JP2007016074A - 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 粘接着シートは、支持基材と、支持基材上に設けられた粘接着層とを備え、支持基材及び粘接着剤層は所定温度Ｔ１の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものである。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
【選択図】 図１

Description

本発明は、粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造において、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合に用いる接着剤層には銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきている。そして、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生等などのため、上記要求に対処しきれなくなってきている。

そこで、上記要求に対処するべく、近年、支持基材上にフィルム状の粘接着層を備えるウエハ貼着用粘接着シート（ダイシング・ダイボンディングテープ）が種々提案されている（例えば、特許文献１及び２を参照）。このような粘接着シートはウエハ固定機能と半導体素子接着機能とを併せ持ち、以下のようにして使用される。先ず、粘接着シートを半導体ウエハの回路面とは反対側の面（裏面）全体に貼り付けた後に、ダイサーにて半導体ウエハ及び粘接着シートを個片化する（ダイシング工程）。このダイシング工程後、チップ裏面に粘接着層が残存している状態で支持基材からチップをピックアップし、リードフレーム等にマウントした後、加熱などにより粘接着層を硬化させ接着を行う。

上記の粘接着シートを用いることで、銀ペーストを使用する場合の問題を解消できるとともに接着剤の塗布工程を簡略化することが可能となるため、半導体装置の生産性の更なる向上が期待されている。

ところで、上記の粘接着シートは以下の方法により製造されている。先ず、保護フィルム（以下、「剥離基材」という場合もある）上に、粘接着層形成用のワニスを塗工し、これを乾燥させて粘接着層を形成する。次に、形成された粘接着層上に、支持基材を所定の温度及び圧力をかけて貼り合わせること（以下、これを「熱転写」という場合もある）により、剥離基材（保護フィルム）／粘接着層／支持基材の積層構造を有する粘接着シートを得ることができる。このような方法で作製された粘接着シートは、剥離基材上に形成された粘接着層が熱と圧力をかけられて支持基材に転写されているため、支持基材と粘接着層との密着力が向上し、使用時に剥離基材を粘接着層からスムーズに剥離できる点において優れている。

特公平７−１５０８７号明細書 特開平１０−８００１号公報

しかしながら、上記の方法で製造される従来の粘接着シートは、以下の理由により実用に供するには必ずしも十分なものではない。すなわち、従来の粘接着シートはシート品として提供する場合、シートの反りが大きいためウエハラミネート時にフィルムがカールしやすく、シワや空気の巻き込みが発生してウエハラミネートを十分に行うことができない等の問題が生じる虞がある。このような問題が生じると半導体装置の生産性を十分に向上させることが困難となる。また一方で、ダイシング・ダイボンディングテープに要求される特性として、ダイシング工程においてはチップの脱落を十分に抑制できるダイシング性を有しつつ、粘接着層付きのチップを支持基材から容易にピックアップできるピックアップ性が必要とされているが、従来の粘接着シートでは、ダイシング性を確保しようとするとピックアップ性が不十分となる場合があった。

従って、粘接着シートを用いて半導体装置の生産性を向上させる上では、粘接着シートのダイシング性及びピックアップ性の双方を十分確保しつつシートの反りを抑制することが望ましいが、このような観点からの検討は未だ十分になされていないのが実情である。

そこで、本発明は、上記実情に鑑み、反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の粘接着シートは、支持基材と、支持基材上に設けられた粘接着層とを備え、支持基材及び粘接着剤層は所定温度Ｔ１の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることを特徴とする。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）

ここで、上記「所定温度Ｔ１」は、粘接着層に支持基材を熱転写して貼り付けることによって本発明の粘接着シートを製造する場合の転写時にかかる温度を採用する。そして、かかる転写温度の設定方法は、粘接着シートがダイシング機能を満足する特性を有することを基準とする。ダイシング機能を満足する特性とは、ウエハに粘接着シートをラミネートした後に、１ｃｍ幅に切り込みをいれて切り出される、粘接着層が付着した半導体素子について、粘接着層と支持基材との界面の９０°ピール接着強度を引張り速度：３００ｍ／分の条件で測定することにより確認する。このようにして測定される９０°ピール接着強度が２０Ｎ／ｍ以上となる温度が転写温度に設定される。また、上記「常温Ｔ２」は、通常２５℃を採用するが、本発明の粘接着シートが使用される環境下の温度を採用してもよい。

また、本発明において、「支持基材の表面自由エネルギー」は、接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により算出した値である。

［式中、θ_１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ_２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γ^ｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γ^ｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］

また、本発明において、「支持基材の線膨張係数」は、サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定して得られた値である。

また、本発明において、「支持基材の２５℃における弾性率」は、１ｃｍ×５ｃｍの支持基材を測定用試料とし、この試料の両側１ｃｍずつを固定し、（株）オリエンテック製のテンシロンを用いて測定温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／分の条件で引っ張り強度測定を行い、横軸：伸び（％）、縦軸：応力（ＭＰａ）の関係を求め、測定用試料を１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂと原点とを結んだ直線の傾きである。

本発明の粘接着シートによれば、上記構成を有することにより、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともにダイシング性及びピックアップ性の双方を高い水準で両立させることができるため、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。

本発明の粘接着シートにおいて、上記所定温度Ｔ１が３０℃以上であることが好ましい。支持基材がかかる所定温度Ｔ１において上記一般式（Ｉ）を満足するとともに、３０℃以上の熱履歴を受けて支持基材及び粘接着剤層が互いに貼着されることにより、本発明の粘接着シートは、シート品として提供する場合であっても反りが十分に抑制されるとともに、支持基材と粘接着層との密着力が向上することで優れたダイシング機能と使用時には剥離基材をよりスムーズに粘接着層から剥離できる利点を有することができる。

また、本発明の粘接着シートにおいて、上記支持基材が、常温Ｔ２（℃）において２０％以上の降伏伸びを有するものであることが好ましい。かかる粘接着シートによれば、上記の降伏伸びを有する支持基材を備えることにより、ピックアップ時に滑らかなエキスパンドを行うことが可能となりチップとチップの間の距離を均一に開けることができ、その結果、ピックアップ性が更に向上する効果が得られる。

なお、本発明において、「降伏伸び」とは、引張り特性における、降伏点における伸び率を百分率で表した値を表す値である。より具体的には、上記弾性率を求める際に測定される伸び−応力の関係において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値を支持基材の降伏伸びとする。

また、本発明の粘接着シートにおいて、上記粘接着層が、（Ａ）官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上である高分子、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、（Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤を含有してなることが好ましい。

なお、本発明において、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値を示す。また、上記「硬化物のガラス転移温度」は、（Ｄ）成分としての光反応性モノマーに上記（Ｅ）光開始剤を添加し、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射して得られた硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形したものを測定用試料とし、この測定用試料を「ＥＸＳＴＲＡ６０００」（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて圧縮モードにより測定した値である。

かかる粘接着シートによれば、上記構成を有する粘接着層を備えることにより、半導体装置の製造において、ダイシング性及びピックアップ性の双方をさらに高水準で両立させることができるとともに、半導体素子搭載用の支持部材に半導体素子をより確実に接着させることができる。これにより、半導体装置の生産性をさらに向上させることが可能となる。また、耐リフロークラック性が良好なフィルムとなる。

さらに、上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分の含有量１００質量部に対して、合計で１２５質量部以下であることが好ましい。これにより、耐リフロークラック性をより一層向上させることができる。

本発明の粘接着シートにおいて、上記粘接着層が熱硬化性であり、粘接着層の硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、粘接着層の硬化後の熱時接着力が１．５ＭＰａ以上であることが好ましい。

なお、本発明において、上記の「熱時弾性率」は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、１７５℃で５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃における値を意味する。また、上記の「熱時接着力」は、以下のようにして求めた値を意味する。すなわち、粘接着シートを貼り付けた半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射する。次いで、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、このチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件でダイボンディングし、１７５℃で５時間加熱して粘接着層を硬化させたものを測定用試料とする。この試料を、２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）を用いて測定する。このとき得られた値を上記の「熱時接着力」とする。

本発明の粘接着シートにおいて、粘接着層の熱時弾性率及び熱時接着力が上記条件を満たすことにより、耐リフロークラック性がさらに良好となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。

また、本発明は、支持基材と、粘接着層と、剥離基材と、をこの順に備える粘接着シートの製造方法であって、粘接着層の構成成分を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、剥離基材上に粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、形成された粘接着層上に支持基材を所定温度Ｔ１（℃）で熱転写することにより貼り付ける熱転写工程とを備え、支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることを特徴とする粘接着シートの製造方法を提供する。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）

本発明の粘接着シートの製造方法によれば、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともに、ダイシング性及びピックアップ性の双方を両立できる粘接着シートを得ることができる。したがって、かかる粘接着シートを半導体装置の製造に利用することにより半導体装置の生産性の向上を図ることができる。

また、本発明は、上記本発明の粘接着シートの粘接着層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程と、半導体ウエハ及び粘接着層をダイシングすることにより、粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着層が付着した前記半導体素子を前記支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を、粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、上述の本発明の粘接着シートを用いることにより、半導体装置の生産性の向上が実現可能となる。すなわち、反りが十分に抑制された本発明の粘接着シートを用いることにより、ウエハラミネートの際にはフィルムのカールを十分抑制でき、シワや空気の巻き込みによるウエハラミネート不良を十分防止できる効果、上記ダイシング工程においてはチップ飛びを十分低減できる効果、上記ピックアップ工程においてはチップがピックアップされない不良を十分低減できる効果、及び、上記接着工程においては半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接着性を十分確保できる効果が得られ、その結果、信頼性に優れる半導体装置を歩留まりよく製造することができる。

本発明によれば、反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法、及び、生産性に優れる半導体装置の製造方法を提供することができる。

（粘接着シート）
図１は、本発明の粘接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される粘接着シート１は、支持基材１０と、支持基材１０上に設けられた粘接着層２０と、粘接着層２０上に設けられた保護フィルム（剥離基材）３０とから構成されている。

本実施形態の粘接着シート１は、支持基材１０と粘接着剤層２０とが、所定温度Ｔ１（℃）の熱履歴を受けることにより貼り合わされている。そして、支持基材１０が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものであることが必要である。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）

ここで、上記「所定温度Ｔ１」は、粘接着層に支持基材を熱転写して貼り付けることによって本実施形態の粘接着シートを製造する場合の転写時にかかる温度を採用する。そして、かかる転写温度の設定方法は、粘接着シートがダイシング機能を満足する特性を有することを基準とする。ダイシング機能を満足する特性とは、ウエハに粘接着シートをラミネートした後に、１ｃｍ幅に切り込みをいれて切り出される、粘接着層が付着した半導体素子について、粘接着層と支持基材との界面の９０°ピール接着強度を引張り速度：３００ｍ／分の条件で測定することにより確認する。このようにして測定される９０°ピール接着強度が２０Ｎ／ｍ以上となる温度が転写温度に設定される。本実施形態においては、９０°ピール接着強度が３０Ｎ／ｍ以上となる温度を転写温度として設定することが好ましい。

また、上記「常温Ｔ２」は、通常２５℃を採用するが、本発明の粘接着シートが使用される環境下の温度を採用してもよい。

支持基材１０は、上記の条件を満たすものであればよく、その材質については特に限定されない。本実施形態で用いる支持基材１０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、上記のフィルムは、光透過性が高いことが好ましく、具体的には、２００〜４５０ｎｍの波長域における最小光透過率が５０％以上であることが好ましい。

本実施形態において、支持基材１０の表面自由エネルギーは、ピックアップ性を十分良好な水準にする観点から５０ｍＮ／ｍ以下であることが必要であるが、好ましくは２０〜５０ｍＮ／ｍであり、より好ましくは３０〜４５ｍＮ／ｍである。支持基材１０の表面自由エネルギーが２０ｍＮ／ｍより小さいと、支持基材と粘接着層との界面の密着力が低いため、保護フィルム３０を剥がす際に粘接着層／支持基材界面の一部が剥離する可能性が高くなる。

なお、上記支持基材の表面自由エネルギーは、接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により算出することができる。

［式中、θ_１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ_２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γ^ｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γ^ｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］

本実施形態の粘接着シート１は、使用時に剥離基材を粘接着層からスムーズに剥離できるよう支持基材と粘接着層との密着力を向上させる目的で、剥離基材上に形成された粘接着層が支持基材に熱転写されている。この熱転写の観点から、支持基材１０は、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有することが必要である。支持基材の弾性率が２０００ＭＰａを超えると、支持基材１０と粘接着剤層２０とを熱により貼り合わせる場合、剥離基材側に形成された粘接着層２０を支持基材１０側に転写させることが十分にできない。本実施形態においては、支持基材の２５℃における弾性率が１０〜２０００ＭＰａであることが好ましい。弾性率が１０ＭＰａを下回ると、支持基材としての機能を十分維持することが困難となる傾向にある。さらに、転写性およびダイシング性をより一層向上させる観点から、支持基材の弾性率は１００〜５００ＭＰａであることがより好ましい。

なお、上記支持基材の２５℃における弾性率は、１ｃｍ×５ｃｍの支持基材を測定用試料とし、この試料の両側１ｃｍずつを固定し、（株）オリエンテック製のテンシロンを用いて測定温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／分の条件で引っ張り強度測定を行い、横軸：伸び（％）、縦軸：応力（ＭＰａ）の関係を求め、測定用試料を１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂと原点とを結んだ直線の傾きから算出できる。

上記支持基材の線膨張係数α１及び線膨張係数α２は、サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定して得られた値である。

また、本実施形態においては、上記［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］が５０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、３０００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。

さらに、上記Ｔ１が３０℃以上であることが好ましく、４０℃以上であることがより好ましい。

また、本実施形態の粘接着シートにおいて上記支持基材が、常温Ｔ２（℃）において５〜１００％の降伏伸びを有するものであることが好ましく、２０〜８０％の降伏伸びを有するものであることがより好ましい。

なお、上記支持基材の降伏伸びとは、引張り特性における、降伏点における伸び率を百分率で表した値を表す値である。より具体的には、上記弾性率を求める際に測定される伸び−応力の関係において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値を意味する。

支持基材の常温Ｔ２（℃）における降伏伸びが５％未満であると、良好なエキスパンド性を得ることが困難となり、ピックアップ性が不十分となる傾向にある。

支持基材１０は、厚みが５〜２５０μｍであることが好ましく、５０〜１５０μｍであることがより好ましく、７０〜１２０μｍであることが特に好ましい。この厚みが５μｍより薄いとダイシング時に支持基材まで切込みを入れた場合に支持基材が切れ易くなる傾向にあり、２５０μｍより厚いと経済的に不利となる傾向にある。

次に、粘接着層２０について説明する。

本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０は、（Ａ）官能基を有し重量平均分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算した値）が１０００００以上である高分子、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、（Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤を含有してなる。以下、粘接着層２０に含まれる各成分について詳細に説明する。

＜（Ａ）成分＞
官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上である高分子としては、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着性向上の点で、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を含有するものが好ましく、中でも架橋性の点でグリシジル基を含有するものが好ましい。具体的には、原料モノマーとして少なくともグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを重合させて得られる重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。

また、上記（Ａ）成分は、耐リフロー性の点で、上記（Ｂ）成分であるエポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。ただし、相溶性は（Ａ）高分子量成分の特性のみでは決定しないので、両者が相溶しない組み合わせを選択することになる。本実施形態において、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とは、グリシジル基含有アクリル共重合体とグリシジル基含有メタクリル共重合体の両方を示す語句である。

上記の共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられ、アクリルゴムを用いることがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレートアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。

官能基としてグリシジル基を選択する場合、共重合体モノマー成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。このような重量平均分子量が１０００００以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記のモノマーから適宜モノマーを選択して製造することができる。また、商業的に入手可能な市販品（例えば、ナガセケムテックス（株）製、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」及び「ＨＴＲ−８６０Ｐ−５」等）を用いてもよい。

（Ａ）成分において、高分子を構成する成分の種類によっても異なるが、高分子に含まれる官能基の数は架橋密度に影響するので、上記高分子を複数のモノマーの共重合体として得る場合、原料として使用する官能基含有モノマーの量は、共重合体中に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましい。

（Ａ）成分としてグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を使用する場合、原料として使用するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマーの量は、共重合体に０．５〜６．０質量％含まれるように設定することが好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。共重合体におけるグリシジル基含有モノマーの含有量をかかる範囲とすることで、グリシジル基の緩やかな架橋によって接着力を十分確保できるとともにゲル化を防止することができる。また、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、粘接着層が応力緩和性に優れるようになる。

また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等以外に他の官能基が組み込まれていてもよい。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定することが好ましい。具体的には、かかる重合体のガラス転移温度が−１０℃以上となるように混合比率を設定することが好ましい。重合体のガラス転移温度が−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないため好ましい。

（Ａ）成分として、上記グリシジル基含有モノマーを重合させて得られるグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。

本実施形態において、（Ａ）成分の重量平均分子量は１０００００以上であるが、３０００００〜３００００００であることが好ましく、４０００００〜２５０００００がより好ましく、５０００００〜２００００００であることが特に好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、粘接着層の強度、可とう性及びタック性を良好にバランスさせることが容易となるとともに粘接着層のフロー性が良好となるため、配線の回路充填性を十分確保できる。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分として用いるエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えばエポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７及び１００９、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０，３０１及び３６１、東都化成（株）製のＹＤ８１２５及びＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート１５２及び１５４、日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５及び１０２７、東都化成（株）製のＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３及び７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のＥｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製のデナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１及び３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製のエピコート６０４、東都化成（株）製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１及び４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

本実施形態においては、粘接着層に高接着力を付与する観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。

既に述べたように、（Ｂ）エポキシ樹脂は、（Ａ）成分と相溶しないものであることが好ましい。

＜（Ｃ）成分＞
粘接着層２０に含まれるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、硬化後の粘接着層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持することを可能とする。

かかるフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等が挙げられる。より具体的には、例えば、「フェノライトＬＦ２８８２」、「フェノライトＬＦ２８２２」、「フェノライトＴＤ−２０９０」、「フェノライトＴＤ−２１４９」、「フェノライトＶＨ−４１５０」、「フェノライトＶＨ４１７０」（以上、大日本インキ化学工業（株）製、商品名）等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

＜（Ｄ）成分＞
本実施形態の粘接着シート１において、粘接着層２０が（Ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマーを含むことにより、紫外線照射後の粘接着層の耐熱性が向上するため、熱時接着力及び耐リフロークラック性が良好になる。本実施形態においては、上記硬化物のガラス転移温度が、鉛フリーハンダ対応の２６０℃以上である光反応性モノマーを粘接着層に含有させることが好ましい。一方、上記硬化物のガラス転移温度が高すぎる光反応性モノマーは、紫外線照射後の粘接着シートの常温貼り付け性が劣るようになる傾向があるので、かかるガラス転移温度の上限としては３５０℃程度である。

ここで、（Ｄ）成分のガラス転移温度を測定する方法としては、（Ｄ）成分としての光反応性モノマーに後述する（Ｅ）光開始剤を添加し、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射して得られた硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形したものを測定用試料とし、この測定用試料を「ＥＸＳＴＲＡ６０００」（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用いて圧縮モードにより測定した値である。

上記（Ｄ）成分の具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート及びペンタエリスリトールテトラアクリレートなどのような多官能アクリレート等が挙げられる。これらの光反応性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。紫外線照射後の残存モノマーをより低減させる観点から、多官能であるもののなかでも、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートやジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが好ましい。より具体的には、「Ａ−ＤＰＨ」及び「Ａ−９３００」（以上、新中村化学社製、商品名）等が挙げられる。

なお複数の（Ｄ）成分を使用する場合、硬化物のガラス転移温度は複数の光反応性モノマーの混合物を上記測定方法で測定したときに得られる値であり、それぞれのモノマーの硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上であることを要しない。

＜（Ｅ）成分＞
本実施形態において用いる波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤（以下、「光塩基発生剤」という場合もある）は、一般的にはα−アミノケトン化合物と呼ばれるものである。このような化合物は、例えば、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ１，２００１等に記載されているもので、紫外線を照射すると下記一般式（ＩＩ）のように反応する。

本実施形態の粘接着シートは、粘接着層に上記の光開始剤を含むことにより、室温での保存安定性と、接着性とを高水準で両立することが可能となる。このような効果が得られる理由としては、本発明者らは以下のとおり推察する。すなわち、α−アミノケトン化合物は、紫外線照射する前は、ラジカルが存在しないため光反応性モノマーの重合反応は起きない。また、立体障害のため熱硬化性樹脂の硬化も促進しない。しかし、紫外線が照射されると、α−アミノケトン化合物の解離が起こり、ラジカルの発生に伴い、光反応性モノマーの重合反応が起こる。また、α−アミノケトン化合物の解離により、立体障害が低下し活性化したアミンが存在するようになる。そのため、アミンが熱硬化性樹脂の硬化促進作用を有するようになり、以後加熱により硬化促進作用が働くと類推される。このような作用により、紫外線照射する以前には、ラジカルや活性化したアミンが存在しないため室温での保存安定性に非常に優れ、紫外線照射後には、優れた接着性を発揮できる粘接着シートが実現可能になるものと考えられる。

上記光塩基発生剤としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア９０７」）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名「イルガキュア３６９」）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）及びベンゾイソオキサゾロン誘導体等が挙げられる。

なお、紫外線照射により生じるラジカル及びアミンの構造によって光反応性モノマーやエポキシ樹脂の硬化速度が変化するので、熱による硬化速度を調節する場合、粘接着層に含まれる上記（Ｂ）〜（Ｄ）成分に応じて（Ｅ）光塩基発生剤を適宜選択することが好ましい。

上記塩基発生剤のほかに、光フリース転位、光クライゼン転位、クルチウス転位、スチーブンス転位によって塩基を発生させる方法を用いることができる。

上記塩基発生剤は、分子量５００以下の低分子化合物として用いるほか、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着層の粘接着性及び流動性を向上させる観点から、重量平均分子量１０００〜１０００００が好ましく、より好ましくは５０００〜３００００である。

粘接着層における上記（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５〜５０質量部が好ましい。（Ｂ）成分の含有量がかかる範囲にあると、粘接着層の弾性率及び成型時のフロー性抑制を十分確保でき、高温での取り扱い性を良好にできる。さらに、上記（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１０〜５０質量部がより好ましく、２０〜４０質量部が特に好ましい。

また、粘接着層における上記（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ基１個当たりフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲となるように設定することが好ましく、当量比が０．８〜１．２の範囲となるように設定することがより好ましい。かかる当量比で（Ｃ）成分を含有させることにより、硬化後の粘接着層の高温高圧下における耐衝撃性を優れたものとし、厳しい熱吸湿下においても十分な接着物性を保持する効果がより確実に得られる。また、（Ｃ）成分の含有量が上記の条件を満足することにより、エポキシ樹脂の硬化（橋かけ）を十分なレベルまで進行させることができ、硬化物のガラス転移温度を十分高めることがより確実にできる。これにより、硬化した粘接着層の耐湿性及び高温での接続信頼性を十分確保でき、その結果、吸湿時の耐電食性がより確実に向上する。

また、粘接着層における上記（Ｄ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、５〜１００質量部が好ましい。かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射による光反応性モノマーの重合反応が不十分となる傾向にあり、粘接着シートのピックアップ性が不十分となる傾向にある。また、かかる含有量が５質量部未満であると、紫外線照射後の粘接着層の耐熱性を十分向上させることが困難となる傾向にあり、熱時接着力及び耐リフロークラック性を十分向上させることが困難となる傾向にある。一方、粘接着層における上記（Ｄ）成分の含有量が上記（Ａ）成分１００質量部に対して１００重量部より多くなると、（Ａ）成分の低弾性が機能しにくくなり、フィルムが脆くなることで耐湿性や高温の電気特性などが劣る傾向にある。本実施形態においては、更に上記（Ｄ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜５０質量部が特に好ましい。

また、粘接着層における上記（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましい。かかる含有量が０．１質量部より少ないと、上記（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｄ）光反応性モノマーを十分に反応させることが困難となり残存モノマーが残りやすく、これにより耐リフロークラック性が劣る傾向にある。一方、かかる含有量が２０質量部より多いと、重合反応によって分子量を十分に増加させることが困難となり、低分子量成分が多く存在する傾向にある。この場合、耐リフロー性に影響を及ぼす可能性がある。本実施形態においては、更に上記（Ｅ）成分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部に対して０．５〜１５質量部がより好ましく、１〜５質量部が特に好ましい。

また、粘接着層における上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、合計で１２５質量部以下であることが好ましい。これにより、耐リフロークラック性をより一層向上させることができる。

本実施形態の粘接着シート１において、粘着剤層２０は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分以外に、その他の成分を必要に応じて更に含むことができる。以下、その他の成分について説明する。

本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（Ｆ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。

このような高分子量樹脂としては、上記（Ａ）成分と非相溶になるものが耐リフロークラック性をより確実に向上させることができるため、接続信頼性向上の観点から好ましく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。

粘接着層に上記（Ｆ）成分を含有させることにより、上記（Ｂ）エポキシ樹脂が（Ａ）成分と相溶性がある場合であっても、（Ｂ）エポキシ樹脂が上記（Ａ）成分よりも上記（Ｆ）成分と相溶しやすい場合、結果的に（Ｂ）エポキシ樹脂と（Ａ）成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。このような作用によって、耐リフロークラック性をより確実に向上させることができる。

粘接着層におけるエポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の含有量は、上記（Ｂ）成分及び上記（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、硬化後の粘接着層のガラス転移温度を十分高い値に確保できる。

また、粘接着層２０には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。なお、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

上記の無機フィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

粘接着層における無機フィラーの含有量は、粘接着層１００質量部に対して１〜４０質量部が好ましい。含有量が１質量部未満であると、上記の添加効果が得られにくくなる傾向にあり、４０質量部を超えると、粘接着層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が発生し易くなる傾向にある。

また、粘接着層２０には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。

上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。商業的に入手可能なものとしては、例えば、「Ａ−１８９」及び「Ａ−１１６０」（日本ユニカー社製、商品名）が挙げられる。

粘接着層における上記カップリング剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。

また、粘接着層２０には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を更に添加することができる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物及びビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。

粘接着層における上記イオン捕捉剤の含有量は、その添加効果、耐熱性及びコストの観点から、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。

また、本実施形態の粘接着シート１が備える粘接着層２０は、熱硬化性であり、硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、硬化後の熱時接着力が１．５ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、接続信頼性を更に向上させることが可能となるため、かかる粘接着シートを用いることにより半導体装置の生産性をより一層向上させることができる。

なお、上記粘接着層の熱時弾性率は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線を照射し、１７５℃で５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＥＶ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃における値を意味する。また、上記念接着層の熱時接着力は、以下のようにして求めた値を意味する。すなわち、粘接着シートを貼り付けた半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／秒の速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線を照射する。次いで、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、このチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃、２ＭＰａ、３０秒の条件でダイボンディングし、１７５℃で５時間加熱して粘接着層を硬化させたものを測定用試料とする。この試料を、２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後に、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を（Ｄａｇｅ社製、「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」）を用いて測定する。このとき得られた値を上記の熱時接着力とする。

粘接着層２０の厚みは、特に制限はないが、３〜２５０μｍであることが好ましい。厚みが３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向にあり、２５０μｍより厚いと経済的に不利となる上に、半導体装置の小型化に対応しにくくなる傾向にある。

保護フィルム３０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。

保護フィルムは、厚みが１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚みが１０μｍ未満では塗工の際、保護フィルムが破れる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。

＜粘接着シートの製造方法＞
図２（ａ）〜（ｃ）は、粘接着シート１の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の粘接着シートの製造方法は、上記した粘接着層２０の構成成分を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、塗工用基材上に粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、形成された粘接着層上に支持基材を所定温度Ｔ１（℃）で加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程とを備える。

なお、本実施形態においては、塗工用基材として上述の保護フィルム３０を用いる。

また、支持基材として、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものを用いることが必要である。
［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）

より具体的には、上述した支持基材１０を用いることができる。

塗工液調製工程では、粘接着層２０の構成成分を所定の溶媒に公知の混合手段により溶解・分散させることにより粘接着層形成用塗工液を調製する。用いる溶媒は、特に限定されないが、粘接着層形成時の揮発性などを沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は粘接着層形成時に粘接着層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較例高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

塗膜形成工程では、上記で得られた粘接着層形成用塗工液を保護フィルム３０上に公知の塗工手段により塗布する。塗工手段としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法などが挙げられる。

上記の塗工液調製工程、塗膜形成工程及び粘接着層形成工程を経ることによる、図２（ａ）に示されるように、保護フィルム３０上に粘接着層２０が形成される。

次に、図２（ｂ）に示されるように、上記で形成された粘接着層２０上に支持基材１０を加熱加圧しながら貼り付ける（積層する）熱転写工程を行う。

なお、本実施形態では、粘接着層２０上に支持基材１０を積層した積層体がロールに巻取られる直前に、ロール手段５により支持基材１０に粘接着層２０を転写する加熱転写が行われているが、例えば、加熱することなく上記積層体をロールに巻取り、その後あらためてその積層体を加熱ロールに通すことによっても熱転写を行うことができる。

熱転写の温度（所定温度Ｔ１（℃））は、シートの反りの抑制及び支持基材と粘接着層との密着力向上を両立させる観点から、３０℃〜８０℃が好ましく、３０〜５０℃がより好ましく、３０〜４０℃が特に好ましい。

上記熱転写工程を経て、図２（ｃ）に示される反りが十分抑制された粘接着シート１が作製される。

なお、支持基材１０を塗工用基材として用い、支持基材１０上に粘接着層を形成した後、熱転写工程を経てもかまわない。

次に、粘接着シート１を用いて半導体装置（半導体パッケージ）を製造する方法について説明する。

＜半導体装置（半導体パッケージ）の製造方法＞
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４は、粘接着シート１を用いる半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の粘接着シート１の粘接着層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程（ウエハラミネート工程）と、半導体ウエハ及び粘接着層をダイシングすることにより粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、粘接着層に放射線を照射する放射線照射工程と、粘接着層が付着した半導体素子を支持基材からピックアップするピックアップ工程と、半導体素子を粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程とを備える。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。

（貼り付け工程）
先ず、粘接着シート１を所定の装置に配置して保護シート３０を剥がす。このとき、反りが十分抑制されているとともに粘接着層と支持基材との密着性に十分優れる本発明に係る粘接着シート１を用いることにより、粘接着シートを装置に配置する際の作業性が良好となるとともに保護シート３０を容易に剥がすことができる。続いて、図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウエハＷの主面Ｗｓに、粘接着層２０を介して粘接着シート１を貼り付ける。また、半導体ウエハＷの回路面は、主面Ｗｓとは反対側の面であることが好ましい。この貼り付け工程においては、粘接着シート１のカールが十分抑制されているので、シワや空気の巻き込みの発生に起因するウエハラミネート不良を十分防止することが可能となる。

（ダイシング工程）
次に、図３（ｃ）に示されるように、半導体ウエハＷ及び粘接着層２０をダイシングする。このとき、支持基材１０を途中までダイシングするとしてもよい。このように、粘接着シート１は、ダイシングシートとしても機能する。

（放射線照射工程）
次に、図３（ｄ）に示されるように、粘接着層２０に放射線を照射することにより粘接着層２０を硬化させ、粘接着層２０と支持基材１０との間の接着力を低下させる。ここで、使用される放射線としては、例えば、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。本実施形態においては、波長２００〜４５０ｎｍの紫外線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように照射することが好ましい。

（ピックアップ工程）
放射線を照射した後、図３（ｅ）に示されるように、支持基材１０をエキスパンド（拡張）することにより、切断により得られた各半導体素子５０を互いに離間させつつ、支持基材１０側からニードル４２で突き上げられた粘接着層付き半導体素子５０を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。なお、粘接着付き半導体素子５０は、半導体素子Ｗａと粘接着層２０ａとを有する。また、半導体素子Ｗａは半導体ウエハＷを分割して得られるものであり、粘接着層２０ａは粘接着層２０を分割して得られるものである。ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドを行わなくてもよいが、エキスパンドすることによりピックアップ性をより向上させることができる。なお、本実施形態にかかる粘接着シートにおいて、支持基材が、常温Ｔ２（℃）において２０％以上の降伏伸びを有するものであれば、ピックアップ時に滑らかなエキスパンドを行うことが可能となりチップとチップの間の距離を均一に開けることができ、その結果、ピックアップ性が更に向上する効果が得られる。

また、ニードル４２による突き上げも必要に応じて行うことが好ましい。さらに、極薄ウエハに対しても十分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段ピックアップ法を行ってもよい。

また、本実施形態においては、吸引コレット４４以外の方法によって半導体素子５０のピックアップを行うこともできる。

（接着工程）
粘接着層付き半導体素子５０をピックアップした後、図３（ｆ）に示されるように、粘接着層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着層２０ａを介して半導体素子搭載用の支持部材６０に接着する。

粘接着付き半導体素子５０を粘接着層２０ａを介して支持部材６０上に搭載した後、再び、接着層付き半導体素子５０を、熱圧着により、粘接着層２０ａを介して半導体素子Ｗａに接着するとしてもよい。これにより、複数の半導体素子Ｗａを支持部材５０上に搭載することができる。この場合、粘接着層２０ａの熱履歴は大きくなるが、本実施形態に係る粘接着層２０ａによれば、半導体素子Ｗａと支持部材６０との接着性を十分維持することができ、また、支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に対して粘接着層２０ａを十分良好に充填可能である。

続いて、図４に示されるように、必要に応じて半導体素子Ｗａと支持部材６０とをワイヤボンディング７０により電気的に接続することが好ましい。このとき、半導体素子Ｗａ、粘接着層２０ａ及び支持部材６０は、例えば、１７０℃で１５〜６０分程度加熱される。さらに、ワイヤボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Ｗａを樹脂封止することが好ましい。このとき、樹脂封止材８０を支持部材６０の表面６０ａに形成するが、支持部材６０の表面６０ａとは反対側の面にも樹脂封止材を形成するとしてもよい。

また、樹脂封止する際に粘接着層２０ａは半硬化の状態であることが好ましい。これにより、樹脂封止する際に支持部材６０の表面６０ａに形成された凹凸の凹部に粘接着層２０ａをより良好に充填することができる。なお、半硬化の状態とは、粘接着層２０ａが完全には硬化していない状態を意味する。

以上の工程を経ることにより、粘接着シート１を用いて半導体装置１００を製造することができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
＜粘接着層形成用塗工液−１の調製＞
先ず、シクロヘキサノンに、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量：１００万、Ｔｇ：−７℃）１００質量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０）５．４質量部、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５７）１６．２質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１５．３質量部、ＮＵＣＡ−１８９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１質量部、ＮＵＣＡ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３質量部、Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業（株）製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）３０質量部、及び、イルガキュア３６９（チバスペシャリティーケミカルズ社製商品名、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン：Ｉ−３６９）１．５質量部を加えて攪拌混合し、さらに真空脱気することにより接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−１」とした。

＜粘接着シートの作製＞
次に、上記で得られた粘接着層形成用塗工液−１を、保護フィルムとしての厚さ３８μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に塗布し、８０℃で３０分間加熱乾燥することにより粘接着層を形成した。そして、形成した粘接着層上に、厚さ１００μｍの光透過性の軟質ポリオレフィンフィルム（ロンシール社製、商品名「ＰＯＦ−１２０Ａ」）（以下、これを「支持基材−１」という）を積層し、加熱されたロールを用いて温度４０℃、速度２．０ｍ／分、線圧０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍの条件で加熱圧着することにより、保護フィルム（表面離型処理ポリエチレンテレフタレート）、粘接着層及び光透過性の支持基材の３層構成を有する実施例１の粘接着シートを作製した。なお、上記加熱圧着での温度が転写温度Ｔ１である。

（実施例２）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ１００μｍの光透過性のポリエチレン系フィルム（オカモト（株）社製、商品名「フィッシュアイ」）（以下、これを「支持基材−２」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の粘接着シートを作製した。

（比較例１）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ１００μｍの低密度ポリエチレンテレフタレート／酢酸ビニル／低密度ポリエチレンテレフタレートの三層フィルム（サーモ（株）製、商品名「ＦＨＦ−１００」）（以下、これを「支持基材−３」という）を用い、加熱圧着の条件を温度６０℃とした、すなわち転写温度Ｔ１を６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の粘接着シートを作製した。

（比較例２）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、水添加ポリプロピレン（日合商事社製、商品名「ダイナソフト」）（以下、これを「支持基材−４」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の粘接着シートを作製した。

（比較例３）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名「Ｇ２」）（以下、これを「支持基材−５」という）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例３の粘接着シートを作製した。

（比較例４）
支持基材として、軟質ポリオレフィンフィルム「ＰＯＦ−１２０Ａ」の代わりに、厚さ９０μｍのポリプロピレン／ＡＰＡＯ系軟質ポリオレフィン／ポリプロピレン（グンゼ社製、商品名「ＤＤＤ」）（以下、これを「支持基材−６」という）を用い、加熱圧着の条件を温度６０℃、すなわち転写温度Ｔ１を６０℃としたこと以外は実施例１と同様にして、比較例４の粘接着シートを作製した。

（実施例３）
実施例１の粘接着層形成用塗工液−１の調製において、ＹＤＣＮ−７０３、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ、及びプライオーフェンＬＦ２８８２の配合量をそれぞれ、５５質量部、１８質量部、及び、５２質量部に変更し、これら（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計を１２５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−２」とした。そして、粘接着層形成用塗工液−１の代わりに粘接着層形成用塗工液−２を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の粘接着シートを作製した。

（実施例４）
実施例１の粘接着層形成用塗工液−１の調製において、光反応性モノマーとしてＡ−ＤＰＨの代わりにＢＰＥ−２００（新中村化学工業（株）製商品名、２．２−ビス〔４−（メタクリロキシジエトキシ）フェニル〕プロパン）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着剤ワニスを得た。このワニスを「粘接着層形成用塗工液−３」とした。そして、粘接着層形成用塗工液−１の代わりに粘接着層形成用塗工液−３を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の粘接着シートを作製した。

＜支持基材の特性＞
支持基材１〜６について、以下に示す方法で、表面自由エネルギー、線膨張係数、２５℃における弾性率、及び降伏伸びを算出した。得られた結果を表１に示す。

［表面自由エネルギー］
接触角計（協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型）を用いて、水及びヨウ化メチレンに対する接触角θを２３〜２８℃の温度にて実測し、これらの値を用い下記式（１）〜（３）により表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を算出した。

［式中、θ_１は水に対する接触角（ｄｅｇ）を、θ_２はヨウ化メチレンに対する接触角（ｄｅｇ）を、γは表面自由エネルギー（ｍＮ／ｍ）を、γ^ｄは表面自由エネルギーの分散成分を、γ^ｐは表面自由エネルギーの極性成分をそれぞれ示す。］

［線膨張係数］
サンプル厚み：８０〜１２０μｍ、サンプルサイズ：４ｍｍ×２０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を、ＥＸＳＴＲＡ６０００（製品名、セイコーインスツルメンツ株式会社製）を用い、測定温度：−２０〜１８０℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときの、荷重５．０ｇにて引張モードにより測定することで、転写温度Ｔ１における線膨張係数α１（ｐｐｍ／℃）及び常温Ｔ２（２５℃）における線膨張係数α２（ｐｐｍ／℃）を算出した。

［２５℃における弾性率］
１ｃｍ×５ｃｍの大きさに切出したものを試験片とし、この試験片の両側１ｃｍをテンシロン（（株）オリエンテック製）に固定し、温度：２５℃、測定速度：１００ｍｍ／ｍｉｎで引張強度の測定を行った。そして、測定により得られた伸び（％）（横軸）と応力（ＭＰａ）（縦軸）との関係から、測定サンプルを１ｍｍ伸ばしたとき（３．３％）の点Ａに対応する応力Ｂを結んだ直線の傾きを算出し、この値を支持基材の２５℃における弾性率（ＭＰａ）とした。

［降伏伸び］
上記の弾性率を算出したときの測定において、応力の第一ピーク値Ｃに対応する伸びＤの値（伸び率）を支持基材の降伏伸び（％）とした。

＜粘接着シートの評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜４の粘接着シートについて、以下に示す方法により、粘接着層の熱時接着力及び熱時弾性率を測定、並びに、反り性、ダイシング性及びピックアップ性の評価を行った。

［粘接着層の熱時接着力］
熱時接着力は半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、粘接着層付き半導体チップを支持基材からピックアップした後、有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１８０℃−２ＭＰａ−３０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、１７５℃、５時間の後硬化を加え評価サンプルを得た。その評価サンプルを２６５℃の熱板上で３０ｓｅｃ保持した後、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μmの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）により測定した。

［粘接着層の熱時弾性率］
熱時弾性率は、粘接着層に対して照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ^２で照射量３００ｍＪとなるように紫外線照射し、１７５℃、５時間加熱して硬化させた粘接着シートを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度２６５℃の値を熱時弾性率とした。

［反り性の評価］
粘接着シートを塗工方向に３０ｃｍ、塗工方向と垂直方向に１ｃｍのサイズに切断し、手を放したときの巻数によって反り性を評価した。なお、評価は下記の判定基準に基づいて行った。
○：反り巻数が０で実用上障害とならないもの。
×：反り巻数が１以上で実用上障害となりうるもの。

［ダイシング性の評価］
粘接着シートを厚さ２８０μｍのシリコンウエハ上に貼付け、粘接着シート付きシリコンウエハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、２０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×３．２ｍｍにダイシングした後に、粘着力が弱いために粘接着シート上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
○：チップ飛びが５％未満である
×：チップ飛びが５％以上である

［ピックアップ性の評価］
半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、２０ｍｍ／ｓｅｃの速度で３．２ｍｍ×
３．２ｍｍにダイシングした後に、フュージョン社製露光機（ＡＥＬ―１Ｂ／Ｍ）を使用
して、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の地点に照射体を置き、粘接着シートの基材フィルム側から
８秒照射し、粘接着層付き半導体チップを光透過性の支持基材からピックアップが可能であるかを評価した。
○：９０％以上のチップがピックアップ可能
△：ダイシングしたチップの５０％を超え９０％未満がピックアップ可能なもの
×：ダイシングしたチップのピックアップ可能なチップが５０％以下のもの

表１に示されるように、実施例１〜４の粘接着シートは、シート品として提供する場合であってもシートの反りが十分に抑制されているとともにダイシング性及びピックアップ性の双方を高い水準で両立させることができることがわかった。従って、本願の粘接着シートによれば、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。

本発明の粘接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の粘接着シートの製造方法の好適な一実施形態を示す断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を示す断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を示す断面図である。

符号の説明

１…粘接着シート、５…ロール、１０…支持基材、２０…粘接着層、３０…保護フィルム（剥離基材）、５０…粘接着層付き半導体素子、６０…支持部材、７０…ワイヤボンディング、８０…樹脂封止材、１００…半導体装置、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (8)

1. 支持基材と、該支持基材上に設けられた粘接着層と、を備え、
   前記支持基材及び前記粘接着剤層は所定温度Ｔ１（℃）の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、
   前記支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において２０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、
   前記支持基材の前記所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、前記支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものである、粘接着シート。
   ［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
2. 前記所定温度Ｔ１が３０℃以上である、請求項１に記載の粘接着シート。
3. 前記支持基材が、常温Ｔ２（℃）において２０％以上の降伏伸びを有するものである、請求項１又は２に記載の粘接着シート。
4. 前記粘接着層が、
   （Ａ）官能基を有し重量平均分子量が１０００００以上である高分子、
   （Ｂ）エポキシ樹脂、
   （Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
   （Ｄ）紫外線照射により得られる硬化物のガラス転移温度が２５０℃以上である光反応性モノマー、
   （Ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルとを発生する光開始剤、
   を含有してなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の粘接着シート。
5. 前記（Ｂ）成分及び前記（Ｃ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分の含有量１００質量部に対して、合計で５０質量部以下である、請求項４に記載の粘接着シート。
6. 前記粘接着層が熱硬化性であり、前記粘接着層の硬化後の熱時弾性率が１ＭＰａ以上であり、且つ、前記粘接着層の硬化後の熱時接着力が１．５ＭＰａ以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の粘接着シート。
7. 支持基材と、粘接着層と、剥離基材と、をこの順に備える粘接着シートの製造方法であって、
   粘接着層の構成成分を含む粘接着層形成用塗工液を調製する塗工液調製工程と、
   剥離基材上に前記粘接着層形成用塗工液を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、
   前記塗膜から溶媒を除去して粘接着層を形成する粘接着層形成工程と、
   形成された前記粘接着層上に支持基材を所定温度Ｔ１（℃）で熱転写することにより貼り付ける熱転写工程と、
   を備え、
   前記支持基材が、５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギー、及び、２５℃において１０００ＭＰａ以下の弾性率を有し、且つ、前記支持基材の前記所定温度Ｔ１（℃）における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、前記支持基材の常温Ｔ２（℃）における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）とした場合、下記一般式（Ｉ）を満たすものである、粘接着シートの製造方法。
   ［（Ｔ１×α１）−（Ｔ２×α２）］≦７０００ｐｐｍ …（Ｉ）
8. 請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の粘接着シートの粘接着層を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程と、
   前記半導体ウエハ及び前記粘接着層をダイシングすることにより、前記粘接着層が付着した半導体素子を得るダイシング工程と、
   前記粘接着層が付着した前記半導体素子を前記支持基材からピックアップするピックアップ工程と、
   前記半導体素子を、前記粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する接着工程と、
   を備える、半導体装置の製造方法。

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