JP4729003B2 - 脆質部材の処理方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 103
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 31
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 10
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical class OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005323 carbonate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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Description
本発明は、半導体ウエハなどの脆質部材の搬送や裏面研削等の加工を施す際の処理方法に関する。
近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材であるＩＣチップを製造するための半導体ウエハの薄型化が進められている。従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。
脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このため、ウエハを極薄まで研削したり、極薄のウエハを運搬したりする場合は、ウエハをガラス板やアクリル板のような硬質板上に両面粘着シートなどにより固定・保護して作業を進めるのが望ましい。
しかしながら、両面粘着シートでウエハと硬質板とを貼り合わせる方法では、一連の工程を終えた後、両者を剥離する際、ウエハが割れてしまうことがあった。２枚の薄層品が貼り合わされてなる積層物を剥離する際には、薄層品の何れか一方、または両者を湾曲させて剥離する必要がある。しかし、硬質板を湾曲することは不可能ないし困難であるため、ウエハ側を湾曲せざるをえない。このため、脆弱なウエハにひずみがかかって割れてしまうことになる。
このような問題を解決するための手段として、ウエハの変形をできる限り低減して剥離を行う方法や、ウエハに保護フィルムを積層するなどしてウエハを補強した上で剥離を行う方法、さらにはウエハを硬質板に固定する手段として、接着力を制御可能な粘着剤や両面粘着テープを用い、剥離時に粘着剤の発泡などの適宜な手段により接着力を低下させた後に剥離を行う方法などが種々提案されている（特許文献１〜５）。
特許文献６では、硬質板を使用せずに、比較的剛性の高い樹脂フィルムを用いた脆質部材の保護方法が開示されている。
特許文献７には、０．５〜３ｍｍの肉厚を有し、かつ肉厚のバラツキが２μｍ以内である合成樹脂製の半導体ウエハ用の支持プレートが開示されている。半導体ウエハの固定手段としては、紫外線照射によりガスを発生する粘着テープが例示されている。
特開2004-153227号公報
特開2005-116678号公報
特開2003-324142号公報
特開2005-277037号公報
国際特許公開WO2003/049164
特開2004-63678号公報
特開2005-333100号公報
ウエハを硬質板上に保持した場合には、ウエハを剥離する際にウエハ側を変形することとなる。このため、ウエハの破損を完全に防止することは難しい。また、発泡などにより接着力を低減するように設計された特殊な粘着剤や両面粘着テープを使用した場合には、ウエハに接着剤が残着し、ウエハを汚染してしまう可能性もある。特許文献６、特許文献７に提案されている方法では、剛性の樹脂フィルムあるいは樹脂プレート側を変形してウエハからの剥離を行うため、剥離工程におけるウエハの破損という問題は解消できる。しかし、支持体が樹脂からなるため、形状保持性が必ずしも十分ではなく、ウエハの搬送時にウエハが破損するおそれがある。また、樹脂フィルムあるいは樹脂プレートは、耐熱性が低く熱変形が起こりやすく、常温でも塑性変形するため繰り返し使用できない。さらに、厚さの誤差を小さくすることが難しく、その厚さの誤差が処理後のウエハの厚さ精度に影響を及ぼすことがある。
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、半導体ウエハなどの脆質部材の搬送や裏面研削等の加工などの所定の処理を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく剥離することができる、厚み精度の高い脆質部材の処理方法を提供することを目的としている。
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）可撓性ガラス基板上に、脆質部材を再剥離可能に固定する工程、
前記脆質部材に処理を行う工程、
前記脆質部材側を支持手段により固定する工程、および
前記可撓性ガラス基板を湾曲させて脆質部材から剥離する工程を含む脆質部材の処理方法。
（２）前記可撓性ガラス基板の外径が、前記脆質部材の外径と同一またはこれよりも大である（１）に記載の処理方法。
（３）前記可撓性ガラス基板が３０度以上曲がるものである（１）に記載の処理方法。
（４）前記剥離工程が、可撓性ガラス基板の端部を把持し、端部を脆質部材から引き上げつつ、可撓性ガラス基板の折り返し方向に移動して剥離する（１）に記載の処理方法。
（５）前記剥離工程が、脆質部材に第１のリングフレームに張設された第１の粘着シートを貼付し、可撓性ガラス基板に第２のリングフレームに張設された第２の粘着シートを貼付し、
第１の粘着シート側を吸着テーブル上に固定し、
第１のリングフレームと第２のリングフレームとの間隔を離間させて、第２の粘着シートに貼付された可撓性ガラス基板を湾曲しつつ脆質部材の表面から剥離する（１）に記載の処理方法。
（６）前記脆質部材が半導体ウエハである（１）〜（５）のいずれかに記載の処理方法。
（７）脆質部材に施される処理が、半導体ウエハの裏面研削である（６）に記載の処理方法。
前記脆質部材に処理を行う工程、
前記脆質部材側を支持手段により固定する工程、および
前記可撓性ガラス基板を湾曲させて脆質部材から剥離する工程を含む脆質部材の処理方法。
（２）前記可撓性ガラス基板の外径が、前記脆質部材の外径と同一またはこれよりも大である（１）に記載の処理方法。
（３）前記可撓性ガラス基板が３０度以上曲がるものである（１）に記載の処理方法。
（４）前記剥離工程が、可撓性ガラス基板の端部を把持し、端部を脆質部材から引き上げつつ、可撓性ガラス基板の折り返し方向に移動して剥離する（１）に記載の処理方法。
（５）前記剥離工程が、脆質部材に第１のリングフレームに張設された第１の粘着シートを貼付し、可撓性ガラス基板に第２のリングフレームに張設された第２の粘着シートを貼付し、
第１の粘着シート側を吸着テーブル上に固定し、
第１のリングフレームと第２のリングフレームとの間隔を離間させて、第２の粘着シートに貼付された可撓性ガラス基板を湾曲しつつ脆質部材の表面から剥離する（１）に記載の処理方法。
（６）前記脆質部材が半導体ウエハである（１）〜（５）のいずれかに記載の処理方法。
（７）脆質部材に施される処理が、半導体ウエハの裏面研削である（６）に記載の処理方法。
本発明においては、可撓性ガラス基板に脆質部材を固定して保護しているため、脆質部材の搬送・保管・加工時において脆質部材を変形することなく保持でき、厚み精度の高い脆質部材の処理を施すことができる。また、従来用いられていた硬質ガラス板と異なり、本発明で使用する可撓性ガラス基板は湾曲可能であるため、脆質部材から可撓性ガラス基板を剥離する際に、脆質部材を変形することなく、可撓性ガラス基板側を変形して剥離できるため、脆質部材の破損が防止される。
以下、本発明について図面を参照しながら、さらに具体的に説明する。
本発明の処理方法では、図１に示すように、可撓性ガラス基板１上に仮着手段２を介して脆質部材３が再剥離可能に固定して、脆質部材３を保護する構造体１０を形成する。
保護対象である脆質部材３としては、シリコンウエハ、ガリウム・ヒ素ウエハ等の各種半導体ウエハ、光学ガラス、セラミックプレート等の精密加工が要求される、壊れやすい材質からなる被加工物が挙げられるが、これらに限定されない。これらの中でも、特に半導体ウエハに好適であり、具体的には、表面に回路が形成された半導体ウエハに適用することが特に好ましい。さらに、本発明の処理方法は、裏面研削を施されて厚みが極めて薄くなり、強度が極端に低下した半導体ウエハに好ましく適用できる。
可撓性ガラス基板１は、上記脆質部材３の搬送・保管・加工時において、これを支持し保護する機能を果たす。また、脆質部材３から可撓性ガラス基板１を剥離する際には、可撓性ガラス基板１側を変形、湾曲して剥離を行う。このため、可撓性ガラス基板１は、適度な曲げ物性を有することが特に好ましい。
具体的には、可撓性ガラス基板１は、湾曲した際に３０度以上、好ましくは４０度以上、さらに好ましくは５０度以上曲がることが好ましい。すなわち、本発明で使用する可撓性ガラス基板１の最大曲げ角度は３０度以上である。最大曲げ角度は、可撓性ガラス基板１の一端を保持し、他端を基板の折り返し方向に折り曲げた際の破壊直前の最大曲げの接線角度で定義される。最大曲げ角度が小さすぎる場合には、可撓性ガラス基板１が湾曲途中に降伏点を迎えてしまい、可撓性ガラス基板１の破損や、脆質部材３の破損を招くおそれがある。
可撓性ガラス基板１は、その材質は特に限定はされないが、上記の好ましい曲げ物性を満たしうる材料としては、たとえば特開平５−３２４３１号公報に記載の化学強化ガラスが挙げられる。このような化学強化ガラスは、具体的には、６２〜７５重量％のＳｉＯ2 、５〜１５重量％のＡｌ2 Ｏ3 、４〜１０重量％のＬｉ2 Ｏ、４〜１２重量％のＮａ2 Ｏ、および５．５〜１５重量％のＺｒＯ2 を含有し、かつＮａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜２．５であるガラス（以下、「原料ガラス」と記載する）を、Ｎａイオンおよび／またはＫイオンを含有する処理浴でイオン交換処理して化学強化して得られる。
Ｎａイオンおよび／またはＫイオンを含有する処理浴としては、硝酸ナトリウムおよび／または硝酸カリウムを含有する処理浴を用いるのが好ましいが、硝酸塩に限定されるものではなく、硫酸塩、重硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩、ハロゲン化物を用いても良い。処理浴がＮａイオンを含む場合には、このＮａイオンがガラス中のＬｉイオンとイオン交換し、また処理浴がＫイオンを含む場合には、このＫイオンがガラス中のＮａイオンとイオン交換し、さらに処理浴がＮａイオンおよびＫイオンを含む場合には、これらＮａイオンおよびＫイオンが、ガラス中のＬｉイオンおよびＮａイオンとそれぞれイオン交換する。このイオン交換により、ガラス表層部のアルカリ金属イオンが、より大きなイオン半径のアルカリ金属イオンに置き換わり、ガラス表層部に圧縮応力層が形成されてガラスが化学強化される。原料ガラスは、優れたイオン交換性能を有するので、イオン交換によって形成された圧縮応力層は深く、抗折強度が高いので、得られる化学強化ガラスは優れた耐破壊性を有する。圧縮応力層の深さは、適度な抗折強度が得られる程度であり、圧縮応力層の深さは、たとえばガラス断面の偏光顕微鏡観察などの手法により測定される。
かかる化学強化ガラスは、上述した曲げ物性を有し、湾曲しても破壊されない可撓性を示す。また湾曲後に応力を除去すると、速やかに形状を復元する。
可撓性ガラス基板１の厚みは、特に限定はされないが、３００〜１５００μｍ程度が適当である。可撓性ガラス基板１の厚みが薄すぎる場合には、脆性部材を支持するための十分な強度が得られないことがあり、また厚すぎる場合には、剥離工程において可撓性ガラス基板を湾曲できない場合がある。
また、可撓性ガラス基板１の径は、保護対象である脆質部材３の径と同一またはこれよりも若干大きめのものが採用される。より具体的には、可撓性ガラス基板１は、保護対象である脆質部材３の外径よりも、好ましくは０．１〜５ｍｍ、さらに好ましくは０．５〜２ｍｍ程度大きな外径を有する。さらに、後述するように、仮着手段２を、紫外線硬化型粘着剤を用いて構成する場合は、可撓性ガラス基板１は、紫外線透過性を有することが好ましい。
可撓性ガラス基板１の最大曲げ角度は、同一の材料であれば、厚みが小さいほど大きくなる。
構造体１０では、上記可撓性ガラス基板１上に、仮着手段２を介して脆質部材３が再剥離可能に固定されてなる。仮着手段２は、脆質部材３を可撓性ガラス基板１上に安定して保持でき、かつ簡便に剥離できる機能を有する。仮着手段２はかかる機能を有する限り特に限定はされず、単層の粘着フィルムであってもよく、また図１に示したように両面粘着テープであってもよい。たとえば仮着手段２は、弱粘着剤からなる単層の粘着フィルムであってもよい。また、紫外線硬化型粘着剤からなる単層フィルムであってもよい。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線照射により粘着力が消失または激減するため、紫外線照射前には脆質部材３を可撓性ガラス基板１上に安定して保持し、紫外線照射後には容易に剥離できる。本発明で使用する可撓性ガラス基板１は、樹脂板とは異なり、透明であり紫外線透過性を有することから、紫外線硬化型粘着剤を使用しても何ら支障はない。
また、取り扱いの容易性などの観点から、仮着手段２は、図１に示したように両面粘着テープからなることが特に好ましい。
両面粘着テープ２は、図１に示したように、中心に基材２１と、その両側の面に粘着剤層２２、２３が設けられた構成からなる。この場合、中心に配置する基材２１としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムよりなる。また、基材２１の両側の面に設けられる粘着剤層２２，２３としては、再剥離可能であれば、従来公知の粘着剤が使用できる。たとえば通常の弱粘着剤であってもよく、また、剥離力を紫外線照射により制御できる紫外線硬化型粘着剤であってもよい。
この基材２１の両側の面に設けられる粘着剤層２２，２３は、どちらも同じものであってもよいが、両側が異なる材質のものでもよい。たとえば、粘着剤層２２，２３の何れか一方を紫外線硬化型粘着剤で構成し、他方を紫外線非硬化性の粘着剤で構成してもよい。剥離時に、脆質部材３に貼着される側の粘着剤層２２が、可撓性ガラス基板１の側に設けられる粘着剤層２３よりも剥離力が小さくなるように選択されるような構成であれば、可撓性ガラス基板１を脆質部材３から剥離する際に、両面粘着テープ２が可撓性ガラス基板１側に残着し、脆質部材３の側に残らず剥離されるため、脆質部材３から両面粘着テープ２を再度剥離するという工程が不要となる。一方、可撓性ガラス基板１に貼着される側の粘着剤層２２が、脆質部材３の側に設けられる粘着剤層２３よりも剥離力が小さくなるように選択されるような構成であれば、可撓性ガラス基板１を脆質部材３から剥離する際に、両面粘着テープ２が脆質部材３の表面に残着し、可撓性ガラス基板１の側に残らず剥離されるため、脆質部材３の保護膜として使用することができる。
構造体１０においては、脆質部材３上に、さらに保護テープなどを貼り合わせ、脆質部材３を補強してもよい。
上記構造体１０の実現手段は特に限定はされず、予め仮着手段２が貼着された可撓性ガラス基板１に脆質部材３を貼着してもよく、この逆でもよい。脆質部材３が、表面に回路が形成された半導体ウエハの場合には、回路面側を仮着手段２に貼り合わせて、回路面の保護を行う。
次いで、脆質部材３に任意の処理を行う。この処理は、脆質部材３の用途に応じて様々であり、種々の加工処理、あるいは搬送や保管等をも含む。たとえば脆質部材３が表面に回路が形成された半導体ウエハの場合には、加工処理としては、ウエハ裏面に対するエッチング処理、ポリッシング処理、スパッタ処理、蒸着処理、研削処理等である。なお、脆質部材３に施される処理が、保管、搬送である場合には、かかる処理に先立ち、脆質部材３上に、さらに保護テープなどを貼り合わせ、脆質部材３を補強してもよい。
その後、前記可撓性ガラス基板１を脆質部材３から剥離する。剥離工程に先立ち、図１に示すように、脆質部材３の変形を防止するため、脆質部材３側を支持手段１１により固定する。支持手段１１は、脆質部材３を変形することなく保持できるものであれば特に限定はされないが、たとえば吸着テーブル、粘着テープであり、また脆質部材の材質にもよるが電磁石などの磁性材料であってもよい。
このような支持手段１１で脆質部材３を固定しつつ、図３、図７に示すように、可撓性ガラス基板１側を剥離する。この結果、脆質部材３の変形が防止されるため、脆質部材３の破損が低減される。
本発明では、脆質部材３を支持するために、可撓性ガラス基板１を使用しているため、脆質部材３を可撓性ガラス基板１から剥離する際に、可撓性ガラス基板１を湾曲させて剥離することができる。
可撓性ガラス基板１を湾曲させて剥離するためには、たとえば可撓性ガラス基板１の端部を把持し、端部を脆質部材３から引き上げつつ、可撓性ガラス基板の折り返し方向に移動する。可撓性ガラス基板１の端部を把持する手段は如何なるものであってもよいが、たとえば図２（Ａ）に斜視図、図２（Ｂ）に側面図に示すように、エアシリンダ３１などによって上下動可能に保持された上部可動板３２と、下部挿入板３３と、これらを支持する軸３４とからなる剥離治具３０が好ましく用いられる。この剥離治具３０を使用する場合には、図３に示すように、下部挿入板３３を脆質部材３と仮着手段２との間に挿入し、上部可動板３２を下降して、下部挿入板３３と上部可動板３２とで可撓性ガラス基板１の端部を把持する。その後、図３に示すように、端部を脆質部材３から引き上げつつ、可撓性ガラス基板１の折り返し方向に移動し、可撓性ガラス基板１を湾曲させながら剥離する。この方法によれば、仮着手段２が可撓性ガラス基板１とともに剥離されるため、脆質部材３から仮着手段２を再度剥離するという工程が不要となる。また、下部挿入板を可撓性ガラス基板１と仮着手段２との間に挿入して可撓性ガラス基板１の剥離を行っても良い。この場合には、仮着手段２は、脆質部材３上に残着するが、仮着手段は柔軟であるので、脆質部材３からの剥離は容易である。
可撓性ガラス基板１の剥離後、支持手段１１の保持力を解くことで、破損や汚染のない脆質部材が回収される。なお、支持手段１１の保持力を解くには、たとえば支持手段が吸着テーブルである場合には、吸引力を解けばよく、また、粘着テープの場合には、これを剥離すればよい。磁性材料の場合には、電磁石などを使用し、所要の工程が終了後に通電を停止することで支持手段の保持力は解かれる。
また、脆質部材３が半導体ウエハである場合には、支持手段１１としてダイシングシートを使用してもよい。ダイシングシート上に半導体ウエハを固定しつつ、可撓性ガラス基板１を剥離することで、ダイシングシート上に半導体ウエハが転着される。したがって、裏面研削工程に続くダイシング工程への移行が簡便に行われる。
特にダイシングシート上に半導体ウエハを転着する場合には、二組のリングフレーム、二枚の剥離用の粘着シートおよび剥離手段としての転着装置４０を用いた次の方法を採用することが好ましい。
まず、リングフレーム（ＲＦ）に張設された粘着シート（ＡＳ）からなる固定治具を二組用意する。次いで、この二組の固定治具で、可撓性ガラス基板１と半導体ウエハ３との積層体を挟み込む。以下、半導体ウエハ３側の固定治具を、第１の固定治具と呼び、この治具を構成するリングフレームを第１のリングフレームＲＦ１、粘着シートを第１の粘着シートＡＳ１と呼ぶ。同様に、可撓性ガラス基板１側の固定治具を、第２の固定治具と呼び、この治具を構成するリングフレームを第２のリングフレームＲＦ２、粘着シートを第２の粘着シートＡＳ２と呼ぶ。
転着装置４０は、図４に示すように、回転軸４１、該回転軸に取り付けられた一対の薄板状アーム４２、および被処理物を一時的に固定する支持手段としての吸着テーブル４３からなる。上記二組の固定治具に挟持された可撓性ガラス基板１と半導体ウエハ３との積層体を、上記転着装置４０に装着する。この際、第１の固定治具側を吸着テーブル４３上に固定する。次いで、薄板状アーム４２をリングフレームＲＦ１、ＲＦ２の間に挿入する。図４におけるＡ−Ａ線断面図を図５に示し、また図４の側面図を図６に示す。
その後、薄板状アーム４２が連結されている回転軸４１を回転させ、リングフレームＲＦ１とリングフレームＲＦ２との間隔を離間させる（図７）。この結果、可撓性ガラス基板１は、第２の固定治具の移動に伴って変形し、湾曲しつつ半導体ウエハ３の表面から剥離される。
その後、半導体ウエハ３表面に仮着手段２が残着している場合には、これを剥離除去して、半導体ウエハ３が第１の粘着シートＡＳ１上に転着される。
リングフレームＲＦ１に張設された粘着シートＡＳ１上に転着された半導体ウエハ３は、ウエハカセット（図示せず）に収納され、次工程であるダイシング工程等に移送される。この場合、粘着シートＡＳ１はそのままダイシングシートとして使用できる。一方、第２の固定治具に保持された可撓性ガラス基板１は、粘着シートＡＳ２から剥離され、必要に応じ洗浄、除歪処理の後、再度使用される。
なお、本発明に係る脆質部材の処理方法について、半導体ウエハに適用した例を主として説明したが、本発明の構造および方法は、半導体ウエハのみならず、ガラス、セラミックスなどの各種の脆質部材に適用できる。
本発明においては、可撓性ガラス基板に脆質部材を固定して保護しているため、脆質部材の搬送・保管・加工時において脆質部材を変形することなく保持できる。また、従来の硬質ガラスと異なり、本発明で使用する可撓性ガラス基板は湾曲可能であるため、脆質部材から可撓性ガラス基板を剥離する際に、脆質部材を変形することなく、可撓性ガラス基板側を変形して剥離できるため、脆質部材の破損が防止される。
（実施例）
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、可撓性ガラス基板１の最大曲げ角度は、以下のように測定した。
図８は、可撓性ガラス基板の曲げ角度の測定方法を示した図である。図８（ａ）において、厚み２５ｍｍ×幅２００ｍｍ×奥行き２５０ｍｍの木板や鉄板などの硬質板６１Ａの上に、厚み３ｍｍ×幅２００ｍｍ×奥行き２５０ｍｍのゴムシートやビニールシートなどの軟質シート６２Ａを貼り付けた。同じ大きさの軟質シート６２Ｂを貼り付けた同じ大きさの硬質板６１Ｂを用意し、２８ｍｍ×２５０ｍｍの面同士を合わせた。当接面の上端をＡ地点とし、Ａ地点を基点に折り曲げの動きができるようにＡ地点付近に蝶番を取り付けてある。軟質シート６２Ａ付き硬質板６１Ａは動かないように固定し、軟質シート６２Ｂ付き硬質板６１ＢはＡ地点で折り曲げることができる。
そして、厚み２５ｍｍ×幅１５０ｍｍ×奥行き２５０ｍｍの半円柱状硬質板６５は、奥行き２５０ｍｍの半径１２．５ｍｍの半円柱に仕上げてある。この半円柱硬質板６５に、厚み３ｍｍ×幅２９０ｍｍ×奥行き２５０ｍｍの第２軟質シート６６を図８に示すように貼り付けてある。
可撓性ガラス基板の曲げ角度の測定の際には、Ａ地点が可撓性ガラス基板の円中心線と一致するように配置される。そして、可撓性ガラス基板が動かないように上記第２粘着シート６６付き半円柱硬質板６５が可撓性ガラス基板上に押し付けられる。半円柱硬質板６５が可撓性ガラス基板を押し付ける位置は、第２軟質シート６６の半円柱最外部と可撓性ガラス基板の円中心線とが一致する位置である。
次に図８（ｂ）に示すように軟質シート６２Ｂ付き硬質板６１Ｂが矢印６７の方向に、Ａ地点を支点としてゆっくり回転する。可撓性ガラス基板は第２軟質シート６６付き半円柱硬質板６５の下部半円柱の円弧に沿って曲がる。矢印６７の方向に回転する角度は、曲げ角度で約１°／秒で行う。曲げ角度とは、軟質６２Ａの上面と軟質シート６２Ｂとの上面との角度６９で表した。そして、最大曲げ角度とは、可撓性ガラス基板が矢印６７の方向にどんどん押し上げられて、可撓性ガラス基板が割れてしまった時の角度とした。軟質シート６２Ａの上面と軟質シート６２Ｂの上面との角度６９は、分度器を使って１°単位で計測した。
また、支持性、剥離性の評価は、下記のとおり行った。
（１）支持性
両面粘着テープを介して所定の可撓性ガラス基板と脆質部材としての８インチシリコンウエハ（厚さ７２０μｍ）とを積層した。続いて、ウエハ裏面研削機（株式会社ディスコ社製ＤＦＧ−８４０）を用いてシリコンウエハの厚みが５０μｍになるまで研削を行い、構造体とした。平滑な板上に高さ５０ｍｍ、直径５０ｍｍの円柱状の台を置き、さらにその台上に研削したシリコンウエハを可撓性ガラス基板側を下にして、ウエハの中心と台の中心とが一致するように置いた。平滑な板から可撓性ガラス基板のエッジ部までの距離を定規で測定し、４９ｍｍ〜５１ｍｍであれば良好とし、それ以外であれば不可と判断した。
両面粘着テープを介して所定の可撓性ガラス基板と脆質部材としての８インチシリコンウエハ（厚さ７２０μｍ）とを積層した。続いて、ウエハ裏面研削機（株式会社ディスコ社製ＤＦＧ−８４０）を用いてシリコンウエハの厚みが５０μｍになるまで研削を行い、構造体とした。平滑な板上に高さ５０ｍｍ、直径５０ｍｍの円柱状の台を置き、さらにその台上に研削したシリコンウエハを可撓性ガラス基板側を下にして、ウエハの中心と台の中心とが一致するように置いた。平滑な板から可撓性ガラス基板のエッジ部までの距離を定規で測定し、４９ｍｍ〜５１ｍｍであれば良好とし、それ以外であれば不可と判断した。
（２）剥離性
図３または図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板の剥離を行った。半導体ウエハ側を破損、汚染することなく剥離できたものを良好とした。半導体ウエハを剥離できなかったり、ウエハの破損、汚染があったものを不良とした。
図３または図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板の剥離を行った。半導体ウエハ側を破損、汚染することなく剥離できたものを良好とした。半導体ウエハを剥離できなかったり、ウエハの破損、汚染があったものを不良とした。
（実施例１）
（両面粘着テープの製造）
粘着剤ＡおよびＢとして、下記粘着剤を準備した。
（両面粘着テープの製造）
粘着剤ＡおよびＢとして、下記粘着剤を準備した。
粘着剤Ａ：２−エチルヘキシルアクリレート８５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１５重量部からなる重量平均分子量４００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤９．４重量部とを配合した粘着剤。
粘着剤Ｂ：ブチルアクリレート８０重量部、メチルメタクリレート１０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部からなる重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部とトリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤０．９重量部を配合した粘着剤。
粘着剤Ｂ：ブチルアクリレート８０重量部、メチルメタクリレート１０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部からなる重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部とトリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤０．９重量部を配合した粘着剤。
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムにロールコーターを用いて粘着剤Ａを乾燥厚み２０μｍとなるように塗布乾燥し、剥離フィルムとラミネートした。続いて、別の剥離フィルムに粘着剤Ｂを乾燥厚み２０μｍとなるように塗布乾燥し、ＰＥＴの粘着剤Ａを塗布した面と逆面にラミネートし両面粘着シートを得た。
（可撓性ガラス基板の製造）
６３重量％のＳｉＯ２、１４重量％のＡｌ２Ｏ３、６重量％のＬｉ２Ｏ、１０重量％のＮａ２Ｏ、７重量％のＺｒＯ２の組成比からなる原料ガラス混合物を１５００〜１６００℃で５時間加熱溶融した後、鉄板上に流し出しプレスをしてガラス板を得た。次に所望の大きさに加工・研磨し、外径２０１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円形ガラス板を得た。続いて、ガラス板を３６０℃のＫＮＯ３：６０％、ＮａＮＯ３：４０％の混塩溶融液に３時間浸漬し、ガラス板表面部のイオン交換を行い、圧縮応力層が１００μｍの化学強化した可撓性ガラス基板Ａを得た。このガラスの最大曲げ角度は、約４０度であった。
６３重量％のＳｉＯ２、１４重量％のＡｌ２Ｏ３、６重量％のＬｉ２Ｏ、１０重量％のＮａ２Ｏ、７重量％のＺｒＯ２の組成比からなる原料ガラス混合物を１５００〜１６００℃で５時間加熱溶融した後、鉄板上に流し出しプレスをしてガラス板を得た。次に所望の大きさに加工・研磨し、外径２０１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円形ガラス板を得た。続いて、ガラス板を３６０℃のＫＮＯ３：６０％、ＮａＮＯ３：４０％の混塩溶融液に３時間浸漬し、ガラス板表面部のイオン交換を行い、圧縮応力層が１００μｍの化学強化した可撓性ガラス基板Ａを得た。このガラスの最大曲げ角度は、約４０度であった。
（構造体の形成）
両面の剥離フィルムを剥がした両面粘着シートを介して可撓性ガラス基板Ａと厚み７２０μｍの８インチシリコンウエハを真空下で積層した。その後、ウエハ裏面研削機（株式会社ディスコ社製ＤＦＧ−８４０）を用いてシリコンウエハの厚みが５０μｍになるまで研削を行い、図３に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板Ａの剥離を行った。この構造体の支持性と剥離性の評価を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
両面の剥離フィルムを剥がした両面粘着シートを介して可撓性ガラス基板Ａと厚み７２０μｍの８インチシリコンウエハを真空下で積層した。その後、ウエハ裏面研削機（株式会社ディスコ社製ＤＦＧ−８４０）を用いてシリコンウエハの厚みが５０μｍになるまで研削を行い、図３に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板Ａの剥離を行った。この構造体の支持性と剥離性の評価を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
（実施例２）
図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板の剥離を行った以外は実施例１と同様の操作を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板の剥離を行った以外は実施例１と同様の操作を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
（実施例３）
（可撓性ガラス基板の製造）
実施例１と同じ組成比からなる原料ガラス混合物を１５００〜１６００℃で５時間加熱溶融した後、鉄板上に流し出しプレスをしてガラス板を得た。次に所望の大きさに加工・研磨し、外径２０１ｍｍ、厚さ１ｍｍの円形ガラス板を得た。続いて、ガラス板を３６０℃のＫＮＯ３：６０％、ＮａＮＯ３：４０％の混塩溶融液に３時間浸漬し、ガラス板表面部のイオン交換を行い、圧縮応力層が１００μｍの化学強化した可撓性ガラス基板Ｂを得た。このガラスの最大曲げ角度は、約３２度であった。図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板Ｂの剥離を行った以外は実施例２と同様の操作を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
（可撓性ガラス基板の製造）
実施例１と同じ組成比からなる原料ガラス混合物を１５００〜１６００℃で５時間加熱溶融した後、鉄板上に流し出しプレスをしてガラス板を得た。次に所望の大きさに加工・研磨し、外径２０１ｍｍ、厚さ１ｍｍの円形ガラス板を得た。続いて、ガラス板を３６０℃のＫＮＯ３：６０％、ＮａＮＯ３：４０％の混塩溶融液に３時間浸漬し、ガラス板表面部のイオン交換を行い、圧縮応力層が１００μｍの化学強化した可撓性ガラス基板Ｂを得た。このガラスの最大曲げ角度は、約３２度であった。図７に示す剥離手段を用いて可撓性ガラス基板Ｂの剥離を行った以外は実施例２と同様の操作を行った。支持性、剥離性ともに良好であった。
１・・・可撓性ガラス基板
２・・・両面粘着テープ（仮着手段）
２１・・・基材
２２，２３・・・粘着剤層
３・・・脆質部材
１０・・・構造体
１１・・・支持手段
３０・・・剥離手段
３１・・・エアシリンダ
３２・・・上部可動板
３３・・・下部挿入板
３４・・・軸
４０・・・転着装置（他の剥離手段）
４１・・・回転軸
４２・・・薄板状アーム
４３・・・吸着テーブル
６１Ａ、６１Ｂ・・・硬質板
６２Ａ、６２Ｂ・・・軟質シート
６５・・・半円柱硬質板
６６・・・第２軟質シート
６９・・・角度
２・・・両面粘着テープ（仮着手段）
２１・・・基材
２２，２３・・・粘着剤層
３・・・脆質部材
１０・・・構造体
１１・・・支持手段
３０・・・剥離手段
３１・・・エアシリンダ
３２・・・上部可動板
３３・・・下部挿入板
３４・・・軸
４０・・・転着装置（他の剥離手段）
４１・・・回転軸
４２・・・薄板状アーム
４３・・・吸着テーブル
６１Ａ、６１Ｂ・・・硬質板
６２Ａ、６２Ｂ・・・軟質シート
６５・・・半円柱硬質板
６６・・・第２軟質シート
６９・・・角度
Claims (5)
- 可撓性ガラス基板上に、脆質部材を再剥離可能に固定する工程、
前記脆質部材に処理を行う工程、
前記脆質部材側を支持手段により固定する工程、および
前記可撓性ガラス基板を湾曲させて脆質部材から剥離する工程を含み、
前記剥離工程が、脆質部材に第１のリングフレームに張設された第１の粘着シートを貼付し、可撓性ガラス基板に第２のリングフレームに張設された第２の粘着シートを貼付し、
第１の粘着シート側を吸着テーブル上に固定し、
第１のリングフレームと第２のリングフレームとの間隔を離間させて、第２の粘着シートに貼付された可撓性ガラス基板を湾曲しつつ脆質部材の表面から剥離する工程である、脆質部材の処理方法。 - 前記可撓性ガラス基板の外径が、前記脆質部材の外径と同一またはこれよりも大である請求項１に記載の処理方法。
- 前記可撓性ガラス基板が３０度以上曲がるものである請求項１に記載の処理方法。
- 前記脆質部材が半導体ウエハである請求項１〜３のいずれかに記載の処理方法。
- 脆質部材に施される処理が、半導体ウエハの裏面研削である請求項４に記載の処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007152857A JP4729003B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | 脆質部材の処理方法 |
| KR1020080052654A KR20080108026A (ko) | 2007-06-08 | 2008-06-04 | 취성재료의 처리방법 |
| TW103116328A TWI509734B (zh) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 脆質部材之處理方法 |
| US12/134,978 US8113914B2 (en) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | Treating method for brittle member |
| TW097121271A TWI491469B (zh) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | The treatment of brittle parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007152857A JP4729003B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | 脆質部材の処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011091270A Division JP5149977B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008306049A JP2008306049A (ja) | 2008-12-18 |
| JP4729003B2 true JP4729003B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=40096315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007152857A Active JP4729003B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | 脆質部材の処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8113914B2 (ja) |
| JP (1) | JP4729003B2 (ja) |
| KR (1) | KR20080108026A (ja) |
| TW (2) | TWI509734B (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8936057B2 (en) * | 2005-08-30 | 2015-01-20 | Rockwell Collins, Inc. | Substrate lamination system and method |
| US8603288B2 (en) | 2008-01-18 | 2013-12-10 | Rockwell Collins, Inc. | Planarization treatment of pressure sensitive adhesive for rigid-to-rigid substrate lamination |
| US8691043B2 (en) * | 2005-08-30 | 2014-04-08 | Rockwell Collins, Inc. | Substrate lamination system and method |
| US8137498B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-03-20 | Rockwell Collins Inc. | System and method for completing lamination of rigid-to-rigid substrates by the controlled application of pressure |
| JP4289630B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-07-01 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | ウエハ支持ガラス |
| US9939526B2 (en) | 2007-09-06 | 2018-04-10 | Rockwell Collins, Inc. | Display system and method using weather radar sensing |
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| TW201436096A (zh) | 2014-09-16 |
| US8113914B2 (en) | 2012-02-14 |
| TWI509734B (zh) | 2015-11-21 |
| TWI491469B (zh) | 2015-07-11 |
| TW200914198A (en) | 2009-04-01 |
| JP2008306049A (ja) | 2008-12-18 |
| US20080305721A1 (en) | 2008-12-11 |
| KR20080108026A (ko) | 2008-12-11 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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