JP2019096760A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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大悟 下房
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Abstract

【課題】生産性を低下させることなく接着フィルムが積層されたチップを形成する。【解決手段】ウェーハの加工方法は、分割予定ラインSに沿ってウェーハWの表面Waから仕上げ厚みに至る深さの溝Mを形成する溝形成ステップと、溝Mを樹脂2で充填するとともにウェーハWの表面Waを樹脂2で被覆し外的刺激を樹脂2に付与し硬化させる被覆ステップと、ウェーハWの裏面Wbを研削して仕上げ厚みへと薄化することでウェーハWを複数のチップCへと分割する分割ステップと、ウェーハWの裏面Wbに接着フィルム3を貼着する接着フィルム貼着ステップと、ウェーハWの裏面Wb側から接着フィルム3を溝Mに沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップとを備えたため、樹脂2aにより複数のチップCを固定した状態で裏面Wbに接着フィルム3を貼着でき、ダイシフトが発生することがなく、チップCの生産性を低下させない。【選択図】図6

Description

本発明は、交差する複数の分割予定ラインを有したウェーハの加工方法に関する。
IC、LSI等のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウェーハは、分割予定ラインに沿って分割することによってデバイスを有する個々のチップに分割される。個々に分割されたチップを金属フレームや基板上にマウント(ダイボンディング)するために、例えばダイアタッチフィルム(DAF)と称される接着フィルム等の接着層を形成したチップが広く採用されている。
ウェーハを分割した後にチップが分散しないようにするため、例えば、ウェーハを研削して薄化することでウェーハを個々のチップに分割してから、ウェーハの裏面に上記接着フィルムを貼着し、その後、レーザダイシングにより接着層を分断する方法がある(例えば、下記の特許文献1を参照)。
しかし、かかる方法においては、複数のチップに分割されたウェーハに接着フィルムを貼着する際に、チップの配置が僅かにずれる所謂ダイシフトと呼ばれる現象が生じる。ダイシフトが発生してレーザビームの照射予定ラインがチップに重なると、チップにレーザビームが照射されて、チップを損傷させる恐れがある。そこで、例えば、下記の特許文献2には、ダイシフトが発生してもチップを損傷しないようダイシフトに追従させてレーザビームを照射するために、レーザビームの照射予定ラインを設定する方法が提案されている。
特開2009−123835号公報 特開2012−174732号公報
しかし、上記特許文献2の方法では、ダイシフトにあわせてレーザビームの照射予定ラインを設定するため、直線的に加工する通常の加工に比べて加工時間がかかり、チップの生産性が低下するという問題がある。
本発明の目的は、生産性を低下させることなく接着フィルムが積層されたチップを形成しうるウェーハの加工方法を提供することである。
本発明は、交差する複数の分割予定ラインを有したウェーハの加工方法であって、ウェーハの該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面から仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に外的刺激で硬化する樹脂を供給して該溝を該樹脂で充填するとともにウェーハの表面を該樹脂で被覆し、該外的刺激を該樹脂に付与して該樹脂を硬化させる被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該樹脂を介してウェーハの表面側を保持手段で保持し、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化することで該溝を露出させ、ウェーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、該接着フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハの裏面側から該接着フィルムを該溝に沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップと、を備えた構成となっている。
本発明は、上記接着フィルムダイシングステップを実施した後、裏面に上記接着フィルムが積層された上記チップを上記樹脂上からピックアップするピックアップステップを更に備えた構成となっている。
また、本発明は、上記接着フィルムダイシングステップを実施した後、ウェーハの裏面にシートを貼着するとともにウェーハ上から上記樹脂を除去する転写ステップと、該転写ステップを実施した後、該シート上から裏面に上記接着フィルムが積層されたチップをピックアップするピックアップステップと、を更に備えた構成となっている。
本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインに沿ってウェーハの表面から仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、ウェーハの表面に外的刺激で硬化する樹脂を供給して溝を樹脂で充填するとともにウェーハの表面を樹脂で被覆し、外的刺激を樹脂に付与し硬化させる被覆ステップと、樹脂を介してウェーハの表面側を保持手段で保持し、ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚みへと薄化することで溝を露出させ、ウェーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、ウェーハの裏面側から接着フィルムを溝に沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップとを備えたため、硬化した樹脂により複数のチップを固定した状態で裏面に接着フィルムを貼着することができ、ダイシフトが発生することがない。したがって、ダイシフトにあわせて接着フィルムをダイシングする必要がなくなり、チップの生産性を低下させない。
本発明は、上記接着フィルムダイシングステップを実施した後、裏面に上記接着フィルムが積層された上記チップを上記樹脂上からピックアップするピックアップステップを更に備えたため、次の工程(例えば実装工程)にチップを効率よく移送することができる。
また、本発明は、上記接着フィルムダイシングステップを実施した後、ウェーハの裏面にシートを貼着するとともにウェーハ上から上記樹脂を除去する転写ステップと、該転写ステップを実施した後、該シート上から裏面に上記接着フィルムが積層されたチップをピックアップするピックアップステップとを更に備えたため、上記同様に、チップの移送を効率よく行うことができる。
ウェーハの一例の構成を示す斜視図である。 溝形成ステップを示す斜視図である。 被覆ステップを示す断面図である。 ウェーハの表面に樹脂が硬化した状態で被覆された状態を示す断面図である。 分割ステップを示す斜視図である。 接着フィルム貼着ステップを示す断面図である。 接着フィルムダイシングステップを示す断面図である。 ピックアップステップを示す断面図である。 転写ステップを示す断面図である。 ピックアップステップの他の例を示す断面図である。
図1に示すウェーハWは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、その表面Waに交差する複数の分割予定ラインSを有し、分割予定ラインSによって区画された各領域にそれぞれデバイスDが形成されている。一方、ウェーハWの表面Waと反対側の裏面Wbは、研削砥石による研削やレーザビームの照射等による加工が施される面となっている。ウェーハWを構成する基板の材質は、特に限定されず、例えば、シリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、ガラス、セラミックス、サファイア等である。以下では、ウェーハWを、デバイスDを有する個々のチップへと分割するウェーハの加工方法について説明する。
(1)溝形成ステップ
図2に示すように、ウェーハWを切削する切削手段10によってウェーハWの分割予定ラインSに沿ってウェーハWの表面Waから仕上げ厚みの深さに至る溝Mを形成する。切削手段10は、水平方向(図示の例ではY軸方向)の軸心を有するスピンドル11と、スピンドル11を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング12と、スピンドル11の先端に装着された切削ブレード13とを少なくとも備え、スピンドル11の回転によって切削ブレード13も回転する構成となっている。切削手段10には、切削手段10を加工送り方向(図示の例ではX軸方向)と直交するインデックス送り方向(Y軸方向)に移動させる図示しない移動手段と、切削手段10を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
ウェーハWを図示しない保持テーブルで保持したら、保持テーブルを切削手段10の下方に移動させるとともに、スピンドル11を回転させることにより切削ブレード13をY軸方向の軸心を中心として例えば矢印R方向に回転させながら、切削手段10をウェーハWの表面Waに接近する方向に下降させる。切削ブレード13をウェーハWの表面WaからX軸方向に向く一列分の分割予定ラインSに沿って切り込ませて切削を行うことにより溝Mを形成する。溝Mは、ウェーハWの表裏面を完全切断しない深さで、かつ、所望の仕上げ厚みに相当する深さに設定されている。
X軸方向に向く一列分の分割予定ラインSに沿って溝Mを形成したら、切削手段10をY軸方向にインデックス送りしながら、X軸方向に向く全ての分割予定ラインSに対して上記の切削を繰り返し行って溝Mを形成する。その後、保持テーブルが回転することによりウェーハWを90°回転させ、Y軸方向に向いている分割予定ラインSをX軸方向に向かせて上記同様の切削を繰り返し行い、全ての分割予定ラインSに沿って溝Mを形成する。
(2)被覆ステップ
溝形成ステップを実施した後、例えば、図3(a)に示すプレス装置20において、ウェーハWの表面Waに樹脂2を供給して被覆し、外的刺激を樹脂2に付与することにより樹脂2を硬化させる。プレス装置20は、ウェーハWを吸引保持し表面Waに樹脂2を被覆させる樹脂被覆手段21と、樹脂被覆手段21と対向して配設された支持台26とを少なくとも備えている。樹脂被覆手段21は、枠体の内部に配設されウェーハWを吸引保持する保持面22aを有する吸引保持部22を備えている。吸引保持部22は、一端がバルブ24を介して吸引源25に接続された吸引路23に連通している。樹脂被覆手段21には、図示していないが、上下方向に移動可能な昇降手段が接続されており、樹脂被覆手段21の全体が昇降可能となっている。支持台26は、例えばガラスによって構成されている。
被覆ステップを開始する際には、支持台26にシート1を載置しておき、図示しない樹脂供給ノズルからシート1の上に樹脂2を塗布する。樹脂2としては、例えば、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化樹脂や加熱によって硬化する熱硬化性樹脂を使用することができる。また、樹脂2は、例えば、ポリイミド系の樹脂、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂等により構成されている。シート1は、例えばPETフィルムによって構成されている。なお、シート1は必ずしもなくてもよい。
バルブ24のポートを切り替えることにより、吸引路23を通じて吸引源25と吸引保持部22とを連通させ、保持面22aに吸引力を作用させる。吸引保持部22の保持面22aでウェーハWの裏面Wb側を吸引保持するとともに、樹脂被覆手段21が支持台26の真上に移動することにより、ウェーハWの表面Wa側を支持台26と対面させる。次いで、昇降手段によって吸引保持部22を支持台26に接近する方向に下降させ、図3(b)に示すように、ウェーハWの表面Wa側から樹脂2をプレスすると、樹脂2がウェーハWの径方向に押し拡げられる。つまり、吸引保持部22で保持したウェーハWでプレスすることで、ウェーハWの表面Waの中心から外周部分にかけて樹脂2を徐々に引き伸ばしていき、樹脂2を溝Mの中に充填させるとともにウェーハWの表面Waの全面に被覆させる。
樹脂2が紫外線硬化樹脂からなる場合は、図4に示すように、例えば、支持台26の下方に配設された複数のUVランプ27によって紫外線をウェーハWの表面Waに被覆された樹脂2に向けて照射し外的刺激を付与する。その結果、図4の網掛けで図示するように、外的刺激によって硬化した樹脂2aがウェーハWの表面Waの全面に被覆した状態となる。また、溝Mの中にも硬化した樹脂2aが隙間無く満たされている。樹脂2が熱硬化樹脂によって構成される場合は、例えばヒータ等によって樹脂2を加熱することにより硬化させるとよい。本実施形態に示す被覆ステップでは、プレスによりウェーハWの表面Waに樹脂2を被覆した場合を説明したが、この場合に限定されず、例えばスピンコートや金型成形によってウェーハWの表面Waに樹脂2を被覆してもよい。
(3)分割ステップ
被覆ステップを実施した後、図5に示すように、樹脂2aを介してウェーハWの表面Wa側を保持手段40で保持し、保持手段40の上方側に配設された研削手段30によってウェーハWの裏面Wbを研削することにより、ウェーハWを複数のチップCへと分割する。研削手段30は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル31と、スピンドル31の下端にマウント32を介して装着された研削ホイール33と、研削ホイール33の下部にリング状に固着された研削砥石34とを備えている。研削手段30には、図示しない昇降手段が接続されており、昇降手段によって研削ホイール33を回転させながら研削手段30の全体を昇降させることができる。
ウェーハWを研削する場合、ウェーハWの表面Waに被覆された樹脂2a側を保持手段40で吸引保持し、ウェーハWの裏面Wbを上向きに露出させる。次いで、保持手段40を例えば矢印A方向に回転させつつ、研削手段30は、研削ホイール33を例えば矢印A方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石34でウェーハWの裏面Wbを押圧しながら所定の仕上げ厚みに至るまで研削してウェーハWを薄化することにより溝Mを露出させる。そして、研削動作によって露出した溝Mを起点にしてウェーハWを複数のチップCへと分割する。
(4)接着フィルム貼着ステップ
分割ステップを実施した後、図6に示すように、ウェーハWの裏面Wbに接着フィルム3を貼着する。接着フィルム3は、少なくともウェーハWと略同径の大きさを有し、例えば、ポリイミド系の樹脂、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂等により構成されるシート状のダイアタッチフィルム(DAF)と称される接着フィルムである。複数のチップCに分割されたウェーハWの表面Wa側は、樹脂2aによって各チップCが動かないように強固に固定されているため、接着フィルム3をウェーハWの裏面Wbに貼着するときにダイシフトが発生することはない。なお、接着フィルム3のサイズ(外径)は、ウェーハWのサイズ(外径)に応じて適宜変更することができる。
(5)接着フィルムダイシングステップ
接着フィルム貼着ステップを実施した後、図7に示すように、例えば、レーザビーム照射手段50を用いて、レーザビームLBをウェーハWの裏面Wb側から照射して接着フィルム3を溝Mに沿ってダイシングする。レーザビーム照射手段50は、接着フィルム3に対して吸収性を有する波長のレーザビームLBを発振する発振器(図示せず)と、レーザビームLBを集光するための集光器51とを少なくとも備えている。レーザビーム照射手段50は、上下方向に移動可能となっており、上下に集光器51を移動させてレーザビームLBの集光位置を調整することができる。
レーザビームLBの照射によるダイシングを実施する場合は、ウェーハWのシート1側を保持手段60で保持し、保持手段60をレーザビーム照射手段50の下方に移動させる。次いで、保持手段60を所定の速度で水平方向(例えばY方向)に加工送りしながら、集光器51によって、接着フィルム3に対して吸収性を有する波長のレーザビームLBの集光点を溝Mに位置付けた状態で、レーザビームLBをウェーハWの裏面Wb側から溝Mに沿って照射する。このようにして、全ての溝Mに沿ってレーザビームLBを繰り返し照射することにより、接着フィルム3をダイシングして完全切断(フルカット)する。
接着フィルムダイシングステップは、レーザビームLBの照射によるダイシングに限定されない。例えば、切削ブレードを用いて接着フィルム3をダイシングしてもよい。本実施形態では、樹脂2aが隣り合うチップC間の溝Mの中にも充填された状態で固まっていることから、接着フィルム3の下面(ウェーハWの裏面Wbと接触する面)が強固に裏面Wbに接着されるため、従来のように、例えばダイシングテープ等の糊層上に貼着された接着フィルムを切削ブレードでダイシングする場合と比べて、バリの発生が小さくなる。
(6)ピックアップステップ
接着フィルムダイシングステップを実施した後、図8に示すように、裏面Wbに接着フィルム3が積層されたチップCを樹脂2a上からピックアップする。例えば、反転機能を有する反転ピッカー(図示せず)を用いて接着フィルム3側を吸着して上昇することにより、チップCを樹脂2aから離反させてピックアップすることができる。そして、ピックアップされたチップCは、反転ピッカーによって表裏が反転され、金属フレームや基板上にダイボンディングされる。
このように、本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインSに沿ってウェーハWの表面Waから仕上げ厚みに至る深さの溝Mを形成する溝形成ステップと、ウェーハWの表面Waに外的刺激で硬化する樹脂2を供給して溝Mを樹脂2で充填するとともにウェーハWの表面Waを樹脂2で被覆し、外的刺激を樹脂2に付与し硬化させる被覆ステップと、樹脂2aを介してウェーハWの表面Wa側を保持手段40で保持し、ウェーハWの裏面Wbを研削して仕上げ厚みへと薄化することで溝Mを露出させ、ウェーハWを複数のチップCへと分割する分割ステップと、ウェーハWの裏面Wbに接着フィルム3を貼着する接着フィルム貼着ステップと、ウェーハWの裏面Wb側から接着フィルム3を溝Mに沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップとを備えたため、硬化した樹脂2aにより複数のチップCを固定した状態で裏面Wbに接着フィルム3を貼着することができ、ダイシフトが発生することがない。したがって、ダイシフトにあわせて接着フィルム3をダイシングする必要がなくなり、チップCの生産性を低下させない。
接着フィルムダイシングステップを実施した後は、ピックアップステップを実施して樹脂2aの上からチップCをピックアップできるため、次の工程(例えば実装工程)にチップCを効率よく移送することができる。
上記のピックアップステップでは、上記接着フィルムダイシングステップを実施した後、ウェーハWの表裏面を反転させることなく、チップCを樹脂2aからピックアップしたが、この場合に限られない。例えば、接着フィルムダイシングステップを実施した後、図9に示すように、転写ステップを実施する。具体的には、ウェーハWの表裏を反転させて、中央に開口を有するフレーム4に貼着されたシート5の上に接着フィルム3を介してウェーハWの裏面Wbを貼着するとともに、ウェーハWの表面Waを上向きにさせる。その後、ウェーハWの上(表面Wa)から樹脂2aを引き剥がして除去する。
転写ステップを実施した後、図10に示すように、シート5の上から裏面Wbに接着フィルム3が積層されたチップCを例えばコレットなどの搬送手段でピックアップする。チップCがピックアップされた後、金属フレームや基板上にダイボンディングされる。このように、転写ステップを実施してウェーハWの表裏面を反転させ、表面Wa側からチップCをピックアップする構成とした場合においても、例えば実装工程にチップCを効率よく移送することができる。
1:シート 2:樹脂 3:接着フィルム 4:フレーム 5:シート
10:切削手段 11:スピンドル 12:スピンドルハウジング 13:切削ブレード
20:プレス装置 21:樹脂被覆手段 22:吸引保持部 22a:保持面
23:吸引路 24:バルブ 25:吸引源 26:支持台 27:UVランプ
30:研削手段 31:スピンドル 32:マウント 33:研削ホイール
34:研削砥石 40:保持手段 50:レーザビーム照射手段 51:集光器
60:保持手段

Claims (3)

  1. 交差する複数の分割予定ラインを有したウェーハの加工方法であって、
    ウェーハの該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面から仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
    該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に外的刺激で硬化する樹脂を供給して該溝を該樹脂で充填するとともにウェーハの表面を該樹脂で被覆し、該外的刺激を該樹脂に付与して該樹脂を硬化させる被覆ステップと、
    該被覆ステップを実施した後、該樹脂を介してウェーハの表面側を保持手段で保持し、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化することで該溝を露出させ、ウェーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、
    該分割ステップを実施した後、ウェーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
    該接着フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハの裏面側から該接着フィルムを該溝に沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップと、を備えたウェーハの加工方法。
  2. 前記接着フィルムダイシングステップを実施した後、裏面に前記接着フィルムが積層された前記チップを前記樹脂上からピックアップするピックアップステップを更に備えた、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
  3. 前記接着フィルムダイシングステップを実施した後、ウェーハの裏面にシートを貼着するとともにウェーハ上から前記樹脂を除去する転写ステップと、
    該転写ステップを実施した後、該シート上から裏面に前記接着フィルムが積層されたチップをピックアップするピックアップステップと、を更に備えた、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005050914A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2005209940A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP2008010464A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Three M Innovative Properties Co 分割チップの製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005050914A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP2005209940A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP2008010464A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Three M Innovative Properties Co 分割チップの製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法

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