JP2005209940A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】工程間の搬送時にチップの欠け、チップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、かつ接着剤層の切断時におけるチップの整列性が良好で、生産効率の良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの回路面側からウエハ厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成する工程、該半導体ウエハの回路面に表面保護用粘着シートを貼着する工程、該半導体ウエハの裏面を研削し所定厚みにするとともにウエハを個片化する工程、個片化されたチップ集合体の裏面側にチップ固定用接着シートを積層する工程、前記個片化されたチップ集合体を支持したまま、表面保護用粘着シート側をウエハ戴置テーブルに固定し、前記チップ固定用接着シートをチップ毎に切断する工程、該チップ固定用接着シート付のチップをピックアップする工程、チップ搭載用の基板上に該チップ固定用接着シートを介してチップをボンディングする工程。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは工程間の搬送時にウエハあるいはチップの損傷を低減でき、さらに極薄チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、しかもチップのピックアップ時におけるチップの整列性が良好であり、生産効率の向上が可能な半導体装置の製造方法に関する。

近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このような薄型半導体チップは、ウエハの回路面に表面保護用粘着シートを貼付して、ウエハ裏面を研削した後、ウエハをダイシングして得られるが、研削後のウエハ厚が薄くなるとダイシング時にチップの欠けやチップクラックが発生しやすい。

そこで、このようなチップの薄厚化を達成する他の方法として、特許文献１には、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。また、同号公報には、裏面研削工程後、マウンティング用テープに付着しているペレット（チップ）をマウンティング用テープから分離（ピックアップ）してリードフレームに固着する方法が開示されている。

このような方法によると、マウンティング用テープに付着しているチップの位置ズレが生じ、ピックアップ装置の認識不良が発生し、生産効率が低下する場合がある。また、従来マウンティング用テープに固定されている半導体チップをピックアップし、基台上に固着する場合には、ディスペンサー法と呼ばれる方法や、フィルム状接着剤を用いる方法が採られている。

ディスペンサー法は、液状接着剤をディスペンサーにより、基台上のチップ固着予定位置に、所定量塗布し、その上に半導体チップを圧着・固定する方法である。しかしこの方法では、接着剤の塗出量の制御が難しく、接着剤量が一定せず、品質にばらつきができる。また液状接着剤であるためブリード現象が起こるなどの問題もある。接着剤のブリードが起こると、チップ上面にまで接着剤がまき上がってしまったり、あるいは半導体チップが傾くため、ワイヤーボンディング時に不都合が生じる。また、樹脂封止の後に、高温状態下に置かれた場合には、ブリードした接着剤から発生する揮発性成分のために、パッケージクラックに至る場合もある。

フィルム状接着剤を用いる方法では、予め基台上のチップ固着予定位置にチップとほぼ同一形状に切断したフィルム状接着剤を貼付しておくか、あるいは予めチップとほぼ同一形状に切断したフィルム状接着剤をチップに貼付しておき、該フィルム状接着剤を介して基台にチップを固着する。しかしこの方法では、フィルム状接着剤を、チップとほぼ同一形状に切断しておく準備が必要であり、手間がかかるとともに、また、チップと同サイズの極めて小さなフィルム状接着剤をチップに貼付する作業があり、煩雑でもある。

さらに、上記何れの手段を採るとしても、極薄にまで研削されて脆くなった微小なチップを取扱うため、僅かな操作ミスによってもチップが破損してしまう。このため、特にチップ裏面に接着剤層を形成するための簡便かつ確実な方法の開発が要請されている。このような課題の解決を目的とし、本発明者らは既に特許文献２において、「半導体回路が形
成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護用粘着シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行い、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該表面保護用粘着シートを剥離し、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法」を提案している。

この方法により、極薄チップ裏面に適当量の接着剤層を簡便かつ確実に形成できる。しかし、ダイシング・ダイボンドシートを貼着し、表面保護用粘着シートを剥離する際に、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層に歪みが起こり、結果的にチップの位置ズレが発生することがある。また、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断する際に、接着剤層の振動・流動によりチップの位置ズレが起こることがある。チップの位置ズレが起こると、ピックアップ装置の認識不良が発生し、生産効率が低下する場合がある。

この問題を解消するため、特許文献３では、特に第２の発明として「半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護用粘着シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行い、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該接着剤層を一次硬化し、チップ間に存在しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に載置して該接着剤層を二次硬化してチップを基台上に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法」が提案されている。

この方法では、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断する前にこれを一次硬化しているため、ダイシングブレードにより発生する剪断力が接着剤層に付加されたとしても、チップの位置ズレは起こり難くなる。

しかし、上記特許文献２および特許文献３においては、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断する際には、既に個片化されたチップの隙間にダイシングブレードを挿通させ、チップを固定している接着剤層を切断している（たとえば特許文献３の図６参照）。このため、ダイシングブレードの位置制御に極めて高い精度が求められ、わずかでもダイシングブレードがずれたり、あるいはチップ整列性が低い場合には、チップの本体あるいは側面をダイシングブレードにより傷つける恐れがある。また、チップを固定している接着剤層を直接切断しているため、ダイシングブレードの振動が接着剤層に直接的に伝播する。このため、チップの位置ズレ防止はなお満足のいくものではなかった。

さらに上記特許文献１〜３の何れにおいても、表面保護用粘着シートを剥離した後に接着剤層の切断を行っているが、表面保護用粘着シートの剥離の際に保持されたチップの位置ズレが一番大きく、整列性を低下させていた。
特開平５−３３５４１１号公報 特開２００１−１５６０２７号公報 特開２００２−０７５９２１号公報

本発明は、工程間の搬送時にウエハあるいはチップの損傷を低減でき、さらに極薄チッ
プの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、しかも接着剤層の切断時におけるチップの整列性（チップの位置ズレ）が良好であり、生産効率の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、下記工程からなる。

半導体ウエハの表面に回路を形成する工程、
該半導体ウエハの回路面側からその半導体ウエハ厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成する工程、
該半導体ウエハの回路面に表面保護用粘着シートを貼着する工程、
該半導体ウエハの裏面を研削し所定厚みにするとともにウエハを個片化する工程、
個片化されたウエハ形状のチップ集合体の裏面側にチップ固定用接着シートを積層する工程、
前記表面保護用粘着シートにより個片化されたチップ集合体を支持したまま、該表面保護用粘着シート側をウエハ戴置テーブルに固定し、前記チップ固定用接着シートを上面とした状態で該チップ固定用接着シートをチップ毎に切断する工程、
該チップ固定用接着シート付のチップをピックアップする工程、
チップ搭載用の基板上に該チップ固定用接着シートを介してチップをボンディングする工程。

本発明においては、前記表面保護用粘着シートが剛性を有する基材と粘着剤層からなり、該基材の厚みが１０〜３００μｍであり、ヤング率が １，０００〜１０，０００ＭＰ
ａであることが好ましい。

このような本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、工程間の搬送時にウエハあるいはチップの損傷を低減でき、さらに極薄チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、しかも接着剤層の切断時におけるチップの整列性が良好であり、生産効率の向上が可能なる。

以下、本発明について図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
第１工程：半導体ウエハの表面に回路を形成する工程。

ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。このようなウエハの厚みは未研磨状体で、通常は５００〜８００μｍ程度である。
第２工程：該半導体ウエハの回路面側からその半導体ウエハ厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成する工程（図１参照）。

この工程では、第１工程で半導体回路が形成されたウエハ１表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝２を形成する。より具体的には、複数の回路を区画するウエハ１の切断位置に沿って所定の深さの溝２をウエハ１表面から形成する。

溝２の形成は、従来より用いられているウエハダイシング装置を用いて、適宜に切込み深さを調整することにより行われる。この際、必要に応じ、従来よりウエハダイシング時
に用いられているダイシングテープ等により、ウエハを固定しておいてもよい。溝２の深さは、目的とするチップの仕上げ厚さに応じて適宜に設定され、通常は仕上げ厚さに１０〜１００μｍを加算した程度の厚さである。また溝２の幅Ｗは、使用するダイシングブレードの幅と等しく通常は１０〜１００μｍ程度である。
第３工程：半導体ウエハ１の回路面に表面保護用粘着シート１０を貼着する工程（図２参照）。

この工程では、ウエハ１の回路面全体を覆うように表面保護用粘着シート１０を接着する。表面保護用粘着シート１０は、基材１１上に、再剥離性粘着剤層１２が形成されてなり、所定の用に供した後、容易に剥離できる性質を有する。また再剥離性粘着剤層１２はエネルギー線硬化型の粘着剤からなるものであってもよい。エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線の照射前には充分な粘着力で被着体を保持でき、エネルギー線の照射により硬化し粘着力を失い、容易に剥離できる性質を有する。

このような基材１１としては、種々の合成樹脂フィルムが好ましく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム；エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン共重合体フィルム；ポリイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリアミドフィルムなどが用いられる。基材１１は、上記した各種フィルムの単層品であってもよく積層品であってもよい。また、架橋フィルムであってもよい。

上記のうちでも、基材１１としては、剛性を有するものが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム等が特に好ましい。このような基材１１の厚みは好ましくは１０〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜１５０μｍであり、そのヤング率は、好ましくは１，０００〜１０，０００ＭＰａ、さらに好ましくは１，５００〜７，０００ＭＰａである。

本発明においては、上記のように剛性を有する表面保護用粘着シート１０を用いることが好ましい。このような表面保護用粘着シート１０に半導体ウエハ１の回路面を固定しておくと、ウエハの歪みが抑制されるため、工程間の移送の際におけるウエハの破損を低減することができる。また、後述する各工程を実施する際にも、ウエハあるいはチップ集合体の歪みが抑制されるため、チップ同士の間隔（カーフ幅ともいう）が一定に保たれ、チップの位置ズレが生じることもない。

基材１１の上面には再剥離性粘着剤層１２が設けられる。再剥離性粘着剤層１２との密着性を向上させるために、基材１１の上面にはコロナ処理等を施してもよく、またプライマー処理等の他の層を設けてもよい。

なお、本発明においては、前記表面保護用粘着シート１０が、エネルギー線硬化型粘着剤層を有する場合には、前記回路面に表面保護用粘着シート１０を貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、後述する各工程を実施することが好ましい。半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くする際には、ウエハには横方向の剪断力が負荷される。したがって、粘着剤層が軟質であると、剪断力によりチップが横方向に移動し、チップの位置ズレが起こることがある。しかし、上記方法により粘着剤層を硬化させておくと、横方向に力が加えられてもチップの位置ズレが起こることは無い。また、横方
向の力によっては、チップの剥離・脱落は起きないので、チップの歩留りが低下することもない。

第４工程：半導体ウエハの裏面を研削し所定厚みにするとともにウエハを個片化する工程（図３参照）。

すなわち、この工程では、半導体ウエハ１の裏面研削をすることでウエハ１の厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップ３への分割を行う。具体的には、前記溝２の底部を除去し、所定の厚さになるまでウエハの裏面を研削して個々のチップ３に分割する。裏面研削は従来より用いられている裏面研削装置により行なわれる。

第５工程：個片化されたウエハ形状のチップ３集合体の裏面側（研削面側）にチップ固定用接着シート２０を積層する工程（図４参照）。

チップ固定用接着シート２０は、後の工程で、チップ３を基板上に固着するために用いられる。したがって、チップ固定用接着シート２０としては、チップを固定するために充分な接着力を有する各種の接着シート類が特に限定されることなく用いられる。チップ固定用接着シート２０は、通常、剥離基材２１上に強粘着剤層２２あるいは接着剤層２２（以下、強粘着剤層、接着剤層を「接着剤層２２」と呼ぶことがある）などが設けられてなる。接着剤層２２は後の工程で、チップ３と同形状に裁断された後、チップ３の裏面に転写され、チップを基板上に固定するために用いられる。このようなチップ固定用接着シート２０としては、たとえば、強粘着シート、熱硬化型接着シート、熱可塑性接着シートあるいは、いわゆるダイシング・ダイボンドシートなどがあげられる。

強粘着シートは、剥離基材２１上にアクリル系などの強粘着剤２２が積層されてなる。

なお、接着剤層２２が常温領域での接着性が充分に小さく、接着剤層２２どうしを積み重ねても自着を起こさない場合は、チップ固定用接着シート２０は、剥離基材２１を有さず接着剤層２２の単層だけとすることもできる。

熱硬化型接着シートは、剥離基材２１上に、接着剤層２２として未硬化または半硬化の熱硬化型接着剤層が設けられてなる。熱硬化型接着剤としては、エポキシ系接着剤が好ましく用いられる。なお、接着剤層が未硬化である場合には、チップ裏面に貼着後、接着剤層を加熱し、半硬化状態としておく。半硬化状態の熱硬化型接着剤層は、リードフレーム等の被着体に貼付後、再度の加熱により完全に硬化し、充分な接着強度を発現する。

熱可塑性接着シートは、剥離基材２１上に、熱可塑性接着剤からなる接着剤層２２が設けられてなる。熱可塑性接着剤からなる接着剤層２２は、温和な熱圧着条件でチップ３に貼着可能であり、また再度の加熱により、接着性を発現する。熱可塑性接着剤層は、たとえばポリエステル樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリアミド、セルロース、ポリイソブチレン、ポリビニルエーテル、ポリイミド樹脂、各種のホットメルト系接着剤等からなり、好ましくはポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂からなる。

ダイシング・ダイボンドシートは、剥離基材２１上に、常温感圧接着性、熱硬化性を有する接着剤層２２が設けられてなる。このようなダイシング・ダイボンドシートとしては、従来より半導体ウエハのダイシングおよびダイボンドに用いられてきた各種のシートが特に制限されることなく用いられる。より具体的には、たとえば特開平２−３２１８１号公報、特開平８−５３６５５号公報、特開平８−２３９６３６号公報、特開平９−１００
４５０号公報、特開平９−２０２８７２号公報等に記載されている、エネルギー線硬化型粘着成分と熱硬化型接着成分とを必須成分とする接着剤層を有するダイシング・ダイボンドシートなどを用いることができる。上記のようなダイシング・ダイボンドシートを研削面に貼付した後、接着剤層２２を一次硬化する。エネルギー線硬化型粘着成分と熱硬化型接着成分とを必須成分とする接着剤層を有するダイシング・ダイボンドシートにあっては、エネルギー線を照射することで、エネルギー線硬化型粘着成分のみを硬化（一次硬化）させることができる。接着剤層２２を一次硬化することで、工程間の移送におけるチップの位置ズレを防止できる。その後、チップ３を該接着剤層２２を介して被着体に貼付し、加熱を行うと、熱硬化型接着成分が完全に硬化（二次硬化）し、充分な接着強度を発現する。

チップ固定用接着シート２０において、剥離基材２１と接着剤層２２とは、通常剥離可能に積層されている。このような剥離基材２１は、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニルエステル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素フィルム等のフィルムが用いられる。剥離基材２１は、これらのフィルムの単層フィルムでも複層フィルムでもよい。また架橋フィルムであってもよい。

本発明に係る半導体装置の製造方法においては、チップの裏面に粘接着剤層３２２を固着残存させて剥離基材２１を除去するため、剥離基材２１と接着剤層２２とは、通常剥離可能なように積層されている。このため、剥離基材２１の接着剤層２２に接する面の表面張力は、好ましくは４０mN/m 以下、さらに好ましくは３７mN/m 以下、特に好ましくは３５mN/m 以下であることが望ましい。このような表面張力が低い剥離基材は、材質を適宜
に選択して得ることが可能であるし、また上述のフィルムの表面に、シリコーン樹脂やアルキッド樹脂などの離型剤を塗布して離型処理を施すことで剥離基材を得ることもできる。

このような剥離基材２１の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。

また、接着剤層２２の膜厚は、通常は５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍ程度である。
第６工程：前記表面保護用粘着シート１０上に個片化されたチップ３集合体を支持したまま、該表面保護用粘着シート１０側をウエハ戴置テーブル３０に固定し、前記チップ固定用接着シート２０を上面とした状態で該チップ固定用接着シート２０をチップ毎に切断する工程（図５参照）。

ウエハ戴置テーブル３０は、真空吸引などにより、表面保護用粘着シート１０の基材１１側を固定する。したがって、この工程では、図５に示したように、チップ固定用接着シート２０の基材２１側が上面に位置することになる。

本発明では、この状態でチップ固定用接着シート２０をチップ３と略同形状に切断する。チップ固定用接着シート２０の切断は、図示したようにブレード４によるダイシング法など公知の手法により行われる。この方法によれば、個片化されたチップ３集合体を表面保護シート１０から切断しないので、チップの整列性およびカーフ幅の変動（チップの位
置ズレ）を抑制できる。また、チップ固定用接着シート２０の接着剤層２２を切断する際に、チップ３の間隙にブレードを挿入する必要がないため、チップ３がブレードにより傷つけられることはない。さらに、切断時のブレードの振動が表面保護用粘着シート１０に直接伝わることはないため、表面保護用粘着シート１０の変形が抑制される。このため、均一なチップ整列性と一定のカーフ幅が維持されるので、安全かつ正確にチップ固定用粘着シート２０をチップ３と略同形状に切断でき、チップ３のピックアップ性が損なわれることない。

なお、この工程においては、チップ固定用接着シート２０の接着剤層２２までをブレード４で切断すれば充分であるが、必要に応じ、チップ３の上面のエッジ部をブレードで削ってもよい。この場合は、カーフ幅よりもやや幅の広いブレードを用いる。このような処理により、最も損傷を受けやすいチップ３のエッジ部が面取りされるため、ワイヤボンディングや実装時におけるチップの損傷を低減することができる。

また、接着剤層２２の切断はダイシングブレードの他、レーザー光線によるレーザーダイシング法によって行ってもよい。

このような工程を経ることで、裏面（研削面側）に適当量の接着剤層２２を有するチップ３が得られる（図６参照）。なお、図６では、チップ固定用接着シート２０の基材２１が剥離された状態を示したが、基材２１の剥離は、第６工程の前または後、あるいは後述する第７工程中または第８工程の直前に行ってもよい。基材２１の剥離は、基材２１の背面に剥離テープと呼ばれる強粘着シートを貼付し、これを引き剥がすことで行われる。基材２１と接着剤層２２とは剥離可能に積層されているため、剥離テープを引き剥がすと、基材２１が剥離テープに同伴して剥離し、接着剤層２２は、チップ裏面（研削面側）に残着する。
第７工程：接着剤層２２付のチップ３をピックアップする工程。

チップ３のピックアップは、突き上げピンや吸引コレットなどを用いた公知の方法で行われる。このような方法においては、チップ集合体は別の粘着シート（以下「フレーム固定用シート」という）を使用してリングフレームに固定し、ピックアップを行うことが好ましい。フレーム固定用シートを貼付する面は、表面保護用粘着シート１０の側であってもよいし、チップ固定用接着シート２０の剥離基材２１側でもよいし、剥離基材２１を剥離した後の接着剤層２２の面であってもよい。

このようなフレーム固定用シートとしては、ダイシング工程に使用されている市販のダイシングシートがそのまま使用可能であるが、表面保護用粘着シート１０や剥離基材２１に貼付する場合は、強粘着性を有する粘着シート使用してもよい。なお、チップ集合体をフレーム固定用シートでリングフレームに貼着固定するのは、チップ固定用接着シートの切断の後でもよいが、切断前に貼付してリングフレームに固定した状態でチップ固定用接着シート２０の切断を行ってもよい。

本発明においては、上記したように表面保護用粘着シート１０を剥離せずチップ固定用接着シートを切断するため、移送時や切断工程におけるカーフ幅の変動は抑制される。このため、ピックアップ時におけるチップの認識性が高く、ピックアップ不良を引き起こすこともない。
第８工程：チップ搭載用の基板上に当該接着剤層２２を介してチップ３をボンディングする工程。

接着剤層２２が強粘着剤からなる場合には、接着剤層２２を介してチップ３を基板上に載置し、押圧することで、チップの固着を行う。

接着剤層２２が熱硬化性を有する場合には、接着剤層２２を介してチップ３を基板上に載置し、加熱圧着することで接着剤の接着力を発現させ、チップの固着を行う。

接着剤層２２が熱可塑性接着剤からなる場合には、接着剤層２２を介してチップ３を基板上に載置し、加熱圧着することで熱可塑性接着剤の接着力を発現させ、チップの固着を行う。
（実施例）
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

なお、以下において「チップ整列性（チップの位置ズレ）の評価」、「チッピングテスト」および「パッケージクラックテスト」は次の方法で行った。
「チップ整列性（チップの位置ズレ）の評価」
ウエハのオリエンテーションフラットに平行方向（ｘ方向）および垂直方向（ｙ方向）に溝を形成する。ｘ方向の溝とｙ方向の溝が交差する点のうち、ウエハ中心から上下左右５本目の溝で交差する点（8ヵ所）の溝の位置と、チップに分割された後の前記溝に対応
するチップ間のラインの位置とのズレをウエハダイサー（A-WD-4000B、東京精密社製）のアライメント機能を用いて測定し、ｘ方向およびｙ方向のズレの最大値を変動値として表わし、チップ整列性を評価した。
「チッピングテスト」
実施例の接着剤付シリコンチップ５０個の側面を光学顕微鏡を用いて、チップ欠けやクラックの有無を観察した。
「パッケージクラックテスト」
実施例のリードフレームに固着されたシリコンチップを所定の封止樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）を用いて、高圧封止する。175℃、6時間の条件でその樹脂を硬化させ、100個のパッケージクラックテスト用パッケージを得た。次いで、各々のパッケージを高温
高湿下（85℃、85％RH）に168時間放置する。その後、VPS（Vapor Phase Soldering 気相ハンダ付）と同等の環境下（215℃）に１分間放置後、室温に戻した。これを3回行った後、走査型超音波探傷機SAT（Scanning Acoustic Tomography）で封止樹脂のクラックの有
無（パッケージ100個当たり）を検査した。

また、以下の実施例で使用したシート材料及び装置類は次のとおりである。
ウエハダイシング装置：DFD6360（ディスコ社製）
ダイシングブレード：NBC-ZH2050-SE27HEDD（ディスコ社製）
裏面研削装置：DFG8650（ディスコ社製）
シートラミネータ：RAD3500m/12（リンテック社製）
紫外線照射装置：RAD2000m/8（リンテック社製）
シート剥離装置：RAD3000m/8（リンテック社製）
シートマウンタ：RAD2500m/8（リンテック社製）
表面保護用シート：Adwill E-3120D（リンテック社製、基材：ポリエチレンテレフタレートと低密度ポリエチレンの積層体、厚み 80μｍ、ヤング率 1,500MPa、粘着剤：紫外線
硬化型）
ダイシングダイボンディングシート（チップ固定用接着シート）：Adwill LE5000（リン
テック社製、紫外線硬化-熱硬化型粘接着剤シート）
剥離テープ：Adwill S-20：（リンテック社製、ヒートシール型接着テープ）
フレーム固定用シート：Adwill S-11（リンテック社製、再剥離型ダイシングテープ）
リングフレーム：2-8-1（ディスコ社製）

ダミーウエハとして直径8インチ、厚み720μmのシリコンウェハをウエハダイシング装
置及びダイシングブレードを用い、切り込み量120μm、チップサイズ10mmX10mmの条件で
溝を形成した（第２工程）。次いで、表面保護用粘着シートを、シートラミネータを用いて溝を形成した面に貼付し（第３工程）、その表面保護用粘着シート面に紫外線照射装置により紫外線照射を行った。その後、裏面研削装置を用いて、厚さ100μmになるまでシリコンウエハの裏面研削を行い、チップへ分割した（第４工程）。続いて、接着剤層及び剥離基材よりなるダイシング・ダイボンドシートをシリコンウエハの研削面側にシートラミネータを用いて貼付し（第５工程）、そのダイシング・ダイボンドシート面に紫外線照射して接着剤層を一次硬化させた。その後、シート剥離装置及び剥離テープを用いてダイシング・ダイボンディングシートの剥離基材のみを剥離し、接着剤層付き野チップ集合体を得た。

続いてウエハダイシング装置のウエハ戴置テーブルに、接着剤層側を上面としウエハ戴置テーブル面に表面保護用粘着シート側を固定し、第２工程と同じブレードを用い、切込み量20μｍで接着剤層チップ毎に切断し（第６工程）この時点で、チップ整列性（チップの位置ズレ）の評価を行った。

その後、切断された接着剤層側に、シートマウンタを使用しフレーム固定用シートを貼着し、リングフレームに固定した。続いて、シート剥離装置を使用して表面保護用粘着シートをシリコンチップ集合体より剥離した。

そして、個片化されたシリコンチップをフレーム固定用シートからピックアップ装置を用いてピックアップし（第７工程）、接着剤層付シリコンチップをリードフレームのダイパッド部にダイレクトボンディングし、160℃で60分間加熱し、接着剤層を二次硬化して
チップを固着した。

ｘ方向のチップの整列性における変動量は３μｍ、ｙ方向での変動量は４μｍと極めて少なく、チップの整列性に優れていた。また、チッピングおよびパッケージクラックは検出されなかった。

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、工程間の搬送時にウエハあるいはチップの損傷を低減でき、さらに極薄チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、しかも接着剤層の切断時におけるチップの整列性（チップの位置ズレ）が良好であり、生産効率の向上が可能なる。

本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。 本発明に係る製造方法の一工程を示す。

符号の説明

１…半導体ウエハ
２…溝
３…半導体チップ
４…ブレード
１０…表面保護用粘着シート
２０…チップ固定用接着シート
３０…ウエハ載置テーブル

Claims (2)

1. 半導体ウエハの表面に回路を形成する工程、
   該半導体ウエハの回路面側からその半導体ウエハ厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成する工程、
   該半導体ウエハの回路面に表面保護用粘着シートを貼着する工程、
   該半導体ウエハの裏面を研削し所定厚みにするとともにウエハを個片化する工程、
   個片化されたウエハ形状のチップ集合体の裏面側にチップ固定用接着シートを積層する工程、
   前記表面保護用粘着シートにより個片化されたチップ集合体を支持したまま、該表面保護用粘着シート側をウエハ戴置テーブルに固定し、前記チップ固定用接着シートを上面とした状態で該チップ固定用接着シートをチップ毎に切断する工程、
   該チップ固定用接着シート付のチップをピックアップする工程、
   チップ搭載用の基板上に該チップ固定用接着シートを介してチップをボンディングする工程からなる半導体装置の製造方法。
2. 前記表面保護用粘着シートが剛性を有する基材と粘着剤層からなり、該基材の厚みが１０〜３００μｍであり、ヤング率が１，０００〜１０，０００ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。