JP2015218287A - 薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化を行う半導体チップの製造において、アンダーフィルを用いることなく、高精度でかつ簡便に製造できる半導体チップの製造方法及び薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを提供する。
【解決手段】基材上に設けられた粘着剤から構成される半導体加工用粘着テープ上に、フリップチップ接続に用いる接着フィルムを備えた薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープであって、接着フィルムが、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型及びジシクロペンタジエン型からなる群から選択されるエポキシ樹脂を含み、かつエポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部である薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ及び半導体チップの製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープおよび半導体チップの製造方法に関する。

近年、ＩＣカードの普及やＵＳＢメモリの急激な容量アップが進み、半導体チップを重ねる枚数の増加に伴い、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが２００μｍ〜３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このような半導体チップの薄型化を達成する方法として、特殊なテープを用いて通常の工程で薄膜化研削をする方法や、先ダイシングと呼ばれる半導体ウェハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削を行う半導体チップの製造方法が知られている。この方法は、半導体ウェハの裏面研削と個々の半導体チップへの分割を同時に行うことにより、薄型半導体チップを効率よく製造することができる。また、半導体チップへの研削応力を低減させることにより、半導体チップの抗析強度を向上させる効果があり、特に１００μｍ以下の薄膜に研削するデバイスへの適用が検討されている。

半導体ウェハの薄膜化に加えて大径化の流れは、特に、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型が存在するフラッシュメモリの分野や、揮発性メモリであるＤＲＡＭなどの分野で、顕著な傾向を示している。現在では１２インチの半導体ウェハを１００μｍ厚以下に研削されることが標準となってきている。

メモリ系デバイスは、半導体チップを重ねることにより性能を向上させているため、薄膜研削が必須となる。そのため薄膜チップの製造に特化させた工法である先ダイシング法と呼ばれる工程による製造方法や（特許文献１、特許文献２参照）その製造工程専用の粘着シート（特許文献３参照）、通常の工程であっても薄膜研削用の特殊な粘着シート（特許文献４参照）、ダイシング・ダイボンドシート（特許文献５参照）や粘接着剤層を有するテープ（特許文献６参照）を用いることにより安価で高性能なフラッシュメモリなどを製造することが可能となってきている。

一方、近年、スマートフォンの普及や携帯電話の性能向上および音楽プレーヤの小型化、かつ性能向上などに伴い、対衝撃性などを考慮した電極付ウェハを用いたフリップチップ実装に用いる半導体ウェハについても薄膜化の要求が増えてきている。また、バンプ付ウェハについても１００μｍ以下の薄膜研削をする必要が生じている。フリップチップ接続されるためのバンプは、転送速度向上のため高密度化されてきており、バンプの高さが低くなってきており、それに伴ってバンプ間距離が短くなってきている。また、近年ではＤＲＡＭにもフリップチップ接続が実施されてきているため、半導体ウェハの薄膜化が加速している。

フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子の電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田や金が使用されている。この半田バンプや金バンプは、蒸着やメッキで、半導体チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上などに形成する。

バンプ付ウェハは、その表面に大きな凹凸を有しているため薄膜加工が難しく、通常のテープを用いて裏面研削を行うと半導体ウェハ割れが発生してしまったり、半導体ウェハの厚みの精度が悪化したりする。そのため、バンプ付ウェハの研削には、特別に設計された表面保護用テープを用いて加工がされている（特許文献７参照）。

しかしながら、これらのテープはバンプを十分に吸収して研削性を確保しているため剥離性との両立が非常に難しい。これまでのフリップチップ実装されてきた半導体チップの仕上げ厚みは２００μｍ厚以上とある程度の厚みがあり、剛性を保てたため何とか剥離できてきた。しかし、最近、半導体ウェハ仕上げ厚みが薄膜となり、バンプ密度も高くなってきているためテープ剥離が容易にできないといった問題を発生させてしまっている。また、剥離性を確保すると密着が不十分であり、裏面研削時に研削水の浸入や糊残りを引き起こしている。また、粘着剤が半導体ウェハ表面に接着するため、有機物の汚染が発生しやすくアンダーフィルの密着性も悪化し、パッケージングを行う際に歩留まりが向上しないといった問題も抱えている。

一方、フリップチップ接続された半導体装置は、パッケージングする際にそのままで使用すると接続部の電極が空気中に露出しており、半導体チップと基板の熱膨張係数の差が大きいため、半田リフローなどの後工程の熱履歴によりバンプの接続部分に大きな応力がかかり、実装信頼性に問題があった。
これらの問題を解決するため、バンプと基板とを接続した後、接合部分の信頼性を向上させるために、半導体素子と基板の間隙を樹脂（アンダーフィルまたはＮＣＰ）で埋めて硬化させて半導体素子と基板とを固定する方法が採用されている。

ところが、一般にフリップチップ実装を行うような半導体素子は電極数が多く、また回路設計上の問題から電極は半導体素子の周辺に配置されている。このため、アンダーフィルとして樹脂ペーストの充填時にはこれらの半導体素子の電極間から液状樹脂を毛細管現象で流し込みを行うと樹脂が十分に行き渡らず未充填部ができやすく、半導体素子の動作が不安定になるなどのため、動作不良や耐湿信頼性が低いといった問題があった。
さらに、チップサイズが小さくなると液状樹脂のはみ出しにより基板を汚染したり、電極間のピッチが狭くなると樹脂の流し込みが困難となったりする。また、フリップチップ接続した半導体素子１つ１つに樹脂を充填するにはあまりにも時間がかかるため、生産性にも課題がある。

一方、フィルム状の接着剤（ＮＣＦ）を一括で熱圧着した後に半導体ウェハチップを個片化する方法では、樹脂ペースト充填に比べて工程が簡略化され有利である。しかし、半導体ウェハ厚さが薄くなるに従って熱圧着時に半導体ウェハ損傷を生じやすくなるため、厚い半導体ウェハにフィルム状の接着剤（ＮＣＦ）を熱圧着した後で半導体ウェハ裏面を研削することが必要になっている。このため、工程数が増えてしまい効率的ではない。

これに対し、従来の裏面研削用粘着テープ（基材フィルム上に粘着剤層を有するテープ）と接着フィルム（接着剤層）の組み合わせでは、粘着剤層と接着剤層（粘着テープと接着フィルム）との親和性が高く、半導体ウェハの裏面研削後に半導体ウェハから前記粘着テープ（粘着剤層）を剥離するための剥離力が上昇しやすく、剥離工程での半導体ウェハ損傷を生じやすいという問題を抱えている。また、接着フィルムの凹凸基板への埋め込み性を上げて接着信頼性を高めるためには、加熱貼合時の溶融粘度を下げることが必要となる。しかしながら、加熱貼合により粘着テープからの剥離力は上昇する傾向にあり加熱貼合後の粘着テープからの剥離が難しくなるという問題を抱えている。

これらの問題に対する検討（特許文献８、９参照）も行われているが、近年の薄膜化および大口径化に伴い、従来の半導体チップの製造方法ではクラック等の不良が発生しやすく、最悪の場合は半導体ウェハ割れが発生してしまうため、歩留まりが悪いといった問題が発生している。特に半導体ウェハ厚みが１００μｍ以下での研削では、特に歩留まりの悪化が激しく、安定的に製造できない場合もある。また、通常の裏面研削およびダイシングによるチップ化では抗折強度が上がりにくく、パッケージングの際に不良を発生させてしまうことが多く発生していた。

特開２００８−２５１９３４号公報 特開２００９−２７０５４号公報 特開２００４−３３１７４３号公報 特開２０００−１５０４３２号公報 特開２００７−２２７５７５号公報 特開平１０−８００１号公報 特開２００４−２３５３９５号公報 特開２００６−４９４８２号公報 特開２００２−１１８１４７号公報

そこで、本発明は、フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う半導体チップの製造において、アンダーフィルやＮＣＰを用いることなく、高精度でかつ簡便に製造できる半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記製造方法に用いられる薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを提供することを別の課題としている。

本発明者らはこのようなフリップチップ実装工程における問題点を克服する目的で種々検討した結果、１００μｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を２００μｍ以下の薄膜に研削、特に５０μｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を１００μｍ以下の薄膜に研削し、かつチップ化する過程において、バンプ付ウェハ内に事前に改質層（半導体ウェハをチップ化する際に分割される位置に対応して設けられた、半導体ウェハ表面から所定の深さの改質部を含む層であって、この改質部ではその周囲の改質されていないウェハよりも強度が低い。）を形成しておき、その後に接着フィルムと粘着テープが一体となった粘接着フィルム一体型の表面保護テープを貼合し、該半導体ウェハの裏面研削をすることで薄膜化とチップ化を一括で行い、転写用のピックアップテープへの貼合やピックアップする際に接着フィルムのみを半導体チップに接着して転写またはピックアップすることで容易にフリップチップ実装することができ、従来の工程に比べて実装信頼性の向上および工程の短縮化が可能であることを見出し、この知見に基づき本発明を成すに至った。

すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
（１）基材上に設けられた粘着剤から構成される半導体加工用粘着テープ上に、フリップチップ接続に用いる接着フィルムを備えた薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープであって、
前記接着フィルムが、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型およびジシクロペンタジエン型からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含み、かつ、
前記エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部であることを特徴とする薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（２）前記硬化剤が、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物およびイミダゾール化合物から選択されることを特徴とする（１）に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（３）前記高分子化合物が、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびアクリルゴムから選択されることを特徴とする（１）または（２）に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（４）チップを個片化する前に、チップ分割予定の領域にレーザー光を照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成された該半導体ウェハの裏面研削工程で、同時にチップ分断される工程に使用されることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
（５）チップ分割予定の領域にレーザー光を照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成する工程、該改質層が形成された半導体ウェハ上に薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープの接着剤層側で、該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合せる工程、および該半導体ウェハの該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合せた面と反対側を研削する研削工程を含み、半導体ウェハのチップ化を、該研削工程中に行うか、または該研削工程後に行う半導体チップの製造方法であって、
前記薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープが、基材上に設けられた粘着剤から構成される半導体加工用粘着テープ上に、フリップチップ接続に用いる接着フィルムを備え、該接着フィルムが、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型およびジシクロペンタジエン型からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含み、かつ、
前記エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
（６）前記チップ化を、前記研削工程中に同時に行うことを特徴とする（５）に記載の半導体チップの製造方法。

本発明において「粘着剤」とは、「接着剤」が専ら接着を可能にする剤であるのに対し、粘着後に硬化等の処理に付すことにより剥離を可能にする剤を意味する。例えば「放射線硬化型粘着剤」とは、半導体ウェハ等への適用後に紫外線等の放射線を照射することによって粘着剤を硬化させ、剥離を可能にする粘着剤を意味する。

本発明において、「薄膜研削」とは、半導体ウェハを、０μｍを超え１００μｍ以下に研削することを意味する。
また、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」および「メタクリル」の両方を含むものであり、これらのいずれか一方であっても、両方の混合であっても構わない。例えば、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルを含み、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの混合物であってもよいことを意味する。
本発明において、「重量平均分子量」とは、常法によるポリスチレン換算の重量平均分子量を意味するものであり、特段の断りがない限り、ポリマーやオリゴマーに対して使用する「分子量」は、「重量平均分子量」である。

本発明によれば、半導体ウェハ内に改質層を形成した後、バックグラインド工程によって極薄化を行い、同時にまたはその後の工程で、半導体チップに分割を行う半導体チップを製造する工程を行うことにより、高精度でかつ簡便な製造方法が提供できる。

本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半の模式図である。 本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程のうち、ピックアップテープに転写する場合の一例を示す模式図である。 本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程のうち、転写しない場合の一例を示す模式図である。

＜＜薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ＞＞
本発明の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ（以下、単に「表面保護テープ」ともいう。）は、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に、接着フィルム（接着剤層）が積層された薄膜研削用粘接着フィルム一体型の表面保護テープであって、半導体ウェハ表面（その回路）の保護を目的とする粘着テープと半導体チップの接着を目的とする接着フィルムとによって構成される。

＜基材フィルム＞
基材フィルムの厚みは特に指定するものではないが、製造性の点から１０〜２００μｍが好ましい。また、研削時の反りを考えると２５〜１５０μｍが更に好ましい。基材フィルムが薄すぎるとテープとしての剛性がなくなるためたわみが発生しやすくカセット収納時にたわみによるアーム接触に繋がる。一方、基材フィルムが厚すぎると製膜時の残留応力の開放により反りが発生しやすくなる場合がある。

本発明の基材フィルムの材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン系共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。また基材フィルムは単層フィルムまたは２層以上のフィルムを積層した複層フィルムとして用いることができる。
また基材フィルムは、可視光透過性であるものが好ましく、さらに放射線透過性であるものが好ましい。

裏面研削後にエキスパンド分割用のピックアップテープに転写する工程を含む場合、基材フィルムは剛性基材フィルムにすることができる。剛性基材フィルムとしては、耐水性、耐熱性、剛性等の点から、合成樹脂フィルムが好ましく用いられる。このような剛性基材としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリイミドまたは二軸延伸ポリプロピレンなどが用いられる。剛性基材フィルムは、上記の各種フィルムの単層品であってもよく積層品であってもよい。上記のうちでも、剛性基材としては、半導体ウェハにイオン汚染等の悪影響を与えないものが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、二軸延伸ポリプロピレン、ポリイミドおよびポリアミドが特に好ましい。剛性基材フィルムを用いることにより、半導体ウェハの反りに対して矯正力を持たせることができ、反りを抑制することができる。

剛性基材フィルムの厚みは反りの矯正力と剥離性の点から、２５〜１００μｍが好ましい。薄すぎると矯正力が弱く反りの抑制が不十分となってしまう場合がある。厚すぎるとテープ剥離の際にテープが曲がらず、半導体ウェハに負荷がかかってしまうため、半導体ウェハ割れを引き起こす場合がある。

裏面研削後にエキスパンド分割用のピックアップテープに転写する工程を含まず、そのままエキスパンド分割する工程を含む場合、基材フィルムはポリオレフィンおよびポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。さらに好ましくはポリオレフィンである。ポリ塩化ビニルは可塑剤などのブリードによる汚染などの影響があるためである。

エキスパンドによる半導体ウェハの個片化工程では、エキスパンドされた薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープへの引張応力が半導体ウェハに伝わることで分割される。従って、エキスパンドによる半導体ウェハ分割を行うために必要な該表面保護テープの特性としては、以下が考えられる。

１）エキスパンドによって変形されても剛性を保てること
２）エキスパンドで与えられた応力を損失せず半導体ウェハに伝えること
３）エキスパンドによる変形時に表面保護テープが破断しないこと

上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ（１−ブテン）、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。

特に、アイオノマーが用いられた基材フィルムの場合、降伏点が存在せず、表面保護テープの繰り出し方向と幅方向に対して均一な物性を獲得することができる。従って、エキスパンドでの分割が行われる場合に個片化されたチップ間隔を均一にできる。

＜粘着剤層＞
粘着剤層に用いる粘着剤としては、（メタ）アクリル系共重合体が好ましい。本発明において粘着剤は、これに限定されることはなく、種々の粘着剤により粘着剤層が形成され得る。このような粘着剤としては、例えばゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤を用いることも可能である。

これらのベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベースポリマーに対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。

粘着剤として、放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤を用いることができる。放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。加熱発泡型の粘着剤としては、加熱により発泡剤や膨張剤により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。この場合、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいは（メタ）アクリル系の感圧性ベース樹脂（ポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物という）および光重合開始剤が配合されてなるものが使用される。

上記のゴム系あるいは（メタ）アクリル系のベース樹脂は、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などの（メタ）アクリル系ポリマーが使用される。

また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値に設定することができる。このような硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネート、トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物などが用いられる。

紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を配合することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくなることができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられ、詳細については後述する。

（メタ）アクリル系粘着剤として特に好ましいものとして、（メタ）アクリル系重合体、好ましくは（メタ）アクリル系重合体を主成分として含むものを挙げることができる。
（メタ）アクリル系重合体を主成分とするとは、（メタ）アクリル系重合体成分が少なくとも５０質量％以上であり、好ましくは８０質量％以上（１００質量％以下）である。
（メタ）アクリル系重合体は、少なくとも側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有することで放射線照射による硬化が可能となり、さらにエポキシ基やカルボキシ基などの官能基を有してもよい。

側鎖に光重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル重合体は、どのようにして製造されたものでもよいが、例えば、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体と、（メタ）アクリルロイル基などの光重合性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、この（メタ）アクリル系重合体の側鎖の官能基（α）と反応し得る官能基（β）をもつ化合物とを反応させて得たものが好ましい。
光重合性炭素−炭素二重結合を有する基は、非芳香族性のエチレン性二重結合を有すればどのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。
官能基（α）、（β）としては、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）等が挙げられる。

ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシ基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。

官能基（α）としては、カルボキシ基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマー、好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〔（特に、アルコール部に官能基（α）を有するもの〕をモノマー成分に使用することで得ることができる。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、共重合体である場合が好ましく、この共重合成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、なかでもアルコール部に官能基（α）や光重合性炭素−炭素二重結合を有する基が置換していない（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。

なお、アルコール部の炭素数の大きなモノマーを使用するほどガラス転移点（Ｔｇ）は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも好ましく、この場合、これらのモノマー成分の含有量は５質量％以下の範囲内が好ましい。

官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシ基および光重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどが挙げられる。

これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。

光重合性炭素−炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物における官能基（β）としては、イソシアネート基が好ましく、例えば、アルコール部にイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、２−イソシアナトエチルメタクリレート、２−イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。
また、官能基（β）がイソシアネート基以外の場合の好ましい化合物は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーで例示した化合物が挙げられる。

光重合性炭素−炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物は、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体に加えて重合体の側鎖の官能基（α）、好ましくは水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。

（メタ）アクリル系共重合体の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般に（メタ）アクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましい。重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の（メタ）アクリル系共重合体を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素等の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

以上のようにして、（メタ）アクリル系共重合体を得ることができるが、本発明において、（メタ）アクリル系共重合体の重量平均分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。分子量が小さすぎると、放射線照射の凝集力が小さくなって、ピックアップ時やピックアップテープへの転写の際に、ピックアップ不良や転写不良が生じやすくなってしまう。また重量平均分子量が大きすぎると接着フィルムが粘着テープから剥がれたりずれたりしてしまう。

また、本発明では、（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素−炭素二重結合の導入量は好ましくは０．５〜２．０ｍｅｑ／ｇ、さらに好ましくは０．８〜１．５ｍｅｑ／ｇである。二重結合量が少なすぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくなる。二重結合量が多すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分ではなく、延伸後の素子間隙が不十分であり、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が発生する。さらに、（メタ）アクリル系共重合体そのものが安定性に欠け、製造が困難となる。

さらに、本発明において、粘着剤の硬化前のゲル分率は、（メタ）アクリル系共重合体の重量平均分子量、硬化剤の配合量により調整することが可能であるが、６０％以上であることが好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ゲル分率が小さすぎる場合には、凝集力が低くなってしまうため、半導体ウェハ表面の回路上に糊残りを発生させてしまうリスクが高まる。さらに、（メタ）アクリル系共重合体が、水酸基価５〜１００のＯＨ基を有すると放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、（メタ）アクリル系共重合体が、酸価０．５〜３０のＣＯＯＨ基を有するとテープ復元性を改善することにより、使用済テープ収納型の機構への対応を容易とすることができるので好ましい。
ここで、（メタ）アクリル系共重合体の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう。

なお、本発明の放射線硬化型粘着剤を紫外線照射によって硬化させる場合には、必要に応じて、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量は（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好ましい。配合量が少なすぎると反応が不十分であり、配合量が多すぎると低分子成分が増加することで汚染性に影響を与えることになる。

粘着剤層の厚みは、特に制限されるものではないが、１０〜５０μｍが好ましく、２０〜４０μｍがより好ましい。

＜接着剤層＞
本発明の接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、本書においては接着フィルムともいう。

（主剤）
接着剤層には、硬化するために、分子内に２個以上のエポキシ基を有しているエポキシ樹脂を含み、本発明においては、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型およびジシクロペンタジエン型からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含有する。
本発明では、エポキシ樹脂を２種以上、さらには３種以上含有することも好ましく、この場合、上記のエポキシ樹脂から選択されるエポキシ樹脂を２種以上であっても、他のエポキシ樹脂との併用であっても構わない。

ここで、エポキシ樹脂の好ましいものは、下記一般式（１）〜（７）で表される化合物である。

一般式（１）〜（７）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は各々独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^５は水素原子またはアルキル基を表す。ｍ１〜ｍ７は各々独立に、０〜３の整数を表す。ｎは１〜２０の整数を表す。Ｘは−Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ_２−を表す。ここで、ＲａおよびＲｂは各々独立に、水素原子またはアルキル基を表す。

Ｒ^１〜Ｒ^５、ＲａおよびＲｂにおけるアルキル基は、炭素数１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましく、１が最も好ましい。例えば、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−ペンチル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ｎ−ノニルが挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４におけるアルコキシ基は、炭素数１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましく、１が最も好ましい。例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシが挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４におけるハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられる。
Ｒ^１〜Ｒ^４はアルキル基が好ましく、Ｒ^５は水素原子が好ましい。

ｍ１、ｍ４〜ｍ７は、０〜２の整数が好ましく、０または１がより好ましく、０が最も好ましい。
ｍ２は０〜２の整数が好ましく、０または１がより好ましい。

Ｘは、−Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）−、−ＳＯ_２−が好ましく、−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）−がより好ましく、−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−がさらに好ましい。

ここで、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、一般式（１）で表される化合物が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂は、一般式（４）で表される化合物が好ましく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂もしくはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂は一般式（２）で表される化合物が好ましく、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、一般式（３）で表される化合物が好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂は、一般式（５）で表される化合物が好ましく、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、一般式（６）で表される化合物が好ましく、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂は、一般式（７）で表される化合物が好ましい。
なお、フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、一般式（２）において、ｍ２が０である。一方、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、一般式（２）において、ｍ２が１であり、かつＲ^１がメチルである。

本発明では、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノールＡそのもののエポキシ樹脂は、一般式（１）において、Ｘが、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−であり、ｍ１が０である。またビスフェノールＦそのもののエポキシ樹脂は、一般式（１）において、Ｘが、−ＣＨ_２−であり、ｍ１が０である。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、例えば、ＤＩＣ（株）社製の商品名、ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０、三菱化学（株）社製の商品名、ｊＥＲ８２８ＥＬ、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＺＸ１０５９、エポトートＹＤ−１２８、ＹＤ−８１２５、ＹＤ−０１１、ＹＤ−８２５ＧＳが挙げられる。
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、例えば、ＤＩＣ（株）社製の商品名、ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−８３５ＬＶ、ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−８３０ＬＶ、ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０、ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ ８３５、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＹＤＦ−１７０、ＹＤＦ−８１７０、ＹＤＦ−２００１、ＹＤＦ−８７０ＧＳが挙げられ。

フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、例えば、三菱化学（株）社製の商品名、ｊＥＲ １５４、ｊＥＲ １５２、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＹＤＰＮ−６３８などが挙げられる。また、ベンゼン環に置換基を有するものとしては、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＹＳＬＶ−８０ＸＹが挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、例えば、ＤＩＣ（株）社製の商品名、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６６０、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６６５、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６７０、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６７３、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６８０、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−Ｎ−６９５、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＹＤＣＮ−７０１が挙げられる。

ナフタレン型エポキシ樹脂は、例えば、ＤＩＣ（株）社製の商品名、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４０３２、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４０３２Ｄ、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７００、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７７０が挙げられる。

フェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、例えば、三井化学（株）社製の商品名、ミレックスＸＬ−２２５ＭＢ、ミレックスＸＬ−３２５Ｍが挙げられる。
ビフェニル型エポキシ樹脂は、例えば、三菱化学（株）社製の商品名、ｊＥＲ ＹＸ４０００、ｊＥＲ ＹＸ４０００Ｈ、ｊＥＲ ＹＬ６１２１Ｈ、ｊＥＲ ＹＸ７３９９が挙げられる。

トリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、例えば、日本化薬（株）社製の商品名、ＥＰＰＮ５０１ＨＹが挙げられる。

ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂は、例えば、ＤＩＣ（株）社製の商品名、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００ＨＨが挙げられる。

接着剤層に含有するエポキシ樹脂は、該接着剤層を構成する固形分成分１００質量部に対し、４０〜８０質量部が好ましく、５０〜７０質量部がさらに好ましい。

（硬化剤）
本発明の接着剤層には、エポキシ樹脂と反応して硬化させる硬化剤が含まれる。
硬化剤の配合量は、本発明では、エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．００１〜３．０質量部であり、０．０１〜２．０質量部が好ましく、０．０５〜１．５質量部がより好ましく、０．１〜１．０質量部がさらに好ましい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するのであれば特に限定されるものではないが、例えば下記のような物質が挙げられる。以下の樹脂は、それぞれ単独で、もしくはそれぞれから選択された２種以上を併用してもよい。

（ｉ）フェノール系硬化剤
フェノール系硬化剤は、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ノボラック系硬化剤、フェノールノボラック系硬化剤、クレゾールノボラック系硬化剤、フェノールアラルキル系硬化剤、トリフェニルメタン型多官能フェノール系硬化剤、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物などを含めた各種多官能フェノール系硬化剤などを使用することができる。

例えば、ノボラック系硬化剤としては、前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂のグリシジル基（エポキシメチレン基）を水素原子に置き換えたものが好ましく、フェノールノボラック系硬化剤、クレゾールノボラック系硬化剤としては、前記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂のグリシジル基を水素原子に置き換えたものが好ましく、フェノールアラルキル系硬化剤としては、前記一般式（３）で表されるエポキシ樹脂のグリシジル基を水素原子に置き換えたものが好ましく、トリフェニルメタン型多官能フェノール系硬化剤としては、前記一般式（６）で表されるエポキシ樹脂のグリシジル基を水素原子に置き換えたものが好ましい。
また、前記一般式（４）、（７）で表される各エポキシ樹脂のグリシジル基を水素原子に置き換えたものも好ましい。

フェノール系硬化剤の具体例としては、例えば、ビフェニル型硬化剤の商品名、ＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）社製）、ナフタレン型硬化剤の商品名、ＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）社製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（新日鐵化学（株）社製）、ＥＸＢ９５００（ＤＩＣ（株）社製）、フェノールノボラック型硬化剤の商品名、ＴＤ２０９０（ＤＩＣ（株）製）、ナフチレンエーテル型硬化剤の商品名、ＥＸＢ−６０００（ＤＩＣ（株）社製）、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の商品名、ＬＡ３０１８、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ１３５６（ＤＩＣ（株）社製）等が挙げられる。

フェノール系硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から０．４〜１．５質量部に設定することが望ましい。より好ましくは０．５〜１．０質量部である。０．４質量部より少ないと、硬化性が低下し、接着力が低下する傾向にあり、１．５質量部を超えると、未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存し、吸水率が高くなり、絶縁信頼性が低下する傾向にある。

なお、接着剤層にフェノール系硬化剤を含む場合、フェノール性水酸基が酸化膜を除去するフラックス活性を示し、接続性、信頼性を向上させることができる。

（ｉｉ）酸無水物
酸無水物としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。
本発明では、カルボン酸の二無水物が好ましく、芳香族カルボン酸の二無水物がより好ましい。

酸無水物の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から０．１５〜３．０質量部に設定することが望ましい。より好ましくは０．４〜２．０質量部であり、さらに好ましくは０．５〜１．０質量部である。配合量が０．１５質量部より少ないと、硬化性が低下し、接着力が低下する傾向にあり、３．０質量部を超えると、未反応の酸無水物が過剰に残存し、吸水率が高くなり、絶縁信頼性が低下する傾向にある。

なお、接着剤層に酸無水物を含む場合、酸無水物が酸化膜を除去するフラックス活性を示し、接続性、信頼性を向上させることができる。

（ｉｉｉ）アミン化合物
アミン化合物としては、例えば、アンモニアの水素原子を炭化水素基で１つ以上置換した化合物を用いることができ、ヘキサメチレンテトラミン、ジシアンジアミド等を使用することができる。

アミン化合物の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から０．２〜２．０質量部に設定することが望ましい。より好ましくは０．５〜１．０質量部である。配合量が０．２質量部より少ないと、硬化性が低下し、接着力が低下する傾向にあり、２．０質量部を超えると、未反応のアミンが過剰に残存し、絶縁信頼性が低下する傾向にある。

なお、接着剤層にアミン化合物を含む場合、アミン化合物が酸化膜を除去するフラックス活性を示し、接続性、信頼性を向上させることができる。

（ｉｖ）イミダゾール類
イミダゾール類としては、例えば、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体などが挙げられる。

これらの中でも、硬化性や保存安定性、接続信頼性の観点から、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。さらに、上記のイミダゾール類の、類似構造（例えば、置換基が異なるもの等）で液状のものを用いてもよい。

上記のイミダゾール類は単独または２種以上を併用してもよい。また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めたものを用いてもよい。

イミダゾール類の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．００１〜０．５質量部が好ましく、０．００２〜０．３質量部がより好ましい。この配合量が０．００１質量部より少ない場合には、硬化性が低下する傾向にあり、０．５質量部を超える場合には、金属−金属の接続部が形成される前に硬化してしまい、接続不良が発生しやすくなる傾向にある。

（ｖ）ホスフィン類
ホスフィン類としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート、テトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレートなどが挙げられる。これらは単独または２種以上を併用してもよい。

ホスフィン類の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．００２〜０．５質量部が好ましく、０．００３〜０．０５質量部がより好ましい。この配合量が０．００２質量部より少ない場合には、硬化性が低下する傾向にあり、０．５質量部を超える場合には、金属−金属の接続部が形成される前に硬化してしまい、接続不良が発生しやすくなる傾向にある。

（硬化促進剤）
硬化促進剤は、１２０℃以上の融点を有し、かつ活性領域が１２０℃以上であるホスフィン類を含むものである。該硬化促進剤は、１２０〜４００℃の融点を有し、１２０〜４００℃に活性領域を有するものであることが好ましく、１２０〜３５０℃の融点を有し、かつ１２０〜３００℃に活性領域を有するものであることがより好ましい。すなわち、活性領域の温度範囲の下限が１２０℃以上であり、活性領域の温度範囲の上限が４００℃以下であることが好ましい。融点および／または活性領域が４００℃を超える場合、半導体チップ実装時のフィルム状接着剤の硬化反応が十分に進行しない傾向がある。

なお、活性領域とは、エポキシ樹脂と硬化促進剤とを混ぜ合わせ、昇温した時の発熱ピーク温度（最も発熱量が高い温度）であり、例えば、示差走査熱量計（ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製、商品名：ＤＳＣ−７型、昇温速度：１０℃／分）によって測定することができる。１２０〜４００℃に活性領域を有するものは、半導体チップの実装時の温度領域において優れた硬化促進能力を発揮するため、一層優れた接続安定性を有する半導体装置を製造することができる。

このようなホスフィン類しては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート、テトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレート、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボラートが挙げられる。これらの中でも、保存安全性に優れ、融点が高く、活性領域が高温であることから、これらのなかでも、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが好ましい。また、ホスフィン類として、上記のホスフィン系化合物をマイクロカプセル化して潜在性を高めたものを用いてもよい。
ホスフィン類は１種を単独または２種以上を組み合わせて用いてもよい。

硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．００１〜０．１質量部が好ましく、０．００１〜０．０５質量部がより好ましく、０．００１〜０．０３質量部がさらに好ましい。配合量が０．００１質量部未満の場合、十分優れた硬化性が損なわれる傾向があり、０．１質量部を超える場合、金−スズ共晶による接続部が形成される前にフィルム状接着剤が硬化して接続不良の発生を十分に抑制し難くなる傾向がある。

（高分子化合物）
本発明の接着剤層は、高分子化合物を含有することができる。フィルム形成性を向上させる観点からは、高分子化合物の重量平均分子量は１０，０００以上が好ましいが、本発明では、反応開始温度よりも低い温度でも溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下となるように、重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００が好ましく、１５，０００〜８００，０００がより好ましい。

高分子化合物の重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフィー（例えば、島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量を指す。

高分子化合物としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。
本発明では、これらのなかでも、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびアクリルゴムが好ましい。

（フェノキシ樹脂）
フェノキシ樹脂としては、ビスフェノール骨格（ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格など）、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。

このうち、本発明では、ビスフェノール骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂がより好ましい。

なかでも、ビスフェノールもしくはビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂は、下記一般式（Ｐ１）で表されるフェノキシ樹脂が好ましい。

ここで、ＲｘおよびＲｙは各々独立に、水素原子またはグリシジル基を表す。Ｌは単結合または前記一般式（１）におけるＸと同じ基を表す。Ｒ^１およびｍ１は前記一般式（１）におけるＲ^１およびｍ１と同義であり、好ましい範囲も同じである。ａは一般式（Ｐ１）で表されるフェノキシ樹脂の重量平均分子量が１０，０００以上となる繰り返し数であり、重量平均分子量が１５，０００〜８００，０００となる繰り返し数であることが好ましい。
また、ＬがＸと同じ基の場合、前記一般式（１）におけるＸと同義であり、好ましい範囲も同じである。

フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂は、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンと、各種ビスフェノールのジグリシジルエーテルまたは／および各種ビフェノールのジグリシジルエーテルとの反応で得られるフェノキシ樹脂が好ましく、各種ビスフェノールのジグリシジルエーテルは、前記一般式（１）で表される化合物が好ましく、ビフェノールのジグリシジルエーテルは前記一般式（５）で表される化合物が好ましい。なかでも、本発明では、ビフェノールのジグリシジルエーテルとの反応で得られるフェノキシ樹脂が好ましく、２，２’，６，６’−テトラメチル−４，４’−ビフェノールジグリシジルエーテルとの反応で得られるフェノキシ樹脂が特に好ましい。

フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独または２種以上を併用してもよい。

フェノキシ樹脂は、例えば、東都化成（株）製の商品名、ＦＸ２８０、ＦＸ２９３、ＦＸ２９３Ｓ（フルオレン骨格含有フェノキシ樹脂）、三菱化学（株）製の商品名、ｊＰＥ １２５６、ｊＰＥ ４２５０、新日鐵化学（株）社製の商品名、ＹＰ−５０、ＹＰ−５０Ｓ（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、三菱化学（株）製の商品名、ＹＸ８１００（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、三菱化学（株）製の商品名、ＹＸ６９５４（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）、三菱化学（株）製の商品名、ＹＬ７５５３、ＹＬ６７９４、ＹＬ７２１３、ＹＬ７２９０、ＹＬ７４８２等が挙げられる。

（ポリイミド樹脂）
ポリイミド樹脂は、合成原料として、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物で得ることができるポリイミド樹脂が好ましい。

テトラカルボン酸二無水物としては特に制限はなく、例えば、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット酸二無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。

これらのうち、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物が好ましい。
テトラカルボン酸二無水物は、１種または２種以上を併用することもできる。

一方、ジアミン化合物としては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４，−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどが挙げられる。

ジアミン化合物は、なかでも芳香族ジアミン化合物が好ましく、ビス（アミノフェニル）構造〔好ましくは、ビス（ｍ−アミノフェニル）構造〕が好ましく、フッ素原子が置換されたものが好ましい。特に、３，３’−ジアミノフェニルメタン、３，３−ジアミノフェニルジフルオロメタンが好ましい。

ポリイミド樹脂は、新日本理化（株）社製の商品名、リカコートＳＮ２０、リカコートＰＮ２０、リカコートＥＮ２０が挙げられる。さらに、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物および四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報および特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。

（アクリルゴム）
アクリルゴムは、モノマー成分に、（メタ）アクリル酸エステルおよびアクリロニトリルを含むものが好ましく、（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ドデシルなどのアルコール部分が炭素数１〜１２の脂肪族アルコールが好ましい。
なお、アクリロニトリルは全モノマー成分総モル中、５〜５０モル％が好ましく、１０〜３０モル％がより好ましい。

本発明では、高分子化合物の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対し、０〜５０質量部であり、１０〜５０質量部が好ましく、２０〜４０質量部がより好ましく、２０〜３０質量部がさらに好ましい。配合量が５０質量部を超える場合、バンプ電極によるフィルム貫通性が悪化する。

（無機フィラー）
接着剤層は無機フィラーを含有してもよい。
無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性を有していればよく、例えば、窒素化合物（窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化炭素、窒化チタンなど）、炭素化合物（炭化ケイ素、炭化フッ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステン、ダイヤモンドなど）、金属酸化物（シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウムなど）などが挙げられる。

無機フィラーの平均粒径は１μｍ未満が好ましく、より好ましくは０．７μｍ未満、さらに好ましくは０．５μｍ未満である。無機フィラーの粒径の下限に特に制限はないが、０．００３μｍ以上であるのが実際的である。平均粒径が大きいと接着面の表面に凹凸が生じ、接着性が低下する。

本発明では、無機フィラーの添加量は、樹脂成分、特にエポキシ樹脂１００質量部に対し、０〜６０質量部であり、好ましくは０〜５０質量部であり、より好ましくは０〜３０質量部である。なお、無機フィラーを使用する場合は、添加量の下限は１質量部が好ましい。ここで、無機フィラーの添加量が多いと流動性が低下し、接着性が下がる。

接着剤層の厚みは、特に制限されるものではないが、埋め込む対象となるバンプの高さによって適宜選択することができる。例えば、バンプの高さから１０〜２０μｍ程度薄ければ好ましく使用することができる。

＜＜半導体チップの製造方法＞＞
本発明の半導体チップは、前述の半導体ウェハの該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープチップを使用することで、製造される。
具体的には、分割予定の領域にレーザー光を照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成する工程、該改質層が形成されたて半導体ウェハ上に、前述の本発明の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを使用して、該表面保護テープの接着剤層側で貼り合せる工程、および該半導体ウェハの該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合せた面と反対側を研削する研削工程を含み、半導体ウェハのチップ化を、該研削工程中に行うか、または該研削工程後に行うことで製造できる。

以下、図を用いて説明することで、より好ましい本発明の半導体チップの製造方法を説明する。各図において同一の符号は同一の部材を示す。
半導体チップの製造方法には、ピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法がある。

図１は、本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半を模式的に示すものであり、上記のピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法のいずれにも共通するプロセスの前半である。

図２はピックアップテープに転写するプロセスを経る方法における図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例であり、図３はピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法における図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例である。

（１）分割予定の領域にレーザー（７）を照射して半導体ウェハ内部に改質層（２）を形成する工程
半導体ウェハ（１）を半導体チップに分割するために、半導体ウェハの分割予定部分にレーザー光を照射して、多光子吸収によって改質領域〔クラック領域とも称し、改質層（２）において、実際に改質されている部分であり、破線で示した改質部（２Ａ）〕を半導体ウェハ内部に形成するステップである。

レーザー光の照射によって、多光子吸収による光学的損傷という現象が発生し、この光学的損傷により半導体ウェハの内部に熱ひずみが誘起され、これにより半導体ウェハの内部に改質層（２）が形成される。なお、改質層（２）ではその周囲の改質されていない部分よりも強度が低い。
照射するレーザー光（レーザー光線）としては、パルスレーザー光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等がある。

改質層（２）の厚さは、２０〜４０μｍが好ましい。また、改質層（２）は、例えば、最終研削厚みの半導体ウェハの裏面（１Ｂ）から１０μｍ〜５０μｍ上に設けるのが好ましい。改質部（２Ａ）が半導体チップに含まれる場合、その部分の抗折強度が落ちる可能性があるためである。また、最終研削厚みよりも上に改質層（２）が設けられることにより、その改質層（２）を研削した際の衝撃で半導体チップが分断することができる。

本発明では、以後に行う（３）の半導体ウェハの研削工程中に、半導体のチップ化（個片化）、すなわち、薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープに貼り付いたままの状態であるものの、チップ化が完了している。
このようにするには、レーザー光の照射条件による改質層の形成状態を調節や、研削工程で薄くした後の半導体ウェハの厚みの薄さの調整で行うことができる。

（２）薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープの貼り合せ工程
上記で形成された改質層（２）を有する半導体ウェハ上に、本発明の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを使用して、該表面保護テープの接着剤層（６）側で貼り合せる。
なお、薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープは半導体ウェハの改質層（２）を形成した側に貼る。

（３）半導体ウェハの研削工程
半導体ウェハの、薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を研削する。図中、８はグラインダー、９は裏面研削中の半導体ウェハである。
半導体ウェハの研削は、薄膜研削でも、本発明の目的とする効果が得られ、本発明では、半導体ウェハを、０を超え１００μｍ以下に研削する。研削後の半導体ウェハの厚みは、２５〜７５μｍが好ましく、２５〜５０μｍがより好ましい。
半導体ウェハのチップ化は、本発明では、この研削工程中に行うか、または該研削工程後に行うが、該研削工程中に、半導体ウェハのチップ化を行うのが好ましい。

（４）目的とする厚みに研削ができた状態で裏面研削を終了する。
図中、１０は裏面が研削された状態の半導体ウェハである。

上記の工程の後の工程は、ピックアップテープに転写する場合と、ピックアップテープへの転写を行わない場合によって、異なる。

〔ピックアップテープに転写する場合〕
（５−１）半導体ウェハの裏面（研削面）に、ピックアップテープ（１１）を貼り付け、リングフレーム（１２）に固定する工程
ピックアップテープ（１１）は、ピックアップ工程において良好なピックアップ性とエキスパンド性を求められるため、ダイシングテープを用いるのが好ましい。
ダイシングテープの粘着剤層の粘着剤には、ダイシングテープに用いられる一般的な粘着剤を用いることが可能であり、好ましくは、紫外線の照射により硬化する粘着剤を用いる。
リングフレーム（１２）は、一般的な半導体ウェハの処理工程において用いられるものを用いることができる。

（６−１）粘接着フィルム一体型表面保護テープの粘着テープ（３）〔基材フィルム（４）と粘着剤層（５）〕のみを剥離させ、接着フィルム（６）のみを半導体ウェハ表面に残す工程
図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着テープ（３）を剥離した状態を示した。

（７−１）ピックアップテープをエキスパンドする工程
エキスパンド方法には２つの方法があり、（７−１Ａ）接着フィルム（接着剤層）と半導体ウェハを分割する、あるいは、（７−１Ｂ）半導体ウェハのみ分割した後、接着フィルム（接着剤層）をレーザー（１４）により切断する。
上記（７−１Ａ）や（７−１Ｂ）のようにするには、エキスパンド条件を変更することで調整できる。
すなわち、接着フィルムをエキスパンド分割する場合（７−１Ａ）には、ある程度のエキスパンド量が必要であるため、通常よりもエキスパンド量を大きくすることで半導体チップと同時に分割することができる。一方、半導体チップのみのエキスパンドの場合（７−１Ｂ）は、半導体チップは剛体であるためエキスパンド量は小さくてもよい。このようにエキスパンド量を任意に調整することで、（７−１Ａ）や（７−１Ｂ）の状態にすることができる。
図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割された半導体ウェハを示す。また、１１Ａはエキスパンドされたピックアップテープを、１３はエキスパンダーを示す。

（８−１）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）のピックアップ工程
個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々の半導体チップ（１７）を接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、１５はピックアップ用ニードルを、１６はピックアップ用コレットを示す。半導体チップ（１７）は、エキスパンドされたピックアップテープ（１１Ａ）から剥離されてピックアップされる。

〔ピックアップテープへの転写を行わない場合〕
（５−２）粘接着フィルム一体型表面保護テープ面の基材フィルム（４）側に固定用テープ（２１）を貼り付け、リングフレーム（２２）に固定する工程
ここで、固定用テープ（２１）は、上記のダイシングテープ〔ピックアップテープ（１１）〕と実質同じものである。

（６−２）固定用テープ（２１）をエキスパンドする工程
この時、粘着フィルム（３）上で、接着フィルム（接着剤層）（６）と半導体ウェハ（１）とが両方とも分割される。
エキスパンドは速度０．５〜５ｍｍ／秒、エキスパンド量５〜２０ｍｍが好ましい。
図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割された半導体ウェハを示す。また、２１Ａはエキスパンドされた固定用テープを、２３はエキスパンダーを示す。

（７−２）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）のピックアップ工程
個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々の半導体チップ（２７）を接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、２５はピックアップ用ニードルを、２６はピックアップ用コレットを示す。半導体チップ（２７）は、粘着テープ（３）から接着フィルム（接着剤層）（６）が剥離されてピックアップされる。図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着剤層（５）から半導体チップ（２７）を剥離する様子を示した。

このように、本発明の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを使用した半導体チップの製造方法は、１００μｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を２００μｍ厚以下の薄膜に研削、特に５０μｍｍ以下の高さのバンプが付いたバンプ付ウェハ回路基板を、０を超え１００μｍ厚以下の薄膜に研削するのに有効である。
なお、バンプの高さの下限は、現実的には１０μｍ以上である。
しかも、フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う際、アンダーフィルやＮＣＰの塗布工程を経ることなく、高精度でかつ簡便に半導体チップが製造できる。

また、接着フィルムと粘着テープが一体となった粘接着フィルム一体型の表面保護テープを使用して、半導体ウェハの裏面研削をすることで薄膜化とチップ化を一括で行い、転写用のピックアップテープへの貼合やピックアップする際に接着フィルムのみを半導体チップに接着して転写またはピックアップするため、容易にフリップチップ実装することができ、従来の工程に比べて実装信頼性の向上および工程の短縮化が可能となる。

以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。

（１）粘着テープの製造方法
ブチルアクリレートを７０ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１９ｍｏｌ％、メタクリル酸を１ｍｏｌ％配合し、酢酸エチル溶液中で共重合させることにより重量平均分子量６０万のアクリルポリマー溶液を得た。このポリマー１００質量部に対して２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名、昭和電工株式会社製カレンズＭＯＩ）５．０質量部を加え、この溶液中で反応させてコポリマー側鎖のヒドロキシル基に前記イソシアネートに由来する二重結合含有基を付加させることで二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマーを合成した。

この二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマー１００質量部に、硬化剤としてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を２．１質量部、光反応開始剤としてイルガキュア１８４（商品名、ＢＡＳＦ社製）を５．０質量部配合し、粘着剤組成物を得た。

得られた粘着剤組成物を粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、エチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡ）をフィルム化した厚さ１００μｍの基材フィルムに貼り合わせて粘着テープを得た。

実施例１
（Ｉ）薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープの作製
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンと２，２’，６，６’−テトラメチル−４，４’−ビフェノールジグリシジルエーテルをＮ−メチルピロリドン中に溶解し、溶液中に炭酸カリウムを加えて１１０℃で３時間攪拌した後、多量のメタノール中に滴下することによって生成した沈殿物をろ取することによってフェノキシ樹脂の高分子化合物を得た（重量平均分子量：４５０，０００）。

ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＤＩＣ（株）社製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０）４０質量部、ビスフェノールＦグリシジルエーテル（ＤＩＣ（株）社製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−８３５ＬＶ）４０質量部およびトリフェニルメタンエポキシ（日本化薬（株）社製、商品名；ＥＰＰＮ ５０１ＨＹ）２０質量部を混合して得たエポキシ混合物１００質量部に対し、硬化剤として２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業（株）社製、商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）を０．１質量部配合し、さらに前記高分子化合物３０質量部、無機フィラーとして平均粒径０．５μｍのシリカ粒子（株式会社アドマテックス製、商品名；ＳＯ−Ｅ２）３５質量部をこの溶液中で配合し接着剤組成物を得た。
得られた接着組成物を、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように剥離フィルム上に塗工し、前記粘着テープの粘着剤側と貼り合わせることで薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例２
実施例１において、エポキシ混合物をビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）社製、商品名；ｊＥＲ ＹＸ４０００）１００質量部、前記フェノキシ樹脂の高分子化合物の重量平均分子量を２０，０００とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例３
実施例１において、エポキシ混合物をビスフェノールＦグリシジルエーテル（ＤＩＣ（株）社製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ-８３５ＬＶ）１００質量部、高分子化合物をフェノキシ樹脂（三菱化学（株）社製、商品名；ｊＰＥ １２５６、重量平均分子量５０，０００）２０質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例４
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（住友化学（株）社製、商品名；ＥＳＣＮ−１００Ｔ）１００質量部に対し、硬化剤としてベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を０．８質量部、高分子化合物としてフェノキシ樹脂１０質量部（新日鐵化学（株）社製、商品名；ＹＰ−５０Ｓ、重量平均分子量６０，０００）を配合して接着組成物を作製した。得られた接着組成物を、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように剥離フィルム上に塗工し、前記粘着テープの粘着剤と貼り合わせることで薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例５
実施例１において、高分子化合物を、酢酸エチルおよびトルエンの混合溶液（容量比１：１）中で、ブチルアクリレートを５０ｍｏｌ％、エチルアクリレートを３０ｍｏｌ％、アクリロニトリル２０ｍｏｌ％を共重合させることで得られたアクリルゴム（重量平均分子量７５０，０００）２０質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例６
ナフタレン骨格を持つエポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）社製、商品名；ＨＰ４０３２）１００質量部に対して、硬化剤としてフェノールノボラック（ＤＩＣ製、商品名；ＴＤ２０９０）を０．５質量部、高分子化合物として実施例５で使用したアクリルゴム２０質量部（重量平均分子量７５０，０００）を配合して接着組成物を作製した。得られた接着組成物を、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように剥離フィルム上に塗工し、前記粘着テープの粘着剤と貼り合わせることで薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例７
フェノールノボラック構造を持つエポキシ樹脂（三菱化学（株）社製、商品名；ｊＥＲ １５４）１００質量部に対して、硬化剤としてヘキサメチレンテトラミンを０．８質量部、高分子化合物として実施例５で使用したアクリルゴム２０質量部（重量平均分子量７５０，０００）を配合して接着組成物を作製した。得られた接着組成物を、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように剥離フィルム上に塗工し、前記粘着テープの粘着剤と貼り合わせることで薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例８
実施例１において、エポキシ混合物をフェノールアラルキル型エポキシ樹脂／（三井化学（株）社製、商品名；ミレックス ＸＬ２２５ＭＢ）１００質量部、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物４０質量部と３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン６０質量部からなる高分子化合物をポリイミド樹脂（重量平均分子量２０，０００）とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

実施例９
実施例１において、エポキシ混合物をジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(ＤＩＣ製、商品名；ＨＰ−７２００）１００質量部、硬化剤を２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業（株）社製、商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）０．２質量部、高分子化合物をフェノキシ樹脂（三菱化学（株）社製、商品名；ｊＰＥ １２５６、重量平均分子量５０，０００）２０質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

比較例１
実施例１において、前記無機フィラーの配合量を１００質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

比較例２
実施例１において、前記硬化剤の配合量を５質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

比較例３
実施例９において、前記高分子化合物の配合量を１００質量部とした以外は、実施例９と同様の方法で薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを得た。

研削評価
（ＩＩ）半導体チップの製造
図１および図２のプロセスで半導体チップを作製した。
（１）ＤＡＬ７３６０（商品名、株式会社ディスコ製のステルスダイシング装置）を用いて半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）からレーザー光（７）を照射し、直径３００ｍｍ（約１２インチ）のバンプ付ウェハに改質層（２）を形成した。バンプの大きさ、ピッチは以下である。

バンプ高さ：８０μｍ、ピッチ：１６０μｍ、バンプの種類：ソルダー
改質層｛改質部（２Ａ）｝の厚さ：３０μｍ

（２）半導体ウェハの改質層を設けた表面（１Ａ）に、上記で作製した薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを接着層（６）側で貼り合わせた。
（３）半導体ウェハの、薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を、ＤＧＰ８７６１（商品名、株式会社ディスコ製の裏面研削装置）を用いて、研削後の厚み７５μｍまで研削した。研削後に半導体チップが改質層に沿って分断され、かつ半導体チップの破損がないものを○、分断はされているが半導体チップに破損があるものを×とした。

バンプ貫通性
以下のようにして、下記のバンプウェハに対し、バンプ貫通性を評価した。

バンプ高さ：８０μｍ、ピッチ：１６０μｍ、バンプの種類：ソルダー
改質層｛改質部（２Ａ）｝の厚さ：３０μｍ

上記のバンプウェハに対して、実施例および比較例の各薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを接着層（６）側で貼り合わせた後、粘着テープ〔基材フィルム（４）および粘着剤層（５）〕（３）のみを剥離して接着フィルム（６）を露出させた状態とした。接着フィルム（６）の表面を顕微鏡で観察し、その表面にバンプが接着フィルム（６）から付き出ることなく、しかも接着フィルム内に収まっていることが確認できるものをバンプ貫通性が×、バンプが接着フィルム（６）の表面から確認できないものを○とした。

得られた結果を下記表１にまとめて示す。

上記表１から、本発明のエポキシ樹脂を含み、該エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部である実施例１〜９は、いずれも薄膜研削性とバンプ貫通性のいずれも優れるのに対し、無機フィラーの配合量が多い比較例１、硬化剤の配合量が多い比較例２は、バンプ貫通性に劣り、高分子化合物の配合量の多い比較例３は、薄膜研削性に劣った。

１ 半導体ウェハ
１Ａ 半導体ウェハ表面
１Ｂ 半導体ウェハ裏面
２ 改質層
２Ａ 改質部
３ 粘着テープ
４ 基材フィルム
５ 粘着剤層
６ 接着剤層（接着フィルム）
６Ａ 分割された接着剤層（接着フィルム）
７ レーザー（改質層形成用）
８ グラインダー
９ 裏面研削中の半導体ウェハ
１０ 裏面が研削された状態の半導体ウェハ
１０Ａ 分割された半導体ウェハ
１１ ピックアップテープ
１１Ａ エキスパンドされたピックアップテープ
１２ リングフレーム
１３ エキスパンダー
１４ レーザー（接着フィルム切断用）
１５ ピックアップ用ニードル
１６ ピックアップ用コレット
１７ 個片化された接着剤付チップ
２１ 固定用テープ
２１Ａ エキスパンドされた固定用テープ
２２ リングフレーム
２３ エキスパンダー
２５ ピックアップ用ニードル
２６ ピックアップ用コレット
２７ 個片化された接着剤付チップ

Claims (6)

1. 基材上に設けられた粘着剤から構成される半導体加工用粘着テープ上に、フリップチップ接続に用いる接着フィルムを備えた薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープであって、
   前記接着フィルムが、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型およびジシクロペンタジエン型からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含み、かつ、
   前記エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部であることを特徴とする薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
2. 前記硬化剤が、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物およびイミダゾール化合物から選択されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
3. 前記高分子化合物が、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびアクリルゴムから選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
4. チップを個片化する前に、チップ分割予定の領域にレーザー光を照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成された該半導体ウェハの裏面研削工程で、同時にチップ分断される工程に使用されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープ。
5. チップ分割予定の領域にレーザー光を照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成する工程、該改質層が形成されたて半導体ウェハ上に薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープの接着剤層側で、該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合せる工程、および該半導体ウェハの該薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープを貼り合せた面と反対側を研削する研削工程を含み、半導体ウェハのチップ化を、該研削工程中に行うか、または該研削工程後に行う半導体チップの製造方法であって、
   前記薄膜研削用粘接着フィルム一体型表面保護テープが、基材上に設けられた粘着剤から構成される半導体加工用粘着テープ上に、フリップチップ接続に用いる接着フィルムを備え、該接着フィルムが、ビスフェノール型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型およびジシクロペンタジエン型からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含み、かつ、
   前記エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤の配合量が０．００１〜３．０質量部、重合平均分子量１０，０００以上の高分子化合物の配合量が０〜５０質量部、無機フィラーの配合量が０〜６０質量部であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
6. 前記チップ化を、前記研削工程中に同時に行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体チップの製造方法。

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