JP5237647B2

JP5237647B2 - 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法

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Publication number: JP5237647B2
Application number: JP2008014899A
Authority: JP
Inventors: 尚哉佐伯; 恵美中島; 弘憲賤機
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2008-01-25
Filing date: 2008-01-25
Publication date: 2013-07-17
Anticipated expiration: 2028-01-25
Also published as: JP2009173796A

Description

本発明は、半導体素子（半導体チップ）を有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程およびシリコンウエハ等をダイシングし且つ半導体チップを有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程で使用するのに特に適した粘接着剤組成物、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートおよび該粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。

シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。

これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用粘接着シートが種々提案されている（たとえば、特許文献１〜５）。

特許文献１〜５には、特定の組成物よりなる粘接着剤層と、基材とからなる粘接着シートが開示されている。この粘接着剤層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機能を有し、さらにエネルギー線照射により接着力が低下し基材との間の接着力がコントロールできるため、ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、粘接着剤層は、チップとともに剥離する。粘接着剤層を伴ったＩＣチップを基板に載置し、加熱すると、粘接着剤層中の熱硬化性樹脂が接着力を発現し、ＩＣチップと基板との接着が完了する。

上記特許文献に開示されている粘接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。上記特許文献１〜４に開示されている粘接着剤は、エネルギー線硬化性成分として、低分子量のエネルギー線硬化性化合物が配合されてなる。エネルギー線照射によって、エネルギー線硬化性化合物が重合硬化し、接着力が低下し、基材からの粘接着剤層の剥離が容易になる。また上記の粘接着シートの粘接着剤層は、エネルギー線硬化および熱硬化を経たダイボンド後には全ての成分が硬化し、チップと基板とを強固に接着する。

ところで、近年、半導体装置に対する要求物性は、非常に厳しいものとなっている。たとえば、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性が求められている。しかし、半導体チップ自体が薄型化した結果、チップの強度が低下し、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性は十分なものとは言えなくなってきた。

上記特許文献１〜４に開示されている粘接着剤は、エネルギー線硬化性成分として、低分子量のエネルギー線硬化性化合物が使用されているが、このような低分子量のエネルギー線硬化性化合物は、その配合割合や分散状態あるいは硬化条件によっては、剪断強度不足のため熱湿環境下で界面破壊を起こしやすくなり、チップとプリント配線基板などの被着体との接着性を低下させてしまう。このため、厳格化しつつある半導体パッケージは信頼性において要求レベルを満たすことが出来ないことがあった。

一方、上記特許文献５に開示されている粘接着剤には、側鎖にエネルギー線重合性不飽和基を有する分子量100,000以上のエネルギー線硬化型共重合体が使用されているが、こ
の粘接着剤も、厳格化しつつある半導体パッケージは信頼性において要求レベルを満たすことが出来ないことがあった。

また近年電子部品の接続において行われている表面実装法ではパッケージ全体が半田融点以上の高温化にさらされる表面実装法（リフロー）が行われている。最近では環境への配慮から鉛を含まない半田への移行により実装温度が従来の２４０℃から２６０℃へと上昇し、半導体パッケージ内部で発生する応力が大きくなり、パッケージクラック発生の危険性はさらに高くなっている。

すなわち、半導体チップの薄型化および実装温度の上昇が、パッケージの信頼性低下を招いている。
特開平２−３２１８１号公報特開平８−２３９６３６号公報特開平１０−８００１号公報特開２０００−１７２４６号公報特開平８−５３６５５号公報

このため、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を実現することが要求されている。

また、ダイシング・ダイボンディング用粘接着シートを用いてのウエハのダイシングには、従来は厚さが４０μｍ程度のダイシングブレードが用いられていたが、最近では、小さくかつ寸法精度の高いチップを得るために、従来よりも薄いダイシングブレードを用いてダイシングを行なうことがある。しかしながら、カーフ幅が狭いため、切断された粘接着剤層同士が、ダイシング後に時間の経過と共に流動して再びくっ付いてしまい（癒着してしまい）、チップをピックアップする際に隣接するチップもピックアップされてしまう場合があることがわかった。

本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであって、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、薄いダイシングブレードを用いてダイシングした場合であっても粘接着剤層同士が癒着することなく、かつ厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートおよびこの粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）重量平均分子量が３万〜２００万であって、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）、不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含む粘接着剤組成物。
（２）上記アクリル重合体（Ａ）が有する不飽和炭化水素基が、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選択される上記（１）に記載の粘接着剤組成物。
（３）上記エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が有する不飽和炭化水素基が、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選択される上記（１）に記載の粘接着剤組成物。
（４）光重合開始剤（Ｄ）をさらに含む上記（１）〜（３）のいずれかに記載の粘接着剤組成物。
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が、基
材上に形成されてなる粘接着シート。
（６）上記（５）に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、上記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、上記ＩＣチップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、上記ＩＣチップをダイパッド部上に上記粘接着剤層を介して熱圧着する工程を含み、半導体ウエハの貼着後、ＩＣチップの剥離前の何れかの段階で粘接着剤層にエネルギー線照射する工程を含む半導体装置の製造方法。

本発明によれば、特に、上記アクリル重合体（Ａ）および上記エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が用いられていることから、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、薄いダイシングブレードを用いてダイシングした場合であっても粘接着剤層同士が癒着することなく、かつ厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートおよびこの粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘接着剤組成物（以下、単に「粘接着剤」ともいう。）は、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）（以下「（Ａ）成分」とも言う。他の成分についても同様である。）、不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）（以下「化合物（Ｂ）」または「（Ｂ）成分」とも言う。）および熱硬化剤（Ｃ）を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じ、他の成分を含んでいても良い。以下、これら各成分について具体的に説明する。

（Ａ）不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体；
上記不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）は、側鎖に不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体である。

上記不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）としては、エネルギー線硬化性を有するものが好ましく、紫外線硬化型のものがより好ましい。上記不飽和炭化水素基の具体的な例としてはビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルアミド基、メタクリロイルアミド基などが挙げられ、好ましくはアクリロイル基およびメタクリロイル基が挙げられる。不飽和炭化水素基を有することで、後述する不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂との相溶性を向上させる効果が得られる。また、光重合開始剤を併用した場合には、容易に不飽和炭化水素基を重合することができ、例えばダイシング時のチップクラックの低減を行うことができる。

不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量は３万以上200万以
下であり、10万以上150万以下であることがより望ましい。不飽和炭化水素基を有するア
クリル重合体（Ａ）の重量平均分子量が上記範囲よりも低過ぎると、基材との粘着力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがあり、200万を超えると基板凹凸へ粘接着剤層
が追従できないことがありボイドなどの発生要因になる。

なお、本発明における重量平均分子量の値は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）により、後述する実施例での測定条件下で測定される値である。

不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度は、好ましくは−１０℃以上５０℃以下、さらに好ましくは０℃以上４０℃以下、特に好ましくは０℃以上３０℃以下の範囲にある。ガラス転移温度が低過ぎると粘接着剤層と基材との剥離力が大き
くなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。

この不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）は、たとえば、官能基含有モノマー単位を有するアクリル重合体（ａ１）と、該官能基に反応する置換基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）とを反応させて得られる。

この官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシル基、エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基等の官能基を分子内に有するモノマーであり、好ましくはヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物が用いられる。

このような官能基含有モノマーのさらに具体的な例としては、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート等のヒドロキシル基含有（メタ）アクリレート；グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレート；2-アミノエチルアクリルアミド、2-アミノエチルメタクリルアミド等のアミノ基含有（メタ）アクリレート；アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有化合物が挙げられる。

上記の官能基含有モノマーは、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。アクリル重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体から導かれる構成単位とからなる。

（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、環状骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル（例えば（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレート等）が挙げられる。これらの中でも、特に好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、たとえばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２エチルヘキシル、メタクリル酸２エチルヘキシル等が用いられる。

アクリル重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体から導かれる構成単位を、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位１００重量部に対し通常１０〜２０００重量部、好ましくは１００〜１５００重量部、特に好ましくは６００〜１２００重量部の割合で含有している。

アクリル重合体（ａ１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体とを常法にて共重合することにより得られるが、これらモノマーの他にも、（メタ）アクリル酸エステルモノマー中に、５０重量％以下の割合で、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重合されていてもよい。

上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル重合体（ａ１）を、該官能基に反応する置換基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）と反応させることにより不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）が得られる。

不飽和基含有化合物（ａ２）には、アクリル重合体（ａ１）中の官能基と反応しうる置
換基が含まれている。この置換基は、上記官能基の種類により様々である。たとえば、官能基がヒドロキシル基またはカルボキシル基の場合、置換基としてはイソシアナート基、エポキシ基等が好ましく、官能基がエポキシ基の場合、置換基としてはヒドロキシル基、カルボキシル基等が好ましく、官能基がアミノ基または置換アミノ基の場合、置換基としてはイソシアナート基等が好ましい。このような置換基は、不飽和基含有化合物（ａ２）１分子毎に一つずつ含まれている。

また不飽和基含有化合物（ａ２）には、エネルギー線重合性炭素−炭素二重結合が、１分子毎に１〜５個、好ましくは１〜２個含まれている。このような不飽和基含有化合物（ａ２）の具体例としては、たとえばメタクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアナート、メタクリロイルイソシアナート、アリルイソシアナート；ジイソシアナート化合物またはポリイソシアナート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアナート化合物；ジイソシアナート化合物またはポリイソシアナート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアナート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマー１００当量に対して、通常３〜１００当量、好ましくは５〜９０当量、特に好ましくは８〜６０当量の割合で用いられる。

アクリル重合体（ａ１）と不飽和基含有化合物（ａ２）との反応は、通常は、室温程度の温度で、常圧にて、２４時間程度行なわれる。この反応は、例えば酢酸エチル等の溶液中で、ジブチル錫ラウレート等の触媒を用いて行なうことが好ましい。

この結果、アクリル重合体（ａ１）中の側鎖に存在する官能基と、不飽和基含有化合物（ａ２）中の置換基とが反応し、不飽和基がアクリル重合体（ａ１）中の側鎖に導入され、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）が得られる。この反応における官能基と置換基との反応率は、通常７０％以上、好ましくは８０％以上であり、未反応の官能基が不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）中に残留していてもよい。

本発明の粘接着剤組成物は、上記不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）の他に、本発明の効果が損なわれない範囲内で、不飽和炭化水素基を有さないアクリル重合体を含んでいても良い。この不飽和炭化水素基を有さないアクリル重合体としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。

（Ｂ）不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂；
化合物（Ｂ）は、１分子中に不飽和炭化水素基およびエポキシ基を有している。化合物（Ｂ）は、このように不飽和炭化水素基を有することから、不飽和炭化水素基を有さないエポキシ熱硬化性樹脂と比較して不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）との相溶性が高いと考えられるため、本発明の粘接着剤組成物は、エポキシ熱硬化性樹脂として不飽和炭化水素基を有さないエポキシ熱硬化性樹脂のみを含む粘接着剤組成物よりも信頼性が向上している。（Ａ）成分と（Ｂ）成分との相溶性が高いことによりアクリル重合体に有する不飽和炭化水素基とエポキシ系熱硬化性樹脂に有する不飽和炭化水素基との反応が均一に進み、安定した物性の硬化物が得られる。一方、相溶性が低いと特定の成分が分離して粘接着剤層から染み出すことがあり、これが切断された粘接着剤層同士の癒着につながる可能性がある。

上記不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂としてはエネルギー線硬化性を有するものが好ましく、紫外線硬化型のものがより好ましい。上記不飽和炭化水素基の具
体的な例としてはビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルアミド基、メタクリロイルアミド基などが挙げられ、好ましくはアクリロイル基およびメタクリロイル基が挙げられる。

以上の観点から、（Ａ）成分の不飽和炭化水素基および（Ｂ）成分の不飽和炭化水素基の両方がアクリロイル基およびメタクリロイル基から選択されることが特に好ましい。
化合物（Ｂ）としては、粘接着剤の熱硬化後の強度や耐熱性が向上するため、芳香環を有する樹脂が好ましい。

また、このような化合物（Ｂ）としては、たとえば、多官能のエポキシ系熱硬化性樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を含む基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、たとえば、エポキシ基へアクリル酸を付加反応させることにより合成できる。あるいは、エポキシ系熱硬化性樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を含む基が直接結合した化合物などが挙げられる。

ここで、化合物（Ｂ）としては、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの一部のエポキシ基へアクリル酸を付加反応させて得られる化合物（下記式（１））、変性ビスフェノールAエポキシ樹脂の一部のエポキシ基へアクリル酸を付加反応させて得られる化合物（
下記式（２））、クレゾールノボラックエポキシ樹脂の一部のエポキシ基へアクリル酸を付加反応させて得られる化合物（下記式（３））、あるいは後述するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）の一部のエポキシ基ヘアクリル酸を付加反応させて得られる化合物が挙げられる。

〔Ｒは、Ｈ−またはＣＨ₃−であり、
ｎは、０〜１０の整数である。〕

ｍは０〜１０の整数であり、ｎは０〜１０の整数であり、ｍ＋ｎは０〜２０の整数である。
（なお、ｍ個ある構造単位およびｎ個ある構造単位の配列は、特に限定されない。）〕

Ｒは、Ｈ−またはＣＨ₃−であり、
ｎは、０〜１０の整数である。〕
なお、エポキシ化合物とアクリル酸との反応により得られる化合物は、未反応物やエポキシ基が完全に消費された化合物との混合物となっている場合があるが、本発明においては、上記化合物が実質的に含まれているものであればよい。

化合物（Ｂ）の数平均分子量は、特に制限されないが、粘接着剤の硬化性や硬化後の強度や耐熱性の観点からは好ましくは３００〜３００００、さらに好ましくは４００〜１００００、特に好ましくは５００〜３０００である。また、該化合物（Ｂ）中の不飽和基の含有量は、該化合物（Ｂ）中のエポキシ基１００モルに対して０．１〜１０００モル、好ましくは１〜５００モル、さらに好ましくは１０〜４００モルであることが望ましい。０．１モル以下であるとパッケージ信頼性の向上の効果が無いことがあり、１０００モル以上であると熱硬化性が不十分となるおそれがある。

化合物（Ｂ）の量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して１〜１００００重量部、好ましくは５〜５０００重量部、さらに好ましくは１０〜１０００重量部であることが望ましい。１重量部以下であると熱硬化性が不十分となるおそれがあり、１００００重量部以上であると粘接着剤層が硬化後に脆くなるおそれがある。

（Ｃ）熱硬化剤；
熱硬化剤（Ｃ）としては、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。熱硬化剤（Ｃ）の具体的な例としては下記式（４）に示すノボラック型フェノール樹脂、下記式（５）で表されるジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、下記式（６）で表される多官能系フェノール樹脂等のフェノール性硬化剤、下記式（７）で表されるザイロック型フェノール樹脂や、DICY（ジシアンジアミド）などのアミン系硬化剤が挙げられる。これら硬化剤は、１種単独でまたは２種以上混合して使用することができる。

熱硬化剤（Ｃ）の使用量は、化合物（Ｂ）およびエポキシ樹脂（Ｅ）の合計１００重量部に対して、好ましくは０．１〜５００重量部であり、より好ましくは１〜２００重量部である。熱硬化剤（Ｃ）の量が過小であると、硬化不足で接着性が得られないことがあり
、過剰であれば吸湿率が高まりパッケージの信頼性を低下させることがある。

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
本発明に係る粘接着剤組成物は、上記不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）、化合物（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じて下記の成分を含んでいても良い。

（Ｄ）光重合開始剤；
本発明の粘接着剤組成物の使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、基材との接着力を低下させる。この際、該組成物中に光重合開始剤（Ｄ）を添加することで、重合硬化時間ならびに光線照射量（エネルギー線照射量）を少なくすることができる。

このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｄ）は1種類単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。

光重合開始剤（Ｄ）の配合割合は、理論的には、粘接着剤中に存在する不飽和結合量やその反応性および使用される光重合開始剤の反応性に基づいて、決定されるべきであるが、複雑な混合物系においては必ずしも容易ではない。光重合開始剤（Ｄ）を使用する場合には、一般的な指針として、光重合開始剤（Ｄ）は、化合物（Ｂ）および後述するエネルギー線重合性化合物（Ｊ）の100重量部に対して０．１〜１０重量部含まれることが望ま
しく、１〜５重量部がより好ましい。含量が上記範囲にあると、満足なピックアップ性が得られる。１０重量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、粘接着剤の硬化性が不十分となることがある。

（Ｅ）エポキシ系熱硬化性樹脂；
エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）は、化合物（Ｂ）と併用し、本発明の粘接着剤組成物の接着性や硬化性を調整するために用いることができる。上記エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）としては、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノ
ボラックエポキシ樹脂（下記式（８））、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（下記式（９））、ビフェニル型エポキシ樹脂もしくはビフェニル化合物（下記式（１０）、（１１））など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独
でもしくは2種類以上組み合わせて用いることが出来る。

化合物（Ｂ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）の合計の使用量は、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは１〜１５００重量部であり、より好ましくは３〜１０００重量部である。１重量部未満だと十分な接着性が得られないことがあり、１５００重量部を超えると基材との剥離力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがある。

エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）の含有量は、化合物（Ｂ）１００重量部に対して好ましくは１〜１０００重量部であり、より好ましくは１０〜５００重量部であり、さらに好ましくは２０〜２００重量部である。

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）

（但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基を表す。）
（Ｆ）硬化促進剤；
硬化促進剤（Ｆ）は、粘接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。好ましい硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基やアミン等との反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上混合して使用することができる。

硬化促進剤（Ｆ）は、化合物（Ｂ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）の合計１００重量部に対して０．００１〜１００重量部含まれることが好ましく、０．０１〜５０重量部がより好ましく、０．１〜１０重量部がさらに好ましい。

（Ｇ）カップリング剤；
カップリング剤は、粘接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させるために用いられる。また、カップリング剤を使用することで、粘接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。カップリング剤としては、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分等が有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。また市販品であれば、三菱化学（株）製のMKCシリケートMSEP2（商品名）、日本ユニカー（株）製のA-1110（商品名）などが挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上混合して使用することができる。

これらカップリング剤を使用する際には、化合物（Ｂ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｅ）の合計100重量部に対して通常0.1〜20重量部、好ましくは0.2〜10重量部、より好
ましくは0.3〜5重量部の割合で用いられる。0.1重量部未満だと効果が得られない可能性
があり、20重量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。

（Ｈ）架橋剤；
粘接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤としては有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物が挙げられる。

上記有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物が挙げられる。有機多価イソシアナート化合物のさらに具体的な例としては、たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシレンジイソシアナート、ジフェニルメタン−４，４'−ジイソシアナート、
ジフェニルメタン−２，４'−ジイソシアナート、３−メチルジフェニルメタンジイソシ
アナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−２，４'−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが挙げられる。また、有機多価イソシナート化合物としては、これらの多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等も挙げることができる。

上記有機多価イミン化合物の具体例としては、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、N,N'-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる
。

架橋剤（Ｈ）は不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．５〜３重
量部の比率で用いられる。

（Ｉ）無機充填材；
無機充填材を粘接着剤に配合することにより、熱膨張係数を調整することが可能となり、金属や有機樹脂からなる基板と異なる熱膨張係数を有する半導体チップに対し、硬化後の粘接着剤層の熱膨張係数を最適化することでパッケージの耐熱性を向上させることができる。また、粘接着剤層の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上混合して使用することができる。本発明においては、これらのなかでも、シリカ粉末、アルミナ粉末の使用が好ましい。

無機充填材の使用量は、本発明の粘接着剤組成物全体に対して、通常０〜８０重量％の範囲で調整が可能である。
（Ｊ）エネルギー線重合性化合物；
上記光重合開始剤（Ｄ）を使用する場合には、粘接着剤層には、エネルギー線重合性化合物（Ｊ）が配合されてもよい。エネルギー線重合性化合物（Ｊ）を化合物（Ｂ）とともにエネルギー線照射によって硬化させることで、粘接着剤層の粘着力を低下させることができるため、基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。

エネルギー線重合性化合物（Ｊ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物としては、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。

エネルギー線重合性化合物（Ｊ）を使用する場合は、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して通常１〜４０重量部、好ましくは３〜３０重量部、より好ましくは３〜２０重量部の割合で用いられる。４０重量部を超えると、有機基板やリードフレームに対する本発明の粘着材組成物の接着性を低下させることがある。

（その他の成分）
本発明の粘接着剤組成物には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。たとえば、硬化後の可とう性を保持するため可とう性成分を添加することができる。可とう性成分は、常温および加熱下で可とう性を有する成分であり、加熱やエネルギー線照射では実質的に硬化しないものが選択される。可とう性成分は、熱可塑性樹脂やエラストマーからなるポリマーであってもよいし、ポリマーのグラフト成分、ポリマーのブロック成分であってもよい。また、可とう性成分がエポキシ樹脂に予め変性された変性樹脂であってもよい。

さらに、粘接着剤組成物の各種添加剤としては、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料等を用いてもよい。
（粘接着剤組成物）
上記のような各成分からなる粘接着剤組成物は感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬
化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持し得る。

本発明に係る粘接着剤組成物は、上記各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えても良い。

（粘接着シート）
本発明に係る粘接着シートは、基材上に、上記粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が積層してなる。本発明に係る粘接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。

粘接着シートの基材としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、フッ素樹脂フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等の透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、上記の透明フィルムの他、これらを着色した不透明フィルム等を用いることができる。ただし、本発明の粘接着剤組成物をエネルギー線硬化させる場合には、本発明の粘接着シートは、その使用に際して、基材面側から紫外線等のエネルギー線照射を行うことがあるため、基材は使用するエネルギー線に対して透明であることが好ましい。

本発明に係る粘接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、粘接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。すなわち、粘接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の粘接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下であることが望ましい。下限値は、通常１ｍＮ／ｍ程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得るこ
とが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。

基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。

上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーター等により塗布して、常温または加熱あるいは電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。

基材の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
また、粘接着剤層の厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。

粘接着シートの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、粘接着剤層を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また粘接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、粘接着シートの使用前に、粘接着剤層を保護するために、粘接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。粘接着剤層の塗布方法としては、ロールコーター、ナイフコーター、ロールナイフコーター、ダイコーター、カーテンコーター等の公知の塗布装置を使用した方法を用いることができる。

また、粘接着剤層の表面外周部には、リングフレーム等のダイシング工程からダイボンド工程までウエハを固定する治具を、該治具上に前記粘着剤層の一部が残ることなく固定するための、他の粘着剤層や粘着テープが別途設けられていてもよい。

（粘接着シートの利用方法）
次に本発明に係る粘接着シートの利用方法について、該粘接着シートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、
本発明に係る粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、上記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、上記ＩＣチップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、上記ＩＣチップをダイパッド部上に上記粘接着剤層を介して熱圧着する工程、および半導体ウエハの貼着後、ＩＣチップの剥離前の何れかの段階で粘接着剤層にエネルギー線照射する工程を含んでいる。

本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず、本発明に係る粘接着シートをダイシング装置上に、リングフレームにより固定し、シリコンウエハの一方の面を粘接着シートの粘接着剤層上に載置し、軽く押圧し、ウエハを固定する。その後、粘接着剤層に、基材側からエネルギー線を照射し、粘接着剤層の凝集力を上げ、粘接着剤層と基材との間の接着力を低下させておく。照射されるエネルギー線としては、紫外線（ＵＶ）または電子線（ＥＢ）等が用いられ、好ましくは紫外線が用いられる。

次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のシリコンウエハを切断しＩＣチップを得る。この際の切断深さは、シリコンウエハの厚みと、粘接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。本発明によれば、ダイシングソーなどに装着するダイシングブレードが薄い（たとえば１５〜２５μｍ）ために粘接着剤層のカーフ幅が狭い（たとえば１５〜２５μｍ）場合であっても、切断された粘接着剤層同士が癒着せず、しかもパッケージが厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性が達成される。

なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後、ＩＣチップの剥離前のいずれの段階で行ってもよく、たとえばダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。さらにエネルギー線照射を複数回に分けて行ってもよい。

次いで、必要に応じ、粘接着シートのエキスパンドを行うと、ＩＣチップ間隔が拡張し、ＩＣチップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、粘接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、粘接着剤層と基材との間の接着力が減少し、チップのピックアップ性が向上する。

このようにしてＩＣチップのピックアップを行うと、切断された粘接着剤層をＩＣチップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。
次いで粘接着剤層を介してＩＣチップをダイパッド部に載置する。ダイパッド部はＩＣチップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０.１秒〜５分、好まし
くは０.５秒〜３分であり、チップマウント圧力は、通常１ｋＰａ〜２００ＭＰａである
。

ＩＣチップをダイパッド部にチップマウントした後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。

また、チップマウント後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、後工程で行われる樹脂封止での加熱を利用して粘接着剤層を硬化させてもよい。
このような工程を経ることで、粘接着剤層が硬化し、ＩＣチップとダイパッド部とを強固に接着することができる。粘接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、ダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。

すなわち、得られる実装品においては、チップの固着手段である粘接着剤が硬化し、かつダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれた構成となるため、過酷な条件下にあっても、十分なパッケージ信頼性とボード実装性が達成される。

なお、本発明の粘接着剤組成物および粘接着シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、各種測定・評価は次のように行った。

＜重量平均分子量＞
後述する各実施例または比較例に使用される高分子量成分の重量平均分子量の値は、以下の方法により測定した。

測定方法：ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）
装置：東ソー社製 GELPERMEATION CHROMATOGRAPH
カラム：東ソー社製 TSK-GEL GMHXL 7.8*300mm
溶媒：THF
濃度：1% （分子量100万を超え、溶解性が悪ければ〜0.1%程度まで希釈）
注入量：80μm
流速：1.0ml/min。

＜癒着性の評価＞
（１）半導体チップの製造；
＃2000研磨したシリコンウエハ（150mm径, 厚さ150μm）の研磨面に、実施例および比
較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製, Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製, Adwill RAD2000）を用いて基材面から紫外線を照射（350mW/cm², 190mJ/cm²）した。

次いで、ダイシング装置（株式会社ディスコ製, DFD651, ブレード：NBC-ZH103J-SE27H
CBB（厚さ：２０〜２５μｍ））を使用して、シリコンウエハを2mm×2mmのチップサイズ
にダイシングした。ダイシングの際の切り込み量については、基材を20μm切り込むよう
にした。

ダイシングされたシリコンウエハを３０℃で７日間放置した後、粘接着シートのエキスパンド量（引き落とし量）を３ｍｍに調整し、ダイボンダー（キャノンマシナリー株式会社製, BESTEM-D02）を用いてチップをピックアップした。この際、切断された接着剤層同士が再びくっ付いたことによって隣接するチップも同時にピックアップされてしまう現象の有無を確認した。100個のチップに対してピックアップを行い、この現象が発生しなか
った回数を数えた。

＜表面実装性の評価＞
（１）半導体チップの製造；
＃2000研磨したシリコンウエハ（150mm径, 厚さ150μm）の研磨面に、実施例および比
較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製, Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リン
テック社製, Adwill RAD2000)を用いて基材面から紫外線を照射（350mW/cm², 190mJ/cm²
）した。

次いで、ダイシング装置（株式会社ディスコ製, DFD651）を使用して8mm×8mmのチップサイズにダイシングした。ダイシングの際の切り込み量については、基材を20μm切り込
むようにした。

（２）半導体パッケージの製造；
基板として銅箔張り積層板（三菱ガス化学株式会社製CCL-HL830）の銅箔に回路パター
ンが形成され、パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ製PSR4000 AUS5）を40μm厚
で有しているＢＴ基板を用いた（株式会社ちの技研製）。上記（１）で得た粘接着シート上のチップを粘接着剤層とともに基材から取り上げ、ＢＴ基板上に、粘接着剤層を介して120℃, 100gf, 1秒間の条件で圧着した。その後、モールド樹脂(京セラケミカル株式会社製KE-1100AS3)で封止厚400μmになるようにＢＴ基板を封止し（封止装置アピックヤマダ
株式会社製MPC-06M Trial Press）、175℃, 5時間の条件でモールド樹脂を硬化させた。
ついで、封止されたＢＴ基板をダイシングテープ（リンテック株式会社製Adwill D-510T
）に貼付して、ダイシング装置（株式会社ディスコ製, DFD651）を使用して12mm×12mmサイズにダイシングすることで信頼性評価用の半導体パッケージを得た。

（３）半導体パッケージ表面実装性の評価；
得られた半導体パッケージを85℃, 60%RHの条件下に168時間放置し、吸湿させた後、最高温度260℃、加熱時間1分間のIRリフロー（リフロー炉：相模理工製WL-15-20DNX型）を3回行なった際に、接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック株式会社製Hye-Focus）および断面観察により
評価した。

基板と半導体チップとの接合部に0.25mm²以上の大きさの剥離部分を観察した場合を剥
離していると判断して、パッケージを25個試験に投入し剥離が発生しなかった個数を数えた。

また、粘接着剤組成物を構成する各成分は下記の通りであった。
（Ａ）アクリル重合体：
（Ａ）−１．不飽和炭化水素基を有するアクリル共重合体：メチルアクリレート（９０重量部）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（１０重量部）共重合体の２−ヒドロキシエ
チルアクリレート部位に２−メタクロイルオキシエチルイソシアナート（１．４重量部（官能基含有モノマー１００当量に対して１０当量））を付加して得られたアクリル共重合体（重量平均分子量：約４０万, 分子量分布（Mw/Mn）：約４．０）
（Ａ）−２．不飽和炭化水素基を有するアクリル共重合体：メチルアクリレート（９０重量部）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（１０重量部）共重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート部位に２−メタクロイルオキシエチルイソシアナート（２．７重量部（官能基含有モノマー１００当量に対して２０当量））を付加して得られたアクリル共重合体（重量平均分子量：約４０万, 分子量分布（Mw/Mn）：約４．０）
（Ａ）−３．不飽和炭化水素基を有するアクリル共重合体：メチルアクリレート（９０重量部）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（１０重量部）共重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート部位に２−メタクロイルオキシエチルイソシアナート（６．７重量部（官能基含有モノマー１００当量に対して５０当量））を付加して得られたアクリル共重合体（重量平均分子量：約４０万, 分子量分布（Mw/Mn）：約４．０）
（Ａ）−４．不飽和炭化水素基を含まないアクリル共重合体：メチルアクリレート（９０重量部）／２−ヒドロキシエチルアクリレート（１０重量部）共重合体（重量平均分子量：約４０万, 分子量分布（Mw/Mn）：約４．０）
（Ｂ）不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化樹脂：
（Ｂ）−１．アクリロイル基付加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製
ZAA-278、エポキシ当量675g/eq、数平均分子量1800、不飽和基含有量：エポキシ基と等量）
（Ｂ）−２．アクリロイル基付加クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製 CNN-147、エポキシ当量518g/eq、数平均分子量2100、不飽和基含有量：エポキシ基と等量）
（Ｃ）熱硬化剤：ザイロック型フェノール樹脂（三井化学株式会社製ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）
（Ｄ）光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製イルガキュア184
）
（Ｅ）ビスフェノールA型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコー
ト828, エポキシ当量189g/eq）
（Ｆ）硬化促進剤：イミダゾール（四国化成工業株式会社製キュアゾール2PHZ）
（Ｇ）シランカップリング剤（三菱化学株式会社製 MKCシリケートMSEP2）
（Ｈ）架橋剤：芳香族性ポリイソシアナート（日本ポリウレタン工業株式会社製コロネートL）
（Ｉ）無機充填材：シリカ（株式会社アドマテックス製アドマファインSC2050）
（Ｊ）エネルギー線重合性化合物：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製カヤラッドDPHA）
また、粘接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、表面張力３３ｍＮ／ｍ）を用いた。

（実施例および比較例）
表１に記載の組成の粘接着剤組成物を使用した。表中、数値は固形分換算の重量部を示す。表１に記載の組成の粘接着剤組成物をシリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製SP-PET3811(S)）上に乾燥後の膜厚が30μmになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて100℃、1分間）した後に基材と貼り合せて、粘接着剤層を基材上に転写することで粘接着シートを得た。

得られた粘接着シートを用いて、表面実装性の評価を行った。結果を表２に示す。

本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、薄いダイシングブレードを用いてダイシングした場合であっても粘接着剤層同士が癒着することなく、かつ厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物および該粘接着組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートならびこの粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

Claims

重量平均分子量が３万〜２００万であって、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体（Ａ）、１分子中に不飽和炭化水素基およびエポキシ基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含む粘接着剤組成物。
上記アクリル重合体（Ａ）が有する不飽和炭化水素基が、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選択される請求項１に記載の粘接着剤組成物。
上記エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が有する不飽和炭化水素基が、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選択される請求項１または２に記載の粘接着剤組成物。
光重合開始剤（Ｄ）をさらに含む請求項１〜３のいずれかに記載の粘接着剤組成物。
請求項１〜４のいずれかに記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が、基材上に形成されてなる粘接着シート。
請求項５に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、上記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、上記ＩＣチップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、上記ＩＣチップをダイパッド部上に上記粘接着剤層を介して熱圧着する工程、および半導体ウエハの貼着後、ＩＣチップの剥離前の何れかの段階で粘接着剤層にエネルギー線照射する工程を含む半導体装置の製造方法。