TWI758445B - 膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種於支持片上設置有硬化性的膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片，該支持片具有基材，該硬化性膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm，該支持片的楊氏係數及該支持片的厚度之積為4MPa．mm至150MPa．mm。
Description
本發明係關於一種膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法。
本申請案係基於2017年3月28日於日本提出申請之日本專利特願2017-063654號而主張優先權，將該申請案之內容援用至本文中。
於半導體裝置的製造步驟中，有時使用貼附有用於晶粒接著(die bonding)之膜狀接著劑之半導體晶片。作為獲得此種附有膜狀接著劑之半導體晶片的一個方法，有以下方法：對藉由切割(dicing)半導體晶圓而得之經單片化之複數個半導體晶片貼附膜狀接著劑後，將該膜狀接著劑於與半導體晶片之配置位置對應的位置切斷。該方法中，通常使用在支持片(support sheet)上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片，將膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片。半導體晶片例如係藉由在半導體晶圓形成槽之後，對背面側進 行研磨直至到達該槽為止而製作，但該方法為一例，半導體晶片亦可由其他方法製作。貼附有切斷後之膜狀接著劑之半導體晶片係連同膜狀接著劑一併從支持片分離(拾取)，用於晶粒接著。
上述方法中，作為切斷膜狀接著劑之方法，例如已知對膜狀接著劑照射雷射而切斷之方法或藉由將膜狀接著劑擴張(expand)而切斷之方法。然而，照射雷射之方法存在需要雷射照射裝置並且無法短時間且高效率地切斷之問題點。另外，進行擴張之方法存在需要擴張裝置並且有時切斷面粗糙之問題點。再者，於擴張之情況下，力量僅作用於與膜狀接著劑為同一面之方向，故而有可能膜狀接著劑僅與支持片一併伸長而未被切斷。因此，有時將膜狀接著劑冷卻而使該膜狀接著劑容易被切斷並進行擴張，但該情形時需要冷卻步驟，生產性差。
作為可解決這些問題點之方法，揭示有以下方法：使用特定的厚度及拉伸斷裂伸長率之膜狀接著劑，於即將拾取半導體晶片前之階段中，將半導體晶片連同該未切斷之膜狀接著劑一併朝拾取方向抬升，利用此時所產生之剪切力將膜狀接著劑切斷(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-179317號公報。
然而，專利文獻1所揭示之方法中，不確定能否抑制步驟異常之產生而將貼附有切斷後之膜狀接著劑之半導體晶片從支持片拾取。
本發明係鑒於上述情況而成，其課題在於提供一種於支持片上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片以及使用該複合片之半導體裝置的製造方法，上述膜狀接著劑複合片可於製造半導體裝置時，利用經簡化之方法抑制步驟異常之產生而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片從支持片分離。
為了解決上述課題，本發明提供一種膜狀接著劑複合片，係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至60μm之硬化性的膜狀接著劑，前述支持片的楊氏係數(Young’s modulus)A(MPa)及前述支持片的厚度B(mm)之積(A×B)處於4MPa．mm至150MPa．mm之範圍。
於本發明之膜狀接著劑複合片中，較佳為將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成 的積層體之斷裂伸長率C為5%至2000%。
另外，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，係使用前述膜狀接著劑複合片，並且具有：將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片之步驟；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片之支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側施力，藉此隔著支持片對膜狀接著劑施力，將膜狀接著劑切斷之步驟；以及將前述半導體晶片及貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑從前述支持片分離之步驟。
亦即，本發明包含以下態樣。
[1]一種膜狀接著劑複合片，係於支持片上設置有硬化性的膜狀接著劑，並且前述支持片具有基材，前述硬化性膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm，前述支持片的楊氏係數及前述支持片的厚度之積為4MPa．mm至150MPa．mm。
[2]如[1]所記載之膜狀接著劑複台片，其中前述膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂伸長率成為1%至2000%。
[3]一種半導體裝置的製造方法，係使用如[1]所記載之膜狀接著劑複合片，並且包含有：將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片 中之前述支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施力，藉此將前述膜狀接著劑切斷；以及將前述半導體晶片及貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑從前述支持片分離。
根據本發明，提供一種於支持片上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片以及使用該複合片之半導體裝置的製造方法，上述膜狀接著劑複合片可於製造半導體裝置時，利用經簡化之方法抑制步驟異常之產生而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片從支持片分離。
1、7‧‧‧膜狀接著劑複合片
9‧‧‧半導體晶片
9b‧‧‧半導體晶片之背面
11、71‧‧‧支持片
11a‧‧‧支持片之表面
11b‧‧‧支持片之背面
12、72‧‧‧膜狀接著劑
81‧‧‧上頂部
82‧‧‧拉升部
121‧‧‧第一區域
122‧‧‧第二區域
811‧‧‧突起
812‧‧‧滑塊
812a‧‧‧滑塊之表面
圖1為示意性地表示本發明之半導體裝置的製造方法中的從膜狀接著劑之切斷至半導體晶片從支持片之分離為止的一實施形態的剖視圖。
圖2為用以示意性地說明於本發明之半導體裝置的製造方法中，對膜狀接著劑施力並將該膜狀接著劑切斷的另一實施形態的剖視圖。
圖3為示意性地表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時的半導體裝置的製造過程中的膜狀接著劑複合片及半導體晶片之一態樣的剖視圖。
圖4為示意性地表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時的半導體裝置的製造過程中的膜狀接著劑複合片及 半導體晶片之另一態樣的剖視圖。
<<膜狀接著劑複合片>>
本發明之膜狀接著劑複合片係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至60μm之硬化性的膜狀接著劑，前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)及前述支持片的厚度(B)(mm)之積(亦即表示A×B之值)處於4MPa．mm至150MPa．mm之範圍。
前述膜狀接著劑複合片係於支持片上設置有膜狀接著劑，且於製造半導體裝置時藉由前述膜狀接著劑而貼附於半導體晶片之一個面。於後續步驟中，前述半導體晶片係保持貼附有前述膜狀接著劑之狀態而從前述支持片分離(拾取)。
此時，前述膜狀接著劑複合片中，前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)及前述支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)處於4MPa．mm至150MPa．mm之範圍，藉此可抑制步驟異常之產生而將貼附有前述膜狀接著劑之半導體晶片從前述支持片分離。
作為一個態樣，較佳為前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)及前述支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm。
更具體而言如以下所述。
首先，藉由進行隔著支持片對膜狀接著劑施力之通常之拾取操作，可將前述膜狀接著劑切斷。亦即，即便不另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟，亦可將膜狀接著劑於目標部位於常溫切斷。因此，抑制伴隨著膜狀接著劑未被切斷的半導體晶片之分離(抬升)不良。
另外，抑制以下現象：膜狀接著劑中之與目標半導體晶片對應的部位從支持片剝離，並且膜狀接著劑中之與目標外之半導體晶片對應的部位從支持片剝離。因此，抑制由膜狀接著劑之目標部位未從支持片剝離所致的半導體晶片之分離(抬升)不良，或者不僅目標半導體晶片而且與該目標半導體晶片鄰接的半導體晶片亦同時與膜狀接著劑一併從支持片分離之所謂雙晶粒之產生。
再者，本說明書中所謂「步驟異常之抑制」係指上述半導體晶片之分離不良及雙晶粒(double die)之產生之抑制等。
可認為若前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)及前述支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)小於4MPa．mm，則基材大幅度地變形，拾取力未傳遞至膜狀接著劑，膜狀接著劑之切斷變困難。另外可認為，若積(A×B)超過150MPa．mm則基材硬，而將與半導體晶片對應的目標膜狀接著劑之部位之周圍亦抬升，拾取時之力亦未傳遞至膜狀接著劑，膜狀接著劑之切斷變困難。
作為一個態樣，若前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)及 前述支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)為4MPa．mm至150MPa．mm之範圍內，則基材不會大幅度地變形，拾取力容易傳遞至膜狀接著劑，故而膜狀接著劑之切斷變容易。另外，基材不會變得過硬，可抑制與半導體晶片對應的目標膜狀接著劑之部位之周圍上升，故而拾取時之力容易傳遞至膜狀接著劑，因此膜狀接著劑之切斷變容易。
如此，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，可抑制半導體晶片之分離不良及雙晶粒之產生。再者，可省略上述般之以膜狀接著劑之切斷為主目的之步驟，例如對膜狀接著劑照射雷射而切斷之步驟或藉由將膜狀接著劑擴張而切斷之步驟等，可避免因進行這些步驟而產生之問題點，並且可於常溫將膜狀接著劑切斷，亦可減少步驟數，可利用經簡化之方法製造半導體裝置。
相對於此，上述「日本特開2013-179317號公報」(專利文獻1)中揭示有以下方法：於即將拾取半導體晶片前之階段中，將半導體晶片與未切斷之膜狀接著劑一併朝拾取方向抬升，利用此時所產生之剪切力將膜狀接著劑切斷。然而，該方法中，不確定能否抑制步驟異常之產生而將貼附有切斷後之膜狀接著劑之半導體晶片從支持片拾取。例如，不確定半導體晶片是否保持正常地具備切斷後之膜狀接著劑之狀態而從支持片分離。該文獻之實施例中，具體揭示有於一般之切割片(亦即具有基材及黏著劑層之支持片) 設置膜狀接著劑而成之膜狀接著劑複合片，但關於發揮上述本發明之功效則未作揭示。
<支持片>
前述支持片為具有基材之片，可為僅由基材所構成(亦即僅具有基材)之片，亦可為具有基材及基材以外之其他層之片。作為前述具有其他層之支持片，例如可列舉於基材上具備黏著劑層之片。
後述膜狀接著劑係設置於支持片上。因此，例如於支持片為於基材上具備黏著劑層之片之情形時，於前述黏著劑層上設置有膜狀接著劑。於支持片為僅由基材所構成之片之情形時，於前述基材上直接接觸而設置有膜狀接著劑。
支持片的厚度可於充分滿足前述積(A×B)之條件之範圍內根據目的而適當選擇，較佳為20μm至200μm，更佳為25μm至150μm，尤佳為30μm至100μm，極佳為38μm至80μm。
此處，所謂「支持片的厚度」係指支持片總體的厚度，例如所謂由複數層所構成之支持片的厚度係指構成支持片之所有層之合計厚度。再者，作為支持片的厚度之測定方法，例如可列舉：藉由接觸式厚度計於任意5處測定厚度並算出該厚度之測定值之平均值之方法等。
支持片的楊氏係數可於充分滿足積(A×B)之條件之範圍內根據目的而適當選擇，較佳為50MPa至5000MPa，更佳為100MPa至4000MPa，尤佳為150MPa至3000MPa，極佳為170MPa至2250MPa。
「楊氏係數」為如後述實施例中所記載，使用萬能試驗機，根據JIS(Japanese industrial standard；日本工業標準)K7127：1999於夾具間為100mm、拉伸速度為200mm/min之條件下測定之值。
作為一個態樣，本發明之支持片較佳為厚度(B)為38μm至80μm，楊氏係數(A)為170MPa至2250MPa，且這些之積(A×B)為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm。
[基材]
前述基材之構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(例如低密度聚乙烯(有時簡稱為LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(有時簡稱為LLDPE)、高密度聚乙烯(有時簡稱為HDPE等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(有時簡稱為PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些任一樹脂之氫化物、改性物、交聯物或共聚物等。
再者，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」係設為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。
構成基材之樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
基材可由一層(亦即單層)所構成，或亦可由兩層以上之複數層所構成。於基材由複數層所構成之情形時，這些複數層可彼此相同亦可不同。亦即，可所有層相同，或亦可所有層不同，或亦可僅一部分層相同。而且，於複數層互不相同之情形時，只要不損及本發明之功效，則這些複數層之組合並無特別限定。此處，所謂複數層互不相同係指各層之材質及厚度之至少一者互不相同。
再者，於本說明書中，不限於基材之情形，所謂「複數層可彼此相同亦可不同」係指「可所有層相同，或亦可所有層不同，或亦可僅一部分層相同」，再者所謂「複數層互不相同」係指「各層之構成材料及厚度之至少一者互不相同」。
基材的厚度可於充分滿足積(A×B)之條件之範圍內根據目的而適當選擇，較佳為20μm至200μm，更佳為25μm至150μm，尤佳為30μm至100μm，極佳為38μm至80μm。
此處，所謂「基材的厚度」係指基材總體的厚度，例如所謂由複數層所構成之基材的厚度係指構成基材之所有層之合計厚度。再者，作為基材的厚度之測定方法，例如可列舉：使用接觸式厚度計於任意5處測定厚度並算出測定值之平均值之方法等。
基材的楊氏係數可於充分滿足積(A×B)之條件之範圍內根據目的而適當選擇，較佳為50MPa至5000MPa，更佳為100MPa至4000MPa，尤佳為150MPa至3000MPa，極佳為170MPa至2250MPa。
作為一個態樣，本發明之基材較佳為厚度為38μm至80μm，楊氏係數為170MPa至2250MPa，且這些之積為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm。
基材亦可為了提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性而對表面實施有以下處理：利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理，或電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧處理、紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。
另外，基材亦可為表面經實施底漆(primer)處理。
另外，基材亦可具有抗靜電塗層、於將膜狀接著劑複合片重合保存時防止基材接著於其他片或防止基材接著於吸附台之層等。
這些中，就抑制因切割半導體晶圓時之刀片摩擦而導致產生基材碎片之方面而言，基材尤佳為表面經實施電子束照射處理。
[黏著劑層]
前述黏著劑層可適當使用公知者。
黏著劑層可由含有用以構成該黏著劑層之各種成分之黏著劑組成物所形成。黏著劑組成物中之於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與黏著劑層之前述成分彼此之含量之比率相同。再者，於本說明書中，所謂「常溫」係指不特別冷或不特別熱之溫度亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
於前述黏著劑層包含能量線硬化性成分之情形時，藉由照射能量線使該能量線硬化性成分之黏著性降低，半導體晶片之拾取變得更容易。對黏著劑層照射能量線而使黏著性降低之處理可於將膜狀接著劑複合片貼附於被黏附體之後，或亦可於貼附於被黏附體之前預先進行。
於本發明中，所謂「能量線」係指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者，作為該能量線之例，可列舉紫外線 、電子束等。
紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(fusion)H燈或氙氣燈等作為紫外線源而照射。關於電子束，可照射藉由電子束加速器等所產生者。
於本發明中，所謂「能量線硬化性」係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」係指即便照射能量線亦不硬化之性質。
作為前述黏著劑組成物，例如較佳為含有丙烯酸聚合物及能量線聚合性化合物之組成物(黏著劑組成物(i))；含有具有羥基且側鏈中具有聚合性基之丙烯酸聚合物(例如具有羥基且經由胺基甲酸酯鍵而於側鏈中具有聚合性基者)以及異氰酸酯系交聯劑之組成物(黏著劑組成物(ii))，更佳為進一步含有溶劑之組成物。
除了上述成分以外，前述黏著劑組成物亦可進一步含有光聚合起始劑或著色劑(顏料、染料)、防劣化劑、抗靜電劑、阻燃劑、矽酮(silicone)化合物、鏈轉移劑等各種添加劑之任一種。
前述黏著劑組成物亦可含有用以抑制保存中之非預期之交聯反應之進行的反應延遲劑。作為前述反應延遲劑，例如可列舉：妨礙成為使交聯反應進行之觸媒之成分的作用者。作為較佳者，例如可列舉：藉由對前述觸媒之螯合 而形成螯合錯合物者。作為較佳之反應延遲劑，更具體可列舉分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)者，作為分子中具有2個羰基者，例如可列舉二羧酸、酮酸、二酮等。
於支持片具有黏著劑層時，黏著劑層的厚度可於充分滿足積(A×B)之條件之範圍內根據目的而適當選擇，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。此處所謂「黏著劑層的厚度」係指黏著劑層總體的厚度，例如所謂由複數層所構成之黏著劑層的厚度係指構成黏著劑層之所有層之合計厚度。再者，作為黏著劑層的厚度之測定方法，例如可列舉：使用接觸式厚度計於任意5處測定厚度並算出測定值之平均值之方法等。
黏著劑組成物係藉由將丙烯酸聚合物等用以構成黏著劑層之各成分調配而獲得，例如可利用除了調配成分不同之方面以外與後述接著劑組成物之情形相同的方法而獲得。
黏著劑層可藉由在前述基材之表面塗敷黏著劑組成物並加以乾燥而形成。
此時，視需要亦可藉由將所塗敷之黏著劑組成物加熱而進行交聯。加熱條件例如可設為100℃至130℃且1分鐘至5分鐘，但不限定於此。另外，將藉由在剝離膜之剝離處理面塗敷黏著劑組成物並加以乾燥而形成之黏著劑層貼合於 基材之表面，視需要將前述剝離膜去除，藉此亦可於基材上形成黏著劑層。
黏著劑組成物向基材表面或剝離材料之剝離層表面之塗敷只要利用公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刮刀塗佈機、絲網塗佈機、邁耶棒(Meyer bar)塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。
<膜狀接著劑>
前述膜狀接著劑具有硬化性。前述膜狀接著劑較佳為具有熱硬化性，且較佳為具有感壓接著性。兼具熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑可藉由在未硬化狀態下輕輕按壓於各種被黏附體而貼附。另外，膜狀接著劑亦可藉由進行加熱加以軟化而可貼附於各種被黏附體。膜狀接著劑藉由硬化而最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物即便於嚴酷之高溫、高濕度條件下亦可保持充分之接著特性。
前述膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm，較佳為3μm至25μm，更佳為5μm至15μm。藉由膜狀接著劑的厚度為前述下限值以上，而獲得對被黏附體(亦即半導體晶片)之高接著力。另外，藉由膜狀接著劑的厚度為前述上限值以下，而藉由進行製造半導體裝置時通常進行的隔著支持片 對膜狀接著劑施力之操作，可利用該操作中產生之剪切力將膜狀接著劑容易地切斷，無需另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟。
作為膜狀接著劑的厚度之測定方法，例如可列舉：使用接觸式厚度計於任意5處測定厚度並算出測定值之平均值之方法等。
於本發明中，將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層所得的積層體之斷裂伸長率C例如較佳為5%至2000%，更佳為30%至1200%，再者佳為40%至1100%，尤佳為45%至1050%。藉由斷裂伸長率(C)為前述上限值以下，可於拾取貼附有膜狀接著劑之半導體晶片之前，將膜狀接著劑更容易地切斷。
亦即，作為一個態樣，本發明之膜狀接著劑複合片中之膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂伸長率(C)成為1%至2000%，較佳為30%至1200%，更佳為40%至1100%，尤佳為45%至1050%。
作為另一態樣，斷裂伸長率(C)較佳為2000%以下，更佳為1500%以下，尤佳為1000%以下，例如可為30%至1500%、40%至500%及45%至1000%等之任一者。藉由斷裂伸長率(C)為前述上限值以下，可於拾取貼附有膜狀接著劑之半導體晶片之前，將膜狀接著劑以各種方式更容易地切斷。
亦即，作為膜狀接著劑之切斷方式，不僅可較佳地應用最普通之銷上頂方式，而且亦可較佳地應用滑塊上頂方式等其他方式，膜狀接著劑複合片之通用性變高。
於本說明書中，所謂「斷裂伸長率(C)(%)」為將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層所得的積層體之斷裂伸長率。
於本發明中，硬化前之膜狀接著劑或將該硬化前之膜狀接著劑積層所得的整個積層體之斷裂伸長率為依據JIS K7161-1994(ISO(International Organization for Standardization；國際標準化組織)527-1)或JIS K7127：1999(ISO 527-3)所求出之值。於測定對象物(試片)不具有降伏點之情形時可測定拉伸斷裂應變，於具有降伏點之情形可測定拉伸斷裂標稱應變，並使用這些測定值而求出斷裂伸長率。
求出斷裂伸長率C之對象之前述積層體為厚度小於200μm之硬化前之膜狀接著劑，較佳為將用以構成本發明之膜狀接著劑複合片的厚度為1μm至60μm之硬化前之膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層2片以上而獲得之積層體。
斷裂伸長率C係藉由以下方式求出：將前述積層體裁斷成寬度為15mm、長度為100mm、厚度為200μm之試片， 將前述試片以固定部位間之距離(例如藉由萬能試驗機之固定夾具將試片於兩處固定時的前述固定夾具之頂端部間之距離)成為75mm之方式於兩處固定，將拉伸速度設定為200mm/min，於該固定部位間拉伸前述積層體，測定積層體斷裂時之試片之伸長率。
再者，於本說明書中，所謂「斷裂伸長率(C)為X%(式中，X為正數)」係指於上述測定方法中拉伸試片(由積層體所製作之試片)，於試片在該試片之拉伸方向上相對於原本之長度(未拉伸時之長度)而以X%之長度伸長時，亦即試片之拉伸方向上的總體之長度成為拉伸前之長度之[1+X/100]倍時，試片斷裂。
於本發明中，將硬化前之前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層所得的積層體之斷裂強度(D)較佳為0.1MPa至17MPa，更佳為0.2MPa至15MPa，尤佳為0.4MPa至13MPa。此處所謂積層體係與作為上述斷裂伸長率(C)(%)之測定對象之積層體相同。
斷裂強度D為於測定斷裂伸長率(C)時試片斷裂(被破壞)時之拉伸應力亦即拉伸破壞應力，可與斷裂伸長率(C)同時測定。
亦即，作為一個態樣，本發明之膜狀接著劑複合片中之膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂強度(D)成為較佳為0.1MPa至17MPa，更佳為 0.2MPa至15MPa，尤佳為0.4MPa至13MPa。
硬化前之前述膜狀接著劑對半導體晶圓之接著力(E)較佳為3N/24mm以上，更佳為4N/24mm以上。接著力(E)之上限值例如可設定為15N/24mm、11N/24mm及10N/24mm之任一個，但這些為一例。作為一個態樣，本發明之膜狀接著劑複合片中之膜狀接著劑具有以下特性：將硬化前之前述膜狀接著劑接著於半導體晶圓時之接著力(E)成為較佳為3N/24mm以上15N/24mm以下，更佳為3N/24mm以上11N/24mm以下，尤佳為4N/24mm以上11N/24mm以下，極佳為4N/24mm以上10N/24mm以下。
於本說明書中，硬化前之前述膜狀接著劑對半導體晶圓之接著力E(N/24mm)可利用以下方法來測定。亦即，製作寬度為24mm且長度任意之膜狀接著劑及黏著帶之積層片。該積層片係作為將膜狀接著劑積層於黏著帶之黏著面而成，作為黏著帶係使用Nichiban公司製造之「Cellotape(註冊商標)No.405」之24mm寬度的黏著帶。繼而，藉由經加熱至60℃之膜狀接著劑將該積層片貼附於半導體晶圓，製作依序積層有黏著帶、膜狀接著劑及半導體晶圓之積層體。將製作後之該積層體立即於JIS Z0237 2009所規定之標準環境下放置30分鐘後，進行所謂180°剝離，亦即以膜狀接著劑及半導體晶圓之相互接觸之面彼此成180°之角度之方式將膜狀接著劑及黏著帶之積層片以剝離速度150mm/min 從半導體晶圓分離。測定此時之剝離力，將該測定值作為接著力E(N/24mm)。供測定之前述積層片之長度只要為可穩定地測定剝離力之範圍，則並無特別限定。前述積層片之長度例如較佳為120mm至250mm。
硬化前之前述膜狀接著劑對半導體晶圓之接著力(E)可藉由調節膜狀接著劑之含有成分之種類及量、膜狀接著劑的厚度、構成前述支持片中之設置膜狀接著劑之面的材料、該面之狀態(表面狀態)等而適當調節。
例如，若為膜狀接著劑之含有成分，則藉由調節後述矽烷偶合劑等偶合劑(e)之種類或量，可容易地調節硬化前之前述膜狀接著劑對半導體晶圓之接著力E。
另外，例如支持片之前述表面狀態例如可藉由實施以下處理而調節：上文中作為使基材與其他層之密接性提升的處理而列舉之表面處理，亦即，利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧處理、紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理；底漆處理等。
然而，這些調節方法僅為一例。
膜狀接著劑之前述斷裂伸長率(C)及斷裂強度(D)可藉由調節膜狀接著劑之含有成分之種類及量而適當調節。例如，藉由調整後述聚合物成分(a)之分子量及含量、構成環氧系熱硬化性樹脂(b)之成分之構造、軟化點及含量以及填 充劑(c)之含量等，可容易地調節膜狀接著劑之斷裂伸長率(C)及斷裂強度(D)。
然而，這些調節方法僅為一例。
於本發明中，根據前述斷裂伸長率(C)、前述斷裂強度(D)及前述接著力(E)所求出之E/(C×D)之值較佳為0.0005以上，更佳為0.0006以上，尤佳為0.0007以上。E/(C×D)之上限值並無特別限定，例如可取0.80以下、0.50以下及0.10以下之任一個，但這些為一例。
作為一個態樣，本發明之膜狀接著劑複合片中之膜狀接著劑具有以下特性：由前述斷裂伸長率(C)、前述斷裂強度(D)及前述接著力(E)所求出之E/(C×D)之值成為較佳為0.0005以上0.80以下，更佳為0.0006以上0.50以下，尤佳為0.0007以上0.10以下。
[接著劑組成物]
膜狀接著劑可由含有該膜狀接著劑之構成材料之接著劑組成物所形成。例如，於膜狀接著劑之形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此可於目標部位形成膜狀接著劑。接著劑組成物中之於常溫下不氣化之成分彼此之含量之比率通常與膜狀接著劑之前述成分彼此之含量之比率相同。此處，所謂「常溫」如上文中所說明。
接著劑組成物之塗敷只要利用公知之方法進行即可， 例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刮刀塗佈機、絲網塗佈機、邁耶棒塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。
接著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，於接著劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於70℃至130℃且10秒鐘至5分鐘之條件下乾燥。
作為較佳之接著劑組成物，例如可列舉含有聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)之組成物。以下，對各成分加以說明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)為被視為聚合性化合物發生聚合反應而形成之成分，為用以對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且使對半導體晶片等接著對象之接著性(貼附性)提升的聚合物化合物。另外，聚合物成分(a)亦為不相當於後述環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之成分。
聚合物成分(a)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，於併用兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉：丙烯酸系樹脂(例如具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、聚酯、胺基甲酸酯系樹脂(例如具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、矽酮系樹脂(例如具有矽氧烷鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(例如具有橡膠構造之樹脂)、苯氧基樹脂、熱硬化性聚醯亞胺等，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為聚合物成分(a)中之前述丙烯酸系樹脂，可列舉公知之丙烯酸聚合物。
丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為此種範圍內，容易將硬化前之前述膜狀接著劑對半導體晶圓之接著力E調節至上述範圍內。
另一方面，藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為前述下限值以上，膜狀接著劑之形狀穩定性(保管時之經時穩定性)提升。另外，藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為前述上限值以下，膜狀接著劑容易追隨被黏附體之凹凸面，而於被黏附體與膜狀接著劑之間進一步抑制空隙等之產生。
再者，於本說明書中所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(有時簡稱為GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(有時簡稱為Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-30℃至50℃。藉由丙烯酸系樹脂之Tg為前述下限值以上，而抑制膜狀接著劑與支持片之接著力，於拾取時，具有膜狀接著劑之半導體晶片從支持片之分離變得更容易。另外，藉由丙烯酸系樹脂之Tg為前述上限值以下，膜狀接著劑與半導體晶片之接著力E提升。
作為構成丙烯酸系樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基係碳數為1至18之鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異
酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯 基酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含有經取代之胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「經取代之胺基」係指胺基之1個或2個氫原子經氫原子以外之基取代而成之基。
丙烯酸系樹脂例如亦可為除了前述(甲基)丙烯酸酯以外，選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的一種或兩種以上之單體進行共聚合而成者。
構成丙烯酸系樹脂之單體可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
丙烯酸系樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸系樹脂之前述官能基可經由後述交聯劑(f)而與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(f)而與其他化合物 直接鍵結。藉由丙烯酸系樹脂利用前述官能基與其他化合物鍵結，有使用膜狀接著劑複合片所得之封裝之可靠性提升的傾向。
於本發明中，作為聚合物成分(a)，可不使用丙烯酸系樹脂而將丙烯酸系樹脂以外之熱塑性樹脂(以下有時僅簡稱為「熱塑性樹脂」)單獨使用，亦可將熱塑性樹脂與丙烯酸系樹脂併用。藉由使用前述熱塑性樹脂，有時於拾取時，具備膜狀接著劑之半導體晶片從支持片之分離變得更容易，膜狀接著劑容易追隨被黏附體之凹凸面，於被黏附體與膜狀接著劑之間進一步抑制空隙等之產生。
前述熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000。
前述熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。
作為前述熱塑性樹脂，例如可列舉：聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之前述熱塑性樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於接著劑組成物中，聚合物成分(a)中之丙烯酸系樹脂相對於溶劑以外之所有成分之總含量(總質量)的含量(亦即聚合物成分(a)中之丙烯酸系樹脂相對於膜狀接著劑之總質量的含量)較佳為5質量%至40質量%，更佳為7質量%至25質量%。
於接著劑組成物中，聚合物成分(a)相對於溶劑以外之所有成分之總含量(質量)的含量(亦即聚合物成分(a)相對於膜狀接著劑之總質量的含量)不依賴於聚合物成分(a)之種類，較佳為5質量%至85質量%，更佳為7質量%至80質量%。
藉由使用前述熱塑性樹脂，可獲得上述般之功效，但另一方面，擔心於將硬化前之膜狀接著劑暴露於高溫下時，該膜狀接著劑之硬度降低，未硬化或半硬化之狀態下的膜狀接著劑之打線接合適性降低。因此，接著劑組成物之聚合物成分(a)之含量較佳為考慮此種影響後設定。
(環氧系熱硬化性樹脂(b))
環氧系熱硬化性樹脂(b)係由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂(b)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情 形時，這些之組合及比率可任意選擇。
．環氧樹脂(b1)
作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知者，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等二官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂與不具有不飽和烴基之環氧樹脂相比，與丙烯酸系樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑複合片所得之封裝之可靠性提升。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉將多官能系環氧樹脂之一部分環氧基變換成具有不飽和烴基之基而成的化合物。此種化合物例如係藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應而獲得。再者，於本說明書中所謂「衍生物」，只要無特別說明係指原本之化合物之至少一個基經除此以外之基(取代基)取代而成的化合物。此處所謂「基」不僅係指複數個原子鍵結而成之原子團，亦包含一個原子。
另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：具有不飽和烴基之基直接鍵結於構成環氧樹脂之芳香環等的化合物等。
不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基之具體例，可列舉：乙烯基(ethenyl)(亦稱為乙烯基(vinyl))、2-丙烯基(亦稱為烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(b1)之重量平均分子量並無特別限定，就膜狀接著劑之硬化性以及硬化後之膜狀接著劑之強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000。
環氧樹脂(b1)之環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
於本說明書中，所謂「環氧當量」係指包含1克當量之環氧基的環氧化合物之克數(g/eq)，可依據JIS K 7236：2001之方法而測定。
環氧樹脂(b1)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，於併用兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
．熱硬化劑(b2)
熱硬化劑(b2)作為對環氧樹脂(b1)之硬化劑而發揮功能。
作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉一分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、聯苯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。
熱硬化劑(B2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺(以下有時簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，例如可列舉：酚樹脂之一部分羥基經具有不飽和烴基之基取代而成的化合物、具有不飽和烴基之基直接鍵結於酚樹脂之芳香環而成的化合物等。
熱硬化劑(b2)中之前述不飽和烴基與上述具有不飽和烴基之環氧樹脂中之不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)之情形時，就容易將硬化前之前述膜狀接著劑相對於半導體晶圓之接著力E調節至上述範圍內的方面而言，熱硬化劑(b2)較佳為軟化 點或玻璃轉移溫度高。
熱硬化劑(b2)之重量平均分子量例如較佳為60至30000。
熱硬化劑(b2)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，於併用兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，熱硬化劑(b2)之含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述下限值以上，膜狀接著劑之硬化更容易進行。另外，藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述上限值以下，而減少膜狀接著劑之吸濕率，使用膜狀接著劑複合片所得之封裝之可靠性進一步提升。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量(亦即環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之合計含量)較佳為50質量份至1000質量份，更佳為100質量份至900質量份，尤佳為150質量份至870質量份。藉由環氧系熱硬化性樹脂(b)之前述含量為此種範圍，於拾取時，具備膜狀接著劑之半導體晶片從支持片之分離變得更容易。
作為一個態樣，相對於接著劑組成物及膜狀接著劑之總質量，環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量較佳為20質量%至80質量%。
前述膜狀接著劑亦可為了改良該膜狀接著劑之各種物性，而除了聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，再者視需要含有不相當於這些之其他成分。
作為前述膜狀接著劑所含有之其他成分中較佳者，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
亦即，作為一個態樣，本發明之膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑含有：聚合物成分(a)；環氧系熱硬化性樹脂(b)；以及選自由硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)及通用添加劑(i)所組成之群組中的至少一種成分。
(硬化促進劑(c))
硬化促進劑(c)為用以調節接著劑組成物之硬化速度之成分。
作為較佳之硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基 -5-羥基甲基咪唑等咪唑類(例如至少一個氫原子經氫原子以外之基取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(例如，至少一個氫原子經有機基取代之膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量100質量份，硬化促進劑(c)之含量較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(c)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得由使用硬化促進劑(c)所得之功效。另外，藉由硬化促進劑(c)之含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下於膜狀接著劑中移動至與被黏附體之接著界面側而偏析的功效變高，使用膜狀接著劑複合片所得之封裝之可靠性進一步提升。
(填充材料(d))
膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，該膜狀接著劑之熱膨脹係數之調整變容易，藉由相對於膜狀接著劑之貼附對 象物而使該熱膨脹係數最適化，使用膜狀接著劑複合片所得之封裝之可靠性進一步提升。另外，膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，亦可降低硬化後之膜狀接著劑之吸濕率，或提升散熱性。
填充材料(d)可為有機填充材料及無機填充材料之任一種，較佳為無機填充材料。
作為較佳之無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材料製成球形而成之珠(bead)；這些無機填充材料之表面改質品；這些無機填充材料之單晶纖維；玻璃纖維等。
這些中，無機填充材料較佳為二氧化矽或氧化鋁。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材料(d)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用填充材料(d)之情形時，於接著劑組成物中，填充材料(d)相對於溶劑以外之所有成分之總含量(總質量)的含量(亦即填充材料(d)相對於膜狀接著劑之總質量的含量)較佳為5質量%至80質量%，更佳為7質量%至60質量%。藉由填充材料(d)之含量為此種範圍，上述熱膨脹係數之調整變得更容易。
(偶合劑(e))
膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被黏附體之接著性及密接性提升。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑之硬化物係於不損及耐熱性之情況下耐水性提升。偶合劑(e)具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有可與聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應的官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
作為較佳之前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷、含環氧基之寡聚物等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)之合計含量100質量份，偶合劑(e)之含量較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。
藉由偶合劑(e)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得填充材料(d)於樹脂中之分散性提升或膜狀接著劑與被黏附體之接著性提升等由使用偶合劑(e)所得之功效。另外，藉由偶合劑(e)之前述含量為前述上限值以下，而進一步抑制逸氣之產生。
(交聯劑(f))
於使用上述丙烯酸系樹脂等具有可與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基者作為聚合物成分(a)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有用以使前述官能基與其他化合物鍵結而進行交聯之交聯劑(f)。藉由使用交聯劑(f)進行交聯，可調節膜狀接著劑之初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化台物、金屬螯合系交聯劑(亦即具有金屬螯合構造之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(亦即具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下將這些化合物統一而簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等之三聚物、異氰脲酸酯體及加合體；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合體」係指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫之化合物的反應物，作為該反應物之例，可列舉後述般之三羥甲基丙烷之二甲苯二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」係指具有胺基甲酸酯鍵，並且於分子之末端部具有異氰酸酯基之預聚物。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基(xylylene)二異氰酸酯；1,4-二甲苯(xylene)二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異 氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯之任一種或兩種以上加成於三羥甲基丙烷等多元醇之所有或一部分羥基而成的化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三乙烯三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，作為聚合物成分(a)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基且聚合物成分(a)具有羥基之情形時，可藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應而對膜狀接著劑簡便地導入交聯構造。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之交聯劑(f)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，於接著劑組成物中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，交聯劑(f)之含量較佳 為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得由使用交聯劑(f)所得之功效。另外，藉由交聯劑(f)之前述含量為前述上限值以下，而抑制交聯劑(f)之過剩使用。
(能量線硬化性樹脂(g))
膜狀接著劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，可藉由照射能量線而使特性變化。
能量線硬化性樹脂(g)具有藉由照射能量線而進行硬化(聚合)之性質。
作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉分子內具有至少一個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二環戊酯、三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯等含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯 酸酯等聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；寡聚酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物；環氧改性(甲基)丙烯酸酯；前述聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外之聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸寡聚物等。
能量線硬化性樹脂(g)之重量平均分子量較佳為100至30000。
接著劑組成物所含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
相對於接著劑組成物之總質量，能量線硬化性樹脂(g)之含量較佳為1質量%至95質量%，更佳為3質量%至90質量%，尤佳為5質量%至85質量%。
(光聚合起始劑(h))
接著劑組成物於含有能量線硬化性樹脂(g)之情形時，亦可為了高效率地進行能量線硬化性樹脂(g)之聚合反應而含有光聚合起始劑(h)。
作為接著劑組成物中之光聚合起始劑(h)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香 二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮(thioxanthone)等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
另外，作為光聚合起始劑(h)，例如亦可列舉胺等光增感劑等。
接著劑組成物所含有之光聚合起始劑(h)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於接著劑組成物中，相對於能量線硬化性樹脂(g)之含量100質量份，光聚合起始劑(h)之含量較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
(通用添加劑(i))
通用添加劑(I)亦可為公知者，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物及膜狀接著劑之含量並無特別限定，只要根據目的而適當選擇即可。
(溶劑)
接著劑組成物較佳為進一步含有溶劑。含有溶劑之接著劑組成物係操作性變良好。
前述溶劑並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(亦稱為2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(亦即具有醯胺鍵之化合物)等。
接著劑組成物所含有之溶劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
就可將接著劑組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮等 。
[接著劑組成物的製造方法]
接著劑組成物係藉由將用以構成該接著劑組成物之各成分調配而獲得。
調配各成分時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合而將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶劑與這些調配成分混合而使用。
於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要從以下方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等公知方法。
各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化，則並無特別限定，只要適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
本發明之膜狀接著劑複合片較佳為支持片僅由基材所構成，且針對該基材直接接觸而設置有膜狀接著劑。於如此般支持片不具有黏著劑層等，於基材上直接設置有膜狀接著劑之情形時，膜狀接著劑中之成分移行至黏著劑層等 基材上之其他層或與此相反而此種其他層中之成分移行至膜狀接著劑等構成成分之層間移動得到抑制。因此，顯著抑制製造半導體裝置時之步驟異常之產生或半導體封裝之可靠性降低。
通常，於使用不具有黏著劑層者作為膜狀接著劑複合片之情形時，於將半導體晶片保持貼附有膜狀接著劑之狀態從支持片分離時，容易產生雙晶粒。然而，根據本發明之膜狀接著劑複合片，即便於該複合片不具有黏著劑層之情形時，亦抑制雙晶粒之產生。
<<膜狀接著劑複合片的製造方法>>
本發明之膜狀接著劑複合片可藉由將上述各層以成為對應之位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如上文中所說明。
例如，於製造支持片時於基材上積層黏著劑層之情形時，藉由在基材上塗敷上述黏著劑組成物，視需要加以乾燥，可積層黏著劑層。
例如於在積層於基材上的黏著劑層之上再者積層膜狀接著劑之情形時，作為一個態樣，可於黏著劑層上塗敷接著劑組成物，於前述黏著劑層上直接形成膜狀接著劑。亦即，於形成連續兩層之積層構造之情形時，可使用任一組成物，於由前述組成物所形成之層上再者直接塗敷其他組成物而新形成層。另外，作為另一態樣，這些兩層中後積 層之層亦可使用前述組成物預先形成於其他剝離膜上，並將該所形成之層中的與和前述剝離膜接觸之側為相反側的露出面與已形成之其餘層之露出面貼合，藉此形成連續兩層之積層構造。此時，前述組成物較佳為塗敷於剝離膜之剝離處理面。剝離膜只要於形成積層構造後視需要而去除即可。
例如，於製造於基材上積層黏著劑層並於前述黏著劑層上積層膜狀接著劑而成之膜狀接著劑複合片(亦即支持片為基材及黏著劑層之積層物的膜狀接著劑複合片)之情形時，可藉由以下方式獲得膜狀接著劑複合片：於基材上塗敷黏著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此於基材上積層黏著劑層，另外於剝離膜上塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此於前述剝離膜上形成膜狀接著劑，將該膜狀接著劑之露出面與積層於前述基材上之黏著劑層之露出面貼合，將前述膜狀接著劑積層於前述黏著劑層上。
再者，於基材上積層黏著劑層之情形時，亦可如上所述，代替於基材上塗敷黏著劑組成物之方法，而於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此於剝離膜上形成黏著劑層，將該黏著劑層之露出面與基材之一個表面貼合，藉此將前述黏著劑層積層於前述基材上。
任一方法中，剝離膜只要於形成目標積層構造後之任意時序去除即可。
如此，構成膜狀接著劑複合片之基材以外之層均可利用預先形成於剝離膜上並貼合於目標層之表面的方法而積層，故只要視需要適當選擇採用此種步驟之層而製造膜狀接著劑複合片即可。
再者，膜狀接著劑複合片通常係以於該膜狀接著劑複合片中的與支持片為相反側之最表層(例如膜狀接著劑)之表面貼合有剝離膜的狀態而保管。因此，亦藉由以下方式而獲得膜狀接著劑複合片：於該剝離膜(較佳為該剝離膜之剝離處理面)上，塗敷用以形成構成膜狀接著劑複合片中的與支持片側為相反側之最表層的層之組成物(亦即接著劑組成物等)，視需要加以乾燥，藉此於剝離膜上形成構成前述最表層之層，於該層中之與和剝離膜接觸之側為相反側的露出面上利用上述任一方法積層其餘各層，不將剝離膜加以去除而保持貼合之狀態。
<<半導體裝置的製造方法>>
本發明之一實施形態之半導體裝置的製造方法係使用前述膜狀接著劑複合片，並且包含有：將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片(以下有時簡稱為「貼附步驟」)；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中之支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前 述膜狀接著劑施力，藉此將前述膜狀接著劑切斷(以下有時簡稱為「切斷步驟」)；以及將前述半導體晶片及貼附於該半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑從前述支持片分離(以下有時簡稱為「分離步驟」)。
根據前述製造方法，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，可於製造半導體裝置時，利用經簡化之方法抑制步驟異常之產生而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片從支持片分離。
<貼附步驟>
於前述貼附步驟中，將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片。於該步驟中，將一片膜狀接著劑複合片中之膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片之背面。
經分割之複數個半導體晶片例如可藉由以下方式製作：從半導體晶圓中之與前述膜狀接著劑複合片之貼附面(有時稱為背面)為相反側的表面形成槽，將前述背面進行研磨直至到達該槽為止。作為形成前述槽之方法，例如可列舉：使用刀片刻劃半導體晶圓，藉此形成槽之方法(亦即刀片切割)；藉由雷射照射刻劃半導體晶圓，藉此形成槽之方法(亦即雷射切割)；藉由噴附包含研磨劑之水而刻劃半導體晶圓，藉此形成槽之方法(亦即水切割)等。
另外，經分割之複數個半導體晶片亦可藉由以下方式製作：以於設置於半導體晶圓之內部之焦點聚焦之方式照射紅外域之雷射光，於半導體晶圓之內部形成改質層後，對半導體晶圓之前述背面進行研磨，再者於前述背面對研磨後之半導體晶圓施力，或對前述背面研磨中之半導體晶圓施加研磨時之力，藉此於前述改質層之形成部位將前述半導體晶圓分割。
<切斷步驟>
於前述切斷步驟中，於前述貼附步驟後，針對貼附於前述半導體晶片之膜狀接著劑複合片中之支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施力，將前述膜狀接著劑切斷。以下，一邊參照圖式一邊對本發明之一實施形態之半導體裝置的製造方法加以說明。圖1中的(a)至圖1中的(c)為示意性地表示本發明的製造方法中的從膜狀接著劑之切斷至從半導體晶片的支持片之分離為止之一實施形態的剖視圖。圖1中的(a)至圖1中的(c)中，僅對與膜狀接著劑複合片有關之構成進行剖面表示。
如圖1中的(a)所示，藉由前述貼附步驟將膜狀接著劑複合片1之膜狀接著劑12貼附於複數個半導體晶片9之背面9b。而且，於該步驟中，將半導體裝置的製造裝置(省略總 體圖之圖示)中的將半導體晶片上頂之上頂部81，抵接於膜狀接著劑複合片1中之支持片11中的與設置有膜狀接著劑12之側的面(有時稱為表面)11a為相反側之面(有時稱為背面)11b。
於支持片11僅由基材所構成之情形時，膜狀接著劑複合片1為將基材及膜狀接著劑12積層而成之片，將膜狀接著劑12中之與和基材接觸之側為相反側的表面貼附於半導體晶片9之背面9b。
於支持片11為將基材及黏著劑層積層而成之片之情形時，膜狀接著劑複合片1係依序積層有基材、黏著劑層及膜狀接著劑12，將膜狀接著劑12中之與和黏著劑層接觸之側為相反側的表面貼附於半導體晶片9之背面9b。
於該步驟中，繼而如圖1中的(b)所示，針對膜狀接著劑複合片1中之支持片11，從該支持片11之背面11b施力，藉此隔著支持片11對膜狀接著劑12施力。此處，示出如下之例：突起(亦即銷)811從上頂部81突出，突起811之頂端部將支持片11從該支持片11之背面11b上頂，藉此介隔支持片11對膜狀接著劑12朝突起811之突出方向施力。此時，可適當調節突起811之突出量(亦即上頂量)、突出速度(亦即上頂速度)、突出狀態之保持時間(亦即抬升等待時間)等上頂條件。此處，示出將支持片11上頂之突起811之個數為5個之情形，但亦可為1個，亦可為2個以上，突起811之個數只要 適當選擇即可。
若如此般對膜狀接著劑12施力，則由於使用膜狀接著劑複合片1，故而可藉由伴隨著突起811之上頂而產生之剪切力，一邊抑制步驟異常之產生一邊將膜狀接著劑12切斷。更具體而言，可將膜狀接著劑12於目標部位亦即僅包圍作為半導體晶片9的成為從支持片11之分離對象者的部位於常溫切斷。而且，例如可於不另行設置對膜狀接著劑12照射雷射而切斷之步驟或藉由將膜狀接著劑12擴張而切斷之步驟等以膜狀接著劑12之切斷為主要目的之步驟之情況下進行切斷。
<分離步驟>
於前述分離步驟中，於前述切斷步驟後，如圖1中的(c)所示，將半導體晶片9及貼附於該半導體晶片9之切斷後之膜狀接著劑12從支持片11分離(亦即拾取)。該步驟通常係於前述切斷步驟後立即連續進行。此處，示出如下之例：藉由半導體裝置的製造裝置之拉升部82將半導體晶片9拉升，藉此將貼附於該半導體晶片9之切斷後之膜狀接著劑12從支持片11分離。如此般拉升半導體晶片9之方法可為公知方法，例如可列舉藉由真空夾盤吸附半導體晶片9之表面並拉升的方法等。
若如此般拉升半導體晶片9，則由於使用膜狀接著劑複 合片1，故而可一邊抑制步驟異常之產生，一邊使膜狀接著劑12從支持片11剝離。更具體而言，抑制以下現象：膜狀接著劑12中之與目標半導體晶片9對應的部位從支持片11剝離，並且膜狀接著劑12中之與目標外之半導體晶片9對應的部位從支持片11剝離。而且，由於已將膜狀接著劑12於預定部位切斷，故而將經拉升之半導體晶片9與膜狀接著劑12一併從支持片11分離。
於本發明的製造方法中，可使用與膜狀接著劑一併被分離(亦即被拾取)之半導體晶片，以後利用與以往的方法相同之方法，亦即經由藉由膜狀接著劑將前述半導體晶片於基板之電路面晶粒接著的步驟而製造半導體裝置。例如，藉由膜狀接著劑將前述半導體晶片於基板之電路面晶粒接著，視需要對該半導體晶片再者積層一個以上之半導體晶片，進行打線接合後，藉由樹脂將總體密封，藉此製成半導體封裝。繼而，只要使用該半導體封裝製作目標半導體裝置即可。
作為一個態樣，本發明之半導體裝置的製造方法包含有：將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中之支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施力，藉此將前述膜狀接著劑切斷；將前述半導體晶片及貼附於該前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑 從前述支持片分離；藉由前述膜狀接著劑將從前述支持片分離之半導體晶片於基板之電路面晶粒接著；以及視需要對前述半導體晶片再者積層一個以上之半導體晶片，進行打線接合後，藉由樹脂將總體密封，藉此獲得半導體封裝。
本發明之半導體裝置的製造方法不限定於引用圖1中的(a)至圖1中的(c)所說明之上述方法，亦可於不損及本發明之功效之範圍內，於上述方法中變更、刪除或追加一部分構成。
例如，作為隔著支持片11對膜狀接著劑12施力之方法，至此為止對藉由利用突起811將支持片11上頂而對膜狀接著劑12施力之方法進行了說明。作為除此以外之方法，例如可列舉：代替突起811而藉由滑塊將支持片11上頂，藉此對膜狀接著劑12施力之方法。
圖2中的(a)及圖2中的(b)為用以示意性地說明對上述膜狀接著劑施力而將該膜狀接著劑切斷的另一實施形態之剖視圖。再者，於圖2中的(a)及圖2中的(b)中，對與圖1中的(a)至圖1中的(c)所示者相同之構成要素標注與圖1中的(a)至圖1中的(c)之情形相同之符號，省略該構成要素之詳細說明。這一情況於圖3中的(a)及圖3中的(b)以後之圖中亦相同。
此處所示係將膜狀接著劑之切斷方法替換為參照圖1 中的(b)所說明者。
於應用本實施形態之情形時，亦首先利用與參照圖1中的(a)所說明之情形相同之方法進行貼附步驟。
繼而，針對膜狀接著劑複合片1中之支持片11，於該支持片11之背面11b隔著支持片11對膜狀接著劑12施力。然而，本實施形態中，藉由圖2中的(a)及圖2中的(b)所示般之滑塊812之移動而非上頂部81中之圖1中的(b)所示般之突起811之突出，而將支持片11從該支持片11之背面11b上頂。
於本實施形態中，如圖2中的(a)所示，從上頂部81突出之滑塊812之表面812a成為與支持片11之背面11b接觸之狀態。此時，滑塊812之表面812a與圖1中的(a)所示般之切斷步驟前之支持片11之背面11b並不平行。因此，於與滑塊812之表面812a正交之方向亦即傾斜方向而非鉛垂方向，對支持片11從該支持片11之背面11b施力，藉此膜狀接著劑12之上頂高度產生差。然而，與圖1中的(b)之情形同樣地隔著支持片11對膜狀接著劑12施力。藉此，於膜狀接著劑12之上頂高度高之區域中，於未貼附半導體晶片9之區域(圖2中的(a)中之第一區域121)中，藉由伴隨著上頂而產生之剪切力，可一邊抑制步驟異常之產生一邊將膜狀接著劑12切斷。
於滑塊812之上頂時，可適當調節滑塊812之突出量(亦 即上頂量)、傾斜角(亦即上頂速度)、移動速度(亦即抬升等待時間)等上頂條件。
於本實施形態中，繼而如圖2中的(b)所示，使滑塊812朝相對於未被上頂之支持片11之背面11b而平行之方向移動。藉此，支持片11之上頂部位移動。而且，於該上頂部位之移動後，於膜狀接著劑12之上頂高度高之區域中，於未貼附半導體晶片9之區域(圖2中的(b)中之第二區域122)，藉由伴隨著上頂而產生之剪切力，可一邊抑制步驟異常之產生一邊將膜狀接著劑12切斷。
藉由伴隨著此種滑塊812之移動而產生之剪切力，膜狀接著劑12係與參照圖1中的(a)至圖1中的(c)所說明之情形同樣地，一邊抑制步驟異常之產生一邊被切斷。
以後，可利用與參照圖1中的(a)所說明之情形相同之方法進行分離步驟。
然而，通常與參照圖2中的(a)及圖2中的(b)所說明般之滑塊上頂方式相比，參照圖1中的(a)至圖1中的(c)所說明般之銷上頂方式係膜狀接著劑之切斷功效較高。因此，關於採用哪一方式，例如較佳為考慮支持片的楊氏係數(A)或膜狀接著劑之斷裂伸長率(C)等與強度有關之特性而選擇。
如以上般，根據本發明之一實施形態之半導體裝置的 製造方法，於前述切斷步驟中，可將膜狀接著劑於目標部位切斷，故而抑制伴隨著膜狀接著劑未被切斷的半導體晶片之分離(抬升)不良。
另外，根據本發明之一實施形態之半導體裝置的製造方法，於前述分離步驟中，膜狀接著劑之目標部位從支持片剝離，故而抑制半導體晶片之分離(抬升)不良之產生。再者，抑制膜狀接著劑之目標外之部位從支持片剝離，故而抑制不僅目標半導體晶片而且與該目標半導體晶片鄰接之半導體晶片亦同時與膜狀接著劑一併從支持片分離的所謂雙晶粒之產生。
如此，根據本發明，可利用經簡化之方法抑制步驟異常之產生而製造半導體裝置。
於不使用本發明之膜狀接著劑複合片之情形時，有可能於製造半導體裝置時無法抑制以下所示般之步驟異常之產生。
圖3中的(a)及圖3中的(b)為示意性地表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時的半導體裝置的製造過程中的膜狀接著劑複合片及半導體晶片之一態樣的剖視圖。
於使用此處所示之膜狀接著劑複合片7之情形時，如圖3中的(a)所示，即便隔著支持片71對膜狀接著劑72施力，支持片71亦大幅度地變形，拾取力未傳遞至膜狀接著劑，膜狀接著劑72未被切斷，再者，於將半導體晶片9拉升時，膜 狀接著劑72從半導體晶片9剝離而保持積層於支持片71。結果如圖3中的(b)所示，發生半導體晶片9之抬升不良。
此種步驟異常例如於以下情形時容易產生：於膜狀接著劑複合片7中，前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)小，或前述支持片的厚度(B)(mm)小，或前述支持片的楊氏係數(A)與前述支持片的厚度(B)兩者小，結果前述積(A×B)小於4MPa．mm。
圖4中的(a)及圖4中的(b)為示意性地表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時的半導體裝置的製造過程中的膜狀接著劑複合片及半導體晶片之另一態樣的剖視圖。
於使用此處所示之膜狀接著劑複合片7之情形時，即便如圖4中的(a)所示般隔著支持片71對膜狀接著劑72施力，支持片71亦不易變形。因此，將與半導體晶片對應之目標膜狀接著劑之部位之周圍亦抬升，拾取時之力未傳遞至膜狀接著劑，膜狀接著劑72未被切斷。再者，於拉升半導體晶片9時，膜狀接著劑72從半導體晶片9剝離而保持積層於支持片71。結果，如圖3中的(b)所示，產生半導體晶片9之抬升不良。
此種步驟異常例如容易於以下情形時容易產生：於膜狀接著劑複合片7中，前述支持片的楊氏係數(A)(MPa)大，或前述支持片的厚度(B)(mm)大，或前述支持片的楊氏係數(A)及前述支持片的厚度(B)兩者大，結果前述積(A×B)大於150MPa．mm。
再者，參照圖3中的(a)及圖3中的(b)至圖4中的(a)及圖4中的(b)所說明之步驟異常係一例，視情形不同，有時亦產生其他步驟異常。
相對於此，於使用本發明之膜狀接著劑複合片之情形時，抑制此種步驟異常之產生，結果，可利用較以往更簡化之方法廉價地製造半導體裝置。
作為一個態樣，本發明之一實施形態之膜狀接著劑複合片係於支持片上設置有硬化性的膜狀接著劑，並且前述支持片具有基材，前述支持片的厚度為20μm至200μm，較佳為25μm至150μm，更佳為30μm至100μm，尤佳為38μm至80μm；前述膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm，較佳為3μm至25μm，更佳為5μm至15μm；前述支持片的楊氏係數為50MPa至5000MPa，較佳為100MPa至4000MPa，更佳為150MPa至3000MPa，尤佳為170MPa至2250MPa；前述支持片的楊氏係數與前述支持片的厚度之積為4MPa．mm至150MPa．mm，較佳為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm；前述硬化性膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂伸長率成為1%至2000%，較佳為30%至1200%，更佳為40%至1100%，尤佳為45%至1050%，且具有以下特性：前述積層體之斷裂強度成為0.1MPa至17MPa，較佳為0.2MPa至15MPa，更佳為0.4MPa至13MPa；前述硬 化性膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑接著於半導體晶圓時之接著力成為3N/24mm以上15N/24mm以下，較佳為3N/24mm以上11N/24mm以下，更佳為4N/24mm以上11N/24mm以下，尤佳為4N/24mm以上10N/24mm以下；前述硬化性膜狀接著劑具有以下特性：前述接著力/(前述斷裂伸長率×前述斷裂強度)之值成為0.0005以上0.80以下，較佳為0.0006以上0.50以下，更佳為0.0007以上0.10以下。
作為另一態樣，本發明之一實施形態之膜狀接著劑複合片係於支持片上設置有硬化性的膜狀接著劑，並且前述支持片具有基材，前述支持片的厚度為20μm至200μm，較佳為25μm至150μm，更佳為30μm至100μm，尤佳為38μm至80μm；前述基材為由聚對苯二甲酸乙二酯所構成之基材；前述硬化性膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm，較佳為3μm至25μm，更佳為5μm至15μm；前述硬化性膜狀接著劑含有：聚合物成分(a)，環氧系熱硬化性樹脂(b)，以及選自由硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)及通用添加劑(i)所組成之群組中的至少一種成分；前述聚合物成分(a)為丙烯酸系樹脂；前述環氧系熱硬化性樹脂(b)包含選自由雙酚A型環氧樹脂、多官能芳香族型環氧樹脂及二環戊二烯型環氧樹脂所組成之群組中的至少一種樹脂；相對於前述硬化性膜狀接著劑之總質量，前述聚合物成分(a)之含 量為5質量%至85質量%，較佳為7質量%至80質量%；相對於前述聚合物成分(a)之含量100質量份，前述環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量為50質量份至1000質量份，較佳為100質量份至900質量份，更佳為150質量份至870質量份；前述支持片的楊氏係數與前述支持片的厚度之積為4MPa．mm至150MPa．mm，較佳為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm。
作為另一態樣，本發明之一實施形態之半導體裝置的製造方法係包含有：將上述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中之前述支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施力，藉此將前述膜狀接著劑切斷；以及將前述半導體晶片及貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑從前述支持片分離。
前述製造方法亦可進一步包含有：藉由前述膜狀接著劑將從前述支持片分離之半導體晶片於基板之電路面晶粒接著；以及視需要對前述半導體晶片再者積層一個以上之半導體晶片，進行打線接合後，藉由樹脂將總體密封，藉此獲得半導體封裝。
[實施例]
以下，藉由具體實施例對本發明進行更詳細說明。然而，本發明不受以下所示之實施例之任何限定。
以下示出用於製造接著劑組成物之成分。
．聚合物成分
(a)-1：丙烯酸系樹脂(日本合成化學工業公司製造之「Coponyl N-2359-6」)。
．環氧樹脂
(b1)-1：液狀雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造之「JER834」，環氧當量250g/eq，重量平均分子量470)。
(b1)-2：多官能芳香族型(三聯苯型)環氧樹脂(日本化藥公司製造之「EPPN-502H」，環氧當量167g/eq，軟化點54℃，重量平均分子量1200)。
(b1)-5：二環戊二烯型環氧樹脂(ADEKA公司製造之「ADEKA RESIN EP-4088L」，環氧當量165g/eq)。
．熱硬化劑
(b2)-1聯苯型酚樹脂(明和化成公司製造之「MEH-7851-SS」，軟化點67℃)。
．硬化促進劑
(c)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造之「Curezol 2PHZ」)。
．填充材料
(d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「SC2050」)。
．偶合劑
(e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧 基矽烷(信越矽酮公司製造之「KBE-402」)。
<支持片的製造>
以下示出用於製造膜狀接著劑複合片之支持片。
支持片(1)：準備將使丙烯酸-2-乙基己酯(以下簡稱為「2EHA」)(65質量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下簡稱為「MMA」)(25質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(以下簡稱為「HEA」)(10質量份)共聚合而成之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量400000，玻璃轉移溫度-28℃)((a)-2)250質量份以及交聯劑((f)-1：BHS-8515：商品名，東洋油墨製造公司製造，甲苯二異氰酸酯系化合物)50.27質量份溶解於甲苯175.13部中之溶液，將前述溶液以塗膜的厚度成為20μm之方式塗敷於作為基材之Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET38 1031」(厚度：38μm)。將上述塗膜積層4次後將基材剝離，製成厚度80μm之支持片(1)。
支持片(2)：低密度PE(Polyethylene；聚乙烯)/PP(Polypropylene；聚丙烯)/低密度PE之兩種三層基材且總厚80μm，並且單面平滑且具有光澤，另一單面以抗黏連(blocking)為目的而經緞紋加工之複數層塑膠片。
支持片(3)：Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET38 1031」，厚度38μm)。
支持片(4)：Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET50 1031」，厚度50μm)。
支持片(5)：將由丙烯酸2-乙基己酯82份、丙烯酸3份及丙烯醯胺15份所構成之調配混合物於乙酸乙酯100份中進行溶液聚合而獲得數量平均分子量700,000之丙烯酸系共聚物聚合物。繼而，於該所得之聚合物100份中添加酯系塑化劑(大日本油墨化學工業公司製造，對苯二甲酸二辛酯)20份、三聚氰胺系交聯劑(大日本油墨化學工業公司製造，J-820-60N)0.1份及異氰酸酯交聯劑(日本聚胺基甲酸酯工業公司製造，Coronate HL)3份，以塗膜的厚度成為20μm之方式塗敷於Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET38 1031」(厚度：38μm)。將上述塗膜積層4次後，將剝離膜去除，使用與製作前述支持片(1)相同之材料而形成厚度20μm之塗膜，將該塗膜積層於先製作之80μm之塗膜兩面，製成總厚120μm之支持片(5)。
支持片(6)：準備將前述丙烯酸系樹脂((a)-2)250質量份、前述交聯劑((f)-1)50.27質量份溶解於甲苯175.13份中之溶液，將前述溶液以塗膜的厚度成為20μm之方式塗敷於作為基材之Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET38 1031」(厚度：38μm)。剝離基材而僅剩塗膜後，將該塗膜作為厚度20μm之支持片(6)。
支持片(7)：Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET75 1031」，厚度75μm)。
支持片(8)：Lintec公司製造之輕剝離片(製品名「SP-PET100 1031」，厚度100μm)。
<支持片之評價>
將上述所得之各支持片以寬度為15.0mm、長度為約150mm之長方形切出作為試片。
使用萬能試驗機(島津製作所(股)製造：Autograph AG-IS 500N)，參考JIS K7127：1999，以夾具間為100mm、拉伸速度為200mm/min而進行楊氏係數測定。
<膜狀接著劑複合片的製造>
[實施例1]
(接著劑組成物的製造)
使聚合物成分(a)-1(10.30質量份)、環氧樹脂(b1)-1(26.46質量份)、環氧樹脂(b1)-3(16.45質量份)、熱硬化劑(b2)-1(36.21質量份)、硬化促進劑(c)-1(0.22質量份)、填充材料(d)-1(9.36質量份)以及矽烷偶合劑(e)-1(1.00質量份)溶解或分散於甲基乙基酮中，於23℃攪拌，藉此獲得固形物濃度為60質量%之接著劑組成物作為接著劑組成物。
(膜狀接著劑複合片的製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面經剝離處理的剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET38 1031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗佈上述所得之接著劑組成物，於110℃進行3分鐘乾燥，藉此形成厚度為10μm之膜狀接著劑。繼而，於該膜狀接著劑之露出面貼合支持片(1)(厚度38μm)之單面，藉此獲得膜狀接著劑複合片。
[實施例2]
將實施例1所用之支持片(1)換成支持片(2)，將支持片(2)之光澤面之側貼合於膜狀接著劑之露出面，除了此方面以外，利用與實施例1相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[實施例3]
將實施例1中所用之支持片(1)換成支持片(3)，將支持片(3)之剝離處理面之側貼合於膜狀接著劑之露出面，除了此方面以外，利用與實施例1相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[實施例4]
將實施例3中所用之支持片(3)換成支持片(4)，除了此方面以外，利用與實施例3相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[比較例1]
將實施例1中所用之支持片(1)換成支持片(5)，將支持片(5)之單面貼合於膜狀接著劑之露出面，除了此方面以外，利用與實施例1相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[比較例2]
將實施例1中所用之支持片(1)換成支持片(6)，將支持片(6)之單面貼合於膜狀接著劑之露出面，除了此方面以外，利用與實施例1相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[比較例3]
將實施例3中所用之支持片(3)換成支持片(7)，除了此方面以外，利用與實施例3相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
[比較例4]
將實施例3中所用之支持片(3)換成支持片(8)，除了此方面以外，利用與實施例3相同之方法而製造膜狀接著劑複合片。
<膜狀接著劑複合片之評價>
針對上述所得之各實施例及比較例之膜狀接著劑複合片，評價下述項目。
(利用銷之上頂之拾取適性之評價)
將8吋之矽晶圓單片化為2mm×2mm、厚度50μm之晶片。繼而，使用層壓機，將膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑加熱至60℃，於前述晶片之乾式拋光面貼合該經加熱之膜狀接著劑。藉由以上操作而獲得將一片膜狀接著劑複合片貼附於多數個矽晶片之試驗用片。
繼而，針對該試驗用片，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製造之「BESTEM-D02」)，於上頂量300μm、上頂速度20mm/min、抬升等待時間1s之條件下，藉由單銷上頂方式進行27次拾取。然後，於成功地拾取26次以上之情形時判定為拾取適性良好，於除此以外之情形時判定為拾取適性不良。將結果示於表1中。
(斷裂伸長率(C)之測定)
使用層壓機將兩片膜狀接著劑(厚度20μm)於60℃加熱並貼合，再者同樣地貼合相同之膜狀接著劑，重複上述操作而製作合計厚度為200μm之將膜狀接著劑積層而成之積層體。
繼而，使用經加熱至80℃之加熱板，將所得之積層體加熱30秒鐘。繼而，使用超級切割機(荻野精機製作所製造之「PH1-600」)，將該經加熱之積層體於10秒以內裁斷，製作寬度15mm、長度100mm、厚度200μm之試片。於裁斷 時間超過10秒之情形時，暫且中止裁斷，使用經加熱至80℃之加熱板，一邊將裁斷中之前述積層體再次加熱一邊於10秒以內裁斷，製作試片。如此般將前述積層體於加熱後裁斷之原因在於：使試片之端部不產生導致斷裂之缺損部。
繼而，針對所得之試片，依據JIS K7161-1994測定斷裂伸長率。更具體而言如以下所述。
亦即，使用萬能試驗機(島津製作所製造之「Autograph AG-IS 500N」)，藉由該萬能試驗機之固定夾具將前述試片於兩處固定。此時，將固定夾具之頂端部間之距離(試片之露出部位之長度、固定部位間之距離)設為75mm。
繼而，將拉伸速度設為200mm/min，於該固定部位間拉伸試片，求出試片之斷裂伸長率作為斷裂伸長率(C)(%)。
實施例1至實施例4以及比較例1至比較例4中所用之膜狀接著劑之斷裂伸長率(C)均相同，為900%。
(斷裂強度(D)之測定)
於測定上述斷裂伸長率(C)時，測定試片斷裂(被破壞)時之拉伸應力亦即拉伸破壞應力，將該測定值作為斷裂強度(D)(MPa)。
實施例1至實施例4以及比較例1至比較例4中所用之膜狀接著劑之斷裂強度(D)均相同，為0.5MPa。
(膜狀接著劑與半導體晶片之接著力(E)之測定)
將膜狀接著劑複合片裁斷成24mm×300mm之大小，將膜狀接著劑加熱至60℃，對該膜狀接著劑貼附賽璐玢膠帶(Nichiban公司製造之「Cellotape(註冊商標)No.405」，寬度24mm)之黏著面。繼而，使基材從膜狀接著劑剝離，將露出之膜狀接著劑加熱至60℃，保持該狀態而貼附於6吋之矽晶圓(厚度350μm)之乾式拋光面，藉此獲得依序積層有賽璐玢膠帶、膜狀接著劑及矽晶圓之積層體作為試片。
將所得之積層體立即於23℃、相對濕度50%之環境下(JIS Z0237 2009所規定之標準環境下)放置30分鐘後，進行所謂180°剝離，亦即，以膜狀接著劑及矽晶圓之互相接觸之面彼此成180°之角度之方式，以剝離速度150mm/min從矽晶圓分離將膜狀接著劑及賽璐玢膠帶積層而成之積層片，測定此時之剝離力，將該測定值作為膜狀接著劑與半導體晶片之接著力E(N/24mm)。
實施例1至實施例4以及比較例1至比較例4中所用之膜狀接著劑與半導體晶片之接著力(E)均相同，為10N/24mm。
另外，若根據這些測定結果來求E/(C×D)，則為0.022(N/24mm/(%．MPa))。
由上述結果表明，實施例1至實施例4之膜狀接著劑複合片係支持片的楊氏係數(A)(MPa)及支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)處於4MPa．mm至150MPa．mm之範圍，對於貼附有這些片之膜狀接著劑之矽晶片而言，藉由單銷上頂方式，即便不另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟，亦可一邊抑制步驟異常之產生一邊將膜狀接著劑切斷。再者，可一邊抑制步驟異常之產生，一邊將貼附有切斷後之膜狀接著劑之矽晶片從支持片分離。如此，實施例1至實施例4之膜狀接著劑複合片於單銷上頂方式中顯示出良好之拾取適性。
相對於此，比較例1至比較例4之膜狀接著劑複合片係支持片的楊氏係數(A)(MPa)及支持片的厚度(B)(mm)之積(A×B)小於4MPa．mm或超過150MPa．mm，不滿足前述範圍。而且，貼附有這些片之膜狀接著劑之矽晶片於從膜狀接著劑之切斷至附有膜狀接著劑之矽晶片從支持片分離為止的期間中，步驟異常之產生次數多，拾取適性不良。
(產業可利用性)
本發明可用於製造半導體裝置，故而於產業上極為有用。
1、7‧‧‧膜狀接著劑複合片
9‧‧‧半導體晶片
9b‧‧‧半導體晶片之背面
11、71‧‧‧支持片
11a‧‧‧支持片之表面
11b‧‧‧支持片之背面
12、72‧‧‧膜狀接著劑
81‧‧‧上頂部
82‧‧‧拉升部
811‧‧‧突起
Claims (8)
- 一種膜狀接著劑複合片，係於支持片上設置有硬化性的膜狀接著劑；前述支持片具有基材；前述硬化性膜狀接著劑的厚度為1μm至60μm；前述支持片的楊氏係數及前述支持片的厚度之積為4MPa．mm至150MPa．mm。
- 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片的楊氏係數及前述支持片的厚度之積為13.6MPa．mm至112.5MPa．mm。
- 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂伸長率成為1%至2000%。
- 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述膜狀接著劑具有以下特性：於將硬化前之前述膜狀接著劑積層而製成合計厚度成為200μm之積層體時，前述積層體之斷裂伸長率成為900%至2000%。
- 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片的楊氏係數為50MPa至5000MPa。
- 如請求項3所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片的楊氏係數為50MPa至5000MPa。
- 如請求項4所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片的楊氏係數為50MPa至5000MPa。
- 一種半導體裝置的製造方法，係使用如請求項1至7中任一項所記載之膜狀接著劑複合片，並且包含有：將前述膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑而貼附於經分割之複數個半導體晶片；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中之前述支持片，從與設置有前述膜狀接著劑之側為相反之側隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施力，藉此將前述膜狀接著劑切斷；以及將前述半導體晶片及貼附於前述半導體晶片之切斷後之前述膜狀接著劑從前述支持片分離。
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