JPWO2020004210A1 - 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

本実施形態の半導体チップの製造方法においては、半導体ウエハの裏面側から半導体ウエハにレーザー光を照射することで、半導体ウエハの内部のうち、半導体ウエハの回路形成面から２１５μｍの深さまでの第１領域中に、第１改質層を形成し、前記裏面側から半導体ウエハにレーザー光を照射することで、半導体ウエハの内部のうち、前記裏面から２１５μｍの深さまでの第２領域中で、かつ、第１改質層よりも前記裏面側の箇所に、第２改質層を形成し、半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、この研削に伴って半導体ウエハに加えられる力によって、第１改質層及び第２改質層の部位において、半導体ウエハを分割し、半導体チップを得る。

Description

本発明は、半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
本願は、２０１８年６月２９日に、日本に出願された特願２０１８−１２４１５８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体ウエハを分割して半導体チップを製造するときには、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハを切断する、所謂ブレードダイシングが汎用されている。
一方、ブレードダイシング以外の、半導体ウエハの分割方法としては、例えば、レーザー光の照射を利用する以下の方法が知られている（特許文献１〜２参照）。

この方法では、まず、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するようにレーザー光を照射して、半導体ウエハの内部に改質層を形成する。この改質層は、外部から力を加えられることにより、半導体ウエハの内部において、半導体ウエハの両面方向に亀裂を発生させるため、半導体ウエハの分割（切断）の起点となる。次いで、半導体ウエハに力を加えて、前記改質層の部位において半導体ウエハを分割し、半導体チップを得る。半導体ウエハは、通常、その回路形成面とは反対側の面（裏面）を研削して薄くするが、このときの研削に伴って半導体ウエハに加えられる力を利用して、半導体ウエハを分割することがある。このような改質層の形成を伴う半導体ウエハの分割方法は、ステルスダイシング（登録商標）と呼ばれており、半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、照射部位の半導体ウエハを削り取りながら、半導体ウエハをその表面から切断していくレーザーダイシングとは、本質的に全く異なる。

このような、改質層の形成を伴う半導体チップの製造方法は、上述のブレードダイシングやレーザーダイシングを利用する方法とは異なり、半導体ウエハの削り取りを伴わないため、より多くの半導体チップを得られる点で有利である。

日本国特許第４４０２７０８号公報 日本国特開２０１６−７６５２２号公報

しかし、特許文献１〜２に記載の方法をはじめ、改質層の形成を伴う従来の半導体チップの製造方法は、サイズが小さい半導体チップの製造には適さないという問題点があった。このような製造方法では、通常、半導体ウエハを効率的に分割するために、半導体ウエハの内部のうち、裏面側ではなく回路形成面側の領域に、回路形成面に沿って、ライン状に改質層を形成する。

図１は、このような改質層を形成した半導体ウエハを模式的に示す斜視図である。ここに示す半導体ウエハ９は、その内部のうち、回路形成面９ａ側の領域に、ライン状の改質層９１が形成されている。改質層９１は、半導体ウエハ９の回路形成面９ａに対して、平行であるか、又はほぼ平行であり、回路形成面９ａに沿って形成されている。なお、ここでは、便宜上、改質層９１を模式的に１本の線状で示しているが、実際には、半導体ウエハ９の厚さ方向において、広がりを有する。また、ここでは、同方向に伸びる改質層９１を６本示すにとどまっているが、通常、改質層の本数はこれよりも多く、さらに、図示する方向に直交する方向にも多数形成される。換言すると、図１は、目的とする本数の改質層の形成が完了せずに、途中の段階にある状態を示している。一方、半導体ウエハ９の内部のうち、裏面９ｂ側の領域には、改質層が形成されない。

改質層９１中には、実際には、改質層９１以外の部位とは異なり、微細な亀裂が存在する。そのため、改質層９１は、この亀裂の分だけ、改質層９１以外の部位よりも膨らんで体積が僅かながら増大しており、密度は低下している。したがって、改質層９１の形成後、半導体ウエハ９の内部のうち、改質層９１が存在する回路形成面９ａ側の領域は、改質層９１が存在しない裏面９ｂ側の領域よりも体積が増大しており、この体積増大の影響は、改質層のラインの本数が多いほど大きくなる。この場合、半導体ウエハ９の厚さ方向において、半導体ウエハ９の体積に、無視できない程度の差が生じてしまう。サイズが小さい半導体チップを得るためには、半導体ウエハに形成する改質層のラインの本数が増大するため、まさにこのような状態となってしまう。すると、半導体ウエハは、回路形成面９ａを凸面として（換言すると、裏面９ｂを凹面として）反ってしまう。このような反りは、一辺の長さが２ｍｍ以下である半導体チップを製造しようとする場合に、特に発生し易い。
図２は、このような、改質層の形成により、反りが生じた状態の半導体ウエハを模式的に示す拡大断面図である。

このように半導体ウエハが反ってしまうと、工程上の不具合が発生してしまう。例えば、反りが生じた半導体ウエハは、搬送が困難になってしまう。また、上述のとおり、改質層を形成後の半導体ウエハの裏面を研削するときには、この半導体ウエハを専用のテーブルに密着させ、このテーブルに吸着させて固定するが、反りが生じた半導体ウエハは、テーブルと密着させることができず、テーブルに固定できないため、その裏面を研削できない。

本発明は、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときであっても、半導体ウエハの反りの発生を抑制できる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、半導体ウエハの裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記半導体ウエハの回路形成面から２１５μｍの深さまでの第１領域中に、第１改質層を形成する第１改質工程と、前記裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記裏面から２１５μｍの深さまでの第２領域中で、かつ、前記第１改質層よりも前記裏面側の箇所に、第２改質層を形成する第２改質工程と、前記第１改質工程及び第２改質工程を行った後に、前記半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、この研削に伴って前記半導体ウエハに加えられる力によって、前記第１改質層及び第２改質層の部位において、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを得る分割工程と、を有する、半導体チップの製造方法を提供する。

本発明の半導体チップの製造方法においては、前記第１改質工程及び第２改質工程を行うときの前記半導体ウエハの厚さに対して、前記半導体チップの最も短い一辺の長さを同等以上としてもよい。
また、本発明は、前記半導体チップの製造方法により、複数個の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を得た後、支持シートと、前記支持シート上に形成されたフィルム状接着剤と、を備えたダイボンディングシートを用い、前記ダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップ群における半導体チップの研削後の前記裏面に貼付することにより、前記半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製する積層工程と、前記積層物に対して、その支持シート側から力を加えることにより、前記積層物中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップに沿って切断し、切断後の前記フィルム状接着剤を裏面に備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する、半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の半導体チップの製造方法を適用することで、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときであっても、半導体ウエハの反りの発生を抑制できる。

改質層を形成した従来の半導体ウエハを模式的に示す斜視図である。 改質層の形成により反りが生じた状態の、従来の半導体ウエハを模式的に示す拡大断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造方法における、第１改質工程及び第２改質工程を、模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。 図３に対応する斜視図である。 図４に対応する斜視図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造方法における、第１改質工程及び第２改質工程を、模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体チップの製造方法における、第１改質工程及び第２改質工程を、模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体チップの製造方法における、第１改質工程及び第２改質工程を、模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法における、積層工程及びピックアップ工程を模式的に説明するための拡大断面図である。

＜＜半導体チップの製造方法＞＞
本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法は、半導体ウエハの裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記半導体ウエハの回路形成面から２１５μｍの深さまでの第１領域中に、第１改質層を形成する第１改質工程と、前記裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記裏面から２１５μｍの深さまでの第２領域中で、かつ、前記第１改質層よりも前記裏面側の箇所に、第２改質層を形成する第２改質工程と、前記第１改質工程及び第２改質工程を行った後に、前記半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、この研削に伴って前記半導体ウエハに加えられる力によって、前記第１改質層及び第２改質層の部位において、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを得る分割工程と、を有する。

本実施形態の半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造する（換言すると、ステルスダイシング（登録商標）を適用する）ときであっても、半導体ウエハの内部に前記第１改質層及び第２改質層を形成することで、半導体ウエハの反りの発生を抑制できる。したがって、半導体チップへ分割する前の、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハは、容易に搬送可能であり、また、その裏面を研削するときには、専用のテーブルに密着させ、確実に固定できるので、その裏面の研削も可能である。
なお、本実施形態の製造方法は、サイズが小さい半導体チップだけでなく、サイズが中程度又は大きい半導体チップの製造にも適用できる。

第１改質層及び第２改質層等の改質層の形成を伴う半導体チップの製造方法は、上述のブレードダイシングやレーザーダイシングを利用する方法とは異なり、半導体ウエハの削り取りを伴わないため、より多くの半導体チップを得られる点で有利である。
また、ブレードダイシングでは、半導体ウエハとダイシングブレードとの接触箇所に水（「切削水」と称することがある）を流しながらダイシングを行うため、特にサイズが小さい半導体チップの製造時には、半導体チップの水との接触時間が長くなり、半導体チップの特性に悪影響を与えることがある。これに対して、上述の改質層の形成を伴う半導体チップの製造方法は、このような不具合を抑制できる点で有利である。

本実施形態の製造方法において、目的とする半導体チップの一辺の長さは、２ｍｍ以下であることが好ましく、例えば、１．５ｍｍ以下、及び０．９ｍｍ以下のいずれかであってもよい。一辺の長さが前記上限値以下である、サイズが小さい半導体チップを、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して製造するときには、半導体ウエハの反りを抑制する効果がより高くなる。

本実施形態の製造方法において、目的とする半導体チップの一辺の長さの下限値は、特に限定されない。半導体チップの製造がより容易であるという点においては、前記長さは、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。

ただし、本実施形態においては、後述する第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハの厚さに対して、半導体チップの最も短い一辺の長さを、同等以上とする（［半導体チップの最も短い一辺の長さ］≧［第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハの厚さ］とする）ことが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときであっても、半導体ウエハの反りを抑制する効果がより高くなる。

本明細書において、「半導体チップの最も短い一辺」とは、半導体チップの外周を構成している複数の辺のうち、長さが最短のものを意味する。例えば、平面形状が正方形である半導体チップのように、半導体チップの外周を構成している、長さが最短の辺が、複数存在する場合には、「半導体チップの最も短い一辺」とは、これら最短の辺を意味する。

以下、図面を参照しながら、本実施形態の半導体チップの製造方法について、工程ごとに詳しく説明する。なお、本明細書中の説明で用いる図は、すべて、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。

＜第１実施形態＞
図３は、本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造方法における、前記第１改質工程及び第２改質工程を模式的に説明するための拡大断面図であり、図５は対応する斜視図である。
なお、図４以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

［第１実施形態における第１改質工程］
第１実施形態における前記第１改質工程では、図３（ａ）及び図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ８の裏面（すなわち、回路形成面８ａとは反対側の面）８ｂ側から半導体ウエハ８にレーザー光Ｒ_１を照射することにより、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから２１５μｍの深さまでの第１領域８０ａ中に、第１改質層８１を形成する。
図３中、符号Ｄ_１は、第１領域８０ａの深さを示しており、本実施形態においては、２１５μｍ（Ｄ_１＝２１５μｍ）である。第１領域８０ａは、半導体ウエハ８の内部のうち、回路形成面８ａと、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、回路形成面８ａからＤ_１の距離だけ離れた箇所と、の間にある領域である。

第１改質工程を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８は、特に限定されないが、７２５〜７７５μｍであることが好ましい。このような厚さＴ_８の半導体ウエハ８は、取り扱い性と剛直性に、より優れる。

第１改質工程に供する半導体ウエハ８は、その厚さを調節するための研削を行ったもの、及び行っていないもの、のいずれであってもよい。なかでも、研削を行っていない半導体ウエハ８は、その破損の原因となり得る研削痕を有していないため、より取り扱い性に優れており、好ましい。

さらに、第１実施形態においては、第１改質工程と、後述する第２改質工程と、を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８は、目的とする半導体チップの最も短い一辺の長さに対して、同等以下であることが好ましい。このよう条件を満たすことで、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときであっても、半導体ウエハの反りを抑制する効果がより高くなる。

第１実施形態において、半導体ウエハ８は、その回路形成面８ａに保護膜７が設けられていることが好ましい。保護膜７は、回路形成面８ａを被覆して、これを保護するとともに、後述する分割工程後においては、複数個の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を保持するための膜である。保護膜７は公知のものでよく、その例としては、バックグラインドテープとして知られているものが挙げられる。

第１改質工程において、第１改質層８１は、後述する分割工程において、目的とするサイズの半導体チップが得られるように、第１領域８０ａ中、回路形成面８ａに沿ってライン状に形成する。ライン状の第１改質層８１は、回路形成面８ａに対して、平行又はほぼ平行となる。図５においては、第１改質層８１を模式的に１本の線状で示している。

ライン状の第１改質層８１を形成するときには、まず、第１領域８０ａ中の起点となる箇所、より具体的には、半導体ウエハ８の周縁部近傍の箇所、に設定された焦点に集束するように、半導体ウエハ８の裏面８ｂ側からレーザー光Ｒ_１を照射する。これにより、まず局所的に第１改質層８１が形成される。さらに、図５中の矢印Ｍ_１の方向に、レーザー光Ｒ_１の照射位置をずらしながら、この操作を繰り返し行うことで、最終的にライン状の第１改質層８１が形成される。

半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１の広がり幅（換言すると、第１改質層８１の高さ）は、特に限定されないが、１０〜５０μｍであることが好ましく、２０〜４０μｍであることがより好ましい。前記広がり幅は、例えば、レーザー光Ｒ_１の照射条件により調節できる。

第１実施形態においては、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１の形成位置は、特に断りのない限り、同方向における、第１改質層８１の中央の位置で表すものとする。

第１実施形態においては、半導体ウエハ８の内部の第１領域８０ａ中に、１本のライン状の第１改質層８１の少なくとも一部が存在するように、第１改質層８１を形成すればよいが、１本のライン状の第１改質層８１のすべてが存在するように、第１改質層８１を形成することが好ましい。

第１実施形態においては、上述のとおり、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから２１５μｍの深さまでの位置に、第１改質層８１を形成する。第１改質層８１の形成位置が、このような条件を満たし、かつ、後述する第２改質層８２の形成位置も後述する条件を満たすことにより、上述の半導体ウエハの反りの抑制効果が得られるとともに、後述する分割工程において、半導体ウエハを良好に分割できる。このような効果がより顕著に得られる点では、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから、好ましくは１９５μｍ、より好ましくは１７５μｍ、さらに好ましくは１５５μｍ、の深さまでの位置に、第１改質層８１を形成してもよい。

一方、第１実施形態においては、半導体ウエハ８の内部のうち、第１改質層８１を形成する位置の、回路形成面８ａからの深さの最小値は、特に限定されず、例えば、目的とする半導体チップの厚さ等を考慮して、適宜選択すればよい。
汎用される半導体チップの厚さ等を考慮すると、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから、好ましくは６５μｍ、より好ましくは７０μｍ、の深さよりも深い位置に、第１改質層８１を形成してもよい。

第１実施形態においては、第１改質層８１の形成位置は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、第１改質層８１の形成位置は、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから、好ましくは６５〜２１５μｍ、より好ましくは６５〜１９５μｍ、さらに好ましくは６５〜１７５μｍ、特に好ましくは６５〜１５５μｍ、の深さの領域中のいずれかの位置であってよい。ただし、これらは、第１改質層８１の形成位置の一例である。

ライン状の第１改質層８１は、直線状及び非直線状のいずれであってもよく、目的とする半導体チップの形状を考慮して適宜選択すればよいが、通常は直線状であることが好ましい。

ライン状の第１改質層８１は、見かけ上、連続した実線状とすることが可能であるが、レーザー光Ｒ_１の照射条件によっては、非連続の（換言すると間欠的な）点線状となることがある。第１実施形態において、ライン状の第１改質層８１は、全体形状がライン状でさえあれば、これら実線状及び点線状のいずれであってもよい。

レーザー光Ｒ_１の波長は、１０５０ｎｍ以上であれば、特に限定されず、実用性を考慮すると、１０５０〜１５００ｎｍであることが好ましく、例えば、１３４２ｎｍであってもよい。レーザー光Ｒ_１は、その波長が１０５０ｎｍ以上であれば、半導体ウエハの材料であるシリコンに吸収されず、第１改質層８１の形成に適している。

［第１実施形態における第２改質工程］
ライン状の第１改質層８１を形成した後、第１実施形態における前記第２改質工程では、図３（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、前記裏面８ｂ側から半導体ウエハ８にレーザー光Ｒ_２を照射することにより、半導体ウエハ８の内部のうち、裏面８ｂから２１５μｍの深さまでの第２領域８０ｂ中で、かつ、第１改質層８１りも前記裏面８ｂ側の箇所に、第２改質層８２を形成する。
図３中、符号Ｄ_２は、第２領域８０ｂの深さを示しており、第１実施形態においては、２１５μｍ（Ｄ_２＝２１５μｍ）である。第２領域８０ｂは、半導体ウエハ８の内部のうち、裏面８ｂと、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、裏面８ｂからＤ_２の距離だけ離れた箇所と、の間にある領域である。

第２改質層８２は、半導体ウエハ８中での形成箇所が異なる点以外は、第１改質層８１の場合と同じ方法で形成できる。
より具体的には、第２改質工程において、第２改質層８２は、後述する分割工程において、目的とするサイズの半導体チップが得られるように、第２領域８０ｂ中、裏面８ｂに沿ってライン状に形成する。ライン状の第２改質層８２は、裏面８ｂに対して、平行又はほぼ平行となる。図５においては、第２改質層８２を模式的に１本の線状で示している。

ライン状の第２改質層８２を形成するときにも、まず、第２領域８０ｂ中の起点となる箇所、より具体的には、半導体ウエハ８の周縁部近傍の箇所、に設定された焦点に集束するように、半導体ウエハ８の裏面８ｂ側からレーザー光Ｒ_２を照射する。これにより、まず局所的に第２改質層８２が形成される。さらに、図５中の矢印Ｍ_２の方向に、レーザー光Ｒ_２の照射位置をずらしながら、この操作を繰り返し行うことで、最終的にライン状の第２改質層８２が形成される。

半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８２の広がり幅（換言すると、第２改質層８２の高さ）は、特に限定されず、上述の第１改質層８１の広がり幅と同様の数値範囲であってよい。第２改質層８２の前記広がり幅は、第１改質層８１の前記広がり幅の場合と同様の方法で調節できる。

第１実施形態においては、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８２の形成位置は、特に断りのない限り、同方向における、第２改質層８２の中央の位置で表すものとする。

第１実施形態においては、半導体ウエハ８の内部の第２領域８０ｂ中に、１本のライン状の第２改質層８２の少なくとも一部が存在するように、第２改質層８２を形成すればよいが、１本のライン状の第２改質層８２のすべてが存在するように、第２改質層８２を形成することが好ましい。

第１実施形態においては、上述のとおり、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の裏面８ｂから２１５μｍの深さまでの位置に、第２改質層８２を形成する。第２改質層８２の形成位置が、このような条件を満たし、かつ、第１改質層８１の形成位置も上述の条件を満たすことにより、上述の半導体ウエハの反りの抑制効果が得られるとともに、後述する分割工程において、半導体ウエハを良好に分割できる。このような効果がより顕著に得られる点では、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の裏面８ｂから、好ましくは１９５μｍ、より好ましくは１７５μｍ、さらに好ましくは１５５μｍ、の深さまでの位置に、第２改質層８２を形成してもよい。

一方、第１実施形態においては、半導体ウエハ８の内部のうち、第２改質層８２を形成する位置の、裏面８ｂからの深さの最小値は、特に限定されず、例えば、目的とする半導体チップの厚さ等を考慮して、適宜選択すればよい。
汎用される半導体チップの厚さ等を考慮すると、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の裏面８ｂから、好ましくは６５μｍ、より好ましくは７０μｍ、の深さよりも深い位置に、第２改質層８２を形成してもよい。

第１実施形態においては、第２改質層８２の形成位置は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、第２改質層８２の形成位置は、半導体ウエハ８の裏面８ｂから、好ましくは６５〜２１５μｍ、より好ましくは６５〜１９５μｍ、さらに好ましくは６５〜１７５μｍ、特に好ましくは６５〜１５５μｍ、の深さの領域中のいずれかの位置であってよい。ただし、これらは、第２改質層８２の形成位置の一例である。

ライン状の第２改質層８２の形状は、上述のライン状の第１改質層８１の形状と同様であってよい。

レーザー光Ｒ_２の波長は、レーザー光Ｒ_１の場合と同様の理由で、レーザー光Ｒ_１の波長と同様である。そして、レーザー光Ｒ_２の波長は、レーザー光Ｒ_１の波長と一致させることが好ましい。

第１改質層８１と第２改質層８２との間の距離Δ_１２は、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されないが、２７５〜６１５μｍであることが好ましく、４０５〜６０５μｍであることがより好ましい。前記Δ_１２がこのような範囲であることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなる。
前記Δ_１２は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１の上端と、第２改質層８２の下端と、の間の距離を意味する。

ライン状の第２改質層８２は、ライン状の第１改質層８１に対して、平行であることが好ましい。換言すると、図５中の矢印Ｍ_２の方向は、矢印Ｍ_１の方向と平行であることが好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

なお、上記の様に、２つの方向が平行である場合、本実施形態においては、ライン状の第２改質層８２を形成する方向は、ライン状の第１改質層８１を形成する方向（すなわち、矢印Ｍ_１の方向）と同じであってもよいし、逆であってもよい。ただし、後述するように、レーザー光Ｒ_２の光源が、レーザー光Ｒ_１の光源を兼ねる場合には、図２に示すように、前記方向は逆（すなわち、矢印Ｍ_２の方向）であることが好ましい。この場合、ライン状の第１改質層８１を形成後、光源を元の位置に戻すことなく、直ちに第２改質工程を行うことができ、第１改質工程及び第２改質工程に要する時間を短縮できる。

第２改質工程では、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、第１改質層８１の直上に、第２改質層８２を形成することが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。
本明細書において、「半導体ウエハの厚さ方向において、第１改質層の直上に、第２改質層を形成する」とは、「半導体ウエハの厚さ方向においては、第２改質層の位置が第１改質層の位置よりも半導体ウエハの裏面側であり、かつ、半導体ウエハの表面に対して平行な方向（換言すると、半導体ウエハの厚さ方向に対して直交する方向）においては、第２改質層の位置と第１改質層の位置とが同じとなるように、第２改質層を形成する」ことを意味する。

ライン状の第２改質層８２の長手方向の長さは、ライン状の第１改質層８１の長手方向の長さの９０〜１１０％であることが好ましく、１００％である（換言すると、ライン状の第１改質層８１の長手方向の長さと同じである）ことがより好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な方向において、ライン状の第２改質層８２の一方の端部の位置は、ライン状の第１改質層８１の一方の端部の位置と、一致していてもよいし、一致していなくてもよいが、一致していることが好ましい。これらの位置が一致していることにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。ライン状の第２改質層８２の他方の端部の位置と、ライン状の第１改質層８１の他方の端部の位置と、の関係も、上述の一方の端部の場合と同様である。

第１実施形態においては、上述のように、レーザー光Ｒ_１の光源から遠い第１改質層８１を形成してから、レーザー光Ｒ_２の光源に近い第２改質層８２を形成することで、工程異常を伴うことなく、第１改質層８１及び第２改質層８２を形成できる。第２改質層８２を形成した後では、この第２改質層８２がレーザー光Ｒ_１の透過を妨げるため、第１改質層８１を形成することは困難である。

レーザー光Ｒ_２の光源としては、レーザー光Ｒ_１の光源を用いてもよい（レーザー光Ｒ_２の光源は、レーザー光Ｒ_１の光源を兼ねてもよい）。

第１実施形態においては、このように、前記断面中、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ及び裏面８ｂを結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数は、ともに１である。本明細書において、「半導体ウエハ８の回路形成面８ａ及び裏面８ｂを結ぶ方向」は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向と一致していてもよいし、一致していなくてもよい。そして、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数が、ともに１であることが好ましい。

第１実施形態においては、このように、ライン状の第１改質層８１及び第２改質層８２の形成を、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な一方向において、位置をずらしながら、半導体ウエハ８の全域に渡って繰り返し行う（すなわち、第１改質工程及び第２改質工程を繰り返し行う）ことにより、図３（ｃ）及び図５（ｃ）に示すように、ライン状の第１改質層８１及び第２改質層８２を、それぞれ複数本形成する。
このように繰り返し形成するライン状の第１改質層８１及び第２改質層８２は、いずれも、これまでに説明したライン状の第１改質層８１及び第２改質層８２の場合と同じ方法で形成すればよい。
なお、図５（ｃ）では、便宜上、ライン状の第１改質層８１及び第２改質層８２を、それぞれ６本ずつ示すにとどまっているが、これら改質層は、作製する半導体チップのサイズを考慮して、これらよりも多い本数を形成する。

このとき、すべてのライン状の第１改質層８１は、互いに平行となるように形成することが好ましい。同様に、すべてのライン状の第２改質層８２は、互いに平行となるように形成することが好ましい。

第１実施形態においては、このように、半導体ウエハ８の回路形成面８ａに沿って、第１領域８０ａ中に多数のライン状の第１改質層８１を形成し、半導体ウエハ８の裏面８ｂに沿って、第２領域８０ｂ中に多数のライン状の第２改質層８２を形成する。その結果、第１領域８０ａ中に、多数（複数本）のライン状の第１改質層８１が配置された層を１層有し、第２領域８０ｂ中に、多数（複数本）のライン状の第２改質層８２が配置された層を１層有する半導体ウエハ８が得られる。

第１実施形態においては、さらに、図３（ｄ）及び図５（ｄ）に示すように、上述の第１改質層８１と交差するライン状の第１改質層８３を別途、上述の第１改質層８１の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成し、上述の第２改質層８２と交差するライン状の第２改質層８４を別途、上述の第２改質層８２の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成する。このとき、第１改質層８１及び第２改質層８２を形成する場合と同様に、第１改質層８３を形成してから、第２改質層８４を形成する。

なお、図５（ｄ）では、便宜上、ライン状の第１改質層８３及び第２改質層８４を、それぞれ６本ずつ示すにとどまっているが、これら改質層は、作製する半導体チップのサイズを考慮して、これらよりも多い本数を形成する。
また、図３（ｄ）では、半導体ウエハ８の断面に、第１改質層８３及び第２改質層８４が共に重なっている場合を示しているが、半導体ウエハ８の断面の位置によっては、この断面に、第１改質層８３及び第２改質層８４が重ならないこともある。

ライン状の第１改質層８３と、ライン状の第１改質層８１と、の交差角度は、目的とする半導体チップの形状に応じて適宜調節すればよい。ライン状の第１改質層８３と、ライン状の第１改質層８１と、がいずれも直線状である場合、これらの交差角度は、通常は、９０°である（すなわち、ライン状の第１改質層８３と、ライン状の第１改質層８１と、は直交している）ことが好ましい。
ライン状の第２改質層８４と、ライン状の第２改質層８２と、の交差角度も、上記と同様に設定できる。
なお、２本の直線状のラインが交差するときの、これらラインの「交差角度」には、０°より大きく、かつ１８０°未満の２つの角度が存在するが、これらの角度が互いに異なる場合、本明細書において「交差角度」とは、これらのうち小さい方の角度を意味する。

半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８３の広がり幅（換言すると、第１改質層８３の高さ）は、特に限定されず、上述の第１改質層８１の広がり幅と同様の数値範囲であってよく、第１改質層８１の広がり幅と同程度の値であることが好ましい。本明細書において、比較対象の２つの値が「同程度の値である」とは、「同じ値であるか、又は、同じ値ではなく、小さな誤差があるものの、それによる影響が無視し得る程度に軽微である」ことを意味する。
第１改質層８３の前記広がり幅は、第１改質層８１の前記広がり幅の場合と同様の方法で調節できる。

第２改質層８４の場合も同様である。
すなわち、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８４の広がり幅（換言すると、第２改質層８４の高さ）は、特に限定されず、上述の第２改質層８２の広がり幅と同様の数値範囲であってよく、第２改質層８２の広がり幅と同程度の値であることが好ましい。
第２改質層８２の前記広がり幅は、第１改質層８１の前記広がり幅の場合と同様の方法で調節できる。

ライン状の第１改質層８１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４同士の間隔とは、いずれも、目的とする半導体チップのサイズに応じて適宜調節すればよい。なお、本明細書において、「ライン状の第１改質層８１同士の間隔」とは、「隣り合うライン状の第１改質層８１の、それぞれの端部間の最短距離」を意味し、これは、例えば、「ライン状の第１改質層８３同士の間隔」など、同種の改質層同士の間隔の場合も、同様である。
ただし、第１実施形態においては、先に説明したとおり、第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８に対して、半導体チップの最も短い一辺の長さが同等以上となるように、これら改質層同士の間隔を設定することが好ましい。

以上により、第１領域８０ａ中に、複数本のライン状の第１改質層８１と、複数本のライン状の第１改質層８３とにより、網目が形成され、同様に、第２領域８０ｂ中に、複数本のライン状の第２改質層８２と、複数本のライン状の第２改質層８４とにより、網目が形成されている半導体ウエハ８が得られる。

［第１実施形態における分割工程］
図４は、本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図であり、図６は対応する斜視図である。
前記分割工程においては、図４（ａ）及び図６（ａ）に示すように、前記第１改質工程及び第２改質工程を行った後に、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削する。
図４（ａ）中及び図６（ａ）中の半導体ウエハ８の裏面８ｂは、研削手段６による研削時の面である。また、図４（ａ）中の矢印Ｇは、研削時の研削手段６の動きを示す。ここでは、半導体ウエハ８の裏面８ｂ上で、研削手段６が前記裏面８ｂに沿って円を描くように動くことによって、前記裏面８ｂが研削される様子を示している。なお、研削手段６は断面表示していない。

そして、この研削時に同時に、この研削に伴って半導体ウエハ８に加えられる力によって、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４の部位において、半導体ウエハ８を分割する。このとき、半導体ウエハ８に加えられる力は、半導体ウエハ８の裏面８ｂから回路形成面８ａへと向かう方向の力である。図４中、符号８９は、このように力を加えられることによって、半導体ウエハ８中で、その裏面８ｂと回路形成面８ａとを結ぶ方向において形成された亀裂を示す。これら亀裂８９は、後述する半導体チップ（半導体チップ８’）を形作る。ここでは、より具体的には、亀裂８９は、第１改質層８１及び第２改質層８２を貫いて形成され、第１改質層８３及び第２改質層８４を貫いて形成（図示略）されている。なお、図６（ａ）においては、図を見易くするため、これら亀裂の図示を省略している。

このように、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、半導体ウエハ８の研削面、すなわち研削時の裏面８ｂの位置が、研削前の半導体ウエハ８中の第１改質層８１及び第１改質層８３の位置よりも、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ側に到達するまで研削を続けることにより、最終的には、図４（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４をすべて研削によって消失させて、複数個の半導体チップ８’を得る。
なお、図６（ｂ）では、便宜上、半導体チップ８’を１個のみ明示しているが、本工程で得られる半導体チップ８’は複数（多数）個である。

図４（ｂ）及び図６（ｂ）中、符号Ｓ_８’は、半導体チップ８’の一辺の長さを示す。
ここでは、半導体チップ８’として、その平面形状が正方形であり、その４つの辺の長さ（Ｓ_８’）がすべて同じであり、Ｓ_８’が半導体チップ８’の最も短い一辺の長さでもある場合について示している。なお、本実施形態において、半導体チップの辺の長さは、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

分割工程において、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削する方法は、研削手段６として、グラインダを用いる公知の方法でよい。

本実施形態においては、分割工程前の半導体ウエハ８の回路形成面８ａに保護膜７を設けておくことにより、分割工程によって、複数個の半導体チップ８’がすべて、保護膜７上で整列している状態の半導体チップ群８Ａ’が得られる。これらすべての半導体チップ８’は、その回路形成面８ａ’が保護膜７によって保護されているとともに、保護膜７によって安定して保持されている。図４（ｂ）及び図６（ｂ）中、符号８ｂ’は、半導体チップ８’の裏面（すなわち、回路形成面８ａ’とは反対側の面）を示す。

図４（ａ）においては、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、半導体ウエハ８の研削面（研削時の裏面）８ｂの位置が、研削によって、第２改質層８２及び第２改質層８４の位置に到達していない段階（換言すると、第２改質層８２及び第２改質層８４が研削によって消失していない段階）で、亀裂８９が形成されている状態を示している。ただし、このような亀裂８９の状態は一例である。第１実施形態での分割工程において、亀裂８９が形成される時期は、例えば、半導体ウエハ８の研削面（裏面）８ｂの前記位置が、研削によって、第２改質層８２及び第２改質層８４の位置に重なっている段階（換言すると、第２改質層８２及び第２改質層８４が研削によって消失中の段階）であってもよいし、研削によって、第２改質層８２及び第２改質層８４の位置を通過し、第１改質層８１及び第１改質層８３の位置に到達していない段階（換言すると、第２改質層８２及び第２改質層８４が研削によって消失済みで、かつ、第１改質層８１及び第１改質層８３が研削によって消失していない段階）であってもよい。

また、図４（ａ）においては、この断面におけるすべての亀裂８９が一様に形成されている状態を示している。ただし、このような亀裂８９の状態は一例であり、分割工程のいずれかの段階において、複数の亀裂８９の状態は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。例えば、複数の亀裂８９の長さは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。また、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、亀裂８９の一端の位置は、複数の亀裂８９の間で互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよく、同様に、亀裂８９の他端の位置は、複数の亀裂８９の間で互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

また、図４（ｂ）及び図６（ｂ）においては、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４をすべて研削によって消失させるまで、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削した状態を示している。この場合、得られた半導体チップ８’の内部に、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４は、すべて存在しない。ただし、このような研削面（研削時の裏面）８ｂの最終的な位置は、一例である。例えば、分割工程においては、第２改質層８２及び第２改質層８４を研削によって消失させ、かつ、第１改質層８１及び第１改質層８３を研削によって消失させずに、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削してもよい。この場合、得られた半導体チップ８’（例えば、半導体チップ８’の周縁部）には、第１改質層８１又は第１改質層８３の少なくとも一部が存在する。ただし、このように第１改質層８１又は第１改質層８３が存在する半導体チップ８’は、機械的強度が低い可能性があるため、分割工程においては、図４（ｂ）及び図６（ｂ）に示すように、第１改質層８１及び第１改質層８３を研削によって消失させるまで、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削することが好ましい。

第１実施形態の分割工程では、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４のいずれかの一部において、半導体ウエハ８が分割されていなくても（亀裂８９が形成されていなくても）よい。その理由は、これら改質層の一部で半導体ウエハ８が分割されていなくても、後述するピックアップ工程において、該当部位が確実に分割（切断）されるためである。ただし、目的とする半導体チップをより確実に製造するためには、分割工程で、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２及び第２改質層８４のすべての部位において、半導体ウエハ８を分割することが好ましい。このように、これら改質層のすべての部位において半導体ウエハ８を分割するか否かは、例えば、前記裏面８ｂの研削時に半導体ウエハ８に加える力の大きさによって、調節できる。

第１実施形態の分割工程では、前記裏面８ｂの研削終了時において、半導体チップ８’が形成されていない領域が存在していてもよい（換言すると、半導体ウエハ８の分割が完結していなくてもよい）。その理由は、このように半導体ウエハ８の分割が完結していなくても、後述するピックアップ工程において、該当部位が確実に分割（切断）されるためである。ただし、目的とする半導体チップをより確実に製造するためには、分割工程で、半導体ウエハ８の分割を完結させることが好ましい。このように、半導体ウエハ８の分割を完結させるか否かは、例えば、前記裏面８ｂの研削時において、半導体ウエハ８に加える力の大きさによって、調節できる。これらの点は、後述する他の実施形態の分割工程でも同じである。

ここでは、第１実施形態として、前記断面中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数が、ともに１である場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、本実施形態の半導体チップの製造方法は、このようなものに限定されない。以下、このような他の半導体チップの製造方法について、説明する。

＜第２実施形態＞
図７は、本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造方法における、前記第１改質工程及び第２改質工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
本実施形態は、前記断面（より具体的には、半導体ウエハの回路形成面又は裏面に対して直交する方向における、半導体ウエハの断面）中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数が、ともに２である場合の、半導体チップの製造方法である。

［第２実施形態における第１改質工程］
第２実施形態における前記第１改質工程では、図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ８の裏面８ｂ側から半導体ウエハ８にレーザー光Ｒ_１を照射することにより、半導体ウエハ８の内部のうち、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから２１５μｍの深さまでの第１領域８０ａ中に、第１改質層８１１と、この第１改質層８１１よりも前記裏面８ｂ側に、さらに第１改質層８１２と、を形成する。このように、第１領域８０ａ中に複数の第１改質層を形成することにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態における第１改質工程は、第１領域８０ａ中に、１本のライン状の第１改質層（すなわち、第１改質層８１）を形成するのに代えて、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において互いに離れた位置に、２本のライン状の第１改質層（すなわち、第１改質層８１１及び第１改質層８１２）を形成する点以外は、第１実施形態における第１改質工程と同じである。

第２実施形態における第１改質工程では、第１改質層８１１及び第１改質層８１２はいずれも、後述する分割工程において、目的とするサイズの半導体チップが得られるように、第１領域８０ａ中、回路形成面８ａに沿ってライン状に形成する。ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２はいずれも、回路形成面８ａに対して、平行又はほぼ平行となる。

第２実施形態における第１改質工程では、第１改質層８１１及び第１改質層８１２はいずれも、第１領域８０ａ中での形成位置が異なり得る点以外は、第１実施形態における第１改質工程での第１改質層８１の場合と同じ方法で形成できる。

第２実施形態において、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の、第１領域８０ａ中での形成位置は、いずれも、第１実施形態における、第１改質層８１の形成位置と同様である。ただし、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の形成位置を、互いに変える。

例えば、第１実施形態においては、第１領域８０ａ中での第１改質層８１の好ましい形成位置について説明したが、第２実施形態においては、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の少なくとも一方が、このような好ましい形成位置の条件を満たすことが好ましく、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の両方が、このような好ましい形成位置の条件を満たすことがより好ましい。
一例を挙げると、第２実施形態においては、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の形成位置は、いずれも、半導体ウエハ８の回路形成面８ａから、好ましくは６５〜２１５μｍ、より好ましくは６５〜１９５μｍ、さらに好ましくは６５〜１７５μｍ、特に好ましくは６５〜１５５μｍ、の深さの領域中のいずれかの位置であってよい。

第１改質層８１１及び第１改質層８１２はいずれも、第１実施形態における第１改質層８１と、同様の形状を有する。そして、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２は、互いに同じ形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。例えば、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１１の広がり幅（換言すると、第１改質層８１１の高さ）は、第１改質層８１２の広がり幅（換言すると、第１改質層８１２の高さ）と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

第１改質層８１１と第１改質層８１２との間の距離Δ_１１は、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されないが、０〜６０μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。前記Δ_１１がこのような範囲であることで、第１改質層８１１及び第１改質層８１２をともに形成したことによる効果がより高くなる。
前記Δ_１１は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１１の上端と、第１改質層８１２の下端と、の間の距離を意味する。Δ_１１が０μｍであるのは、第１改質層８１１の上端と、第１改質層８１２の下端とが、接している場合である。

ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２は、互いに平行であることが好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態における第１改質工程では、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、第１改質層８１１の直上に第１改質層８１２を形成することが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。
本明細書において、「半導体ウエハの厚さ方向において、第１改質層の直上に第１改質層を形成する」とは、「半導体ウエハの厚さ方向においては、これら第１改質層の位置が同じではなく、かつ、半導体ウエハの表面に対して平行な方向（換言すると、半導体ウエハの厚さ方向に対して直交する方向）においては、これら第１改質層の位置が同じとなるように、一方の第１改質層の位置を考慮して、他方の第１改質層を形成する」ことを意味する。これは、後述する第２改質層の場合も同様である。

第２実施形態における第１改質工程では、第１実施形態での第１改質層８１及び第２改質層８２の場合と同様に、レーザー光Ｒ_１の光源から遠い第１改質層８１１を形成してから、レーザー光Ｒ_１の光源に近い第１改質層８１２を形成する。このようにすることで、工程異常を伴うことなく、第１改質層８１１及び第１改質層８１２を形成できる。第１改質層８１２を形成した後では、この第１改質層８１２がレーザー光Ｒ_１の透過を妨げるため、第１改質層８１１を形成することは困難である。

第１改質層８１２の形成時に用いるレーザー光Ｒ_１の光源は、第１改質層８１１の形成時に用いたレーザー光Ｒ_１の光源と、同じであってもよい（第１改質層８１１の形成時の前記光源は、第１改質層８１２の形成時の前記光源を兼ねてもよい）。

ライン状の第１改質層８１２の長手方向の長さは、ライン状の第１改質層８１１の長手方向の長さの９０〜１１０％であることが好ましく、１００％である（換言すると、ライン状の第１改質層８１１の長手方向の長さと同じである）ことがより好ましい。これにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な方向において、ライン状の第１改質層８１２の一方の端部の位置は、ライン状の第１改質層８１１の一方の端部の位置と、一致していてもよいし、一致していなくてもよいが、一致していることが好ましい。これらの位置が一致していることにより、後述する分割工程において、より高精度に半導体ウエハを分割できる。ライン状の第１改質層８１２の他方の端部の位置と、ライン状の第１改質層８１１の他方の端部の位置と、の関係も、上述の一方の端部の場合と同様である。

［第２実施形態における第２改質工程］
第２実施形態における前記第２改質工程では、図７（ｂ）に示すように、半導体ウエハ８の裏面８ｂ側から半導体ウエハ８にレーザー光Ｒ_２を照射することにより、半導体ウエハ８の内部のうち、裏面８ｂから２１５μｍの深さまでの第２領域８０ｂ中で、かつ、第１改質層８１２よりも前記裏面８ｂ側の箇所に、第２改質層８２１と、この第２改質層８２１よりも前記裏面８ｂ側に、さらに第２改質層８２２と、を形成する。このように、第２領域８０ｂ中に複数の第２改質層を形成することにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態において、第２改質層８２１及び第２改質層８２２は、いずれも、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、最も前記裏面８ｂ側に形成されている第１改質層（すなわち、第１改質層８１２）よりも、さらに前記裏面８ｂ側に形成する。

第２実施形態における第２改質工程は、第２領域８０ｂ中に、１本のライン状の第２改質層（すなわち、第２改質層８２）を形成するのに代えて、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において互いに離れた位置に、２本のライン状の第２改質層（すなわち、第２改質層８２１及び第２改質層８２２）を形成する点以外は、第１実施形態における第２改質工程と同じである。

第２改質層８２１及び第２改質層８２２は、半導体ウエハ８中での形成箇所が異なる点以外は、第１改質層８１１の場合と同じ方法で形成できる。
より具体的には、第２実施形態における第２改質工程では、第２改質層８２１及び第２改質層８２２はいずれも、後述する分割工程において、目的とするサイズの半導体チップが得られるように、第２領域８０ｂ中、裏面８ｂに沿ってライン状に形成する。ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２はいずれも、裏面８ｂに対して、平行又はほぼ平行となる。

第２実施形態における第２改質工程では、第２改質層８２１及び第２改質層８２２はいずれも、第２領域８０ｂ中での形成位置が異なり得る点以外は、第１実施形態における第２改質工程での第２改質層８２の場合と同じ方法で形成できる。

第２実施形態において、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の、第２領域８０ｂ中での形成位置は、いずれも、第１実施形態における、第２改質層８２の形成位置と同様である。ただし、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の形成位置を、互いに変える。

例えば、第１実施形態においては、第２領域８０ｂ中での第２改質層８２の好ましい形成位置について説明したが、第２実施形態においては、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の少なくとも一方が、このような好ましい形成位置の条件を満たすことが好ましく、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の両方が、このような好ましい形成位置の条件を満たすことがより好ましい。
一例を挙げると、第２実施形態においては、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の形成位置は、いずれも、半導体ウエハ８の裏面８ｂから、好ましくは６５〜２１５μｍ、より好ましくは６５〜１９５μｍ、さらに好ましくは６５〜１７５μｍ、特に好ましくは６５〜１５５μｍ、の深さの領域中のいずれかの位置であってよい。

第２改質層８２１及び第２改質層８２２はいずれも、第１実施形態における第２改質層８２と、同様の形状を有する。そして、ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２は、互いに同じ形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。例えば、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８２１の広がり幅（換言すると、第２改質層８２１の高さ）は、第２改質層８２２の広がり幅（換言すると、第２改質層８２２の高さ）と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

第２改質層８２１と第２改質層８２２との間の距離Δ_２２は、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されないが、前記Δ_１１と同様の数値範囲であることが好ましく、Δ_２２の値は、Δ_１１の値と同一であってもよいし、異なっていてもよい。前記Δ_２２がこのような数値範囲であることで、第２改質層８２１及び第２改質層８２２をともに形成したことによる効果がより高くなる。
前記Δ_２２は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８２１の上端と、第２改質層８２２の下端と、の間の距離を意味する。

ライン状の第２改質層８２１と第２改質層８２２は、互いに平行であることが好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態における第２改質工程では、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、第１改質層８１２の直上に第２改質層８２１を形成することが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

同様に、第２実施形態における第２改質工程では、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、第２改質層８２１の直上に第２改質層８２２を形成することが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態における第２改質工程では、第２実施形態における第１改質工程での第１改質層８１１及び第１改質層８１２の場合と同様に、レーザー光Ｒ_２の光源から遠い第２改質層８２１を形成してから、レーザー光Ｒ_２の光源に近い第２改質層８２２を形成する。このようにすることで、工程異常を伴うことなく、第２改質層８２１と第２改質層８２２を形成できる。第２改質層８２２を形成した後では、この第２改質層８２２がレーザー光Ｒ_２の透過を妨げるため、第２改質層８２１を形成することは困難である。

第２改質層８２２の形成時に用いるレーザー光Ｒ_２の光源は、第２改質層８２１の形成時に用いたレーザー光Ｒ_２の光源と、同じであってもよい（第２改質層８２１の形成時の前記光源は、第２改質層８２２の形成時の前記光源を兼ねてもよい）。

また、第２改質層８２１又は第２改質層８２２の形成時に用いるレーザー光Ｒ_２の光源は、第１改質層８１１又は第１改質層８１２の形成時に用いたレーザー光Ｒ_１の光源と、同じであってもよい（レーザー光Ｒ_２の光源は、レーザー光Ｒ_１の光源を兼ねてもよい）。

ライン状の第２改質層８２２の長手方向の長さは、ライン状の第２改質層８２１の長手方向の長さの９０〜１１０％であることが好ましく、１００％である（換言すると、ライン状の第２改質層８２１の長手方向の長さと同じである）ことがより好ましい。これにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な方向において、ライン状の第２改質層８２２の一方の端部の位置は、ライン状の第２改質層８２１の一方の端部の位置と、一致していてもよいし、一致していなくてもよいが、一致していることが好ましい。これらの位置が一致していることにより、後述する分割工程において、より高精度に半導体ウエハを分割できる。ライン状の第２改質層８２２の他方の端部の位置と、ライン状の第２改質層８２１の他方の端部の位置と、の関係も、上述の一方の端部の場合と同様である。

第２実施形態における、第１改質層８１２と第２改質層８２１との間の距離Δ_１２は、第１実施形態における、第１改質層８１と第２改質層８２との間の距離Δ_１２と、同じであり、その場合の奏する効果も、第１実施形態の場合と同じである。
第２実施形態における、前記Δ_１２は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１２の上端と、第２改質層８２１の下端と、の間の距離を意味する。
このように、本明細書においては、半導体ウエハの厚さ方向において、一列に形成されている第１改質層及び第２改質層の、いずれか一方又は両方が、複数存在する場合には、「第１改質層と第２改質層との間の距離Δ_１２」とは、「半導体ウエハの厚さ方向において、最も近くに存在する第１改質層と第２改質層との間の距離」を意味する。

ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２は、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２に対して、平行であることが好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第２実施形態における第２改質工程では、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、第１改質層８１１及び第１改質層８１２の直上に、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を形成することが好ましい。このようにすることで、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２の長手方向の長さはいずれも、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の長手方向の長さの９０〜１１０％であることが好ましく、１００％である（換言すると、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の長手方向の長さと同じである）ことがより好ましい。これにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な方向において、ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２の一方の端部の位置は、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の一方の端部の位置と、一致していてもよいし、一致していなくてもよいが、一致していることが好ましい。これらの位置が一致していることにより、半導体ウエハの反りの抑制効果がより高くなり、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２の他方の端部の位置と、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の他方の端部の位置と、の関係も、上述の一方の端部の場合と同様である。

第２実施形態においては、このように、前記断面中、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ及び裏面８ｂを結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数は、ともに２である。そして、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数が、ともに２であることが好ましい。

第２実施形態においては、このように、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の形成と、ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２の形成とを、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な一方向において、位置をずらしながら半導体ウエハ８の全域に渡って繰り返し行う（すなわち、第１改質工程及び第２改質工程を繰り返し行う）ことにより、図７（ｃ）に示すように、ライン状の第１改質層８１１、第１改質層８１２、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を、それぞれ複数本形成する。
このように繰り返し形成するライン状の第１改質層８１１、第１改質層８１２、第２改質層８２１及び第２改質層８２２は、いずれも、これまでに説明したライン状の第１改質層８１１、第１改質層８１２、第２改質層８２１及び第２改質層８２２の場合と同じ方法で形成すればよい。
なお、図７（ｃ）では、便宜上、ライン状の第１改質層８１１、第１改質層８１２、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を、それぞれ６本ずつ示すにとどまっているが、これら改質層は、作製する半導体チップのサイズを考慮して、これらよりも多い本数を形成する。

このとき、すべてのライン状の第１改質層８１１は、互いに平行となるように形成することが好ましい。
同様に、すべてのライン状の第１改質層８１２は、互いに平行となるように形成することが好ましい。
同様に、すべてのライン状の第２改質層８２１は、互いに平行となるように形成することが好ましい。
同様に、すべてのライン状の第２改質層８２２は、互いに平行となるように形成することが好ましい。

第２実施形態においては、このように、半導体ウエハ８の回路形成面８ａに沿って、第１領域８０ａ中に多数のライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２を形成し、半導体ウエハ８の裏面８ｂに沿って、第２領域８０ｂ中に多数のライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２を形成する。その結果、第１領域８０ａ中に、多数（複数本）のライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２が配置された層を１層有し、第２領域８０ｂ中に、多数（複数本）のライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２が配置された層を１層有する半導体ウエハ８が得られる。

第２実施形態においては、さらに、図７（ｄ）に示すように、上述の第１改質層８１１と交差するライン状の第１改質層８３１を別途、上述の第１改質層８１１の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成し、上述の第１改質層８１２と交差するライン状の第１改質層８３２を別途、上述の第１改質層８１２の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成する。さらに、上述の第２改質層８２１と交差するライン状の第２改質層８４１を別途、上述の第２改質層８２１の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成し、上述の第２改質層８２２と交差するライン状の第２改質層８４２を別途、上述の第２改質層８２２の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成する。このとき、第１改質層８１１及び第１改質層８１２を形成する場合と同様に、第１改質層８３１を形成してから第１改質層８３２を形成する。そして、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を形成する場合と同様に、第２改質層８４１を形成してから第２改質層８４２を形成する。

なお、図７（ｄ）では、半導体ウエハ８の断面に、第１改質層８３１、第１改質層８３２、第２改質層８４１及び第２改質層８４２が、すべて重なっている場合を示しているが、半導体ウエハ８の断面の位置によっては、この断面に、これら改質層が重ならないこともある。

ライン状の第１改質層８３１とライン状の第１改質層８１１との交差角度、ライン状の第１改質層８３２とライン状の第１改質層８１２との交差角度、ライン状の第２改質層８４１とライン状の第２改質層８２１との交差角度、並びにライン状の第２改質層８４２とライン状の第２改質層８２２との交差角度は、いずれも、第１実施形態での、ライン状の第１改質層８３とライン状の第１改質層８１との交差角度、と同様に設定できる。

半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８３１の広がり幅（換言すると、第１改質層８３１の高さ）は、特に限定されず、上述の第１改質層８１１の広がり幅と同様の数値範囲であってよく、第１改質層８１１の広がり幅と同程度の値であることが好ましい。
半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１２の広がり幅と、第１改質層８３２の広がり幅と、の関係も同様である。
半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８４１の広がり幅（換言すると、第２改質層８４１の高さ）は、特に限定されず、上述の第２改質層８２１の広がり幅と同様の数値範囲であってよく、第２改質層８２１の広がり幅と同程度の値であることが好ましい。
半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第２改質層８４２の広がり幅と、第２改質層８２２の広がり幅と、の関係も同様である。

ライン状の第１改質層８１１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８１２同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２１同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４１同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４２同士の間隔と、はいずれも、目的とする半導体チップのサイズに応じて適宜調節すればよい。
ただし、第２実施形態においては、先に説明したとおり、第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８に対して、半導体チップの最も短い一辺の長さが同等以上となるように、これら改質層同士の間隔を設定することが好ましい。

以上により、第１領域８０ａ中においては、複数本のライン状の第１改質層８１１と、複数本のライン状の第１改質層８３１とにより、網目が形成され、かつ、複数本のライン状の第１改質層８１２と、複数本のライン状の第１改質層８３２とにより、網目が形成されており、同様に、第２領域８０ｂ中においては、複数本のライン状の第２改質層８２１と、複数本のライン状の第２改質層８４１とにより、網目が形成され、かつ、複数本のライン状の第２改質層８２２と、複数本のライン状の第２改質層８４２とにより、網目が形成されている、半導体ウエハ８が得られる。

［第２実施形態における分割工程］
図８は、本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
第２実施形態における前記分割工程では、図８（ａ）に示すように、前記第１改質工程及び第２改質工程を行った後に、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削する。
第２実施形態における前記分割工程は、半導体ウエハ８として、第１改質層８１及び第１改質層８３に代えて、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２及び第１改質層８３２を有し、かつ、第２改質層８２及び第２改質層８４に代えて、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２を有しているもの、を用いる点以外は、第１実施形態における分割工程と同じである。
図８（ａ）中の半導体ウエハ８の裏面８ｂは、研削手段６による研削時の面である。

第２実施形態においては、この研削時に同時に、この研削に伴って半導体ウエハ８に加えられる力によって、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２、第１改質層８３２、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２の部位において、半導体ウエハ８を分割する。ここでは、亀裂８９は、第１改質層８１１、第１改質層８１２、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を貫いて形成され、第１改質層８３１、第１改質層８３２、第２改質層８４１及び第２改質層８４２を貫いて形成（図示略）されている。

このように、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、半導体ウエハ８の研削面、すなわち研削時の裏面８ｂの位置が、研削前の半導体ウエハ８中の第１改質層８１１及び第１改質層８３１の位置よりも、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ側に到達するまで研削を続けることにより、最終的には、図８（ｂ）に示すように、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２、第１改質層８３２、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２をすべて研削によって消失させて、複数個の半導体チップ８’を得る。
このような第２実施形態で得られる半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’は、上述の第１実施形態で得られる、図４（ｂ）に示す半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’と同じである。

図８（ａ）においては、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、半導体ウエハ８の研削面（研削時の裏面）８ｂの位置が、研削によって、第２改質層８２２及び第２改質層８４２の位置に到達していない段階（換言すると、第２改質層８２２及び第２改質層８４２が研削によって消失していない段階）で、亀裂８９が形成されている状態を示している。
ただし、このような亀裂８９の状態は一例である。

第２実施形態での分割工程において、亀裂８９が形成される時期は、例えば、半導体ウエハ８の研削面（裏面）８ｂの前記位置が、研削によって、第２改質層８２１及び第２改質層８４１の位置、又は、第２改質層８２２及び第２改質層８４２の位置に重なっている段階（換言すると、第２改質層８２１及び第２改質層８４１が研削によって消失中の段階、又は、第２改質層８２２及び第２改質層８４２が研削によって消失中の段階）であってもよいし、
研削によって、第２改質層８２２及び第２改質層８４２の位置を通過し、第２改質層８２１及び第２改質層８４１の位置に到達していない段階（換言すると、第２改質層８２２及び第２改質層８４２が研削によって消失済みで、かつ、第２改質層８２１及び第２改質層８４１が研削によって消失していない段階）であってもよいし、
研削によって、第２改質層８２１及び第２改質層８４１の位置を通過し、第１改質層８１２及び第１改質層８３２の位置に到達していない段階（換言すると、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２が研削によって消失済みで、かつ、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２及び第１改質層８３２が研削によって消失していない段階）であってもよいし、
研削によって、第１改質層８１２及び第１改質層８３２の位置に重なっている段階（換言すると、第１改質層８１２及び第１改質層８３２が研削によって消失中の段階）であってもよいし、
研削によって、第１改質層８１２及び第１改質層８３２の位置を通過し、第１改質層８１１及び第１改質層８３１の位置に到達していない段階（換言すると、第１改質層８１２及び第１改質層８３２が研削によって消失済みで、かつ、第１改質層８１１及び第１改質層８３１が研削によって消失していない段階）であってもよい。
第２実施形態での亀裂８９の状態は、上述の第１実施形態での亀裂８９の状態と同様である。

また、図８（ｂ）においては、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２、第１改質層８３２、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２をすべて研削によって消失させるまで、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削した状態を示している。この場合、得られた半導体チップ８’の内部に、これら改質層はすべて存在しない。ただし、このような研削面（研削時の裏面）８ｂの最終的な位置は、一例である。

例えば、第２実施形態における分割工程では、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２を研削によって消失させ、かつ、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２及び第１改質層８３２を研削によって消失させずに、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削してもよい。この場合、得られた半導体チップ８’（例えば、半導体チップ８’の周縁部）には、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２又は第１改質層８３２の少なくとも一部が存在する。
また、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２、第２改質層８４２、第１改質層８１２及び第１改質層８３２を研削によって消失させ、かつ、第１改質層８１１及び第１改質層８３１を研削によって消失させずに、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削してもよい。この場合、得られた半導体チップ８’（例えば、半導体チップ８’の周縁部）には、第１改質層８１１又は第１改質層８３１の少なくとも一部が存在する。
ただし、このようにいずれかの改質層が存在する半導体チップ８’は、機械的強度が低い可能性があるため、分割工程においては、図８（ｂ）に示すように、第１改質層８１１及び第１改質層８３１を研削によって消失させるまで、半導体ウエハ８の裏面８ｂを研削することが好ましい。

ここでは、第２実施形態として、前記断面中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層及び第２改質層の数が、ともに２である場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、これら改質層の数は、さらに異なっていてもよい。

＜第３実施形態＞
図９は、本発明の第３実施形態に係る半導体チップの製造方法における、前記第１改質工程及び第２改質工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
本実施形態は、前記断面（より具体的には、半導体ウエハの回路形成面又は裏面に対して直交する方向における、半導体ウエハの断面）中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数が２であり、かつ、ライン状の第２改質層の数が１である場合の、半導体チップの製造方法である。

［第３実施形態における第１改質工程］
第３実施形態における前記第１改質工程は、図９（ａ）に示すように、第２実施形態における第１改質工程と同じである。
このように、第１領域８０ａ中に複数の第１改質層を形成することにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

［第３実施形態における第２改質工程］
第３実施形態における前記第２改質工程は、図９（ｂ）に示すように、第２改質層８２１及び第２改質層８２２に代えて、第２改質層８２を形成する点以外は、第２実施形態における第２改質工程と同じである。
第３実施形態における第２改質工程は、例えば、第２改質層８２１及び第２改質層８２２のいずれか一方を形成せず、形成した改質層を第２改質層８２とする点以外は、第２実施形態における第２改質工程と同じ方法で行うことができる。換言すると、第３実施形態における第２改質工程は、第２改質層の形成対象である半導体ウエハ８として、第１改質層８１を有しているものに代えて、第１改質層８１１及び第１改質層８１２を有しているものを用いる点以外は、第１実施形態における第２改質工程と同じ方法で行うことができる。

第３実施形態における、第１改質層８１２と第２改質層８２との間の距離Δ_１２は、第１実施形態における、第１改質層８１と第２改質層８２との間の距離Δ_１２と、同じであり、その場合の奏する効果も、第１実施形態の場合と同じである。
第３実施形態における、前記Δ_１２は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１２の上端と、第２改質層８２の下端と、の間の距離を意味する。

第３実施形態においては、このように、前記断面中、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ及び裏面８ｂを結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数は２であり、ライン状の第２改質層の数は１である。そして、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数は２であり、ライン状の第２改質層の数は１であることが好ましい。

第３実施形態においては、このように、ライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２の形成と、ライン状の第２改質層８２の形成とを、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な一方向において、位置をずらしながら半導体ウエハ８の全域に渡って繰り返し行う（すなわち、第１改質工程及び第２改質工程を繰り返し行う）ことにより、図９（ｃ）に示すように、ライン状の第１改質層８１１、第１改質層８１２及び第２改質層８２２を、それぞれ複数本形成する。

第３実施形態においては、このように、半導体ウエハ８の回路形成面８ａに沿って、第１領域８０ａ中に多数のライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２を形成し、半導体ウエハ８の裏面８ｂに沿って、第２領域８０ｂ中に多数のライン状の第２改質層８２を形成する。その結果、第１領域８０ａ中に、多数（複数本）のライン状の第１改質層８１１及び第１改質層８１２が配置された層を１層有し、第２領域８０ｂ中に、多数（複数本）のライン状の第２改質層８２が配置された層を１層有する半導体ウエハ８が得られる。

第３実施形態においては、さらに、図９（ｄ）に示すように、上述の第１改質層８１１と交差するライン状の第１改質層８３１を別途、上述の第１改質層８１１の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成し、上述の第１改質層８１２と交差するライン状の第１改質層８３２を別途、上述の第１改質層８１２の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成する。さらに、上述の第２改質層８２と交差するライン状の第２改質層８４を別途、上述の第２改質層８２の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成する。このときは、第１改質層８３１を形成してから、第１改質層８３２を形成する。

ライン状の第１改質層８１１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８１２同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４同士の間隔と、はいずれも、目的とする半導体チップのサイズに応じて適宜調節すればよい。
ただし、第３実施形態においては、先に説明したとおり、第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８に対して、半導体チップの最も短い一辺の長さが同等以上となるように、これら改質層同士の間隔を設定することが好ましい。

以上により、第１領域８０ａ中においては、複数本のライン状の第１改質層８１１と、複数本のライン状の第１改質層８３１とにより、網目が形成され、かつ、複数本のライン状の第１改質層８１２と、複数本のライン状の第１改質層８３２とにより、網目が形成されており、同様に、第２領域８０ｂ中においては、複数本のライン状の第２改質層８２と、複数本のライン状の第２改質層８４とにより、網目が形成されている、半導体ウエハ８が得られる。

［第３実施形態における分割工程］
図１０は、本発明の第３実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
第３実施形態における分割工程は、図１０（ａ）に示すように、例えば、半導体ウエハ８として、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２に代えて、第２改質層８２及び第２改質層８４を有しているもの、を用いる点以外は、第２実施形態における分割工程と同じ方法で行うことができる。換言すると、第３実施形態における分割工程は、半導体ウエハ８として、第１改質層８１及び第１改質層８３に代えて、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２及び第１改質層８３２を有しているもの、を用いる点以外は、第１実施形態における分割工程と同じ方法で行うことができる。

第３実施形態においては、この研削時に同時に、この研削に伴って半導体ウエハ８に加えられる力によって、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２、第１改質層８３２、第２改質層８２及び第２改質層８４の部位において、半導体ウエハ８を分割する。ここでは、亀裂８９は、第１改質層８１１、第１改質層８１２及び第２改質層８２を貫いて形成され、第１改質層８３１、第１改質層８３２及び第２改質層８４を貫いて形成（図示略）されている。

このように、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、半導体ウエハ８の研削面、すなわち研削時の裏面８ｂの位置が、研削前の半導体ウエハ８中の第１改質層８１１及び第１改質層８３１の位置よりも、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ側に到達するまで研削を続けることにより、最終的には、図１０（ｂ）に示すように、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２、第１改質層８３２、第２改質層８２及び第２改質層８４をすべて研削によって消失させて、複数個の半導体チップ８’を得る。
このような第３実施形態で得られる半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’は、上述の第１実施形態で得られる、図４（ｂ）に示す半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’と同じである。

先に説明した第１実施形態及び第２実施形態の場合と同様に、第３実施形態においても、亀裂８９が形成される時期、研削面（研削時の裏面）８ｂの最終的な位置等は、目的に応じて適宜調節できる。

ここでは、第３実施形態として、前記断面中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数が２であり、かつ、ライン状の第２改質層の数が１である場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、これら改質層の数は、さらに異なっていてもよい。

＜第４実施形態＞
図１１は、本発明の第４実施形態に係る半導体チップの製造方法における、前記第１改質工程及び第２改質工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
本実施形態は、前記断面（より具体的には、半導体ウエハの回路形成面又は裏面に対して直交する方向における、半導体ウエハの断面）中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数が１であり、かつ、ライン状の第２改質層の数が２である場合の、半導体チップの製造方法である。

［第４実施形態における第１改質工程］
第４実施形態における前記第１改質工程は、図１１（ａ）に示すように、第１実施形態における第１改質工程と同じである。換言すると、第４実施形態における第１改質工程は、第１領域８０ａ中に、２本のライン状の第１改質層（すなわち、第１改質層８１１及び第１改質層８１２）を形成するのに代えて、１本のライン状の第１改質層（すなわち、第１改質層８１）を形成する点以外は、第２実施形態における第１改質工程と同じである。例えば、第４実施形態における第１改質工程は、第１改質層８１１及び第１改質層８１２のいずれか一方を形成せず、形成した改質層を第１改質層８１とする点以外は、第２実施形態における第１改質工程と同じ方法で行うことができる。

［第４実施形態における第２改質工程］
第４実施形態における前記第２改質工程では、図１１（ｂ）に示すように、第２改質層の形成対象である半導体ウエハ８として、第１改質層８１１及び第１改質層８１２を有しているものに代えて、第１改質層８１を有しているものを用いる点以外は、第２実施形態における第２改質工程と同じ方法で行うことができる。
第２改質層８２１及び第２改質層８２２はいずれも、第２実施形態の場合と同じ方法で形成できる。
このように、第２領域８０ｂ中に複数の第２改質層を形成することにより、後述する分割工程においては、より高精度に半導体ウエハを分割できる。

第４実施形態における、第１改質層８１と第２改質層８２１との間の距離Δ_１２は、第１実施形態における、第１改質層８１と第２改質層８２との間の距離Δ_１２と、同じであり、その場合の奏する効果も、第１実施形態の場合と同じである。
第４実施形態における、前記Δ_１２は、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、第１改質層８１の上端と、第２改質層８２１の下端と、の間の距離を意味する。

第４実施形態においては、このように、前記断面中、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ及び裏面８ｂを結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数は１であり、ライン状の第２改質層の数は２である。そして、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数は１であり、ライン状の第２改質層の数は２であることが好ましい。

第４実施形態においては、このように、ライン状の第１改質層８１の形成と、ライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２の形成とを、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ又は裏面８ｂに対して平行な一方向において、位置をずらしながら半導体ウエハ８の全域に渡って繰り返し行う（すなわち、第１改質工程及び第２改質工程を繰り返し行う）ことにより、図１１（ｃ）に示すように、ライン状の第１改質層８１、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を、それぞれ複数本形成する。

第４実施形態においては、このように、半導体ウエハ８の回路形成面８ａに沿って、第１領域８０ａ中に多数のライン状の第１改質層８１を形成し、半導体ウエハ８の裏面８ｂに沿って、第２領域８０ｂ中に多数のライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２を形成する。その結果、第１領域８０ａ中に、多数（複数本）のライン状の第１改質層８１が配置された層を１層有し、第２領域８０ｂ中に、多数（複数本）のライン状の第２改質層８２１及び第２改質層８２２が配置された層を１層有する半導体ウエハ８が得られる。

第４実施形態においては、さらに、図１１（ｄ）に示すように、上述の第１改質層８１と交差するライン状の第１改質層８３を別途、上述の第１改質層８１の場合と同様の方法で、第１領域８０ａ中に多数形成する。さらに、上述の第２改質層８２１と交差するライン状の第２改質層８４１を別途、上述の第２改質層８２１の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成し、上述の第２改質層８２２と交差するライン状の第２改質層８４２を別途、上述の第２改質層８２２の場合と同様の方法で、第２領域８０ｂ中に多数形成する。このときは、第２改質層８４１を形成してから、第２改質層８４２を形成する。

ライン状の第１改質層８１同士の間隔と、ライン状の第１改質層８３同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２１同士の間隔と、ライン状の第２改質層８２２同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４１同士の間隔と、ライン状の第２改質層８４２同士の間隔と、はいずれも、目的とする半導体チップのサイズに応じて適宜調節すればよい。
ただし、第４実施形態においては、先に説明したとおり、第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハ８の厚さＴ_８に対して、半導体チップの最も短い一辺の長さが同等以上となるように、これら改質層同士の間隔を設定することが好ましい。

以上により、第１領域８０ａ中においては、複数本のライン状の第１改質層８１と、複数本のライン状の第１改質層８３とにより、網目が形成されており、同様に、第２領域８０ｂ中においては、複数本のライン状の第２改質層８２１と、複数本のライン状の第２改質層８４１とにより、網目が形成され、かつ、複数本のライン状の第２改質層８２２と、複数本のライン状の第２改質層８４２とにより、網目が形成されている、半導体ウエハ８が得られる。

［第４実施形態における分割工程］
図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体チップの製造方法における分割工程を模式的に説明するための拡大断面図である。
第４実施形態における分割工程は、図１２（ａ）に示すように、例えば、半導体ウエハ８として、第１改質層８１１、第１改質層８３１、第１改質層８１２及び第１改質層８３２を有しているものに代えて、第１改質層８１及び第１改質層８３を有しているもの、を用いる点以外は、第２実施形態における分割工程と同じ方法で行うことができる。換言すると、第４実施形態における分割工程は、第２改質層８２及び第２改質層８４を有しているものに代えて、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２を有しているもの、を用いる点以外は、第１実施形態における分割工程と同じ方法で行うことができる。

第４実施形態においては、この研削時に同時に、この研削に伴って半導体ウエハ８に加えられる力によって、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２の部位において、半導体ウエハ８を分割する。ここでは、亀裂８９は、第１改質層８１、第２改質層８２１及び第２改質層８２２を貫いて形成され、第１改質層８３、第２改質層８４１及び第２改質層８４２を貫いて形成（図示略）されている。

このように、半導体ウエハ８の厚さＴ_８方向における、半導体ウエハ８の研削面、すなわち研削時の裏面８ｂの位置が、研削前の半導体ウエハ８中の第１改質層８１及び第１改質層８３の位置よりも、半導体ウエハ８の回路形成面８ａ側に到達するまで研削を続けることにより、最終的には、図１２（ｂ）に示すように、第１改質層８１、第１改質層８３、第２改質層８２１、第２改質層８４１、第２改質層８２２及び第２改質層８４２をすべて研削によって消失させて、複数個の半導体チップ８’を得る。
このような第４実施形態で得られる半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’は、上述の第１実施形態で得られる、図４（ｂ）に示す半導体チップ８’及び半導体チップ群８Ａ’と同じである。

先に説明した第１実施形態及び第２実施形態の場合と同様に、第４実施形態においても、亀裂８９が形成される時期、研削面（研削時の裏面）８ｂの最終的な位置等は、目的に応じて適宜調節できる。

ここでは、第４実施形態として、前記断面中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数が１であり、かつ、ライン状の第２改質層の数が２である場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、これら改質層の数は、さらに異なっていてもよい。

本実施形態の半導体チップの製造方法は、上述の第１〜第４実施形態に限定されない。例えば、本実施形態の半導体チップの製造方法は、本発明の効果を損なわない範囲内において、第１〜第４実施形態における一部の構成が変更又は削除されたものや、第１〜第４実施形態に、さらに他の構成が追加されたものであってもよい。

例えば、第１〜第４実施形態においては、半導体ウエハとして、その内部の第１領域と、第２領域と、が互いに離間しているものを用いているが、前記製造方法においては、第１領域の一部と、第２領域の一部と、が重複している半導体ウエハを用いてもよい。第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハの厚さによっては、このように、半導体ウエハの内部に、第１領域であり、かつ第２領域でもある領域が存在し得るが、前記製造方法においては、このような場合であっても、半導体ウエハ中の第１改質層よりも裏面側の箇所に、第２改質層を形成すればよい。

また、第１〜第４実施形態においては、前記断面中、半導体ウエハの回路形成面及び裏面を結ぶ方向において、一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数が１又は２であり、かつ、ライン状の第２改質層の数が１又は２である場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、このように一列に形成されている、ライン状の第１改質層の数及びライン状の第２改質層の数は、いずれも３以上であってもよい。ただし、前記半導体チップの製造方法がより簡略化され、かつ、十分に本発明の効果が得られる点では、これら改質層の数は、いずれも１又は２であることが好ましい。

本実施形態においては、ここまでに説明した第１改質工程、第２改質工程及び分割工程を行うことにより、先の説明のとおり、複数個の前記半導体チップが整列している状態の半導体チップ群が得られる。本実施形態においては、前記半導体チップ群から目的とする半導体チップが得られる。

＜＜半導体装置の製造方法＞＞
上述の半導体チップの製造方法により、半導体チップ群を得た後、この半導体チップ群を用いて、半導体装置を製造できる。
すなわち、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体チップの製造方法により、複数個の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を得た後、支持シートと、前記支持シート上に形成されたフィルム状接着剤と、を備えたダイボンディングシートを用い、前記ダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップ群における半導体チップの研削後の前記裏面に貼付することにより、前記半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製する積層工程と、前記積層物に対して、その支持シート側から力を加えることにより、前記積層物中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップに沿って切断し、切断後の前記フィルム状接着剤を裏面に備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する。

図１３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法における、前記積層工程及びピックアップ工程を模式的に説明するための拡大断面図である。

［積層工程］
本実施形態における前記積層工程では、図１３（ａ）に示すように、支持シート１０と、支持シート１０上に形成されたフィルム状接着剤１３と、を備えたダイボンディングシート１０１を用いる。支持シート１０は、基材１１と、基材１１上に形成された粘着剤層１２と、を備えて構成されており、粘着剤層１２の、基材１１側とは反対側の面１２ａ上に、フィルム状接着剤１３が設けられている。すなわち、ダイボンディングシート１０１は、基材１１、粘着剤層１２及びフィルム状接着剤１３がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。

ダイボンディングシート１０１は、公知のものでよい。
フィルム状接着剤１３は、後述するように、半導体チップ８’を、基板の回路面又は別の半導体チップ上に接着固定して、ダイボンディングするために用いる。上記の製造方法により切断され、かつ熱硬化性を有するフィルム状接着剤１３（すなわち、熱硬化性を有するフィルム状接着剤１３’）は、これを備えた半導体チップ８’を用いて製造された半導体装置中において、硬化物となっている。
粘着剤層１２は、支持シート１０と、フィルム状接着剤１３と、の間の接着力を調節する。

前記積層工程では、先に説明した半導体チップの製造方法により、複数個の半導体チップ８’が整列している状態の半導体チップ群８Ａ’を得た後、ダイボンディングシート１０１を用い、ダイボンディングシート１０１中のフィルム状接着剤１３を、半導体チップ群８Ａ’における半導体チップ８’の研削後の裏面８ｂ’に貼付することにより、半導体チップ群８Ａ’と、ダイボンディングシート１０１と、の積層物８０１を作製する。
このとき通常は、１枚のダイボンディングシート１０１を、半導体チップ群８Ａ’全体に貼付する。
なお、本明細書においては、特に断りのない限り、単なる「積層物」との記載は、ここに示すような「半導体チップ群とダイボンディングシートとの積層物」を意味する。

ここでは、ダイボンディングシートとして、基材１１、粘着剤層１２及びフィルム状接着剤１３を備えたものを示しており、このようなダイボンディングシートは、ダイシングダイボンディングシートとして用いることができる。そして、本実施形態においては、他の公知のダイボンディングシート用いてもよい。
他のダイボンディングシートとしては、例えば、ダイボンディングシート１０１において、粘着剤層１２が省略されたもの；基材１１、粘着剤層１２及びフィルム状接着剤１３以外に、これらのいずれか２層の間に、さらに中間層を備えたもの等が挙げられる。

先に説明した半導体チップの製造方法において、前記分割工程まで保護膜７を用いている場合、本実施形態においては、図１３（ｂ）に示すように、半導体チップ８’から保護膜７を取り除く。
なお、本明細書においては、保護膜の有無によらず、複数個の半導体チップが整列している状態にあるものを「半導体チップ群」と称する。

［ピックアップ工程］
本実施形態における前記ピックアップ工程では、図１３（ｃ）に示すように、前記積層物８０１に対して、その支持シート１０側から力を加えることにより、積層物８０１中のフィルム状接着剤１３を、半導体チップ８’の外周８０’に沿って切断し、切断後のフィルム状接着剤１３’を裏面８ｂ’に備えた半導体チップ８’を、支持シート１０から引き離してピックアップする。
ここでは、フィルム状接着剤のうち、半導体チップ８’とともにピックアップされた部位にのみ、符号１３’を付し、残りの部位の符号は１３のままとしている。
なお、本明細書においては、このように切断後のフィルム状接着剤を裏面に備えた半導体チップを「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と略記することがある。

ピックアップ工程は、公知の方法で行うことができる。
ピックアップ工程では、例えば、半導体チップのピックアップ手段として、ピックアップ対象物に対して力を加えるための突き上げ部と、半導体チップを支持シートから引き離すための引き上げ部と、を備えたものを用いる。

ここに示すピックアップ手段は、前記突き上げ部として、１個の突起（ピン）５１を備え、前記引き上げ部として、真空コレット５２を備えている。
そして、ここでは、前記ピックアップ手段において、突起５１を突出させ、突起５１の先端部がダイボンディングシート１０１を、その基材１１側から突き上げることで、積層物８０１に対して、突起５１の突出方向Ｐ_１に力を加え、さらに、真空コレット５２を引き上げることで、吸着した半導体チップ８’をフィルム状接着剤１３’とともに、真空コレット５２の引き上げ方向Ｐ_２に支持シート１０から引き離す例を示している。このとき、突起５１の突出量（突き上げ量）、突出速度（突き上げ速度）、突出状態の保持時間（突き上げ保持時間）等の突き上げ条件、及び、真空コレット５２の引き上げ速度等の引き上げ条件は、いずれも適宜調節できる。
なお、図１３においては、積層物８０１のみ、断面表示している。

ピックアップ工程においては、フィルム状接着剤１３の切断が完了してから、この切断後のフィルム状接着剤１３’を備えた半導体チップ８’が支持シート１０から引き離されてもよいし、フィルム状接着剤１３の切断が完了する前に、この切断中のフィルム状接着剤１３を備えた半導体チップ８’が支持シート１０から引き離され、この引き離し後にフィルム状接着剤１３の切断が完了してもよく、フィルム状接着剤１３の切断の完了のタイミングと、半導体チップ８’の引き離しのタイミングと、の順序は、特に限定されない。これらタイミングの順序は、上述の突き上げ条件及び引き上げ条件等のピックアップ条件、又は、フィルム状接着剤１３の特性、を調節することにより、適宜調節できる。

ここでは、積層物８０１に力を加えるものとして、図示されている突起５１は１個であるが、本実施形態において、突起５１の数は特に限定されず、２個以上であってもよく、適宜選択すればよい。

ここでは、積層物８０１に対して力を加える方法として、突起からなる突き上げ部を突出させることにより、力を加える方法について説明したが、他の方法で力を加えてもよい。このような他の方法としては、例えば、傾斜面を有するスライダーからなる突き上げ部を用い、その前記傾斜面を支持シート１０中の基材１１の表面に接触させながら、基材１１の表面に沿って移動させることにより、力を加える方法等、他の公知の方法が挙げられる。

ここでは、前記ピックアップ工程において、積層物８０１を作製後、そのままの状態の積層物８０１に対して、支持シート１０側から力を加えることにより、積層物８０１中のフィルム状接着剤１３を切断し、この切断後のフィルム状接着剤１３’を備えた半導体チップ８’をピックアップする場合について説明した。この方法（以下、「ピックアップ方法（１）」と称することがある）は、工程数が少なく、常温下で行うことができるため、工程が簡略化されている点で有利である。また、この方法（ピックアップ方法（１））は、サイズが小さい半導体チップの製造に適しており、同様にサイズが小さい半導体チップの製造に適している、上述の第１改質工程から分割工程までの各工程に引き続いて行うのに、特に適している。

一方で、前記ピックアップ工程においては、上記のピックアップ方法（１）以外の方法を採用してもよい。例えば、積層物８０１を作製後、そのままの状態の積層物８０１に対して、支持シート１０側から力を加えるのではなく、まず、冷却した積層物８０１を、その中のダイボンディングシート１０１の表面に対して平行な方向においてエキスパンドする（引き伸ばす）。これにより、半導体チップ８’間の距離を広げるとともに、積層物８０１中のフィルム状接着剤１３を、半導体チップ８’の外周８０’に沿って切断し、切断後のフィルム状接着剤１３’を裏面８ｂ’に備えた半導体チップ８’を作製する。次いで、このエキスパンドし、フィルム状接着剤１３を切断した状態の積層物８０１のうち、半導体チップ８’が配置されていないダイボンディングシート１０１の周縁部近傍を加熱処理する。次いで、この加熱処理後の積層物８０１に対して、上記のピックアップ方法（１）の場合と同じ方法で、その支持シート１０側から力を加えることにより、切断後のフィルム状接着剤１３’を裏面８ｂ’に備えた半導体チップ８’（既に作製済みのフィルム状接着剤付き半導体チップ）を、支持シート１０から引き離してピックアップする。この方法（以下、「ピックアップ方法（２）」と称することがある）では、幅広い種類のダイボンディングシート１０１を用いることができる。その反面、この方法（ピックアップ方法（２））は、フィルム状接着剤の切断を主目的とした工程が別途必要であり、工程数が多く、積層物の冷却も必要であり、煩雑であって、サイズが小さい半導体チップの製造に最適であるとはいえない。
したがって、本実施形態においては、ピックアップ工程において、ピックアップ方法（２）ではなく、ピックアップ方法（１）を採用することが好ましい。

本実施形態の半導体装置の製造方法においては、前記ピックアップ工程により得られたフィルム状接着剤付き半導体チップを用いて、これ以降は公知の方法により、半導体装置を製造できる。
例えば、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、そのフィルム状接着剤によって基板の回路面にダイボンディングし、必要に応じて、この半導体チップにさらに半導体チップを１個以上積層して、ワイヤボンディングを行った後、得られたもの全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージを製造できる。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を製造できる。

◎ダイボンディングシート
次に、前記積層工程及びピックアップ工程において用いるのに好適な、ダイボンディングシート１０１等のダイボンディングシートについて、より詳細に説明する。

○基材
前記ダイボンディングシート中の支持シートを構成する前記基材（例えば、ダイボンディングシート１０１中の支持シート１０を構成する基材１１）は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。

前記樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。

基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

基材は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
なお、本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。

基材の厚さは、特に限定されないが、５０〜３００μｍであることが好ましく、６０〜１４０μｍであることがより好ましい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。

基材は、その上に設けられる層（例えば、粘着剤層、フィルム状接着剤等）との接着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理；コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理；等が表面に施されていてもよい。また、基材は、表面がプライマー処理されていてもよい。

基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。

○粘着剤層
前記ダイボンディングシート中の支持シートを構成する前記粘着剤層（例えば、ダイボンディングシート１０１中の支持シート１０を構成する粘着剤層１２）は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられる。

なお、本明細書において、「粘着性樹脂」には、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方が包含される。例えば、前記粘着性樹脂には、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含まれる。

粘着剤層は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、１〜６０μｍであることがより好ましく、１〜３０μｍであることが特に好ましい。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよい。すなわち、粘着剤層は、エネルギー線硬化性及び非エネルギー線硬化性のいずれであってもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤層は、その硬化前及び硬化後での物性を容易に調節できる。

本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
また、本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。

粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２５℃の温度等が挙げられる。

粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。

基材上に粘着剤層を設ける場合には、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、基材上に粘着剤層を積層すればよい。また、基材上に粘着剤層を設ける場合には、例えば、剥離フィルム上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層を形成しておき、この粘着剤層の露出面を、基材の一方の表面と貼り合わせることで、基材上に粘着剤層を積層してもよい。この場合の剥離フィルムは、ダイボンディングシートの製造過程又は使用過程のいずれかのタイミングで、取り除けばよい。

粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）」と略記することがある）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ−１）；非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）」と略記することがある）を含有する粘着剤組成物（Ｉ−２）；前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ−３）等が挙げられる。

粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、前記非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）を含有する粘着剤組成物（Ｉ−４）等が挙げられる。

［粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）］
前記粘着剤組成物（Ｉ−１）、粘着剤組成物（Ｉ−２）、粘着剤組成物（Ｉ−３）及び粘着剤組成物（Ｉ−４）（以下、これら粘着剤組成物を包括して、「粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）」と略記する）における前記粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）は、アクリル系樹脂であることが好ましい。

前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が１〜２０であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。

前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が後述する不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。

前記官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。

前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
前記他のモノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）において、前記アクリル系重合体等の前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、１〜３５質量％であることが好ましい。

粘着剤組成物（Ｉ−１）又は粘着剤組成物（Ｉ−４）が含有する粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）又は粘着剤組成物（Ｉ−４）において、粘着剤組成物（Ｉ−１）又は粘着剤組成物（Ｉ−４）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有量の割合は、５〜９９質量％であることが好ましい。

［粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）］
前記粘着剤組成物（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）における前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）は、例えば、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。

前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基と反応することで、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）と結合可能な基を有する化合物である。
前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。

前記不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−２）又は（Ｉ−３）が含有する粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

粘着剤組成物（Ｉ−２）又は（Ｉ−３）において、粘着剤組成物（Ｉ−２）又は（Ｉ−３）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量の割合は、５〜９９質量％であることが好ましい。

［エネルギー線硬化性化合物］
前記粘着剤組成物（Ｉ−１）及び（Ｉ−３）における前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。

エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレート；ポリエステル（メタ）アクリレート；ポリエーテル（メタ）アクリレート；エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合してなるオリゴマー等が挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）又は（Ｉ−３）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

前記粘着剤組成物（Ｉ−１）において、粘着剤組成物（Ｉ−１）の総質量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量の割合は、１〜９５質量％であることが好ましい。
前記粘着剤組成物（Ｉ−３）において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜３００質量部であることが好ましい。

［架橋剤］
粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）として、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ−１）又は（Ｉ−４）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
また、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）として、例えば、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）におけるものと同様の、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ−２）は、さらに架橋剤を含有していてもよい。

前記粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）及び（Ｉ−２ａ）における前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）同士又は粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）同士を架橋する。
架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤（イソシアネート基を有する架橋剤）；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤（グリシジル基を有する架橋剤）；ヘキサ［１−（２−メチル）−アジリジニル］トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）；アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）；イソシアヌレート系架橋剤（イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤）等が挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）、（Ｉ−２）又は（Ｉ−４）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

前記粘着剤組成物（Ｉ−１）又は（Ｉ−４）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部であることが好ましい。
前記粘着剤組成物（Ｉ−２）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部であることが好ましい。

［光重合開始剤］
粘着剤組成物（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）（以下、これら粘着剤組成物を包括して、「粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）」と略記する）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。

前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４−ジエチルチオキサントン；１，２−ジフェニルメタン；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン；１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン等のキノン化合物が挙げられる。
また、前記光重合開始剤としては、例えば、アミン等の光増感剤等を用いることもできる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましい。
粘着剤組成物（Ｉ−２）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましい。
粘着剤組成物（Ｉ−３）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）及び前記エネルギー線硬化性化合物の総含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましい。

［その他の添加剤］
粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填材（フィラー）、防錆剤、着色剤（顔料、染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。
なお、反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、１分子中にカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）を２個以上有するものが挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）のその他の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。

［溶媒］
粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。

前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；酢酸エチル等のエステル（カルボン酸エステル）；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；１−プロパノール、２−プロパノール等のアルコール等が挙げられる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。

○粘着剤組成物の製造方法
粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）等の粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。

○フィルム状接着剤
前記ダイボンディングシートを構成する前記フィルム状接着剤（例えば、ダイボンディングシート１０１を構成するフィルム状接着剤１３）は、熱硬化性を有するものが好ましく、感圧接着性を有するものが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有するフィルム状接着剤は、未硬化状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、フィルム状接着剤は、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。フィルム状接着剤は、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い硬化物となり、この硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。

フィルム状接着剤は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

フィルム状接着剤の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、１〜６０μｍであることがより好ましく、１〜３０μｍであることが特に好ましい。
ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

フィルム状接着剤は、その構成成分を含有する接着剤組成物を用いて形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。接着剤組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、フィルム状接着剤における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。

接着剤組成物は、先に説明した粘着剤組成物の場合と同じ方法で塗工できる。

支持シート上にフィルム状接着剤を設ける場合には、例えば、支持シート上に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、支持シート上にフィルム状接着剤を積層すればよい。また、支持シート上にフィルム状接着剤を設ける場合には、例えば、剥離フィルム上に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上にフィルム状接着剤を形成しておき、このフィルム状接着剤の露出面を、支持シートの目的とする表面と貼り合わせることで、支持シート上にフィルム状接着剤を積層してもよい。この場合の剥離フィルムは、ダイボンディングシートの製造過程又は使用過程のいずれかのタイミングで、取り除けばよい。

好ましい接着剤組成物としては、熱硬化性の接着剤組成物が挙げられる。
熱硬化性の接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有するものが挙げられる。以下、各成分について説明する。

［重合体成分（ａ）］
重合体成分（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（貼付性）を向上させるための高分子成分である。また、重合体成分（ａ）は、後述するエポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）に該当しない成分でもある。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル、ウレタン系樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、フェノキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド等が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。

重合体成分（ａ）における前記アクリル系樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。

アクリル系樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１〜１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；アクリル酸シクロアルキルエステル；（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；（メタ）アクリル酸イミド；グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。

なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語についても同様である。

アクリル系樹脂は、例えば、前記（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ−メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合してなるものでもよい。

アクリル系樹脂は、上述の水酸基以外に、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル系樹脂の水酸基をはじめとするこれら官能基は、後述する架橋剤（ｆ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（ｆ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル系樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。

アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

本実施形態においては、重合体成分（ａ）として、アクリル系樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、アクリル系樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、アクリル系樹脂と併用してもよい。
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、重合体成分（ａ）の含有量の割合）は、重合体成分（ａ）の種類によらず、２０〜７５質量％であることが好ましい。

［エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）］
エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

（エポキシ樹脂（ｂ１））
エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

（熱硬化剤（ｂ２））
熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。

熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤（ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）等が挙げられる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．１〜５００質量部であることが好ましい。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量（エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、５〜１００質量部であることが好ましい。

前記フィルム状接着剤は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
前記フィルム状接着剤が含有する他の成分としては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、架橋剤（ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。これらの中でも、好ましい前記他の成分としては、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、汎用添加剤（ｉ）が挙げられる。

［硬化促進剤（ｃ）］
硬化促進剤（ｃ）は、接着剤組成物の硬化速度を調節するための成分である。
好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩；前記イミダゾール類をゲスト化合物とする包接化合物等が挙げられる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部であることが好ましい。

［充填材（ｄ）］
フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が充填材（ｄ）を含有することにより、硬化後のフィルム状接着剤の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。

充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

充填材（ｄ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、充填材（ｄ）の含有量の割合）は、５〜８０質量％であることが好ましい。

［カップリング剤（ｅ）］
フィルム状接着剤は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有する。

カップリング剤（ｅ）は、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

カップリング剤（ｅ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３〜２０質量部であることが好ましい。

［架橋剤（ｆ）］
重合体成分（ａ）として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）を用いて架橋することにより、フィルム状接着剤の初期接着力及び凝集力を調節できる。

架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。

架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）と重合体成分（ａ）との反応によって、フィルム状接着剤に架橋構造を簡便に導入できる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

架橋剤（ｆ）を用いる場合、接着剤組成物において、架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましい。

［エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）］
フィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。

エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。

接着剤組成物が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を用いる場合、接着剤組成物において、接着剤組成物の総質量に対する、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量の割合は、１〜９５質量％であることが好ましい。

［光重合開始剤（ｈ）］
接着剤組成物は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（ｈ）を含有していてもよい。

接着剤組成物における光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、先に説明した粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）の含有成分である光重合開始剤と同じものが挙げられる。

接着剤組成物が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

光重合開始剤（ｈ）を用いる場合、接着剤組成物において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部であることが好ましい。

［汎用添加剤（ｉ）］
汎用添加剤（Ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。好ましい汎用添加剤（Ｉ）としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。

接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
接着剤組成物及びフィルム状接着剤の汎用添加剤（ｉ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。

［溶媒］
接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２−プロパノール、イソブチルアルコール（２−メチルプロパン−１−オール）、１−ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

接着剤組成物が含有する溶媒は、接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。

○接着剤組成物の製造方法
接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
接着剤組成物は、配合成分が異なる点以外は、先に説明した粘着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。

＜ピックアップ方法（１）用として好適なダイボンディングシート（１）−１＞
前記ピックアップ工程において、先に説明したピックアップ方法（１）を適用する場合に用いるのに好適な一実施形態のダイボンディングシートとしては、支持シートと、フィルム状接着剤と、の界面における剥離力が、０．０２〜０．２Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、硬化前のフィルム状接着剤を、合計の厚さが２００μｍとなるように積層して得られた試験片の破断伸度が、４５０％以下となるもの（以下、「ダイボンディングシート（１）−１」と称することがある）、が挙げられる。このような破断伸度の条件を満たすダイボンディングシート（１）−１を用いることにより、ピックアップ工程でピックアップ方法（１）を適用したとき、作製後の前記積層物（すなわち、半導体チップ群とダイボンディングシート（１）−１との積層物）に対して力を加えることにより、積層物中のフィルム状接着剤をより容易に切断できる。また、このような剥離力の条件を満たすダイボンディングシート（１）−１を用いることにより、ピックアップ工程でピックアップ方法（１）を適用したとき、切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップを、工程異常を伴うことなく、支持シートからより容易に引き離すことができ、フィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップが、より容易となる。
このような剥離力及び破断伸度の条件を満たすダイボンディングシート（１）−１としては、「国際公開第２０１６／１４０２４８号」で開示されているフィルム状接着剤複合シートが挙げられる。

［硬化前のフィルム状接着剤の試験片の破断伸度］
硬化前の前記試験片の破断伸度（引張破断伸度）は、４５０％以下であり、上述の効果がより顕著に得られる点では、例えば、４４５％以下であってもよい。
一方、硬化前の前記試験片の破断伸度の下限値は、特に限定されない。ただし、ダイボンディングシート（１）−１をより安定して取り扱うことができる点では、前記破断伸度は５０％以上であることが好ましく、例えば、１００％以上であってもよい。

硬化前の前記試験片の破断伸度は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記破断伸度は、５０〜４５０％であることが好ましく、１００〜４４５％であってもよい。

本明細書において、「破断伸度がＸ％である（式中、Ｘは正の数である）」とは、後述する測定方法において、前記試験片を引っ張り、試験片がその引張方向において元の長さ（換言すると、引っ張っていないときの長さ）のＸ％の長さだけ伸びたとき、すなわち、試験片の引張方向における全体の長さが、引っ張る前の長さの［１＋Ｘ／１００］倍となったときに、試験片が破断することを意味する。

本明細書において、フィルム状接着剤又はこれを積層して得られた積層体全般の破断伸度は、上述の試験片の破断伸度を含めて、ＪＩＳ Ｋ７１６１−１９９４（ＩＳＯ ５２７−１）又はＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９（ＩＳＯ ５２７−３）に準拠して求めたものである。測定対象物（試験片）が降伏点を有しない場合には引張破壊ひずみを測定し、降伏点を有する場合には引張破壊時呼びひずみを測定して、これら測定値を用いて、破断伸度を求める。

前記試験片の破断伸度、換言すると、前記フィルム状接着剤の破断伸度は、フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量を調節することで、適宜調節できる。例えば、フィルム状接着剤の含有成分である前記重合体成分（ａ）の分子量又は含有量；エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を構成する成分の構造、軟化点又は含有量；充填材（ｄ）の含有量等を調節することで、試験片の破断伸度を調節できる。ただし、これらは、試験片の破断伸度の調節方法の一例に過ぎない。

前記試験片は、フィルム状接着剤から作製された、厚さが２００μｍのものであればよく、例えば、試験片を作製するために積層する複数枚のフィルム状接着剤の厚さは、特に限定されない。ただし、前記ピックアップ工程で使用するダイボンディングシート（１）−１中に含まれるフィルム状接着剤と同じ厚さのフィルム状接着剤を用いて、前記試験片を作製することが好ましい。

前記フィルム状接着剤は、その厚さが厚いほど破断伸度が大きくなるので、厚さが２００μｍ未満のフィルム状接着剤の試験片の破断伸度が４５０％以下であれば、同じ組成で厚さが２００μｍのフィルム状接着剤の試験片の破断伸度も、当然に４５０％以下となる。

前記破断伸度は、例えば、試験片として、幅が１５ｍｍであり、長さが１００ｍｍであり、厚さが２００μｍであるものを、固定箇所間の距離が７５ｍｍとなるように二ヵ所で固定し、引張速度を２００ｍｍ／ｍｉｎとして、この固定箇所間において前記試験片を引っ張り、試験片が破断したときの試験片の伸びを測定することで、求められる。

［支持シートとフィルム状接着剤との界面における剥離力］
前記支持シートと前記フィルム状接着剤との界面における剥離力は、０．０２〜０．２Ｎ／２５ｍｍであり、０．０２〜０．１５Ｎ／２５ｍｍであることが好ましく、０．０２〜０．１Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましい。前記剥離力が前記下限値以上であることで、前記ピックアップ工程において、半導体チップをフィルム状接着剤（より具体的には、切断後のフィルム状接着剤）と共に支持シートから引き離すときに、フィルム状接着剤は、引き離す対象の目的とする半導体チップが備えているものだけでなく、この半導体チップに隣り合うものなど、目的外の半導体チップが備えているものも、同時に支持シートから剥離する現象が抑制される。また、前記剥離力が前記上限値以下であることで、半導体チップをフィルム状接着剤と共に支持シートから引き離すときに、目的とする半導体チップが備えているフィルム状接着剤が、支持シートから確実に剥離する。このように確実に剥離するため、例えば、前記積層物（例えば、積層物８０１等）に対して力を加えるときに、その条件を厳しくする（例えば、力を加える前記突き上げ部の突き上げ速度を速くする）など、ピックアップ時の条件の変更が不要であり、このような変更を行った場合に見られる、半導体チップの割れ等の発生が抑制される。

前記剥離力は、例えば、前記フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量；前記支持シートのフィルム状接着剤を設ける面を構成する材料；前記支持シートのフィルム状接着剤を設ける面の状態（表面状態）等を調節することで、適宜調節できる。ただし、これらは、前記剥離力の調節方法の一例に過ぎない。
なお、フィルム状接着剤は、前記破断伸度が大きい場合に、前記剥離力も大きくなり、前記破断伸度が小さい場合に、前記剥離力も小さくなる傾向にある。

支持シートの前記表面状態は、例えば、基材の他の層との密着性を向上させるものとして先に挙げた表面処理、すなわち、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理；コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理；プライマー処理等を施すことで、調節できる。

前記剥離力は、以下の方法で求められる。
すなわち、幅が２５ｍｍで長さが任意のダイボンディングシート（１）−１を、そのフィルム状接着剤により被着体へ貼付した状態とし、被着体へ貼付されているフィルム状接着剤から支持シートを剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで剥離させるときに、フィルム状接着剤及び支持シートの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、支持シートをその長さ方向（ダイボンディングシート（１）−１の長さ方向）へ剥離させた（１８０°剥離を行った）ときに加えていた力（剥離力）を測定する。そして、この測定値を前記剥離力とする。測定に供するダイボンディングシート（１）−１の長さは、測定する力を安定して検出できる範囲であれば、特に限定されないが、２００〜３００ｍｍであることが好ましい。前記剥離力は、温度２５℃、相対湿度５０％の条件下で測定できる。また、測定に際しては、ダイボンディングシート（１）−１を被着体へ貼付した状態とし、これを温度２５℃、相対湿度５０％の条件下で３０分静置して、ダイボンディングシート（１）−１の貼付状態を安定化させておくことが好ましい。

フィルム状接着剤の厚さは、先に説明したとおりであるが、ダイボンディングシート（１）−１においては、例えば、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは３〜２５μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍであってもよい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることにより、被着体（半導体チップ）に対するフィルム状接着剤の接着力が、より高くなる。フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることにより、前記ピックアップ工程において、より容易にフィルム状接着剤を切断できる。

＜ピックアップ方法（１）用として好適なダイボンディングシート（１）−２＞
前記ピックアップ工程において、先に説明したピックアップ方法（１）を適用する場合に用いるのに好適な一実施形態のダイボンディングシートとしては、基材を有する支持シート上に、厚さ１〜５０μｍの硬化性のフィルム状接着剤が設けられており、硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力を接着力Ｋ（Ｎ／２４ｍｍ）とし、硬化前の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが２００μｍとなるように積層した試験片の破断伸度を破断伸度Ｌ（％）とし、前記試験片の破断強度を破断強度Ｑ（ＭＰａ）としたとき、式（Ｅ１）：
Ｋ／（Ｌ×Ｑ）≧０．０００５ （Ｅ１）
の関係を満たすもの（以下、「ダイボンディングシート（１）−２」と称することがある）、も挙げられる。このような式（Ｅ１）の関係を満たすダイボンディングシート（１）−２を用いることにより、ピックアップ工程でピックアップ方法（１）を適用したとき、作製後の前記積層物（すなわち、半導体チップ群とダイボンディングシート（１）−２との積層物）に対して力を加えることにより、積層物中のフィルム状接着剤をより容易に切断できる。さらに、ピックアップ工程でピックアップ方法（１）を適用したとき、切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップを、工程異常を伴うことなく、支持シートからより容易に引き離すことができ、フィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップが、より容易となる。
このような剥離力及び破断伸度の条件を満たすダイボンディングシート（１）−２としては、「国際公開第２０１７／１４５９７９号」で開示されているフィルム状接着剤複合シートが挙げられる。

［硬化前のフィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力Ｋ］
硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力Ｋ（Ｎ／２４ｍｍ）は、以下の方法で求められる。
すなわち、幅が２４ｍｍで長さが任意の、フィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを作製する。この積層シートは、粘着テープの粘着面にフィルム状接着剤が積層されたものとし、粘着テープとしては、例えば、ニチバン社製「セロテープ（登録商標）Ｎｏ．４０５」の、幅が２４ｍｍであるものを用いることができる。次いで、６０℃に加熱したフィルム状接着剤によって、この積層シートを半導体ウエハへ貼付して、粘着テープ、フィルム状接着剤及び半導体ウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層され、構成された積層体を作製する。この積層体を、作製後直ちに、ＪＩＳ Ｚ０２３７ ２００９で規定されている標準環境下で３０分間放置した後、半導体ウエハからフィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを、フィルム状接着剤及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度１５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、この測定値を接着力Ｋ（Ｎ／２４ｍｍ）とする。測定に供する前記積層シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されない。

接着力Ｋは、前記式（Ｅ１）の関係を満たす限り特に限定されないが、０．３Ｎ／２４ｍｍ以上であることが好ましく、０．４Ｎ／２４ｍｍ以上であることがより好ましい。また、接着力Ｋは、例えば、１５Ｎ／２４ｍｍ以下、１１Ｎ／２４ｍｍ以下、及び７Ｎ／２４ｍｍ以下のいずれかであってもよい。

接着力Ｋは、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、接着力Ｋは、０．３〜１５Ｎ／２４ｍｍであることが好ましく、０．３〜１１Ｎ／２４ｍｍであることがより好ましく、０．４〜７Ｎ／２４ｍｍであることがさらに好ましい。
また、一実施形態において、接着力Ｋは、０．４５Ｎ／２４ｍｍ以上、１０Ｎ／２４ｍｍ未満であってもよく、０．４５Ｎ／２４ｍｍ以上、５．８Ｎ／２４ｍｍ以下であってもよい。

フィルム状接着剤の前記接着力Ｋは、フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量、フィルム状接着剤の厚さ、前記支持シートのフィルム状接着剤を設ける面を構成する材料、この面の状態（表面状態）等を調節することで、適宜調節できる。
例えば、フィルム状接着剤の含有成分である前記カップリング剤（ｅ）の種類又は量を調節することで、接着力Ｋを調節できる。
また、例えば、支持シートの前記表面状態は、先に説明したダイボンディングシート（１）−１の場合と同じ方法で調節できる。
ただし、これらは、接着力Ｋの調節方法の一例に過ぎない。

［硬化前のフィルム状接着剤の試験片の破断伸度Ｌ］
ダイボンディングシート（１）−２における前記破断伸度Ｌは、上述のダイボンディングシート（１）−１における試験片の破断伸度と同じである。

破断伸度Ｌ（％）は、前記式（Ｅ１）の関係を満たす限り特に限定されない。
例えば、一実施形態において、破断伸度Ｌは、１２００％以下であることが好ましく、３０〜１２００％であることがより好ましく、４０〜１１００％であることがさらに好ましく、４５〜１０５０％であることが特に好ましい。破断伸度Ｌが前記上限値以下であることで、前記ピックアップ工程において、フィルム状接着剤をより容易に切断できる。
また、一実施形態において、破断伸度Ｌは、９００％以下であることが好ましく、７００％以下であることがより好ましく、５００％以下であることが特に好ましく、例えば、３０〜５００％、４０〜５００％、４５〜５００％、及び５０〜４４０％等のいずれかであってもよい。破断伸度Ｌが前記上限値以下であることで、前記ピックアップ工程において、フィルム状接着剤を種々の方式でより容易に切断できる。すなわち、前記積層物に対して力を加える方法として先に説明した、最も一般的な、突起からなる突き上げ部を突出させる方法だけでなく、スライダーからなる突き上げ部を移動させる方法を採用しても、フィルム状接着剤をより容易に切断できる。

［硬化前のフィルム状接着剤の試験片の破断強度Ｑ］
破断強度Ｑ（ＭＰａ）は、破断伸度Ｌ（％）の測定時において、試験片が破断した（破壊された）ときの引張応力、すなわち引張破壊応力であり、破断伸度Ｌと同時に測定できる。

破断強度Ｑ（ＭＰａ）は、前記式（Ｅ１）の関係を満たす限り特に限定されない。
例えば、一実施形態において、破断強度Ｑは、０．４〜１７ＭＰａであることが好ましく、０．５〜１５ＭＰａであることがより好ましく、０．６〜１３ＭＰａであることが特に好ましい。
また、一実施形態において、破断強度Ｑは、０．８〜１１ＭＰａであってもよく、２．５〜１１ＭＰａであってもよい。

［Ｋ／（Ｌ×Ｑ）］
Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値は、０．０００５以上であり、０．０００６以上であることが好ましく、０．０００７以上であることがより好ましい。
一方、Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の上限値は特に限定されない。Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値は、例えば、０．０１７０以下、０．０１４０以下及び０．０１１５以下のいずれかであってもよいが、これらは、Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値一例である。

Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値は、０．０００５〜０．０１７０、０．０００６〜０．０１４０、及び０．０００７〜０．０１１５のいずれかであってもよい。
また、一実施形態において、Ｋ／（Ｌ×Ｑ）の値は、０．０００８以上０．０１２５未満、及び０．０００８〜０．０１０５のいずれかであってもよい。

前記試験片の破断伸度Ｌ及び破断強度Ｑ、換言すると、前記フィルム状接着剤の破断伸度及び破断強度は、フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量を調節することで、適宜調節できる。例えば、フィルム状接着剤の含有成分である前記重合体成分（ａ）の分子量又は含有量；エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を構成する成分の構造、軟化点又は含有量；充填材（ｄ）の含有量等を調節することで、前記破断伸度Ｌ及び破断強度Ｑを調節できる。
ただし、これらは、破断伸度Ｌ及び破断強度Ｑの調節方法の一例に過ぎない。

フィルム状接着剤の厚さは、先に説明したとおりであるが、ダイボンディングシート（１）−２においては、１〜５０μｍであり、例えば、好ましくは３〜２５μｍ、より好ましくは５〜１５μｍであってもよい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることにより、被着体（半導体チップ）に対するフィルム状接着剤の接着力が、より高くなる。フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることにより、前記ピックアップ工程において、より容易にフィルム状接着剤を切断できる。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

＜＜半導体チップの製造、半導体ウエハの評価＞＞
［実施例１］
図３〜図６を参照して説明した方法（第１実施形態）により、半導体チップを製造し、ピックアップした。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
８インチ半導体ウエハ（厚さ７２５μｍ）の回路形成面に、バックグラインドテープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ Ｅ−３１００ＴＮ」）を貼付した。

次いで、ステルスダイシング（登録商標）レーザソー（ディスコ社製「ＤＦＬ７３６１」）を用い、前記半導体ウエハの内部の第１領域中で、かつ、半導体ウエハの周縁部近傍でもある箇所に、この半導体ウエハの裏面側から、１Ｗの出力でレーザー光を照射することにより、半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、第１改質層を形成した。そして、半導体ウエハの回路形成面に対して平行な一方向において、レーザー光の照射位置をずらしながら、この局所的な第１改質層の形成を繰り返し行うことで、１本のライン状の第１改質層を形成した（第１改質工程）。半導体ウエハの厚さ方向における、第１改質層の広がり幅（換言すると、第１改質層の高さ）は、約３０μｍであった。

さらに続けて、光源を変えることなく、半導体ウエハの裏面側から、この半導体ウエハの内部の第２領域中に、１Ｗの出力でレーザー光を照射することにより、半導体ウエハの裏面から８５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置に、第２改質層を形成した。このとき、半導体ウエハ中、第１改質層よりも裏面側に、第２改質層を形成した。そして、第１改質層の形成時と同様に、半導体ウエハの回路形成面に対して平行な一方向において、レーザー光の照射位置をずらしながら、この局所的な第２改質層の形成を繰り返し行うことで、１本のライン状の第２改質層を形成した（第２改質工程）。半導体ウエハの厚さ方向における、第２改質層の広がり幅（換言すると、第２改質層の高さ）は、約３０μｍであった。
本実施例において、Δ_１２の平均値は５５５μｍであった。

このように、互いに平行なライン状の第１改質層及び第２改質層を１本ずつ形成した後、さらに、このようなライン状の第１改質層及び第２改質層の形成を多数回繰り返し行った。このとき、新たに形成するライン状の第１改質層及び第２改質層は、すでに形成済みのライン状の第１改質層及び第２改質層に対して平行となるように調節した。さらに、ここまでと同じ方法により、このような多数のライン状の第１改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第１改質層と、多数のライン状の第２改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第２改質層と、を新たに形成した（以上、第１改質工程及び第２改質工程の繰返し）。このように、半導体ウエハの全域に渡って、第１改質層及び第２改質層の形成を繰り返し行うことにより、半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、網目状に第１改質層を形成し、半導体ウエハの裏面から８５μｍの深さの位置に、網目状に第２改質層を形成した。
以上により、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、１枚ごとに、反りの大きさを測定した。より具体的には、以下のとおりである。
半導体ウエハの回路形成面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した。
次いで、この状態の半導体ウエハを横から目視観察し、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の距離を測定し、その最大値を半導体ウエハの反りの大きさとした。
この方法で、上記で得られた５枚の半導体ウエハすべてについて、反りの大きさを求め、その中の最大値を、最終的に半導体ウエハの反りの大きさとして採用した。その結果、本実施例での半導体ウエハの反りの大きさは、表１に示すように、０．５ｍｍ未満であった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、顕著に抑制されていた。
なお、これら５枚の半導体ウエハについて、上記の場合とは逆に、裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置し、それ以外は上記と同じ方法で、この状態の半導体ウエハを横から目視観察した。その結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
グラインダ（ディスコ社製「ＤＦＧ８７６０」）を用いて、上記で得られた５枚の半導体ウエハを１枚ずつ、搬送アームで吸着することにより搬送することを試みた。そして、下記評価基準に従って、半導体ウエハの搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。表１中の本項目の評価結果の欄における「５／５」との記載は、５枚の半導体ウエハを評価して、５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常を伴うことなく搬送できたことを意味する。このような本欄の記載内容は、以降の実施例及び比較例についても同様である。
（評価基準）
Ａ：５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常を伴うことなく搬送できた。
Ｂ：１〜４枚の半導体ウエハを、吸着異常を伴うことなく搬送できたが、残りの半導体ウエハを、吸着異常により搬送できなかった。
Ｃ：５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常により搬送できなかった。

［分割工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、１枚を用いて、以下に示す分割工程を行った。
すなわち、グラインダ（ディスコ社製「ＤＦＧ８７６０」）を用い、この第１改質工程及び第２改質工程完了後の半導体ウエハの裏面を研削した。このとき、粒度３６０の研磨材を用いてＺ１軸研削を行い、粒度６０００の研磨材を用いてＺ２軸研削を行い、ドライポリッシュでＺ３軸研削を行うことにより、前記裏面を研削した。そして、半導体ウエハの厚さが４０μｍとなるまで前記裏面を研削して、第１改質層及び第２改質層をすべて消失させるとともに、この研削に伴って半導体ウエハに加えられる力によって、第１改質及び第２改質層の部位において、半導体ウエハを分割した。
以上により、内部に改質層を有さず、サイズが２ｍｍ×２ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を得た。

［積層工程］
次いで、マルチウェハマウンター（リンテック社製「ＲＡＤ−２５１０ Ｆ/１２」）を用い、上記で得られた半導体チップ群中のすべての半導体チップの研削後の裏面（研削面）に、１枚のダイボンディングシート（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ ＬＤ０１Ｄ−７ Ｐ８ＡＫ」）を貼付した。このダイボンディングシートは、基材（ポリオレフィン製、厚さ８０μｍ）と、この基材上に形成されたフィルム状接着剤（厚さ７μｍ）と、を備えており、支持シートが基材のみからなるダイボンディングシートに相当する。ここでは、このダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤を、半導体チップの裏面に貼付した。これにより、前記半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
次いで、半導体チップの前記回路形成面からバックグラインドテープを取り除いた。
次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ０２」）を用い、常温下で、前記積層物を固定した後、前記積層物と、これを固定しているリングフレームと、の間に、４ｍｍの高低差を新たに発生させた。そして、この状態で、前記積層物に対して、その基材側から力を加えて突き上げることにより、前記積層物中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップの外周に沿って切断し、この切断後のフィルム状接着剤を裏面に備えた半導体チップを、前記基材から引き離してピックアップすることを試みた。このとき、突き上げ部として１個の突起（ピン）を用い、その突き上げ高さを０．３５ｍｍとし、突き上げ速度を２０ｍｍ／ｓとし、突き上げ保持時間を１秒として、前記積層物を突き上げた。

本工程を、上記の１枚の半導体ウエハにおいて、２７回連続して行った。そして、サイズが２ｍｍ×２ｍｍの目的とする半導体チップが、フィルム状接着剤付き半導体チップとしてピックアップできなかった回数（すなわち、ピックアップ不良の回数）を確認した。この回数に基づいて、下記評価基準で半導体チップのピックアップ適性を評価した。その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。
（評価基準）
Ａ：ピックアップ不良の回数が０回であった。
Ｂ：ピックアップ不良の回数が１〜３回であった。
Ｃ：ピックアップ不良の回数が４回以上であった。

［実施例２］
図７〜図８を参照して説明した方法（第２実施形態）により、半導体チップを製造し、ピックアップした。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、第１改質層を形成するのに代えて、半導体ウエハの回路形成面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置と、に第１改質層を形成した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、２本のライン状の第１改質層を形成した（第１改質工程）。
本実施例において、Δ_１１の平均値は３０μｍであった。

さらに、半導体ウエハの裏面から８５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置に、第２改質層を形成するのに代えて、半導体ウエハの裏面から７５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置と、半導体ウエハの裏面から１３５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置と、に第２改質層を形成した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、２本のライン状の第２改質層を形成した（第２改質工程）。このとき、半導体ウエハ中、第１改質層よりも裏面側に、第２改質層を形成した。
本実施例において、Δ_２２の平均値は３０μｍであり、Δ_１２の平均値は４５５μｍであった。

このように、互いに平行なライン状の第１改質層及び第２改質層を２本ずつ形成した後、さらに、このようなライン状の第１改質層及び第２改質層の形成を多数回繰り返し行った。このとき、新たに形成するライン状の第１改質層及び第２改質層は、すでに形成済みのライン状の第１改質層及び第２改質層に対して平行となるように調節した。さらに、ここまでと同じ方法により、このような多数のライン状の第１改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第１改質層と、多数のライン状の第２改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第２改質層と、を新たに形成した（以上、第１改質工程及び第２改質工程の繰返し）。このように、半導体ウエハの全域に渡って、第１改質層及び第２改質層の形成を繰り返し行うことにより、半導体ウエハの回路形成面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置とに、それぞれ網目状に第１改質層を形成し、半導体ウエハの裏面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置とに、それぞれ網目状に第２改質層を形成した。
以上により、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、０．５ｍｍ未満であった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、顕著に抑制されていた。
なお、本実施例においても、半導体ウエハの裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、１枚を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、内部に改質層を有さず、サイズが２ｍｍ×２ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を作製し（分割工程）、この半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した（積層工程）。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
上記で得られた積層物を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、サイズが２ｍｍ×２ｍｍの目的とする半導体チップを、フィルム状接着剤とともにピックアップすることを試み（ピックアップ工程）、半導体チップのピックアップ適性を評価した。
その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。

［実施例３］
図９〜図１０を参照して説明した方法（第３実施形態）により、半導体チップを製造し、ピックアップした。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、第１改質層を形成するのに代えて、半導体ウエハの回路形成面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置と、に第１改質層を形成した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、２本のライン状の第１改質層を形成した（第１改質工程）。
本実施例において、Δ_１１の平均値は３０μｍであった。

さらに、半導体ウエハの裏面から８５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置に、第２改質層を形成するのに代えて、半導体ウエハの裏面から７５μｍの深さで、かつ第１改質層の直上の位置に、第２改質層を形成した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、１本のライン状の第２改質層を形成した（第２改質工程）。このとき、半導体ウエハ中、第１改質層よりも裏面側に、第２改質層を形成した。
本実施例において、Δ_１２の平均値は５１５μｍであった。

このように、互いに平行なライン状の第１改質層を２本形成し、第２改質層を１本形成した後、さらに、このようなライン状の第１改質層及び第２改質層の形成を多数回繰り返し行った。このとき、新たに形成するライン状の第１改質層及び第２改質層は、すでに形成済みのライン状の第１改質層及び第２改質層に対して平行となるように調節した。さらに、ここまでと同じ方法により、このような多数のライン状の第１改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第１改質層と、多数のライン状の第２改質層に対して９０°の交差角度で交差する、多数のライン状の第２改質層と、を新たに形成した（以上、第１改質工程及び第２改質工程の繰返し）。ただし、ここまでで、半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離と、隣り合うライン状の第２改質層間の距離とを、いずれもすべて、実施例１の場合の１／２とした。このように、半導体ウエハの全域に渡って、第１改質層及び第２改質層の形成を繰り返し行うことにより、半導体ウエハの回路形成面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置とに、それぞれ網目状に第１改質層を形成し、半導体ウエハの裏面から７５μｍの深さの位置に、網目状に第２改質層を形成した。
以上により、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、０．５ｍｍ未満であった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、顕著に抑制されていた。
なお、本実施例においても、半導体ウエハの裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、１枚を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、内部に改質層を有さず、サイズが１ｍｍ×１ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を作製し（分割工程）、この半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した（積層工程）。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
上記で得られた積層物を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの目的とする半導体チップを、フィルム状接着剤とともにピックアップすることを試み（ピックアップ工程）、半導体チップのピックアップ適性を評価した。
その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。

［実施例４］
図７〜図８を参照して説明した方法（第２実施形態）により、半導体チップを製造し、ピックアップした。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離と、隣り合うライン状の第２改質層間の距離とを、いずれもすべて１／２とした点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
本実施例において、Δ_１１及びΔ_２２の平均値は約３０μｍであり、Δ_１２の平均値は４５５μｍであった。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、０．５ｍｍ未満であった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、顕著に抑制されていた。
なお、本実施例においても、半導体ウエハの裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、１枚を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、内部に改質層を有さず、サイズが１ｍｍ×１ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を作製し（分割工程）、この半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した（積層工程）。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
上記で得られた積層物を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの目的とする半導体チップを、フィルム状接着剤とともにピックアップすることを試み（ピックアップ工程）、半導体チップのピックアップ適性を評価した。
その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。

［実施例５］
図７〜図８を参照して説明した方法（第２実施形態）により、半導体チップを製造した。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離と、隣り合うライン状の第２改質層間の距離とを、いずれもすべて１／４とした点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
本実施例において、Δ_１１及びΔ_２２の平均値は３０μｍであり、Δ_１２の平均値は４５５μｍであった。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、１ｍｍであった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、十分に抑制されていた。
なお、本実施例においても、半導体ウエハの裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ｂ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。表１中の本項目の評価結果の欄における「２／５」との記載は、５枚の半導体ウエハを評価して、２枚の半導体ウエハを、吸着異常を伴うことなく搬送でき、３枚の半導体ウエハを吸着異常により搬送できなかったことを意味する。

［分割工程、積層工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、搬送が可能であった１枚を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、内部に改質層を有さず、サイズが０．５ｍｍ×０．５ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を作製し（分割工程）、この半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した（積層工程）。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
上記で得られた積層物を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、サイズが０．５ｍｍ×０．５ｍｍの目的とする半導体チップを、フィルム状接着剤とともにピックアップすることを試み（ピックアップ工程）、半導体チップのピックアップ適性を評価した。
その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。

［実施例６］
図７〜図８を参照して説明した方法（第２実施形態）により、半導体チップを製造した。具体的には、以下のとおりである。

［第１改質工程、第２改質工程］
半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離と、隣り合うライン状の第２改質層間の距離とを、いずれもすべて３／８とした点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。
本実施例において、Δ_１１及びΔ_２２の平均値は３０μｍであり、Δ_１２の平均値は４５５μｍであった。
このような第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、０．５ｍｍ未満であった。すなわち、本実施例での、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、顕著に抑制されていた。
なお、本実施例においても、半導体ウエハの裏面を平面に接触させて、この半導体ウエハを前記平面上に載置した結果、半導体ウエハの外周と、その直下の前記平面と、の間に隙間は認められなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程］
上記の反りの抑制効果と、搬送性と、を評価済みの５枚の半導体ウエハのうち、１枚を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、内部に改質層を有さず、サイズが０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍであり、厚さが４０μｍである多数の半導体チップが、バックグラインドテープ上で整列している状態の半導体チップ群を作製し（分割工程）、この半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製した（積層工程）。

［ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
上記で得られた積層物を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、サイズが０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍの目的とする半導体チップを、フィルム状接着剤とともにピックアップすることを試み（ピックアップ工程）、半導体チップのピックアップ適性を評価した。
その結果、表１に示すように、本実施例において、評価結果は「Ａ」であった。

［比較例１］
［第１改質工程］
半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離を１／２とした点、及び、第２改質層を形成しなかった（換言すると、第２改質工程を行わなかった）点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、第１改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。すなわち、本比較例においては、半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、網目状に第１改質層を形成したが、その他には一切、改質層を形成しなかった。
このような第１改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、１．５ｍｍであった。すなわち、本比較例での、第１改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、抑制されていなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本比較例において、評価結果は「Ｃ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程、ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
本比較例においては、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの半導体チップの製造を試みたが、表１に示すとおり、５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常により搬送できなかった。したがって、本比較例においては、以降の分割工程、積層工程及びピックアップ工程を行うことができず、半導体チップを製造できず、半導体チップのピックアップ適性を評価できなかった。

［比較例２］
［第１改質工程］
第２改質層を形成しなかった（換言すると、第２改質工程を行わなかった）点、以外は、実施例３の場合と同じ方法で、第１改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。すなわち、本比較例においては、半導体ウエハの回路形成面から７５μｍの深さの位置と、１３５μｍの深さの位置とに、それぞれ網目状に第１改質層を形成したが、その他には一切、改質層を形成しなかった。
このような第１改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、１．５ｍｍであった。すなわち、本比較例での、第１改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、抑制されていなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本比較例において、評価結果は「Ｃ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程、ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
本比較例においては、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの半導体チップの製造を試みたが、表１に示すとおり、５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常により搬送できなかった。したがって、本比較例においては、以降の分割工程、積層工程及びピックアップ工程を行うことができず、半導体チップを製造できず、半導体チップのピックアップ適性を評価できなかった。

［比較例３］
［第１改質工程］
半導体ウエハの回路形成面に対して平行な方向において、隣り合うライン状の第１改質層間の距離を３／８とした点、及び、第２改質層を形成しなかった（換言すると、第２改質工程を行わなかった）点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、第１改質層を形成済みの半導体ウエハを得た。すなわち、本比較例においては、半導体ウエハの回路形成面から８５μｍの深さの位置に、網目状に第１改質層を形成したが、その他には一切、改質層を形成しなかった。
このような第１改質層を形成済みの半導体ウエハを、合計で５枚作製した。

［半導体ウエハの反りの抑制効果の確認］
上記で得られた５枚の半導体ウエハを用い、実施例１の場合と同じ方法で、半導体ウエハの反りの大きさを確認したところ、表１に示すように、３ｍｍであった。すなわち、本比較例での、第１改質層を形成済みの半導体ウエハの反りは、抑制されていなかった。

［半導体ウエハの搬送性の評価］
上記で得られた５枚の半導体ウエハについて、実施例１の場合と同じ方法で、搬送性を評価した。その結果、本比較例において、評価結果は「Ｃ」であった。この評価結果を、搬送できた半導体ウエハの枚数とともに、表１に示す。

［分割工程、積層工程、ピックアップ工程、半導体チップのピックアップ適性の評価］
本比較例においては、サイズが０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍの半導体チップの製造を試みたが、表１に示すとおり、５枚の半導体ウエハをすべて、吸着異常により搬送できなかった。したがって、本比較例においては、以降の分割工程、積層工程及びピックアップ工程を行うことができず、半導体チップを製造できず、半導体チップのピックアップ適性を評価できなかった。

上記結果から明らかなように、実施例１〜６においては、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの反りの大きさが１ｍｍ以下であり、前記半導体ウエハの反りが抑制されていた。その結果、これら実施例においては、前記半導体ウエハの搬送性が良好であった。特に、実施例１〜４及び６では、前記半導体ウエハの反りの大きさが、０．５ｍｍ未満であり、反りの抑制効果が顕著に高く、半導体ウエハの搬送性に特に優れていた。これは、実施例１〜４及び６においては、半導体チップの最も短い一辺の長さが０．７５ｍｍ以上（０．７５〜２ｍｍ）であるのに対し、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの厚さが０．７２５ｍｍとなっており、半導体チップの最も短い一辺の長さが前記厚さよりも大きい値であるためであった。実施例５においては、半導体チップの最も短い一辺の長さが、０．５ｍｍであるのに対し、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハの厚さが０．７２５ｍｍとなっており、半導体チップの最も短い一辺の長さが前記厚さよりも小さい値となっており、この相違点により、その他の実施例の場合とは、効果の程度に差があった。

この反りの抑制効果を反映して、実施例１〜６においては、搬送が可能であった、第１改質層及び第２改質層を形成済みの半導体ウエハを、専用のテーブルに密着させ、確実に固定できたので、その裏面の研削が可能であり、分割工程を良好に行うことできた。
さらに、これら実施例においては、以降の積層工程及びピックアップ工程も良好に行うことができ、半導体チップのピックアップ適性に優れていた。

このように、実施例１〜６においては、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときであっても、半導体ウエハの反りの発生を抑制できた。その結果、フィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップまでの工程を、問題なく行うことができた。

これに対して、比較例１〜３においては、第２改質層を形成しない従来の方法であったため、改質層（換言すると、第１改質層のみ）を形成済みの半導体ウエハの反りの大きさが、１．５ｍｍ以上であり、前記半導体ウエハの反りが抑制されていなかった。その結果、これら比較例においては、前記半導体ウエハを搬送できず、以降の分割工程、積層工程及びピックアップ工程を行うことができなかった。

このように、比較例１〜３においては、半導体ウエハの内部における改質層の形成を経由して、サイズが小さい半導体チップを製造するときに、半導体ウエハの反りの発生を抑制できなかった。その結果、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造できなかった。

本発明は、半導体チップ及び半導体装置の製造に利用可能である。

８・・・半導体ウエハ、８ａ・・・半導体ウエハの回路形成面、８０ａ・・・半導体ウエハの内部の第１領域、８ｂ・・・半導体ウエハの裏面、８０ｂ・・・半導体ウエハの内部の第２領域、８１，８１１，８１２，８３，８３１，８３２・・・第１改質層、８２，８２１，８２２，８４，８４１，８４２・・・第２改質層、８’・・・半導体チップ、８０’・・・半導体チップの外周、８Ａ’・・・半導体チップ群、８０１・・・半導体チップ群とダイボンディングシートとの積層物
１０・・・支持シート、１１・・・基材、１２・・・粘着剤層、１３・・・フィルム状接着剤、１３’・・・切断後のフィルム状接着剤、１０１・・・ダイボンディングシート
Ｒ_１・・・レーザー光、Ｒ_２・・・レーザー光
Ｔ_８・・・第１改質工程及び第２改質工程を行うときの半導体ウエハの厚さ
Ｓ_８’・・・半導体チップの一辺の長さ（半導体チップの最も短い一辺の長さ）

Claims (3)

1. 半導体ウエハの裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記半導体ウエハの回路形成面から２１５μｍの深さまでの第１領域中に、第１改質層を形成する第１改質工程と、
   前記裏面側から前記半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部のうち、前記裏面から２１５μｍの深さまでの第２領域中で、かつ、前記第１改質層よりも前記裏面側の箇所に、第２改質層を形成する第２改質工程と、
   前記第１改質工程及び第２改質工程を行った後に、前記半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、この研削に伴って前記半導体ウエハに加えられる力によって、前記第１改質層及び第２改質層の部位において、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを得る分割工程と、
   を有する、半導体チップの製造方法。
2. 前記第１改質工程及び第２改質工程を行うときの前記半導体ウエハの厚さに対して、前記半導体チップの最も短い一辺の長さを同等以上とする、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の半導体チップの製造方法により、複数個の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を得た後、
   支持シートと、前記支持シート上に形成されたフィルム状接着剤と、を備えたダイボンディングシートを用い、前記ダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップ群における半導体チップの研削後の前記裏面に貼付することにより、前記半導体チップ群と、前記ダイボンディングシートと、の積層物を作製する積層工程と、
   前記積層物に対して、その支持シート側から力を加えることにより、前記積層物中の前記フィルム状接着剤を、前記半導体チップに沿って切断し、切断後の前記フィルム状接着剤を裏面に備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離してピックアップするピックアップ工程と、
   を有する、半導体装置の製造方法。

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