JP6486176B2 - 被加工物の切削加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、板状の被加工物を切削加工する際に用いられる被加工物の切削加工方法に関する。
携帯電話機をはじめとする各種の電子機器には、IC、LSI等の電子回路(デバイス)を備える半導体チップが組み込まれている。半導体チップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン(ストリート)で区画し、各領域にデバイスを形成した後、分割予定ラインに沿ってウェーハを切削加工することで得られる。
上述したウェーハに代表される板状の被加工物は、例えば、粘着テープを介してチャックテーブルに吸引、保持された状態で切削加工される。ところが、この被加工物は、必ずしも十分に平坦ではない。そのため、チャックテーブルで被加工物を適切に吸引、保持できないことがあった。
この問題に対し、チャックテーブルで吸引、保持可能な平坦性の高い支持部材に被加工物を固定する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、紫外線硬化型樹脂を介して被加工物を支持部材に固定することで、平坦性の低い被加工物をチャックテーブルで吸引、保持できるようにしている。
特開2010−155298号公報
しかしながら、上述の方法で支持部材に固定された被加工物を切削ブレードで切削加工すると、例えば、切断された半導体チップが紫外線硬化型樹脂から剥がれ、飛散してしまうことがあった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を適切に切削加工可能な被加工物の切削加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、被加工物の切削加工方法であって、被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着する貼着工程と、支持部材の表面又は裏面に液状の樹脂を塗布する塗布工程と、該樹脂と該粘着テープとが接するように該支持部材に該被加工物を重ねた状態で、該被加工物又は該支持部材を押圧する押圧工程と、該樹脂を硬化させて該被加工物を該支持部材に固定する固定工程と、該支持部材に固定された該被加工物を切削ブレードで切削加工する切削工程と、を備え、該貼着工程では、該切削工程において該被加工物が剥離しない程度に十分な接着力を持つ該粘着テープを用いることを特徴とする被加工物の切削加工方法が提供される。
また、本発明の別の一態様によれば、被加工物の切削加工方法であって、被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着する貼着工程と、該被加工物に貼着された該粘着テープに液状の樹脂を塗布する塗布工程と、支持部材の表面又は裏面と該樹脂とが接するように該支持部材に該被加工物を重ねた状態で、該被加工物又は該支持部材を押圧する押圧工程と、該樹脂を硬化させて該被加工物を該支持部材に固定する固定工程と、該支持部材に固定された該被加工物を切削ブレードで切削加工する切削工程と、を備え、該貼着工程では、該切削工程において該被加工物が剥離しない程度に十分な接着力を持つ該粘着テープを用いることを特徴とする被加工物の切削加工方法が提供される。
上記本発明において、該樹脂として、紫外線によって硬化する紫外線硬化型樹脂を用いることが好ましい。
本発明に係る被加工物の切削加工方法では、被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着し、支持部材の表面又は裏面に液状の樹脂を塗布して、樹脂と粘着テープとが接するように支持部材に被加工物を重ねた状態で、被加工物又は支持部材を押圧し、その後、樹脂を硬化させる。又は、被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着し、被加工物に貼着された粘着テープに液状の樹脂を塗布して、支持部材の表面又は裏面と樹脂とが接するように支持部材に被加工物を重ねた状態で、被加工物又は支持部材を押圧し、その後、樹脂を硬化させる。
つまり、被加工物は、粘着テープ及び樹脂を介して支持部材に固定されるので、十分な接着力のある粘着テープを用いることで、樹脂の接着力が低い場合でも被加工物の剥離を防止できる。このように、本発明に係る被加工物の切削加工方法によれば、被加工物を適切に切削加工できる。
図1(A)は、貼着工程を模式的に示す断面図であり、図1(B)は、塗布工程を模式的に示す断面図であり、図1(C)は、押圧工程を模式的に示す一部断面側面図である。 押圧工程及び固定工程で使用される押圧固定装置を模式的に示す斜視図である。 図3(A)は、固定工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、切削工程を模式的に示す一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の切削加工方法は、貼着工程(図1(A)参照)、塗布工程(図1(B)参照)、押圧工程(図1(C)及び図2参照)、固定工程(図2及び図3(A)参照)及び切削工程(図3(B)参照)を含む。
貼着工程では、被加工物に粘着テープを貼り付ける。塗布工程では、支持部材に液状の樹脂を塗布する。押圧工程では、樹脂と粘着テープとが接するように支持部材と被加工物とを重ね、被加工物を押圧する。固定工程では、樹脂を硬化させて被加工物を支持部材に固定する。切削工程では、支持部材に固定された被加工物を切削ブレードで切削加工する。以下、本実施形態に係る被加工物の切削加工方法について詳述する。
本実施形態に係る被加工物の切削加工方法では、まず、被加工物に粘着テープを貼り付ける貼着工程を実施する。図1(A)は、貼着工程を模式的に示す断面図である。被加工物11は、例えば、シリコン等の半導体材料でなる円形のウェーハであり、その表面11a側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。
デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン(ストリート)でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス13が形成されている。本実施形態に係る被加工物11の裏面11b側には、図1(A)等に示すように、僅かな起伏(凹凸)が形成されている。本実施形態の貼着工程では、この被加工物11の裏面11b側に粘着テープ15を貼り付ける。
粘着テープ15は、例えば、樹脂等の材料でなるフィルム状の基材を備えている。基材の一方側の面には、被加工物11の裏面11bに対して十分な接着力を持つ接着層が設けられている。貼着工程では、この粘着テープ15の接着層側を、被加工物11の裏面11bに密着させる。これにより、図1(A)に示すように、粘着テープ15を被加工物11に貼り付けることができる。
なお、本実施形態の貼着工程では、片面に接着層が設けられた粘着テープ15を被加工物11に貼り付けているが、両面に接着層が設けられた粘着テープ(いわゆる、両面テープ)を被加工物11に貼り付けても良い。また、後述する切削工程で被加工物11を裏面11b側から切削加工したい場合等には、被加工物11の表面11aに粘着テープ15を貼り付けても良い。
貼着工程の後には、支持部材に液状の樹脂を塗布する塗布工程を実施する。図1(B)は、塗布工程を模式的に示す断面図である。支持部材17は、例えば、ホウ酸ガラス、石英ガラス、アルミナ等の材料でなる円形のウェーハであり、後の固定工程で使用される紫外線(紫外光)を透過する。支持部材17の表面17a及び裏面17bは、概ね平坦に形成されている。
本実施形態に係る塗布工程では、支持部材17の表面17aに、紫外線で硬化する液状の樹脂(紫外線硬化型樹脂)19を塗布する。具体的には、図1(B)に示すように、支持部材17の表面17aの中央付近に樹脂19を滴下する。なお、樹脂19は、裏面17bに塗布されても良い。
塗布工程の後には、樹脂19と粘着テープ15とが接するように支持部材17と被加工物11とを重ね、被加工物11を押圧する押圧工程を実施する。図1(C)は、押圧工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図2は、押圧工程及びその後の固定工程で使用される押圧固定装置を模式的に示す斜視図である。
図2に示すように、押圧固定装置2は、内部に空間を有する直方体状の基台4を備えている。基台4の上部には、内部の空間を閉じるように、概ね平坦な上面を有するステージ6が配置されている。ステージ6は、例えば、ホウ酸ガラス、石英ガラス、アルミナ等で構成されており、紫外線(紫外光)を透過する。このステージ6の上面は、支持部材17を支持する支持面となる。
ステージ6の下方には、紫外線を放射する光源8が配置されている。ステージ6と光源8との間には、光源8からの紫外線を遮断するシャッター10が設けられている。また、シャッター10の上方には、例えば、樹脂19の硬化に必要のない波長の光を遮断するフィルタ12が配置されている。
シャッター10を完全に閉じると、光源8からの紫外線はシャッター10で遮られ、ステージ6に到達しない。一方、シャッター10を開くと、光源8からの紫外線は、フィルタ12及びステージ6を透過して、支持部材17に照射される。
基台4の側壁には、内部の空間に繋がる排気管14が設けられている。この排気管14は、基台4の外部において排気ポンプ(不図示)等と接続されている。光源8の光で基台4の内部の温度が上昇すると、ステージ6が変形して支持面の平坦性が低下してしまう。そこで、排気管14に接続された排気ポンプ等によって基台4の内部を排気し、温度上昇を抑制している。
ステージ6に隣接する位置には、支持構造16が設けられている。支持構造16は、基台4から上方に伸長する柱部16aと、柱部16aの上端から水平方向に伸展する庇部16bとを含んでいる。庇部16bの中央には、被加工物11を下向きに押圧する押圧機構18が設けられている。
押圧機構18は、鉛直方向に伸長する中央の主ロッド20と、主ロッド20と平行に配置された複数(本実施形態では4本)の副ロッド22とを含む。複数の副ロッド22は、主ロッド20を囲むように概ね等間隔に配置されている。主ロッド20及び複数の副ロッド22の下端には、被加工物11の形状に対応した円盤状の押圧プレート24が固定されている。
主ロッド20及び複数の副ロッド22は、それぞれ、モータ等を含む昇降機構(不図示)に連結されている。この昇降機構で主ロッド20及び複数の副ロッド22を下降させることにより、押圧プレート24で被加工物11の表面11a側を下向きに押して圧力を加えることができる。なお、この昇降機構は、主ロッド20及び複数の副ロッド22を独立に昇降させて、被加工物11にかかる圧力を調整できる。
押圧工程では、まず、ステージ6の支持面と支持部材17の裏面17bとを接触させるように、支持部材17をステージ6に載せる。そして、樹脂19と粘着テープ15とが接するように、支持部材17に被加工物11を重ねる。
その後、図1(C)に示すように、押圧プレート24を下降させて、被加工物11に下向きの圧力を加える。これにより、支持部材17の表面17aと被加工物11の裏面11b(粘着テープ15)との間で、樹脂19を均一に広げることができる。樹脂19を均一に広げた後には、押圧プレート24を上昇させる。
押圧工程の後には、樹脂19を硬化させて被加工物11を支持部材17に固定する固定工程を実施する。図3(A)は、固定工程を模式的に示す一部断面側面図である。固定工程では、図3(A)に示すように、光源8から紫外線を放射した状態でシャッター10(図2)を開く。
シャッター10を開くと、光源8からの紫外線は、フィルタ12及びステージ6を透過して、支持部材17に照射される。支持部材17は、紫外線を透過する材質で構成されているので、樹脂19は、支持部材17を透過した紫外線によって硬化する。これにより、被加工物11を支持部材17に固定できる。
固定工程の後には、支持部材17に固定された被加工物11を切削ブレードで切削加工する切削工程を実施する。図3(B)は、切削工程を模式的に示す一部断面側面図である。切削工程は、例えば、図3(B)に示す切削装置32で実施される。
切削装置32は、支持部材17の裏面17b側を保持するチャックテーブル(不図示)を備えている。チャックテーブルは、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブルの下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブルは、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブルの上面は、支持部材17の裏面17b側を保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブルの内部に形成された流路等を通じて吸引源の負圧が作用し、支持部材17を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブルの上方には、切削ユニット34が配置されている。切削ユニット34は、昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング(不図示)を備えている。スピンドルハウジングの内部には、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されたスピンドル36が収容されている。
スピンドル36は、回転機構から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジングと共に昇降する。また、スピンドル36の一端部は、スピンドルハウジングの外部に露出している。このスピンドル36の一端部には、円環状の切削ブレード38が装着されている。
切削工程では、支持部材17の裏面17bをチャックテーブルの保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、表面11aが上方に露出した状態でチャックテーブルに保持される。
次に、チャックテーブルと切削ブレード38とを相対的に移動、回転させて、切削ブレード38を加工対象の分割予定ラインに対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード38を被加工物11に接触する高さまで下降させて、チャックテーブルを加工対象の分割予定ライン13と平行な方向に移動させる。
切削ブレード38の切り込み深さは、例えば、被加工物11の厚み以上とする。これにより、被加工物11を加工対象の分割予定ラインに沿って切断できる。この手順を繰り返し、被加工物11が各デバイス13に対応する複数の半導体チップに分割されると、分割工程は終了する。
以上のように、本実施形態に係る被加工物の切削加工方法では、被加工物11の裏面11bに粘着テープ15を貼着し、支持部材17の表面17aに液状の樹脂19を塗布して、樹脂19と粘着テープ15とが接するように支持部材17に被加工物11を重ねた状態で、被加工物11を押圧し、その後、樹脂19を硬化させるので、被加工物11は、粘着テープ15及び樹脂19を介して支持部材17に固定される。よって、十分な接着力のある粘着テープ15を用いることで、樹脂19の接着力が低い場合でも被加工物の剥離を防止できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、貼着工程を実施した後に塗布工程を実施しているが、貼着工程及び塗布工程の順序に制限はない。例えば、塗布工程を実施した後に貼着工程を実施することもできる。また、上記実施形態の押圧工程では、押圧プレート24で被加工物11を押して圧力を加えているが、支持部材17を押して圧力を加えても良い。
また、上記実施形態の塗布工程では、支持部材17に樹脂19を塗布しているが、被加工物11に貼着された粘着テープ15に樹脂19を塗布しても良い。なお、この場合、押圧工程では、支持部材17の表面17a又は裏面17bと粘着テープに塗布された樹脂19とが接するように支持部材17に被加工物11を重ねることになる。
また、上記実施形態では、紫外線で硬化する紫外線硬化型の樹脂19を用いているが、本発明は他の樹脂を用いて実施することもできる。具体的には、溶媒の揮発によって硬化するワックスや、熱硬化型樹脂等を用いることができる。例えば、従来の方法でワックスを用いると、接着力が強くなり過ぎて分割後の半導体チップを容易にピックアップできないことがあった。
これに対して、本発明に係る被加工物の切削加工方法では、粘着テープ15によって適切な接着力を得ることができるので、このような場合にも半導体チップのピックアップが容易である。また、硬化工程で紫外線を用いないので、紫外線を透過しない材質の支持部材を用いることが可能になる。
その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス
15 粘着テープ
17 支持部材
17a 表面
17b 裏面
19 樹脂(紫外線硬化型樹脂)
2 押圧固定装置
4 基台
6 ステージ
8 光源
10 シャッター
12 フィルタ
14 排気管
16 支持構造
16a 柱部
16b 庇部
18 押圧機構
20 主ロッド
22 副ロッド
24 押圧プレート
32 切削装置
34 切削ユニット
36 スピンドル
38 切削ブレード

Claims (3)

  1. 被加工物の切削加工方法であって、
    被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着する貼着工程と、
    支持部材の表面又は裏面に液状の樹脂を塗布する塗布工程と、
    該樹脂と該粘着テープとが接するように該支持部材に該被加工物を重ねた状態で、該被加工物又は該支持部材を押圧する押圧工程と、
    該樹脂を硬化させて該被加工物を該支持部材に固定する固定工程と、
    該支持部材に固定された該被加工物を切削ブレードで切削加工する切削工程と、を備え
    該貼着工程では、該切削工程において該被加工物が剥離しない程度に十分な接着力を持つ該粘着テープを用いることを特徴とする被加工物の切削加工方法。
  2. 被加工物の切削加工方法であって、
    被加工物の表面又は裏面に粘着テープを貼着する貼着工程と、
    被加工物に貼着された該粘着テープに液状の樹脂を塗布する塗布工程と、
    支持部材の表面又は裏面と該樹脂とが接するように該支持部材に該被加工物を重ねた状態で、該被加工物又は該支持部材を押圧する押圧工程と、
    該樹脂を硬化させて該被加工物を該支持部材に固定する固定工程と、
    該支持部材に固定された該被加工物を切削ブレードで切削加工する切削工程と、を備え
    該貼着工程では、該切削工程において該被加工物が剥離しない程度に十分な接着力を持つ該粘着テープを用いることを特徴とする被加工物の切削加工方法。
  3. 該樹脂として、紫外線によって硬化する紫外線硬化型樹脂を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の被加工物の切削加工方法。
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DE102016206056.2A DE102016206056A1 (de) 2015-04-15 2016-04-12 Schneidverfahren für ein Werkstück
CN201610223718.6A CN106057718B (zh) 2015-04-15 2016-04-12 被加工物的切削加工方法
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP2020035918A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7242268B2 (ja) * 2018-11-30 2023-03-20 株式会社ディスコ ダイシング装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
KR101177251B1 (ko) * 2003-06-06 2012-08-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체 장치의 제조방법
CN100454493C (zh) * 2003-06-06 2009-01-21 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2005209940A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP2007088292A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujifilm Corp 板状部材の切断方法
JP4781770B2 (ja) * 2005-10-07 2011-09-28 株式会社ディスコ ウェハ加工方法
JP4729003B2 (ja) * 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
JP5324212B2 (ja) 2008-12-26 2013-10-23 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5771969B2 (ja) * 2010-01-21 2015-09-02 日立化成株式会社 半導体ウェハ加工用接着フィルム
JP2011222877A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd バンプ付き基板用チャックおよびそれを用いてバンプ付き基板の裏面を研削加工する方法
JP5600035B2 (ja) * 2010-06-30 2014-10-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5720159B2 (ja) * 2010-09-28 2015-05-20 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP5762213B2 (ja) * 2011-08-15 2015-08-12 株式会社ディスコ 板状物の研削方法
JP6067348B2 (ja) * 2012-11-26 2017-01-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014135424A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ切断方法
JP2014157909A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の製造方法
JP6188495B2 (ja) * 2013-08-30 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体及びその応用

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