JP6295304B1 - ダイシングテープ一体型接着シート - Google Patents

Abstract

【課題】ステルスダイシングの際には強固に半導体ウエハを固定でき、且つ、ピックアップ時には半導体チップを容易に剥離することを可能とするダイシングシート一体型接着フィルムを提供すること。【解決手段】 基材と粘着剤層とを有するダイシングシートと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、粘着剤層は、下記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含み、接着剤層は、熱可塑性樹脂を含み、熱可塑性樹脂の含有量が、接着剤層の樹脂成分全体に対して、４０重量％〜９５重量％の範囲内であることを特徴とするダイシングシート一体型接着フィルム。アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ１（式中、Ｒ１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマー。【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングテープ一体型接着シートに関する。

従来、半導体装置の製造において、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングシート上にダイボンドフィルムを剥離可能に設けたものである。半導体装置の製造においては、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを保持して、半導体ウエハをダイシングして個々のチップとする。その後、チップをダイボンドフィルムとともにダイシングシートから剥離し、ダイボンドフィルムを介してリードフレーム等の被着体に固着させる。

ダイシングシート上にダイボンドフィルムが積層されたダイシングダイボンドフィルムを使用し、半導体ウエハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、ダイボンドフィルムを半導体ウエハと同時に切断する必要がある。

ところが、近年、半導体パッケージの小型化、薄型化が進んでおり、それに伴って半導体ウエハの極薄化が進んでいる。そのため、ダイヤモンドブレードを用いたダイシング方法では、ウエハを好適にダイシングできない場合がある。

そこで、近年、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、この半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングダイボンドフィルムを低温下（例えば、−１５℃〜５℃）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」ともいう）することにより、半導体ウエハとダイボンドフィルムを破断して、個々の半導体チップ（ダイボンドフィルム付きの半導体チップ）を得る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これは、いわゆる、ステルスダイシング（登録商標）と呼ばれる方法である。
また、近年、半導体ウエハの表面にブレードにより溝を形成（ハーフカット）し、その後、裏面研削を行い、裏面研削後の半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、ダイシングダイボンドフィルムを低温下（例えば、−１５℃〜５℃）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」ともいう）することにより、ダイボンドフィルムを破断して、個々の半導体チップ（ダイボンドフィルム付きの半導体チップ）を得る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。これは、いわゆる、「ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）法と呼ばれる方法である。

特開２００９−１６４５５６号公報 特開２００３−００７６４９号公報

しかしながら、本発明者らは、半導体ウエハが極薄型である場合、ステルスダイシングを行うと、半導体ウエハの割断と同時に個片化された半導体ウエハ（半導体チップ）が反ってしまうという問題があることに気付いた。一方で、半導体チップが反らないように強固にダイシングシートに貼り付けると、今度は、好適にピックアップできない場合があるといった問題がある。
また、本発明者らは、ＤＢＧを行う場合、半導体チップをダイシングシートに強固に貼り付けないと、クールエキスパンド時に、半導体チップが浮いてしまうという問題があることに気付いた。一方で、強固にダイシングシートに貼り付けると、今度は、好適にピックアップできない場合があるといった問題がある。

本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ステルスダイシングやＤＢＧの際には強固に半導体ウエハを固定でき、且つ、ピックアップ時には半導体チップを容易に剥離することを可能とするダイシングシート一体型接着フィルムを提供することにある。

本発明者等は、前記問題点を解決すべく、ダイシングシート一体型接着フィルムについて検討した。その結果、下記構成のダイシングシート一体型接着フィルムを採用することにより、ステルスダイシングやＤＢＧの際には強固に半導体ウエハを固定でき、且つ、ピックアップ時には半導体チップを容易に剥離することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係るダイシングシート一体型接着フィルムは、
基材と粘着剤層とを有するダイシングシートと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層と
を有し、
前記粘着剤層は、下記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含み、
前記接着剤層は、熱可塑性樹脂を含み、前記熱可塑性樹脂の含有量が、前記接着剤層の樹脂成分全体に対して、４０重量％〜９５重量％の範囲内であることを特徴とする。
アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマー。

前記構成によれば、粘着剤層が上記アクリル系ポリマーＡを含有するため、発泡剤の発泡前は、貼付対象（例えば、接着剤層付き半導体ウエハ）を強固に固定できる。また、粘着剤層が発泡剤を含むため、加熱により粘着剤層表面に凹凸が形成される。その結果、貼付対象（例えば、接着剤層付き半導体チップ）との接触面積を減少させ、粘着力を大きく低下させることができる。
つまり、前記構成によれば、粘着剤層が上記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含有するため、ステルスダイシングの際には貼付対象を強固に固定でき、且つ、ピックアップ時には加熱により粘着力を大きく低下させて、貼付対象を容易に剥離することができる。
また、前記アクリルポリマーＡは、ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマーであるため、接着剤層への糊残りが少なく、良好な剥離性が発現する。
また、前記接着剤層の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、前記粘着剤層が発泡する温度における貯蔵弾性率が低くなり過ぎないため、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。
また、前記接着剤層の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、熱可塑性樹脂以外の低分子量成分の粘着剤層への移行の影響が小さくなり、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。

前記構成において、前記粘着剤層は、７０℃〜１４０℃の加熱により発泡することが好ましい。

前記粘着剤層が、７０℃〜１４０℃の加熱により発泡する層であると、加熱による発泡により粘着力を低下させる際に、接着剤層の反応（例えば、熱硬化反応）の進行を抑えることができ、加熱による接着剤層の物性変化を最小限に止めることができる。

前記構成において、前記粘着剤層が加熱により発泡する温度を温度Ａとしたとき、前記接着剤層の硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率が、０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。

前記接着剤層の硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率が、０．１ＭＰａ以上であると、粘着剤層の発泡剤の発泡に伴って、好適に、粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を低下させることができる。また、前記貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であると、ダイボンド時のボイドの埋め込み性が良好となる。

前記構成において、前記接着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ〜３４００ＭＰａの範囲内であることが好ましい。

前記接着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であると、熱発泡後に室温に戻した際に、粘着剤層と接着剤層との接触面積の増大を防止することができ、粘着剤層と接着剤層の接触面積を有効に低下させることができる。また、前記貯蔵弾性率が３４００ＭＰａ以下であると、ダイシングシート一体型接着フィルムの可撓性が良好となり、作業性に優れる。

前記構成において、前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の２３℃における剥離力が、１Ｎ／１００ｍｍ〜５０Ｎ／１００ｍｍの範囲内であることが好ましい。

前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の２３℃における剥離力を１Ｎ／１００ｍｍ〜５０Ｎ／１００ｍｍの範囲内とすることにより、ブレードによるダイシング時のチップ飛びや研削屑の侵入を防ぐことができる。また、加熱処理後の剥離力を効率的に低めることができる。つまり、前記構成によれば、ブレードによるダイシングを行う場合にも、強固に半導体ウエハを固定でき、且つ、ピックアップ時には半導体チップを容易に剥離することが可能となる。

前記構成において、前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の−１５℃における剥離力が、１Ｎ／１００ｍｍ以上であることが好ましい。

前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の−１５℃における剥離力が、１Ｎ／１００ｍｍ以上であると、ステルスダイシングでの接着剤層の割断性が向上する。

前記構成においては、前記発泡剤が、熱膨張性微小球であることが好ましい。

前記発泡剤が、熱膨張性微小球であると、加熱により、より好適に剥離力を低下させることができる。

前記構成においては、前記熱可塑性樹脂は、アクリル樹脂であることが好ましい。

前記熱可塑性樹脂がアクリル樹脂であると、コストを抑えることができ、入手も容易である。また、信頼性にも優れる。

前記構成において、前記接着剤層は、ダイボンドフィルムであることが好ましい。

前記接着剤層をダイボンドフィルムとして用いると、好適に、半導体チップ等を被着体にダイボンドすることができる。

本発明によれば、ステルスダイシングの際には強固に半導体ウエハを固定でき、且つ、ピックアップ時には半導体チップを容易に剥離することが可能となる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、及び、（ｂ）は、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 他の実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。

以下、本発明のダイシングシート一体型接着フィルムが、ダイシングダイボンドフィルムである場合について説明する。つまり、本発明の接着剤層が、ダイボンドフィルムである場合について説明する。

（ダイシングダイボンドフィルム）
以下、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムについて、説明する。図１は、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層２上に設けられている。

なお、本実施形態では、ダイシングシート１１には、ダイボンドフィルム３に覆われていない部分２ｂが存在する場合について説明するが、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングシートに積層されていてもよい。

粘着剤層２は、下記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含み、
ダイボンドフィルム３は、熱可塑性樹脂を含み、前記熱可塑性樹脂の含有量が、ダイボンドフィルムの樹脂成分全体に対して、４０重量％〜９５重量％の範囲内である。
アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマー。

粘着剤層２が上記アクリル系ポリマーＡを含有するため、発泡剤の発泡前は、貼付対象（例えば、接着剤層付き半導体ウエハ）を強固に固定できる。また、粘着剤層２が発泡剤を含むため、加熱により粘着剤層２表面に凹凸が形成される。その結果、貼付対象（例えば、接着剤層付き半導体チップ）との接触面積を減少させ、粘着力を大きく低下させることができる。
つまり、ダイシングダイボンドフィルム１０によれば、粘着剤層２が上記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含有するため、ステルスダイシングの際には貼付対象を強固に固定でき、且つ、ピックアップ時には加熱により粘着力を大きく低下させて、貼付対象を容易に剥離することができる。
また、前記アクリルポリマーＡは、ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマーであるため、ダイボンドフィルム３への糊残りが少なく、良好な剥離性が発現する。
また、ダイボンドフィルム３の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、粘着剤層２が発泡する温度における貯蔵弾性率が低くなり過ぎないため、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。
また、ダイボンドフィルム３の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、熱可塑性樹脂以外の低分子量成分の粘着剤層への移行の影響が小さくなり、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。

粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の２３℃における剥離力は、１Ｎ／１００ｍｍ〜５０Ｎ／１００ｍｍの範囲内であることが好ましく、３Ｎ／１００ｍｍ〜４０Ｎ／１００ｍｍであることがより好ましく、５Ｎ／１００ｍｍ〜３５Ｎ／１００ｍｍであることがさらに好ましい。粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の２３℃における剥離力を上記数値範囲内とすることにより、ブレードによるダイシング時のチップ飛びや研削屑の侵入を防ぐことができる。また、加熱処理後の剥離力を効率的に低めることができる。
粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の２３℃における剥離力の測定方法は、実施例記載の方法による。

粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の−１５℃における剥離力は、１Ｎ／１００ｍｍ以上であることが好ましく、１．５Ｎ／１００ｍｍ以上であることがより好ましく、２Ｎ／１００ｍｍ以上であることがさらに好ましい。粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の−１５℃における剥離力が、上記数値範囲内であると、ステルスダイシングでのダイボンドフィルム３の割断性が向上する。
粘着剤層２が発泡する前の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の−１５℃における剥離力の測定方法は、実施例記載の方法による。

粘着剤層２を発泡させた後の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の２３℃における剥離力は、０Ｎ／１００ｍｍ〜５Ｎ／１００ｍｍの範囲内であることが好ましく、０Ｎ／１００ｍｍ〜３Ｎ／１００ｍｍであることがより好ましく、０Ｎ／１００ｍｍ〜２Ｎ／１００ｍｍであることがさらに好ましい。粘着剤層２を発泡させた後の、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２との間の２３℃における剥離力が、上記数値範囲内であると、ピックアップを良好に行うことができる。

（ダイボンドフィルム）
粘着剤層２が加熱により発泡する温度を温度Ａとしたとき、ダイボンドフィルム３の硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率は、０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内であることが好ましく、０．１ＭＰａ〜４０ＭＰａの範囲内であることがより好ましく、０．２ＭＰａ〜４０ＭＰａの範囲内であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム３の硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率が、０．１ＭＰａ以上であると、粘着剤層２の発泡剤の発泡に伴って、好適に、粘着剤層２とダイボンドフィルム３との間の剥離力を低下させることができる。また、前記貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であると、ダイボンド時のボイドの埋め込み性が良好となる。

ダイボンドフィルム３の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ〜３４００ＭＰａの範囲内であることが好ましく、１０ＭＰａ〜３０００ＭＰａの範囲内であることがより好ましく、２０ＭＰａ〜２５００ＭＰａの範囲内であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム３の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であると、熱発泡後に室温に戻した際に、粘着剤層２とダイボンドフィルム３との接触面積の増大を防止することができ、粘着剤層２とダイボンドフィルム３の接触面積を有効に低下させることができる。また、前記貯蔵弾性率が３４００ＭＰａ以下であると、ダイシングダイボンドフィルム１０の可撓性が良好となり、作業性に優れる。

ダイボンドフィルム３の層構成は、図１に示すように、単層の接着剤層からなるものが挙げられる。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層を複数積層したものを含む。
ただし、本発明におけるダイボンドフィルムは、この例に限定されない。例えば、組成の異なる２種類以上の接着剤層を積層した多層構造であってもよい。

ダイボンドフィルム３は、熱可塑性樹脂を含む。また、ダイボンドフィルム３は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

上記アクリル樹脂のなかでも、凝集力向上の理由で、アクリル共重合体が特に好ましい。上記アクリル共重合体としては、例えば、アクリル酸エチルとメチルメタクリレートとの共重合体、アクリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、アクリル酸ブチルとアクリロニトリルとの共重合体を挙げることができる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有モノマーが挙げられる。なかでも、信頼性の観点から、エポキシ基含有モノマーを用いることが好ましい。

上述した通り、熱可塑性樹脂の含有量は、ダイボンドフィルムの樹脂成分全体に対して、４０重量％〜９５重量％の範囲内である。前記含有率は、４０重量％〜９３重量％の範囲内であることが好ましく、４２重量％〜９３重量％の範囲内であることがより好ましい。
また、熱可塑性樹脂の含有量は、ダイボンドフィルム全体に対して、３０重量％〜９０重量％の範囲内であることが好ましく、３５重量％〜８８重量％の範囲内であることがより好ましく、４０重量％〜８６重量％の範囲内であることがさらに、好ましい。
ダイボンドフィルム３の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、粘着剤層２が発泡する温度における貯蔵弾性率が低くなり過ぎないため、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。
また、ダイボンドフィルム３の熱可塑性樹脂の含有量を上記数値範囲内とすることにより、熱可塑性樹脂以外の低分子量成分の粘着剤層への移行の影響が小さくなり、ピックアップ時には良好な剥離性を発現することができる。

前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、ダイボンドフィルム３全体に対して５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。

ダイボンドフィルム３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量を７重量部以下とすることにより、接着力の低下を抑制できる。一方、０．０５重量部以上とすることにより、凝集力を向上させることができる。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与、熱伝導性の向上、弾性率の調節、熱膨張係数の調整等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍであることが好ましく、０．００５〜１μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができるからである。また、１０μｍ以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

尚、ダイボンドフィルム３には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。

（ダイシングシート）
本実施形態に係るダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ただし、本発明におけるダイシングシートは、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３を破断して個片化する際に、ダイボンドフィルム３を固定することができれば、この例に限定されない。例えば、基材と粘着剤層との間に他の層が存在していてもよい。

（基材）
基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシングダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、クールエキスパンド後に、基材１の半導体ウエハの外周部分を熱収縮させる（ヒートエキスパンドする）ことにより、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５同士の間隔を広げて、半導体チップ５の回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

（粘着剤層）
粘着剤層２は、７０℃〜１４０℃の加熱により発泡することが好ましく、７０℃〜１２０℃の加熱により発泡することがより好ましく、７０℃〜１００℃の加熱により発泡することがさらに好ましい。粘着剤層２が、７０℃〜１４０℃の加熱により発泡する層であると、加熱による発泡により粘着力を低下させる際に、ダイボンドフィルム３の反応の進行を抑えることができ、加熱によるダイボンドフィルム３の物性変化を最小限に止めることができる。
加熱により発泡する温度の測定方法は、実施例記載の方法による。

上述した通り、粘着剤層２は、下記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含む。
アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマー。

前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルとしては、具体的には、例えば、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、アクリル酸オクチル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ノニル、アクリル酸イソノニル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が８〜９のアクリル酸アルキルエステルが特に好ましく、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチルが最適である。前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。前記のＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルは、直鎖状のアクリル酸アルキルエステル、分岐鎖状のアクリル酸アルキルエステルの何れの形態のアクリル酸アルキルエステルであってもよい。

前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルの含有量は、アクリル系ポリマーＡを得るためのモノマー成分全量に対して５０重量％以下であり、好ましくは、１０重量％〜４０重量％の範囲内であり、より好ましくは、１５重量％〜３０重量％の範囲内である。
前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルの含有量が、上記数値範囲内であるため、ダイボンドフィルム３への糊残りが少なく、良好な剥離性が発現する。

アクリルポリマーＡを得るための、前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステル以外のモノマー成分としては、例えば、ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^２（式中、Ｒ^２は炭素数が１〜５のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルが挙げられる。具体的には、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｓ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸イソペンチルが挙げられる。前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステル以外のモノマー成分として、ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^２で表されるアクリル酸エステルを用いた場合、化学的性質、物理的性質の調整が容易となる。
前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^２で表されるアクリル酸エステルの含有量は、アクリル系ポリマーＡを得るためのモノマー成分全量に対して好ましくは、２０重量％〜９０重量％の範囲内であり、より好ましくは、３０重量％〜８０重量％の範囲内である。
また、アクリルポリマーＡを得るための、前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステル以外のモノマー成分としては、ヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。具体的に、前記ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

前記アクリルポリマーＡは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１で表されるアクリル酸エステルや前記ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^２で表されるアクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分（「共重合可能な他のモノマー成分」と称する場合がある）に対応する単位を含んでいてもよい。ただし、カルボキシル基含有モノマーを用いないことが好ましい。カルボキシル基含有モノマーが用いられていると、そのカルボキシル基とダイボンドフィルム中のエポキシ樹脂におけるエポキシ基とが反応することにより、粘着剤層とダイボンドフィルムとの接着性が高くなり、両者の剥離性が低下する。このようなカルボキシル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。

共重合可能な他のモノマー成分としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｓ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸エステル；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレンなどのスチレン系単量体；エチレン、ブタジエン、イソプレン、イソブチレンなどのオレフィン又はジエン類；塩化ビニルなどのハロゲン原子含有単量体；フッ素（メタ）アクリレートなどのフッ素原子含有単量体；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。

共重合可能な他のモノマー成分は、１種又は２種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましい。

前記アクリル系ポリマーＡは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーＡの重量平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、更に好ましくは４５万〜８０万程度である。

また、粘着剤層には、粘着力を調整するため外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は、前述のように、発泡剤を含有している。ダイシングシート１１からダイボンドフィルム３を剥離する際には、粘着剤層２を少なくとも部分的に加熱して、発泡剤を発泡及び／又は膨張させる。
これにより、粘着剤層２が少なくとも部分的に膨張し、粘着面が凹凸状に変形し、粘着剤層２とダイボンドフィルム３との接着面積が減少する。以上により、両者間の接着力が減少し、ダイシングシート１１からダイボンドフィルム３を剥離させることができる。

（発泡剤）
前記発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。

（熱膨張性微小球）
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球（種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など）から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。

熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法や、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、松本油脂製薬株式会社製の商品名「マツモトマイクロスフェアー」のシリーズ（例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＳＤ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」など）の他、エクスパンセル社製の商品名「０５１ＤＵ」、同「０５３ＤＵ」、同「５５１ＤＵ」、同「５５１−２０ＤＵ」、同「５５１−８０ＤＵ」などの市販品を使用することができる。

なお、発泡剤として熱膨張性微小球を用いた場合、該熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、粘着剤層２の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ〜５０μｍ、特に１μｍ〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。なお、熱膨張性微小球の粒径の調整は、熱膨張性微小球の生成過程で行われていてもよく、生成後、分級などの手段により行われてもよい。熱膨張性微小球としては、粒径が揃えられていることが好ましい。

（その他の発泡剤）
本実施形態では、発泡剤としては、熱膨張性微小球以外の発泡剤も用いることもできる。このような発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤などの各種発泡剤を適宜選択して使用することができる。無機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類などが挙げられる。

また、有機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、水；トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン系化合物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３´−ジスルホニルヒドラジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ´−ジニトロソペンタメチレンテロラミン、Ｎ，Ｎ´−ジメチル−Ｎ，Ｎ´−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物などが挙げられる。

本実施形態では、加熱処理により、粘着剤層２の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有する発泡剤が好ましい。

発泡剤（熱膨張性微小球など）の配合量は、粘着剤層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には粘着剤層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば１重量部〜１５０重量部（好ましくは１０重量部〜１３０重量部、さらに好ましくは２５重量部〜１００重量部）である。

なお、発泡剤を発泡させる方法（すなわち、熱膨張性粘着剤層を熱膨張させる方法）としては、公知の加熱発泡方法から適宜選択して採用することができる。

粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム３の固定保持の両立性等の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。

前記ダイシングダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、前駆層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて前記前駆層を形成してもよい。その後、基材１上に前記前駆層をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート前駆体が作製される。

ダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、ダイボンドフィルム３の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム３を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム３を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にダイボンドフィルム３をセパレータと共に貼り合わせる。

続いて、前記ダイシングシート前駆体及びダイボンドフィルム３からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム３と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。その後、基材１側から紫外線を照射してもよい。紫外線の照射量としては、前記剥離力Ａ及び前記剥離力Ｂを前記数値範囲内となる量が好ましい。具体的な紫外線の照射量は、粘着剤層の組成や厚さ等に応じて異なるが、例えば、５０ｍＪ〜５００ｍＪが好ましく、１００ｍＪ〜３００ｍＪがより好ましい。以上により、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムが得られる。

（半導体装置の製造方法）
次に、図２〜図７を参照しながらダイシングダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図５は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。まず、半導体ウェハ４の分割予定ライン４Ｌにレーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する。本方法は、半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウェハの内部に改質領域を形成する方法である。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。

次に、図３に示すように、ダイボンドフィルム３上に、改質領域形成後の半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。半導体ウェハ４の反りを効果的に防止することができるとともに、ダイシングダイボンドフィルムの伸縮の影響を低減することができるからである。

次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることによって、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを分割予定ライン４Ｌにて破断し、半導体チップ５を形成する（クールエキスパンド工程）。本工程には、例えば、市販のウェハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図４（ａ）に示すように、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１０の粘着剤層２周辺部にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウェハ拡張装置３２に固定する。次に、図４（ｂ）に示すように、突き上げ部３３を上昇させて、ダイシングダイボンドフィルム１１に張力をかける。

前記クールエキスパンド工程は、０〜−１５℃の条件下において実行されることが好ましく、−５〜−１５℃の条件下において実行されることがより好ましい。前記クールエキスパンド工程が０〜−１５℃の条件下において実行されるため、好適にダイボンドフィルム３を破断することができる。

また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は１００〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、１００〜３５０ｍｍ／秒であることがより好ましく、１００〜３００ｍｍ／秒であることがさらに好ましい。エキスパンド速度を１００ｍｍ／秒以上とすれば、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを略同時に容易に破断することができる。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することを防止することができる。

また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド量は、エキスパンド量４〜１６ｍｍであることが好ましい。前記エキスパンド量は、前記数値範囲内において、形成されるチップサイズに応じて適宜調整することができる。エキスパンド量を４ｍｍ以上とすれば、半導体ウェハ４、及び、ダイボンドフィルム３の破断をより容易とすることができる。また、エキスパンド量を１６ｍｍ以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することをより防止することができる。

このように、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることにより、半導体ウェハ４の改質領域を起点として半導体ウェハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウェハ４と密着するダイボンドフィルム３を破断させることができ、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を得ることができる。

次に、必要に応じて、ヒートエキスパンド工程を行う。ヒートエキスパンド工程では、ダイシングシート１１の半導体ウエハ４が貼り付けられている部分よりも外側を加熱して熱収縮させる。これにより、半導体チップ５同士の間隔を広げる。ヒートエキスパンド工程における条件は、特に限定されないが、エキスパンド量４〜１６ｍｍ、ヒート温度２００〜２６０℃、ヒート距離２〜３０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃ〜１０°／ｓｅｃの範囲内とすることが好ましい。

次に、必要に応じて、クリーニング工程を行う。クリーニング工程では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５が固定された状態のダイシングシート１１をスピンコーターにセットする。次に、洗浄液を半導体チップ５に滴下しながらスピンコーターを回転させる。これにより、半導体チップ５の表面を洗浄する。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。スピンコーターの回転速度や回転時間は、洗浄液の種類等に応じて異なるが、例えば、回転速度４００〜３０００ｒｐｍ、回転時間１〜５分とすることができる。

次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ピックアップは、粘着剤層２に所定の熱処理を行って熱膨張させた後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力（接着力）が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップさせることが可能となる。なお、加熱処理で使用可能な加熱装置としては、特に制限されず、例えば、加熱装置（ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤー等）などが挙げられる。加熱温度としては、７０〜１４０℃の加熱が挙げられる。

次に、図５に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３を介して被着体６にダイボンドする（仮固着工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子を接着固定し、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

ダイボンドフィルム３の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。また、ダイボンドフィルム３の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。

次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

上述した実施形態では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を被着体６に仮固着した後、ダイボンドフィルム３を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においては、被着体６に、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を仮固着時した後、ダイボンドフィルム３を熱硬化させ、その後、ワイヤーボンディング工程を行う通常のダイボンド工程を行うこととしてもよい。

なお、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。

次に、半導体ウェハの表面に溝を形成し、その後、裏面研削を行う工程を採用した半導体装置の製造方法について以下に説明することとする。

図６、図７は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図６（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成する。なお、溝４Ｓの形成時には、半導体ウェハ４は、図示しない支持基材にて支持される。溝４Ｓの深さは、半導体ウェハ４の厚さやエキスパンドの条件に応じて適宜設定可能である。次に、図６（ｂ）に示すように、表面４Ｆが当接するように半導体ウェハ４を保護基材４２に支持させる。その後、研削砥石４５にて裏面研削を行い、裏面４Ｒから溝４Ｓを表出させる。なお、半導体ウェハへの保護基材４２の貼り付けは、従来公知の貼付装置を用いることができ、裏面研削も、従来公知の研削装置を用いることができる。

次に、図７に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（仮固着工程）。その後、保護基材４２を剥がし、ウェハ拡張装置３２によりダイシングダイボンドフィルム１０に張力をかける。これにより、ダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成する（チップ形成工程）。なお、チップ形成工程における温度、エキスパンド速度、エキスパンド量は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様である。以降の工程は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様であるからここでの説明は省略することとする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハとダイボンドフィルムとを同時にクールエキスパンド工程において破断させるか、ダイボンドフィルムのみをクールエキスパンド工程において破断させていれば、上述した実施形態に限定されない。その他の実施形態として、例えば、図６（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成した後、ダイシングダイボンドフィルム上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（仮固着工程）。その後、ウェハ拡張装置によりダイシングダイボンドフィルムに張力をかける。これにより、溝４Ｓの部分において半導体ウエハ４とダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成してもよい。

上述した実施形態では、本発明の接着剤層が、ダイボンドフィルム３である場合について説明したが、本発明の接着剤層としては、ダイシングシートの上に形成して使用できるものであれば、特に限定されず、例えば、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、アンダーフィルシートを挙げることができる。
フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、フリップチップ接続された半導体チップの裏面（フリップチップ接続面とは反対側の面）に貼り付けられるフィルムである。
本発明の接着剤層が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、ダイボンドフィルム３と同様の構成を採用することができる。
アンダーフィルシートとは、基板と基板上にフリップチップ接続された半導体チップとの間隙を充填するためのシートである。
本発明の接着剤層がアンダーフィルシートである場合、アンダーフィルシートとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、ダイボンドフィルム３と同様の構成を採用することができる。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

（実施例１）
＜ダイシングシートの作製＞
熱膨張性微小球Ａ（マツモトマイクロスフェアＦ−５０Ｄ：松本油脂製薬（株）製：平均粒子径１３．４μｍ）を準備した。

一方、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタクリレート（モノマーでの比率で、アクリル酸２−エチルヘキシル：３０重量部、アクリル酸エチル：７０重量部、メチルメタクリレート：５重量部）共重合体系粘着剤１００重量部（ポリウレタン系架橋剤２重量部配合）に、前記熱膨張性微小球Ａ３０重量部を配合したトルエン溶液を調製し、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムの片面が剥離処理された面上に乾燥後の厚みが４５μｍとなるように塗布、乾燥して、粘着剤層Ａを得た。得られた粘着剤層を８０μｍのポリオレフィンフィルムに貼り合せ、ダイシングシートＡを得た。

＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、重量平均分子量８５０，０００）１００部に対して、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）１２部、フィラー（商品名「ＳＥ−２０５０ＭＣ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ）１００部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が１８重量％となる接着剤組成物溶液Ａを調製した。

接着剤組成物溶液Ａを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＡを得た。

＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイシングシートＡから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＡを得た。

（実施例２）
＜ダイシングシートの作製＞
熱膨張性微小球Ｂ（マツモトマイクロスフェアＦＮ−１００ＳＳ：松本油脂製薬（株）製：平均粒子径８．５μｍ）を準備した。

一方、アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタクリレート（モノマーでの比率で、アクリル酸２−エチルヘキシル：３０重量部、アクリル酸エチル：７０重量部、メチルメタクリレート：５重量部）共重合体系粘着剤１００重量部（ポリウレタン系架橋剤２重量部配合）に、前記熱膨張性微小球Ｂ３０重量部を配合したトルエン溶液を調製し、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムの片面が剥離処理された面上に乾燥後の厚みが４５μｍとなるように塗布、乾燥して、粘着剤層Ｂを得た。得られた粘着剤層を８０μｍのポリオレフィンフィルムに貼り合せ、ダイシングシートＢを得た。

＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＢから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＢを得た。

（実施例３）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、重量平均分子量８５０，０００）１００部に対して、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１−４Ｈ」、明和化成社製）１２部、フィラー（商品名「ＳＥ−２０５０ＭＣ」株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ）：１７０部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が１８重量％となる接着剤組成物溶液Ｂを調製した。
接着剤組成物溶液Ｂを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＢを得た。

＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイシングシートＡから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＢを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＣを得た。

（比較例１）
＜ダイシングシートの作製＞
アクリル酸２−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタクリレート（モノマーでの比率で、アクリル酸２−エチルヘキシル：６０重量部、アクリル酸エチル：４０重量部、メチルメタクリレート：５重量部）共重合体系粘着剤１００重量部（ポリウレタン系架橋剤２重量部配合）に、前記熱膨張性微小球Ａ３０重量部を配合したトルエン溶液を調製し、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムの片面が剥離処理された面上に乾燥後の厚みが４５μｍとなるように塗布、乾燥して、粘着剤層Ｃを得た。得られた粘着剤層を８０μｍのポリオレフィンフィルムに貼り合せ、ダイシングシートＣを得た。

＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＣから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＤを得た。

（比較例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０Ｌ」ナガセケムテックス社製、重量平均分子量９００，０００）１００部に対して、エポキシ樹脂Ａ（商品名「ＫＩ−３０００」東都化成社製）２００部、エポキシ樹脂Ｂ（商品名「ＪＥＲ ＹＬ−９８０」三菱化学社製）１８０部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８００Ｈ」明和化成社製）３６０部、フィラー（商品名「ＳＥ−２０５０ＭＣ」株式会社アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ）８３０部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が１８重量％となる接着剤組成物溶液Ｃを調製した。
接着剤組成物溶液Ｃを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＣを得た。

＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＣを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＥを得た。

（比較例３）
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
比較例１で用いたダイシングシートＣと同じものを準備した。また、比較例２で用いたダイシングシートＣと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＣから、ＰＥＴフィルムを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＣを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＦを得た。

［粘着剤層の加熱により発泡する温度Ａの測定］
ダイシングダイボンドフィルムを１ｃｍ角に切り出し、基材面を下にして所定の温度に加熱したホットプレート上に２０秒間放置した。２０秒経過後にホットプレート上から取りだして室温に戻した後、積層テープの厚みを計測した。加熱試験は低温側から５℃刻みで行い、厚み差が３μｍ以上となった最初の温度を加熱により発泡する温度Ａとした。
結果を表１に示す。

［ダイボンドフィルムの硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率の測定、及び、ダイボンドフィルムの硬化前の２３℃における貯蔵弾性率の測定］
ダイボンドフィルムを暑さ２００μｍになるまで積層した。次に、幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。その後、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡ−Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製）にて、貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、下記の通りとした。
測定は―４０℃で５分間保持した後に開始した。得られた貯蔵弾性率のデータから２３℃での貯蔵弾性率、及び、温度Ａにおける貯蔵弾性率を読み取った。
結果を表１に示す。
＜測定条件＞
測定温度範囲：―４０〜２６０℃
チャック間距離２０ｍｍ
引張モード
周波数１Ｈｚ
歪み０．１％

［粘着剤層が発泡する前の、ダイボンドフィルムと粘着剤層との間の２３℃における剥離力の測定、及び、粘着剤層が発泡する前の、ダイボンドフィルムと粘着剤層との間の−１５℃における剥離力の測定］
ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム面に、強粘着テープ（日東電工社製、ＢＴ−３１５）を貼り合せ、幅１００ｍｍ、長さ２００ｍｍサイズに切り出した。測定には、引張試験機（メーカー名：ＳＨＩＭＡＤＺＵ）を用いた。上部チャック治具で、基材と粘着剤層とをチャックし、下部チャック治具で、ダイボンドフィルムと強粘着テープとをチャックし、速度１００ｍｍ／ｍｉｎ、Ｔ型剥離にて剥離試験を行った。
測定温度は、２３℃と―１５℃にて行った。
結果を表１に示す。

［粘着剤層を発泡させた後の２３℃での剥離力の測定］
ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム面に、強粘着テープ（日東電工社製、ＢＴ−３１５）を貼り合せ、幅１００ｍｍ、長さ２００ｍｍサイズに切り出した。作製したサンプルを、温度Ａに設定したオーブン中に吊るし、２５秒間放置し、その後、取り出した。測定には、引張試験機（メーカー名：ＳＨＩＭＡＤＺＵ）を用いた。上部チャック治具で、基材と粘着剤層とをチャックし、下部チャック治具で、ダイボンドフィルムと強粘着テープとをチャックし、速度１００ｍｍ／ｍｉｎ、Ｔ型剥離にて剥離試験を行った。
測定温度は、２３℃にて行った。
結果を表１に示す。

［ピックアップ性評価］
レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて、１２インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

次に、半導体ウェハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合せ、ディスコ社製バックグラインダーＤＧＰ８７６０を用いて半導体ウェハの厚みが３０μｍになるように裏面を研削した。

次に、実施例、及び、比較例のダイシングダイボンドフィルムにレーザー光による前処理を行った前記半導体ウェハ及びダイシングリングを貼り合わせた。

次に、ディスコ社製ダイセパレーターＤＤＳ２３００を用いて半導体ウェハの割断及びダイシングシートの熱収縮を行うことにより、サンプルを得た。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で半導体ウェハを割断した。
その後、ヒートエキスパンダーユニットで、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でダイシングシートを熱収縮させた。

次に、加熱を行った。加熱は、基材側からヒートステージにて行った。加熱温度は、温度Ａとし、加熱時間は、２０秒とした。これにより、粘着剤層の粘着力を低下させた。以上により得られたサンプルを用い、ピックアップ評価を行った。具体的には、ダイボンダーＳＰＡ−３００（新川社製）を用い、以下の条件でピックアップを行った。全てピックアップできた場合を◎、ピックアップ成功率が９０％以上の場合を〇、ピックアップ成功率が９０％未満の場合を×として評価を行った。結果を表１に示す。
＜ピックアップ条件＞
ピン数：５
ピックアップハイト：３５０μｍ
ピックアップ評価数：５０チップ

１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０ ダイシングダイボンドフィルム
１１ ダイシングシート

Claims (9)

1. 基材と粘着剤層（ただし、活性エネルギー線硬化型である場合を除く）とを有するダイシングシートと、
   前記粘着剤層上に設けられた接着剤層と
   を有し、
   前記粘着剤層は、下記アクリル系ポリマーＡと発泡剤とを含み、
   前記接着剤層は、熱可塑性樹脂を含み、前記熱可塑性樹脂の含有量が、前記接着剤層の樹脂成分全体に対して、４０重量％〜９５重量％の範囲内であることを特徴とするダイシングシート一体型接着フィルム。
   アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲ^１（式中、Ｒ^１は炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルを５０重量％以下の範囲内で含有するモノマー組成物から得られたアクリル系ポリマー。
2. 前記粘着剤層は、７０℃〜１４０℃の加熱により発泡することを特徴とする請求項１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
3. 前記粘着剤層が加熱により発泡する温度を温度Ａとしたとき、前記接着剤層の硬化前の温度Ａにおける貯蔵弾性率が、０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
4. 前記接着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ〜３４００ＭＰａの範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
5. 前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の２３℃における剥離力が、１Ｎ／１００ｍｍ〜５０Ｎ／１００ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
6. 前記粘着剤層が発泡する前の、前記接着剤層と前記粘着剤層との間の−１５℃における剥離力が、１Ｎ／１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
7. 前記発泡剤が、熱膨張性微小球であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
8. 前記熱可塑性樹脂が、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。
9. 前記接着剤層が、ダイボンドフィルムであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載のダイシングシート一体型接着フィルム。

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