JP7177811B2 - フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2016年3月30日に、日本に出願された特願2016-069604号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
このようにして得られた半導体パッケージを用いて、最終的には、目的とする半導体装置が製造される。そこで、半導体チップを、そのダイボンディングの対象となる面にフィルム状接着剤を備えた状態でピックアップするように構成することがある。
また、本発明は、支持シート上に、前記フィルム状接着剤が設けられた、半導体加工用シートを提供する。
本発明の半導体加工用シートとしては、前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、前記粘着剤層に前記フィルム状接着剤が直接接触して設けられたものが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法においては、前記積層構造体形成工程の前に、さらに、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム状接着剤を設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いてもよい。
本発明のフィルム状接着剤は、硬化性のフィルム状接着剤であって、厚さが60μmである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の2層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが60μmとなるように積層した積層体の、0℃における破断伸度が60%以下であり、硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、300mN/25mm以上のものである。
なお、本明細書においては、フィルム状接着剤の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、フィルム状接着剤の厚さの測定方法としては、例えば、任意の5箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。
すなわち、幅が6mmであり、長さが5mmであり、厚さが60μmである前記フィルム状接着剤又は積層体を試験片とし、この試験片に加える荷重を1Nから18Nまで、1N/minの割合で変化させながら引っ張り、破断したときの試験片の伸びを測定することで、破断伸度が求められる。
なお、本明細書において、「破断伸度がX%である(式中、Xは正の数である)」とは、上述の測定方法において、試験片(すなわち、フィルム状接着剤又は積層体)を引っ張り、試験片がその引張方向において元の長さ(すなわち、引っ張っていないときの長さ)のX%の長さだけ伸びたとき、すなわち、試験片の引張方向における全体の長さが引っ張る前の長さの[1+X/100]倍となったときに、試験片が破断することを意味する。
また、前記フィルム状接着剤又は積層体の破断伸度(%)の下限値は特に限定されないが、例えば、5%であることが好ましい。前記破断伸度が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の取り扱い性が向上し、また、エキスパンド時におけるフィルム状接着剤の飛散を抑制する効果が高くなる。
例えば、後述する重合体成分(a)の分子量及び含有量、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)を構成する成分の構造、軟化点及び含有量、並びに充填剤(c)の含有量等を調節することで、前記破断伸度を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
すなわち、幅が25mmで長さが任意の、フィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを作製する。この積層シートは、粘着テープの粘着面にフィルム状接着剤が積層されたものとする。次いで、40~70℃に加熱したフィルム状接着剤によって、この積層シートを半導体ウエハへ貼付して、粘着テープ、フィルム状接着剤及び半導体ウエハがこの順に積層された積層物を作製する。作製後のこの積層物を直ちに15~27℃の環境下で30分静置した後、半導体ウエハからフィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを、フィルム状接着剤及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が180°の角度を為すように、剥離速度300mm/minで引き剥がす、いわゆる180°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、その測定値を硬化前のフィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力(N/25mm)とする。測定に供する前記積層シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されないが、100mm~300mmであることが好ましい。
また、前記接着力の上限値は特に限定されず、例えば、10N/25mm、800mN/25mm、700mN/25mm、600mN/25mm、500mN/25mm等から選択できるが、これらは一例である。
例えば、後述する重合体成分(a)の分子量、重合体成分(a)を構成する各モノマー成分の比率、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)を構成する成分の軟化点、及びフィルム状接着剤の各含有成分の含有量等を調節することで、フィルム状接着剤の前記接着力を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
フィルム状接着剤は、その構成材料を含有する接着剤組成物から形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。フィルム状接着剤のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、フィルム状接着剤の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15~25℃の温度等が挙げられる。
重合体成分(a)は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性(すなわち、貼付性)を向上させるための重合体化合物である。また、重合体成分(a)は、後述するエポキシ樹脂(b1)及び熱硬化剤(b2)に該当しない成分でもある。
アクリル系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10000~2000000であることが好ましく、100000~1500000であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量がこのような範囲内であることで、フィルム状接着剤又は積層体の前記破断伸度及びフィルム状接着剤の前記接着力を上述した範囲に調節することが容易となる。
一方、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の形状安定性(すなわち、保管時の経時安定性)が向上する。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、被着体の凹凸面へフィルム状接着剤が追従し易くなり、被着体とフィルム状接着剤との間でボイド等の発生がより抑制される。
なお、本明細書において、「数平均分子量」及び「重量平均分子量」は、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値である。
(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸アラルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸イミド;
(メタ)アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル;
(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル;
(メタ)アクリル酸N-メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
エポキシ系熱硬化性樹脂(b)は、エポキシ樹脂(b1)及び熱硬化剤(b2)からなる。
接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂(b)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
エポキシ樹脂(b1)としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、2官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基(すなわち、ビニル基)、2-プロペニル基(すなわち、アリル基)、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
エポキシ樹脂(b1)のエポキシ当量は、100~1000g/eqであることが好ましく、150~800g/eqであることがより好ましい。
熱硬化剤(b2)は、エポキシ樹脂(b1)に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤(b2)としては、例えば、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
熱硬化剤(b2)のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド(DICY)等が挙げられる。
不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤(b2)としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
熱硬化剤(b2)における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
熱硬化剤(b2)のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、60~500であることが好ましい。
前記フィルム状接着剤が含有する他の成分で好ましいものとしては、例えば、硬化促進剤(c)、充填材(d)、カップリング剤(e)、架橋剤(f)、エネルギー線硬化性樹脂(g)、光重合開始剤(h)、汎用添加剤(i)等が挙げられる。
硬化促進剤(c)は、接着剤組成物の硬化速度を調節するための成分である。
好ましい硬化促進剤(c)としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の第3級アミン;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類(すなわち、1個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール);トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類(すなわち、1個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン);テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
フィルム状接着剤は、充填材(d)を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が充填材(d)を含有することにより、硬化後のフィルム状接着剤の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末;これら無機充填材を球形化したビーズ;これら無機充填材の表面改質品;これら無機充填材の単結晶繊維;ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
フィルム状接着剤は、カップリング剤(e)を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤(e)を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤(e)は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものである。
好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルメチルジエトキシシラン、3-(フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
カップリング剤(e)の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材(d)の樹脂への分散性の向上や、フィルム状接着剤の被着体との接着性の向上など、カップリング剤(e)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤(e)の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
重合体成分(a)として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤(f)を含有していてもよい。架橋剤(f)を用いて架橋することにより、フィルム状接着剤の初期接着力及び凝集力を調節できる。
フィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂(g)を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。
前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも1個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、(メタ)アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
接着剤組成物は、エネルギー線硬化性樹脂(g)を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂(g)の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤(h)を含有していてもよい。
また、光重合開始剤(h)としては、例えば、アミン等の光増感剤等も挙げられる。
汎用添加剤(I)は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤(すなわち、染料又は顔料)、ゲッタリング剤等が挙げられる。
接着剤組成物及びフィルム状接着剤の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素;メタノール、エタノール、2-プロパノール、イソブチルアルコール(2-メチルプロパン-1-オール)、1-ブタノール等のアルコール;酢酸エチル等のエステル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;テトラヒドロフラン等のエーテル;ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等のアミド(すなわち、アミド結合を有する化合物)等が挙げられる。
接着剤組成物が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
本発明の半導体加工用シートは、支持シート上に、上述の本発明のフィルム状接着剤が設けられたものである。
本発明の半導体加工用シートは、そのフィルム状接着剤上に、あらかじめ分割済みの複数個の半導体チップを設けておき、支持シートとともにフィルム状接着剤を、このフィルム状接着剤の表面に沿った方向において拡張させる、所謂エキスパンドを低温下で行うことにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外形にあわせて切断する工程で用いるのに好適である。回路が形成されている面(以下、「回路形成面」と略記することがある)とは反対側の面(すなわち、裏面)に切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップ(本明細書においては「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と称することがある)は、ピックアップした後に、半導体装置の製造に使用される。
分割済みの複数個の半導体チップは、例えば、半導体ウエハの前記フィルム状接着剤の貼付面(すなわち、裏面)とは反対側の回路形成面(すなわち、表面)から溝を形成し、この溝に到達するまで前記裏面を研削することで作製できる。このように、半導体ウエハを分割することなく、溝の底部を残すように半導体ウエハを切り込む操作は、ハーフカットとよばれる。ただし、本発明において「ハーフカット」とは、溝の深さが、例えば、半導体ウエハの厚さの半分等、特定の値となるように半導体ウエハを切り込む操作だけを意味するものではなく、上記のように溝の底部を残すように半導体ウエハを切り込む操作全般を意味する。
前記支持シートとしては、基材を有するものが挙げられる。このような支持シートは、例えば、基材からなる(すなわち、基材のみを有する)ものであってもよいし、基材と基材以外の他の層とを有するものであってもよい。前記他の層を有する支持シートとしては、例えば、基材上に粘着剤層を備えたものが挙げられる。
本発明の半導体加工用シートにおいて、前記フィルム状接着剤は、支持シート上に設けられる。したがって、例えば、支持シートが、基材上に粘着剤層を備えたものである場合には、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられ、支持シートが基材からなるものである場合には、基材にフィルム状接着剤が直接接触して設けられる。
すなわち、本発明の半導体加工用シートとしては、基材上に粘着剤層が設けられ、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられたものが好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられ、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられたものがより好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられ、粘着剤層にフィルム状接着剤が直接接触して設けられたものが特に好ましい。
前記基材の構成材料は、各種樹脂であることが好ましく、具体的には、例えば、ポリエチレン(低密度ポリエチレン(LDPEと略すことがある)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPEと略すことがある)、高密度ポリエチレン(HDPEと略すことがある)等)、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、スチレン・エチレンブチレン・スチレンブロック共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリイミド、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、フッ素樹脂、これらのいずれかの樹脂の水添加物、変性物、架橋物又は共重合物等が挙げられる。
単層からなる基材は、その表面が公知の方法で剥離処理されていてもよい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、基材の厚さの測定方法としては、例えば、任意の5箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。
また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
また、基材は、帯電防止コート層、半導体加工用シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤層は、公知のものであってもよい。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
本発明において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンHランプ、キセノンランプ又は発光ダイオード等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本発明において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
ただし、好ましい粘着剤層はこれに限定されない。
なお、本明細書においては、貯蔵弾性率を求める対象の粘着剤層が、単層の粘着剤層、及び前記積層体のいずれであっても、単に「粘着剤層」と記載することがある。
また、本明細書において、上述の「粘着剤層の貯蔵弾性率」、「積層体の貯蔵弾性率」とは、特に断りのない限り、粘着剤層が硬化性である場合には、それぞれ「硬化する前の粘着剤層の貯蔵弾性率」、「粘着剤層が硬化する前の積層体の貯蔵弾性率」を意味する。
前記粘着剤層又は積層体の0℃における貯蔵弾性率の下限値は、特に限定されず、例えば、100MPa、300MPa、500MPaのいずれかとすることができるが、これらは一例である。
例えば、粘着性樹脂を構成しているモノマーの比率、架橋剤の配合量、充填剤の含有量等を調節することで、前記粘着剤層の貯蔵弾性率及び前記積層体の貯蔵弾性率を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
前記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力の下限値は、特に限定されず、例えば、10mN/25mm、30mN/25mm、50mN/25mmのいずれかとすることができるが、これらは一例である。
例えば、粘着性樹脂を構成しているモノマーの組み合わせ、前記モノマーの比率、架橋剤の配合量、充填剤の含有量等を調節することで、粘着剤層の前記接着力を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、粘着剤層の厚さの測定方法としては、例えば、任意の5箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。
前記粘着剤組成物は、非エネルギー線硬化性であるものが好ましい。
非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、前記アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、又はポリカーボネート等の粘着性樹脂(以下、「粘着性樹脂(i)」と称する)を含有するものが挙げられる。
前記粘着性樹脂(i)は、前記アクリル系樹脂であることが好ましい。
粘着性樹脂(i)における前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリルともいう)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチルともいう)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチルともいう)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリルともいう)、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸イコシル等が挙げられる。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
すなわち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
前記他のモノマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
粘着剤組成物は、架橋剤(ii)を含有することが好ましい。
架橋剤(ii)は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂(i)同士を架橋するものである。
架橋剤(ii)としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤(すなわち、イソシアネート基を有する架橋剤);エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤(すなわち、グリシジル基を有する架橋剤);ヘキサ[1-(2-メチル)-アジリジニル]トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤(すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤);アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤(すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤);イソシアヌレート系架橋剤(すなわち、イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤)等が挙げられる。
粘着剤の凝集力を向上させて粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤(ii)はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
粘着剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(すなわち、可塑剤)、充填材(すなわち、フィラー)、防錆剤、着色剤(すなわち、顔料又は染料)、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤(すなわち、触媒)等の公知の添加剤が挙げられる。
なお、「反応遅延剤」とは、例えば、粘着剤組成物中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、1分子中にカルボニル基(-C(=O)-)を2個以上有するものが挙げられる。
粘着剤組成物は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
粘着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られ、例えば、配合成分が異なる点以外は、上述の接着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。
半導体加工用シート1において、粘着剤層12は基材11の一方の表面11aに積層され、フィルム状接着剤13は粘着剤層12の一方の表面、すなわち、粘着剤層12の基材11が設けられている側とは反対側の表面12aに積層されている。フィルム状接着剤13は、上述の本発明のフィルム状接着剤である。
すなわち、半導体加工用シート1は、支持シート10として、基材11上に粘着剤層12が設けられたものを用い、粘着剤層12にフィルム状接着剤13が直接接触して設けられたものである。
前記半導体加工用シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
例えば、基材上に粘着剤層又はフィルム状接着剤を積層する場合には、剥離フィルム上に粘着剤組成物又は接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層又はフィルム状接着剤をあらかじめ形成しておき、この形成済みの粘着剤層又はフィルム状接着剤の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、基材の表面と貼り合わせればよい。このとき、粘着剤組成物又は接着剤組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、上述の本発明のフィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられ、前記フィルム状接着剤の前記支持シートが設けられている側とは反対側の表面に、分割済みの複数個の半導体チップが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、前記積層構造体のフィルム状接着剤を冷却しながら、その表面に対して平行な方向にエキスパンドして、フィルム状接着剤を切断する切断工程と、切断後の前記フィルム状接着剤を備えた前記半導体チップ(本明細書においては、「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と略記することがある)を、前記支持シートからピックアップする(すなわち、引き離す)引き離し工程と、を有する。
前記支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられたものは、上述の本発明の半導体加工用シートであり、後述するように、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いたものである。
また、上述の非エネルギー線硬化性の粘着剤層を有する半導体加工用シートを用いた場合には、前記引き離し工程においては、エネルギー線照射による粘着剤層の硬化を行わなくても、フィルム状接着剤付き半導体チップを容易に粘着剤層から引き離してピックアップできる。この場合、半導体装置の製造工程を簡略化できる。
図2(a)に示す積層構造体101は、基材11上に粘着剤層12が設けられ、粘着剤層12の表面12aにフィルム状接着剤13が設けられ、フィルム状接着剤13の粘着剤層12が設けられている側とは反対側の表面13aに、分割済みの複数個の半導体チップ8が設けられてなる。
なお、図2では、複数個の半導体チップ8同士の間の空隙部(すなわち、前記溝に由来するもの)を強調表示している。
この方法では、図3(a)に示すように、半導体ウエハ8’に、その回路形成面である一方の表面8a’からブレードダイシング、レーザーダイシング、ウオーターダイシング等の方法で溝80’を形成する。
次いで、図3(b)に示すように、半導体ウエハ8’の前記表面(すなわち、回路形成面)8a’とは反対側の面(すなわち、裏面)8b’を研削する。前記裏面8b’の研削は、公知の方法により、例えば、グラインダー62を用いて行うことができる。前記裏面8b’の研削は、ここに示すように、半導体ウエハ8’の前記表面8a’にバックグラインドテープ63を貼付して行うことが好ましい。
そして、溝80’に到達するまで前記裏面8b’を研削することにより、図3(c)に示すように、半導体ウエハ8’から複数個の半導体チップ8が得られる。半導体ウエハ8’の前記裏面8b’は、半導体チップ8の裏面8b、すなわち、フィルム状接着剤13を設けるための面となる。
図4は、このような半導体ウエハに改質層を形成して半導体チップを得る方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
この方法では、前記改質層形成工程において、図4(a)に示すように、半導体ウエハ8’の内部に設定された焦点に集束されるように、赤外域のレーザー光を照射して、半導体ウエハ8’の内部に改質層81’を形成する。
改質層形成工程においては、例えば、レーザー光の照射によって半導体ウエハ8’の表面や表面近傍の領域が受けるダメージを最小限にしながら、改質層81’を形成するために、開口度(NA)の大きなレーザー光を照射することが好ましい。
次いで、前記分割工程においては、図4(b)に示すように、半導体ウエハ8’の前記表面(すなわち、回路形成面)8a’とは反対側の面(すなわち、裏面)8b’を研削する。このときの研削は、先の図3を引用して説明した、溝を形成した半導体ウエハの裏面の研削と同じ方法で行うことができる。例えば、このときの前記裏面8b’の研削は、半導体ウエハ8’の前記表面8a’にバックグラインドテープ63を貼付して行うことが好ましい。
上述の半導体装置の製造方法での前記切断工程においては、前記積層構造体形成工程後に、図2(b)に示すように、積層構造体101のフィルム状接着剤13を冷却しながら、フィルム状接着剤13の表面13aに対して平行な方向にフィルム状接着剤13をエキスパンドして、フィルム状接着剤13を切断する。フィルム状接着剤13は、基材11及び粘着剤層12(すなわち、支持シート10)とともにエキスパンドすればよい。ここでは、切断後のフィルム状接着剤を、符号13’を付して示しているが、このような切断後のフィルム状接着剤13’を単に「フィルム状接着剤13’」と称することがある。また、フィルム状接着剤13のエキスパンドの方向を矢印Iで示している。
前記引き離し工程においては、前記切断工程後に、図2(c)に示すように、切断後のフィルム状接着剤13’を備えた半導体チップ8を、支持シート10(すなわち、粘着剤層12)から引き離して、ピックアップを行う。
・重合体成分
(a)-1:アクリル酸メチル(以下、「MA」と略記する)(95質量部)及びアクリル酸-2-ヒドロキシエチル(以下、「HEA」と略記する)(5質量部)を共重合してなるアクリル系樹脂(重量平均分子量800000、ガラス転移温度9℃)。
・エポキシ樹脂
(b1)-1:アクリロイル基が付加されたクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製「CNA147」、エポキシ当量518g/eq、数平均分子量2100、不飽和基含有量はエポキシ基と等量)
・熱硬化剤
(b2)-1:アラルキルフェノール樹脂(三井化学社製「ミレックスXLC-4L」、数平均分子量1100)
・充填材
(d)-1:球状シリカ(アドマテックス社製「YA050C-MJE」、平均粒径50nm、メタクリルシラン処理品)
・カップリング剤
(e)-1:シランカップリング剤、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン(信越化学工業社製「KBE-402」)
・架橋剤
(f)-1:トリレンジイソシアネート系架橋剤(東洋インキ製造社製「BHS8515」)
[実施例1]
(接着剤組成物の製造)
重合体成分(a)-1、エポキシ樹脂(b1)-1、熱硬化剤(b2)-1、充填材(d)-1、カップリング剤(e)-1、及び架橋剤(f)-1を、これらの含有量(質量部)が表1に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、23℃で撹拌することで、接着剤組成物を得た。
ポリエチレンテレフタレート製フィルム(厚さ38μm)の片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルムの前記剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗工し、120℃で3分加熱乾燥させることにより、厚さ20μmのフィルム状接着剤を形成した。
次いで、このフィルム状接着剤の露出面に、別途、前記剥離フィルムの剥離処理面を貼付し、フィルム状接着剤の両面に前記剥離フィルムが貼付されたフィルム状接着剤積層物を得た。
粘着性樹脂(100質量部)に対して、架橋剤(30.16質量部)を加えて23℃で撹拌することで、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物を得た。なお、ここに示す配合部数は、すべて固形分換算値である。
前記粘着性樹脂は、アクリル酸-2-エチルヘキシル(80質量部)、及びアクリル酸-2-ヒドロキシエチル(20質量部)を共重合してなるアクリル系重合体(重量平均分子量860000、ガラス転移温度-61℃)である。また、前記架橋剤は、トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物(東ソー社製「コロネートL」)である。
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物を塗工し、120℃で2分間加熱乾燥させることにより、厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次いで、この粘着剤層の露出面に、基材として、厚さ110μmの低密度ポリエチレン(LDPE)製フィルムを貼り合せることにより、剥離フィルムを備えた粘着シートを得た。
前記フィルム状接着剤積層物を、製造直後から常温下で1週間保存した後、一方の剥離フィルムを取り除き、フィルム状接着剤の一方の表面を露出させた。また、上記で得られた粘着シートから剥離フィルムを取り除き、粘着剤層の一方の表面を露出させた。そして、フィルム状接着剤の露出面と、粘着剤層の露出面とを貼り合わせることで、基材、粘着剤層、フィルム状接着剤及び剥離フィルムがこの順に積層されてなる半導体加工用シートを得た。
接着剤組成物の含有成分を表1又は表2に示すとおりとした点以外は、実施例1と同じ方法で、フィルム状接着剤及び半導体加工用シートを製造した。実施例6及び7は参考例である。
上記で得られたフィルム状接着剤及び半導体加工用シートについて、下記項目を評価した。
ラミネーターを用いて、上記で得られたフィルム状接着剤を複数層貼り合わせることで、合計の厚さが60μmである、フィルム状接着剤が積層された積層体を作製した。さらに、この積層体を裁断して、幅6mm、長さ5mm、厚さ60μmの試験片を作製した。
ポリエチレンテレフタレート製フィルム(厚さ50μm)の片面に強粘着力の粘着層(厚さ24μm)が積層されてなる粘着テープを準備した。上記で得られたフィルム状接着剤積層物から一方の剥離フィルムを除去し、フィルム状接着剤の一方の表面を露出させた。そして、フィルム状接着剤のこの露出面に、ラミネーターを用いて、前記粘着テープの粘着層を貼り合わせることで、積層シートを作製した。さらに、この積層シートを幅25mm、長さ150mmの大きさに裁断した後、フィルム状接着剤から残りの剥離フィルムを除去して、試験片を作製した。
ダイシング装置(ディスコ社製「DFD6361」)を用い、8インチのシリコンウエハ(厚さ720μm)のミラー面に対して、10mm×10mmの大きさの正方形を描画するように、その表面から80μmの深さまでダイシングブレードにより切れ込みを入れて溝を形成するハーフカットダイシングを行った。
次いで、テープラミネーター(リンテック社製「RAD-3510」)を用いて、常温下で、上記の溝を形成したシリコンウエハのミラー面に、バックグラインドテープ(リンテック社製「ADWILL E-3125KN」)をその粘着層により貼付した。
次いで、グラインダー(ディスコ社製「DFG8760」)を用いて、シリコンウエハの上記の溝を形成したミラー面とは反対側の面を研削した。このとき、シリコンウエハの厚さが50μmとなるように研削を行い、同時にシリコンウエハを分割して、シリコンチップに個片化した。得られたシリコンチップは、互いに約30μmの間隔を空けて、バックグラインドテープ上で固定されていた。
次いで、得られたシリコンチップの前記研削面に、テープマウンター(リンテック社製「ADWILL RAD2500」)を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを、その60℃に加熱したフィルム状接着剤により貼付し、積層物を得た。
次いで、得られた積層物を、その粘着剤層の露出面によりダイシング用リングフレームに貼付して固定し、シリコンチップからバックグラインドテープを剥離することにより、半導体加工用シートの未切断のフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップが整列して設けられてなる積層構造体の試験片を得た。
次いで、デジタル顕微鏡(キーエンス社製「VH-Z100」)を用いて、フィルム状接着剤を観察し、フィルム状接着剤の切断特性(1)を、下記基準に従って評価した。結果を表1又は表2に示す。
A:目的とするすべての箇所でフィルム状接着剤を切断できた。
B:目的とする箇所の一部でフィルム状接着剤を切断できなかった。
C:目的とするすべての箇所でフィルム状接着剤を切断できなかった。
裏面研削用テープラミネーター(リンテック社製「RAD-3510F/12」)を用い、12インチのシリコンウエハの一方の面に、裏面研削用テープ(リンテック社製「E-3125KL」)をラミネートした。
次いで、シリコンウエハの裏面研削用テープがラミネートされていない露出面側から、シリコンウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、シリコンウエハの内部に改質層を形成する、ステルスダイシングを行った。このステルスダイシングは、装置としてディスコ社製「DFL7361」を用い、8mm×10mmの大きさのシリコンチップが得られるように調節して行った。
次いで、グラインダー(ディスコ社製「DGP8761」)を用いて、シリコンウエハの前記露出面を研削した。このとき、シリコンウエハの厚さが40μmとなるように研削を行い、同時にシリコンウエハを分割して、シリコンチップに個片化した。得られたシリコンチップは、裏面研削用テープ上で固定されていた。
次いで、得られたシリコンチップの前記研削面に、テープマウンター(ディスコ製「DFM2800」)を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを、その60℃に加熱したフィルム状接着剤により貼付し、積層物を得た。
次いで、得られた積層物を、その粘着剤層の露出面によりダイシング用リングフレームに貼付して固定し、シリコンチップから裏面研削用テープを剥離することにより、半導体加工用シートの未切断のフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップが整列して設けられてなる積層構造体の試験片を得た。
次いで、テーブルを下げてエキスパンドを解除し、上記のエキスパンダーのものとは異なる別のテーブルに、エキスパンド後の前記試験片を設置した。そして、この試験片をテーブルに吸着させることなく、テーブル突上げ高さ8mm、テーブル突上げ速度1mm/secの条件で突き上げ、テーブルが上昇しきった段階で試験片をテーブルに吸着させ、半導体加工用シートをエキスパンドし、隣り合うシリコンチップ間の間隔(すなわち、カーフ幅)を広げることを試みた。さらに、試験片をテーブルに吸着させたままテーブルを下げ、カーフ幅を変えずに維持するようにし、試験片のシリコンチップが設けられていない外周部のたるみを、250℃での加熱による収縮で解消した。以上により、カーフ幅を広げた試験片の取得を試みた。
次いで、デジタル顕微鏡(キーエンス社製「VH-Z100」)を用いて、フィルム状接着剤を観察し、フィルム状接着剤の切断特性(2)を、上述のフィルム状接着剤の切断特性(1)の場合と同じ基準に従って評価した。結果を表1又は表2に示す。
・シリコンチップの製造
ドライポリッシュ仕上げの12インチシリコンウエハ(厚さ75μm)に、テープマウンター(リンテック社製「Adwill RAD2700」)を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを60℃に加熱して貼付し、リングフレームをマウントした。
次いで、ダイシング装置(ディスコ社製「DFD6361」)を用いて、前記シリコンウエハを8mm×8mmの大きさのシリコンチップに個片化した。このときのダイシングは、ブレード速度50mm/sec、ブレード回転数40000rpm、切削水量1L/minの条件で行った。また、ダイシングの際の基材への切り込み量は、20μmとなるようにした。
基板として、銅箔張り積層板(三菱ガス化学社製「OCL-HL830」)の銅箔(厚さ18μm)に回路パターンが形成され、回路パターン上にソルダーレジスト(太陽インキ社製「PSR-4000 AUS308」)を有している基板(ちの技研社製「LN001E-001 PCB(Au)AUS308」)を用いた。上記で得られた半導体加工用シート上のシリコンチップを、フィルム状接着剤とともに基材から剥離させ、これを120℃、250gf、0.5秒の条件で前記基板上に圧着させて、フィルム状接着剤によりシリコンチップを基板上に固定し、積層物を得た。
次いで、得られた積層物を、175℃に昇温したオーブン内に4時間又は2時間置いて、ワイヤボンディングを想定した熱履歴を前記積層物に付与した。
次いで、モールド樹脂(京セラケミカル社製「KE-G1250」)を用い、封止装置(アピックヤマダ社製「G-CUBE MZ549-1」)を用いて、封止厚が400μmとなるように、封止温度175℃、封止圧力7MPa、封止時間2分の条件で、熱履歴を付与後の前記積層物を封止した。さらに、175℃で5時間、前記モールド樹脂を硬化させた。
次いで、封止された基板をダイシングテープ(リンテック社製「Adwill D-510T」)に貼り合わせ、ダイシング装置(ディスコ社製「DFD6361」)を用いて、封止された基板を15mm×15mmの大きさに個片化した。このときのダイシングは、ブレード速度50mm/sec、ブレード回転数40000rpm、切削水量1L/minの条件で行った。
以上により、半導体パッケージを得た。
上記で得られた半導体パッケージを、温度85℃、相対湿度60%の条件下で168時間放置して吸湿させた後、リフロー炉(相模理工社製「WL-15-20DNX型」)を用いて、最高温度260℃、加熱時間1分の条件で、この吸湿後の半導体パッケージに対してIRリフローを3回行った。
次いで、走査型超音波探傷装置(日立建機ファインテック社製「Hye-Focus」)を用いて、半導体パッケージにおけるクラックの発生の有無を確認し、下記基準に従って、パッケージ信頼性(すなわち、フィルム状接着剤の信頼性)を評価した。結果を表1又は表2に示す。
A:175℃、4時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、IRリフロー後の半導体パッケージにクラックが全く発生していなかった。
B:175℃、2時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、IRリフロー後の半導体パッケージにクラックが全く発生していなかったが、175℃、4時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、IRリフロー後の半導体パッケージにクラックが発生していた。
C:175℃、2時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合、及び、175℃、4時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合のいずれにおいても、IRリフロー後の半導体パッケージにクラックが発生していた。
上述のフィルム状接着剤の製造時に、同時にフィルム状接着剤の造膜性を評価した。
すなわち、得られたフィルム状接着剤の表面のうち、前記接着剤組成物を前記剥離フィルムへ塗工したときに、接着剤組成物の剥離フィルムへ接触していた部位から形成された表面について、外観を目視観察して、フィルム状接着剤の造膜性を下記基準に従って評価した。結果を表1又は表2に示す。
A:表面に異常が認められず、表面状態が良好であった。
B:表面にスジ又はハジキが発生していたが、表面状態の乱れは軽度であった。
C:表面に凝集物が発生しており、表面状態が一様でなかった。
実施例1~7のフィルム状接着剤は、切断特性(1)の評価時において、エキスパンドによって目的の箇所で切断されるとともに、その切断箇所においてフィルム状接着剤の欠け等の異常も認められず、優れた切断特性を示した。また、実施例1、3及び6のフィルム状接着剤は、切断特性(2)の評価においても、優れた切断特性を示した(実施例2、4及び5のフィルム状接着剤は、切断特性(2)については未評価である)。
さらに、実施例1~6のフィルム状接着剤は、すべて信頼性及び造膜性が良好で、フィルム状接着剤としての基本特性に問題点はなかった。
また、比較例3、4及び7では、フィルム状接着剤の接着力が260mN/25mm以下であり、切断特性(1)の評価時において、フィルム状接着剤を目的とする箇所の一部で切断できず、また、目的とする箇所で切断されていても、その切断箇所においてフィルム状接着剤の欠け等の異常も認められ、フィルム状接着剤は切断特性に劣っていた。また、比較例3、4及び7のフィルム状接着剤は、切断特性(2)の評価時においても、切断特性に劣っていた(比較例1、2、5及び6のフィルム状接着剤は、切断特性(2)については未評価である)。
また、比較例5及び6では、前記積層体の0℃における破断伸度、及びフィルム状接着剤の接着力を、いずれも測定できず、切断特性(1)及び切断特性(2)をともに評価できなかった。
さらに、比較例3及び4のフィルム状接着剤は、信頼性に劣っており、比較例5及び6のフィルム状接着剤は、造膜性に劣っており、これらはフィルム状接着剤としての基本特性に問題点があった。
Claims (8)
- 重合体成分(a)、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)及び充填材(d)を含有する、硬化性のフィルム状接着剤であって、
前記重合体成分(a)は、アクリル系樹脂であり、
前記アクリル系樹脂は、水酸基を有し、
前記フィルム状接着剤は、前記水酸基と結合させて架橋するための架橋剤(f)を含有し、
前記重合体成分(a)の含有量は、重合体成分(a)、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)及び充填材(d)の総含有量を100質量部としたとき、45質量部以上65質量部以下であり、
厚さが60μmである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の2層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが60μmとなるように積層した積層体の、0℃における破断伸度が60%以下であり、
硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、300mN/25mm以上であるフィルム状接着剤。 - 前記アクリル系樹脂は、アクリル酸メチル(MA)及びアクリル酸-2-ヒドロキシエチル(HEA)を質量比95:5で共重合してなるアクリル系樹脂である請求項1に記載のフィルム状接着剤。
- 重合体成分(a)、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)及び充填材(d)を含有する、硬化性のフィルム状接着剤であって、
前記重合体成分(a)は、アクリル系樹脂であり、
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸メチル(MA)及びアクリル酸-2-ヒドロキシエチル(HEA)を質量比95:5で共重合してなるアクリル系樹脂であり、
前記重合体成分(a)の含有量は、重合体成分(a)、エポキシ系熱硬化性樹脂(b)及び充填材(d)の総含有量を100質量部としたとき、45質量部以上65質量部以下であり、
厚さが60μmである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の2層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが60μmとなるように積層した積層体の、0℃における破断伸度が60%以下であり、
硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、300mN/25mm以上であるフィルム状接着剤。 - 前記アクリル系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、100000~1500000であり、
前記アクリル系樹脂のガラス転移温度(Tg)は、-30~50℃である請求項1~3のいずれか1項に記載のフィルム状接着剤。 - 支持シート上に、請求項1~4のいずれか1項に記載のフィルム状接着剤が設けられた、半導体加工用シート。
- 前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、
前記粘着剤層に前記フィルム状接着剤が直接接触して設けられた、請求項5に記載の半導体加工用シート。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載のフィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、
支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられ、前記フィルム状接着剤の前記支持シートが設けられている側とは反対側の表面に、分割済みの複数個の半導体チップが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、
前記積層構造体のフィルム状接着剤を冷却しながら、前記フィルム状接着剤の表面に沿った方向にエキスパンドして、フィルム状接着剤を切断する切断工程と、
切断後の前記フィルム状接着剤を備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記積層構造体形成工程の前に、さらに、
半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム状接着剤を設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、
を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いる、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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