JP2002226796A - ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 - Google Patents

ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置

Info

Publication number
JP2002226796A
JP2002226796A JP2001020301A JP2001020301A JP2002226796A JP 2002226796 A JP2002226796 A JP 2002226796A JP 2001020301 A JP2001020301 A JP 2001020301A JP 2001020301 A JP2001020301 A JP 2001020301A JP 2002226796 A JP2002226796 A JP 2002226796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001020301A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhide Aichi
且英 愛知
Yuji Hasegawa
雄二 長谷川
Minoru Sugiura
実 杉浦
Teiichi Inada
禎一 稲田
Hiroyuki Kawakami
広幸 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2001020301A priority Critical patent/JP2002226796A/ja
Publication of JP2002226796A publication Critical patent/JP2002226796A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイレクトダイボンディングを可能にし、か
つ半導体パッケージに高い信頼性を付与するウェハ貼着
用粘着シート及び低コストで作製でき、さらに耐温度サ
イクル性及び耐ＰＣＴ性に優れた半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 基材面上に、粘着剤及び放射線重合性オ
リゴマーを含有してなる放射線硬化型粘着剤層と、ダイ
接着用接着剤層とがこの順に形成されてなるウェハ貼着
用粘着シートであって、上記放射線硬化型粘着剤層の放
射線硬化後における弾性率が０．１〜１０MPaであり、
かつ上記ダイ接着用接着層の弾性率が、２５℃で１０〜
２０００MPa、２６０℃で３〜５０MPaであるウェハ貼着
用粘着シート及びこのウェハ貼り付け用粘着シートのダ
イ接着用接着剤層を介して、半導体素子と支持部材とを
接着した構造を有してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハ貼着用粘着シ
ート及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン、ガリウムヒ素等の半導体ウェ
ハは、大径の状態で製造され、このウェハは素子小片
（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次
の工程であるマウント工程に移されている。この際、半
導体ウェハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシ
ング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ
の各工程が加えられた後、次工程のダイボンディング工
程に移送される。
【０００３】このような半導体ウェハのダイシング工程
からピックアップ工程に至る工程で用いられる粘着シー
トとしては、ダイシング工程から乾燥工程まではウェハ
チップに対して充分な接着力を有しており、ピックアッ
プ時にはウェハチップに粘着剤が付着せず、チップを傷
付けないために弱い力でピックアップできる程度の接着
力を有しているものが望まれている。
【０００４】また、半導体素子と半導体用の支持基板と
の接合には、従来、ペースト状接着剤が主に使用されて
いるが、近年の半導体素子の小型化・高密度化に伴い、
使用される支持基板にも小型化・細密化が要求されるよ
うになってきている。しかしながらペースト状接着剤で
は、半導体チップの端からはみ出したり、半導体チップ
が傾いて接着されたりする等して、ワイヤボンド時等に
不具合をきたし、さらに接着剤層の膜厚の制御が困難、
接着剤層からボイドが発生する等の問題があった。
【０００５】このような問題点を解決するため、近年、
フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。フ
ィルム状接着剤は、主に個片貼付方式又はウェハ裏面貼
付方式にて使用されている。
【０００６】個片貼付方式はリール状の接着フィルムを
カッティング又はパンチングによって個片に切り出した
後、支持基板に接着する方法である。接着フィルム付き
の支持基板にダイシング工程によって個片化された半導
体素子を接合して半導体素子付きの支持基板が作製さ
れ、その後、ワイヤボンド工程、封止工程等を経て半導
体装置が完成される。しかし、個片貼付方式は接着フィ
ルムを切り出して支持基板に接着する、専用の組立装置
の導入が必要であり、組立コストが銀ペーストを使用す
るのに比べて高くなる問題があった。
【０００７】一方、ウェハ裏面貼付方式は半導体ウェハ
に接着フィルムをラミネートし、得られた接着フィルム
付き半導体ウェハにダイシングテープを貼り合せた後、
ダイシング工程によって個片化する。個片化された接着
剤付きの半導体素子を支持基板に接合し、その後の工程
を経て半導体装置が完成する。ウェハ裏面貼付方式は接
着剤付きの半導体素子を支持基板に接合するため、接着
フィルムを個片化する装置が不用であり、従来のペース
ト状接着剤用の組立装置をそのまま使用、又は熱盤の付
加等の一部改良することにより使用できるため組立コス
トが比較的安く抑えられるフィルム状接着剤を用いた組
立方法として注目されている。
【０００８】ウェハ裏面貼付方式の半導体素子の個片化
は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼り合わ
せた後、ダイシング工程にて行われる。その際用いられ
るダイシングテープには、大別して感圧型とＵＶ型があ
る。感圧型は塩化ビニルやポリオレフィン系のベースフ
ィルムに粘着剤が塗布されたものである。
【０００９】しかし、ウェハ裏面貼付方式の組立工程
は、個片貼付方式よりは簡略な工程で接着できるもの
の、ダイシング工程までのフィルム貼付工程を半導体素
子用接着剤とダイシングテープの貼付との２回行う必要
があり、さらに効率のよい貼り付け方法が望まれてい
る。
【００１０】このような問題点を解決するために、ウェ
ハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたウェハ
貼着用粘着シートが種々提案されている（たとえば、特
開平2-32181号公報、特開平3-268345号公報、特公平3-3
4853号公報等参照）。
【００１１】特開平2-32181号公報には、（メタ）アク
リル酸エステル共重合体、エポキシ樹脂、光重合性低分
子化合物、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤及び光重
合開始剤よりなる組成物から形成される粘接着層と、基
材とからなる粘接着テープが開示されている。この粘接
着層は、ウェハダイシング時には、ウェハを固定する機
能を有し、ダイシング終了後、エネルギー線を照射する
と硬化し、基材との間の接着力が低下する。従って、チ
ップのピックアップを行うと、粘接着層はチップととも
に剥離する。粘接着層を伴ったＩＣチップをリードフレ
ームに載置し、加熱すると、粘接着層が接着力を発現
し、ＩＣチップとリードフレームとの接着が完了する。
【００１２】特公平3-34853号公報には、剥離層が実質
的に存在しない表面を有する重合体支持フィルムと、導
電性接着剤とからなるダイシング用フィルムが教示され
ている。この導電性接着剤は、上記の粘接着層と略同等
の機能を有する。
【００１３】また特開平3-268345号公報には、支持基材
上に設けられた加熱発泡粘着層の上に、ダイ接着用の接
着剤層が設けられており、加熱により該接着剤層と加熱
発泡粘着層とが剥離可能となる、半導体ウェハの分断時
の支持機能を兼ね備えたダイ接着用シートが教示されて
いる。
【００１４】上記公報類に開示されているウェハ貼着用
粘着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを
可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるよ
うになる。
【００１５】放射線硬化型粘着剤としては従来、光照射
によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性炭素−
炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量放射
線硬化性化合物からなる粘着剤が提案されている。粘着
剤の硬化は、その粘着剤中に含まれる放射線硬化性化合
物を放射線照射によって硬化させ粘着剤に三次元網状化
構造を与えて、その流動性を著しく低下させる原理に基
づく。
【００１６】しかしながら、上記の、基材面上に放射線
硬化型粘着剤層とダイ接着用接着剤層とがこの順に形成
されてなるウェハ貼着用粘着シートについて、特にこれ
を用いたエキスパンディング工程及びピックアップ工程
において次のような問題点があった。
【００１７】エキスパンディング工程とは、ダイシング
された素子小片（チップ）の間隔を広げ、チップのピッ
クアップを容易にする工程である。上記のウェハ貼着用
粘着シートを用いると、粘着剤層の硬化が相当進行し、
粘着剤層がかなり硬くなる（１０〜１００MPa）。この
ためシートの伸び率（拡張率）が小さくなり、所望のチ
ップ間隔を得るのが困難であった。すなわち、隣接する
チップとチップとの間隔が充分に得られず、ピックアッ
プ工程における認識不良の原因となり、誤動作を起こす
ことがあった。また上記のような問題点があるため、用
いることのできる基材が限定される場合もあった。
【００１８】さらに最近では、リードフレームと封止樹
脂を用いたＱＦＰ（クワッド・フラットパック・パッケ
ージ）、ＳＯＰ（スモール・アウトライン・パッケー
ジ）等と呼ばれる従来のＩＣパッケージに代わって、ソ
ルダーレジストを施したプリント配線板と封止樹脂を用
いたＩＣパッケージが登場した。これらの新規パッケー
ジは、プリント配線板の片側にボール状のはんだ等の金
属をエリア状に配し、もう片側にＩＣチップをワイヤー
ボンディングもしくはバンプ等で直接接続し、封止樹脂
で封止した構造をしており、例えば、ＢＧＡ（ボール・
グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッ
ケージ）等の呼び名で呼ばれている。これらのパッケー
ジは、同一サイズのＱＦＰ等のパッケージよりも多ピン
でさらに小型化が容易である。また実装においても、ボ
ール状はんだのセルフアライメント効果により低い不良
率を実現し、急速にその導入が進められている。
【００１９】これらのパッケージに用いられる絶縁性の
接着剤としては、例えば、動的粘弾性装置で測定される
２５℃での弾性率が３０００MPa以上の液状のエポキシ
ダイボンド材等が挙げられるが、これら液状ダイボンド
材は、パッケージを基板に実装した後のはんだボール接
続部（２次側）の接続信頼性が悪く、耐温度サイクル信
頼性に劣っているという問題があった。
【００２０】これらの欠点を補うために開発されたフィ
ルム状接着剤は、フレキシブルプリント配線板等で用い
られており、アクリロニトリルブタジエンゴムを主成分
とする系が多く用いられている。プリント配線板関連材
料としての検討では、吸湿後のはんだ耐熱性を向上させ
たものとしては、特開昭60-243180号公報に示されるア
クリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート及び
無機フィラーを含む接着剤があり、また特開昭61-13868
0号公報に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、分
子中にウレタン結合を有し両末端が第１級アミンである
化合物及び無機フィラーを含む接着剤があるが、温度サ
イクルテストやＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）
等の厳しい条件下での耐湿性試験（耐ＰＣＴテスト）を
行った場合には、フィルム状接着剤層の劣化が大きく、
特性としては不充分なものであった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、放射線照射
により極端に硬化した粘着剤層に起因するエキスパンデ
ィング工程及びピックアップ工程における上記問題点を
解決するのと同時に、高い耐温度サイクル性及び耐ＰＣ
Ｔ性を実現する事を目的としている。また本発明は、上
記問題点を解決することにより、基材の材料マージンを
広げることを目的としている。
【００２２】すなわち、請求項１記載の発明は、ダイレ
クトダイボンディングを可能にし、かつ半導体パッケー
ジに高い信頼性を付与するウェハ貼着用粘着シートを提
供するものである。請求項２記載の発明は、請求項１の
発明の効果を奏し、さらにエキスパンディング性及びピ
ックアップ性に優れたウェハ貼着用粘着シートを提供す
るものである。
【００２３】請求項３記載の発明は、請求項１の発明の
効果を奏し、さらにそのダイ接着用接着剤層が接着性に
優れたウェハ貼着用粘着シートを提供するものである。
請求項４記載の発明は、請求項１の発明の効果を奏し、
さらにそのダイ接着用接着剤層が応力緩和性に優れたウ
ェハ貼着用粘着シートを提供するものである。請求項５
記載の発明は、請求項１の発明の効果を奏し、さらにそ
のダイ接着用接着剤層が耐はんだリフロー性に優れたウ
ェハ貼着用粘着シートを提供するものである。
【００２４】請求項６、７及び８記載の発明は、請求項
１の発明の効果を奏し、さらにそのダイ接着用接着剤層
が耐電食性及び耐ＰＣＴ性に優れたウェハ貼着用粘着シ
ートを提供するものである。請求項９記載の発明は、低
コストで作製でき、さらに耐温度サイクル性及び耐ＰＣ
Ｔ性に優れた半導体装置を提供するものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材面上に、
粘着剤及び放射線重合性オリゴマーを含有してなる放射
線硬化型粘着剤層と、ダイ接着用接着剤層とがこの順に
形成されてなるウェハ貼着用粘着シートであって、上記
放射線硬化型粘着剤層の放射線硬化後における弾性率が
０．１〜１０MPaであり、かつ上記ダイ接着用接着層の
弾性率が、２５℃で１０〜２０００MPa、２６０℃で３
〜５０MPaであるウェハ貼着用粘着シートに関する。ま
た本発明は、放射線重合性オリゴマーの分散粒径が１〜
３０μｍである上記ウェハ貼着用粘着シートに関する。
【００２６】また本発明は、ダイ接着用接着層が、エポ
キシ樹脂、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ
樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤を含有してなる
上記ウェハ貼着用粘着シートに関する。また本発明は、
ダイ接着用接着層が、コア材の両面に接着剤層が形成さ
れた三層構造を有してなる上記ウェハ貼着用粘着シート
に関する。また本発明は、ダイ接着用接着層中の残存溶
媒量が５重量％以下である上記ウェハ貼着用粘着シート
に関する。
【００２７】また本発明は、ダイ接着用接着層が、
（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、
（２）原料としてグリシジル（メタ）アクリレートを２
〜６重量％含有し、Ｔｇ（ガラス転移温度）が−１０℃
以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ
基含有アクリル系共重合体１００〜３００重量部、
（３）硬化促進剤０．１〜５重量部を含有してなる上記
ウェハ貼付用粘着シートに関する。
【００２８】また本発明は、ダイ接着用接着剤層が、
（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部、
（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量
が３万以上の樹脂１０〜４０重量部、（３）原料として
グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含み、
Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上
であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜３０
０重量部、（４）硬化促進剤０．１〜５重量部を含有し
てなる上記ウェハ貼付用粘着シートに関する。
【００２９】また本発明は、ダイ接着用接着剤層が、
（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００重量部、
（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量部、（３）原料と
してグリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含
み、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万
以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜
３００重量部、（４）硬化促進剤０．１〜５重量部を含
有してなる上記ウェハ貼付用粘着シートに関する。
【００３０】また本発明は、上記ウェハ貼り付け用粘着
シートのダイ接着用接着剤層を介して、半導体素子と支
持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置に関す
る。
【発明の実施の形態】
【００３１】図１は本発明のウェハ貼り付け用粘着シー
トの断面図である。本発明のウェハ貼り付け用粘着シー
ト１は、基材２と、この面上に形成された放射線硬化型
粘着剤層３と、放射線硬化型粘着剤層３上に形成された
ダイ接着用接着剤層４とから構成されている。使用前に
はこのダイ接着用接着剤層４を保護するため、図２に示
すようにダイ接着用接着剤層４の上面に剥離性シート５
を仮粘着しておくこともできる。
【００３２】以下、本発明で用いられる基材２、放射線
硬化型粘着剤層３及びダイ接着用接着剤層４について順
次説明する。
【００３３】基材２としては、長さ方向及び幅方向に延
伸性を有する合成樹脂フィルムを基材として用いること
が好ましい。このような基材２としては、例えば、ポリ
エチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテ
ンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフ
ィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリウレタンフィル
ム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン酢酸ビニル
フィルム、アイオノマー及びエチレン（メタ）アクリル
酸共重合体フィルム等の樹脂フィルム、これら樹脂フィ
ルムを加硫化等の方法によって架橋した架橋フィルム、
これら樹脂フィルムの積層フィルムなどが挙げられる。
基材２の膜厚としては、特に制限はないが、通常１０〜
３００μｍ程度であり、３０〜２００μｍ程度が好まし
い。
【００３４】本発明の粘着シートは、後述するように、
その使用の際に電子線（ＥＢ）や紫外線（ＵＶ）などの
放射線照射が行なわれる。ＥＢ照射の場合には、上記基
材２は透明である必要はないが、ＵＶ照射をして用いる
場合には、透明又は光透過性がよいものである必要があ
る。
【００３５】また、ダイシング工程の作業性を向上させ
る目的で、基材中に砥粒が分散されていてもよい。砥粒
を基材中に含ませることによって、切断ブレードが基材
中に切り込んできて、切断ブレードに粘着剤が付着した
としても、砥粒の研磨効果により目づまりを容易に除く
ことができる。
【００３６】上記砥粒は、粒径が０．５〜１００μｍの
ものが好ましく、１〜５０μｍのものがより好ましい。
また砥粒のモース硬度は６〜１０が好ましく、７〜１０
がより好ましい。このような砥流としては、例えば、グ
リーンカーボランダム、人造コランダム、オプティカル
エメリー、ホワイトアランダム、炭化ホウ素、酸化クロ
ム（III）、酸化セリウム、ダイヤモンドパウダー等が
挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせ
て使用することができる。
【００３７】上記砥粒は無色又は白色であることが好ま
しい。また基材中の砥粒の含有量は、０．５〜７０重量
％が好ましく、５〜５０重量％がより好ましい。０．５
重量％以下では上記の効果が得られない傾向があり、７
０重量％以上ではフィルムの延伸性が失われる傾向があ
る。このような砥粒は、切断ブレードをウェハのみなら
ず基材２にまでも切り込むような深さで用いる場合に使
用することが好ましい。
【００３８】放射線硬化型粘着剤層３は、粘着剤と放射
線重合性オリゴマーを含有してなる層である。この層の
膜厚は、所望する半導体装置の形状に応じて自由に選択
できるが、通常、３〜５０μｍ程度であり、５〜３０μ
ｍ程度がより好ましい。
【００３９】また、本発明のウェハ貼り付け用粘着シー
トにおいて、放射線硬化型粘着剤層３の放射線硬化後に
おける弾性率は、０．１〜１０MPaであるが、０．３〜
８MPaであることが好ましく、０．５〜５MPaであること
がより好ましい。放射線照射後の弾性率が０．１MPa未
満であると粘着力が高すぎてピックアップ性が低くな
り、１０MPaを超えるとエキスパンド性が低下する。従
って、上記の範囲であると、放射線硬化型粘着剤層３の
粘着力はチップ体のピックアップを行える程度に粘着力
が低下し、また充分なエキスパンディングを行える程度
の弾性率が維持される。この結果、所望のチップ間距離
が容易に得ることができるようになる。
【００４０】上記弾性率を測定する方法としては、例え
ば、放射線硬化型粘着層３を８０W/cmの高圧水銀灯下に
置き、１秒間放射線を照射した後、これを円柱状に貼り
合わせ、底面φ８mm、高さ５mmとした測定用サンプル作
製し、これをレオメトリックス社製ＲＤＳ−IIを用い
て、２３℃、５００rad/秒で剪断法により測定する方法
等が挙げられる。
【００４１】放射線硬化型粘着剤層３を構成する粘着剤
としては、アクリル系粘着剤が好ましい。より具体的に
は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル又はその誘導
体を主たる構成単量体単位とする（メタ）アクリル酸エ
ステル共重合体、又はこれら共重合体の混合物等が挙げ
られる。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸
エステルのように記載した場合、メタクリル酸エステル
及びアクリル酸エステルの両方を示す。
【００４２】上記（メタ）アクリル酸エステル共重合体
としては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１５であ
る（メタ）アクリル酸アルキルエステルから選択される
少なくとも１種以上の（メタ）アクリル酸アルキルエス
テルモノマー（ａ）と、（メタ）アクリル酸グリシジ
ル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル、（メ
タ）アクリル酸ジエチルアミノエチル、（メタ）アクリ
ル酸２−ヒドロキシエチル、酢酸ビニル、スチレン及び
塩化ビニルからなる群より選択される少なくとも１種の
酸基を有しない極性モノマー（ｂ）と、アクリル酸、メ
タクリル酸及びマレイン酸からなる群より選択される少
なくとも１種の酸基を有するコモノマー（ｃ）との共重
合体等が挙げられる。
【００４３】（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノ
マー（ａ）と、酸基を有しない極性モノマー（ｂ）と、
酸基を有するコモノマー（ｃ）との共重合比としては、
重量比で、ａ／ｂ／ｃ＝３５〜９９／１〜６０／０〜５
の範囲で配合することが好ましい。また、酸基を有する
コモノマー（ｃ）は使用しなくてもよく、その場合に
は、ａ／ｂ＝７０〜９５／５〜３０の範囲で配合するこ
とが好ましい。
【００４４】コモノマーとして、酸基を有しない極性モ
ノマー（ｂ）が６０重量％を超えて共重合されると、放
射線硬化型粘着剤層３は、完全相溶系となり、放射線硬
化後における弾性率が１０ＭＰａを超えてしまい、充分
なエキスパンド性、ピックアップ性が得られなくなる傾
向がある。一方、酸基を有しない極性モノマー（ｂ）が
１重量％未満で共重合されると、放射線硬化型粘着剤層
３は不均一な分散系となり、良好な粘着物性が得られな
くなる傾向がある。
【００４５】なお、酸基を有するコモノマーとして（メ
タ）アクリル酸を用いる場合には、（メタ）アクリル酸
の共重合量は５重量％以下であることが好ましい。酸基
を有するコモノマーとして（メタ）アクリル酸が５重量
％を超えて共重合されると、放射線硬化型粘着剤層３
は、完全相溶系となり充分なエキスパンド性、ピックア
ップ性が得られなくなる傾向がある。
【００４６】またこれらのモノマーを共重合して得るこ
とができる（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量
平均分子量としては、２．０×１０5〜１０．０×１０5
が好ましく、４．０×１０5〜８．０×１０5がより好ま
しい。
【００４７】放射線硬化型粘着剤層３を構成する放射線
重合性オリゴマーの分子量としては、特に制限はない
が、通常３０００〜３００００程度であり、５０００〜
１００００程度が好ましい。
【００４８】上記放射線重合性オリゴマーは、放射線硬
化型粘着剤層３中に均一に分散していることが好まし
い。その分散粒径としては、１〜３０μｍが好ましく、
１〜１０μｍがより好ましい。分散粒径とは、放射線硬
化型粘着剤層３を、６００倍の顕微鏡で観察して、顕微
鏡内のスケールで分散しているオリゴマーの粒子径を実
測することで決定される値である。また、均一に分散し
ている状態（均一分散）とは、隣接する粒子間の距離
が、０．１〜１０μｍである状態をいう。
【００４９】このような構造は、「海島構造」と呼ば
れ、放射線を照射すると重合硬化する部分（島部）と、
重合にあずからない部分（海部）とが均一に分散にして
いる状態である。従って、放射線照射を行うと、重合硬
化した部分においては粘着力、弾性率ともに大幅に低下
するが、重合硬化にあずからない部分においては粘着
力、弾性率ともに維持される。この結果、全体として
は、チップ体（ダイ接着用接着剤を伴う）のピックアッ
プを行える程度に粘着力が低下し、また充分なエキスパ
ンディングを行える程度の弾性率が維持される。
【００５０】分散粒径が３０μｍを超えると、放射線硬
化性粘着剤層３は、実質上、相分離し、放射線硬化前の
粘着性も、放射線硬化後のピックアップ性も実現できな
くなる傾向がある。また分散粒径が全て０．１μｍ未満
の場合は、放射線硬化性粘着剤層３は、実質上、完全相
溶系であり、放射線硬化後の弾性率が上昇し、エキスパ
ンディング及びピックアップ性に劣ってしまう傾向があ
る。
【００５１】上記放射線重合性オリゴマーとしては、例
えば、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変
性ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレ
ートオリゴマー等の分子内に炭素−炭素二重結合を少な
くとも１個以上有する化合物などが挙げられ、中でも所
望する目的に応じて種々の化合物を選択できる点でウレ
タンアクリレート系オリゴマーが好ましい。
【００５２】上記ウレタンアクリレート系オリゴマー
は、例えば、ポリエステル型又はポリエーテル等のポリ
オール化合物と、２，４−トリレンジイソシアネート、
２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレ
ンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネ
ート、ジフェニルメタン、４，４−ジイソシアネート等
の多価イソシアネート化合物とを反応させて得ることが
できる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、例
えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルア
クリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、
ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレング
リコールメタクリレート等のヒドロキシル基を有するア
クリレート又はメタクリレートなどとを反応させて得る
ことができる。
【００５３】上記ウレタンアクリレート系オリゴマーの
分子量としては特に制限はないが、３０００〜３０００
０が好ましく、３０００〜１００００がより好ましく、
４０００〜８０００が極めて好ましい。
【００５４】本発明のウェハ貼り付け用粘着シートにお
いて、放射線硬化型粘着剤層３中の粘着剤と放射線重合
性オリゴマーとの配合比は、粘着剤１００重量部に対し
て、放射線重合性オリゴマーが２０〜２００重量部用い
られることが好ましく、５０〜１５０重量部用いられる
ことがより好ましい。
【００５５】上記の配合比とすることで、放射線硬化型
粘着剤層３とダイ接着用接着剤層４との間に大きな初期
接着力が得られ、しかも放射線照射後には接着力は大き
く低下し、容易にウェハチップとダイ接着用接着剤層４
とを該粘着シートからピックアップすることができる。
またある程度の弾性率が維持されるため、エキスパンデ
ィング工程において、所望のチップ間隔を得ることが容
易になり、かつチップ体のズレ等も発生せず、ピックア
ップを安定して行えるようになる。
【００５６】また、必要に応じて、放射線硬化型粘着剤
層３中に反応性希釈剤を添加してもよい。反応性希釈剤
としては、例えば、分子量が１００〜３０００程度、好
ましくは１００〜１５００程度であり、分子内に炭素−
炭素二重結合を少なくとも１個以上有する重合性化合物
等が挙げられる。反応性希釈剤の使用量は、粘着剤成分
１００重量部に対して０．１〜５０重量部が好ましく、
０．１〜３０重量部がより好ましい。
【００５７】上記の、分子内に炭素−炭素二重結合を少
なくとも１個以上有する重合性化合物としては、例え
ば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラ
メチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシ
ペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステ
ルアクリレート等が挙げられる。
【００５８】また、光照射による重合硬化時間ならびに
光線照射量を少なくする目的で、放射線硬化型粘着剤層
３中に、さらに光反応開始剤を混入することができる。
このような光反応開始剤としては、例えば、ベンゾフェ
ノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソ
プロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、
テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソ
ブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロー
ルアンスラキノン等が挙げられる。光反応開始剤の使用
量は、粘着剤１００重量部に対して０．１〜１０重量部
が好ましく、０．５〜５重量部がより好ましい。
【００５９】また、必要に応じて、放射線硬化型粘着剤
層３中に、さらに放射線照射により着色する化合物を含
有させることもできる。これにより、本発明の粘着シー
トは放射線の照射によって着色され、光センサー等によ
るウェハチップの検出精度が高まり、ウェハチップのピ
ックアップ時に誤動作が生ずる可能性を極めて減らすこ
とができる。また粘着シートに放射線が照射されたか否
かが目視により直ちに判断できる効果もある。
【００６０】放射線照射により着色する化合物として
は、放射線の照射前には無色又は淡色であるが、放射線
の照射により有色となる化合物が好ましく、具体的には
ロイコ染料等が挙げられる。ロイコ染料としては、例え
ば、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェ
ノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のロイコ
染料が好ましい。より具体的には、例えば、３−［Ｎ−
（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３
−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−ア
ニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エ
チルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチル
アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリス
タルバイオレットラクトン、４，４′，４″−トリスジ
メチルアミノトリフェニルメタノール、４，４′，４″
−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げら
れる。
【００６１】上記の、放射線照射により着色する化合物
を用いる場合、顕色剤を併用することが好ましい。この
ような顕色剤としては、例えば、従来用いられているフ
ェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン
酸誘導体、活性白土等の電子受容体等が挙げられる。さ
らに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組み
合わせて使用することができる。
【００６２】このような放射線照射によって着色する化
合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤層中
に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着剤層中に含
ませてもよい。その使用量としては、粘着剤層中に０．
０１〜１０重量％含有されることが好ましく、０．５〜
５重量％含有されることがより好ましい。１０重量％を
超えると、粘着シートに照射される放射線がこの化合物
に吸収されすぎて、粘着剤層の硬化が不充分となる傾向
があり、０．０１重量％未満であると、放射線照射時に
粘着シートが充分に着色せず、ウェハチップのピックア
ップ時に誤動作が生じやすくなる傾向がある。
【００６３】また、上記放射線硬化型粘着剤層３の重合
硬化後のエキスパンドを容易にする目的で、さらにエキ
スパンディング剤を添加することもできる。このような
エキスパンディング剤としては、例えば、高級脂肪酸又
はその誘導体、Ｓｉ又はシロキサン構造を有する化合
物、含フッ素化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合
物又はその誘導体、β−ジケト化合物又はその誘導体、
ホスファイト類等が挙げられ、これらは単独で又は二種
類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６４】上記高級脂肪酸としては、例えば、ステア
リン酸、ラウリン酸、リシノール酸、ナフテン酸、２−
エチルヘキソイル酸、オレイン酸、リノール酸、ミリス
チン酸、パルミチン酸、イソステアリン酸、ヒドロキシ
ステアリン酸、ベヘン酸等が挙げられる。またこれらの
誘導体としては、例えば、上記酸のエステル類や金属塩
等が挙げられる。金属塩としては、例えば、Ｌｉ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｋ、
Ｎａ塩又は、上記金属を２種以上含む複合金属塩等が挙
げられる。
【００６５】上記Ｓｉ又はシロキサン構造を有する化合
物としては、例えば、シリコーンオイル等が挙げられ
る。
【００６６】上記エポキシ化合物としては、例えば、エ
ポキシステアリン酸メチル、エポキシステアリン酸ブチ
ル、エポキシ化アマニ油脂肪酸ブチル、エポキシ化テト
ラヒドロナフタレート、ビスフェノールＡジグリシジル
エーテル、エポキシ化ブタジエン等が挙げられる。
【００６７】上記ポリオール化合物又はその誘導体とし
ては、例えば、グリセリン、ジグリセリン、ソルビトー
ル、マンニトール、キシリトール、ペンタエリスリトー
ル、ジペンタエリスリトール、トリメチロールプロパ
ン、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等
が挙げられ、上記化合物の含窒素、含硫黄化合物又は金
属錯体も用いることができる。
【００６８】上記β−ジケト化合物又はこれらの誘導体
としては、例えば、アセト酢酸エステル、デヒドロ酢
酸、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、トリフル
オロアセチルアセトン、ステアロイルベンゾイルメタ
ン、ジベンジルメタン等が挙げられ、これらの金属錯体
であってもよい。
【００６９】上記ホスファイト類としては、例えば、ト
リフェニルホスフィン、ジフェニル亜ホスフィン、酸フ
ェニル、水添ビスフェノールＡホスファイトポリマー及
び下記一般式（１）及び（２）で表される化合物等が挙
げられる。
【００７０】
【化１】 （式中、Ｒはアルキル基を示し、三つのＲは互いに同一
でも異なっていてもよい）
【００７１】
【化２】 （式中、Ｒはアルキル基を示し、三つのＲは互いに同一
でも異なっていてもよい）
【００７２】これらのエキスパンディング剤の使用量
は、粘着剤層３中に１０重量％以下で含有されることが
好ましく、５重量％以下で含有されることがより好まし
い。下限は特に制限はないが、通常０．１重量％であ
る。
【００７３】また、エキスパンド時又はピックアップ時
に発生する静電気を抑制し、チップの信頼性を向上させ
る目的で、放射線硬化型粘着剤層３に、さらに帯電防止
剤を添加することもできる。帯電防止剤としては、例え
ば、アニオン性、カチオン性、非イオン性、両イオン性
の一般に公知の活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケ
ル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウ
ム酸化物等の粉体等が挙げられる。帯電防止剤は、放射
線硬化型粘着剤層３中に０〜５０重量％含有されること
が好ましく、０〜３０重量部含有されることがより好ま
しい。５０重量部を超えるとエキスパンド性が低下する
傾向がある。
【００７４】また、放射線硬化型粘着剤層３の初期の接
着力を任意の値に設定する目的で、イソシアナート系硬
化剤を混合させることができる。イソシアナート系硬化
剤としては、例えば、２，４−トリレンジイソシアネー
ト、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシ
リレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシア
ネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
ト、ジフェニルメタン−２，４′−ジイソシアネート、
３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネー
ト、ジシクロヘキシルメタン−４，４′−ジイソシアネ
ート、ジシクロヘキシルメタン−２，４′−ジイソシア
ネート、リジンイソシアネート等の多価イソシアネート
化合物等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を
組み合わせて使用することができる。イソシアナート系
硬化剤の使用量は、粘着剤１００重量部に対して５０重
量部以下が好ましく、２０重量部以下がより好ましい。
下限は特に制限はないが、通常０．１重量部である。
【００７５】本発明のウェハ貼着用粘着シートのダイ接
着用接着剤層４は、動的粘弾性測定装置で測定される２
５℃での弾性率が１０〜２０００ＭＰａであり、かつ２
６０℃での弾性率が３〜５０MPaであることが特徴であ
る。弾性率がこの範囲であることにより、室温での充分
な固定力と高温時の熱応力の緩和効果が両立し、取り扱
いの容易さに優れ、また耐温度サイクル性、耐ＰＣＴ性
にも優れ、結果として高信頼性の半導体装置を得ること
ができる。
【００７６】上記ダイ接着用接着剤層４の膜厚は、特に
制限はないが、通常３〜１００μｍ程度であり、１０〜
６０μｍ程度が好ましい。また、所望の膜厚を得るため
に、ダイ接着用接着層を、コア材の両面に接着剤層が形
成された三層構造としてもよい。このような三層構造を
形成する方法としては、例えば、コア材の片面に接着剤
組成物を塗布、乾燥し、その後裏面にも同様に接着剤組
成物を塗布、乾燥する方法等が挙げられる。
【００７７】ダイ接着用接着剤層４は、耐はんだリフロ
ー性を向上させる目的で、ダイ接着用接着剤層中に含ま
れる残存溶媒量を５重量％以下とすることが好ましく、
３重量％以下とすることがより好ましく、１重量％以下
とすることが極めて好ましい。残存溶媒量が５重量％を
超えると、この接着剤層を用いて半導体素子と半導体支
持基材とを接着した構造を有する部品をリフロー工程に
曝したとき、残存溶媒が揮発し、リフロークラックが発
生する等といった問題が起きやすくなる傾向がある。
【００７８】上記ダイ接着用接着剤層４に含有される接
着成分としては、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリアミ
ド、ポリエチレン、ポリスルホン等の熱可塑性樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノ
ール樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ゴム系ポリ
マー、フッ素ゴム系ポリマー、フッ素樹脂等の接着剤な
どが挙げられ、使用する条件、目的等に応じて適宜選択
することができる。また、これらは単独で又は二種類以
上を組み合わせて使用することができる。
【００７９】上記のダイ接着用接着層４は、熱時接着
力、信頼性、耐久性等に優れる点で、以下に述べる
（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかの樹脂組成を含有することが
好ましい。なお、Ｔｇはガラス転移温度を示す。
【００８０】（Ａ）エポキシ樹脂、エポキシ基含有アク
リル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬
化促進剤。
【００８１】（Ｂ）（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤
１００重量部、（２）原料としてグリシジル（メタ）ア
クリレートを２〜６重量％含有し、Ｔｇ（ガラス転移温
度）が−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上
であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜３０
０重量部、（３）硬化促進剤０．１〜５重量部。
【００８２】（Ｃ）（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤
１００重量部、（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ
重量平均分子量が３万以上の樹脂１０〜４０重量部、
（３）原料としてグリシジル（メタ）アクリレート２〜
６重量％を含み、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分
子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重
合体１００〜３００重量部、（４）硬化促進剤０．１〜
５重量部。
【００８３】（Ｄ）（１）エポキシ樹脂及びフェノール
樹脂１００重量部、（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重
量部、（３）原料としてグリシジル（メタ）アクリレー
ト２〜６重量％を含み、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量
平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル
系共重合体１００〜３００重量部、（４）硬化促進剤
０．１〜５重量部。
【００８４】上記（Ａ）〜（Ｄ）の樹脂組成におけるエ
ポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を呈するもので
あれば特に制限はなく、通常、二官能以上で、分子量が
５０００以下、好ましくは３０００以下のエポキシ樹脂
が使用される。特に、エポキシ樹脂として分子量が５０
０以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型液
状樹脂を用いると、ダイボンド工程における接着剤層の
流動性を向上することができる点で好ましい。
【００８５】上記分子量が５００以下のビスフェノール
Ａ型又はビスフェノールＦ型液状樹脂としては、例え
ば、油化シェルエポキシ(株)製のエピコート８０７、エ
ピコート８２７、エピコート８２８、ダウケミカル日本
(株)製のD.E.R.３３０、D.E.R.３３１、D.E.R.３６１、
東都化成(株)製のＹＤ１２８、ＹＤＦ１７０等が挙げら
れ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用
することができる。
【００８６】また、ダイ接着用接着剤層４のＴｇを高く
する目的で、エポキシ樹脂として多官能エポキシ樹脂を
用いることもできる。多官能エポキシ樹脂としては、例
えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂は、例えば、日本化薬(株)
製のＥＰＰＮ−２０１等が挙げられ、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂は、例えば、住友化学工業(株)製の
ＥＳＣＮ−００１、ＥＳＣＮ−１９５、日本化薬(株)製
のＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１０２５、ＥＯＣＮ１０
２７等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組
み合わせて使用することができる。
【００８７】また、エポキシ樹脂として、ブロム化エポ
キシ樹脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（例えば住友化学工業(株)製のＥＳＢ−４００）、ブロ
ム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば日本
化薬(株)製のＢＲＥＮ−１０５，ＢＲＥＮ−Ｓ）等も使
用することができる。
【００８８】エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ
樹脂を硬化することができるものであれば特に制限はな
く、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスル
フィッド、三フッ化ホウ素等の化合物、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノー
ル性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物、フェノ
ールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、
クレゾールノボラック樹脂等のノボラック樹脂などが挙
げられる。
【００８９】中でも、吸湿時の耐電食性に優れる点でフ
ェノールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック樹脂が好
ましい。このような硬化剤としては、例えば、大日本イ
ンキ化学工業(株)製のフェノライトＬＦ２８８２、フェ
ノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、
フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ４１５
０、フェノライトＶＨ４１７０等の硬化剤、帝人化成
(株)製ファイヤーガードＦＧ−２０００等のブロモ化フ
ェノール化合物であるテトラブロモビスフェノールＡな
どが挙げられる。
【００９０】上記エポキシ樹脂及びその硬化剤に加え
て、硬化促進剤を併用することが好ましい。硬化促進剤
としては、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特に
制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミ
ド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート等が挙げられ、中でもイミダゾール類が好まし
い。
【００９１】イミダゾール類としては、例えば、２−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリ
テート等が挙げられる。イミダゾール類としては、例え
ば、四国化成工業(株)製の２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、
２ＰＺ−ＣＮＳ等が挙げられる。
【００９２】ダイ接着用接着剤層４の組成（Ｃ）におけ
る、エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が
３万以上の高分子量樹脂としては、例えば、フェノキシ
樹脂、高分子量エポキシ樹脂、極性の大きい官能基含有
ゴム、極性の大きい官能基含有反応性ゴム等が挙げられ
る。重量平均分子量が３万未満であると、Ｂステージに
おける接着剤のタック性の低減や硬化時の可撓性を向上
等の効果が得られない傾向がある。
【００９３】上記フェノキシ樹脂としては、例えば、東
都化成(株)製のフェノトートＹＰ−４０、フェノトート
ＹＰ−５０、フェノトートＹＰ−６０等が挙げられる。
【００９４】また、上記高分子量エポキシ樹脂として
は、例えば、分子量が３万〜８万の高分子量エポキシ樹
脂、さらには、分子量が８万を超える超高分子量エポキ
シ樹脂（特公平7-59617号、特公平7-59618号、特公平7-
59619号、特公平7-59620号、特公平7-64911号、特公平7
-68327号公報参照）等が挙げられる。
【００９５】また、上記極性の大きい官能基含有反応性
ゴムとしては、例えば、アクリルゴムにカルボキシル基
のような極性が大きい官能基を付加したゴム等が挙げら
れ、具体的には、例えば、帝国化学産業(株)製の商品名
ＨＴＲ−８６０Ｐ等が挙げられる。ここで、エポキシ樹
脂と相溶性があるとは、硬化後にエポキシ樹脂と分離し
て二つ以上の相に分かれることなく、均質混和物を形成
できる性質をいう。
【００９６】上記エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量
平均分子量が３万以上の高分子量樹脂の添加量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して１０〜４０重量部が好ま
しい。１０重量部未満であると、エポキシ樹脂を主成分
とする相（以下エポキシ樹脂相という）の可撓性が不足
する、タック性が低減する、クラック等の発生により絶
縁性が低下する等の問題が起こる傾向があり、４０重量
部を超えると、エポキシ樹脂相のＴｇが低下する傾向が
ある。
【００９７】ダイ接着用接着剤層の組成（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）における、原料としてグリシジル（メタ）ア
クリレート２〜６重量％を含み、Ｔｇが−１０℃以上で
かつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有
アクリル系共重合体としては、例えば、商品名ＨＴＲ−
８６０Ｐ−３（帝国化学産業(株)製）等が挙げられる。
【００９８】また、グリシジル（メタ）アクリレートの
量は、２〜６重量％の共重合体比とすることが好まし
い。２重量％未満であると、接着力が低下する傾向があ
り、６重量％を超えると、ゴムのゲル化が起こりやすい
傾向がある。残部はエチル（メタ）アクリレートやブチ
ル（メタ）アクリレート又は両者の混合物を用いること
ができ、その混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して決
定することが好ましい。
【００９９】Ｔｇは−１０℃以上が好ましく、上限は特
に制限はないが、通常３００℃である。Ｔｇが−１０℃
未満であるとＢステージ状態での接着フィルムのタック
性が大きくなり、取り扱い性が悪化する傾向がある。ま
た、上記官能基モノマーを重合する方法としては、例え
ば、パール重合、溶液重合等が挙げられる。
【０１００】上記樹脂組成におけるエポキシ基含有アク
リル系共重合体の重量平均分子量は、８０万以上である
ことが好ましい。重量平均分子量が８０万未満である
と、シート状、フィルム状での強度や可撓性が低下する
傾向があり、さらにタック性が増加しない傾向がある。
【０１０１】上記エポキシ基含有アクリル系共重合体の
使用量は、エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に
対して、１００重量部〜３００重量部が好ましい。１０
０重量部未満であると、フィルムの強度の低下やタック
性が大きくなる傾向があり、３００重量部を超えると、
高温での取り扱い性のが低下する傾向がある。
【０１０２】ダイ接着用接着剤層４には、異種材料間の
界面結合をよくするために、さらにカップリング剤を添
加することができる。このようなカップリング剤として
は、例えば、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤等が挙げられ、中でもシランカップリング剤が好ま
しい。
【０１０３】シランカップリング剤としては、例えば、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１０４】上記シランカップリング剤は、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシランとしてＮＵＣ Ａ−
１８７、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランと
してＮＵＣ Ａ−１８９、γ−アミノプロピルトリエト
キシシランとしてＮＵＣ Ａ−１１００、γ−ウレイド
プロピルトリエトキシシランとしてＮＵＣ Ａ−１１６
０、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランとしてＮＵＣ Ａ−１１２０という商品名
で、いずれも日本ユニカー(株)から市販されており、好
適に使用することができる。カップリング剤の使用量
は、添加による効果や耐熱性及びコストの点から、エポ
キシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に対し０．１〜１
０重量部が好ましい。
【０１０５】さらに、ダイ接着用接着剤層４には、導電
性の付与を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミ
ニウム、ステンレス、カーボン、セラミック、又はニッ
ケル、アルミニウム等を銀で被覆したものなどの導電性
フィラーを添加することもできる。また熱伝導性の付与
を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、
ステンレス、シリコン、ゲルマニウム等の金属材料やそ
れらの合金などの熱伝導性物質をフィラーとして添加す
ることもできる。また接着性を向上させるために有機フ
ィラーを添加することもできる。
【０１０６】また、粘接着層の硬化収縮を抑制し、密着
性、硬度などの特性を向上させる目的で、硫酸バリウ
ム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素紛、微粉状酸化ケイ
素、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シ
リカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシ
ウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ
等の無機フィラーを添加することもできる。
【０１０７】これらのフィラーは、単独で又は二種類を
組み合わせて使用することができ、所望する効果に応じ
て任意に選択することができる。その使用量は、ダイ接
着用接着剤１００重量部に対して、１０〜４００重量部
が好ましい。
【０１０８】以上、説明したような構成のウェハ貼着用
粘着シートに放射線を照射すると、放射線照射後には粘
着力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着シー
トからピックアップすることができる。またある程度の
弾性率が維持されるため、エキスパンディング工程にお
いて、所望のチップ間隔を得ることが容易になり、かつ
チップ体のズレ等も発生せず、ピックアップを安定して
行えるようになる。
【０１０９】以下本発明のウェハ貼り付け用粘着シート
の使用方法について図面を用いて説明する。図１は本発
明の接着シートの断面模式図である。図２に示すよう
に、ウェハ貼り付け用粘着シート１の上面に剥離性シー
ト５が設けられている場合には、剥離性シート５を除去
し、次いで粘着シート１のダイ接着用接着剤層４を上向
きにして載置し、図３に示すようにして、このダイ接着
用接着剤層４の上面にダイシング加工すべき半導体ウェ
ハＡを、室温又は加熱下で貼着する。
【０１１０】次に、半導体ウェハＡを、ダイシングソー
等を用いてダイシングすると、図４に示すように、複数
個のウェハチップＡ1、Ａ2、・・・Ａ4がダイ接着用接
着剤層４上に保持された状態で得ることができ、このま
ま洗浄、乾燥等の諸工程が加えられる。この時点におけ
る放射線硬化型粘着剤層３とダイ接着用接着剤層４との
接着力は、１〜１０００g/２５mm程度が好ましく、１〜
５００g/２５mm程度がより好ましい。他方、ダイ接着用
接着剤４とウェハチップＡ1、Ａ2、・・・Ａ4との接着
力は、５０〜２０００g/２５mm程度が好ましく、１００
〜１０００g/２５mm程度がより好ましい。接着力が上記
の関係であれば、ウェハチップＡ1、Ａ2、・・・Ａ4と
ウェハ貼着用粘着シート１とは一体化しており、上記の
諸工程中に、ウェハチップが脱落することはない。
【０１１１】次に、図５に示すように、紫外線（Ｕ
Ｖ）、電子線（ＥＢ）等の放射線Ｂを粘着シート１の基
材２側から放射線硬化型粘着剤層３に照射し、放射線硬
化型粘着剤層３中に含まれる放射線重合性オリゴマーを
重合硬化せしめる。放射線照射量は、２０〜５００mW/c
m2程度が好ましく、照射時間は０．１〜１５０秒程度が
好ましい。
【０１１２】この結果、放射線硬化型粘着剤層３とダイ
接着用接着剤層４との間の粘着力は、チップをピックア
ップできる程度に減少し、かつ放射線硬化型粘着剤層４
自体がある程度の弾性率が維持するため、図６に示すよ
うに、接着シートをエキスパンドすることより、容易に
所望のチップ間隔を得ることができる。放射線照射後に
おける放射線硬化型粘着剤層３とダイ接着用接着剤層４
との接着力は、１〜５００g/２５mmが好ましく、１〜１
００g/２５mmがより好ましい。他方、ダイ接着用接着剤
４とウェハチップとの接着力は、５０〜４０００g/２５
mmが好ましく、１００〜３０００g/２５mmがより好まし
い。
【０１１３】粘着シート１への放射線照射は、基材２の
放射線硬化型粘着剤層３が設けられていない面から行
う。従って、前述のように、放射線として紫外線を用い
る場合には基材２は光透過性であることが必要である
が、放射線として電子線を用いる場合には基材２は必ず
しも光透過性である必要はない。
【０１１４】エキスパンディング工程の後、図７に示す
ように、基材２の下面から突き上げ針扞６によりピック
アップすべきウェハチップＡ1、Ａ2・・・Ａ4を突き上
げ、このウェハチップＡ1、Ａ2・・・Ａ4を、例えば、
図８に示すように、吸引コレット７によりピックアップ
する。ウェハチップＡ1とダイ接着用接着剤層４との間
の粘着力は、ダイ接着用接着剤層４と放射線硬化型粘着
剤層３との間の粘着力よりも大きいため、ウェハチップ
Ａ1のピックアップを行うと、ダイ接着用接着剤層４は
ウェハチップＡ1の下面に付着した状態で剥離する。
【０１１５】次いでウェハチップを、図９に示すよう
に、ダイ接着用接着剤４を介してリードフレーム８に載
置し、加熱圧着した後、加熱硬化させる。加熱によりダ
イ接着用接着剤は再び接着力を発現し、ウェハチップと
リードフレームとの接着が完了する。上記加熱圧着条件
は、用いるダイ接着用接着剤の特性、厚み等に依存する
が、通常８０〜３００℃、０．０１〜３００秒間であ
る。また、加熱硬化の際の加熱温度は通常１００〜３０
０℃であり、１５０〜２５０℃程度が好ましい。加熱時
間は、通常０．５〜１２０分間であり、１〜３０分間程
度が好ましい。
【０１１６】このようにしてウェハチップＡ1、Ａ2・・
・Ａ4のピックアップを行うと、充分なチップ間隔が得
られているので容易にウェハチップをピックアップする
ことができ、しかも放射線硬化型粘着剤の粘着力は充分
に低下しているので、放射線硬化型粘着剤による汚染の
ない良好な品質のウェハチップが得ることができる。ま
た、ダイ接着用接着剤を塗布する工程が省略されるた
め、プロセス上も極めて有利である。
【０１１７】図１０には上記の放射線照射方法の変形例
を示す。この場合には、突き上げ針扞６の内部を中空と
し、その中空部に放射線発生源９を設けて放射線照射と
ピックアップとを同時に行えるようにしており、このよ
うにすると装置を簡略化できると同時にピックアップ操
作時間を短縮することができる。
【０１１８】以上説明してきたように、本発明に係るウ
ェハ貼着用粘着シートによれば、放射線照射後には、放
射線硬化型粘着剤層の粘着力が大きく低下し、容易にウ
ェハチップとダイ接着用接着剤とを該粘着シートからピ
ックアップすることができる。またある程度の弾性率が
維持されるため、エキスパンディング工程において、所
望のチップ間隔を得ることが容易になり、かつチップ体
のズレ等も発生せず、ピックアップを安定して行えるよ
うになる。しかもチップをリードフレームに接着する際
に、ダイ接着用接着剤をチップ裏面に塗布する工程を省
略できるため、プロセス上も極めて有利である。
【０１１９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０１２０】なお、以下の実施例及び比較例において、
「弾性率」、「分散粒径」、「整列性（エキスパンド
時）」及び「整列性（ピックアップ時）」は次のように
して評価した。
【０１２１】「弾性率」実施例及び比較例によって得る
ことができる放射線硬化型粘着剤を８０W/cmの高圧水銀
灯下に置き、１秒間放射線を照射する。これを円柱状に
貼り合わせ、底面φ８mm、高さ５mmとし、これを粘弾性
測定用サンプルとした。放射線硬化後の試料の弾性率
は、レオメトリックス社製ＲＤＳ−IIを用いて剪断法に
より測定した。測定条件は、２３℃、５００rad/秒であ
る。
【０１２２】「分散粒径」実施例及び比較例によって得
ることができる粘着シートの粘着剤層を８０W/cmの高圧
水銀灯下に置き、１秒間放射線を照射し、硬化後の粘着
剤層表面を６００倍の顕微鏡で観察して、顕微鏡内のス
ケールにて硬化部分の粒径を実測することで分散粒径を
決定した。
【０１２３】「整列性（エキスパンド時）」シリコンウ
ェハに実施例及び比較例によって得ることができる粘着
シートを貼付した後、１０mm×１０mmにダイシングし、
その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０W/
cm、照射距離１０cm）により照射した。次にエキスパン
ディング治具（(株)ヒューグル製 ＨＳ−１０１０）に
て１０mmエキスパンドし、ピックアップ力、チップ間隔
を測定し、同時にチップの配列を目視により判定した。
【０１２４】「整列性（ピックアップ時）」上記の操作
の後、ダイボンダー装置（新川(株)製 ＰＡ−１０）に
よって、１００個のサンプルについてピックアップ試験
を行い、ピックアップできた数で評価した。
【０１２５】実施例１ 《放射線硬化型粘着剤フィルムの作製》アクリル系粘着
剤（アクリル系共重合体、ブチルメタアクリレート：２
−ヒドロキシエチルメタアクリレート：メタアクリル酸
ジメチルアミノエステル＝８０：１０：１０）１００重
量部、重量平均分子量約８０００のウレタンアクリレー
ト系オリゴマー１００重量部、硬化剤（２，６−トリレ
ンジイソシアナート）５重量部、ＵＶ硬化開始剤（ベン
ゾフェノン）４重量部を混合して放射線硬化型粘着剤を
調製した。厚さ８０μｍの基材フィルム（エチレン・メ
タクリル酸共重合体フィルム）上に、上記の放射線硬化
型粘着剤を、粘着剤層の厚さが１０μｍとなるように塗
布、続いて乾燥し、放射線硬化型粘着剤フィルムを作製
した。このフィルムから基材フィルムを剥離し、得られ
た放射線硬化型粘着剤層を弾性率測定サンプルに供し
た。
【０１２６】《ウェハ貼着用粘着シートの作製》さらに
その上にダイ接着用接着剤（実施例２に後述する接着フ
ィルム）を室温でラミネートしてウェハ貼着用粘着シー
トを作製した（。得られたウェハ貼着用粘着シートを用
いて、「分散粒径」、「整列性（エキスパンド時）」及
び「整列性（ピックアップ時）」の評価を行った。結果
を表１に示す。
【０１２７】比較例１ 実施例１において、アクリル系粘着剤として、ブチルア
クリレート・アクリル酸共重合体（ブチルアクリレー
ト：アクリル酸（モル比）＝９０：１０）を用い、分子
量約２０００のウレタンアクリレート系オリゴマーを用
いた以外は、実施例１と同様に放射線硬化型粘着剤フィ
ルム及びウェハ貼着用粘着シートを作製し、各評価を行
った。結果を表１に示す。
【０１２８】
【表１】
【０１２９】実施例２ エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量２００、油化シェルエポキシ株式会社製
のエピコート８２８を使用）４５重量部、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０、住友化
学工業株式会社製のＥＳＣＮ００１を使用）１５重量
部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック
樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のプライオーフ
ェンＬＦ２８８２を使用）４０重量部、エポキシ樹脂と
相溶性がありかつ重量平均分子量が３万以上の高分子量
樹脂としてフェノキシ樹脂（分子量５万、東都化成株式
会社製のフェノトートＹＰ−５０を使用）１５重量部、
エポキシ基含有アクリルゴムとしてエポキシ基含有アク
リルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製の
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）１５０重量部、硬化促進
剤として硬化促進剤１−シアノエチル−２−フェニルイ
ミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量
部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮ
ＵＣ Ａ−１８７を使用）０．７重量部からなる組成物
に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真空脱気
した。得られたワニスを、支持部材上に塗布し、１４０
℃で５分間加熱乾燥して、Ｂステージ状態の塗膜を形成
し、厚み３０μｍの接着フィルムを作製した。
【０１３０】なお接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾
性測定装置（レオロジ製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定
（サンプルサイズ 長さ２０mm、幅４mm、膜厚８０μ
ｍ、昇温速度５℃／分、引張りモード 自動静荷重）し
た結果、２５℃で３６０MPa、２６０℃で４MPaであっ
た。
【０１３１】＜実施例３＞実施例２で用いたフェノキシ
樹脂を、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエ
ンゴム（分子量４０万、日本合成ゴム株式会社製のＰＮ
Ｒ−１を使用）に変更したほか、実施例２と同様にして
接着フィルムを作製した。なお接着剤硬化物の貯蔵弾性
率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃
で３００MPa、２６０℃で３MPaであった。
【０１３２】＜実施例４＞実施例２の接着剤ワニスの接
着剤固形分１００体積部に対してシリカを１０体積部添
加し、ビーズミルで６０分間混練したワニスを用いて実
施例２と同様にして接着フィルムを作製した。なお接着
剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測
定した結果、２５℃で１，５００MPa、２６０℃で１０M
Paであった。
【０１３３】＜比較例２＞実施例４のエポキシ基含有ア
クリルゴムの１５０重量部をフェノキシ樹脂に変更（フ
ェノキシ樹脂１６０重量部）した他、実施例２と同様に
して接着フィルムを作製した。なお貯蔵弾性率は、２５
℃で３，４００MPa、２６０℃で３MPaであった。
【０１３４】＜比較例３＞実施例２のエポキシ基含有ア
クリルゴムをアクリロニトリルブタジエンゴムに変更し
た他は、実施例２と同様にして接着フィルムを作製し
た。また貯蔵弾性率は、２５℃で５００MPa、２６０℃
で２MPaであった。
【０１３５】粘着シートの評価 実施例１で述べた放射線硬化型粘着剤及びウェハ貼着用
粘着シートの作製方法を用いて、実施例２〜４及び比較
例２〜３で作成した接着剤フィルムの層を有するウェハ
貼付用粘着シートを作製した。このウェハ貼り付け用粘
着シートの接着剤層側にシリコンウェハを１００℃、１
Kgで熱圧着した後、接着材層までを１０mm×１０mmにダ
イシングし、その後、基材フィルム面から高圧水銀灯を
用いて紫外線を５００mJ/cm2照射した。接着剤層を付着
した半導体チップを粘着シートの基材よりピックアップ
し、ポリイミドフィルムを基材に用いたフレキシブルプ
リント配線板に、１８０℃５秒の条件でマウントして半
導体装置を作製した。この半導体装置について下記の評
価を行った。
【０１３６】「耐リフロークラック性の評価」サンプル
表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持す
るように温度設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサン
プルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を
２回繰り返したサンプル中のクラックを観察し、クラッ
クの発生していないものを良好とし、発生していたもの
を不良とした。
【０１３７】「温度サイクル試験」サンプルを−５５℃
雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３
０分間放置する工程を１サイクルとして、破壊が起きる
までのサイクル数を示した。
【０１３８】「耐電食性」ＦＲ−４基板にライン／スペ
ース＝７５／７５μｍのくし形パターンを形成し、この
上に接着フィルムを貼り合せたサンプルを作製し、８５
℃／８５％ＲＨ／ＤＣ６Ｖ印加の条件下で１，０００時
間後の絶縁抵抗値を測定した。絶縁抵抗値が１０Ω以上
を示したものを良好とし、１０Ω未満であったものを不
良とした。
【０１３９】「耐ＰＣＴ性」半導体装置サンプルをプレ
ッシャークッカーテスター中で９６時間処理（ＰＣＴ処
理）後接着フィルムの剥離及び変色を観察した。接着フ
ィルムの剥離及び変色の認められなかったものを良好と
し、剥離のあったもの又は変色のあったものを不良とし
た。評価の結果を結果を表２に示す。
【０１４０】
【表２】
【０１４１】実施例２、３及び４は、いずれも、エポキ
シ樹脂及びその硬化剤、エポキシ樹脂と相溶性の高分子
量樹脂、エポキシ基含有アクリル系共重合体、硬化促進
剤をともに含む接着剤であり、本発明で規定した２５℃
及び２６０℃での貯蔵弾性率を示している。これらは、
耐リフロークラック性、温度サイクル試験、耐ＰＣＴ性
が良好であった。
【０１４２】比較例２は、本発明で規定したエポキシ基
含有アクリル系共重合体を含まない組成であるため貯蔵
弾性率が高く、応力を緩和できずに耐リフロークラック
性、温度サイクルテストでの結果が悪い。比較例３は、
本発明で規定したエポキシ基含有アクリル系共重合体を
含まず、それ以外のゴム成分を含み２５℃での貯蔵弾性
率が低いが耐電食性に劣る結果を示した。
【０１４３】
【発明の効果】請求項１記載のウェハ貼着用粘着シート
は、ダイレクトダイボンディングを可能にし、かつ半導
体パッケージに高い信頼性を付与するものである。請求
項２記載のウェハ貼着用粘着シートは、請求項１の発明
の効果を奏し、さらにエキスパンディング性及びピック
アップ性に優れたものである。
【０１４４】請求項３記載のウェハ貼着用粘着シート
は、請求項１の発明の効果を奏し、さらにそのダイ接着
用接着剤層が接着性に優れたものである。請求項４記載
のウェハ貼着用粘着シートは、請求項１の発明の効果を
奏し、さらにそのダイ接着用接着剤層が応力緩和性に優
れたものである。請求項５記載のウェハ貼着用粘着シー
トは、請求項１の発明の効果を奏し、さらにそのダイ接
着用接着剤層が耐はんだリフロー性に優れたものであ
る。
【０１４５】請求項６、７及び８記載のウェハ貼着用粘
着シートは、請求項１の発明の効果を奏し、さらにその
ダイ接着用接着剤層が耐電食性及び耐ＰＣＴ性に優れた
ものである。請求項９記載の半導体装置は、低コストで
作製でき、さらに耐温度サイクル性及び耐ＰＣＴ性に優
れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る粘着シートの断面図である。
【図２】本発明に係る粘着シートの断面図である。
【図３】本発明に係る粘着シートにウェハを貼着した状
態を示す。
【図４】本発明に係る粘着シートを半導体ウェハのダイ
シング工程に用いた場合の説明図である。
【図５】図４に示す工程の後、ウェハ貼着用粘着シート
に、裏面から放射線を照射した状態を示す。
【図６】図５に示す工程の後、ウェハ貼着用粘着シート
をエキスパンドした状態を示す。
【図７】図６に示す工程の後、チップをピックアップす
る工程を示す。
【図８】ピックアップされたチップとダイ接着用接着剤
を示す。
【図９】チップをリードフレームにボンディングした状
態を示す。
【図１０】図５に示した放射線照射方法の一変形例を示
す。
【符号の説明】
１…粘着シート ２…基材 ３…放射線硬化型粘着剤層 ４…ダイ接着用接着剤層 ５…剥離性シート ６…突き上げ針扞 ７…吸引コレット ８…リードフレーム ９…放射線発生源 Ａ…ウェハ Ａ1〜Ａ4…ウェハチップ Ｂ…放射線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 禎一 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 川上 広幸 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA12 AA13 AB01 AB06 CE01 EA05 4J040 EB032 EC001 EC231 EE062 JA09 JB02 JB07 JB09 KA16 LA01 LA02

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基材面上に、粘着剤及び放射線重合性オ
    リゴマーを含有してなる放射線硬化型粘着剤層と、ダイ
    接着用接着剤層とがこの順に形成されてなるウェハ貼着
    用粘着シートであって、上記放射線硬化型粘着剤層の放
    射線硬化後における弾性率が０．１〜１０MPaであり、
    かつ上記ダイ接着用接着層の弾性率が、２５℃で１０〜
    ２０００MPa、２６０℃で３〜５０MPaであるウェハ貼着
    用粘着シート。
  2. 【請求項２】 放射線重合性オリゴマーの分散粒径が１
    〜３０μｍである請求項１に記載のウェハ貼着用粘着シ
    ート。
  3. 【請求項３】 ダイ接着用接着層が、エポキシ樹脂、エ
    ポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤及
    びエポキシ樹脂硬化促進剤を含有してなる請求項１又は
    ２記載のウェハ貼着用粘着シート。
  4. 【請求項４】 ダイ接着用接着層が、コア材の両面に接
    着剤層が形成された三層構造を有してなる請求項１〜３
    のいずれかに記載のウェハ貼着用粘着シート。
  5. 【請求項５】 ダイ接着用接着層中の残存溶媒量が５重
    量％以下である請求項１〜４のいずれかに記載のウェハ
    貼着用粘着シート。
  6. 【請求項６】 ダイ接着用接着層が、（１）エポキシ樹
    脂及びその硬化剤１００重量部、（２）原料としてグリ
    シジル（メタ）アクリレートを２〜６重量％含有し、Ｔ
    ｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量平均分
    子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重
    合体１００〜３００重量部、（３）硬化促進剤０．１〜
    ５重量部を含有してなる請求項１〜５のいずれかに記載
    のウェハ貼付用粘着シート。
  7. 【請求項７】 ダイ接着用接着剤層が、（１）エポキシ
    樹脂及びその硬化剤１００重量部、（２）エポキシ樹脂
    と相溶性がありかつ重量平均分子量が３万以上の樹脂１
    ０〜４０重量部、（３）原料としてグリシジル（メタ）
    アクリレート２〜６重量％を含み、Ｔｇが−１０℃以上
    でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含
    有アクリル系共重合体１００〜３００重量部、（４）硬
    化促進剤０．１〜５重量部を含有してなる請求項１〜５
    のいずれかに記載のウェハ貼付用粘着シート。
  8. 【請求項８】 ダイ接着用接着剤層が、（１）エポキシ
    樹脂及びフェノール樹脂１００重量部、（２）フェノキ
    シ樹脂１０〜４０重量部、（３）原料としてグリシジル
    （メタ）アクリレート２〜６重量％を含み、Ｔｇが−１
    ０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポ
    キシ基含有アクリル系共重合体１００〜３００重量部、
    （４）硬化促進剤０．１〜５重量部を含有してなる請求
    項１〜５のいずれかに記載のウェハ貼付用粘着シート。
  9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載のウェハ
    貼り付け用粘着シートのダイ接着用接着剤層を介して、
    半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半
    導体装置。
JP2001020301A 2001-01-29 2001-01-29 ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 Pending JP2002226796A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001020301A JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2001-01-29 ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001020301A JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2001-01-29 ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002226796A true JP2002226796A (ja) 2002-08-14

Family

ID=18886027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001020301A Pending JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2001-01-29 ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002226796A (ja)

Cited By (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003018703A1 (fr) * 2001-08-27 2003-03-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Feuille adhesive et dispositif semi-conducteur; procede de fabrication
WO2004051721A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体基板の切断方法
JP2004238464A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2004256695A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
WO2004082006A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
JP2004282056A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置、半導体素子の製造方法、および半導体装置の製造方法
WO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP2005005355A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2005004216A1 (ja) * 2003-07-08 2005-01-13 Lintec Corporation ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
JP2005162818A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
EP1548821A2 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
WO2005062374A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Co., Ltd. Dicing/die bonding film and method of manufacturing the same
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
WO2005088700A1 (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. ダイシングダイボンドシート
JP2005303275A (ja) * 2004-03-15 2005-10-27 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
JP2006024783A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Nitto Denko Corp ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2006080142A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2006128621A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP2006225634A (ja) * 2005-01-24 2006-08-31 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、それを用いた粘着シート、及び粘着シートを用いた電子部品製造方法。
KR100646069B1 (ko) 2005-04-29 2006-11-14 엘에스전선 주식회사 반도체용 다이싱 다이 접착 필름
JP2006339652A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Ls Cable Ltd 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
KR100673685B1 (ko) 2005-04-29 2007-01-24 엘에스전선 주식회사 반도체용 접착 필름
JP2007035852A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007288174A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
JP2008041748A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用の固定治具
EP1942166A1 (en) 2007-01-05 2008-07-09 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for processing semiconductor substrates
CN100454493C (zh) * 2003-06-06 2009-01-21 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2009012002A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sanei Kagaku Kk 部材への接着剤の塗布方法、並びに部材と他の部材との接着方法及びその接着物
WO2009060787A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009135377A (ja) * 2007-11-08 2009-06-18 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2009090817A1 (ja) * 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009194303A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
US7605344B2 (en) 2003-07-18 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
CN101640191A (zh) * 2008-08-01 2010-02-03 日东电工株式会社 切割/芯片接合薄膜
JP2010074144A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010087538A (ja) * 2010-01-19 2010-04-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
US7732730B2 (en) 2000-09-13 2010-06-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP2010135400A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用フィルム及びその製造方法
US7749867B2 (en) 2002-03-12 2010-07-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
JP2010166089A (ja) * 2010-04-14 2010-07-29 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010171401A (ja) * 2008-12-24 2010-08-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2010177699A (ja) * 2010-04-14 2010-08-12 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011017006A (ja) * 2010-08-18 2011-01-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートの製造方法
JP2011035076A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011508444A (ja) * 2007-12-27 2011-03-10 エルジー・ケム・リミテッド バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape
CN102237259A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
CN102234489A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP2011228642A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
WO2012046814A1 (ja) 2010-10-06 2012-04-12 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート及びその製造方法、樹脂シート積層体及びその製造方法、多層樹脂シート硬化物、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
WO2012056969A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
WO2012056803A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
US8247734B2 (en) 2003-03-11 2012-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US8268704B2 (en) 2002-03-12 2012-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2012186361A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
WO2012132691A1 (ja) 2011-03-28 2012-10-04 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
US8389629B2 (en) 2007-10-16 2013-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive, adhesive sheet, multi-layered adhesive sheet, and production method for electronic part
CN103390604A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 瑞萨电子株式会社 半导体器件制造方法以及半导体器件
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
CN103975095A (zh) * 2011-11-30 2014-08-06 三井金属矿业株式会社 电解铜合金箔及附有载体箔的电解铜合金箔
JP2014158031A (ja) * 2014-03-11 2014-08-28 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
US8975161B2 (en) 2010-07-13 2015-03-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dicing/die bonding integral film, dicing/die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method
JP2015183172A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 リンテック株式会社 ワーク固定シート及び樹脂層付きワーク固定シート
US9308715B2 (en) 2010-11-15 2016-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
CN106057718A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 株式会社迪思科 被加工物的切削加工方法
US9492986B2 (en) 2010-10-29 2016-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
JP2017069558A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 パワー半導体装置の製造方法
JP6204640B1 (ja) * 2016-03-30 2017-09-27 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JP2019209689A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッドＩＮＮＯＸ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 帯電防止ダイアタッチフィルム、その製造方法、及びこれを用いたウエハダイシング工程
WO2020153205A1 (ja) 2019-01-23 2020-07-30 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス
WO2021010291A1 (ja) 2019-07-17 2021-01-21 富士フイルム株式会社 熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、表面修飾無機物
WO2021131803A1 (ja) 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導シート、熱伝導シート付きデバイス
WO2021157246A1 (ja) 2020-02-06 2021-08-12 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導材料、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス
KR20210144731A (ko) 2019-03-27 2021-11-30 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트
WO2023136018A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 古河電気工業株式会社 フレキシブルデバイス用フィルム状接着剤、フレキシブルデバイス用接着シート、及びフレキシブルデバイスの製造方法
KR20230150366A (ko) 2021-03-04 2023-10-30 덴카 주식회사 점착 테이프, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Cited By (185)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8283595B2 (en) 2000-09-13 2012-10-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8227724B2 (en) 2000-09-13 2012-07-24 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US8716110B2 (en) 2000-09-13 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
US7825350B2 (en) 2000-09-13 2010-11-02 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US7732730B2 (en) 2000-09-13 2010-06-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
WO2003018703A1 (fr) * 2001-08-27 2003-03-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Feuille adhesive et dispositif semi-conducteur; procede de fabrication
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US7749867B2 (en) 2002-03-12 2010-07-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8673745B2 (en) 2002-03-12 2014-03-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US8598015B2 (en) 2002-03-12 2013-12-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US8802543B2 (en) 2002-03-12 2014-08-12 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
US8518800B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8519511B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8518801B2 (en) 2002-03-12 2013-08-27 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8361883B2 (en) 2002-03-12 2013-01-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8314013B2 (en) 2002-03-12 2012-11-20 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor chip manufacturing method
US8304325B2 (en) 2002-03-12 2012-11-06 Hamamatsu-Photonics K.K. Substrate dividing method
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8268704B2 (en) 2002-03-12 2012-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
US8183131B2 (en) 2002-03-12 2012-05-22 Hamamatsu Photonics K. K. Method of cutting an object to be processed
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8409968B2 (en) 2002-12-03 2013-04-02 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion
KR100855136B1 (ko) * 2002-12-03 2008-08-28 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 기판의 절단 방법
US8263479B2 (en) 2002-12-03 2012-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
WO2004051721A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体基板の切断方法
CN100440443C (zh) * 2002-12-03 2008-12-03 浜松光子学株式会社 半导体基板的切断方法
US8450187B2 (en) 2002-12-03 2013-05-28 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
EP1580800B1 (en) * 2002-12-03 2014-06-04 Hamamatsu Photonics K. K. Method for cutting semiconductor substrate
EP2284872A3 (en) * 2002-12-03 2011-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
EP2239764A3 (en) * 2002-12-03 2011-08-31 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
EP2267763A3 (en) * 2002-12-03 2011-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
EP1580800A1 (en) * 2002-12-03 2005-09-28 Hamamatsu Photonics K. K. Method for cutting semiconductor substrate
EP2249380A3 (en) * 2002-12-03 2011-08-31 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
JP4645004B2 (ja) * 2003-02-05 2011-03-09 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2004238464A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP4529357B2 (ja) * 2003-02-26 2010-08-25 日立化成工業株式会社 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP2004256695A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP4620366B2 (ja) * 2003-02-27 2011-01-26 住友ベークライト株式会社 半導体装置、半導体素子の製造方法、および半導体装置の製造方法
JP2004282056A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置、半導体素子の製造方法、および半導体装置の製造方法
US8247734B2 (en) 2003-03-11 2012-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
CN100383926C (zh) * 2003-03-12 2008-04-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
KR100853057B1 (ko) * 2003-03-12 2008-08-19 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
WO2004082006A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
JP2011046963A (ja) * 2003-06-06 2011-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
CN100454493C (zh) * 2003-06-06 2009-01-21 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
US20130045585A1 (en) * 2003-06-06 2013-02-21 Teiichi Inada Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device
JP5017861B2 (ja) * 2003-06-06 2012-09-05 日立化成工業株式会社 接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
KR101169182B1 (ko) 2003-06-06 2012-07-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조방법
JPWO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2006-07-20 日立化成工業株式会社 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
WO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
US7875500B2 (en) 2003-06-06 2011-01-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Bonding semiconductor wafer stuck on dicing tape laminated adhesive sheet onto mounting support
US8617930B2 (en) 2003-06-06 2013-12-31 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device
US7968195B2 (en) 2003-06-06 2011-06-28 Hitachi Chemical Co., Ltd. Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, epoxy resin and filler
US7968194B2 (en) 2003-06-06 2011-06-28 Hitachi Chemical Co., Ltd. Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, thermosetting resin and filler
JP2005005355A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
KR100850772B1 (ko) * 2003-07-08 2008-08-06 린텍 코포레이션 다이싱·다이 본딩용 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
CN100423201C (zh) * 2003-07-08 2008-10-01 琳得科株式会社 切割和/或小片接合用粘合片以及半导体装置的制造方法
WO2005004216A1 (ja) * 2003-07-08 2005-01-13 Lintec Corporation ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
US7605344B2 (en) 2003-07-18 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
US8852698B2 (en) 2003-07-18 2014-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
US8551817B2 (en) 2003-09-10 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
JP2005162818A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
WO2005062374A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Co., Ltd. Dicing/die bonding film and method of manufacturing the same
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
EP1548821A2 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
EP1548821A3 (en) * 2003-12-26 2013-03-20 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
WO2005088700A1 (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. ダイシングダイボンドシート
CN100411138C (zh) * 2004-03-15 2008-08-13 日立化成工业株式会社 切割用芯片粘贴薄膜
JP2005303275A (ja) * 2004-03-15 2005-10-27 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
US7517724B2 (en) 2004-03-15 2009-04-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dicing/die bonding sheet
JP2006024783A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Nitto Denko Corp ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4614700B2 (ja) * 2004-07-08 2011-01-19 日東電工株式会社 ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US8043698B2 (en) 2004-08-03 2011-10-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device, and wafer-processing tape
JP2006080142A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP4704828B2 (ja) * 2004-09-29 2011-06-22 積水化学工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP2006128621A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP2006225634A (ja) * 2005-01-24 2006-08-31 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、それを用いた粘着シート、及び粘着シートを用いた電子部品製造方法。
JP4676297B2 (ja) * 2005-01-24 2011-04-27 電気化学工業株式会社 粘着剤、それを用いた粘着シート、及び粘着シートを用いた電子部品製造方法。
KR100646069B1 (ko) 2005-04-29 2006-11-14 엘에스전선 주식회사 반도체용 다이싱 다이 접착 필름
KR100673685B1 (ko) 2005-04-29 2007-01-24 엘에스전선 주식회사 반도체용 접착 필름
JP2006339652A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Ls Cable Ltd 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
JP4597910B2 (ja) * 2005-06-03 2010-12-15 エルエス ケーブル リミテッド 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
JP2007035852A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007288174A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
JP2008041748A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用の固定治具
JP2008166651A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Nitto Denko Corp 半導体基板加工用粘着シート
EP1942166A1 (en) 2007-01-05 2008-07-09 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for processing semiconductor substrates
US7943235B2 (en) 2007-01-05 2011-05-17 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for processing semiconductor substrates
JP2009012002A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sanei Kagaku Kk 部材への接着剤の塗布方法、並びに部材と他の部材との接着方法及びその接着物
US8389629B2 (en) 2007-10-16 2013-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive, adhesive sheet, multi-layered adhesive sheet, and production method for electronic part
JP5178732B2 (ja) * 2007-10-16 2013-04-10 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2009060787A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009135377A (ja) * 2007-11-08 2009-06-18 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010166091A (ja) * 2007-11-08 2010-07-29 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4718641B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011508444A (ja) * 2007-12-27 2011-03-10 エルジー・ケム・リミテッド バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
US9695345B2 (en) 2007-12-27 2017-07-04 Lg Chem, Ltd. Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same
WO2009090817A1 (ja) * 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009170786A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US8617928B2 (en) 2008-01-18 2013-12-31 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
JP2009194303A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
CN101640191A (zh) * 2008-08-01 2010-02-03 日东电工株式会社 切割/芯片接合薄膜
JP2010074144A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
CN101752217B (zh) * 2008-12-02 2012-04-04 日东电工株式会社 半导体装置制造用薄膜及其制造方法
JP2010135400A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用フィルム及びその製造方法
JP4602450B2 (ja) * 2008-12-02 2010-12-22 日東電工株式会社 半導体装置製造用フィルム及びその製造方法
JP2010171401A (ja) * 2008-12-24 2010-08-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2011035076A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2010087538A (ja) * 2010-01-19 2010-04-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011228642A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2010177699A (ja) * 2010-04-14 2010-08-12 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4568376B2 (ja) * 2010-04-14 2010-10-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4718640B2 (ja) * 2010-04-14 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010166089A (ja) * 2010-04-14 2010-07-29 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
CN102234489A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
CN102237259A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
US8975161B2 (en) 2010-07-13 2015-03-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dicing/die bonding integral film, dicing/die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method
JP2011017006A (ja) * 2010-08-18 2011-01-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートの製造方法
WO2012046814A1 (ja) 2010-10-06 2012-04-12 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート及びその製造方法、樹脂シート積層体及びその製造方法、多層樹脂シート硬化物、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP2012109519A (ja) * 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
TWI505940B (zh) * 2010-10-29 2015-11-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層積體及該層積體之分離方法
US9048311B2 (en) 2010-10-29 2015-06-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
US9492986B2 (en) 2010-10-29 2016-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
WO2012056969A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
WO2012056803A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
JP2012106486A (ja) * 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
KR101452671B1 (ko) * 2010-10-29 2014-10-22 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법
US9682532B2 (en) 2010-10-29 2017-06-20 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminated body and method for separating laminated body
US9308715B2 (en) 2010-11-15 2016-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
JP2012186361A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
WO2012132691A1 (ja) 2011-03-28 2012-10-04 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
CN103975095B (zh) * 2011-11-30 2017-05-03 三井金属矿业株式会社 电解铜合金箔及附有载体箔的电解铜合金箔
CN103975095A (zh) * 2011-11-30 2014-08-06 三井金属矿业株式会社 电解铜合金箔及附有载体箔的电解铜合金箔
CN103390604A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 瑞萨电子株式会社 半导体器件制造方法以及半导体器件
JP2014158031A (ja) * 2014-03-11 2014-08-28 Lintec Corp 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2015183172A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 リンテック株式会社 ワーク固定シート及び樹脂層付きワーク固定シート
CN106057718B (zh) * 2015-04-15 2021-12-07 株式会社迪思科 被加工物的切削加工方法
CN106057718A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 株式会社迪思科 被加工物的切削加工方法
JP2017069558A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 パワー半導体装置の製造方法
CN109041580A (zh) * 2016-03-30 2018-12-18 琳得科株式会社 膜状粘接剂、半导体加工用片及半导体装置的制造方法
JP6204640B1 (ja) * 2016-03-30 2017-09-27 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2019-02-07 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JP7177811B2 (ja) 2016-03-30 2022-11-24 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
TWI704625B (zh) * 2016-03-30 2020-09-11 日商琳得科股份有限公司 半導體加工用片以及半導體裝置的製造方法
WO2017170451A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JP2021050338A (ja) * 2016-03-30 2021-04-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
US11107789B2 (en) 2016-03-30 2021-08-31 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Method for manufacturing semiconductor device
JP2019209689A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッドＩＮＮＯＸ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 帯電防止ダイアタッチフィルム、その製造方法、及びこれを用いたウエハダイシング工程
WO2020153205A1 (ja) 2019-01-23 2020-07-30 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス
KR20210144731A (ko) 2019-03-27 2021-11-30 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트
WO2021010291A1 (ja) 2019-07-17 2021-01-21 富士フイルム株式会社 熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、表面修飾無機物
WO2021131803A1 (ja) 2019-12-26 2021-07-01 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導シート、熱伝導シート付きデバイス
WO2021157246A1 (ja) 2020-02-06 2021-08-12 富士フイルム株式会社 組成物、熱伝導材料、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス
KR20230150366A (ko) 2021-03-04 2023-10-30 덴카 주식회사 점착 테이프, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
WO2023136018A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 古河電気工業株式会社 フレキシブルデバイス用フィルム状接着剤、フレキシブルデバイス用接着シート、及びフレキシブルデバイスの製造方法
JP7445086B2 (ja) 2022-01-13 2024-03-06 古河電気工業株式会社 フレキシブルデバイス用フィルム状接着剤、フレキシブルデバイス用接着シート、及びフレキシブルデバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002226796A (ja) ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP4804921B2 (ja) 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法
JP3348923B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR101370245B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP4536660B2 (ja) ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
US20060252234A1 (en) Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP2005327789A (ja) ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
KR20080047990A (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP2008247936A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101483308B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JPH08239636A (ja) 粘接着テープおよびその使用方法
JP5005258B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4067308B2 (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009242605A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004095844A (ja) ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4806815B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5005325B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009173796A (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5566141B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5414256B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5224710B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤
JP2005011839A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5406995B2 (ja) 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤
JP5426831B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法