导体晶圆的内部形成改性层后，磨削半导体晶圆的所述背面，进一步对磨削所述背面后的半导体晶圆施加力；或者，通过对所述背面磨削中的半导体晶圆施加磨削时的力，在所述改性层的形成部位分割所述半导体晶圆。
<切断工序>
在所述切断工序中，在所述贴附工序后，对于贴附在所述半导体芯片上的膜状粘合剂复合片的支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，切断所述膜状粘合剂。以下，参照附图对作为本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图1为示意性地表示在本发明的半导体装置的制造方法中，从切断膜状粘合剂开始到从支撑片上分离半导体芯片为止的一个实施方式的截面图。在图1中，仅以截面表示与膜状粘合剂复合片相关的构成。
如图1的(a)所示，膜状粘合剂复合片1的膜状粘合剂12通过所述贴附工序贴附在多个半导体芯片9的背面9b上。然后，在本工序中，半导体装置的制造装置(省略整体图的图示)中的对半导体芯片进行上顶的上顶部81与膜状粘合剂复合片1中的支撑片11的、与设有膜状粘合剂12一侧的面(有时称作表面)11a为相反侧的面(有时称作背面)11b接触。
在支撑片11仅由基材构成时，膜状粘合剂复合片1为层叠有基材及膜状粘合剂12的片，膜状粘合剂12的与同基材接触的一侧为相反侧的表面贴附在半导体芯片9的背面9b上。
当支撑片11为层叠有基材及粘着剂层的片时，膜状粘合剂复合片1依次层叠有基材、粘着剂层及膜状粘合剂12，膜状粘合剂12的与同粘着剂层接触的一侧为相反侧的表面贴附在半导体芯片9的背面9b上。
在本工序中，如图1的(b)所示，接着，对于膜状粘合剂复合片1的支撑片11，从该支撑片11的背面11b施加力，由此隔着支撑片11将力施加在膜状粘合剂12上。此处，示出以下例子：突起(即，销)811从上顶部81中突出，通过使突起811的前端部从支撑片11的背面11b上顶支撑片11，从而在突起811的突出方向上隔着支撑片11对膜状粘合剂12施加力。此时，可适当调节突起811的突出量(即，上顶量)、突出速度(即，上顶速度)、突出状态的保持时间(即，顶起等待时间)等上顶条件。此处，示出了上顶支撑片11的突起811的数量为5个的情况，但其可以为1个，也可以为2个以上，突起811的数量只要适当选择即可。
若以此方式对膜状粘合剂12施加力，则由于使用了膜状粘合剂复合片1，因此能够通过伴随突起811的上顶而产生的剪切力，边抑制工序异常的发生边切断膜状粘合剂12。更具体而言，能够在常温下切断膜状粘合剂12的目标位置，即切断仅包围作为从支撑片11上分离的对象的半导体芯片9的位置。然后，例如，能够不再另外设置对膜状粘合剂12照射激光而进行切断的工序或通过扩展膜状粘合剂12而进行切断的工序等以切断膜状粘合剂12为主要目的的工序来进行切断。
<分离工序>
在所述分离工序中，如图1的(c)所示，在所述切断工序后，将半导体芯片9与贴附在其上的切断后的膜状粘合剂12从支撑片11上分离(即，进行拾取)。本工序通常在所述切断工序后立即连续进行。此处，示出以下例子：通过半导体装置的制造装置的提起部82将半导体芯片9提起，从而使贴附在该半导体芯片9上的切断后的膜状粘合剂12从支撑片11上剥离。如此提起半导体芯片9的方法为公知的方法即可，例如可列举出通过真空夹头吸附半导体芯片9的表面而提起的方法等。
若以此方式提起半导体芯片9，则由于使用了膜状粘合剂复合片1，因此能够边抑制工序异常的发生边使膜状粘合剂12从支撑片11上剥离。更具体而言，从支撑片11上剥离与作为膜状粘合剂12的目标的半导体芯片9相对应的部位，且同时可抑制从支撑片11上剥离与不是膜状粘合剂12的目标的半导体芯片9相对应的部位的现象。并且，由于膜状粘合剂12在规定位置被切断，因此提起的半导体芯片9与膜状粘合剂12被一同从支撑片11上分离。
在本发明的制造方法中，能够使用与膜状粘合剂一同被分离的(即，被拾取的)半导体芯片，并使用与以往方法相同的方法，即经过利用膜状粘合剂将所述半导体芯片芯片键合在基板的电路面上的工序，制造半导体装置。例如，使用膜状粘合剂将所述半导体芯片芯片键合在基板的电路面上，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上的半导体芯片，进行引线键合后，将整体利用树脂密封，由此制成半导体封装。然后，使用该半导体封装，制作目标半导体装置即可。
作为一个侧面，本发明的半导体装置的制造方法包括：
经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上；
对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂；
将所述半导体芯片与贴附在其上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离；
通过所述膜状粘合剂，将从所述支撑片上分离的半导体芯片芯片键合在基板的电路面上；及
根据需要在所述半导体芯片上进一步层叠1个以上的半导体芯片，进行引线键合后，将整体利用树脂密封，由此得到半导体封装。
本发明的半导体装置的制造方法不限于引用图1进行说明的上述方法，在不损害本发明的效果的范围内，可对上述方法中的一部分构成进行变更、删除或追加。
例如，作为隔着支撑片11对膜状粘合剂12施加力的方法，上文对通过利用突起811上顶支撑片11从而对膜状粘合剂12施加力的方法进行了说明。作为除了该方法以外的方法，例如可列举出以滑块代替突起811而上顶支撑片11，从而对膜状粘合剂12施加力的方法。
图2为用于示意性地说明对上述膜状粘合剂施加力并将其切断的另一个实施方式的截面图。另外，在图2中，对于与图1所示的构成要素相同的构成要素，标记与图1的情况相同的符号并省略其详细说明。这一点在图3之后的图中也相同。
在此示出一种膜状粘合剂的切断方法，以代替参照图1的(b)进行说明的方法。
在适用本实施方式时，首先通过与参照图1的(a)进行说明时相同的方法，进行贴附工序。
接着，对于膜状粘合剂复合片1中的支撑片11，隔着支撑片11从其背面11b对膜状粘合剂12施加力。然而，在本实施方式中，是通过图2的(a)及图2的(b)所示的滑块812的移动从而从支撑片11的背面11b将支撑片11上顶，并非通过上顶部81中如图1的(b)所示的突起811的突出。
在本实施方式中，如图2的(a)所示，从上顶部81突出的滑块812的表面812a呈与支撑片11的背面11b接触的状态。此时，滑块812的表面812a如图2的(a)所示，不与切断工序前的支撑片11的背面11b平行。因此，通过在垂直于滑块812的表面812a的方向、即在倾斜方向而非铅垂方向上从支撑片11的背面11b对支撑片11施加力，从而在膜状粘合剂12的上顶高度上产生差。但是，隔着支撑片11对膜状粘合剂12施加力这一点与图1的(b)的情况相同。由此，在膜状粘合剂12的上顶高度较高的区域中的未贴附半导体芯片9的区域(图2的(a)中的第一区域121)中，通过伴随上顶而产生的剪切力，能够边抑制工序异常的发生边切断膜状粘合剂12。
在通过滑块812进行上顶时，可适当调节滑块812的突出量(即，上顶量)、倾斜角(即，上顶速度)、移动速度(即，顶起等待时间)等上顶条件。
在本实施方式中，接着，如图2的(b)所示，对于未被上顶的支撑片11的背面11b，在平行的方向上滑动滑块812。由此，支撑片11的上顶部位发生移动。然后，在该上顶部位移动后，在膜状粘合剂12的上顶高度较高的区域中的未贴附半导体芯片9的区域(图2的(b)中的第二区域122)中，通过伴随上顶而产生的剪切力，能够边抑制工序异常的发生边切断膜状粘合剂12。
与参照图1进行说明的情况相同，通过伴随这种滑块812的移动而产生的剪切力，边抑制工序异常的发生边切断膜状粘合剂12。
以后，可通过与参照图1的(a)进行说明的情况相同的方法，进行分离工序。
然而，与参照图2进行说明的滑块上顶方式相比，通常，参照图1进行说明的销上顶方式的膜状粘合剂的切断效果更高。因此，对于采用哪种方式，例如优选考虑支撑片的杨氏模量(A)或膜状粘合剂的断裂伸长率(C)等涉及强度的特性来进行选择。
如上所述，根据本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法，在所述切断工序中，膜状粘合剂能够在目标位置进行切断，因此可抑制膜状粘合剂未被切断所导致的半导体芯片的分离(抬起)不良。
此外，根据本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法，在所述分离工序中，由于膜状粘合剂的目标部位从支撑片上剥离，因此可抑制半导体芯片发生分离(抬起)不良。由于进一步抑制了非膜状粘合剂的目标的部位从支撑片上剥离，因此抑制了如下情况：不仅目标半导体芯片从支撑片上分离，与其相邻的半导体芯片也同时与膜状粘合剂一同从支撑片上分离的所谓的双模的产生。
由此，根据本发明，能够通过简化的方法抑制工序异常的产生，制造半导体装置。
在不使用本发明的膜状粘合剂复合片的情况下，在制造半导体装置时，存在无法抑制以下所示的工序异常的发生的可能性。
图3为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的一个形态的截面图。
在使用其中所示的膜状粘合剂复合片7时，如图3的(a)所示，即使隔着支撑片71对膜状粘合剂72施加力，支撑片71产生较大的变形，拾取的力也未传递至膜状粘合剂，未能切断膜状粘合剂72，进一步，在提起半导体芯片9时，膜状粘合剂72从半导体芯片9上剥离，仍层叠在支撑片71上。其结果，如图3的(b)所示，产生半导体芯片9的顶起不良。
所述工序异常例如容易产生在以下情况下：在膜状粘合剂复合片7中，所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)较小；所述支撑片的厚度(B)(mm)较小；或所述支撑片的杨氏模量(A)与所述支撑片的厚度(B)这两者均较小，其结果，所述积(A×B)小于4Mpa·mm。
图4为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的另一个形态的截面图。
在使用其中所示的膜状粘合剂复合片7时，如图4的(a)所示，即使隔着支撑片71对膜状粘合剂72施加力，支撑片71也难以变形。因此，对应于半导体芯片的、作为目标的膜状粘合剂部位的周围也被抬起，拾取时的力未传递至膜状粘合剂，未能切断膜状粘合剂72。进一步，在提起半导体芯片9时，膜状粘合剂72从半导体芯片9上剥离，仍层叠在支撑片71上。其结果，如图4的(b)所示，产生半导体芯片9的顶起不良。
所述工序异常例如容易产生在以下情况下：在膜状粘合剂复合片7中，所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)较大；所述支撑片的厚度(B)(mm)较大；或所述支撑片的杨氏模量(A)及所述支撑片的厚度(B)这两者均较大，其结果，所述积(A×B)大于150MPa·mm。
另外，参照图3～4进行说明的工序异常为一个例子，根据情况，有时也会发生其他工序异常。
对此，在使用本发明的膜状粘合剂复合片的情况下，可抑制所述工序异常的发生，其结果，与以往相比，能够通过简化的方法低价制造半导体装置。
作为一个侧面，作为本发明的一个实施方式的膜状粘合剂复合片在支撑片上设有固化性的膜状粘合剂，
所述支撑片具有基材，
所述支撑片的厚度为20μm～200μm，优选为25μm～150μm，更优选为30μm～100μm，特别优选为38μm～80μm；
所述膜状粘合剂的厚度为1μm～60μm，优选为3μm～25μm，更优选为5μm～15μm；
所述支撑片的杨氏模量为50MPa～5000MPa，优选为100MPa～4000MPa，更优选为150MPa～3000MPa，特别优选为170MPa～2250MPa；
所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm，优选为13.6～112.5MPa·mm；
所述固化性膜状粘合剂具有以下特性：
在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂伸长率为1～2000％，优选为30～1200％，更优选为40～1100％，特别优选为45～1050％，
所述层叠体的断裂强度为0.1～17MPa，优选为0.2～15MPa，更优选为0.4～13MPa；
所述固化性膜状粘合剂具有以下特性：
将固化前的所述膜状粘合剂粘合在半导体晶圆上时的粘合力为3N/24mm以上15N/24mm以下，优选为3N/24mm以上11N/24mm以下，更优选为4N/24mm以上11N/24mm以下，特别优选为4N/24mm以上10N/24mm以下，
所述固化性膜状粘合剂具有所述粘合力/(所述断裂伸长率×所述断裂强度)的值为0.0005以上0.80以下、优选为0.0006以上0.50以下、更优选为0.0007以上0.10以下的特性。
作为另一个侧面，作为本发明的一个实施方式的膜状粘合剂复合片在支撑片上设有固化性的膜状粘合剂，
所述支撑片具有基材，
所述支撑片的厚度为20μm～200μm，优选为25μm～150μm，更优选为30μm～100μm，特别优选为38μm～80μm；
所述基材为由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的基材；
所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，优选为3μm～25μm，更优选为5～15μm；
所述固化性膜状粘合剂含有聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)、选自由固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)及通用添加剂(i)组成的组中的至少一种成分；
所述聚合物成分(a)为丙烯酸类树脂；
所述环氧类热固性树脂(b)含有选自由双酚A型环氧树脂、多官能度芳香族型环氧树脂及双环戊二烯型环氧树脂组成的组中的至少一种树脂；
相对于所述固化性膜状粘合剂的总质量，所述聚合物成分(a)的含量为5～85质量％，优选为7～80质量％；
相对于所述聚合物成分(a)的含量100质量份，所述环氧类热固性树脂(b)的含量为50～1000质量份，优选为100～900质量份，更优选为150～870质量份；
所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm，优选为13.6～112.5MPa·mm。
进一步，作为另一个侧面，作为本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法包括：
经由所述膜状粘合剂，将上述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上；
对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧，隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂；
将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离。
所述制造方法还可进一步包括：
通过所述膜状粘合剂，将从所述支撑片上分离的半导体芯片芯片键合于基板的电路面；及
根据需要，在所述半导体芯片上进一步层叠1个以上的半导体芯片，进行引线键合后，利用树脂将整体进行密封，由此得到半导体封装。
实施例
以下，通过具体的实施例，对本发明进行更详细的说明。但是，本发明并不受以下所示的实施例任何限定。
在以下示出粘合剂组合物的制备中所使用的成分。
·聚合物成分
(a)-1：丙烯酸类树脂(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.制造的“COPONYL N-2359-6”)
·环氧树脂
(b1)-1：液状双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造的“JER834”，环氧当量250g/eq，重均分子量470)
(b1)-2：多官能度芳香族型(三亚苯基型)环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“EPPN-502H”，环氧当量167g/eq，软化点54℃，重均分子量1200)
(b1)-5：双环戊二烯型环氧树脂(ADEKA CORPORATION制造的“ADEKA RESIN EP-4088L”，环氧当量165g/eq)
·热固化剂
(b2)-1联苯型酚树脂(MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.制造的“MEH-7851-SS”，软化点67℃)
·固化促进剂
(c)-1：2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制造的“Curezol 2PHZ”)
·填充材料
(d)-1：球状二氧化硅(Admatechs.制造的“SC2050”)
·偶联剂
(e)-1：硅烷偶联剂，3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造的“KBE-402”)
<支撑片的制造>
以下示出在膜状粘合剂复合片的制造中使用的支撑片。
支撑片(1)：准备将250质量份的丙烯酸类树脂(重均分子量为400000，玻璃化转变温度为-28℃)((a)-2)、50.27质量份的交联剂((f)-1：BHS-8515：商品名称，TOYO INK CO.,LTD.制造，甲苯二异氰酸酯类化合物)溶解于175.13份的甲苯中而得到的溶液，所述丙烯酸类树脂由丙烯酸2-乙基己酯(以下，简称为“2EHA”)(65质量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，简称为“MMA”)(25质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简称为“HEA”)(10质量份)共聚而成，以使涂膜的厚度成为20μm的方式，将所述溶液涂布在作为基材的Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET381031”(厚度：38μm))上。将其层叠4次后，剥离基材，制成厚度为80μm的支撑片(1)。
支撑片(2)：低密度PE/PP/低密度PE的两种3层基材，总厚度为80μm，且一个面平滑并具有光泽，另一面为以防止粘连为目的进行了哑光加工的多层塑料片
支撑片(3)：Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET381031”，厚度为38μm)
支撑片(4)：Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET501031”，厚度为50μm)
支撑片(5)：在100份的乙酸乙酯中，对由82份丙烯酸2-乙基己酯、3份丙烯酸及15份丙烯酰胺构成的掺合混合物进行溶液聚合，得到数均分子量为700,000的丙烯酸类共聚物聚合物。然后，向100份该得到的聚合物中添加20份酯类增塑剂(DIC CORPORATION制造，邻苯二甲酸二辛酯)、0.1份三聚氰胺类交联剂(DIC CORPORATION制造，J-820-60N)及3份异氰酸酯交联剂(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造，CORONATE HL)，以使涂膜的厚度成为20μm的方式，将其涂布在Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET38 1031”(厚度：38μm))上。将其层叠4次后，去除剥离膜，使用与制成所述支撑片(1)相同的材料形成厚度为20μm的涂膜，将其层叠于在先制成的80μm的涂膜的两面，制成总厚度为120μm的支撑片(5)。
支撑片(6)：准备将250质量份的所述丙烯酸类树脂((a)-2)、50.27质量份的所述交联剂((f)-1)溶解于175.13份的甲苯而得到的溶液，以使涂膜的厚度成为20μm的方式，将所述溶液涂布在作为基材的Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET381031”(厚度：38μm))上。在剥离基材制成仅为涂膜的形式后，将其作为厚度为20μm的支撑片(6)。
支撑片(7)：Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET751031”，厚度为75μm)
支撑片(8)：Lintec Corporation制造的轻剥离片(产品名称“SP-PET1001031”，厚度为100μm)
<支撑片的评价>
将在上述得到的各支撑片切成宽度：15.0mm、长度：约150mm的长方形，作为试验片。
使用万能试验机(Shimadzu Corporation制造：autograph AG-IS 500N)，参考JISK7127:1999，以夹持器具间距：100mm、拉伸速度：200mm/min进行杨氏模量测定。
<膜状粘合剂复合片的制造>
[实施例1]
(粘合剂组合物的制备)
将聚合物成分(a)-1(10.30质量份)、环氧树脂(b1)-1(26.46质量份)、环氧树脂(b1)-3(16.45质量份)、热固化剂(b2)-1(36.21质量份)、固化促进剂(c)-1(0.22质量份)、填充材料(d)-1(9.36质量份)及硅烷偶联剂(e)-1(1.00质量份)溶解或分散在甲基乙基酮中，在23℃下搅拌，由此得到作为粘合剂组合物的固体成分浓度为60质量％的粘合剂组合物。
(膜状粘合剂复合片的制造)
将上述得到的粘合剂组合物涂布在对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation制造的“SP-PET381031”，厚度为38μm)的剥离处理面上，在110℃下干燥3分钟，由此形成厚度为10μm的膜状粘合剂。接着，在该膜状粘合剂的露出面上贴合支撑片(1)(厚度为38μm)的一个面，由此得到膜状粘合剂复合片。
[实施例2]
除了将实施例1中使用的支撑片(1)替换为支撑片(2)，将支撑片(2)的光泽面一侧贴合在膜状粘合剂的露出面上以外，以与实施例1相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[实施例3]
除了将实施例1中使用的支撑片(1)替换为支撑片(3)，将支撑片(3)的剥离处理面一侧贴合在膜状粘合剂的露出面上以外，以与实施例1相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[实施例4]
除了将实施例3中使用支撑片(3)替换为支撑片(4)以外，以与实施例3相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[比较例1]
除了将实施例1中使用的支撑片(1)替换为支撑片(5)，将支撑片(5)的一个面贴合在膜状粘合剂的露出面上以外，以与实施例1相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[比较例2]
除了将实施例1中使用的支撑片(1)替换为支撑片(6)，将支撑片(6)的一个面贴合在膜状粘合剂的露出面上以外，以与实施例1相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[比较例3]
除了将实施例3中使用的支撑片(3)替换为支撑片(7)以外，以与实施例3相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
[比较例4]
除了将实施例3中使用的支撑片(3)替换为支撑片(8)以外，以与实施例3相同的方法制造膜状粘合剂复合片。
<膜状粘合剂复合片的评价>
对于在上述得到的各实施例及比较例的膜状粘合剂复合片，评价下述项目。
(基于销的上顶的拾取适应性评价)
将8英寸的硅晶圆单片化为2mm×2mm、厚度为50μm的芯片。然后，使用层压装置，将膜状粘合剂复合片的膜状粘合剂加热至60℃，在所述芯片的干抛光面上贴合该经过加热的膜状粘合剂。通过以上操作，得到在多个硅芯片上贴附了1片膜状粘合剂复合片的试验用片。
然后，使用拾取装置(Canon Machinery Inc.制造的“BESTEM-D02”)，以上顶量为300μm、上顶速度为20mm/min、顶起等待时间为1s的条件，通过单销上顶方式对该试验用片进行27次拾取。然后，将拾取成功26次以上的情况判定为拾取适应性良好，将除此以外的情况判定为拾取适应性不良。将结果示于表1。
[表1]
(断裂伸长率(C)的测定)
使用层压装置，将两片膜状粘合剂(厚度为20μm)加热至60℃并进行贴合，进一步以同样的方式重复贴合相同的膜状粘合剂，制成总厚度为200μm、层叠有膜状粘合剂的层叠体。
接着，使用加热至80℃的加热板，将得到的层叠体加热30秒。接着，使用超级切割机(OGINO SEIKI CO.,LTD.制造的“PH1-600”)，在10秒以内裁切该经过加热的层叠体，制成宽度为15mm、长度为100mm、厚度为200μm的试验片。在裁切时间超过10秒时，暂时中止裁切，在使用加热至80℃的加热板对裁切中的所述层叠体再次进行加热后，在10秒以内进行裁切，制作试验片。如此在加热后裁切所述层叠体是为了在试验片的端部不产生成为断裂原因的缺损部。
接着，对于所得到的试验片，以JIS K7161-1994为基准测定断裂伸长率。更具体的内容如下所述。
即，使用万能试验机(Shimadzu Corporation制造：autograph AG-IS500N)，通过其固定夹持器具在两处固定所述试验片。此时，将固定夹持器具的前端部间的距离(试验片的露出部位的长度、固定位置间的距离)设为75mm。
然后，将拉伸速度设为200mm/min，在该固定位置间拉伸试验片，求出试验片的断裂伸长率，作为断裂伸长率(C)(％)。
实施例1～4及比较例1～4中使用的膜状粘合剂的断裂伸长率(C)均相同，为900％。
(断裂强度(D)的测定)
在测定上述断裂伸长率(C)时，测定试验片断裂(被破坏)时的拉伸应力、即拉伸断裂应力，将该测定值作为断裂强度(D)(MPa)。
实施例1～4及比较例1～4中使用的膜状粘合剂的断裂强度(D)均相同，为0.5MPa。
(膜状粘合剂与半导体芯片的粘合力(E)的测定)
将膜状粘合剂复合片裁切为24mm×300mm的大小，将膜状粘合剂加热至60℃，在该膜状粘合剂上贴附透明胶带(NICHIBAN CO,LTD.制造的“cellotape(注册商标)No.405”，宽度为24mm)的粘着面。接着，将基材从膜状粘合剂上剥离，将露出的膜状粘合剂加热至60℃，并以此状态贴附在6英寸的硅晶圆(厚度为350μm)的干抛光面上，得到依次层叠有透明胶带、膜状粘合剂及硅晶圆的层叠体，将其作为试验片。
将得到的层叠体立即在23℃、相对湿度50％的环境下(JIS Z02372009中规定的标准环境下)放置30分钟后，以使膜状粘合剂及硅晶圆的相互接触的面彼此呈180°的角度的方式，以150mm/min的剥离速度从硅晶圆上剥离层叠有膜状粘合剂及透明胶带的层叠片，进行所谓的180°剥离，测定此时的剥离力，将该测定值作为膜状粘合剂与半导体芯片的粘合力E(N/24mm)。
实施例1～4以及比较例1～4中使用的膜状粘合剂与半导体芯片的粘合力(E)均相同，为10N/24mm。
此外，由这些测定结果求出E/(C×D)，其为0.022(N/24mm/(％·MPa))。
由上述结果可知，实施例1～4的膜状粘合剂复合片的支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内，在贴附有这些片的膜状粘合剂的硅芯片中，通过单销上顶方式，即使不另外设置以切断膜状粘合剂为主要目的的工序，也能够抑制工序异常的发生并切断膜状粘合剂。进一步，能够抑制工序异常的发生并将贴附有切断后的膜状粘合剂的硅芯片从支撑片上分离。由此，实施例1～4的膜状粘合剂复合片在单销上顶方式中表现出良好的拾取适应性。
与此不同，比较例1～4的膜状粘合剂复合片的支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)小于4MPa·mm或超过150MPa·mm，不满足所述的范围。并且，在贴附有这些片的膜状粘合剂的硅芯片中，在从切断膜状粘合剂开始到将带有膜状粘合剂的硅芯片从支撑片上分离为止的期间内，发生工序异常的次数多，拾取适应性不良。
工业实用性
本发明可用于半导体装置的制造，在工业上极为有用。
附图标记说明
1：膜状粘合剂复合片；11：支撑片；11a：支撑片的表面；11b：支撑片的背面；12：膜状粘合剂；9：半导体芯片；9b：半导体芯片的背面；7：膜状粘合剂复合片；71：支撑片；72：膜状粘合剂；81：上顶部；82：提起部；811：突起；812：滑块。
Claims (3)
1.一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，
所述支撑片具有基材，
所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，
所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。
2.根据权利要求1所述的膜状粘合剂复合片，其中，
所述膜状粘合剂具有以下特性：在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂伸长率为1～2000％。
3.一种半导体装置的制造方法，其使用了权利要求1所述的膜状粘合剂复合片，所述制造方法包括：
经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上；
对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂；
将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离。
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