JP7132710B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
図2に示すように、ウェーハWを切削する切削手段10によってウェーハWの分割予定ラインSに沿ってウェーハWの表面Waから仕上げ厚みの深さに至る溝Mを形成する。切削手段10は、水平方向(図示の例ではY軸方向)の軸心を有するスピンドル11と、スピンドル11を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング12と、スピンドル11の先端に装着された切削ブレード13とを少なくとも備え、スピンドル11の回転によって切削ブレード13も回転する構成となっている。切削手段10には、切削手段10を加工送り方向(図示の例ではX軸方向)と直交するインデックス送り方向(Y軸方向)に移動させる図示しない移動手段と、切削手段10を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
溝形成ステップを実施した後、例えば、図3(a)に示すプレス装置20において、ウェーハWの表面Waに樹脂2を供給して被覆し、外的刺激を樹脂2に付与することにより樹脂2を硬化させる。プレス装置20は、ウェーハWを吸引保持し表面Waに樹脂2を被覆させる樹脂被覆手段21と、樹脂被覆手段21と対向して配設された支持台26とを少なくとも備えている。樹脂被覆手段21は、枠体の内部に配設されウェーハWを吸引保持する保持面22aを有する吸引保持部22を備えている。吸引保持部22は、一端がバルブ24を介して吸引源25に接続された吸引路23に連通している。樹脂被覆手段21には、図示していないが、上下方向に移動可能な昇降手段が接続されており、樹脂被覆手段21の全体が昇降可能となっている。支持台26は、例えばガラスによって構成されている。
被覆ステップを実施した後、図5に示すように、樹脂2aを介してウェーハWの表面Wa側を保持手段40で保持し、保持手段40の上方側に配設された研削手段30によってウェーハWの裏面Wbを研削することにより、ウェーハWを複数のチップCへと分割する。研削手段30は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル31と、スピンドル31の下端にマウント32を介して装着された研削ホイール33と、研削ホイール33の下部にリング状に固着された研削砥石34とを備えている。研削手段30には、図示しない昇降手段が接続されており、昇降手段によって研削ホイール33を回転させながら研削手段30の全体を昇降させることができる。
分割ステップを実施した後、図6に示すように、ウェーハWの裏面Wbに接着フィルム3を貼着する。接着フィルム3は、少なくともウェーハWと略同径の大きさを有し、例えば、ポリイミド系の樹脂、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂等により構成されるシート状のダイアタッチフィルム(DAF)と称される接着フィルムである。複数のチップCに分割されたウェーハWの表面Wa側は、樹脂2aによって各チップCが動かないように強固に固定されているため、接着フィルム3をウェーハWの裏面Wbに貼着するときにダイシフトが発生することはない。なお、接着フィルム3のサイズ(外径)は、ウェーハWのサイズ(外径)に応じて適宜変更することができる。
接着フィルム貼着ステップを実施した後、図7に示すように、例えば、レーザビーム照射手段50を用いて、レーザビームLBをウェーハWの裏面Wb側から照射して接着フィルム3を溝Mに沿ってダイシングする。レーザビーム照射手段50は、接着フィルム3に対して吸収性を有する波長のレーザビームLBを発振する発振器(図示せず)と、レーザビームLBを集光するための集光器51とを少なくとも備えている。レーザビーム照射手段50は、上下方向に移動可能となっており、上下に集光器51を移動させてレーザビームLBの集光位置を調整することができる。
接着フィルムダイシングステップを実施した後、図8に示すように、裏面Wbに接着フィルム3が積層されたチップCを樹脂2a上からピックアップする。例えば、反転機能を有する反転ピッカー(図示せず)を用いて接着フィルム3側を吸着して上昇することにより、チップCを樹脂2aから離反させてピックアップすることができる。そして、ピックアップされたチップCは、反転ピッカーによって表裏が反転され、金属フレームや基板上にダイボンディングされる。
接着フィルムダイシングステップを実施した後は、ピックアップステップを実施して樹脂2aの上からチップCをピックアップできるため、次の工程(例えば実装工程)にチップCを効率よく移送することができる。
10:切削手段 11:スピンドル 12:スピンドルハウジング 13:切削ブレード
20:プレス装置 21:樹脂被覆手段 22:吸引保持部 22a:保持面
23:吸引路 24:バルブ 25:吸引源 26:支持台 27:UVランプ
30:研削手段 31:スピンドル 32:マウント 33:研削ホイール
34:研削砥石 40:保持手段 50:レーザビーム照射手段 51:集光器
60:保持手段
Claims (3)
- 交差する複数の分割予定ラインを有したウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面から仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に外的刺激で硬化する樹脂を供給して該溝を該樹脂で充填するとともにウェーハの表面を該樹脂のみで被覆し、該外的刺激を該樹脂に付与して該樹脂を硬化させる被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、該樹脂を直接保持することによりウェーハの表面側を保持手段で保持し、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化することで該溝を露出させ、ウェーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、ウェーハの裏面に、ダイボンディングのための接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
該接着フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハの裏面側から該接着フィルムを該溝に沿ってダイシングする接着フィルムダイシングステップと、を備えたウェーハの加工方法。 - 前記接着フィルムダイシングステップを実施した後、裏面に前記接着フィルムが積層された前記チップを前記樹脂上からピックアップするピックアップステップを更に備えた、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 前記接着フィルムダイシングステップを実施した後、ウェーハの裏面にシートを貼着するとともにウェーハ上から前記樹脂を除去する転写ステップと、
該転写ステップを実施した後、該シート上から裏面に前記接着フィルムが積層されたチップをピックアップするピックアップステップと、を更に備えた、請求項1に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017225601A JP7132710B2 (ja) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | ウェーハの加工方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7566418B2 (ja) | 2020-09-03 | 2024-10-15 | 株式会社ディスコ | 複数のデバイスチップの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005050914A (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005209940A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008010464A (ja) | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Three M Innovative Properties Co | 分割チップの製造方法 |
JP2015119085A (ja) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP2017079291A (ja) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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JP2005050914A (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JP2008010464A (ja) | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Three M Innovative Properties Co | 分割チップの製造方法 |
JP2015119085A (ja) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP2017079291A (ja) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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---|---|
JP2019096760A (ja) | 2019-06-20 |
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