JP2011046963A - 接着シート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】I)半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程、II)半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域を形成する工程及びIII)接着シートに粘着テープを貼り付ける工程を含み、さらにIV)粘着テープをエキスパンドし、接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程及びV)接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、該接着シートが、前記工程IV)の直前の段階で、破断強度が30MPa以下かつ破断伸びが40%以下であることを特徴とする接着シート。
【選択図】図4
Description
つまり、本発明は、I)半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程、II)半導体ウエハの切断予定ラインに沿って、半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域を形成する工程、及び、III)接着シートに粘着テープを貼り付ける工程、をI−II−III、II−I−III又はI−III−IIの順で含み、さらに、IV)粘着テープを、エキスパンド速度10〜1000mm/秒で、エキスパンド量5〜30mmとなるようにエキスパンドし、半導体ウエハ及び接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、及び、V)接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程、を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、該接着シートが、前記工程IV)の直前の段階で、破断強度が30MPa以下かつ破断伸びが40%以下であることを特徴とする接着シートである。
また、本発明は、I′)半導体ウエハに粘着テープ一体型接着シートを貼り付ける工程、及び、II)半導体ウエハの切断予定ラインに沿って、半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し多光子吸収による改質領域を形成する工程、をI′−II又はII−I′の順で含み、さらに、IV)粘着テープを、エキスパンド速度10〜1000mm/秒で、エキスパンド量5〜30mmとなるようにエキスパンドし、半導体ウエハ及び接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、及び、V)接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程、を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、該接着シートが、前記工程IV)の直前の段階で、破断強度が30MPa以下かつ破断伸びが40%以下であることを特徴とする接着シートに関する。
また、本発明は、接着シートと粘着テープの90°ピール強度が、150N/m以下である上記接着シートに関する。
また、本発明は、前記工程IV)の直前の段階で、接着シートの25℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が1〜3000MPaであり、25℃、900Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が4000〜20000MPaである上記接着シートに関する。
また、本発明は、前記工程IV)の直前の段階で、接着シートの25℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が1〜3000MPaであり、−20℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が4000〜20000MPaである上記接着シートに関する。
また、本発明は、Bステージ状態の接着シートの60℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が0.1〜20MPaである上記接着シートに関する。
また、本発明は、接着シートが熱硬化性成分、高分子量成分、及びフィラーを含有し、高分子量成分の含有量が接着シートの全重量からフィラーの重量を除いた重量に対して25〜45重量%であり、かつ、フィラーの含有量が接着シートの全重量に対し35〜60重量%である上記接着シートに関する。
また、本発明は、工程I)又は工程I′)を行った後、工程IV)を行う前のいずれかの段階において、接着シートに紫外線、赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程、又は、接着シートを加熱若しくは冷却する工程を含む上記接着シートに関する。
さらに、本発明は、切断可能である範囲で、上記接着シートと熱可塑性樹脂、粘着剤、又は熱硬化性樹脂からなるフィルムとを重ね合わせ、複層にした接着シートに関する。
(B)レーザ光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
NA:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)半導体基板が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
破断伸び(%)=(破断時の試料のチャック間長さ(mm)−20)/20×100
チモン酸化物が好ましい。
(作成例1)
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160、東都化成株式会社製商品名YD−8170Cを使用)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量210、東都化成株式会社製商品名YDCN−703を使用)10重量部;エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンLF2882を使用)27重量部;エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム(ゲル パーミエーション クロマ
トグラフィーによる重量平均分子量80万、グリシジルメタクリレート3重量%、Tgは−7℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名HTR−860P−3DRを使用)28重量部;硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業株式会社製キュアゾール2PZ−CNを使用)0.1重量部;シリカフィラー(アドマファイン株式会社製、S0−C2(比重:2.2g/cm3)を使用)95重量部;シランカップリング剤として(日本ユニカー株式会社製商品名A−189を使用)0.25重量部および(日本ユニカー株式会社製商品名A−1160を使用)0.5重量部;からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニス(1)を得た。
表1に示す組成物について作成例1と同様にして、接着シートを製造した。
作成例1で得られた接着シートを40℃24h熱処理して、破断伸びを低下させた接着シートを製造した。
(1)破断強度、破断伸び
Bステージ常置状態及び工程IV)の直前の段階における接着シートの25℃における破断強度、破断伸びを幅10mm、長さ30mm、厚さ25μmの試料について、引っ張り試験機(今田製作所製デジタル荷重計SV55)を用いてチャック間距離20mm、引っ張り速度0.5m/minで応力、ひずみ曲線を測定し、それから、下式により得た。
破断伸び(%)=(破断時の試料のチャック間長さ(mm)−20)/20×100
残存揮発分は、5cm四方に切り取ったBステージ状態のフィルムを秤量し(質量A)、離型性のある基板上で170℃1時間乾燥機中に放置した後、再び秤量し(質量B)、下式より得た。
Bステージ常置状態及び工程IV)の直前の段階における接着シートの貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置(レオロジー社製、DVE−V4)を用いて測定した(サンプルサイズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚80μm、温度範囲−30〜100℃、昇温速度5℃/min、引張りモード、10Hzまたは900Hz、自動静荷重)。
Bステージ状態の接着シートのタック強度を、レスカ株式会社製タッキング試験機を用いて、JISZ0237−1991に記載の方法(プローブ直径5.1mm、引き剥がし速度10mm/s、接触荷重100gf/cm2、接触時間1s)により、25℃で測定した。
120℃のホットプレート上で、チップ(5mm角)を金めっき基板(銅箔付フレキ基板電解金めっき(Ni:5μm、Au:0.3μm))上に接着シートを用いて接着し、130℃、30min+170℃、1hキュアした。この試料について吸湿前、85℃/85%RH、48h吸湿後の260℃でのピール強度を測定した。
ホットロールラミネータ(60℃、0.3m/分、0.3MPa)で幅10mmの接着シートとウエハを貼り合わせ、その後、接着シートをTOYOBALWIN製UTM−4−100型テンシロンを用いて、25℃の雰囲気中で、90°の角度で、50mm/分の引張り速度で剥がしたときのピール強度を求めた。ピール強度が30N/m以上の場合はラミネート性良好、ピール強度が30N/m未満の場合はラミネート性不良とした。
接着シートとPETフィルムを1×2cmの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置(テスター産業(株)製)を用いて熱板温度160℃、圧力1MPaで18秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定し、これをフロー量とした。
5mm角に切断された半導体素子及び接着シートと、厚み25μmのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を貼り合せた半導体装置サンプル(片面にはんだボールを形成)を作製し、耐熱性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と耐温度サイクル試験を適用した。
表2に示す工程1〜5のいずれかを用いて、接着シート付きチップを製造した。
ダイシング加工すべき半導体ウエハA(厚さ80μm)の半導体ウエハに接着シートをホットロールラミネータ(Du Pont製Riston)で60℃でラミネートした。得られた接着シート付き半導体ウエハAに図2に示されるようにレーザ加工により、ウエハ内部に変質部を形成した。次に、ダイシングテープには古河電工(株)製(UC3004M−80)を積層した。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。このエキスパンド条件はエキスパンド速度が30mm/、エキスパンド量が3mmであった。
エキスパンド量が15mmである他は、工程1と同様に行った。
半導体ウエハA(厚さ80μm)に図2に示されるようにレーザ加工により、ウエハ内部に変質部を形成した。接着シートをホットロールラミネータ(Du Pont製Riston)で60℃でラミネートし、次に、ダイシングテープには古河電工(株)製(UC3004M−80)を積層した。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。続いて、得られた接着シート付き半導体ウエハAをエキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。このエキスパンド条件はエキスパンド速度が30mm/s、エキスパンド量が15mmであった。
半導体ウエハA(厚さ80μm)に図2に示されるようにレーザ加工により、ウエハ内部に変質部を形成した。接着シートとダイシングテープ(古河電工(株)製(UC3004M−80))を積層したダイシングテープ一体型シートをウエハにホットロールラミネータ(Du Pont製Riston)で60℃でラミネートし、次にダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。このエキスパンド条件はエキスパンド速度が30mm/s、エキスパンド量が15mmであった。
半導体ウエハA(厚さ80μm)に図2に示されるようにレーザ加工により、ウエハ内部に変質部を形成した。接着シートをホットロールラミネータ(Du Pont製Riston)で60℃でラミネートした。その後、120℃、10分間、フィルムを加熱した。次に、ダイシングテープには古河電工(株)製(UC3004M−80)を積層した。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。このエキスパンド条件はエキスパンド速度が30mm/s、エキスパンド量が15mmであった。
作成例1〜6のフィルムと工程1〜5を適宜組合せて、下記の方法で破断性を評価した。組合せと破断性の評価結果を表3に示す。
エキスパンド後に半導体ウエハと接着シートが破断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。ダイシングを施した距離の98%以上破断されたものを極めて良好(◎)、90%以上破断されたものを良好(○)50〜90%未満破断されたのものを部分的に良好(△)50%未満のものを不良(×)とした。
また、破断された部分のチップをピックアップし、チップと接着シートの端面を図7に示すように観察した。破断されずにチップ端面からはみだした接着シートの長さ14をはみだし長さとした。その長さが0〜20μmの場合を極めて良好(◎)20〜100μm以内の場合を良好(○)、それ以上を不良(×)とした。
1 接着シート
2 粘着テープ
2a 粘着剤層
2b 基材テープ
3 粘着テープ一体型接着シート
4 切断予定ライン
5 改質領域(切断予定部)
6 接着シート付き半導体チップ
7 半導体チップ搭載用支持部材
8 端部はみだし長さ
11 リング
12 突き上げ部
13 ステージ
14 エキスパンド量
21 吸引コレット
22 針扞
Claims (7)
- I)半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程、
II)半導体ウエハの切断予定ラインに沿って、半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域を形成する工程、及び、
III)接着シートに粘着テープを貼り付ける工程、
をI−II−III、II−I−III又はI−III−IIの順で含み、さらに、
IV)粘着テープをエキスパンドし、接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、及び、
V)接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程、
を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、
該接着シートが、前記工程IV)の直前の段階で、破断強度が1〜30MPaかつ破断伸びが3〜40%であり、前記破断強度及び前記破断伸びが、幅10mm、長さ30mm、厚さ25μmの該接着シートの試料を25℃で、引っ張り試験機を用いてチャック間距離20mm、引っ張り速度0.5m/minの条件で応力、ひずみ曲線を測定し、それから下式により得た値であり、
破断強度(Pa)=最大強度(N)/試料の断面積(m2)
破断伸び(%)=(破断時の試料のチャック間長さ(mm)−20)/20/100
前記接着シートの25℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が1〜3000MPaであり、25℃、900Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が4000〜20000MPaであることを特徴とする接着シート。 - I′)半導体ウエハに粘着テープ一体型接着シートを貼り付ける工程、及び、
II)半導体ウエハの切断予定ラインに沿って、半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し多光子吸収による改質領域を形成する工程、
をI′−II又はII−I′の順で含み、さらに、
IV)粘着テープをエキスパンドし、接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、及び、
V)接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程、
を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、
該接着シートが、前記工程IV)の直前の段階で、破断強度が1〜30MPaかつ破断伸びが3〜40%であり、前記破断強度及び前記破断伸びが、幅10mm、長さ30mm、厚さ25μmの該接着シートの試料を25℃で、引っ張り試験機を用いてチャック間距離20mm、引っ張り速度0.5m/minの条件で応力、ひずみ曲線を測定し、それから下式により得た値であり、
破断強度(Pa)=最大強度(N)/試料の断面積(m2)
破断伸び(%)=(破断時の試料のチャック間長さ(mm)−20)/20/100
前記接着シートの25℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が1〜3000MPaであり、25℃、900Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が4000〜20000MPaであることを特徴とする接着シート。 - 前記工程IV)の直前の段階で、接着シートの25℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が1〜3000MPaであり、−20℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が4000〜20000MPaである請求項1または請求項2に記載の接着シート。
- Bステージ状態の接着シートの60℃、10Hzにおける動的粘弾性測定による弾性率が0.1〜20MPaである請求項1〜3のいずれかに記載の接着シート。
- 接着シートが熱硬化性成分、高分子量成分、及びフィラーを含有し、高分子量成分の含有量が接着シートの全重量からフィラーの重量を除いた重量に対して25〜45重量%であり、かつ、フィラーの含有量が接着シートの全重量に対し35〜60重量%である請求項1〜4のいずれかに記載の接着シート。
- 工程I)又は工程I′)を行った後、工程IV)を行う前のいずれかの段階において、接着シートに紫外線、赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程、又は、接着シートを加熱若しくは冷却する工程を含む請求項1〜5のいずれかに記載の接着シート。
- 切断可能である範囲で、請求項1〜6のいずれかに記載の接着シートと熱可塑性樹脂、粘着剤、又は熱硬化性樹脂からなるフィルムとを重ね合わせ、複層にした接着シート。
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Cited By (13)
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---|---|---|---|---|
JP2013010849A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材及び半導体装置の製造方法 |
US8404564B2 (en) | 2007-04-06 | 2013-03-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive film for semiconductor, composite sheet, and method for producing semiconductor chip using them |
JP2013136672A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichiban Co Ltd | 打ち抜き・絞り加工用表面保護粘着シート |
WO2015145807A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび加工物の製造方法 |
KR101565515B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2015-11-03 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 |
KR101751972B1 (ko) * | 2016-12-26 | 2017-08-01 | (주)이녹스첨단소재 | 컨트롤러 다이 매립형 fod 접착필름 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
WO2017145979A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法 |
KR101785817B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2017-10-16 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
JP2018056282A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2018170427A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
WO2020013250A1 (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
JP2021007168A (ja) * | 2020-10-06 | 2021-01-21 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP2021155680A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4791306B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-10-12 | 信越半導体株式会社 | 切断方法 |
CN101647096B (zh) * | 2007-04-05 | 2012-01-04 | 日立化成工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片 |
KR20100065185A (ko) * | 2007-10-09 | 2010-06-15 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법 및 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101557171B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2015-10-02 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트 |
WO2009063793A1 (ja) * | 2007-11-15 | 2009-05-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 半導体ウエハ加工用粘着テープ |
JP2009164556A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
KR20110010601A (ko) * | 2008-03-31 | 2011-02-01 | 헨켈 코포레이션 | 다중층 uv-경화성 접착 필름 |
CN105047597B (zh) * | 2009-06-15 | 2018-04-03 | 日东电工株式会社 | 半导体背面用切割带集成膜 |
CN102250555B (zh) * | 2010-05-17 | 2015-04-01 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工用带 |
JP5384443B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-01-08 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置 |
JP5580701B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-08-27 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP5871428B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2016-03-01 | 古河電気工業株式会社 | 高熱伝導性フィルム状接着剤用組成物、高熱伝導性フィルム状接着剤、並びに、それを用いた半導体パッケージとその製造方法 |
TWI418274B (zh) * | 2011-04-06 | 2013-12-01 | Au Optronics Corp | 可撓性電子元件及其製造方法 |
JP6039363B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-12-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 |
JP6310748B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-04-11 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP5863914B1 (ja) * | 2014-09-05 | 2016-02-17 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法 |
JP6486176B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削加工方法 |
JP6588404B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2019-10-09 | 信越化学工業株式会社 | 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 |
CN107065656B (zh) * | 2017-03-14 | 2019-04-05 | 中国农业大学 | 一种带割胶深度反馈的智能割胶刀 |
JP6961387B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2021-11-05 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
JP6876540B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-05-26 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型接着性シート |
CN113470536B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-06-27 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示模组及电子设备 |
CN114458667A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-05-10 | 苏州富润泽激光科技有限公司 | 工件贴合方法及其电子产品 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2002256238A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2003033887A (ja) * | 2000-09-13 | 2003-02-04 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2003338467A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
JP2004273895A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5406124A (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape |
JPH07173449A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-11 | Hitachi Chem Co Ltd | アクリル系接着剤組成物及びこれを用いた接着フィルム |
KR100235082B1 (ko) * | 1995-04-04 | 1999-12-15 | 우찌가사끼 이사오 | 접착제, 접착 필름 및 접착제-부착 금속박 |
JP2001302991A (ja) * | 2000-04-20 | 2001-10-31 | Lintec Corp | 塗装用粘着テープ |
JP2002060716A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置 |
JP4109823B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3724790B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2005-12-07 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002327165A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-11-15 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性の接着剤フィルム及びそれを用いた接着構造 |
-
2004
- 2004-06-04 CN CNB200480015569XA patent/CN100454493C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 CN CN2008101658215A patent/CN101362926B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 CN CN2008101869269A patent/CN101471240B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 CN CN200810165822XA patent/CN101392159B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 CN CN2008101869273A patent/CN101447413B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010255353A patent/JP5206769B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003033887A (ja) * | 2000-09-13 | 2003-02-04 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2002256238A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2003338467A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
JP2004273895A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8404564B2 (en) | 2007-04-06 | 2013-03-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive film for semiconductor, composite sheet, and method for producing semiconductor chip using them |
JP2013010849A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材及び半導体装置の製造方法 |
JP2013136672A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichiban Co Ltd | 打ち抜き・絞り加工用表面保護粘着シート |
KR20170117212A (ko) * | 2012-12-26 | 2017-10-20 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
KR102047347B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2019-11-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
US10403538B2 (en) | 2012-12-26 | 2019-09-03 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Expansion method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
KR101903312B1 (ko) | 2012-12-26 | 2018-10-01 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
KR20180105742A (ko) * | 2012-12-26 | 2018-09-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
US10008405B2 (en) | 2012-12-26 | 2018-06-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Expansion method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
KR101785817B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2017-10-16 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치 |
KR101565515B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2015-11-03 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 |
JP2019021946A (ja) * | 2014-03-24 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム |
CN110092937B (zh) * | 2014-03-24 | 2022-06-07 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法 |
CN111180380A (zh) * | 2014-03-24 | 2020-05-19 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法 |
CN111180380B (zh) * | 2014-03-24 | 2023-11-10 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法 |
CN106062927A (zh) * | 2014-03-24 | 2016-10-26 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法 |
JP5980438B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2016-08-31 | リンテック株式会社 | 加工物の製造方法 |
US10510578B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-12-17 | Lintec Corporation | Protective film forming film, protective film forming sheet and work product manufacturing method |
WO2015145807A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび加工物の製造方法 |
JP2019021945A (ja) * | 2014-03-24 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム |
CN110092937A (zh) * | 2014-03-24 | 2019-08-06 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法 |
JP2016115943A (ja) * | 2014-03-24 | 2016-06-23 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム |
JPWO2017145979A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-12-13 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法 |
WO2017145979A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2018056282A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | リンテック株式会社 | 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
KR101751972B1 (ko) * | 2016-12-26 | 2017-08-01 | (주)이녹스첨단소재 | 컨트롤러 다이 매립형 fod 접착필름 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
JP2018170427A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JPWO2020013250A1 (ja) * | 2018-07-11 | 2021-08-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
US11634614B2 (en) | 2018-07-11 | 2023-04-25 | Resonac Corporation | Method for manufacturing semiconductor device, heat-curable resin composition, and dicing-die attach film |
WO2020013250A1 (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
JP2021155680A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤 |
JP7446887B2 (ja) | 2020-03-30 | 2024-03-11 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤 |
JP2021007168A (ja) * | 2020-10-06 | 2021-01-21 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP7084972B2 (ja) | 2020-10-06 | 2022-06-15 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101447413B (zh) | 2013-03-27 |
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CN1799126A (zh) | 2006-07-05 |
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