JP2014070191A - 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)アルカリ溶液に実質的に不溶であり、側鎖にラジカル重合性基を有する高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)光ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
【選択図】 図1
Description
電子機器の更なる小型化及び高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるICチップについても更なる小型化及び高集積化が求められているが、シリコン基板の面方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。
しかしながら、厚さ200μm以下の半導体シリコンウエハは非常に薄く、ひいては、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。
また、カルボン酸類とアミン類からなる混合物により、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術も知られている(特許文献4参照)。
また、セルロースポリマー類等からなる接合層を加温した状態で、デバイスウエハと支持基板を圧着することで接着させて、加温して横方向にスライドすることによりデバイスウエハを支持基板から脱離する技術が知られている(特許文献5参照)。
更に、ポリカーボネート類からなる接着剤により、支持基板と半導体ウエハとを仮接着し、半導体ウエハに対して処理を行った後、照射線を照射し、次いで、加熱することにより、処理済の半導体ウエハを支持基板から脱離する技術が知られている(特許文献7参照)。
類似の技術として、重量平均分子量が3万〜200万であって、不飽和炭化水素基を有するアクリル重合体、不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂、及び、熱硬化剤を含む粘接着剤組成物も知られている(特許文献9参照)。
そのため、半導体ウエハのデバイス面の全面と支持基板とを粘着剤層を介して仮接着する場合においては、半導体ウエハと支持基板との仮接着を充分なものとし、半導体ウエハを安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持しようとする程、反面、半導体ウエハと支持基板との仮接着が強すぎることにより、支持基板から半導体ウエハを脱離する際に、デバイスが破損したり、半導体ウエハからデバイスが脱離してしまうという不具合が生じやすい。
(A)側鎖にラジカル重合性基を有する高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔2〕
前記高分子化合物(A)が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式(1)で表される基、下記一般式(2)で表される基、及び下記一般式(3)で表される基からなる群より選ばれる1種以上の基を有する、上記〔1〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(式中、X及びYはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−N(R12)−を表す。Zは酸素原子、硫黄原子、−N(R12)−又はフェニレン基を表す。R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基を表す。)
〔3〕
前記高分子化合物(A)が、前記ラジカル重合性基として、上記一般式(1)で表される基を有する、上記〔2〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔4〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)の熱分解温度が130℃〜250℃である、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔5〕
前記熱ラジカル重合開始剤(C)が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔6〕
更に、(D)光ラジカル重合開始剤を含む、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔7〕
前記光ラジカル重合開始剤(D)が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、上記〔6〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔8〕
前記高分子化合物(A)が、酸基を有さない、上記〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔9〕
基板と、前記基板上に、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔10〕
被処理部材の第1の面と基板とを、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔11〕
前記被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第1の面に接着される面に対して、前記活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔10〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔12〕
被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を50℃〜300℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔10〕又は〔11〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔13〕
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液」を接触させる工程を含む、上記〔10〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
〔14〕
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第1の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第1の面とし、
前記被処理基材の前記第1の面とは異なる第2の面を、前記被処理部材の前記第2の面とする、上記〔10〕〜〔13〕のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を含むものを意味する。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、紫外線、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
なお、本明細書において、“(メタ)アクリレート”はアクリレートおよびメタアクリレートを表し、“(メタ)アクリルはアクリルおよびメタアクリルを表し、“(メタ)アクリロイル”は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、質量平均分子量が2,000以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基を言う。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤によれば、被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、高い接着力により被処理部材を仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる半導体装置製造用仮接着剤が得られる。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、シリコン貫通電極形成用であることが好ましい。シリコン貫通電極の形成については後に詳述する。
高分子化合物がラジカル重合性基を有することにより、接着性支持体を被処理部材に接着させた後に加熱処理を行うことで、熱ラジカル重合開始剤から発生するラジカルによって重合反応が更に進行し、高い接着力により被処理部材を仮支持することができる。
一方、例えば、後に詳述するように、被処理部材に接着性支持体を接着させる前に、接着性支持体における接着性層に対してパターン露光を行うことにより、露光部においては重合反応が行われ、接着性層に高接着性領域と低接着性領域とを設けることができる。
また、例えば、被処理部材に接着性支持体を接着させる前に、接着性支持体の接着性層に対して活性光線若しくは放射線又は熱を照射することにより、高分子化合物のラジカル重合性基による重合反応が行われ、基板側の内表面から外表面にかけて接着性が低下された接着性層を形成できる。すなわち、接着性支持体における基板と接着性層との接着性は高いものにしつつ、被処理部材に対する接着性層の接着性を低下させることができる。
ラジカル重合性基は、例えば、付加重合反応し得る官能基であることが好ましく、付加重合反応し得る官能基としては、エチレン性不飽和基が挙げられる。エチレン性不飽和結合基としては、スチリル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、ビニルオキシ基、アルキニル基が好ましい。中でも、接着性の点から、(メタ)アクリルロイル基を有することが特に好ましい。
高分子化合物(A)は、典型的には、ラジカル重合性基を有する繰り返し単位を有しており、その場合における、ラジカル重合性基を有する繰り返し単位の含有量は、高分子化合物(A)の全繰り返し単位に対して、1〜70mol%であることが好ましく、2〜60mol%であることがより好ましく、5〜50mol%であることが更に好ましい。
L2:−CO−NH−2価の脂肪族基−
L3:−CO−2価の脂肪族基−
L4:−CO−O−2価の脂肪族基−
L5:−2価の脂肪族基−
L6:−CO−NH−2価の芳香族基−
L7:−CO−2価の芳香族基−
L8:−2価の芳香族基−
L9:−CO−O−2価の脂肪族基−CO−O−2価の脂肪族基−
L10:−CO−O−2価の脂肪族基−O−CO−2価の脂肪族基−
L11:−CO−O−2価の芳香族基−CO−O−2価の脂肪族基−
L12:−CO−O−2価の芳香族基−O−CO−2価の脂肪族基−
L13:−CO−O−2価の脂肪族基−CO−O−2価の芳香族基−
L14:−CO−O−2価の脂肪族基−O−CO−2価の芳香族基−
L15:−CO−O−2価の芳香族基−CO−O−2価の芳香族基−
L16:−CO−O−2価の芳香族基−O−CO−2価の芳香族基−
L17:−CO−O−2価の芳香族基−O−CO−NH−2価の脂肪族基−
L18:−CO−O−2価の脂肪族基−O−CO−NH−2価の脂肪族基−
2価の脂肪族基は、環状構造よりも鎖状構造の方が好ましく、さらに分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造の方が好ましい。2価の脂肪族基の炭素原子数は、1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜12であることがさらに好ましく、1〜10であることがさらにまた好ましく、1〜8であることがよりさらに好ましく、1〜4であることが特に好ましい。
2価の脂肪族基の置換基の例としては、ハロゲン原子(F、Cl、Br、I)、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基およびジアリールアミノ基等が挙げられる。
2価の芳香族基の置換基の例としては、上記2価の脂肪族基の置換基の例に加えて、アルキル基が挙げられる。
本発明でいう実質的にアルカリ溶液に不溶とは、該高分子化合物(A)のみを酢酸ブチル等の溶剤に溶解し、固形分濃度3.5質量%とした組成物をシリコンウエハ上に塗布して得られる塗膜(膜厚100nm)を形成した際、QCM(水晶発振子マイクロバランス)センサー等を用いて測定した室温(25℃)における2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に対して、該膜を1000秒間浸漬させた際の平均の溶解速度(膜厚の減少速度)が、1nm/s以下、好ましくは0.1nm/s以下であることを示す。
GPC法は、HLC−8020GPC(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSKgel SuperHZM−H、TSKgel SuperHZ4000、TSKgel SuperHZ2000(東ソー(株)製、4.6mmID×15cm)を、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いる方法に基づく。
高分子化合物(A)の含有量は、良好な接着強度の観点から、半導体装置製造用仮接着剤の全固形分に対して、5〜95質量%が好ましく、10〜90質量%がより好ましく、20〜80質量%が更に好ましい。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、ラジカル重合性モノマーを含有する。
ラジカル重合性モノマーは、典型的には、ラジカル重合性基を有している。ここでラジカル重合性基とは、ラジカルの作用により重合することが可能な基である。
なお、ラジカル重合性モノマーは、上記した高分子化合物(A)とは異なる化合物である。重合性モノマーは、典型的には、低分子化合物であり、分子量2000以下の低分子化合物であることが好ましく、1500以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量900以下の低分子化合物であることが更に好ましい。なお、分子量は、通常、100以上である。
ラジカル重合性モノマーを使用することで、接着性支持体を被処理部材に接着させた後に加熱処理を行うことで、熱ラジカル重合開始剤から発生するラジカルによって重合反応が更に進行し、高い接着力により被処理部材を仮支持することができる。
一方、例えば、後に詳述するように、被処理部材に接着性支持体を接着させる前に、接着性支持体における接着性層に対してパターン露光を行うことにより、露光部においては重合性モノマーの重合反応が行われ、接着性層に高接着性領域と低接着性領域とを設けることができる。
また、例えば、被処理部材に接着性支持体を接着させる前に、接着性支持体の接着性層に対して活性光線若しくは放射線又は熱を照射することにより、ラジカル重合性モノマーによる重合反応が行われ、基板側の内表面から外表面にかけて接着性が低下された接着性層を形成できる。すなわち、接着性支持体における基板と接着性層との接着性は高いものにしつつ、被処理部材に対する接着性層の接着性を低下させることができる。
ラジカル重合性基は、エチレン性不飽和基が好ましい。エチレン性不飽和基としては、スチリル基、(メタ)アクリロイル基、アリル基が好ましい。
CH2=C(R4)COOCH2CH(R5)OH (A)
(ただし、R4およびR5は、HまたはCH3を示す。)
また、特開昭51−37193号公報、特公平2−32293号公報、特公平2−16765号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭58−49860号公報、特公昭56−17654号公報、特公昭62−39417号公報、特公昭62−39418号公報記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。
多官能カルボン酸にグリシジル(メタ)アクリレート等の環状エーテル基とエチレン性不飽和基を有する化合物を反応させ得られる多官能(メタ)アクリレートなども挙げることができる。
また、その他の好ましいラジカル重合性モノマーとして、特開2010−160418、特開2010−129825、特許4364216等に記載される、フルオレン環を有し、エチレン性重合性基を2官能以上有する化合物、カルド樹脂も使用することが可能である。
更に、ラジカル重合性モノマーのその他の例としては、特公昭46−43946号、特公平1−40337号、特公平1−40336号記載の特定の不飽和化合物や、特開平2−25493号記載のビニルホスホン酸系化合物等もあげることができる。また、ある場合には、特開昭61−22048号記載のペルフルオロアルキル基を含有する構造が好適に使用される。さらに日本接着協会誌 vol. 20、No. 7、300〜308ページ(1984年)に光硬化性モノマーおよびオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。
上記一般式(MO−1)〜(MO−5)で表されるラジカル重合性モノマーの各々において、複数のRの内の少なくとも1つは、−OC(=O)CH=CH2、又は、−OC(=O)C(CH3)=CH2で表される基を表す。
上記一般式(MO−1)〜(MO−5)で表される、ラジカル重合性モノマーの具体例としては、特開2007−269779号公報の段落番号0248〜段落番号0251に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
酸基を有する多官能モノマーの好ましい酸価としては、0.1〜40mg−KOH/gであり、特に好ましくは5〜30mg−KOH/gである。多官能モノマーの酸価が低すぎると現像溶解特性が落ち、高すぎると製造や取扱いが困難になり光重合性能が落ち、画素の表面平滑性等の硬化性が劣るものとなる。従って、異なる酸基の多官能モノマーを2種以上併用する場合、或いは酸基を有しない多官能モノマーを併用する場合、全体の多官能モノマーとしての酸基が上記範囲に入るように調整することが必須である。
また、ラジカル重合性モノマーとして、カプロラクトン構造を有する多官能性単量体を含有することが好ましい。
カプロラクトン構造を有する多官能性単量体としては、その分子内にカプロラクトン構造を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、(メタ)アクリル酸およびε−カプロラクトンをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能(メタ)アクリレートを挙げることができる。なかでも下記式(1)で表されるカプロラクトン構造を有する多官能性単量体が好ましい。
このようなカプロラクトン構造を有する多官能性単量体は、例えば、日本化薬(株)からKAYARAD DPCAシリーズとして市販されており、DPCA−20(上記式(1)〜(3)においてm=1、式(2)で表される基の数=2、R1が全て水素原子である化合物)、DPCA−30(同式、m=1、式(2)で表される基の数=3、R1が全て水素原子である化合物)、DPCA−60(同式、m=1、式(2)で表される基の数=6、R1が全て水素原子である化合物)、DPCA−120(同式においてm=2、式(2)で表される基の数=6、R1が全て水素原子である化合物)等を挙げることができる。
本発明において、カプロラクトン構造を有する多官能性単量体は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
前記一般式(i)中、アクリロイル基及びメタクリロイル基の合計は3個又は4個であり、mは各々独立に0〜10の整数を表し、各mの合計は0〜40の整数である。但し、各mの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシル基である。
前記一般式(ii)中、アクリロイル基及びメタクリロイル基の合計は5個又は6個であり、nは各々独立に0〜10の整数を表し、各nの合計は0〜60の整数である。但し、各nの合計が0の場合、Xのうちいずれか1つはカルボキシル基である。
また、各mの合計は、2〜40の整数が好ましく、2〜16の整数がより好ましく、4〜8の整数が特に好ましい。
前記一般式(ii)中、nは、0〜6の整数が好ましく、0〜4の整数がより好ましい。
また、各nの合計は、3〜60の整数が好ましく、3〜24の整数がより好ましく、6〜12の整数が特に好ましい。
また、一般式(i)又は一般式(ii)中の−((CH2)yCH2O)−又は−((CH2)yCH(CH3)O)−は、酸素原子側の末端がXに結合する形態が好ましい。
具体的には、下記式(a)〜(f)で表される化合物(以下、「例示化合物(a)〜(f)」ともいう。)が挙げられ、中でも、例示化合物(a)、(b)、(e)、(f)が好ましい。
ラジカル重合性モノマーの市販品としては、ウレタンオリゴマーUAS−10、UAB−140(山陽国策パルプ社製)、UA−7200」(新中村化学社製、DPHA−40H(日本化薬社製)、UA−306H、UA−306T、UA−306I、AH−600、T−600、AI−600(共栄社製)などが挙げられる。
また、ラジカル重合性モノマー(B)及び高分子化合物(A)の含有量の比率(質量比)は、90/10〜10/90であることが好ましく、20/80〜80/20であることがより好ましい。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、更に、熱ラジカル重合開始剤を含有する。
熱ラジカル重合開始剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性基を有する高分子化合物、及び、重合性モノマーの重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル重合開始剤を添加することにより、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行った後に、接着性支持体における接着性層に対して加熱処理を行うことで、熱ラジカル重合開始剤から発生するラジカルによって高分子化合物(A)及びラジカル重合性モノマー(B)の重合反応が更に進行し、高い接着力により被処理部材を仮支持することができる。これは、接着性支持体を被処理部材に接着させた後に加熱処理を行うことで、接着性支持体と被処理部材との界面におけるアンカー効果が促進されることによるものと推定される。
ここで、本発明におけるラジカル重合性モノマーと熱ラジカル重合開始剤とを併用する系は、例えば、酸重合性モノマーと熱酸発生剤とを併用する系と比較して、熱によるラジカル重合性モノマーの硬化速度が速く、実用上好ましい加熱条件(例えば、加熱時間:180℃,加熱温度:60秒)においても高い接着力を発現することができる。
また、仮接着剤を用いて形成された接着性層に対して熱を照射した後に、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う場合においては、熱により高分子化合物(A)及びラジカル重合性モノマー(B)の重合反応が進行することにより、後に詳述するように、接着性層の接着性(すなわち、粘着性及びタック性)を前もって低下させることができる。
好ましい熱ラジカル重合開始剤としては、熱分解温度が130℃〜250℃であるものが好ましく、150℃〜220℃であるものがより好ましい。
熱ラジカル重合開始剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。また、後述する光ラジカル重合開始剤に相当するものも挙げられる。中でも、芳香族ケトン類、有機化酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物などの非イオン性のラジカル重合開始剤が好ましく、さらに熱分解温度が130℃〜250℃である観点から、芳香族ケトン類(より具体的にはチオキサントン類)、ケトオキシムエステル化合物、有機過酸化物又はアゾ系化合物がより好ましく、有機過酸化物が特に好ましい。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤における熱ラジカル重合開始剤の含有量(2種以上の場合は総含有量)は、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う前に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の低減、及び、被処理部材と接着性支持体との仮接着後に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の向上の観点から、仮接着剤の全固形分に対し、0.01〜50質量%が好ましく、0.1〜20質量%がより好ましく、0.5〜10質量%であることが最も好ましい。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、更に、光ラジカル重合開始剤、すなわち活性光線又は放射線の照射によりラジカルを発生する化合物を含有することが好ましい。これにより、例えば、後に詳述するように、被処理部材に接着性支持体を接着させる前に、接着性支持体における接着性層に対してパターン露光を行うことにより、露光部においては重合反応が行われ、接着性層に高接着性領域と低接着性領域とを設けることができる。
活性光線又は放射線の照射によりラジカルを発生する化合物としては、例えば、以下に述べる重合開始剤として知られているものを用いることができる。
光ラジカル重合開始剤としては、高分子化合物(A)の重合性基、又は、重合性モノマー(B)の重合性基における重合反応(架橋反応)を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよい。
また、前記光ラジカル重合開始剤は、約300nm〜800nm(好ましくは330nm〜500nm)の範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する化合物を、少なくとも1種含有していることが好ましい。
ヒドロキシアセトフェノン系開始剤としては、IRGACURE−184、DAROCUR−1173、IRGACURE−500、IRGACURE−2959,IRGACURE−127(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤としては、市販品であるIRGACURE−907、IRGACURE−369、及び、IRGACURE−379(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤として、365nmまたは405nm等の長波光源に吸収波長がマッチングされた特開2009−191179公報に記載の化合物も用いることができる。また、アシルホスフィン系開始剤としては市販品であるIRGACURE−819やDAROCUR−TPO(商品名:いずれもBASF社製)を用いることができる。
市販品ではIRGACURE−OXE01(BASF社製)、IRGACURE−OXE02(BASF社製)も好適に用いられる。
また、オキシム化合物の特定部位に不飽和結合を有する特開2009−242469号公報に記載の化合物も、重合不活性ラジカルから活性ラジカルを再生することで高感度化を達成でき好適に使用することができる。
光ラジカル重合開始剤の含有量(2種以上の場合は総含有量)は、仮接着剤の全固形分に対し0.1質量%以上50質量%以下であることが好ましく、より好ましくは0.1質量%以上30質量%以下、更に好ましくは0.1質量%以上20質量%以下である。
本発明の仮接着剤は、本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて、上記成分(A)〜(D)とは異なる、種々の化合物を更に含有することができる。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤には、剥離性と接着性の両方をバランスよく向上させるために、高分子化合物(A)に加えて別の高分子化合物(E)を添加してもよい。このような高分子化合物としては、(メタ)アクリル系重合体、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂(好ましくは、ポリビニルブチラール樹脂)、ポリビニルホルマール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、及び、ノボラック樹脂などが用いられる。
「ポリウレタン樹脂」とは、イソシアネート基を2つ以上有する化合物とヒドロキシル基を2つ以上有する化合物の縮合反応により生成されるポリマーのことをいう。
前記ノボラック樹脂の好適な一例としては、フェノールホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、m−/p−混合クレゾールホルムアルデヒド樹脂、フェノール/クレゾール(m−,p−,又はm−/p−混合のいずれでもよい)混合ホルムアルデヒド樹脂等のノボラック樹脂が挙げられる。重量平均分子量が500〜20,000、数平均分子量が200〜10,000のノボラック樹脂が好ましい。また、ノボラック樹脂中のヒドロキシ基に対して別の化合物とを反応させて置換基を導入した化合物も好ましく使用できる。
前記高分子化合物は単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。
本発明の接着剤組成物は、増感色素(F)を含んでも良い。
本発明に用いられる増感色素は、露光時の光を吸収して励起状態となり、前記重合開始剤に電子移動、エネルギー移動又は発熱などでエネルギーを供与し、重合開始機能を向上させるものであれば特に限定せず用いることができる。特に、300〜450nm又は750〜1400nmの波長域に極大吸収を有する増感色素が好ましく用いられる。
これらの染料のうち特に好ましいものとしては、シアニン色素、スクアリリウム色素、ピリリウム塩、ニッケルチオレート錯体、インドレニンシアニン色素が挙げられる。更に、シアニン色素やインドレニンシアニン色素が好ましく、特に好ましい例として下記一般式(a)で示されるシアニン色素が挙げられる。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、連鎖移動剤を含有することが好ましい。連鎖移動剤は、例えば高分子辞典第三版(高分子学会編、2005年)683−684頁に定義されている。連鎖移動剤としては、例えば、分子内にSH、PH、SiH、GeHを有する化合物群が用いられる。これらは、低活性のラジカル種に水素供与して、ラジカルを生成するか、もしくは、酸化された後、脱プロトンすることによりラジカルを生成しうる。前記感光性樹脂組成物には、特に、チオール化合物(例えば、2−メルカプトベンズイミダゾール類、2−メルカプトベンズチアゾール類、2−メルカプトベンズオキサゾール類、3−メルカプトトリアゾール類、5−メルカプトテトラゾール類等)を好ましく用いることができる。
本発明の仮接着剤には、仮接着剤の製造中または保存中において高分子化合物(A)及びラジカル重合性モノマー(B)の不要な熱重合を防止するために、少量の重合禁止剤を添加するのが好ましい。
重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、t−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4′−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩が好適に挙げられる。
重合禁止剤の添加量は、仮接着剤の全固形分に対して、約0.01〜約5質量%であるのが好ましい。
本発明の仮接着剤には、酸素による重合阻害を防止するために、ベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体等を添加して、塗布後の乾燥の過程で接着性層の表面に偏在させてもよい。高級脂肪酸誘導体の添加量は、仮接着剤の全固形分に対して、約0.1〜約10質量%であるのが好ましい。
また、本発明の仮接着剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、各種添加物、例えば、硬化剤、硬化触媒、シランカップリング剤、充填剤、密着促進剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤等を配合することができる。
本発明の半導体装置製造用仮接着剤は、溶剤(通常、有機溶剤)に溶解させて塗布することができる。溶剤は、各成分の溶解性や仮接着剤の塗布性を満足すれば基本的には特に制限はない。
本発明の仮接着剤には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
即ち、フッ素系界面活性剤を含有する仮接着剤を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μm程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
界面活性剤は、1種のみを用いてもよいし、2種類以上を組み合わせてもよい。
界面活性剤の添加量は、仮接着剤の全固形分に対して、0.001質量%〜2.0質量%が好ましく、より好ましくは0.005質量%〜1.0質量%である。
キャリア基板12の素材は特に限定されないが、例えば、シリコン基板、ガラス基板、金属基板などが挙げられるが、半導体装置の基板として代表的に用いられるシリコン基板を汚染しにくい点や、半導体装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。
キャリア基板12の厚みは、例えば、300μm〜5mmの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
接着性層11の厚みは、例えば、1〜500μmの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
ここで、シリコン基板61の厚さは、例えば、200〜1200μmの範囲内となっている。
そして、接着性支持体100の接着性層11に対して、シリコン基板61の表面61aを押し当てる。これにより、シリコン基板61の表面61aと、接着性層11とが接着し、接着性支持体100とデバイスウエハ60とが仮接着する。
またこの後、必要に応じて、接着性支持体100とデバイスウエハ60との接着体を加熱し(熱を照射し)、接着性層をより強靭なものとしても良い。これにより、接着性支持体と被処理部材との界面におけるアンカー効果が促進されるとともにデバイスウエハ60の後述する機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できるため、接着性支持体100の接着性を高めることになる。
加熱温度は、50℃〜300℃であることが好ましく、100℃〜250℃であることがより好ましく、150℃〜220℃であることが更に好ましい。
加熱時間は、20秒〜10分であることが好ましく、30秒〜5分であることがより好ましく、40秒〜3分であることが更に好ましい。
また、機械的又は化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型デバイスウエハ60’の裏面61b’からシリコン基板を貫通する貫通孔(図示せず)を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極(図示せず)を形成する処理を、必要に応じて行ってもよい。
脱離の方法は特に限定されるものではないが、接着性層110に剥離液に接触させ、その後、必要に応じて、接着性支持体100に対して薄型デバイスウエハ60’を摺動させるか、あるいは、接着性支持体100から薄型デバイスウエハ60’を剥離することにより行うことが好ましい。本発明の仮接着剤は、剥離液に対する親和性が高いため、上記方法により、接着性層110と薄型デバイスウエハ60’の表面61aとの仮接着を容易に解除することができる。
以下、剥離液について詳細に説明する。
更に、剥離性の観点から、剥離液は、アルカリ、酸、及び界面活性剤を含んでいても良い。さらに剥離性の観点から、2種以上の有機溶剤及び水、2種以上のアルカリ、酸及び界面活性剤を混合する形態も好ましい。
界面活性剤の含有量を上記した範囲内とすることにより、接着性支持体100と薄型デバイスウエハ60’との剥離性をより向上できる傾向となる。
図2は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
従来の実施形態においては、図2に示すように、接着性支持体として、キャリア基板12の上に、従来の仮接着剤により形成された接着性層11’が設けられてなる接着性支持体100’を使用し、それ以外は、図1A及び図1Bを参照して説明した手順と同様に、接着性支持体100’とデバイスウエハとを仮接着し、デバイスウエハにおけるシリコン基板の薄膜化処理を行い、次いで、上記した手順と同様に、接着性支持体100’から薄型デバイスウエハ60’を剥離する。
一方、従来の仮接着剤の内、接着性が低いものを採用すると、処理済部材に対する仮支持を容易に解除することはできるが、そもそもデバイスウエハとキャリア基板との仮接着が弱すぎ、デバイスウエハをキャリア基板で確実に支持できないという不具合が生じやすい。
ここで、保護層付デバイスウエハ160は、表面61aに複数のデバイスチップ62が設けられたシリコン基板61(被処理基材)と、シリコン基板61の表面61aに設けられ、デバイスチップ62を保護する保護層80とを有している。
保護層80の厚さは、例えば、1〜1000μmの範囲内となっている。
保護層80は、公知のものを制限なく使用することができるが、デバイスチップ62を確実に保護できるものが好ましい。
保護層80を構成する材料としては、被処理基材を保護する目的であれば、制限なく公知の化合物を使用することができる。具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、テフロン(登録商標)、ABS樹脂、AS樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドなどの合成樹脂や、ロジン、天然ゴムなどの天然樹脂を好ましく使用することができる。
また、保護層80は、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて、前記仮接着剤に含有され得る化合物を含有できる。
保護層80の除去としては、公知のものをいずれも採用できるが、例えば、(1)保護層80を溶剤により溶解除去する方法;(2)保護層80に剥離用テープなどを貼り付け、保護層80をシリコン基板61’及びデバイスチップ62から機械的に剥離する方法;(3)保護層80に対して、紫外線及び赤外線などの光による露光又はレーザー照射を実施することによって、保護層80を分解したり、保護層80の剥離性を向上させたりする方法などが挙げられる。
上記(1)及び(3)は、これらの方法における作用が、保護膜の表面全域に対して為されるため、保護層80の除去が容易であるという利点がある。
上記(2)は、室温下において特段の装置を要することなく、実施が可能という利点がある。
すなわち、接着性支持体100により仮接着されたデバイスウエハ60を薄型化する場合においては、図4Aに示すように、複数のデバイスチップ62が為すデバイスウエハ60の凹凸形状が、薄型デバイスウエハ60’の裏面61b’に転写される傾向となり、TTVが大きくなる要素になり得る。
一方、接着性支持体100により仮接着された保護層付デバイスウエハ160を薄型化する場合においては、先ず、図4Bに示すように、複数のデバイスチップ62を保護層によって保護しているため、保護層付デバイスウエハ160の、接着性支持体110との接触面において、凹凸形状をほとんど無くすことが可能である。よって、このような保護層付デバイスウエハ160を接着性支持体110によって支持した状態で薄型化しても、複数のデバイスチップ62に由来する形状が、保護層付薄型デバイスウエハ160’の裏面61b”に転写される虞れは低減され、その結果、最終的に得られる薄型デバイスウエハのTTVをより低下することができる。
また、本発明の仮接着剤が、光ラジカル重合開始剤(D)を更に含有する場合には、接着性層11を、活性光線若しくは放射線の照射により接着性が減少する接着性層とすることができる。この場合、具体的には、接着性層を、活性光線若しくは放射線の照射を受ける前には、接着性を有する層であるが、活性光線若しくは放射線の照射を受けた領域においては、接着性が低下ないしは消失する層とすることができる。
例えば、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により、接着性層を、低接着性領域及び高接着性領域が形成された接着性層に変換した上で、被処理部材の接着性支持体による仮接着を行っても良い。以下、この実施形態について説明する。
よって、上記露光は、接着性層11の中央域には露光されるが、中央域を取り囲む周辺域には露光されない、パターン露光である。
ここで、本明細書中における「低接着性領域」とは、「高接着性領域」と比較して低い接着性を有する領域を意味し、接着性を有さない領域(すなわち、「非接着性領域」)を包含する。同様に、「高接着性領域」とは、「低接着性領域」と比較して高い接着性を有する領域を意味する。
すなわち、接着性層31は、外表面31a側には低接着性領域31Aを、内表面31b側には高接着性領域31Bをそれぞれ有することになる。
このような接着性層31は、活性光線若しくは放射線又は熱50の照射量を、外表面31aには、活性光線若しくは放射線又は熱50が充分に照射されるものの、内表面31bまでには、活性光線若しくは放射線又は熱50が到達しないような照射量とすることにより、容易に形成できる。
ここで、このような照射量の変更は、露光機や加熱装置の設定を変更することにより容易に行うことができるため、設備コストを抑制できるとともに、接着性層21,31の形成に多くの時間を費やすものでもない。
また、上記の本発明の実施形態においては、上記の接着性層11と上記の照射方法とを組み合わせることにより、構造体としては一体であるが、外表面31aにおける接着性が内表面31bにおける接着性よりも積極的に低くされた接着性層31が形成されるため、分離層等の別層を設ける必要もない。
以上のように、上記の接着性層31は、その形成が容易である。
その結果、基板12及びシリコン基板61のそれぞれに対する接着性層31の接着性を、デバイスウエハ60のシリコン基板61を確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ60’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ60’のシリコン基板に対する仮支持を容易に解除できる程度の接着性に、高精度で、かつ、容易に制御できる。
例えば、被処理部材としては、化合物半導体基板を挙げることもでき、化合物半導体基板の具体例としては、SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板、及び、GaN基板などが挙げられる。
4インチSiウエハに下記表1記載に示す組成の各液状接着剤組成物(仮接着剤)をスピンコーター(Mikasa製 Opticoat MS−A100,1200rpm,30秒)により塗布したのち、100℃で30秒ベークし、厚さ10μmの接着性層が設けられたウエハ1(すなわち接着性支持体)を形成した。
前掲したものを使用した。
重合性モノマー(1):UA−1100H(新中村化学製、4官能ウレタンアクリレート)
重合性モノマー(2):A−TMPT(新中村化学製、トリメチロールプロパントリアクリレート)
重合性モノマー(3):A−DPH(新中村化学製、6官能アクリレート)
熱ラジカル重合開始剤(1):パーブチルZ(日油(株)製、t−ブチルパーオキシベンゾエート、分解温度(10時間半減期温度)=104℃)
熱ラジカル重合開始剤(2):KAYACURE DETX−S(日本化薬社製、2,4−ジメチルチオキサントン、分解温度(示差熱走査熱量分析(DSC)測定値)=162℃)
熱ラジカル重合開始剤(3):IRGACURE 754(BASF製、オキシフェニル酢酸、2−[2−オキソ−2−フェニルアセトキシエトキシ]エチルエステルとオキシフェニル酢酸、2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルエステルの混合物、分解温度(示差熱走査熱量分析(DSC)測定値)=260℃)
光ラジカル重合開始剤(1):IRGACURE OXE 02(BASF製)
光ラジカル重合開始剤(2):IRGACURE 127(BASF製)
溶剤(1):1−メトキシ−2−プロパノールアセテート
比較例用高分子化合物(2):ポリアクリル酸メチル(Mw 15,000、アルドリッチ製)
比較用重合性モノマー(1):2,2−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)プロパン(東京化成(株)製)
比較用熱酸発生剤(1):イソプロピルp−トルエンスルホネート(東京化成(株)製)
保護層を有さない被処理部材としては、4インチSiウエハをそのまま使用した。
保護層を有する被処理部材としては、4インチSiウエハに、下記保護層用化合物の20質量%p−メンタン溶液をスピンコーター(Mikasa製 Opticoat MS−A100,1200rpm,30秒)により塗布したのち、100℃で300秒ベークし、厚さ20μmの保護層が設けられたウエハを形成した。
保護層を有する場合も有さない場合も、被処理部材としての上記ウエハを、纏めて、ウエハ2と称する。
保護層用化合物(1):クリアロンP−135(ヤスハラ化学(株)製)
保護層用化合物(2):アルコンP140(荒川化学(株)製)
保護層用化合物(3):TOPAS5013(ポリプラスチックス(株)製)
保護層用化合物(4):ゼオネックス480R(日本ゼオン(株)製)
下記表2及び表3に記載の通り、各液状接着剤組成物からなる仮接着剤を用いて、[露光]、[圧着]、[ベーク]の順に各工程を経て接着性試験片を作成した。
ウエハ1の接着性層の側から、接着性層の周囲5mmを保護(遮光)するマスクを介して、周囲5mmを除いた接着性層の中央部に対して、UV露光装置(浜松ホトニクス製 LC8)を用いて、254nmの波長の光を、100mJ/cm2の露光量で露光した。
なお、光ラジカル重合開始剤を含まない液状接着組成物(28)、(29)、(30)、比較例用液状接着組成物(4)、(5)、(6)を使用した場合は、この露光工程は行わずに、次工程に移った。
ウエハ2を、ウエハ1の接着性層に重ね、25℃で20N/cm2で30秒間加圧接着した。ここで、ウエハ2が保護層が設けられた4インチSiウエハである場合は、この保護層と、ウエハ1の接着性層とを重ねて、上記のように加圧接着した。
加圧接着後、180℃で60秒間加熱した。
表2及び表3記載の条件で作成された試験片のせん断接着力を、引っ張り試験機((株)イマダ製デジタルフォースゲージ、型式:ZP−50N)を用いて、250mm/minの条件で接着性層の面に沿った方向に引っ張り測定した。結果を下記表2及び表3に示す。
表2及び表3に記載の条件で作成された試験片を、表2及び表3に記載の剥離液に25℃で180分間浸漬させた。剥離液から試験片を取り出し、純水で慎重に洗浄した後、25℃で乾燥させた。作成された試験片を接着性層の垂直方向に引っ張り、Siウエハが破損せずに非常に軽い力で剥離できれば『A』、Siウエハが破損せずに軽い力で剥離できれば『B』、剥離のためにやや力がいるが実害のないレベルで剥離できれば『C』、剥離できなければ『D』とした。なお、Siウエハの破損の有無は目視で確認した。
一方、本発明の仮接着剤を用いた実施例1〜45は、剥離性に関しては良好な結果が得られるのみならず、優れた接着性を示した。
よって、本発明の仮接着剤は、被処理部材(半導体ウエハなど)に機械的又は化学的な処理を施す際に、高い接着力により被処理部材を仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できるものである。
また、露光工程を経て形成した接着性層の、光が照射された領域には接着性が全くなかった。この技術により、被処理部材に対して、接着性層の周縁部のみで接着な接着性支持体を形成することができるため、特に、被処理部材がデバイスウエハである場合、デバイスウエハから接着性支持体を脱離する際に、デバイスの内部損傷をより低減することが可能である。
12 キャリア基板
21A,31A 低接着性領域
21B,31B 高接着性領域
40 マスク
41 光透過領域
42 遮光領域
50 活性光線又は放射線
50’ 活性光線若しくは放射線又は熱
60 デバイスウエハ
60’ 薄型デバイスウエハ
61,61’ シリコン基板
62 デバイスチップ
63 バンプ
70 テープ
80 保護層
100,100’,110,120 接着性支持体
160 保護層付デバイスウエハ
160’ 保護層付薄型デバイスウエハ
Claims (14)
- (A)側鎖にラジカル重合性基を有する高分子化合物、(B)ラジカル重合性モノマー、及び、(C)熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A)が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式(1)で表される基、下記一般式(2)で表される基、及び下記一般式(3)で表される基からなる群より選ばれる1種以上の基を有する、請求項1に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
(式中、X及びYはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−N(R12)−を表す。Zは酸素原子、硫黄原子、−N(R12)−又はフェニレン基を表す。R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基を表す。) - 前記高分子化合物(A)が、前記ラジカル重合性基として、上記一般式(1)で表される基を有する、請求項2に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記熱ラジカル重合開始剤(C)の熱分解温度が130℃〜250℃である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記熱ラジカル重合開始剤(C)が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 更に、(D)光ラジカル重合開始剤を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記光ラジカル重合開始剤(D)が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、請求項6に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 前記高分子化合物(A)が、酸基を有さない、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
- 基板と、前記基板上に、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
- 被処理部材の第1の面と基板とを、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。 - 前記被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第1の面に接着される面に対して、前記活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 被処理部材の第1の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第1の面とは異なる第2の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を50℃〜300℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着性層から前記処理済部材の第1の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、請求項10〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第1の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第1の面とし、
前記被処理基材の前記第1の面とは異なる第2の面を、前記被処理部材の前記第2の面とする、請求項10〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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