WO2017169387A1 - フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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film
film adhesive
semiconductor
meth
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なつき 仲秋
明徳 佐藤
さやか 土山
鈴木　英明
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リンテック株式会社
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    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Definitions

  • the present invention relates to a film adhesive, a semiconductor processing sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the dicing sheet is used when a semiconductor wafer is diced into semiconductor chips.
  • a dicing sheet is provided with an adhesive layer on a substrate, for example, and is used by being affixed to a semiconductor wafer by the adhesive layer. After dicing, for example, by reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer by curing by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays, the semiconductor chip is separated from the cured pressure-sensitive adhesive layer and easily picked up.
  • the picked-up semiconductor chip is die-bonded to the circuit surface of the substrate with, for example, a film adhesive, and if necessary, one or more other semiconductor chips are laminated on the semiconductor chip and wire-bonded. After that, the whole is sealed with resin. A semiconductor device of interest is finally manufactured using the semiconductor package thus obtained. Therefore, the semiconductor chip may be configured to be picked up with a film adhesive on the surface to be die bonded.
  • a dicing die bonding sheet in which an uncut film adhesive is provided on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing sheet may be used.
  • a plurality of semiconductor chips that have been singulated in advance may be provided on the film adhesive.
  • a semiconductor processing sheet having the same configuration as the dicing die bonding sheet is used. Is done.
  • a semiconductor processing sheet for example, a plurality of semiconductor chips that have been separated in advance are provided on the film adhesive, and the semiconductor processing sheet is expanded at a low temperature. By doing so, the film-like adhesive may be cut according to the outer shape of the semiconductor chip, and a semiconductor chip provided with the cut film-like adhesive on the target surface may be manufactured.
  • a shear adhesive force when adhering to a semiconductor wafer at 25 ° C. of a film adhesive (ie, die bond film), and a dicing sheet (ie, dicing) The elongation at break at 25 ° C. of a film adhesive (ie, die bond film) before thermal curing, in which the shear adhesive strength when adhered to a film) was set within a specific range (see Patent Document 1), respectively.
  • the thickness of the semiconductor wafer is A ( ⁇ m). ), C / A, C / B, and A / B, where B ( ⁇ m) is the thickness of the film adhesive (ie, die bond film) and C ( ⁇ m) is the thickness of the substrate.
  • B ( ⁇ m) is the thickness of the film adhesive (ie, die bond film)
  • C ( ⁇ m) is the thickness of the substrate.
  • Those set so as to be within specific ranges see Patent Document 3
  • elongation at break and elastic modulus at 25 ° C. of a B-stage film-like adhesive (ie, adhesive sheet), and dicing sheet (ie, , Dicing tape) and A / B when the thickness of the film-like adhesive is B are set so that each is within a specific range (see Patent Document 4). ing.
  • an object of the present invention is to provide a novel sheet for semiconductor processing provided with a film-like adhesive having good cutting characteristics by expanding.
  • the present invention is a curable film-like adhesive having a thickness of 60 ⁇ m, which is a single-layer film adhesive before curing, or two or more films before curing.
  • the laminated body obtained by laminating the adhesive in a total thickness of 60 ⁇ m has a breaking elongation at 0 ° C. of 60% or less, and the adhesive strength of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer is A film adhesive having a thickness of 300 mN / 25 mm or more is provided.
  • this invention provides the sheet
  • the support sheet is one in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a substrate, and the film-like adhesive is provided in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer. preferable.
  • this invention is a manufacturing method of the semiconductor device using the said film adhesive, Comprising:
  • the said film adhesive is provided on a support sheet and the said support sheet of the said film adhesive is provided.
  • a method for manufacturing a semiconductor device is provided.
  • the semiconductor laser is irradiated with infrared laser light so as to be focused on a focal point set inside the semiconductor wafer.
  • the modified layer forming step of forming a modified layer inside the wafer, and in the semiconductor wafer on which the modified layer is formed, the surface for providing the film adhesive is ground, and the grinding force is Dividing the semiconductor wafer at a portion of the modified layer by adding to the semiconductor wafer, and obtaining a plurality of semiconductor chips, and a plurality of semiconductor chips obtained in the dividing step, You may use at the said laminated structure formation process.
  • a novel sheet for semiconductor processing provided with a film adhesive having a good cutting property by expanding.
  • the film-like adhesive of the present invention is a curable film-like adhesive, and has a thickness of 60 ⁇ m and is a single layer of the film-like adhesive before curing, or two or more layers of the film-like adhesive before curing.
  • the laminate obtained by laminating the agent so that the total thickness becomes 60 ⁇ m has a breaking elongation at 0 ° C. of 60% or less, and the adhesive strength of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer is 300 mN / 25 mm or more.
  • the film-like adhesive of the present invention has a breaking elongation of 60% or less, and a semiconductor processing sheet is formed as described later, this sheet (that is, the film-like adhesive) is applied to the surface.
  • the so-called expand which is expanded in the direction along, is performed at a low temperature, it is easily cut at the target location.
  • the film adhesive of the present invention has an abnormality such as chipping of the film adhesive when the expansion is performed at a low temperature as described above because the adhesive force is 300 mN / 25 mm or more. Not cut at the desired location.
  • the film-like adhesive has a sufficient adhesive force to the semiconductor wafer, and when the film-like adhesive is expanded, of the film-like adhesive, in the vicinity of the end of the semiconductor chip. It is presumed that this is because the force during expansion easily concentrates on the area.
  • the adhesive force is less than 300 mN / 25 mm, the film-like adhesive is brittle at low temperatures. Therefore, in the expanded film-like adhesive, in an area other than the vicinity of the end of the semiconductor chip.
  • the film adhesive before hardening shows the equivalent adhesive force with respect to a semiconductor wafer and a semiconductor chip.
  • the film adhesive has curability.
  • the film adhesive preferably has thermosetting properties, and preferably has pressure sensitive adhesive properties.
  • a film adhesive having both thermosetting and pressure-sensitive adhesive properties can be applied by lightly pressing on various adherends in an uncured state.
  • the film adhesive may be one that can be applied to various adherends by heating and softening.
  • the film adhesive finally becomes a cured product having high impact resistance by curing, and this cured product can maintain sufficient adhesive properties even under severe high temperature and high humidity conditions.
  • the film adhesive may be composed of one layer (that is, a single layer), or may be composed of two or more layers.
  • these layers may be the same or different from each other, and the combination of these layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a plurality of layers may be the same or different from each other” means “all layers may be the same or all layers. May be different, and only some of the layers may be the same ”, and“ a plurality of layers are different from each other ”means that“ at least one of the constituent material and thickness of each layer is different from each other ” "Means.
  • the thickness of the film adhesive is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m to 50 ⁇ m, and more preferably 3 ⁇ m to 40 ⁇ m.
  • the thickness of the film adhesive is equal to or more than the lower limit value, higher adhesive force can be obtained with respect to the adherend (ie, semiconductor chip).
  • the thickness of the film adhesive is not more than the above upper limit value, the film adhesive can be more easily cut by an expand described later.
  • the “thickness of the film-like adhesive” means the thickness of the entire film-like adhesive.
  • the thickness of the film-like adhesive composed of a plurality of layers means all of the film-like adhesive. Means the total thickness of the layers.
  • the method of measuring thickness using a contact-type thickness meter in arbitrary five places, and calculating the average of a measured value etc. are mentioned, for example.
  • the laminate for which the breaking elongation is to be obtained is obtained by laminating two or more layers of a film-like adhesive before curing having a thickness of less than 60 ⁇ m so that the total thickness becomes 60 ⁇ m. is there.
  • the elongation at break (%) at 0 ° C. of the film adhesive or laminate can be measured by the following method. That is, the film adhesive or laminate having a width of 6 mm, a length of 5 mm, and a thickness of 60 ⁇ m is used as a test piece, and a load applied to the test piece is from 1 N to 18 N at 1 N / min.
  • the elongation at break is determined by measuring the elongation of the test piece when it is pulled and broken while changing the ratio.
  • the elongation at break is X% (wherein X is a positive number)” means that in the measurement method described above, the test piece (that is, a film adhesive or laminate) ) And the test piece is stretched by X% of its original length (ie, the length when not being pulled) in the tensile direction, that is, the total length in the tensile direction of the test piece is It means that the test piece breaks when it becomes [1 + X / 100] times the length before pulling.
  • the breaking elongation (%) of the film adhesive or laminate is 60% or less, preferably 57% or less, and more preferably 54% or less.
  • the breaking elongation is equal to or less than the upper limit value, the film adhesive is favorably cut by an expand.
  • the lower limit of the breaking elongation (%) of the film adhesive or laminate is not particularly limited, but is preferably 5%, for example.
  • the breaking elongation is equal to or greater than the lower limit, the handleability of the film adhesive is improved, and the effect of suppressing the scattering of the film adhesive during expansion is enhanced.
  • the elongation at break (%) can be adjusted as appropriate by adjusting, for example, the type and amount of components contained in the film adhesive.
  • the molecular weight and content of the polymer component (a) described later, the structure of the component constituting the epoxy thermosetting resin (b), the softening point and the content, and the content of the filler (c) are adjusted. By doing so, the breaking elongation can be easily adjusted.
  • these adjustment methods are only examples.
  • the adhesive force (N / 25 mm) of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer can be measured by the following method. That is, a laminated sheet of a film adhesive and an adhesive tape having a width of 25 mm and an arbitrary length is produced. In this laminated sheet, a film adhesive is laminated on the adhesive surface of the adhesive tape. Next, the laminated sheet is attached to a semiconductor wafer with a film adhesive heated to 40 to 70 ° C. to produce a laminate in which the adhesive tape, the film adhesive and the semiconductor wafer are laminated in this order. After the preparation, the laminate is immediately left to stand in an environment of 15 to 27 ° C.
  • the so-called 180 ° peeling is performed so that the surfaces are peeled off at a peeling speed of 300 mm / min so as to form an angle of 180 °.
  • the peeling force at this time is measured, and the measured value is defined as the adhesive strength (N / 25 mm) of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer.
  • the length of the laminated sheet used for the measurement is not particularly limited as long as the peel force can be stably measured, but it is preferably 100 mm to 300 mm.
  • the adhesive strength of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer is 300 mN / 25 mm or more, for example, 310 mN / 25 mm or more, 340 mN / 25 mm or more, 380 mN / 25 mm or more, etc. It is not limited to.
  • the upper limit value of the adhesive force is not particularly limited, and can be selected from, for example, 10 N / 25 mm, 800 mN / 25 mm, 700 mN / 25 mm, 600 mN / 25 mm, 500 mN / 25 mm, etc., but these are examples.
  • the adhesive force of the film adhesive before curing to the semiconductor wafer can be adjusted as appropriate by adjusting, for example, the types and amounts of the components contained in the film adhesive.
  • the molecular weight of the polymer component (a) described later, the ratio of each monomer component constituting the polymer component (a), the softening point of the component constituting the epoxy thermosetting resin (b), and the film adhesive By adjusting the content of each of the components, the adhesive strength of the film adhesive can be easily adjusted.
  • these adjustment methods are only examples.
  • the film adhesive of the present invention exhibits good cutting characteristics even at a relatively slow expanding speed.
  • the film adhesive of the present invention is particularly suitable when used at a slow expansion rate of 0.5 to 100 mm / sec. As described above, when the expansion speed is slow, the semiconductor chip is less likely to be damaged when the film adhesive is cut, and the effects of the present invention can be obtained more remarkably.
  • Preferred examples of the film-like adhesive include those containing a polymer component (a) and an epoxy thermosetting resin (b).
  • the film adhesive can be formed from an adhesive composition containing the constituent materials.
  • a film adhesive can be formed in the target site
  • a more specific method for forming the film adhesive will be described later in detail, along with the method for forming other layers.
  • the content ratio of components that do not vaporize at normal temperature is usually the same as the content ratio of the components of the film adhesive.
  • “normal temperature” means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25 ° C.
  • the adhesive composition may be applied by a known method, for example, an air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, comma coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater. And a method using various coaters such as a screen coater, a Meyer bar coater, and a kiss coater.
  • the drying conditions of the adhesive composition are not particularly limited, but the adhesive composition is preferably heated and dried when it contains a solvent described later, and in this case, for example, at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to It is preferable to dry under conditions of 5 minutes.
  • Preferred adhesive compositions include, for example, those containing a polymer component (a) and an epoxy thermosetting resin (b).
  • a polymer component a
  • b epoxy thermosetting resin
  • the polymer component (a) is a component that can be regarded as formed by polymerization reaction of a polymerizable compound, and imparts film-forming properties, flexibility, etc. to the film adhesive, and is attached to an object to be bonded such as a semiconductor chip. It is a polymer compound for improving adhesiveness (that is, sticking property). Moreover, a polymer component (a) is also a component which does not correspond to the epoxy resin (b1) and thermosetting agent (b2) which are mentioned later.
  • the polymer component (a) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one kind, or two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • polymer component (a) examples include acrylic resins, polyesters, urethane resins, acrylic urethane resins, silicone resins, rubber resins, phenoxy resins, and thermosetting polyimides, and acrylic resins are preferable. .
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1500,000.
  • Mw weight average molecular weight
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is within such a range, it is easy to adjust the breaking elongation of the film adhesive or the laminate and the adhesive force of the film adhesive to the above-described ranges. Become.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is equal to or more than the lower limit, the shape stability of the film adhesive (that is, the temporal stability during storage) is improved.
  • the film adhesive can easily follow the uneven surface of the adherend, and voids or the like between the adherend and the film adhesive. Occurrence is further suppressed.
  • number average molecular weight and weight average molecular weight are polystyrene conversion values measured by a gel permeation chromatography (GPC) method unless otherwise specified.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably ⁇ 60 to 70 ° C., and more preferably ⁇ 30 to 50 ° C.
  • Tg of the acrylic resin is equal to or greater than the lower limit, the adhesive force between the film adhesive and the support sheet described later is suppressed, and at the time of pick-up, from the support sheet of the semiconductor chip provided with the film adhesive It becomes easier to pull apart.
  • the adhesive force of a film adhesive and a semiconductor chip improves because Tg of acrylic resin is below the said upper limit.
  • the “glass transition temperature” is represented by the temperature of the inflection point of the DSC curve obtained by measuring the DSC curve of the sample using a differential scanning calorimeter.
  • acrylic resin examples include a (meth) acrylic acid ester copolymer having a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester monomer.
  • examples of the (meth) acrylate ester constituting the acrylic resin include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, N-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, (meth ) Heptyl acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate,
  • (meth) acrylic acid is a concept including both “acrylic acid” and “methacrylic acid”.
  • (meth) acrylate is a concept including both “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth) acryloyl group Is a concept including both an “acryloyl group” and a “methacryloyl group”.
  • the acrylic resin is, for example, one or more monomers selected from (meth) acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, N-methylolacrylamide and the like in addition to the (meth) acrylic ester. May be obtained by copolymerization.
  • Only one type of monomer constituting the acrylic resin may be used, or two or more types may be used, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the acrylic resin may have a functional group capable of binding to other compounds such as a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a carboxy group, and an isocyanate group in addition to the above-described hydroxyl group.
  • These functional groups including the hydroxyl group of the acrylic resin may be bonded to other compounds via the crosslinking agent (f) described later, or directly bonded to other compounds not via the crosslinking agent (f). You may do it.
  • the acrylic resin is bonded to another compound through the functional group, the reliability of the package obtained using the film adhesive tends to be improved.
  • thermoplastic resin other than an acrylic resin
  • thermoplastic resin it becomes easier to separate the semiconductor chip provided with the film adhesive from the support sheet at the time of pickup, or the film adhesive follows the uneven surface of the adherend. It becomes easy and generation
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 1000 to 100,000, more preferably 3000 to 80,000.
  • the glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is preferably ⁇ 30 to 150 ° C., and more preferably ⁇ 20 to 120 ° C.
  • thermoplastic resin examples include polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene.
  • thermoplastic resin which an adhesive composition and a film adhesive contain may be sufficient as the said thermoplastic resin which an adhesive composition and a film adhesive contain, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily.
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total content of all components other than the solvent (that is, the content of the polymer component (a) of the film adhesive) is the polymer. Regardless of the type of component (a), it is preferably 20 to 75% by mass, more preferably 30 to 65% by mass.
  • Epoxy thermosetting resin (b) is composed of an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2).
  • the epoxy-based thermosetting resin (b) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one type, or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. Can be selected.
  • Epoxy resin (b1) examples include known ones such as polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, Biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, phenylene skeleton type epoxy resins, and the like, and bifunctional or higher functional epoxy compounds are listed.
  • an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used as the epoxy resin (b1).
  • An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group is more compatible with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. Therefore, the reliability of the package obtained using a film adhesive improves by containing the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group.
  • the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group examples include a compound obtained by converting a part of the epoxy group of a polyfunctional epoxy resin into a group having an unsaturated hydrocarbon group. Such a compound can be obtained, for example, by addition reaction of (meth) acrylic acid or a derivative thereof to an epoxy group.
  • the “derivative” means one obtained by substituting one or more groups of the original compound with other groups (ie, substituents) unless otherwise specified.
  • the “group” includes not only an atomic group formed by bonding a plurality of atoms but also one atom.
  • an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple
  • the unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include an ethenyl group (that is, a vinyl group), a 2-propenyl group (that is, an allyl group), and a (meth) acryloyl group. , (Meth) acrylamide groups and the like, and an acryloyl group is preferred.
  • the number average molecular weight of the epoxy resin (b1) is not particularly limited, but is preferably 300 to 30000 from the viewpoints of curability of the film adhesive and strength and heat resistance of the cured film adhesive. It is more preferably 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3000.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin (b1) is preferably 100 to 1000 g / eq, and more preferably 150 to 800 g / eq.
  • 1 type may be sufficient as the epoxy resin (b1) which an adhesive composition and a film adhesive contain, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily.
  • thermosetting agent (b2) functions as a curing agent for the epoxy resin (b1).
  • a thermosetting agent (b2) the compound which has 2 or more of functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example.
  • the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group has been anhydrideized, and the like, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group has been anhydrideized. It is preferably a group, more preferably a phenolic hydroxyl group or an amino group.
  • thermosetting agents (b2) examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenol resins, biphenols, novolac type phenol resins, dicyclopentadiene type phenol resins, and aralkyl type phenol resins.
  • examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (DICY).
  • the thermosetting agent (b2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
  • the thermosetting agent (b2) having an unsaturated hydrocarbon group for example, a compound in which a part of the hydroxyl group of the phenol resin is substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic ring of the phenol resin, Examples thereof include compounds in which a group having a saturated hydrocarbon group is directly bonded.
  • the unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (b2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group described above.
  • thermosetting agent (b2) When a phenolic curing agent is used as the thermosetting agent (b2), the thermosetting agent (b2) is a softening point or a point because it becomes easy to adjust the adhesive force of the film adhesive to the above-mentioned range. Those having a high glass transition temperature are preferred.
  • thermosetting agent (b2) for example, the number average molecular weight of the resin component such as polyfunctional phenolic resin, novolac type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, aralkyl type phenolic resin is preferably 300 to 30000. 400 to 10,000 is more preferable, and 500 to 3000 is particularly preferable.
  • the molecular weight of non-resin components such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
  • thermosetting agent (b2) which an adhesive composition and a film adhesive contain, only 1 type may be sufficient and 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily. .
  • the content of the thermosetting agent (b2) is preferably 0.1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin (b1). It is more preferably 1 to 200 parts by mass.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is greater than or equal to the lower limit value, the curing of the film adhesive is more likely to proceed.
  • the moisture absorption rate of a film adhesive is reduced because the said content of a thermosetting agent (b2) is below the said upper limit, and the reliability of the package obtained using the film adhesive is more. improves.
  • the content of the epoxy-based thermosetting resin (b) (that is, the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2)) is the polymer component (a ) Is preferably 5 to 100 parts by weight, more preferably 7 to 90 parts by weight, and particularly preferably 9 to 80 parts by weight. It may be any of ⁇ 70 parts by mass, 9-60 parts by mass, 9-50 parts by mass, 9-40 parts by mass, and the like.
  • the film adhesive contains, in addition to the polymer component (a) and the epoxy-based thermosetting resin (b), other components not corresponding to these, if necessary. You may do it.
  • Preferred examples of other components contained in the film adhesive include a curing accelerator (c), a filler (d), a coupling agent (e), a crosslinking agent (f), and an energy ray curable resin. (G), photoinitiator (h), general-purpose additive (i), etc. are mentioned.
  • the curing accelerator (c) is a component for adjusting the curing rate of the adhesive composition.
  • Preferred curing accelerators (c) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole Imidazoles such as 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (ie, one or more hydrogen atoms are hydrogen Imidazoles substituted with groups other than atoms); organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine (ie, phosphines in which one or more hydrogen atoms are replaced with organic groups); tetraphenylphosphoric acid, benz
  • the curing accelerator (c) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the curing accelerator (c) in the adhesive composition and the film adhesive is 100 parts by mass of the epoxy thermosetting resin (b). Is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass.
  • the effect by using a hardening accelerator (c) is acquired more notably because the said content of a hardening accelerator (c) is more than the said lower limit.
  • the content of the curing accelerator (c) is not more than the above upper limit value, for example, the highly polar curing accelerator (c) is adhered in the film adhesive under high temperature and high humidity conditions. The effect of suppressing segregation by moving to the adhesion interface side is increased, and the reliability of the package obtained using the semiconductor processing sheet is further improved.
  • the film-like adhesive can easily adjust its thermal expansion coefficient, and the film-like adhesive is optimized by optimizing the thermal expansion coefficient for the object to be adhered to the film-like adhesive.
  • the reliability of the package obtained using the adhesive is improved.
  • the moisture absorption rate of the film adhesive after hardening can be reduced or heat dissipation can also be improved.
  • the filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
  • Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengara, silicon carbide, boron nitride, and the like; beads formed by spheroidizing these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers Products; single crystal fibers of these inorganic fillers; glass fibers and the like.
  • the inorganic filler is preferably silica or alumina.
  • the filler (d) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all components other than the solvent (that is, the filler (d) of the film adhesive) is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 7 to 60% by mass.
  • the coupling agent (e) has a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound.
  • the coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional group of the polymer component (a), the epoxy thermosetting resin (b), etc., and is a silane coupling agent. It is more preferable.
  • Preferred examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- (2-amino Ethylamino) propylmethyldiethoxysilane, 3-
  • the coupling agent (e) which an adhesive composition and a film adhesive contain only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily. .
  • the content of the coupling agent (e) in the adhesive composition and the film adhesive is the total of the polymer component (a) and the epoxy thermosetting resin (b).
  • the content is 100 parts by mass, it is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass.
  • the content of the coupling agent (e) is equal to or higher than the lower limit, the dispersibility of the filler (d) in the resin is improved, the adhesiveness of the film adhesive to the adherend is improved, and the like.
  • the effect obtained by using the coupling agent (e) is more remarkably obtained. Moreover, generation
  • Crosslinking agent (f) As the polymer component (a), those having functional groups such as vinyl group, (meth) acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxy group, isocyanate group and the like that can be bonded to other compounds such as the above-mentioned acrylic resin.
  • the adhesive composition and the film adhesive may contain a crosslinking agent (f) for bonding the functional group with another compound to crosslink. By crosslinking using the crosslinking agent (f), the initial adhesive force and cohesive force of the film adhesive can be adjusted.
  • crosslinking agent (f) examples include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate crosslinking agent (that is, a crosslinking agent having a metal chelate structure), and an aziridine crosslinking agent (that is, having an aziridinyl group).
  • a crosslinking agent examples include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate crosslinking agent (that is, a crosslinking agent having a metal chelate structure), and an aziridine crosslinking agent (that is, having an aziridinyl group).
  • organic polyvalent isocyanate compound examples include an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound, and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (hereinafter, these compounds are collectively referred to as “aromatic polyvalent isocyanate compound and the like”).
  • a trimer such as the aromatic polyisocyanate compound, isocyanurate and adduct; a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compound and the polyol compound. Etc.
  • the “adduct body” includes the aromatic polyisocyanate compound, the aliphatic polyisocyanate compound or the alicyclic polyisocyanate compound, and a low amount such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. It means a reaction product with a molecularly active hydrogen-containing compound, and examples thereof include an xylylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane as described later.
  • the “terminal isocyanate urethane prepolymer” is as described above.
  • organic polyvalent isocyanate compound for example, 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; diphenylmethane-4 Dimethylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; trimethylol Any one of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate is added to all or some hydroxyl groups of a polyol such as propane. Or two or more compounds are added; lysine diisocyanate.
  • a polyol such as propane.
  • organic polyvalent imine compound examples include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, and tetramethylolmethane.
  • -Tri- ⁇ -aziridinylpropionate, N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide) triethylenemelamine and the like.
  • the crosslinking agent (f) When an organic polyvalent isocyanate compound is used as the crosslinking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (a).
  • the cross-linking agent (f) has an isocyanate group and the polymer component (a) has a hydroxyl group, the cross-linking structure can be simplified in the film adhesive by the reaction between the cross-linking agent (f) and the polymer component (a). Can be introduced.
  • the cross-linking agent (f) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one kind, two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent (f) in the adhesive composition is 0.01 to 20 parts by mass when the content of the polymer component (a) is 100 parts by mass. It is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the content of the cross-linking agent (f) is equal to or higher than the lower limit value, the effect of using the cross-linking agent (f) is more remarkably obtained.
  • the excessive use of a crosslinking agent (f) is suppressed because the said content of a crosslinking agent (f) is below the said upper limit.
  • the energy beam curable resin (g) is obtained by polymerizing (curing) an energy beam curable compound.
  • the energy ray curable compound include compounds having at least one polymerizable double bond in the molecule, and acrylate compounds having a (meth) acryloyl group are preferable.
  • acrylate compound examples include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta ( Chain aliphatic skeleton-containing (meth) acrylates such as (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate; Cyclic aliphatic skeleton-containing (meth) acrylates such as cyclopentanyl di (meth) acrylate; polyalkylene glycol (meth) acrylates such as polyethylene glycol di (meth) acrylate Oligoester (meth)
  • the weight average molecular weight of the energy ray curable resin (g) is preferably 100 to 30000, and more preferably 300 to 10000.
  • the energy ray curable resin (g) contained in the adhesive composition may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the energy ray curable resin (g) to the total content of all components other than the solvent in the adhesive composition is 1 to 95% by mass. It is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 10 to 85% by mass.
  • the adhesive composition may contain the photopolymerization initiator (h) in order to efficiently advance the polymerization reaction of the energy beam curable resin (g). Good.
  • Examples of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition include benzoin such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal.
  • benzoin such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal.
  • Acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; bis (2,4,6 Acylphosphine oxide compounds such as -trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfate Sulfide compounds such as amides; ⁇ -ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; Diketone compound; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanth
  • 1 type may be sufficient as the photoinitiator (h) which an adhesive composition contains, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily.
  • the content of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition is 0.00 when the content of the energy ray curable resin (g) is 100 parts by mass.
  • the amount is preferably 1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, and particularly preferably 2 to 5 parts by mass.
  • the general-purpose additive (I) may be a known one, and can be arbitrarily selected according to the purpose, and is not particularly limited. Preferred examples thereof include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, and colorants (that is, , Dyes or pigments), gettering agents and the like.
  • the general-purpose additive (i) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • Content of an adhesive composition and a film adhesive is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the objective.
  • the content of the polymer component (a) is such that the film-forming property is improved, for example, the surface state of the film-like adhesive is improved.
  • the total content of the epoxy-based thermosetting resin (b) and the filler (d) that is, the polymer component (a), the epoxy resin (b1), the thermosetting agent (b2) and the filler (d).
  • the total content is 100 parts by mass, it is preferably 30 parts by mass or more, and more preferably 38 parts by mass or more.
  • WHEREIN The upper limit of the said content of a polymer component (a) is not specifically limited, It is preferable that it is 65 mass parts.
  • the content of the polymer component (a) is such that the polymer component (a) and the epoxy thermosetting property are improved in that the reliability of the film-like adhesive is improved.
  • the total content of the resin (b) and the filler (d) (that is, the total content of the polymer component (a), the epoxy resin (b1), the thermosetting agent (b2), and the filler (d)) is 100 masses. Part, it is preferably 45 parts by mass or more.
  • WHEREIN The upper limit of the said content of a polymer component (a) is not specifically limited, It is preferable that it is 65 mass parts.
  • the adhesive composition further contains a solvent.
  • the adhesive composition containing a solvent has good handleability.
  • the solvent is not particularly limited. Preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol. Esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone (that is, compounds having an amide bond) and the like.
  • the solvent which an adhesive composition contains only 1 type may be sufficient, and it may be 2 or more types, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily.
  • the solvent contained in the adhesive composition is preferably methyl ethyl ketone or the like from the viewpoint that the components contained in the adhesive composition can be mixed more uniformly.
  • An adhesive composition is obtained by mix
  • the order of addition at the time of blending each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
  • a solvent it may be used by mixing the solvent with any compounding component other than the solvent and diluting the compounding component in advance, or by diluting any compounding component other than the solvent in advance. You may use it by mixing a solvent with these compounding ingredients, without leaving.
  • the method of mixing each component at the time of compounding is not particularly limited, from a known method such as a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade; a method of mixing using a mixer; a method of mixing by applying ultrasonic waves What is necessary is just to select suitably.
  • the temperature and time during the addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be adjusted as appropriate, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention is obtained by providing the above-described film adhesive of the present invention on a support sheet.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention has a plurality of semiconductor chips that have been divided in advance on the film adhesive, and the film adhesive along with the support sheet along the surface of the film adhesive. By performing so-called expansion, which is expanded in the direction, at a low temperature, it is suitable for use in a step of cutting the film adhesive in accordance with the outer shape of the semiconductor chip.
  • a semiconductor chip having a cut film adhesive on a surface (that is, back surface) opposite to a surface on which a circuit is formed (hereinafter may be abbreviated as “circuit forming surface”) (this specification) Is sometimes referred to as a “semiconductor chip with a film-like adhesive”) and is used for manufacturing a semiconductor device after being picked up.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention By using the semiconductor processing sheet of the present invention, when the film adhesive is cut by the expand, the film adhesive is cut at a target location, and the film adhesive is not cut at the cut location. Abnormality is suppressed and excellent cutting characteristics are exhibited. Therefore, the semiconductor chip with a film adhesive can be easily picked up without any process abnormality.
  • the above-described cutting of the film adhesive by expanding is suitable for application when, for example, manufacturing a semiconductor chip with a film adhesive including a semiconductor chip having a small thickness.
  • the plurality of divided semiconductor chips for example, form a groove from a circuit forming surface (that is, the front surface) opposite to the film adhesive adhesive surface (that is, the back surface) of the semiconductor wafer. It can be produced by grinding the back surface until it reaches.
  • the operation of cutting the semiconductor wafer so as to leave the bottom of the groove without dividing the semiconductor wafer is called half-cut.
  • “half-cut” does not mean only an operation of cutting the semiconductor wafer so that the depth of the groove becomes a specific value, for example, half the thickness of the semiconductor wafer. In this way, the whole operation of cutting the semiconductor wafer so as to leave the bottom of the groove is meant.
  • a method of forming the groove for example, a method of forming a groove by cutting a semiconductor wafer using a blade (that is, blade dicing), a method of forming a groove by cutting a semiconductor wafer by laser irradiation (that is, a method of forming a groove) Laser dicing), a method of forming a groove by cutting a semiconductor wafer by spraying water containing an abrasive (namely, water dicing), and the like.
  • a semiconductor chip is manufactured by scraping a part of the semiconductor wafer as described above, a part of the semiconductor wafer is scraped (that is, a groove is formed in the semiconductor wafer).
  • a modified layer is formed inside the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is also divided at the portion where the modified layer is formed. it can.
  • the reduction in the number of semiconductor chips produced as described above, the wrapping of the film adhesive after cutting around the side surface of the semiconductor chip, etc. are suppressed. This is advantageous.
  • Support sheet examples include those having a base material.
  • a support sheet may be made of, for example, a base material (that is, having only the base material), or may have a base material and a layer other than the base material.
  • the film adhesive is provided on a support sheet. Therefore, for example, when the support sheet is provided with a pressure-sensitive adhesive layer on the base material, a film-like adhesive is provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and the support sheet is made of a base material. The film adhesive is provided in direct contact with the substrate.
  • the support sheet may be composed of one layer (that is, a single layer) or may be composed of two or more layers.
  • these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the sheet for semiconductor processing of the present invention is preferably one in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a substrate and a film-like adhesive is provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer is in direct contact with the substrate. More preferably, a film-like adhesive is provided on the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is provided in direct contact with the substrate, and a film-like adhesive is provided in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Particularly preferred are
  • the constituent material of the base material is preferably various resins.
  • polyethylene low density polyethylene (abbreviated as LDPE), linear low density polyethylene (abbreviated as LLDPE))
  • High density polyethylene may be abbreviated as HDPE)
  • polypropylene polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, styrene / ethylene butylene / styrene block copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, poly Butylene terephthalate, polyurethane, polyurethane acrylate, polyimide, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, polycarbonate, vinyl Fluororesin, hydrogenated product of any of these resins, modified products
  • the resin constituting the substrate may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the substrate may be composed of one layer (that is, a single layer) or may be composed of two or more layers.
  • a base material consists of multiple layers, these multiple layers may be mutually the same or different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the base material which consists of a single layer the surface may be peel-processed by the well-known method.
  • the thickness of the substrate can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 50 ⁇ m to 300 ⁇ m, and more preferably 70 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate means the thickness of the entire substrate.
  • the thickness of the substrate composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the substrate. means.
  • the method of measuring thickness using a contact-type thickness meter in arbitrary five places, and calculating the average of a measured value etc. are mentioned, for example.
  • the base material is provided with a roughening treatment such as a sand blast treatment, a solvent treatment, a corona discharge treatment, and an electron beam irradiation treatment.
  • the surface may be subjected to oxidation treatment such as plasma treatment, ozone / ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment.
  • the base material may have a surface subjected to primer treatment.
  • the base material is an antistatic coating layer, a layer that prevents the base material from adhering to other sheets, the base material from adhering to the adsorption table, etc. when the semiconductor processing sheet is stacked and stored. It may have.
  • the said adhesive layer is a sheet form or a film form, and contains an adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a known one.
  • the adhesive include adhesive resins such as acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, and polycarbonate, and acrylic resin is preferable.
  • the “adhesive resin” is a concept including both an adhesive resin and an adhesive resin.
  • the resin itself has an adhesive property
  • resins that exhibit tackiness when used in combination with other components such as additives, and resins that exhibit adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be either energy ray curable or non-energy ray curable, but is preferably non-energy ray curable.
  • energy beam means an electromagnetic wave or charged particle beam having energy quanta, and examples thereof include ultraviolet rays and electron beams.
  • Ultraviolet rays can be irradiated, for example, by using a high pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp, a light emitting diode, or the like as an ultraviolet ray source.
  • the electron beam can be emitted by an electron beam accelerator or the like.
  • energy ray curable means the property of being cured by irradiation with energy rays
  • non-energy ray curable means the property of not being cured even when irradiated with energy rays.
  • the storage elastic modulus in 0 degreeC of the adhesive layer whose thickness is 200 micrometers is 1000 Mpa or less, for example, and the adhesive force of the said adhesive layer with respect to the mirror surface of a semiconductor wafer Is 200 mN / 25 mm or less.
  • the preferred pressure-sensitive adhesive layer is not limited to this.
  • the pressure-sensitive adhesive layer for which the storage elastic modulus is to be obtained may be a single-layer pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 200 ⁇ m, or the pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of less than 200 ⁇ m may have a total thickness of 200 ⁇ m.
  • stacking two or more layers may be sufficient.
  • the pressure-sensitive adhesive layer for which the storage elastic modulus is obtained is a single-layer pressure-sensitive adhesive layer or the laminate, it may be simply referred to as “pressure-sensitive adhesive layer”. .
  • the above-mentioned “storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer” and “storage elastic modulus of the laminated body” are, unless otherwise specified, when the pressure-sensitive adhesive layer is curable, It means “the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer before curing” and “the storage elastic modulus of the laminate before the pressure-sensitive adhesive layer is cured”.
  • the storage elastic modulus at 0 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer or laminate is preferably 1000 MPa or less, and more preferably 996 MPa or less.
  • the lower limit of the storage elastic modulus at 0 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer or laminate is not particularly limited and can be any of 100 MPa, 300 MPa, and 500 MPa, for example, but these are examples.
  • the storage elastic modulus (MPa) is a specific temperature range such as from ⁇ 50 ° C. to 50 ° C., for example, under the conditions of a heating rate of 10 ° C./min and a frequency of 11 Hz. It is calculated
  • the storage elastic modulus can be appropriately adjusted, for example, by adjusting the type and amount of the component contained in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer and the storage elastic modulus of the laminate can be easily adjusted by adjusting the ratio of monomers constituting the adhesive resin, the blending amount of the crosslinking agent, the content of the filler, and the like. Can be adjusted.
  • these adjustment methods are only examples.
  • the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer to the semiconductor wafer is preferably 200 mN / 25 mm or less, and more preferably 196 mN / 25 mm or less.
  • the lower limit value of the adhesive strength of the adhesive layer to the semiconductor wafer is not particularly limited, and for example, it can be any of 10 mN / 25 mm, 30 mN / 25 mm, and 50 mN / 25 mm, but these are examples.
  • adheresive strength of the adhesive layer to the semiconductor wafer means “unadhesive adhesive layer to the semiconductor wafer” when the adhesive layer is curable unless otherwise specified. It means “adhesive strength”.
  • the measurement of the said adhesive force is a measurement of the adhesive force in the standard state prescribed
  • the adhesive strength (mN / 25 mm) can be measured by the following method. That is, the support sheet having a width of 25 mm and an arbitrary length and having a pressure-sensitive adhesive layer provided on a substrate is prepared. Subsequently, this support sheet is stuck to a semiconductor wafer with an adhesive layer at room temperature. Then, at this temperature, the support sheet is peeled off from the semiconductor wafer at a peeling speed of 300 mm / min so that the surfaces of the adhesive layer and the semiconductor wafer that are in contact with each other form an angle of 180 °, so-called 180 °. Perform peeling. The peeling force at this time is measured, and the measured value is defined as the adhesive strength (mN / 25 mm).
  • the length of the support sheet to be used for measurement is not particularly limited as long as the peel force can be stably measured.
  • the adhesive strength of the adhesive layer can be specified with high accuracy by selecting a semiconductor wafer as the measurement object.
  • a pressure-sensitive adhesive layer having a pressure-sensitive adhesive force on the mirror surface of the semiconductor wafer of 200 mN / 25 mm or less is selected, the semiconductor chip with a film adhesive is picked up and separated from the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer to the film adhesive can be adjusted so that the occurrence of process abnormality can be suppressed and pickup can be easily performed.
  • the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer to the semiconductor wafer can be appropriately adjusted by adjusting, for example, the type and amount of components contained in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be easily adjusted by adjusting the combination of monomers constituting the pressure-sensitive resin, the ratio of the monomers, the amount of the crosslinking agent, the content of the filler, and the like.
  • these adjustment methods are only examples.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one layer (that is, a single layer) or may be composed of two or more layers.
  • the plurality of layers may be the same as or different from each other, and the combination of these layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 1 ⁇ m to 60 ⁇ m, and particularly preferably 1 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the “thickness of the pressure-sensitive adhesive layer” means the thickness of the whole pressure-sensitive adhesive layer.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of a plurality of layers is the total of all layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer. Means the thickness.
  • the method of measuring thickness using a contact-type thickness meter in arbitrary five places, and calculating the average of a measured value etc. are mentioned, for example.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive.
  • an adhesive layer can be formed in the target site
  • a more specific method for forming the pressure-sensitive adhesive layer will be described later in detail, along with methods for forming other layers.
  • the ratio of the content of components that do not vaporize at room temperature in the pressure-sensitive adhesive composition is usually the same as the ratio of the content of the components of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the coating of the pressure-sensitive adhesive composition may be performed by a known method, and can be performed by the same method as the coating of the adhesive composition described above.
  • the drying conditions of the pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described later, it is preferably heat-dried. In this case, for example, at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to It is preferable to dry under conditions of 5 minutes.
  • the pressure-sensitive adhesive composition is preferably non-energy ray curable.
  • the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include pressure-sensitive adhesive resins such as the acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, and polycarbonate (hereinafter, “ And those containing an adhesive resin (referred to as “i”).
  • the adhesive resin (i) is preferably the acrylic resin.
  • the acrylic resin in the adhesive resin (i) include an acrylic polymer having a structural unit derived from at least a (meth) acrylic acid alkyl ester.
  • the acrylic resin may have only one type of structural unit, two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include those in which the alkyl group constituting the alkyl ester has 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group is linear or branched. Is preferred. More specifically, as (meth) acrylic acid alkyl ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid n-butyl, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth) acrylic acid isooctyl, (meth) acrylic acid n-
  • the acrylic polymer preferably has a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms.
  • the alkyl group preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is preferably an acrylic acid alkyl ester.
  • the acrylic polymer preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • the functional group-containing monomer for example, the functional group reacts with a crosslinking agent to be described later to become a starting point of crosslinking, or the functional group reacts with an unsaturated group in the unsaturated group-containing compound, The thing which enables introduction
  • Examples of the functional group in the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group. That is, examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; non- (meth) acrylic non-methacrylates such as vinyl alcohol and allyl alcohol Examples thereof include saturated alcohols (that is, unsaturated alcohols that do not have a (meth) acryloyl skeleton).
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid (that is, monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); fumaric acid, itaconic acid, maleic acid Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as citraconic acid (ie, dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); anhydrides of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; carboxyalkyl (meth) acrylates such as 2-carboxyethyl methacrylate Examples include esters.
  • monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid
  • fumaric acid, itaconic acid maleic acid
  • Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as citraconic acid (ie, dicarboxylic acids having an ethylenically
  • the functional group-containing monomer is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxy group-containing monomer, more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
  • the functional group-containing monomer constituting the acrylic polymer may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35% by mass, and more preferably 3 to 32% by mass with respect to the total amount of the structural unit. It is particularly preferably 5 to 30% by mass.
  • the acrylic polymer may further have a structural unit derived from another monomer.
  • the other monomer is not particularly limited as long as it is copolymerizable with (meth) acrylic acid alkyl ester or the like.
  • Examples of the other monomer include styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
  • the other monomer constituting the acrylic polymer may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the adhesive resin (i) other than the acrylic polymer also has a structural unit derived from a functional group-containing monomer, like the acrylic polymer.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (i) contained in the pressure-sensitive adhesive composition may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the pressure-sensitive adhesive resin (i) to the total content of components other than the solvent is 45 to 90% by mass. It is preferably 55 to 87% by mass, more preferably 65 to 84% by mass. Adhesiveness of an adhesive layer becomes more favorable because the said ratio of content of adhesive resin (i) is such a range.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably contains a crosslinking agent (ii).
  • the crosslinking agent (ii) reacts with the functional group to crosslink the adhesive resins (i).
  • the cross-linking agent (ii) include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, isocyanate-based cross-linking agents such as adducts of these diisocyanates (that is, cross-linking agents having an isocyanate group), ethylene glycol glycidyl ether, etc.
  • Epoxy-based crosslinking agent that is, crosslinking agent having glycidyl group
  • Aziridine-based crosslinking agent such as hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine (that is, crosslinking agent having aziridinyl group)
  • Aluminum chelate Metal chelate crosslinking agents that is, a crosslinking agent having a metal chelate structure
  • isocyanurate crosslinking agents that is, a crosslinking agent having an isocyanuric acid skeleton
  • the crosslinking agent (ii) is preferably an isocyanate-based crosslinking agent from the viewpoints of improving the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive and improving the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, and being easily available.
  • the cross-linking agent (ii) contained in the pressure-sensitive adhesive composition may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the crosslinking agent (ii) in the pressure-sensitive adhesive composition is 5 to 5 parts per 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive resin (i).
  • the amount is preferably 50 parts by mass, more preferably 10 to 45 parts by mass, and particularly preferably 15 to 40 parts by mass.
  • the content of the cross-linking agent (ii) is not less than the lower limit value, the effect obtained by using the cross-linking agent (ii) is more remarkably obtained.
  • adjustment of the adhesive force with respect to the film adhesive of an adhesive layer becomes easier because the said content of a crosslinking agent (ii) is below the said upper limit.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives that do not correspond to any of the above-described components within a range not impairing the effects of the present invention.
  • the other additives include an antistatic agent, an antioxidant, a softening agent (that is, a plasticizer), a filler (that is, a filler), a rust inhibitor, a coloring agent (that is, a pigment or a dye), an increase agent, and the like.
  • Known additives such as a sensitizer, a tackifier, a reaction retarder, and a crosslinking accelerator (that is, a catalyst) can be used.
  • reaction retarder is, for example, one that suppresses an undesired cross-linking reaction from proceeding in the adhesive composition during storage by the action of a catalyst mixed in the adhesive composition. is there.
  • reaction retarder include those that form a chelate complex by chelation against a catalyst, and more specifically, those having two or more carbonyl groups (—C ( ⁇ O) —) in one molecule. Can be mentioned.
  • 1 type may be sufficient as the other additive which an adhesive composition contains, and when it is 2 or more types, those combinations and ratios can be selected arbitrarily.
  • the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain a solvent.
  • the pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent, thereby improving the suitability for application to the surface to be coated.
  • the solvent is preferably an organic solvent.
  • organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and acetone; carboxylic acid esters such as ethyl acetate; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; aliphatics such as cyclohexane and n-hexane. Hydrocarbons; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as 1-propanol and 2-propanol.
  • the solvent used in the production of the adhesive resin (i) may be used as it is in the adhesive composition without being removed from the adhesive resin (i). You may add separately the solvent of the same or different kind as what was used at the time of manufacture at the time of manufacture of an adhesive composition.
  • the solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition may be only one type, or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the solvent is not particularly limited, and may be adjusted as appropriate.
  • An adhesive composition is obtained by mix
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor processing sheet of the present invention.
  • the drawings used in the following description may show the main portions in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratios of the respective components are the same as the actual ones. Not necessarily.
  • the semiconductor processing sheet 1 shown here has a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on a substrate 11 and a film-like adhesive 13 provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on one surface 11 a of the substrate 11, and the film adhesive 13 is formed on one surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12, that is, the substrate 11 of the pressure-sensitive adhesive layer 12. It is laminated
  • the film adhesive 13 is the above-described film adhesive of the present invention.
  • the semiconductor processing sheet 1 is a support sheet 10 in which a pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided on a base material 11, and a film-like adhesive 13 is provided in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12. It is.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention is not limited to that shown in FIG. 1, and a part of the configuration shown in FIG. 1 has been changed, deleted, or added within a range that does not impair the effects of the present invention. It may be a thing.
  • the semiconductor processing sheet can be manufactured by sequentially laminating the above-described layers so as to have a corresponding positional relationship.
  • the method for forming each layer is as described above.
  • the pressure-sensitive adhesive composition or the adhesive composition is coated on the release film, and dried as necessary, thereby releasing the release film.
  • a pressure-sensitive adhesive layer or a film-like adhesive is previously formed on the substrate, and the exposed surface of the formed pressure-sensitive adhesive layer or the film-like adhesive on the side opposite to the side in contact with the release film is used as a base material. What is necessary is just to stick together with the surface.
  • the pressure-sensitive adhesive composition or the adhesive composition is preferably applied to the release-treated surface of the release film.
  • the release film may be removed as necessary after forming the laminated structure.
  • a sheet for semiconductor processing in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a base material, and a film adhesive is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer (that is, a semiconductor in which the support sheet is a laminate of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer)
  • the adhesive layer is laminated on the base material by the above-described method, and the adhesive composition is separately applied on the release film, and dried as necessary.
  • a film-like adhesive is formed on the release film, and the exposed surface of this film-like adhesive is bonded to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material.
  • the adhesive composition is preferably applied to the release-treated surface of the release film, and the release film can be removed as necessary after forming the laminated structure. Good.
  • the semiconductor processing sheet is usually provided with all necessary layers, such as a jig adhesive layer for fixing the sheet to a jig such as a dicing ring frame, and then on the opposite side of the support sheet. It is stored in a state where a release film is bonded to the surface of the outermost layer.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using the above-described film adhesive of the present invention, wherein the film adhesive is provided on a support sheet, and the film adhesive
  • a laminated structure forming step of forming a laminated structure in which a plurality of divided semiconductor chips are provided on a surface opposite to the side on which the support sheet is provided; and a film shape of the laminated structure while cooling the adhesive, it expands in a direction parallel to the surface thereof and cuts the film adhesive, and the semiconductor chip including the film adhesive after cutting (in the present specification, Includes a pulling step of picking up (that is, pulling away) “sometimes abbreviated as“ semiconductor chip with film adhesive ”” from the support sheet.
  • the manufacturing method of the semiconductor device of this invention is the film-like adhesion
  • the film-like adhesive or semiconductor processing sheet of the present invention By using the film-like adhesive or semiconductor processing sheet of the present invention, in the cutting step, there is an abnormality such as chipping of the film-like adhesive when the film-like adhesive is cut by expanding the film-like adhesive. In addition, the film adhesive can be easily cut at a target location. Further, when the semiconductor processing sheet having the above-mentioned non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive layer is used, in the separation step, the film-like adhesion can be performed without curing the pressure-sensitive adhesive layer by energy ray irradiation. The semiconductor chip with the agent can be easily separated from the adhesive layer and picked up. In this case, the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view for schematically illustrating one embodiment of a method for producing a semiconductor device when the film adhesive or semiconductor processing sheet of the present invention is used.
  • a manufacturing method in the case of using the film-like adhesive 13 or the semiconductor processing sheet 1 shown in FIG. 1 will be described.
  • the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 2, only the configuration related to the semiconductor processing sheet and the semiconductor chip is shown in cross section.
  • the laminated structure 101 shown in FIG. 2A is provided with a pressure-sensitive adhesive layer 12 on a base material 11, a film-like adhesive 13 is provided on a surface 12 a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film-like adhesive 13 is sticky.
  • a plurality of divided semiconductor chips 8 are provided on the surface 13a opposite to the side on which the agent layer 12 is provided. In FIG. 2, the gaps between the plurality of semiconductor chips 8 (that is, those derived from the grooves) are highlighted.
  • the semiconductor chip 8 of the film adhesive 13 is provided.
  • the laminated structure 101 can be formed by sticking the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the support sheet 10 to the surface (that is, the back surface) 13b opposite to the side where it is present.
  • the surface 13a of the film adhesive 13 opposite to the side having the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on the back surface 8b of a plurality of divided semiconductor chips 8.
  • the laminated structure 101 can also be formed by affixing to.
  • the plurality of divided semiconductor chips 8 form grooves from the circuit forming surface (that is, the front surface) opposite to the attachment surface (that is, the back surface) of the film-like adhesive 13 of the semiconductor wafer. It can be produced by grinding the back surface until it reaches the groove.
  • the groove can be formed by a method such as blade dicing, laser dicing, or water dicing.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view for schematically illustrating an embodiment of a method for obtaining a semiconductor chip by forming a groove in such a semiconductor wafer.
  • a groove 80 ′ is formed on a semiconductor wafer 8 ′ from one surface 8a ′, which is a circuit forming surface, by a method such as blade dicing, laser dicing, or water dicing.
  • the surface (namely, the back surface) 8b ′ opposite to the surface (namely, the circuit forming surface) 8a ′ of the semiconductor wafer 8 ′ is ground.
  • the back surface 8b ′ can be ground by a known method, for example, using a grinder 62.
  • the back surface 8b ′ is preferably ground by attaching a back grind tape 63 to the front surface 8a ′ of the semiconductor wafer 8 ′ as shown here. Then, by grinding the back surface 8b ′ until reaching the groove 80 ′, a plurality of semiconductor chips 8 are obtained from the semiconductor wafer 8 ′ as shown in FIG.
  • the back surface 8b ′ of the semiconductor wafer 8 ′ becomes the back surface 8b of the semiconductor chip 8, that is, a surface on which the film adhesive 13 is provided.
  • a modified layer is formed inside the semiconductor wafer, and the modified layer is formed at the site where the modified layer is formed. It is preferable to employ a method of dividing the semiconductor wafer.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for schematically illustrating an embodiment of a method for obtaining a semiconductor chip by forming a modified layer on such a semiconductor wafer.
  • the modified layer forming step as shown in FIG. 4A, an infrared laser beam is irradiated so as to be focused on a focal point set inside the semiconductor wafer 8 ′.
  • a modified layer 81 ′ is formed inside the semiconductor wafer 8 ′.
  • the opening degree (NA) It is preferable to irradiate a large laser beam.
  • the surface (that is, the back surface) 8b ′ opposite to the surface (that is, the circuit forming surface) 8a ′ of the semiconductor wafer 8 ′ is ground.
  • the grinding at this time can be performed by the same method as the grinding of the back surface of the semiconductor wafer in which the groove is formed, which has been described with reference to FIG.
  • the back surface 8b ′ at this time is preferably ground by attaching a back grind tape 63 to the front surface 8a ′ of the semiconductor wafer 8 ′.
  • the back surface 8b ′ of the semiconductor wafer 8 ′ is ground, and further, by applying a grinding force to the semiconductor wafer 8 ′ being ground, the semiconductor wafer is formed at the site where the modified layer 81 ′ is formed.
  • a plurality of semiconductor chips 8 can be obtained from the semiconductor wafer 8 ′ as shown in FIG. 4C.
  • the back surface 8 b ′ of the semiconductor wafer 8 ′ becomes a back surface 8 b of the semiconductor chip 8, that is, a surface on which the film adhesive 13 is provided.
  • the obtained plurality of semiconductor chips 8 are held in an aligned state on the back grind tape 63.
  • the thickness of the semiconductor chip 8 is not particularly limited, but is preferably 5 ⁇ m to 60 ⁇ m, and more preferably 10 ⁇ m to 55 ⁇ m. When such a thin semiconductor chip is used, the effect of using the semiconductor processing sheet of the present invention can be obtained more significantly.
  • the film-like adhesive 13 of the laminated structure 101 is cooled while being cooled, as shown in FIG.
  • the film adhesive 13 is expanded in a direction parallel to the surface 13 a of the adhesive 13 to cut the film adhesive 13. What is necessary is just to expand the film adhesive 13 with the base material 11 and the adhesive layer 12 (namely, support sheet 10).
  • the film-like adhesive after cutting is indicated by a reference numeral 13 ', but such a film-like adhesive 13' after cutting is simply referred to as "film-like adhesive 13 '". is there.
  • the direction of expansion of the film adhesive 13 is indicated by an arrow I.
  • the cooling temperature of the film adhesive 13 in the cutting step is not particularly limited, but is preferably ⁇ 15 to 10 ° C. from the viewpoint that the film adhesive 13 can be cut more easily.
  • the expansion speed (ie, expansion speed) of the film adhesive 13 in the cutting step is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention, but is preferably 0.5 to 100 mm / sec. 0.5 to 60 mm / sec is more preferable, and for example, 1 to 50 mm / sec may be used.
  • the effect of the present invention can be obtained more remarkably when the expanding speed is within such a range.
  • the semiconductor chip 8 is less likely to be damaged when the film adhesive 13 is expanded.
  • the film-like adhesive 13 that is, the semiconductor processing sheet 1
  • the film-like adhesive 13 is cut at a target location, and the film-like adhesive is cut at the cut location. Occurrence of an abnormality such as a 13 'chip is suppressed.
  • the cutting step by using the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer having a storage elastic modulus at 0 ° C. of 1000 MPa or less, a semiconductor provided with the cut film-like adhesive 13 ′ at the time of cutting the film-like adhesive 13 The floating and scattering of the chip 8 (that is, the semiconductor chip with a film adhesive) from the pressure-sensitive adhesive layer 12 are suppressed.
  • the semiconductor chip 8 is pulled up by the pulling unit 61 of the semiconductor device manufacturing apparatus, whereby the cut film adhesive 13 ′ attached to the back surface 8 b of the semiconductor chip 8 is used as the pressure-sensitive adhesive layer. 12 is peeled off.
  • the method of pulling up the semiconductor chip 8 may be a known method, for example, a method of sucking and pulling up the surface of the semiconductor chip 8 with a vacuum collet.
  • the pulling direction of the semiconductor chip 8 is indicated by an arrow II.
  • a semiconductor with a film adhesive can be used without curing the pressure-sensitive adhesive layer by energy ray irradiation or the like. The chip can be easily picked up.
  • the semiconductor chip 8 (that is, the semiconductor chip with the film adhesive) that has been separated (that is, picked up) together with the cut film adhesive 13 ′ is used.
  • a semiconductor device can be manufactured by a method similar to the above method, that is, through a step of die-bonding the semiconductor chip to the circuit surface of the substrate with a film adhesive. For example, after the semiconductor chip 8 is die-bonded to the circuit surface of the substrate with a film-like adhesive 13 ', one or more semiconductor chips are further laminated on the semiconductor chip 8 as necessary, and then wire bonding is performed. The whole is sealed with a resin to obtain a semiconductor package (not shown). Then, a target semiconductor device may be manufactured using this semiconductor package.
  • the method for manufacturing a semiconductor device using the film adhesive or semiconductor processing sheet of the present invention is not limited to the above-described method described with reference to FIG. In this method, a part of the configuration may be changed, deleted, or added.
  • Polymer component (a) -1 Methyl acrylate (hereinafter abbreviated as “MA”) (95 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter abbreviated as “HEA”) (5 parts by mass) ) -Based acrylic resin (weight average molecular weight 800000, glass transition temperature 9 ° C.).
  • MA Methyl acrylate
  • HOA 2-hydroxyethyl acrylate
  • Epoxy resin (b1) -1 Cresol novolak type epoxy resin to which acryloyl group is added (“CNA147” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 518 g / eq, number average molecular weight 2100, unsaturated group content is Equivalent)
  • Thermosetting agent (b2) -1 Aralkylphenol resin (“Mirex XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals, number average molecular weight 1100)
  • Example 1 Manufacture of film adhesive and semiconductor processing sheet>
  • Polymer component (a) -1, epoxy resin (b1) -1, thermosetting agent (b2) -1, filler (d) -1, coupling agent (e) -1, and crosslinking agent (f)- 1 was dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone so that the content (parts by mass) thereof was a value shown in Table 1, and stirred at 23 ° C. to obtain an adhesive composition.
  • the adhesive composition obtained above is applied to the release-treated surface of a release film obtained by removing one side of a polyethylene terephthalate film (thickness 38 ⁇ m) by silicone treatment, and is heated and dried at 120 ° C. for 3 minutes. As a result, a film adhesive having a thickness of 20 ⁇ m was formed. Next, a release-treated surface of the release film was separately attached to the exposed surface of the film-like adhesive to obtain a film-like adhesive laminate in which the release film was attached to both sides of the film-like adhesive.
  • the adhesive resin is an acrylic polymer obtained by copolymerizing 2-ethylhexyl acrylate (80 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (20 parts by mass) (weight average molecular weight 860000, glass transition temperature). ⁇ 61 ° C.).
  • the cross-linking agent is a tolylene diisocyanate trimer adduct of trimethylolpropane (“Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation).
  • the pressure-sensitive adhesive composition obtained above was applied to the release-treated surface of a release film (“SP-PET 381031” manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness 38 ⁇ m) from which one side of a polyethylene terephthalate film was subjected to release treatment by silicone treatment.
  • the adhesive layer having a thickness of 10 ⁇ m was formed by heating and drying at 120 ° C. for 2 minutes.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet provided with a release film was obtained by bonding a 110 ⁇ m-thick low-density polyethylene (LDPE) film as a base material to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • LDPE low-density polyethylene
  • the film-like adhesive laminate was stored at room temperature for 1 week immediately after production, and then one release film was removed to expose one surface of the film-like adhesive. Moreover, the peeling film was removed from the adhesive sheet obtained above, and one surface of the adhesive layer was exposed. And the sheet
  • Examples 2 to 7, Comparative Examples 1 to 7 A film adhesive and a semiconductor processing sheet were produced in the same manner as in Example 1 except that the components of the adhesive composition were as shown in Table 1 or Table 2.
  • the solid content concentration of the adhesive compositions produced in the above examples and comparative examples is 18 to 24% by mass.
  • the temperature of the obtained test piece was set to 0 ° C., and this test piece was pulled using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (“DMA Q800” manufactured by TA instruments), and the test piece, ie, a film shape before curing.
  • the elongation at break (%) of the laminate obtained by laminating the adhesive was determined.
  • the load applied to the test piece was changed from 1 N / min to 18 N / min. The results are shown in Table 1 or Table 2.
  • a pressure-sensitive adhesive tape was prepared by laminating a pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 24 ⁇ m) on one side of a polyethylene terephthalate film (thickness: 50 ⁇ m). One release film was removed from the film-like adhesive laminate obtained above, and one surface of the film-like adhesive was exposed. And the laminated sheet was produced by bonding together the adhesion layer of the said adhesive tape on this exposed surface of a film adhesive using a laminator. Further, this laminated sheet was cut into a size of 25 mm in width and 150 mm in length, and then the remaining release film was removed from the film adhesive to prepare a test piece.
  • this test piece was bonded to the mirror surface of a silicon wafer via a film adhesive heated to 50 ° C., and left still at 23 ° C. for 30 minutes.
  • a universal tensile tester (“Autograph” manufactured by Shimadzu Corporation)
  • the test piece is brought into contact with each other between the test piece (ie, film adhesive) and the silicon wafer while keeping the same temperature. Peeling is performed at a peeling speed of 300 mm / min so as to make an angle of 180 ° with each other, so-called 180 ° peeling is performed, and the peeling force at this time is measured.
  • the adhesive strength of the adhesive to the semiconductor wafer (mN / 25 mm) was used. The results are shown in Table 1 or Table 2.
  • channel of the silicon wafer was formed was ground using the grinder ("DFG8760” by Disco Corporation). At this time, grinding was performed so that the thickness of the silicon wafer was 50 ⁇ m, and at the same time, the silicon wafer was divided into silicon chips. The obtained silicon chips were fixed on the back grind tape with an interval of about 30 ⁇ m from each other. Next, on the ground surface of the obtained silicon chip, a tape mounter (“ADWILL RAD2500” manufactured by Lintec Co., Ltd.) is used, and the semiconductor processing sheet obtained above is heated to 60 ° C. with a film adhesive. Affixed to obtain a laminate.
  • ADWILL RAD2500 manufactured by Lintec Co., Ltd.
  • the obtained laminate is affixed to a ring frame for dicing with the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer and fixed, and the back grind tape is peeled off from the silicon chip, whereby an uncut film shape of the semiconductor processing sheet A test piece of a laminated structure in which a plurality of semiconductor chips that had been separated in advance was arranged on an adhesive was obtained.
  • the test piece obtained above was placed in an expand unit of an expander (“MC-B” manufactured by JCM Co., Ltd.), and in an environment of 0 ° C., the amount of expansion (that is, expansion amount) was 10 mm, and the expansion speed (that is, Expansion rate) Under the condition of 1 mm / sec, the semiconductor processing sheet was expanded, and an attempt was made to cut the film adhesive along the outer shape of the silicon chip. Subsequently, the film adhesive was observed using a digital microscope (Keyence Corporation “VH-Z100”), and the cutting property (1) of the film adhesive was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1 or Table 2. A: The film-like adhesive could be cut at all desired locations. B: The film adhesive could not be cut at a part of the target portion. C: The film adhesive could not be cut at all the intended locations.
  • This stealth dicing was performed by using “DFL 7361” manufactured by DISCO Corporation as an apparatus, and adjusting so that a silicon chip having a size of 8 mm ⁇ 10 mm was obtained.
  • the exposed surface of the silicon wafer was ground using a grinder (“DGP8761” manufactured by Disco Corporation). At this time, grinding was performed so that the thickness of the silicon wafer was 40 ⁇ m, and at the same time, the silicon wafer was divided and separated into silicon chips.
  • the obtained silicon chip was fixed on the tape for back surface grinding.
  • a tape mounter (“DFM2800” manufactured by DISCO) on the ground surface of the obtained silicon chip, the semiconductor processing sheet obtained above was pasted with a film adhesive heated to 60 ° C. A laminate was obtained.
  • the obtained laminate is fixed to a dicing ring frame by fixing the exposed surface of the adhesive layer, and the back grinding tape is peeled off from the silicon chip, whereby an uncut film of the semiconductor processing sheet.
  • a test piece of a laminated structure was obtained in which a plurality of semiconductor chips that had been separated in advance were arranged on the adhesive.
  • the test piece obtained above is installed in an expander ("DDS2300" manufactured by DISCO Corporation) and used for semiconductor processing under the conditions of a table push-up height of 15 mm and a table push-up speed of 1 mm / sec in an environment of 0 ° C.
  • the sheet was expanded, and an attempt was made to cut the film adhesive along the outline of the silicon chip.
  • the table was lowered to release the expansion, and the expanded test piece was placed on another table different from that of the expander. Then, without adsorbing the test piece to the table, the test piece is pushed up under the conditions of a table push-up height of 8 mm and a table push-up speed of 1 mm / sec.
  • a circuit pattern is formed on a copper foil (thickness 18 ⁇ m) of a copper foil-clad laminate (“OCL-HL830” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company), and a solder resist (Taiyo Ink Co., Ltd.)
  • a substrate (“LN001E-001 PCB (Au) AUS308” manufactured by Chino Giken Co., Ltd.) having a “PSR-4000 AUS308” manufactured by Chino Giken Co., Ltd. was used.
  • the silicon chip on the semiconductor processing sheet obtained above is peeled off from the base material together with the film adhesive, and this is pressure-bonded onto the substrate under the conditions of 120 ° C., 250 gf, 0.5 seconds, to form a film
  • the silicon chip was fixed on the substrate with an adhesive to obtain a laminate.
  • the obtained laminate was placed in an oven heated to 175 ° C. for 4 hours or 2 hours, and a thermal history assuming wire bonding was imparted to the laminate.
  • a molding resin (“KE-G1250” manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) and using a sealing device (“G-CUBE MZ549-1” manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.) so that the sealing thickness is 400 ⁇ m.
  • the laminate after applying the thermal history was sealed under the conditions of a temperature of 175 ° C., a sealing pressure of 7 MPa, and a sealing time of 2 minutes. Further, the mold resin was cured at 175 ° C. for 5 hours.
  • the sealed substrate is bonded to a dicing tape (“Adwill D-510T” manufactured by Lintec Corporation), and the sealed substrate is measured in a size of 15 mm ⁇ 15 mm using a dicing apparatus (“DFD6361” manufactured by Disco Corporation). It was separated into pieces. Dicing at this time was performed under the conditions of a blade speed of 50 mm / sec, a blade rotation speed of 40000 rpm, and a cutting water amount of 1 L / min. Thus, a semiconductor package was obtained.
  • A No cracks were generated in the semiconductor package after IR reflow when the laminate provided with a thermal history at 175 ° C. for 4 hours was used.
  • B No cracks were generated in the semiconductor package after IR reflow when the laminate provided with a thermal history at 175 ° C. for 2 hours was used. When the laminate having a history was used, cracks occurred in the semiconductor package after IR reflow.
  • C In the case of using the laminate provided with a thermal history under the condition of 175 ° C. for 2 hours and in the case of using the laminate provided with the thermal history under a condition of 175 ° C. for 4 hours, Cracks occurred in the semiconductor package after IR reflow.
  • the film-forming property of the film adhesive was evaluated. That is, of the surface of the obtained film adhesive, when the adhesive composition was applied to the release film, the surface formed from the portion that was in contact with the release film of the adhesive composition, The appearance was visually observed, and the film-forming property of the film adhesive was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1 or Table 2. A: No abnormality was observed on the surface, and the surface condition was good. B: Although streaks or repels were generated on the surface, the surface state was slightly disturbed. C: Aggregates were generated on the surface, and the surface state was not uniform.
  • the laminates had a breaking elongation at 0 ° C. of 52% or less, and the adhesive strength of the film adhesive was 300 mN / 25 mm or more.
  • the film adhesives of Examples 1 to 7 were cut at the target location by the expand at the time of evaluation of the cutting property (1), and no abnormality such as chipping of the film adhesive was observed at the cut location. Excellent cutting properties.
  • the film adhesives of Examples 1, 3 and 6 also showed excellent cutting characteristics in the evaluation of the cutting characteristics (2) (the film adhesives of Examples 2, 4 and 5 have cutting characteristics). (2) has not been evaluated). Further, all of the film-like adhesives of Examples 1 to 6 had good reliability and film-forming properties, and there were no problems in basic characteristics as film-like adhesives.
  • Comparative Examples 1 and 2 the elongation at break of the laminate at 0 ° C. was 61% or more, and the film-like adhesive was cut into a target shape when the cutting property (1) was evaluated.
  • the film adhesive was inferior in cutting characteristics.
  • Comparative Examples 3, 4 and 7 the adhesive strength of the film adhesive is 260 mN / 25 mm or less, and the film adhesive is cut at a part of the target when the cutting property (1) is evaluated. In addition, even if the film was cut at the target location, abnormalities such as chipping of the film adhesive were observed at the cut location, and the film adhesive was inferior in cutting characteristics.
  • the film-like adhesives of Comparative Examples 3, 4 and 7 were inferior in cutting characteristics even at the time of evaluation of the cutting properties (2) (the film-like adhesives of Comparative Examples 1, 2, 5 and 6 were The cutting property (2) has not been evaluated).
  • the film-like adhesives of Comparative Examples 5 and 6 neither the elongation at break of the laminate at 0 ° C. nor the adhesive strength of the film adhesive could be measured, and both the cutting characteristics (1) and the cutting characteristics (2) were evaluated. could not.
  • the film-like adhesives of Comparative Examples 3 and 4 are inferior in reliability, and the film-like adhesives in Comparative Examples 5 and 6 are inferior in film-forming properties. These are the basics as a film-like adhesive. There was a problem with the characteristics.
  • the cutting characteristics (2) have not been evaluated for some film adhesives, but the cutting characteristics (2) of these film adhesives have the same evaluation results as the cutting characteristics (1). Conceivable. This is because a semiconductor chip manufacturing method (that is, a method for dividing a semiconductor wafer) does not affect the evaluation process as long as there is no abnormality in the semiconductor chip used for evaluation.
  • the evaluation results of Examples 1, 3 and 6 and Comparative Examples 3, 4 and 7 which evaluate both the cutting characteristics (1) and the cutting characteristics (2) are considered to support this.
  • SYMBOLS 1 Sheet for semiconductor processing, 10 ... Support sheet, 11 ... Base material, 12 ... Adhesive layer, 12a ... Surface of adhesive layer, 13 ... Film adhesive, 13 ′: Cut adhesive film, 101: Laminated structure, 8: Semiconductor chip, 8 ′: Semiconductor wafer, 81 ′: Modified layer of semiconductor wafer, 8b ′ ... Back side of semiconductor wafer

Abstract

本発明のフィルム状接着剤（１３）は、硬化性のフィルム状接着剤であって、厚さが６０μｍである硬化前の単層のフィルム状接着剤（１３）、又は硬化前の２層以上のフィルム状接着剤（１３）を、合計の厚さが６０μｍとなるように積層した積層体の、０℃における破断伸度が６０％以下であり、硬化前のフィルム状接着剤（１３）の半導体ウエハに対する接着力が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である。本発明の半導体加工用シート（１）は、基材（１１）を有する支持シート（１０）上に、フィルム状接着剤（１３）が設けられている。

Description

フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
　本発明は、フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法に関する。
　本願は、２０１６年３月３０日に、日本に出願された特願２０１６－０６９６０４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　ダイシングシートは、半導体ウエハをダイシングによって半導体チップへと個片化するときに使用される。ダイシングシートは、例えば、基材上に粘着剤層を備えて構成され、前記粘着剤層により半導体ウエハに貼付されて使用される。ダイシング後は、例えば、紫外線等のエネルギー線の照射による硬化で前記粘着剤層の粘着力を低下させることによって、半導体チップが硬化後の粘着剤層から引き離され、容易にピックアップされる。
　一方、ピックアップ後の半導体チップは、例えば、フィルム状接着剤によって基板の回路面にダイボンディングされ、必要に応じて、この半導体チップにさらに別の半導体チップが１個以上積層されて、ワイヤボンディングされた後、全体が樹脂により封止される。
このようにして得られた半導体パッケージを用いて、最終的には、目的とする半導体装置が製造される。そこで、半導体チップを、そのダイボンディングの対象となる面にフィルム状接着剤を備えた状態でピックアップするように構成することがある。
　このようにフィルム状接着剤を用いる場合には、上述のダイシングシートの粘着剤層上に未切断のフィルム状接着剤が設けられたダイシングダイボンディングシートが使用されることがある。一方、フィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップを設けておくことがあり、この場合にも、ダイシングダイボンディングシートと同様の構成を有する半導体加工用シートが使用される。このような半導体加工用シートを使用する場合には、例えば、そのフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップを設けておき、半導体加工用シートを低温下でエキスパンドすることにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外形にあわせて切断して、目的とする面に切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップを製造することがある。
　このようなフィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートとしては、フィルム状接着剤（すなわち、ダイボンドフィルム）の２５℃における、半導体ウエハへ接着したときの剪断接着力、及びダイシングシート（すなわち、ダイシングフィルム）へ接着したときの剪断接着力が、それぞれ特定の範囲内に設定されたもの（特許文献１参照）、熱硬化前のフィルム状接着剤（すなわち、ダイボンドフィルム）の２５℃での破断伸び率、及び０℃での引張貯蔵弾性率と２５℃での引張貯蔵弾性率との比が、それぞれ特定の範囲内に設定されたもの（特許文献２参照）、半導体ウエハの厚みをＡ（μｍ）、フィルム状接着剤（すなわち、ダイボンドフィルム）の厚みをＢ（μｍ）、基材の厚みをＣ（μｍ）としたときに、Ｃ／Ａ、Ｃ／Ｂ及びＡ／Ｂが、それぞれ特定の範囲内となるように設定されたもの（特許文献３参照）、Ｂステージ状態のフィルム状接着剤（すなわち、接着シート）の２５℃における破断伸び及び弾性率、並びにダイシングシート（すなわち、ダイシングテープ）の厚さをＡ、フィルム状接着剤の厚さをＢとしたときのＡ／Ｂが、それぞれ特定の範囲内となるように設定されたもの（特許文献４参照）が開示されている。
特開２０１１－１７１５８８号公報 特開２０１１－２２８３９９号公報 特開２０１２－２２２００２号公報 特開２００９－２８３９２５号公報
　フィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートには、特にフィルム状接着剤のエキスパンドによる切断特性の向上という観点では、さらなる性能の向上が望まれている。
　そこで本発明は、エキスパンドによる良好な切断特性を有するフィルム状接着剤を備えた新規の半導体加工用シートを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明は、硬化性のフィルム状接着剤であって、厚さが６０μｍである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の２層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが６０μｍとなるように積層した積層体の、０℃における破断伸度が６０％以下であり、硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、フィルム状接着剤を提供する。
　また、本発明は、支持シート上に、前記フィルム状接着剤が設けられた、半導体加工用シートを提供する。
　本発明の半導体加工用シートとしては、前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、前記粘着剤層に前記フィルム状接着剤が直接接触して設けられたものが好ましい。
　また、本発明は、前記フィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられ、前記フィルム状接着剤の前記支持シートが設けられている側とは反対側の表面に、分割済みの複数個の半導体チップが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、前記積層構造体のフィルム状接着剤を冷却しながら、前記フィルム状接着剤の表面に沿った方向にエキスパンドして、フィルム状接着剤を切断する切断工程と、切断後の前記フィルム状接着剤を備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程と、を有する、半導体装置の製造方法を提供する。
　本発明の半導体装置の製造方法においては、前記積層構造体形成工程の前に、さらに、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム状接着剤を設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いてもよい。
　本発明によれば、エキスパンドによる良好な切断特性を有するフィルム状接着剤を備えた新規の半導体加工用シートが提供される。
本発明の半導体加工用シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いた場合の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。 半導体ウエハに溝を形成して半導体チップを得る方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。 半導体ウエハに改質層を形成して半導体チップを得る方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
＜フィルム状接着剤＞
　本発明のフィルム状接着剤は、硬化性のフィルム状接着剤であって、厚さが６０μｍである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の２層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが６０μｍとなるように積層した積層体の、０℃における破断伸度が６０％以下であり、硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上のものである。
　本発明のフィルム状接着剤は、前記破断伸度が６０％以下であることにより、後述するように半導体加工用シートを構成した場合に、このシート（すなわち、フィルム状接着剤）をその表面に沿った方向において拡張させる、所謂エキスパンドを低温下で行ったときに、目的の箇所で容易に切断される。
　また、本発明のフィルム状接着剤は、前記接着力が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、上述のようにエキスパンドを低温下で行ったときに、フィルム状接着剤の欠け等の異常を伴うことなく、目的の箇所で切断される。これは、フィルム状接着剤が半導体ウエハに対して十分な接着力を有していることで、フィルム状接着剤がエキスパンドされたときに、フィルム状接着剤のうち、半導体チップの端部近傍の領域にエキスパンド時の力が集中し易くなるためであると推測される。一方、前記接着力が３００ｍＮ／２５ｍｍ未満である場合には、フィルム状接着剤が低温下で脆くなっているため、エキスパンドされたフィルム状接着剤においては、半導体チップの端部近傍以外の領域で欠け等が発生してしまい、さらに、これによってフィルム状接着剤においてエキスパンド時の力が分散してしまうために、フィルム状接着剤は目的の箇所で切断が不十分になってしまう。なお、硬化前のフィルム状接着剤は、半導体ウエハと半導体チップに対して、同等の接着力を示す。
　前記フィルム状接着剤は硬化性を有する。前記フィルム状接着剤は、熱硬化性を有するものが好ましく、感圧接着性を有するものが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有するフィルム状接着剤は、未硬化状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、フィルム状接着剤は、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。フィルム状接着剤は、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い硬化物となり、この硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
　フィルム状接着剤は１層（すなわち、単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。フィルム状接着剤が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　なお、本明細書においては、フィルム状接着剤の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
　前記フィルム状接着剤の厚さは、特に限定されないが、１μｍ～５０μｍであることが好ましく、３μｍ～４０μｍであることがより好ましい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることにより、被着体（すなわち、半導体チップ）に対してより高い接着力が得られる。また、フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることにより、後述するエキスパンドによって、フィルム状接着剤をより容易に切断できる。
　ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、フィルム状接着剤の厚さの測定方法としては、例えば、任意の５箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。
　前記破断伸度を求める対象の前記積層体は、厚さが６０μｍ未満である硬化前のフィルム状接着剤を、合計の厚さが６０μｍとなるように２層以上積層して得られたものである。
　前記フィルム状接着剤又は積層体の０℃における破断伸度（％）は、以下の方法で測定できる。
　すなわち、幅が６ｍｍであり、長さが５ｍｍであり、厚さが６０μｍである前記フィルム状接着剤又は積層体を試験片とし、この試験片に加える荷重を１Ｎから１８Ｎまで、１Ｎ／ｍｉｎの割合で変化させながら引っ張り、破断したときの試験片の伸びを測定することで、破断伸度が求められる。
　なお、本明細書において、「破断伸度がＸ％である（式中、Ｘは正の数である）」とは、上述の測定方法において、試験片（すなわち、フィルム状接着剤又は積層体）を引っ張り、試験片がその引張方向において元の長さ（すなわち、引っ張っていないときの長さ）のＸ％の長さだけ伸びたとき、すなわち、試験片の引張方向における全体の長さが引っ張る前の長さの［１＋Ｘ／１００］倍となったときに、試験片が破断することを意味する。
　前記フィルム状接着剤又は積層体の破断伸度（％）は、６０％以下であり、５７％以下であることが好ましく、５４％以下であることがより好ましい。前記破断伸度が前記上限値以下であることで、前記フィルム状接着剤は、エキスパンドにより良好に切断される。
　また、前記フィルム状接着剤又は積層体の破断伸度（％）の下限値は特に限定されないが、例えば、５％であることが好ましい。前記破断伸度が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の取り扱い性が向上し、また、エキスパンド時におけるフィルム状接着剤の飛散を抑制する効果が高くなる。
　前記破断伸度（％）は、例えば、フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
　例えば、後述する重合体成分（ａ）の分子量及び含有量、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を構成する成分の構造、軟化点及び含有量、並びに充填剤（ｃ）の含有量等を調節することで、前記破断伸度を容易に調節できる。
　ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
　硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力（Ｎ／２５ｍｍ）は、以下の方法で測定できる。
　すなわち、幅が２５ｍｍで長さが任意の、フィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを作製する。この積層シートは、粘着テープの粘着面にフィルム状接着剤が積層されたものとする。次いで、４０～７０℃に加熱したフィルム状接着剤によって、この積層シートを半導体ウエハへ貼付して、粘着テープ、フィルム状接着剤及び半導体ウエハがこの順に積層された積層物を作製する。作製後のこの積層物を直ちに１５～２７℃の環境下で３０分静置した後、半導体ウエハからフィルム状接着剤及び粘着テープの積層シートを、フィルム状接着剤及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、その測定値を硬化前のフィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力（Ｎ／２５ｍｍ）とする。測定に供する前記積層シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されないが、１００ｍｍ～３００ｍｍであることが好ましい。
　硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力は、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、例えば、３１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、３４０ｍＮ／２５ｍｍ以上、３８０ｍＮ／２５ｍｍ以上等のいずれかとすることができるが、これらに限定されない。
　また、前記接着力の上限値は特に限定されず、例えば、１０Ｎ／２５ｍｍ、８００ｍＮ／２５ｍｍ、７００ｍＮ／２５ｍｍ、６００ｍＮ／２５ｍｍ、５００ｍＮ／２５ｍｍ等から選択できるが、これらは一例である。
　硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力は、例えば、フィルム状接着剤の含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
　例えば、後述する重合体成分（ａ）の分子量、重合体成分（ａ）を構成する各モノマー成分の比率、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を構成する成分の軟化点、及びフィルム状接着剤の各含有成分の含有量等を調節することで、フィルム状接着剤の前記接着力を容易に調節できる。
　ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
　本発明のフィルム状接着剤は、比較的遅いエキスパンド速度でも良好な切断特性を示す。例えば、本発明のフィルム状接着剤は、後述するように、エキスパンド速度を０．５～１００ｍｍ／ｓｅｃ等、遅めにして用いる場合に、特に好適である。このようにエキスパンド速度が遅めである場合、フィルム状接着剤の切断時において、半導体チップがよりダメージを受け難くなるとともに、本発明の効果がより顕著に得られる。
　好ましいフィルム状接着剤としては、例えば、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有するものが挙げられる。
［接着剤組成物］
　フィルム状接着剤は、その構成材料を含有する接着剤組成物から形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。フィルム状接着剤のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、フィルム状接着剤の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５～２５℃の温度等が挙げられる。
　接着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、コンマコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
　接着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、接着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　好ましい接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有するものが挙げられる。以下、各成分について説明する。
（重合体成分（ａ））
　重合体成分（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（すなわち、貼付性）を向上させるための重合体化合物である。また、重合体成分（ａ）は、後述するエポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）に該当しない成分でもある。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル、ウレタン系樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、フェノキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド等が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
　重合体成分（ａ）における前記アクリル系樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
　アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００００～２００００００であることが好ましく、１０００００～１５０００００であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量がこのような範囲内であることで、フィルム状接着剤又は積層体の前記破断伸度及びフィルム状接着剤の前記接着力を上述した範囲に調節することが容易となる。
　一方、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の形状安定性（すなわち、保管時の経時安定性）が向上する。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、被着体の凹凸面へフィルム状接着剤が追従し易くなり、被着体とフィルム状接着剤との間でボイド等の発生がより抑制される。
　なお、本明細書において、「数平均分子量」及び「重量平均分子量」は、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
　アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０～７０℃であることが好ましく、－３０～５０℃であることがより好ましい。アクリル系樹脂のＴｇが前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤と後述する支持シートとの接着力が抑制されて、ピックアップ時において、フィルム状接着剤を備えた半導体チップの支持シートからの引き離しがより容易となる。また、アクリル系樹脂のＴｇが前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤と半導体チップとの接着力が向上する。なお、本明細書において「ガラス転移温度」とは、示差走査熱量計を用いて、試料のＤＳＣ曲線を測定し、得られたＤＳＣ曲線の変曲点の温度で表される。
　アクリル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーから導かれる構成単位を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここでアクリル系樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリルともいう）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチルともいう）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチルともいう）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリルともいう）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イミド；
　（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；
　（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
　（メタ）アクリル酸Ｎ－メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
　なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語につても同様であり、例えば、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
　アクリル系樹脂は、例えば、前記（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合してなるものでもよい。
　アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　アクリル系樹脂は、上述の水酸基以外に、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル系樹脂の水酸基をはじめとするこれら官能基は、後述する架橋剤（ｆ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（ｆ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル系樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。
　本発明においては、重合体成分（ａ）として、アクリル系樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、アクリル系樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、アクリル系樹脂と併用してもよい。前記熱可塑性樹脂を含有することで、ピックアップ時において、フィルム状接着剤を備えた半導体チップの支持シートからの引き離しがより容易となったり、被着体の凹凸面へフィルム状接着剤が追従し易くなり、被着体とフィルム状接着剤との間でボイド等の発生がより抑制されることがある。
　前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１０００～１０００００であることが好ましく、３０００～８００００であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－３０～１５０℃であることが好ましく、－２０～１２０℃であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤の重合体成分（ａ）の含有量）は、重合体成分（ａ）の種類によらず、２０～７５質量％であることが好ましく、３０～６５質量％であることがより好ましい。
（エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ））
　エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・エポキシ樹脂（ｂ１）
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を含有することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。
　不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ（メタ）アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。なお、本明細書において「誘導体」とは、特に断りのない限り、元の化合物の１個以上の基がそれ以外の基（すなわち、置換基）で置換されてなるものを意味する。ここで、「基」とは、複数個の原子が結合してなる原子団だけでなく、１個の原子も包含するものとする。
　また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
　不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基（すなわち、ビニル基）、２－プロペニル基（すなわち、アリル基）、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、フィルム状接着剤の硬化性、並びに硬化後のフィルム状接着剤の強度及び耐熱性の点から、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）のエポキシ当量は、１００～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０～８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・熱硬化剤（ｂ２）
　熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
　熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
　不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
　熱硬化剤（ｂ２）としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、フィルム状接着剤の前記接着力を上述の範囲に調節することが容易となる点から、熱硬化剤（ｂ２）は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．１～５００質量部であることが好ましく、１～２００質量部であることがより好ましい。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の硬化がより進行し易くなる。また、熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の吸湿率が低減されて、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量（すなわち、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量を１００質量部としたとき、５～１００質量部であることが好ましく、７～９０質量部であることがより好ましく、９～８０質量部であることが特に好ましく、例えば、９～７０質量部、９～６０質量部、９～５０質量部、及び９～４０質量部等のいずれかであってもよい。エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、フィルム状接着剤又は積層体の前記破断伸度及びフィルム状接着剤の前記接着力を上述した範囲に調節することが容易となる。
　前記フィルム状接着剤は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
　前記フィルム状接着剤が含有する他の成分で好ましいものとしては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、架橋剤（ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。
（硬化促進剤（ｃ））
　硬化促進剤（ｃ）は、接着剤組成物の硬化速度を調節するための成分である。
　好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（すなわち、１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（すなわち、１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量を１００質量部としたとき、０．０１～１０質量部であることが好ましく、０．１～５質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下でフィルム状接着剤中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、半導体加工用シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
（充填材（ｄ））
　フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が充填材（ｄ）を含有することにより、硬化後のフィルム状接着剤の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
　充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
　好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
　これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　充填材（ｄ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤の充填材（ｄ）の含有量）は、５～８０質量％であることが好ましく、７～６０質量％であることがより好ましい。充填材（ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。
（カップリング剤（ｅ））
　フィルム状接着剤は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものである。
　カップリング剤（ｅ）は、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
　好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３－（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アニリノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　カップリング剤（ｅ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の総含有量を１００質量部としたとき、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。
カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、フィルム状接着剤の被着体との接着性の向上など、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
（架橋剤（ｆ））
　重合体成分（ａ）として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）を用いて架橋することにより、フィルム状接着剤の初期接着力及び凝集力を調節できる。
　架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
　前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味し、その例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、先に説明したとおりである。
　前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート；２，６－トリレンジイソシアネート；１，３－キシリレンジイソシアネート；１，４－キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート；３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。
　前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。
　架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）と重合体成分（ａ）との反応によって、フィルム状接着剤に架橋構造を簡便に導入できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤（ｆ）を用いる場合、接着剤組成物において、架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量を１００質量部としたとき、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．１～１０質量部であることがより好ましく、０．３～５質量部であることが特に好ましい。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ｆ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤（ｆ）の過剰使用が抑制される。
（エネルギー線硬化性樹脂（ｇ））
　フィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
　前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
　前記アクリレート系化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等の鎖状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート等の環状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；オリゴエステル（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー；エポキシ変性（メタ）アクリレート；前記ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート以外のポリエーテル（メタ）アクリレート；イタコン酸オリゴマー等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重量平均分子量は、１００～３００００であることが好ましく、３００～１００００であることがより好ましい。
　接着剤組成物が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量の割合は、１～９５質量％であることが好ましく、５～９０質量％であることがより好ましく、１０～８５質量％であることが特に好ましい。
（光重合開始剤（ｈ））
　接着剤組成物は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（ｈ）を含有していてもよい。
　接着剤組成物における光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン等のキノン化合物等が挙げられる。
　また、光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、アミン等の光増感剤等も挙げられる。
　接着剤組成物が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤（ｈ）を用いる場合、接着剤組成物において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量を１００質量部としたとき、０．１～２０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましく、２～５質量部であることが特に好ましい。
（汎用添加剤（ｉ））
　汎用添加剤（Ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（すなわち、染料又は顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤においては、フィルム状接着剤の表面状態が良好になるなど、造膜性が向上する点では、重合体成分（ａ）の含有量は、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）及び充填材（ｄ）の総含有量（すなわち、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）、熱硬化剤（ｂ２）及び充填材（ｄ）の総含有量）を１００質量部としたとき、３０質量部以上であることが好ましく、３８質量部以上であることがより好ましい。また、上述の点で、重合体成分（ａ）の前記含有量の上限値は、特に限定されないが、６５質量部であることが好ましい。
　一方、接着剤組成物及びフィルム状接着剤においては、フィルム状接着剤の信頼性が向上する点では、重合体成分（ａ）の含有量は、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）及び充填材（ｄ）の総含有量（すなわち、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）、熱硬化剤（ｂ２）及び充填材（ｄ）の総含有量）を１００質量部としたとき、４５質量部以上であることが好ましい。また、上述の点で、重合体成分（ａ）の前記含有量の上限値は、特に限定されないが、６５質量部であることが好ましい。
（溶媒）
　接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
　前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（すなわち、アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
［接着剤組成物の製造方法］
　接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
　各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
　溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
　配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
　各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。
◎半導体加工用シート
　本発明の半導体加工用シートは、支持シート上に、上述の本発明のフィルム状接着剤が設けられたものである。
　本発明の半導体加工用シートは、そのフィルム状接着剤上に、あらかじめ分割済みの複数個の半導体チップを設けておき、支持シートとともにフィルム状接着剤を、このフィルム状接着剤の表面に沿った方向において拡張させる、所謂エキスパンドを低温下で行うことにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外形にあわせて切断する工程で用いるのに好適である。回路が形成されている面（以下、「回路形成面」と略記することがある）とは反対側の面（すなわち、裏面）に切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップ（本明細書においては「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と称することがある）は、ピックアップした後に、半導体装置の製造に使用される。
　本発明の半導体加工用シートを用いることで、フィルム状接着剤のエキスパンドによる切断時においては、フィルム状接着剤は目的の箇所で切断されるとともに、その切断箇所においてフィルム状接着剤の欠け等の異常の発生が抑制され、優れた切断特性を示す。したがって、フィルム状接着剤付き半導体チップを、工程異常を伴うことなく容易にピックアップできる。
　上述のような、フィルム状接着剤のエキスパンドによる切断は、例えば、厚さが薄い半導体チップを備えたフィルム状接着剤付き半導体チップを製造するときに、適用するのに好適である。
　分割済みの複数個の半導体チップは、例えば、半導体ウエハの前記フィルム状接着剤の貼付面（すなわち、裏面）とは反対側の回路形成面（すなわち、表面）から溝を形成し、この溝に到達するまで前記裏面を研削することで作製できる。このように、半導体ウエハを分割することなく、溝の底部を残すように半導体ウエハを切り込む操作は、ハーフカットとよばれる。ただし、本発明において「ハーフカット」とは、溝の深さが、例えば、半導体ウエハの厚さの半分等、特定の値となるように半導体ウエハを切り込む操作だけを意味するものではなく、上記のように溝の底部を残すように半導体ウエハを切り込む操作全般を意味する。
　前記溝を形成する方法としては、例えば、ブレードを用いて半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、ブレードダイシング）、レーザー照射により半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、レーザーダイシング）、研磨剤を含む水の吹き付けにより半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、ウオーターダイシング）等が挙げられる。しかし、これらのように、半導体ウエハの一部を削り取ることによって半導体チップを製造する場合には、半導体ウエハの一部を削り取った（すなわち、半導体ウエハに溝を形成した）分だけ、半導体ウエハの損失が生じ、１枚の半導体ウエハから得られる半導体チップの数が少なくなる。また、最終的に半導体チップよりも切断後のフィルム状接着剤の方が大きくなるため、フィルム状接着剤の切断時や、後述するフィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップ時に、切断後のフィルム状接着剤が半導体チップの側面等に巻き付いたりすることがある。
　一方、分割済みの複数個の半導体チップは、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束されるように、赤外域のレーザー光を照射して、半導体ウエハの内部に改質層を形成した後、半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、さらに、前記裏面を研削中の半導体ウエハに対して、研削時の力を加えることによって、前記改質層の形成部位において半導体ウエハを分割することでも作製できる。この方法では、半導体ウエハの一部を削り取る工程が存在しないため、上述のような半導体チップの作製数の低下、切断後のフィルム状接着剤の半導体チップの側面等への巻き付き等が抑制される点で有利である。
＜＜支持シート＞＞
　前記支持シートとしては、基材を有するものが挙げられる。このような支持シートは、例えば、基材からなる（すなわち、基材のみを有する）ものであってもよいし、基材と基材以外の他の層とを有するものであってもよい。前記他の層を有する支持シートとしては、例えば、基材上に粘着剤層を備えたものが挙げられる。
　本発明の半導体加工用シートにおいて、前記フィルム状接着剤は、支持シート上に設けられる。したがって、例えば、支持シートが、基材上に粘着剤層を備えたものである場合には、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられ、支持シートが基材からなるものである場合には、基材にフィルム状接着剤が直接接触して設けられる。
　前記支持シートは、１層（すなわち、単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　支持シートとしては、基材上に粘着剤層が設けられたものが好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられたものがより好ましい。
　すなわち、本発明の半導体加工用シートとしては、基材上に粘着剤層が設けられ、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられたものが好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられ、粘着剤層上にフィルム状接着剤が設けられたものがより好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられ、粘着剤層にフィルム状接着剤が直接接触して設けられたものが特に好ましい。
＜基材＞
　前記基材の構成材料は、各種樹脂であることが好ましく、具体的には、例えば、ポリエチレン（低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥと略すことがある）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥと略すことがある）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥと略すことがある）等）、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、スチレン・エチレンブチレン・スチレンブロック共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリイミド、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、フッ素樹脂、これらのいずれかの樹脂の水添加物、変性物、架橋物又は共重合物等が挙げられる。
　基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　基材は１層（すなわち、単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　単層からなる基材は、その表面が公知の方法で剥離処理されていてもよい。
　基材の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、５０μｍ～３００μｍであることが好ましく、７０μｍ～１５０μｍであることがより好ましい。
　ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、基材の厚さの測定方法としては、例えば、任意の５箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。　
　基材は、その上に設けられる、後述する粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
　また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
　また、基材は、帯電防止コート層、半導体加工用シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
＜粘着剤層＞
　前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
　前記粘着剤層は、公知のものであってもよい。
　前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
　なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
　粘着剤層は、エネルギー線硬化性及び非エネルギー線硬化性のいずれであってもよいが、非エネルギー線硬化性であることが好ましい。
　本発明において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられる。
　紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンＨランプ、キセノンランプ又は発光ダイオード等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
　本発明において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
　本発明における粘着剤層で好ましいものとしては、例えば、厚さが２００μｍである粘着剤層の、０℃における貯蔵弾性率が１０００ＭＰａ以下であり、半導体ウエハのミラー面に対する前記粘着剤層の粘着力が２００ｍＮ／２５ｍｍ以下であるものが挙げられる。
ただし、好ましい粘着剤層はこれに限定されない。
　前記貯蔵弾性率を求める対象の粘着剤層は、厚さが２００μｍである単層の粘着剤層であってもよいし、厚さが２００μｍ未満である粘着剤層を、合計の厚さが２００μｍとなるように２層以上積層して得られた積層体であってもよい。
　なお、本明細書においては、貯蔵弾性率を求める対象の粘着剤層が、単層の粘着剤層、及び前記積層体のいずれであっても、単に「粘着剤層」と記載することがある。
　また、本明細書において、上述の「粘着剤層の貯蔵弾性率」、「積層体の貯蔵弾性率」とは、特に断りのない限り、粘着剤層が硬化性である場合には、それぞれ「硬化する前の粘着剤層の貯蔵弾性率」、「粘着剤層が硬化する前の積層体の貯蔵弾性率」を意味する。
　前記粘着剤層又は積層体の０℃における貯蔵弾性率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、９９６ＭＰa以下であることがより好ましい。前記貯蔵弾性率が前記上限値以下であることで、後述するように、フィルム状接着剤のエキスパンドによる切断時において、フィルム状接着剤付き半導体チップの粘着剤層からの浮きや飛散が抑制される。
　前記粘着剤層又は積層体の０℃における貯蔵弾性率の下限値は、特に限定されず、例えば、１００ＭＰａ、３００ＭＰａ、５００ＭＰａのいずれかとすることができるが、これらは一例である。
　前記貯蔵弾性率（ＭＰａ）は、測定対象の前記粘着剤層又は積層体を、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数１１Ｈｚの条件で、例えば、－５０℃から５０℃まで等、特定の温度範囲で昇温させたときの貯蔵弾性率（ＭＰａ）を測定することで求められる。
　前記貯蔵弾性率は、例えば、粘着剤層の含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
　例えば、粘着性樹脂を構成しているモノマーの比率、架橋剤の配合量、充填剤の含有量等を調節することで、前記粘着剤層の貯蔵弾性率及び前記積層体の貯蔵弾性率を容易に調節できる。
　ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
　前記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力は、２００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１９６ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい。前記粘着力が前記上限値以下であることで、後述するように、エネルギー線照射等による粘着剤層の硬化を行わなくても、フィルム状接着剤付き半導体チップを容易にピックアップできる。
　前記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力の下限値は、特に限定されず、例えば、１０ｍＮ／２５ｍｍ、３０ｍＮ／２５ｍｍ、５０ｍＮ／２５ｍｍのいずれかとすることができるが、これらは一例である。
　なお、本明細書において、「粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力」とは、特に断りのない限り、粘着剤層が硬化性である場合には、「硬化前の粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力」を意味する。また、前記粘着力の測定は、特に断りのない限り、ＪＩＳ　Ｚ０２３７　２００８で規定されている標準状態での粘着力の測定である。
　本発明において、前記粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）は、以下の方法で測定できる。すなわち、幅が２５ｍｍで長さが任意の、基材上に粘着剤層が設けられてなる前記支持シートを作製する。次いで、常温下で粘着剤層によって、この支持シートを半導体ウエハへ貼付する。そして、この温度のまま、半導体ウエハから支持シートを、粘着剤層及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、その測定値を前記粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）とする。測定に供する前記支持シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されない。
　シリコンウエハ等の半導体ウエハは、その種類が異なっていたり、同じ種類で製造ロットが異なっていたりしても、その同じ部位に、同じ粘着剤層を貼付した場合であれば、粘着剤層との粘着力のばらつきが小さい。そのため、粘着剤層の粘着力は、その測定対象物として半導体ウエハを選択することで、高精度に特定できる。本発明においては、粘着剤層として、その半導体ウエハのミラー面に対する粘着力が２００ｍＮ／２５ｍｍ以下であるものを選択することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップを粘着剤層から引き離してピックアップするときに、工程異常の発生を抑制して容易にピックアップできるように、粘着剤層のフィルム状接着剤に対する粘着力を調節できる。このような本発明の効果は、前記分野で使用されるフィルム状接着剤全般に対して発現する。
　前記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力は、例えば、粘着剤層の含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
　例えば、粘着性樹脂を構成しているモノマーの組み合わせ、前記モノマーの比率、架橋剤の配合量、充填剤の含有量等を調節することで、粘着剤層の前記接着力を容易に調節できる。
　ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
　粘着剤層は１層（すなわち、単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。粘着剤層が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　粘着剤層の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、１μｍ～１００μｍであることが好ましく、１μｍ～６０μｍであることがより好ましく、１μｍ～３０μｍであることが特に好ましい。
　ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。なお、粘着剤層の厚さの測定方法としては、例えば、任意の５箇所において、接触式厚み計を用いて厚さを測定し、測定値の平均を算出する方法等が挙げられる。
　前記粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物から形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
　粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、上述の接着剤組成物の塗工と同様の方法で行うことができる。
　粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
［粘着剤組成物］
　前記粘着剤組成物は、非エネルギー線硬化性であるものが好ましい。
　非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、前記アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、又はポリカーボネート等の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂（ｉ）」と称する）を含有するものが挙げられる。
（粘着性樹脂（ｉ））
　前記粘着性樹脂（ｉ）は、前記アクリル系樹脂であることが好ましい。
　粘着性樹脂（ｉ）における前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
　前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が１～２０であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリルともいう）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチルともいう）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチルともいう）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリルともいう）、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸イコシル等が挙げられる。
　粘着剤層の粘着力が向上する点では、前記アクリル系重合体は、前記アルキル基の炭素数が４以上である（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましい。そして、粘着剤層の粘着力がより向上する点から、前記アルキル基の炭素数は、４～１２であることが好ましく、４～８であることがより好ましい。また、前記アルキル基の炭素数が４以上である（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。
　前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
　前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
　官能基含有モノマー中の前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
　すなわち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
　前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル；ビニルアルコール、アリルアルコール等の非（メタ）アクリル系不飽和アルコール（すなわち、（メタ）アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール）等が挙げられる。
　前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸（すなわち、エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸）；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸（すなわち、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸）；前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物；２－カルボキシエチルメタクリレート等の（メタ）アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
　官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
　前記アクリル系重合体を構成する官能基含有モノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、１～３５質量％であることが好ましく、３～３２質量％であることがより好ましく、５～３０質量％であることが特に好ましい。
　前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
　前記他のモノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
　前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
　前記アクリル系重合体を構成する前記他のモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記アクリル系重合体以外の粘着性樹脂（ｉ）も、前記アクリル系重合体と同様に、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
　粘着剤組成物が含有する粘着性樹脂（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、粘着性樹脂（ｉ）の含有量の割合（すなわち、粘着剤層の粘着性樹脂（ｉ）の含有量）は４５～９０質量％であることが好ましく、５５～８７質量％であることがより好ましく、６５～８４質量％であることが特に好ましい。粘着性樹脂（ｉ）の含有量の前記割合がこのような範囲であることで、粘着剤層の粘着性がより良好となる。
（架橋剤（ｉｉ））
　粘着剤組成物は、架橋剤（ｉｉ）を含有することが好ましい。
　架橋剤（ｉｉ）は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂（ｉ）同士を架橋するものである。
　架橋剤（ｉｉ）としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤（すなわち、イソシアネート基を有する架橋剤）；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤（すなわち、グリシジル基を有する架橋剤）；ヘキサ［１－（２－メチル）－アジリジニル］トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤（すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤）；アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤（すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤）；イソシアヌレート系架橋剤（すなわち、イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤）等が挙げられる。
　粘着剤の凝集力を向上させて粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤（ｉｉ）はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
　粘着剤組成物が含有する架橋剤（ｉｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物が架橋剤（ｉｉ）を含有する場合、粘着剤組成物において、架橋剤（ｉｉ）の含有量は、粘着性樹脂（ｉ）の含有量を１００質量部としたとき、５～５０質量部であることが好ましく、１０～４５質量部であることがより好ましく、１５～４０質量部であることが特に好ましい。架橋剤（ｉｉ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ｉｉ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤（ｉｉ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、粘着剤層のフィルム状接着剤に対する粘着力の調節がより容易となる。
（その他の添加剤）
　粘着剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（すなわち、可塑剤）、充填材（すなわち、フィラー）、防錆剤、着色剤（すなわち、顔料又は染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（すなわち、触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。
　なお、「反応遅延剤」とは、例えば、粘着剤組成物中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、１分子中にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を２個以上有するものが挙げられる。
　粘着剤組成物が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
（溶媒）
　粘着剤組成物は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
　前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；酢酸エチル等のカルボン酸エステル；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン等の脂肪族炭化水素；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；１－プロパノール、２－プロパノール等のアルコール等が挙げられる。
　前記溶媒としては、例えば、粘着性樹脂（ｉ）の製造時に用いたものを粘着性樹脂（ｉ）から取り除かずに、そのまま粘着剤組成物において用いてもよいし、粘着性樹脂（ｉ）の製造時に用いたものと同一又は異なる種類の溶媒を、粘着剤組成物の製造時に別途添加してもよい。
　粘着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
［粘着剤組成物の製造方法］
　粘着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られ、例えば、配合成分が異なる点以外は、上述の接着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。
　図１は、本発明の半導体加工用シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
　ここに示す半導体加工用シート１は、基材１１上に粘着剤層１２が設けられ、粘着剤層１２上にフィルム状接着剤１３が設けられてなるものである。
　半導体加工用シート１において、粘着剤層１２は基材１１の一方の表面１１ａに積層され、フィルム状接着剤１３は粘着剤層１２の一方の表面、すなわち、粘着剤層１２の基材１１が設けられている側とは反対側の表面１２ａに積層されている。フィルム状接着剤１３は、上述の本発明のフィルム状接着剤である。
　すなわち、半導体加工用シート１は、支持シート１０として、基材１１上に粘着剤層１２が設けられたものを用い、粘着剤層１２にフィルム状接着剤１３が直接接触して設けられたものである。
　なお、本発明の半導体加工用シートは、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１に示すものにおいて一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
＜＜半導体加工用シートの製造方法＞＞
　前記半導体加工用シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
　例えば、基材上に粘着剤層又はフィルム状接着剤を積層する場合には、剥離フィルム上に粘着剤組成物又は接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層又はフィルム状接着剤をあらかじめ形成しておき、この形成済みの粘着剤層又はフィルム状接着剤の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、基材の表面と貼り合わせればよい。このとき、粘着剤組成物又は接着剤組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
　例えば、基材上に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層上にフィルム状接着剤が積層されてなる半導体加工用シート（すなわち、支持シートが基材及び粘着剤層の積層物である半導体加工用シート）を製造する場合には、上述の方法で、基材上に粘着剤層を積層しておき、別途、剥離フィルム上に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上にフィルム状接着剤を形成しておき、このフィルム状接着剤の露出面を、基材上に積層済みの粘着剤層の露出面と貼り合わせて、フィルム状接着剤を粘着剤層上に積層することで、半導体加工用シートが得られる。剥離フィルム上にフィルム状接着剤を形成する場合も、接着剤組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましく、剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
　このように、半導体加工用シートを構成する基材以外の層はいずれも、剥離フィルム上にあらかじめ形成しておき、目的とする層の表面に貼り合わせる方法で積層できるため、必要に応じてこのような工程を採用する層を適宜選択して、半導体加工用シートを製造すればよい。
　なお、半導体加工用シートは、通常、これをダイシング用リングフレーム等の治具に固定するための治具用接着剤層など、必要な層をすべて設けた後、その支持シートとは反対側の最表層の表面に、剥離フィルムが貼り合わされた状態で保管される。
＜＜半導体装置の製造方法＞＞
　本発明の半導体装置の製造方法は、上述の本発明のフィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられ、前記フィルム状接着剤の前記支持シートが設けられている側とは反対側の表面に、分割済みの複数個の半導体チップが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、前記積層構造体のフィルム状接着剤を冷却しながら、その表面に対して平行な方向にエキスパンドして、フィルム状接着剤を切断する切断工程と、切断後の前記フィルム状接着剤を備えた前記半導体チップ（本明細書においては、「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と略記することがある）を、前記支持シートからピックアップする（すなわち、引き離す）引き離し工程と、を有する。
　前記支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられたものは、上述の本発明の半導体加工用シートであり、後述するように、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いたものである。
　本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いることで、前記切断工程においては、フィルム状接着剤のエキスパンドによるフィルム状接着剤の切断時に、フィルム状接着剤の欠け等の異常を伴うことなく、フィルム状接着剤を目的の箇所で容易に切断できる。
　また、上述の非エネルギー線硬化性の粘着剤層を有する半導体加工用シートを用いた場合には、前記引き離し工程においては、エネルギー線照射による粘着剤層の硬化を行わなくても、フィルム状接着剤付き半導体チップを容易に粘着剤層から引き離してピックアップできる。この場合、半導体装置の製造工程を簡略化できる。
　以下、図２を参照しながら、前記製造方法について説明する。図２は、本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いた場合の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図１に示すフィルム状接着剤１３又は半導体加工用シート１を用いた場合の製造方法について説明する。なお、図２以降において、図１に示すものと同じ構成要素には、図１の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。また、図２では、半導体加工用シートと半導体チップに関わる構成のみ、断面表示している。
＜積層構造体形成工程＞
　図２（ａ）に示す積層構造体１０１は、基材１１上に粘着剤層１２が設けられ、粘着剤層１２の表面１２ａにフィルム状接着剤１３が設けられ、フィルム状接着剤１３の粘着剤層１２が設けられている側とは反対側の表面１３ａに、分割済みの複数個の半導体チップ８が設けられてなる。
　なお、図２では、複数個の半導体チップ８同士の間の空隙部（すなわち、前記溝に由来するもの）を強調表示している。
　前記積層構造体形成工程においては、例えば、分割済みの複数個の半導体チップ８の裏面８ｂに、１枚のフィルム状接着剤１３を貼付した後、このフィルム状接着剤１３の半導体チップ８を備えている側とは反対側の表面（すなわち、裏面）１３ｂに、支持シート１０の粘着剤層１２を貼付することで、積層構造体１０１を形成できる。また、本発明の半導体加工用シート１を用い、そのフィルム状接着剤１３の粘着剤層１２を備えている側とは反対側の表面１３ａを、分割済みの複数個の半導体チップ８の裏面８ｂに貼付することでも、積層構造体１０１を形成できる。
　分割済みの複数個の半導体チップ８は、上述のように、半導体ウエハのフィルム状接着剤１３の貼付面（すなわち、裏面）とは反対側の回路形成面（すなわち、表面）から溝を形成し、この溝に到達するまで前記裏面を研削することで作製できる。そして、前記溝は、ブレードダイシング、レーザーダイシング、ウオーターダイシング等の方法で形成できる。
　図３は、このような半導体ウエハに溝を形成して半導体チップを得る方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
　この方法では、図３（ａ）に示すように、半導体ウエハ８’に、その回路形成面である一方の表面８ａ’からブレードダイシング、レーザーダイシング、ウオーターダイシング等の方法で溝８０’を形成する。
　次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ８’の前記表面（すなわち、回路形成面）８ａ’とは反対側の面（すなわち、裏面）８ｂ’を研削する。前記裏面８ｂ’の研削は、公知の方法により、例えば、グラインダー６２を用いて行うことができる。前記裏面８ｂ’の研削は、ここに示すように、半導体ウエハ８’の前記表面８ａ’にバックグラインドテープ６３を貼付して行うことが好ましい。
　そして、溝８０’に到達するまで前記裏面８ｂ’を研削することにより、図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ８’から複数個の半導体チップ８が得られる。半導体ウエハ８’の前記裏面８ｂ’は、半導体チップ８の裏面８ｂ、すなわち、フィルム状接着剤１３を設けるための面となる。
　ただし、半導体装置の前記製造方法では、これらの半導体ウエハの一部を削り取る方法ではなく、先に説明したように、半導体ウエハの内部に改質層を形成し、この改質層の形成部位において半導体ウエハを分割する方法を採用することが好ましい。
　すなわち、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記積層構造体形成工程の前に、さらに、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム状接着剤を設けるための面を研削するとともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いることが好ましい。
　図４は、このような半導体ウエハに改質層を形成して半導体チップを得る方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
＜改質層形成工程＞
　この方法では、前記改質層形成工程において、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ８’の内部に設定された焦点に集束されるように、赤外域のレーザー光を照射して、半導体ウエハ８’の内部に改質層８１’を形成する。
　改質層形成工程においては、例えば、レーザー光の照射によって半導体ウエハ８’の表面や表面近傍の領域が受けるダメージを最小限にしながら、改質層８１’を形成するために、開口度（ＮＡ）の大きなレーザー光を照射することが好ましい。
＜分割工程＞
　次いで、前記分割工程においては、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ８’の前記表面（すなわち、回路形成面）８ａ’とは反対側の面（すなわち、裏面）８ｂ’を研削する。このときの研削は、先の図３を引用して説明した、溝を形成した半導体ウエハの裏面の研削と同じ方法で行うことができる。例えば、このときの前記裏面８ｂ’の研削は、半導体ウエハ８’の前記表面８ａ’にバックグラインドテープ６３を貼付して行うことが好ましい。
　そして、半導体ウエハ８’の前記裏面８ｂ’を研削するとともに、さらに、この研削中の半導体ウエハ８’に対して、研削時の力を加えることによって、改質層８１’の形成部位において半導体ウエハ８’を分割することで、図４（ｃ）に示すように、半導体ウエハ８’から複数個の半導体チップ８が得られる。この場合も、図３を引用して説明した場合と同様に、半導体ウエハ８’の前記裏面８ｂ’は、半導体チップ８の裏面８ｂ、すなわち、フィルム状接着剤１３を設けるための面となる。
　上述のいずれの方法でも、バックグラインドテープ６３を用いた場合、得られた複数個の半導体チップ８は、バックグラインドテープ６３上で整列した状態で保持される。
　半導体チップ８の厚さは、特に限定されないが、５μｍ～６０μｍであることが好ましく、１０μｍ～５５μｍであることがより好ましい。このような薄型の半導体チップを用いた場合に、本発明の半導体加工用シートを用いた場合の効果が、より顕著に得られる。
＜切断工程＞
　上述の半導体装置の製造方法での前記切断工程においては、前記積層構造体形成工程後に、図２（ｂ）に示すように、積層構造体１０１のフィルム状接着剤１３を冷却しながら、フィルム状接着剤１３の表面１３ａに対して平行な方向にフィルム状接着剤１３をエキスパンドして、フィルム状接着剤１３を切断する。フィルム状接着剤１３は、基材１１及び粘着剤層１２（すなわち、支持シート１０）とともにエキスパンドすればよい。ここでは、切断後のフィルム状接着剤を、符号１３’を付して示しているが、このような切断後のフィルム状接着剤１３’を単に「フィルム状接着剤１３’」と称することがある。また、フィルム状接着剤１３のエキスパンドの方向を矢印Ｉで示している。
　前記切断工程における、フィルム状接着剤１３の冷却温度は、特に限定されないが、フィルム状接着剤１３をより容易に切断できる点から、－１５～１０℃であることが好ましい。
　前記切断工程における、フィルム状接着剤１３のエキスパンド速度（すなわち、拡張速度）は、本発明の効果を損なわない範囲内であれば特に限定されないが、０．５～１００ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましく、０．５～６０ｍｍ／ｓｅｃであることがより好ましく、例えば、１～５０ｍｍ／ｓｅｃ等であってもよい。エキスパンド速度がこのような範囲内であることで、本発明の効果がより顕著に得られる。さらに、エキスパンド速度が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤１３のエキスパンド時において、半導体チップ８がよりダメージを受け難くなる。
　前記切断工程においては、フィルム状接着剤１３（すなわち、半導体加工用シート１）を用いていることにより、フィルム状接着剤１３が目的の箇所で切断されるとともに、その切断箇所においてフィルム状接着剤１３’の欠け等の異常の発生が抑制される。
　前記切断工程においては、０℃における貯蔵弾性率が１０００ＭＰａ以下となる上述の粘着剤層を用いることで、フィルム状接着剤１３の切断時において、切断後のフィルム状接着剤１３’を備えた半導体チップ８（すなわち、フィルム状接着剤付き半導体チップ）の粘着剤層１２からの浮きや飛散が抑制される。
＜引き離し工程＞
　前記引き離し工程においては、前記切断工程後に、図２（ｃ）に示すように、切断後のフィルム状接着剤１３’を備えた半導体チップ８を、支持シート１０（すなわち、粘着剤層１２）から引き離して、ピックアップを行う。
　前記引き離し工程においては、半導体装置の製造装置の引き上げ部６１によって、半導体チップ８を引き上げることにより、この半導体チップ８の裏面８ｂに貼付されている切断後のフィルム状接着剤１３’を粘着剤層１２から剥離させる。半導体チップ８を引き上げる方法は、公知の方法でよく、例えば、真空コレットにより半導体チップ８の表面を吸着して引き上げる方法等が挙げられる。ここでは、半導体チップ８の引き上げ方向を矢印ＩＩで示している。
　前記引き離し工程においては、半導体ウエハに対する粘着力が２００ｍＮ／２５ｍｍ以下である上述の粘着剤層を用いることで、エネルギー線照射等による粘着剤層の硬化を行わなくても、フィルム状接着剤付き半導体チップを容易にピックアップできる。
　半導体装置の前記製造方法においては、切断後のフィルム状接着剤１３’と共に引き離された（すなわち、ピックアップされた）半導体チップ８（すなわち、フィルム状接着剤付き半導体チップ）を用いて、以降は従来法と同様の方法で、すなわち、前記半導体チップを基板の回路面にフィルム状接着剤によってダイボンディングする工程を経て半導体装置を製造することができる。例えば、前記半導体チップ８を基板の回路面にフィルム状接着剤１３’によってダイボンディングし、必要に応じて、この半導体チップ８にさらに半導体チップを１個以上積層して、ワイヤボンディングを行った後、全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージとする（図示略）。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を作製すればよい。
　本発明のフィルム状接着剤又は半導体加工用シートを用いた半導体装置の製造方法は、図２を引用して説明した上述の方法に限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述の方法において一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
　以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
　接着剤組成物の製造に用いた成分を以下に示す。
・重合体成分
　（ａ）－１：アクリル酸メチル（以下、「ＭＡ」と略記する）（９５質量部）及びアクリル酸－２－ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」と略記する）（５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度９℃）。
・エポキシ樹脂
　（ｂ１）－１：アクリロイル基が付加されたクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＣＮＡ１４７」、エポキシ当量５１８ｇ／ｅｑ、数平均分子量２１００、不飽和基含有量はエポキシ基と等量）
・熱硬化剤
　（ｂ２）－１：アラルキルフェノール樹脂（三井化学社製「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ」、数平均分子量１１００）
・充填材
　（ｄ）－１：球状シリカ（アドマテックス社製「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、平均粒径５０ｎｍ、メタクリルシラン処理品）
・カップリング剤
　（ｅ）－１：シランカップリング剤、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＥ－４０２」）
・架橋剤
　（ｆ）－１：トリレンジイソシアネート系架橋剤（東洋インキ製造社製「ＢＨＳ８５１５」）
＜フィルム状接着剤及び半導体加工用シートの製造＞
［実施例１］
（接着剤組成物の製造）
　重合体成分（ａ）－１、エポキシ樹脂（ｂ１）－１、熱硬化剤（ｂ２）－１、充填材（ｄ）－１、カップリング剤（ｅ）－１、及び架橋剤（ｆ）－１を、これらの含有量（質量部）が表１に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、接着剤組成物を得た。
（フィルム状接着剤の製造）
　ポリエチレンテレフタレート製フィルム（厚さ３８μｍ）の片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルムの前記剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗工し、１２０℃で３分加熱乾燥させることにより、厚さ２０μｍのフィルム状接着剤を形成した。
　次いで、このフィルム状接着剤の露出面に、別途、前記剥離フィルムの剥離処理面を貼付し、フィルム状接着剤の両面に前記剥離フィルムが貼付されたフィルム状接着剤積層物を得た。
（粘着剤組成物の製造）
　粘着性樹脂（１００質量部）に対して、架橋剤（３０．１６質量部）を加えて２３℃で撹拌することで、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物を得た。なお、ここに示す配合部数は、すべて固形分換算値である。
　前記粘着性樹脂は、アクリル酸－２－エチルヘキシル（８０質量部）、及びアクリル酸－２－ヒドロキシエチル（２０質量部）を共重合してなるアクリル系重合体（重量平均分子量８６００００、ガラス転移温度－６１℃）である。また、前記架橋剤は、トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物（東ソー社製「コロネートＬ」）である。
（粘着シートの製造）
　ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物を塗工し、１２０℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
　次いで、この粘着剤層の露出面に、基材として、厚さ１１０μｍの低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）製フィルムを貼り合せることにより、剥離フィルムを備えた粘着シートを得た。
（半導体加工用シートの製造）
　前記フィルム状接着剤積層物を、製造直後から常温下で１週間保存した後、一方の剥離フィルムを取り除き、フィルム状接着剤の一方の表面を露出させた。また、上記で得られた粘着シートから剥離フィルムを取り除き、粘着剤層の一方の表面を露出させた。そして、フィルム状接着剤の露出面と、粘着剤層の露出面とを貼り合わせることで、基材、粘着剤層、フィルム状接着剤及び剥離フィルムがこの順に積層されてなる半導体加工用シートを得た。
［実施例２～７、比較例１～７］
　接着剤組成物の含有成分を表１又は表２に示すとおりとした点以外は、実施例１と同じ方法で、フィルム状接着剤及び半導体加工用シートを製造した。
　なお、上記の実施例及び比較例で製造した接着剤組成物の固形分濃度は、１８～２４質量％である。
＜フィルム状接着剤及び半導体加工用シートの評価＞
　上記で得られたフィルム状接着剤及び半導体加工用シートについて、下記項目を評価した。
（積層体の破断伸度）
　ラミネーターを用いて、上記で得られたフィルム状接着剤を複数層貼り合わせることで、合計の厚さが６０μｍである、フィルム状接着剤が積層された積層体を作製した。さらに、この積層体を裁断して、幅６ｍｍ、長さ５ｍｍ、厚さ６０μｍの試験片を作製した。
　次いで、得られた試験片の温度を０℃に設定し、動的粘弾性測定装置（ＴＡ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製「ＤＭＡ Ｑ８００」）を用いてこの試験片を引っ張り、試験片、すなわち硬化前のフィルム状接着剤が積層されてなる前記積層体の破断伸度（％）を求めた。試験片を引っ張るときには、試験片に加える荷重を１Ｎ／ｍｉｎから１８Ｎ／ｍｉｎまで変化させた。結果を表１又は表２に示す。
（フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力）
　ポリエチレンテレフタレート製フィルム（厚さ５０μｍ）の片面に強粘着力の粘着層（厚さ２４μｍ）が積層されてなる粘着テープを準備した。上記で得られたフィルム状接着剤積層物から一方の剥離フィルムを除去し、フィルム状接着剤の一方の表面を露出させた。そして、フィルム状接着剤のこの露出面に、ラミネーターを用いて、前記粘着テープの粘着層を貼り合わせることで、積層シートを作製した。さらに、この積層シートを幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの大きさに裁断した後、フィルム状接着剤から残りの剥離フィルムを除去して、試験片を作製した。
　ラミネーターを用いて、５０℃に加熱したフィルム状接着剤を介して、この試験片をシリコンウエハのミラー面に貼り合わせ、２３℃の温度条件下で３０分静置した。次いで、万能引張試験機（島津製作所社製「オートグラフ」）を用いて、同じ温度のまま、シリコンウエハから前記試験片を、試験片（すなわち、フィルム状接着剤）及びシリコンウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行い、このときの剥離力を測定して、その測定値を、硬化前のフィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力（ｍＮ／２５ｍｍ）とした。結果を表１又は表２に示す。
（フィルム状接着剤の切断特性（１））
　ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用い、８インチのシリコンウエハ（厚さ７２０μｍ）のミラー面に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの正方形を描画するように、その表面から８０μｍの深さまでダイシングブレードにより切れ込みを入れて溝を形成するハーフカットダイシングを行った。
　次いで、テープラミネーター（リンテック社製「ＲＡＤ－３５１０」）を用いて、常温下で、上記の溝を形成したシリコンウエハのミラー面に、バックグラインドテープ（リンテック社製「ＡＤＷＩＬＬ　Ｅ－３１２５ＫＮ」）をその粘着層により貼付した。
　次いで、グラインダー（ディスコ社製「ＤＦＧ８７６０」）を用いて、シリコンウエハの上記の溝を形成したミラー面とは反対側の面を研削した。このとき、シリコンウエハの厚さが５０μｍとなるように研削を行い、同時にシリコンウエハを分割して、シリコンチップに個片化した。得られたシリコンチップは、互いに約３０μｍの間隔を空けて、バックグラインドテープ上で固定されていた。
　次いで、得られたシリコンチップの前記研削面に、テープマウンター（リンテック社製「ＡＤＷＩＬＬ　ＲＡＤ２５００」）を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを、その６０℃に加熱したフィルム状接着剤により貼付し、積層物を得た。
　次いで、得られた積層物を、その粘着剤層の露出面によりダイシング用リングフレームに貼付して固定し、シリコンチップからバックグラインドテープを剥離することにより、半導体加工用シートの未切断のフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップが整列して設けられてなる積層構造体の試験片を得た。
　エキスパンダー（ジェイシーエム社製「ＭＥ－３００Ｂ」）のエキスパンドユニットに、上記で得られた試験片を設置し、０℃の環境下で、エキスパンド量（すなわち、拡張量）１０ｍｍ、エキスパンド速度（すなわち、拡張速度）１ｍｍ／ｓｅｃの条件で、半導体加工用シートをエキスパンドし、フィルム状接着剤をシリコンチップの外形に沿って切断することを試みた。
　次いで、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨ－Ｚ１００」）を用いて、フィルム状接着剤を観察し、フィルム状接着剤の切断特性（１）を、下記基準に従って評価した。結果を表１又は表２に示す。
　Ａ：目的とするすべての箇所でフィルム状接着剤を切断できた。
　Ｂ：目的とする箇所の一部でフィルム状接着剤を切断できなかった。
　Ｃ：目的とするすべての箇所でフィルム状接着剤を切断できなかった。
（フィルム状接着剤の切断特性（２））
　裏面研削用テープラミネーター（リンテック社製「ＲＡＤ－３５１０Ｆ／１２」）を用い、１２インチのシリコンウエハの一方の面に、裏面研削用テープ（リンテック社製「Ｅ－３１２５ＫＬ」）をラミネートした。
　次いで、シリコンウエハの裏面研削用テープがラミネートされていない露出面側から、シリコンウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、シリコンウエハの内部に改質層を形成する、ステルスダイシングを行った。このステルスダイシングは、装置としてディスコ社製「ＤＦＬ７３６１」を用い、８ｍｍ×１０ｍｍの大きさのシリコンチップが得られるように調節して行った。
　次いで、グラインダー（ディスコ社製「ＤＧＰ８７６１」）を用いて、シリコンウエハの前記露出面を研削した。このとき、シリコンウエハの厚さが４０μｍとなるように研削を行い、同時にシリコンウエハを分割して、シリコンチップに個片化した。得られたシリコンチップは、裏面研削用テープ上で固定されていた。
　次いで、得られたシリコンチップの前記研削面に、テープマウンター（ディスコ製「ＤＦＭ２８００」）を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを、その６０℃に加熱したフィルム状接着剤により貼付し、積層物を得た。
　次いで、得られた積層物を、その粘着剤層の露出面によりダイシング用リングフレームに貼付して固定し、シリコンチップから裏面研削用テープを剥離することにより、半導体加工用シートの未切断のフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップが整列して設けられてなる積層構造体の試験片を得た。
　エキスパンダー（ディスコ社製「ＤＤＳ２３００」）に、上記で得られた試験片を設置し、０℃の環境下で、テーブル突上げ高さ１５ｍｍ、テーブル突上げ速度１ｍｍ／ｓｅｃの条件で、半導体加工用シートをエキスパンドし、フィルム状接着剤をシリコンチップの外形に沿って切断することを試みた。
　次いで、テーブルを下げてエキスパンドを解除し、上記のエキスパンダーのものとは異なる別のテーブルに、エキスパンド後の前記試験片を設置した。そして、この試験片をテーブルに吸着させることなく、テーブル突上げ高さ８ｍｍ、テーブル突上げ速度１ｍｍ／ｓｅｃの条件で突き上げ、テーブルが上昇しきった段階で試験片をテーブルに吸着させ、半導体加工用シートをエキスパンドし、隣り合うシリコンチップ間の間隔（すなわち、カーフ幅）を広げることを試みた。さらに、試験片をテーブルに吸着させたままテーブルを下げ、カーフ幅を変えずに維持するようにし、試験片のシリコンチップが設けられていない外周部のたるみを、２５０℃での加熱による収縮で解消した。以上により、カーフ幅を広げた試験片の取得を試みた。
　次いで、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨ－Ｚ１００」）を用いて、フィルム状接着剤を観察し、フィルム状接着剤の切断特性（２）を、上述のフィルム状接着剤の切断特性（１）の場合と同じ基準に従って評価した。結果を表１又は表２に示す。
（フィルム状接着剤の信頼性）
・シリコンチップの製造
　ドライポリッシュ仕上げの１２インチシリコンウエハ（厚さ７５μｍ）に、テープマウンター（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　ＲＡＤ２７００」）を用いて、上記で得られた半導体加工用シートを６０℃に加熱して貼付し、リングフレームをマウントした。
　次いで、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いて、前記シリコンウエハを８ｍｍ×８ｍｍの大きさのシリコンチップに個片化した。このときのダイシングは、ブレード速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、ブレード回転数４００００ｒｐｍ、切削水量１Ｌ／ｍｉｎの条件で行った。また、ダイシングの際の基材への切り込み量は、２０μｍとなるようにした。
・半導体パッケージの製造
　基板として、銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製「ＯＣＬ－ＨＬ８３０」）の銅箔（厚さ１８μｍ）に回路パターンが形成され、回路パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製「ＰＳＲ－４０００　ＡＵＳ３０８」）を有している基板（ちの技研社製「ＬＮ００１Ｅ－００１　ＰＣＢ（Ａｕ）ＡＵＳ３０８」）を用いた。上記で得られた半導体加工用シート上のシリコンチップを、フィルム状接着剤とともに基材から剥離させ、これを１２０℃、２５０ｇｆ、０．５秒の条件で前記基板上に圧着させて、フィルム状接着剤によりシリコンチップを基板上に固定し、積層物を得た。
　次いで、得られた積層物を、１７５℃に昇温したオーブン内に４時間又は２時間置いて、ワイヤボンディングを想定した熱履歴を前記積層物に付与した。
　次いで、モールド樹脂（京セラケミカル社製「ＫＥ－Ｇ１２５０」）を用い、封止装置（アピックヤマダ社製「Ｇ－ＣＵＢＥ　ＭＺ５４９－１」）を用いて、封止厚が４００μｍとなるように、封止温度１７５℃、封止圧力７ＭＰａ、封止時間２分の条件で、熱履歴を付与後の前記積層物を封止した。さらに、１７５℃で５時間、前記モールド樹脂を硬化させた。
　次いで、封止された基板をダイシングテープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　Ｄ－５１０Ｔ」）に貼り合わせ、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いて、封止された基板を１５ｍｍ×１５ｍｍの大きさに個片化した。このときのダイシングは、ブレード速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、ブレード回転数４００００ｒｐｍ、切削水量１Ｌ／ｍｉｎの条件で行った。
　以上により、半導体パッケージを得た。
・半導体パッケージの表面実装、及びパッケージ信頼性（すなわち、フィルム状接着剤の信頼性）の評価
　上記で得られた半導体パッケージを、温度８５℃、相対湿度６０％の条件下で１６８時間放置して吸湿させた後、リフロー炉（相模理工社製「ＷＬ－１５－２０ＤＮＸ型」）を用いて、最高温度２６０℃、加熱時間１分の条件で、この吸湿後の半導体パッケージに対してＩＲリフローを３回行った。
　次いで、走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック社製「Ｈｙｅ－Ｆｏｃｕｓ」）を用いて、半導体パッケージにおけるクラックの発生の有無を確認し、下記基準に従って、パッケージ信頼性（すなわち、フィルム状接着剤の信頼性）を評価した。結果を表１又は表２に示す。
　Ａ：１７５℃、４時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、ＩＲリフロー後の半導体パッケージにクラックが全く発生していなかった。
　Ｂ：１７５℃、２時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、ＩＲリフロー後の半導体パッケージにクラックが全く発生していなかったが、１７５℃、４時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合に、ＩＲリフロー後の半導体パッケージにクラックが発生していた。
　Ｃ：１７５℃、２時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合、及び、１７５℃、４時間の条件で熱履歴を付与した前記積層物を用いた場合のいずれにおいても、ＩＲリフロー後の半導体パッケージにクラックが発生していた。
（フィルム状接着剤の造膜性）
　上述のフィルム状接着剤の製造時に、同時にフィルム状接着剤の造膜性を評価した。
　すなわち、得られたフィルム状接着剤の表面のうち、前記接着剤組成物を前記剥離フィルムへ塗工したときに、接着剤組成物の剥離フィルムへ接触していた部位から形成された表面について、外観を目視観察して、フィルム状接着剤の造膜性を下記基準に従って評価した。結果を表１又は表２に示す。
　Ａ：表面に異常が認められず、表面状態が良好であった。
　Ｂ：表面にスジ又はハジキが発生していたが、表面状態の乱れは軽度であった。
　Ｃ：表面に凝集物が発生しており、表面状態が一様でなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　上記結果から明らかなように、実施例１～７では、前記積層体の０℃における破断伸度が５２％以下であり、フィルム状接着剤の接着力が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であった。
実施例１～７のフィルム状接着剤は、切断特性（１）の評価時において、エキスパンドによって目的の箇所で切断されるとともに、その切断箇所においてフィルム状接着剤の欠け等の異常も認められず、優れた切断特性を示した。また、実施例１、３及び６のフィルム状接着剤は、切断特性（２）の評価においても、優れた切断特性を示した（実施例２、４及び５のフィルム状接着剤は、切断特性（２）については未評価である）。
　さらに、実施例１～６のフィルム状接着剤は、すべて信頼性及び造膜性が良好で、フィルム状接着剤としての基本特性に問題点はなかった。
　これに対して、比較例１及び２では、前記積層体の０℃における破断伸度が６１％以上であり、切断特性（１）の評価時において、フィルム状接着剤を目的とする形状に切断できず、フィルム状接着剤は切断特性に劣っていた。
　また、比較例３、４及び７では、フィルム状接着剤の接着力が２６０ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、切断特性（１）の評価時において、フィルム状接着剤を目的とする箇所の一部で切断できず、また、目的とする箇所で切断されていても、その切断箇所においてフィルム状接着剤の欠け等の異常も認められ、フィルム状接着剤は切断特性に劣っていた。また、比較例３、４及び７のフィルム状接着剤は、切断特性（２）の評価時においても、切断特性に劣っていた（比較例１、２、５及び６のフィルム状接着剤は、切断特性（２）については未評価である）。
　また、比較例５及び６では、前記積層体の０℃における破断伸度、及びフィルム状接着剤の接着力を、いずれも測定できず、切断特性（１）及び切断特性（２）をともに評価できなかった。
　さらに、比較例３及び４のフィルム状接着剤は、信頼性に劣っており、比較例５及び６のフィルム状接着剤は、造膜性に劣っており、これらはフィルム状接着剤としての基本特性に問題点があった。
　なお、ここでは、一部のフィルム状接着剤で切断特性（２）を未評価であるが、これらフィルム状接着剤の切断特性（２）は、切断特性（１）と同様の評価結果になると考えられる。これは、評価に用いる半導体チップに異常がなければ、半導体チップの製造方法（すなわち、半導体ウエハの分割方法）は、上記の評価工程に影響を与えないためである。切断特性（１）及び切断特性（２）をともに評価している実施例１、３及び６、並びに比較例３、４及び７の評価結果は、このことを裏付けていると考えられる。
　本発明は、半導体装置の製造に好適に利用可能であるので、産業上極めて重要である。
　１・・・半導体加工用シート、１０・・・支持シート、１１・・・基材、１２・・・粘着剤層、１２ａ・・・粘着剤層の表面、１３・・・フィルム状接着剤、１３’・・・切断後のフィルム状接着剤、１０１・・・積層構造体、８・・・半導体チップ、８’・・・半導体ウエハ、８１’・・・半導体ウエハの改質層、８ｂ’・・・半導体ウエハの裏面

Claims (5)

  1. 　硬化性のフィルム状接着剤であって、
    　厚さが６０μｍである硬化前の単層の前記フィルム状接着剤、又は硬化前の２層以上の前記フィルム状接着剤を、合計の厚さが６０μｍとなるように積層した積層体の、０℃における破断伸度が６０％以下であり、
    　硬化前の前記フィルム状接着剤の半導体ウエハに対する接着力が、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、フィルム状接着剤。
  2. 　支持シート上に、請求項１に記載のフィルム状接着剤が設けられた、半導体加工用シート。
  3. 　前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、
    　前記粘着剤層に前記フィルム状接着剤が直接接触して設けられた、請求項２に記載の半導体加工用シート。
  4. 　請求項１に記載のフィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、
    　支持シート上に前記フィルム状接着剤が設けられ、前記フィルム状接着剤の前記支持シートが設けられている側とは反対側の表面に、分割済みの複数個の半導体チップが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、
    　前記積層構造体のフィルム状接着剤を冷却しながら、前記フィルム状接着剤の表面に沿った方向にエキスパンドして、フィルム状接着剤を切断する切断工程と、
    　切断後の前記フィルム状接着剤を備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程と、
    　を有する、半導体装置の製造方法。
  5. 　前記積層構造体形成工程の前に、さらに、
    　半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、赤外域のレーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
    　前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム状接着剤を設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、
    　を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いる、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
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